JPH1126801A - 半導体受光装置の製造方法 - Google Patents
半導体受光装置の製造方法Info
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- JPH1126801A JPH1126801A JP9175462A JP17546297A JPH1126801A JP H1126801 A JPH1126801 A JP H1126801A JP 9175462 A JP9175462 A JP 9175462A JP 17546297 A JP17546297 A JP 17546297A JP H1126801 A JPH1126801 A JP H1126801A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体受光装置の製造方法に関し、ｐｎ接合
が露出する部分を減少させることでリーク電流を低く抑
え、又、結晶成長と同時にｐｎ接合を生成させ、その位
置を正確に制御できるようにし、製造歩留りを向上させ
ようとする。 【解決手段】 段差形状基板３１上に該段差形状を受け
継いだ少なくとも光導波層３２、光吸収層３３、光導波
層３４を順に積層形成して光導波路型ｐｉｎ受光素子を
製造する場合、光吸収層３３上に光導波層３４を形成す
る際にｐ型不純物である例えばＺｎ及びｎ型不純物であ
る例えばＳｅを同時にドーピングして結晶を成長するこ
とに依って前記光導波層３４にｐ+ 領域３４Ａ及び３４
Ｃとｎ領域３４Ｂとを選択的に且つ同時に生成させる。
が露出する部分を減少させることでリーク電流を低く抑
え、又、結晶成長と同時にｐｎ接合を生成させ、その位
置を正確に制御できるようにし、製造歩留りを向上させ
ようとする。 【解決手段】 段差形状基板３１上に該段差形状を受け
継いだ少なくとも光導波層３２、光吸収層３３、光導波
層３４を順に積層形成して光導波路型ｐｉｎ受光素子を
製造する場合、光吸収層３３上に光導波層３４を形成す
る際にｐ型不純物である例えばＺｎ及びｎ型不純物であ
る例えばＳｅを同時にドーピングして結晶を成長するこ
とに依って前記光導波層３４にｐ+ 領域３４Ａ及び３４
Ｃとｎ領域３４Ｂとを選択的に且つ同時に生成させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低暗電流で製造歩
留りが高い半導体受光装置を製造する方法に関する。
留りが高い半導体受光装置を製造する方法に関する。
【０００２】現在、光ファイバを用いた光通信システム
が大容量幹線系で用いられているところであるが、近
年、光ファイバを各家庭まで引いて、加入者系でも用い
ようとする情勢にあり、それを実現するには、光モジュ
ールの低価格化が必要であり、当然のことながら、光モ
ジュールに含まれる半導体受光装置についても例外では
ない。
が大容量幹線系で用いられているところであるが、近
年、光ファイバを各家庭まで引いて、加入者系でも用い
ようとする情勢にあり、それを実現するには、光モジュ
ールの低価格化が必要であり、当然のことながら、光モ
ジュールに含まれる半導体受光装置についても例外では
ない。
【０００３】光モジュールに組み込まれる半導体受光装
置としては、表面実装型が主流であり、面型ｐｉｎ受光
素子や光導波路型ｐｉｎ受光素子が用いられているが、
面型ｐｉｎ受光素子は、光モジュールを自動組み立てす
る際、チップ切り出し時の向きのままでは不都合がある
為、向きを変えることが必要であるが、光導波路型ｐｉ
ｎ受光素子では、その必要がないことから、設備が簡単
で済み、低価格化を実現できる。
置としては、表面実装型が主流であり、面型ｐｉｎ受光
素子や光導波路型ｐｉｎ受光素子が用いられているが、
面型ｐｉｎ受光素子は、光モジュールを自動組み立てす
る際、チップ切り出し時の向きのままでは不都合がある
為、向きを変えることが必要であるが、光導波路型ｐｉ
ｎ受光素子では、その必要がないことから、設備が簡単
で済み、低価格化を実現できる。
【０００４】ところで、前記したような光通信システム
では、各家庭から局に到達する光信号の強度は、局から
各家庭までの距離の違いに依って相違するので、局に於
いては、光強度が大きい信号と小さい信号を同じ光導波
路型ｐｉｎ受光素子で受信することが必要であって、そ
のダイナミック・レンジは広くなければならない。
では、各家庭から局に到達する光信号の強度は、局から
各家庭までの距離の違いに依って相違するので、局に於
いては、光強度が大きい信号と小さい信号を同じ光導波
路型ｐｉｎ受光素子で受信することが必要であって、そ
のダイナミック・レンジは広くなければならない。
【０００５】前記したところから、光導波路型ｐｉｎ受
光素子には更なる高性能化が要求され、低暗電流化、高
効率化、低容量化などを実現しなければならず、本発明
に依れば、その一手段が提供される。
光素子には更なる高性能化が要求され、低暗電流化、高
効率化、低容量化などを実現しなければならず、本発明
に依れば、その一手段が提供される。
【０００６】
【従来の技術】図１３は従来の技術に依るメサ・タイプ
の光導波路型受光素子を表す要部切断斜面図である。
の光導波路型受光素子を表す要部切断斜面図である。
【０００７】図に於いて、１はｐ−ＩｎＰ基板、２はｐ
−ＩｎＡｌＡｓクラッド層、３はｐ−ＩｎＡｌＧａＡｓ
（λg ＝１．１〔μｍ〕）ガイド層、４はｉ−ＩｎＡｌ
ＧａＡｓ（λg ＝１．４〔μｍ〕）光吸収層、５はｎ−
ＩｎＡｌＧａＡｓ（λg ＝１．１〔μｍ〕）ガイド層、
６はｎ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層、７はｎ−ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層、８はＳｉＮからなる絶縁膜、９はポリ
イミドからなる平坦化膜、１０はＳｉＯ2 からなる絶縁
膜、１１はｎ側電極、１２はｐ側電極をそれぞれ示して
いる。尚、λg はエネルギ・バンド・ギャップ波長であ
る。
−ＩｎＡｌＡｓクラッド層、３はｐ−ＩｎＡｌＧａＡｓ
（λg ＝１．１〔μｍ〕）ガイド層、４はｉ−ＩｎＡｌ
ＧａＡｓ（λg ＝１．４〔μｍ〕）光吸収層、５はｎ−
ＩｎＡｌＧａＡｓ（λg ＝１．１〔μｍ〕）ガイド層、
６はｎ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層、７はｎ−ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層、８はＳｉＮからなる絶縁膜、９はポリ
イミドからなる平坦化膜、１０はＳｉＯ2 からなる絶縁
膜、１１はｎ側電極、１２はｐ側電極をそれぞれ示して
いる。尚、λg はエネルギ・バンド・ギャップ波長であ
る。
【０００８】この受光素子では、半導体層をメサ・エッ
チングしているので、受光領域を構成するｐｉｎ接合構
造を空気中に曝した後に絶縁膜８を形成することにな
り、そのようにした場合、絶縁膜８と半導体との界面に
暗電流の原因となる発生再結合中心が生成され易く、そ
して、暗電流は素子寿命を短くする原因となるので、長
期に亙って信頼性を維持することができない。
チングしているので、受光領域を構成するｐｉｎ接合構
造を空気中に曝した後に絶縁膜８を形成することにな
り、そのようにした場合、絶縁膜８と半導体との界面に
暗電流の原因となる発生再結合中心が生成され易く、そ
して、暗電流は素子寿命を短くする原因となるので、長
期に亙って信頼性を維持することができない。
【０００９】図１４は従来の技術に依る拡散タイプの光
導波路型受光素子を表す要部切断斜面図である。
導波路型受光素子を表す要部切断斜面図である。
【００１０】図に於いて、２１は半絶縁性ＩｎＰ基板、
２２はｎ+ −ＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１．２〔μｍ〕）
中間屈折率層、２３はｎ- −ＩｎＧａＡｓＰ（λg ＝
１．４〔μｍ〕）光吸収層、２４はｎ- −ＩｎＧａＡｓ
Ｐ（λg ＝１．２〔μｍ〕）中間屈折率層、２５はＺｎ
拡散領域、２６はｐ側電極、２７はｎ側電極、２８は入
射光をそれぞれ示している。
２２はｎ+ −ＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１．２〔μｍ〕）
中間屈折率層、２３はｎ- −ＩｎＧａＡｓＰ（λg ＝
１．４〔μｍ〕）光吸収層、２４はｎ- −ＩｎＧａＡｓ
Ｐ（λg ＝１．２〔μｍ〕）中間屈折率層、２５はＺｎ
拡散領域、２６はｐ側電極、２７はｎ側電極、２８は入
射光をそれぞれ示している。
【００１１】この受光素子では、図１３について説明し
た光導波路型受光素子と異なって、ｐｎ接合が良質な半
導体で覆われているので、その面では好ましいのである
が、高効率化の為、光ガイド層である中間屈折率層２４
が設けられていて、中間屈折率層２４の表面から光吸収
層２３の表面までは２〔μｍ〕〜５〔μｍ〕もあるか
ら、ｐ型領域であるＺｎ拡散領域２５の拡散フロント
（拡散領域の底）を正確に制御することは難しく、製造
歩留りは大変悪いものになっている。
た光導波路型受光素子と異なって、ｐｎ接合が良質な半
導体で覆われているので、その面では好ましいのである
が、高効率化の為、光ガイド層である中間屈折率層２４
が設けられていて、中間屈折率層２４の表面から光吸収
層２３の表面までは２〔μｍ〕〜５〔μｍ〕もあるか
ら、ｐ型領域であるＺｎ拡散領域２５の拡散フロント
（拡散領域の底）を正確に制御することは難しく、製造
歩留りは大変悪いものになっている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明では、ｐｎ接合
が露出する部分を減少させることでリーク電流を低く抑
え、また、結晶成長と同時にｐｎ接合を生成させ、その
位置を正確に制御できるようにし、製造歩留りを向上さ
せようとする。
が露出する部分を減少させることでリーク電流を低く抑
え、また、結晶成長と同時にｐｎ接合を生成させ、その
位置を正確に制御できるようにし、製造歩留りを向上さ
せようとする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に於いては、半導
体受光装置を製造するに際して、段差形状基板にバッフ
ァ兼導波層、光吸収層、導波層などを順に成長するので
あるが、導波層を成長させる際、結晶の面方位に依存し
て不純物の取り込まれ量が変化することを利用し、自然
発生的にｐ+ 領域及びｎ+ 領域を作り分ける技術を取り
込むことが基本になっている。
体受光装置を製造するに際して、段差形状基板にバッフ
ァ兼導波層、光吸収層、導波層などを順に成長するので
あるが、導波層を成長させる際、結晶の面方位に依存し
て不純物の取り込まれ量が変化することを利用し、自然
発生的にｐ+ 領域及びｎ+ 領域を作り分ける技術を取り
込むことが基本になっている。
【００１４】図１５及び図１６はＩｎＰ系材料に於ける
面方位に依ってドーパントの取り込まれ量が変化するこ
とを説明する為の線図であり、横軸には面方位のオフ角
を、縦軸には不純物濃度をそれぞれ採ってある。尚、ド
ーパントの取り込まれ量は、キャリヤ濃度と比例するこ
とが知られている。
面方位に依ってドーパントの取り込まれ量が変化するこ
とを説明する為の線図であり、横軸には面方位のオフ角
を、縦軸には不純物濃度をそれぞれ採ってある。尚、ド
ーパントの取り込まれ量は、キャリヤ濃度と比例するこ
とが知られている。
【００１５】図１５はＡ面にドーピングした場合の取り
込まれ量の変化であり、図１６はＢ面にドーピングした
場合の取り込まれ量の変化である。
込まれ量の変化であり、図１６はＢ面にドーピングした
場合の取り込まれ量の変化である。
【００１６】図１５並びに図１６からすると、ＩｎＰに
同時ドーピングを行なって選択的にｐｎ接合を生成させ
ることができることが看取される。即ち、Ｚｎ、Ｓ、Ｓ
ｉ、Ｓｎなどのドーパントは、基板に種々な面方位が表
出されている場合、結晶成長時に取り込まれ量が変化す
るので、それぞれの面方位でキャリヤ濃度が変化するこ
とになる。
同時ドーピングを行なって選択的にｐｎ接合を生成させ
ることができることが看取される。即ち、Ｚｎ、Ｓ、Ｓ
ｉ、Ｓｎなどのドーパントは、基板に種々な面方位が表
出されている場合、結晶成長時に取り込まれ量が変化す
るので、それぞれの面方位でキャリヤ濃度が変化するこ
とになる。
【００１７】通常、ＩｎＰにＺｎをドーピングするとｐ
領域となり、Ｓ、Ｓｉ、Ｓｎをドーピングするとｎ領域
となるので、この性質を利用することで、ｐ領域とｎ領
域とを同時に選択成長させることができる。
領域となり、Ｓ、Ｓｉ、Ｓｎをドーピングするとｎ領域
となるので、この性質を利用することで、ｐ領域とｎ領
域とを同時に選択成長させることができる。
【００１８】例えば、（１００）基板をエッチングし
て、部分的に（２１１）Ａ面が現れている状態とし、Ｚ
ｎとＳとを同時にドーピングすると、（１００）面に
は、Ｓが多く取り込まれてｎ領域が生成され、（２１
１）Ａ面には、Ｚｎが多く取り込まれてｐ領域が生成さ
れる。
て、部分的に（２１１）Ａ面が現れている状態とし、Ｚ
ｎとＳとを同時にドーピングすると、（１００）面に
は、Ｓが多く取り込まれてｎ領域が生成され、（２１
１）Ａ面には、Ｚｎが多く取り込まれてｐ領域が生成さ
れる。
【００１９】図１７並びに図１８はＧａＡｓ系材料に於
ける面方位に依ってドーパントの取り込まれ量が変化す
ることを説明する為の線図であり、横軸には面方位のオ
フ角を、縦軸には不純物濃度をそれぞれ採ってある。
ける面方位に依ってドーパントの取り込まれ量が変化す
ることを説明する為の線図であり、横軸には面方位のオ
フ角を、縦軸には不純物濃度をそれぞれ採ってある。
【００２０】図１７並びに図１８には、ＧａＡｓ（Ｉｎ
ＧａＡｓでも同様）に同時ドーピングを行なって選択的
にｐｎ接合を生成させることができる旨が示され、そこ
から看取されることは、図１５並びに図１６の場合と同
様である。
ＧａＡｓでも同様）に同時ドーピングを行なって選択的
にｐｎ接合を生成させることができる旨が示され、そこ
から看取されることは、図１５並びに図１６の場合と同
様である。
【００２１】前記したところから、本発明に依る半導体
受光装置の製造方法に於いては、 （１）段差形状基板（例えば段差形状基板３１）上に該
段差形状を受け継いだ少なくとも光導波層（例えば光導
波層３２）及び光吸収層（例えば光吸収層３３）及び光
導波層（例えば光導波層３４）を順に積層形成して光導
波路型ｐｉｎ受光素子を製造する場合に於いて、前記光
吸収層上に光導波層を形成する際にｐ型領域を生成する
ｐ型不純物（例えばＺｎ）及びｎ型領域を生成するｎ型
不純物（例えばＳｅ）を同時にドーピングして結晶を成
長することに依って前記光導波層にｐ型領域（例えばｐ
+ 領域３４Ａ及び３４Ｃ）とｎ型領域（例えばｎ領域３
４Ｂ）とを選択的に生成させる工程が含まれてなること
を特徴とするか、又は、
受光装置の製造方法に於いては、 （１）段差形状基板（例えば段差形状基板３１）上に該
段差形状を受け継いだ少なくとも光導波層（例えば光導
波層３２）及び光吸収層（例えば光吸収層３３）及び光
導波層（例えば光導波層３４）を順に積層形成して光導
波路型ｐｉｎ受光素子を製造する場合に於いて、前記光
吸収層上に光導波層を形成する際にｐ型領域を生成する
ｐ型不純物（例えばＺｎ）及びｎ型領域を生成するｎ型
不純物（例えばＳｅ）を同時にドーピングして結晶を成
長することに依って前記光導波層にｐ型領域（例えばｐ
+ 領域３４Ａ及び３４Ｃ）とｎ型領域（例えばｎ領域３
４Ｂ）とを選択的に生成させる工程が含まれてなること
を特徴とするか、又は、
【００２２】（２）前記（１）に於いて、ｐ型不純物が
Ｂｅ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｇｅ，Ｃから選択されたもの
であると共にｎ型不純物がＳ，Ｓｉ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｎ
から選択されたものであることを特徴とするか、或い
は、
Ｂｅ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｇｅ，Ｃから選択されたもの
であると共にｎ型不純物がＳ，Ｓｉ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｎ
から選択されたものであることを特徴とするか、或い
は、
【００２３】（３）前記（１）或いは（２）に於いて、
段差形状基板がｎ型である場合に受光部である光吸収層
部分の直上に位置するｐ型領域が（００１）面に生成さ
れると共に前記ｐ型領域に接するｎ型領域がＡ面にオフ
した面に生成されることを特徴とするか、或いは、
段差形状基板がｎ型である場合に受光部である光吸収層
部分の直上に位置するｐ型領域が（００１）面に生成さ
れると共に前記ｐ型領域に接するｎ型領域がＡ面にオフ
した面に生成されることを特徴とするか、或いは、
【００２４】（４）前記（１）或いは（２）に於いて、
段差形状基板がｐ型である場合に受光部である光吸収層
部分の直上に位置するｎ型領域が（００１）面に生成さ
れると共に前記ｎ型領域に接するｐ型領域がＢ面にオフ
した面に生成されることを特徴とするか、或いは、
段差形状基板がｐ型である場合に受光部である光吸収層
部分の直上に位置するｎ型領域が（００１）面に生成さ
れると共に前記ｎ型領域に接するｐ型領域がＢ面にオフ
した面に生成されることを特徴とするか、或いは、
【００２５】（５）前記（１）或いは（２）に於いて、
段差形状基板がｎ型である場合にｎ型領域が（００１）
面に生成されると共に受光部である光吸収層部分直上の
ｐ型領域がＢ面にオフした面に前記ｎ型領域と接して生
成されることを特徴とするか、或いは、
段差形状基板がｎ型である場合にｎ型領域が（００１）
面に生成されると共に受光部である光吸収層部分直上の
ｐ型領域がＢ面にオフした面に前記ｎ型領域と接して生
成されることを特徴とするか、或いは、
【００２６】（６）前記（１）或いは（２）に於いて、
段差形状基板がｐ型である場合にｐ型領域が（００１）
面に生成されると共に受光部である光吸収層部分直上の
ｎ型領域がＡ面にオフした面に前記ｐ型領域と接して生
成されることを特徴とするか、或いは、
段差形状基板がｐ型である場合にｐ型領域が（００１）
面に生成されると共に受光部である光吸収層部分直上の
ｎ型領域がＡ面にオフした面に前記ｐ型領域と接して生
成されることを特徴とするか、或いは、
【００２７】（７）前記（１）乃至（６）の何れか１に
於いて、光吸収層に於ける光入射側と反対側にミラーを
形成することを特徴とする。
於いて、光吸収層に於ける光入射側と反対側にミラーを
形成することを特徴とする。
【００２８】前記手段を採ることに依って、生成された
ｐｎ接合の大部分は、良質の半導体に囲まれ、ごく僅か
な部分が表出されるのみである為、リーク電流を少なく
抑えることができ、また、そのｐｎ接合は、結晶成長時
に自然発生的に生成され、しかも、その位置は、下地の
面方位に依って正確に制御されるので製造歩留りは向上
する。
ｐｎ接合の大部分は、良質の半導体に囲まれ、ごく僅か
な部分が表出されるのみである為、リーク電流を少なく
抑えることができ、また、そのｐｎ接合は、結晶成長時
に自然発生的に生成され、しかも、その位置は、下地の
面方位に依って正確に制御されるので製造歩留りは向上
する。
【００２９】
【発明の実施の形態】図１は本発明に於ける実施の形態
１に依って製造された半導体受光装置を表す要部切断斜
面図である。
１に依って製造された半導体受光装置を表す要部切断斜
面図である。
【００３０】図に於いて、３１は段差形状基板、３２は
光導波層、３３は光吸収層、３４は光導波層、３４Ａは
光導波層３４に於けるｐ+ 領域、３４Ｂは光導波層３４
に於けるｎ領域、３４Ｃは光導波層３４に於けるｐ+ 領
域、３５はＳｉＮからなる保護膜、３６はポリイミド
層、３７はｐ側電極、３８はｎ側電極をそれぞれ示して
いる。
光導波層、３３は光吸収層、３４は光導波層、３４Ａは
光導波層３４に於けるｐ+ 領域、３４Ｂは光導波層３４
に於けるｎ領域、３４Ｃは光導波層３４に於けるｐ+ 領
域、３５はＳｉＮからなる保護膜、３６はポリイミド
層、３７はｐ側電極、３８はｎ側電極をそれぞれ示して
いる。
【００３１】ここで、半導体部分に関する主要なデータ
を例示すると次の通りである。 基板３１について 材料：ｎ+ −ＩｎＰ 光導波層３２について 材料：ｎ+ −Ｉｎ1-x Ｇａx Ａｓy Ｐ1-x （ｘ＝０．２１７ ｙ＝０．４２７） 不純物濃度：５×１０17〔cm-3〕 厚さ：３〔μｍ〕 光吸収層３３について 材料：アンドープＩｎ1-x Ｇａx Ａｓy Ｐ1-x （ｘ＝０．３４２ ｙ＝０．７３６） 不純物濃度：２×１０14〔cm-3〕 厚さ：３〔μｍ〕 光導波層３４について 材料：Ｉｎ1-x Ｇａx Ａｓy Ｐ1-x （ｘ＝０．２１７ ｙ＝０．４２７） ｐ+ 領域３４Ａ及び３４Ｃの不純物濃度：２×１０
18〔cm-3〕 ｎ領域３４Ｂの不純物濃度：５×１０17〔cm-3〕 厚さ：３〔μｍ〕
を例示すると次の通りである。 基板３１について 材料：ｎ+ −ＩｎＰ 光導波層３２について 材料：ｎ+ −Ｉｎ1-x Ｇａx Ａｓy Ｐ1-x （ｘ＝０．２１７ ｙ＝０．４２７） 不純物濃度：５×１０17〔cm-3〕 厚さ：３〔μｍ〕 光吸収層３３について 材料：アンドープＩｎ1-x Ｇａx Ａｓy Ｐ1-x （ｘ＝０．３４２ ｙ＝０．７３６） 不純物濃度：２×１０14〔cm-3〕 厚さ：３〔μｍ〕 光導波層３４について 材料：Ｉｎ1-x Ｇａx Ａｓy Ｐ1-x （ｘ＝０．２１７ ｙ＝０．４２７） ｐ+ 領域３４Ａ及び３４Ｃの不純物濃度：２×１０
18〔cm-3〕 ｎ領域３４Ｂの不純物濃度：５×１０17〔cm-3〕 厚さ：３〔μｍ〕
【００３２】この半導体受光装置では、図で見て後方の
一部が表面から基板３１に達するまで除去され、それに
依って生成された凹所は、ＳｉＮからなる保護膜３５で
覆われ、ポリイミド層３６で埋められている。
一部が表面から基板３１に達するまで除去され、それに
依って生成された凹所は、ＳｉＮからなる保護膜３５で
覆われ、ポリイミド層３６で埋められている。
【００３３】このような構造にする理由は、図示の半導
体受光装置に於ける基板３１の平面で見た大きさは半導
体レーザと略同じであって、光導波方向の長さは共振器
長に等しい約３００〔μｍ〕になっているが、半導体受
光装置では、そのような長さにする必要はなく、また、
寄生容量を低減させるのに有効であることに依る。
体受光装置に於ける基板３１の平面で見た大きさは半導
体レーザと略同じであって、光導波方向の長さは共振器
長に等しい約３００〔μｍ〕になっているが、半導体受
光装置では、そのような長さにする必要はなく、また、
寄生容量を低減させるのに有効であることに依る。
【００３４】本発明に於いて、光導波層３４に於けるｐ
+ 領域３４Ａ並びに３４Ｃとｎ領域３４Ｂを不純物の同
時ドーピングで形成するには、段差形状基板３１が重要
であるので、その製造プロセスについて説明する。
+ 領域３４Ａ並びに３４Ｃとｎ領域３４Ｂを不純物の同
時ドーピングで形成するには、段差形状基板３１が重要
であるので、その製造プロセスについて説明する。
【００３５】図２は段差形状基板を作成する工程を説明
する為の工程要所に於ける段差形状基板を表す要部切断
正面図である。
する為の工程要所に於ける段差形状基板を表す要部切断
正面図である。
【００３６】図２（Ａ）参照 ２−（１） 化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用することに依り、主
面の面指数が（００１）であるｎ+ −ＩｎＰ基板３１に
ＳｉＮ膜３９を形成する。 ２−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチング・ガスをＣＨＦ3 とするドライ・エッチング
法を適用することに依り、ＳｉＮ膜３９のエッチングを
行なって、ストライプ光導波路形成予定部分上を覆うも
の以外を除去する。
ｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用することに依り、主
面の面指数が（００１）であるｎ+ −ＩｎＰ基板３１に
ＳｉＮ膜３９を形成する。 ２−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチング・ガスをＣＨＦ3 とするドライ・エッチング
法を適用することに依り、ＳｉＮ膜３９のエッチングを
行なって、ストライプ光導波路形成予定部分上を覆うも
の以外を除去する。
【００３７】図２（Ｂ）参照 ２−（２） リン酸＋塩酸をエッチング液とするウエット・エッチン
グ法を適用することに依り、ＳｉＮ膜３９をマスクにｎ
+ −ＩｎＰ基板３１のエッチングを行なって段差形状を
構成するリッジ状部分３１Ａを形成する。
グ法を適用することに依り、ＳｉＮ膜３９をマスクにｎ
+ −ＩｎＰ基板３１のエッチングを行なって段差形状を
構成するリッジ状部分３１Ａを形成する。
【００３８】この場合、リッジ状部分３１Ａの長手方向
側面には、（００１）面が表出される。
側面には、（００１）面が表出される。
【００３９】図２（Ｃ）参照 ２−（３） フッ酸＋フッ化アンモニウム（１：５０）液中に浸漬し
てエッチング・マスクとして用いたＳｉＮ膜３９を除去
する。
てエッチング・マスクとして用いたＳｉＮ膜３９を除去
する。
【００４０】図３は段差形状基板を作成する他の工程を
説明する為の工程要所に於ける段差形状基板を表す要部
切断正面図である。
説明する為の工程要所に於ける段差形状基板を表す要部
切断正面図である。
【００４１】図３（Ａ）参照 ３−（１） ＣＶＤ法を適用することに依って、主面の面指数が（０
０１）であるｎ+ −ＩｎＰ基板３１にＳｉＮ膜３９を形
成する。 ２−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチング・ガスをＣＨＦ3 とするドライ・エッチング
法を適用することに依り、ＳｉＮ膜３９のエッチングを
行なって、ストライプ光導波路形成予定部分に開口３９
Ａを形成する。
０１）であるｎ+ −ＩｎＰ基板３１にＳｉＮ膜３９を形
成する。 ２−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチング・ガスをＣＨＦ3 とするドライ・エッチング
法を適用することに依り、ＳｉＮ膜３９のエッチングを
行なって、ストライプ光導波路形成予定部分に開口３９
Ａを形成する。
【００４２】図３（Ｂ）参照 ３−（２） 選択エピタキシャル成長法を適用することに依り、Ｓｉ
Ｎ膜３９に於ける開口３９Ａ内に表出されたｎ+ −Ｉｎ
Ｐ基板３１上にｎ+ −ＩｎＰからなるリッジ状部分３１
Ａを形成する。
Ｎ膜３９に於ける開口３９Ａ内に表出されたｎ+ −Ｉｎ
Ｐ基板３１上にｎ+ −ＩｎＰからなるリッジ状部分３１
Ａを形成する。
【００４３】この場合も、図２について説明した例と同
様、リッジ状部分３１Ａの長手方向側面には、（１１
０）面が表出される。
様、リッジ状部分３１Ａの長手方向側面には、（１１
０）面が表出される。
【００４４】図３（Ｃ）参照 ３−（３） フッ酸＋フッ化アンモニウム（１：５０）液中に浸漬し
てエッチング・マスクとして用いたＳｉＮ膜３９を除去
する。
てエッチング・マスクとして用いたＳｉＮ膜３９を除去
する。
【００４５】前記のようにして作成した段差形状をもつ
ｎ+ −ＩｎＰ基板３１を用いて半導体受光装置を製造す
る場合について説明しよう。
ｎ+ −ＩｎＰ基板３１を用いて半導体受光装置を製造す
る場合について説明しよう。
【００４６】図４乃至図７は図１に見られる半導体受光
装置の製造工程である実施の形態１を説明する為の工程
要所に於ける半導体受光装置を表す要部切断正面図であ
り、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、図１
乃至図３に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか
或いは同じ意味を持つものとする。
装置の製造工程である実施の形態１を説明する為の工程
要所に於ける半導体受光装置を表す要部切断正面図であ
り、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、図１
乃至図３に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか
或いは同じ意味を持つものとする。
【００４７】図４（Ａ）参照 ４−（１） ここでは、図３について説明した工程を経て得られるリ
ッジ状部分３１Ａをもった基板３１を用いる。尚、基板
３１に於けるリッジ状部分３１Ａが延在する方向の長さ
は約３００〔μｍ〕である。
ッジ状部分３１Ａをもった基板３１を用いる。尚、基板
３１に於けるリッジ状部分３１Ａが延在する方向の長さ
は約３００〔μｍ〕である。
【００４８】図４（Ｂ）参照 ４−（２） ＭＯＶＰＥ（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ
ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ）法を適用することに依っ
て、基板３１上に光導波層３２、光吸収層３３、光導波
層３４を順にエピタキシャル成長させる。
ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ）法を適用することに依っ
て、基板３１上に光導波層３２、光吸収層３３、光導波
層３４を順にエピタキシャル成長させる。
【００４９】この場合、光導波層３４を成長させる際、
ｐ型不純物としてＺｎを、また、ｎ型不純物としてＳを
同時にドーピングし、面指数が（００１）である主面上
には、ｐ+ 領域３４Ａ及び３４Ｃが生成され、また、面
指数が（１１０）であるリッジ状部分３１Ａの側面に
は、ｎ領域３４Ｂが生成される。
ｐ型不純物としてＺｎを、また、ｎ型不純物としてＳを
同時にドーピングし、面指数が（００１）である主面上
には、ｐ+ 領域３４Ａ及び３４Ｃが生成され、また、面
指数が（１１０）であるリッジ状部分３１Ａの側面に
は、ｎ領域３４Ｂが生成される。
【００５０】図５（Ａ）参照 ５−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、真空蒸
着法、リフト・オフ法を適用することに依り、ｐ+ 領域
３４Ａ上にＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕからな
るｐ側電極３７を形成する。
着法、リフト・オフ法を適用することに依り、ｐ+ 領域
３４Ａ上にＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ａｕ／Ｚｎ／Ａｕからな
るｐ側電極３７を形成する。
【００５１】尚、ｐ側電極３７は、光入射側端面から若
干の間隙を於き、長さが約１００〔μｍ〕程度となるよ
うに形成するものであり、その理由は、図１について説
明した通り、積層形成した各半導体層のうち、光入射側
端面から約１００〔μｍ〕程度を用いるようにし、残り
は除去してしまうことに依る。
干の間隙を於き、長さが約１００〔μｍ〕程度となるよ
うに形成するものであり、その理由は、図１について説
明した通り、積層形成した各半導体層のうち、光入射側
端面から約１００〔μｍ〕程度を用いるようにし、残り
は除去してしまうことに依る。
【００５２】図５（Ｂ）参照 ５−（２） 位置の関係で、図５（Ｂ）には現れていないが、図１に
ついて説明したように寄生容量を低減させる為、リッジ
状部分を含む各半導体層のうち、光入射側端面から約１
００〔μｍ〕程度を残して後の部分を除去する。
ついて説明したように寄生容量を低減させる為、リッジ
状部分を含む各半導体層のうち、光入射側端面から約１
００〔μｍ〕程度を残して後の部分を除去する。
【００５３】この場合、ＣＶＤ法を適用してＳｉＮ膜を
形成してから、エッチャントを例えばフッ酸：フッ化ア
ンモニウム＝１：５０（ＳｉＮ用）、塩酸：リン酸＝
１：４（ＩｎＰ用）、酢酸：過酸化水素：水＝２：１：
１（ＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＰ同時エッチング用）とす
るウエット・エッチング法を適用して垂直にエッチング
する。尚、この場合、ＳｉＮ膜は各半導体層をエッチン
グする際のマスクとなることは云うまでもない。
形成してから、エッチャントを例えばフッ酸：フッ化ア
ンモニウム＝１：５０（ＳｉＮ用）、塩酸：リン酸＝
１：４（ＩｎＰ用）、酢酸：過酸化水素：水＝２：１：
１（ＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＰ同時エッチング用）とす
るウエット・エッチング法を適用して垂直にエッチング
する。尚、この場合、ＳｉＮ膜は各半導体層をエッチン
グする際のマスクとなることは云うまでもない。
【００５４】５−（３） ＣＶＤ法を適用することに依り、ｐ側電極３７上も含め
た全面に厚さが例えば１００〔ｎｍ〕程度のＳｉＮから
なる保護膜３５を形成する。
た全面に厚さが例えば１００〔ｎｍ〕程度のＳｉＮから
なる保護膜３５を形成する。
【００５５】５−（４） スピン・コート法を適用することに依り、高分子化合物
原料、例えばＰＩＸ−６４００（日立化成株式会社製）
を塗布してから、温度２００〔℃〕、３００〔℃〕、３
５０〔℃〕でキュアを行なってイミド化することでポリ
イミド層を形成する。尚、ｐ側電極３７上などに形成さ
れたポリイミド層は、酸素プラズマ・エッチングなどで
除去する。
原料、例えばＰＩＸ−６４００（日立化成株式会社製）
を塗布してから、温度２００〔℃〕、３００〔℃〕、３
５０〔℃〕でキュアを行なってイミド化することでポリ
イミド層を形成する。尚、ｐ側電極３７上などに形成さ
れたポリイミド層は、酸素プラズマ・エッチングなどで
除去する。
【００５６】５−（４） 保護膜３５を形成したままの状態で、ｐ側電極３７を合
金化する為の熱処理を行なう。尚、保護膜３５で覆った
まま熱処理を行なうと、良好な合金化を実現することが
できる。
金化する為の熱処理を行なう。尚、保護膜３５で覆った
まま熱処理を行なうと、良好な合金化を実現することが
できる。
【００５７】図６（Ａ）参照 ６−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチャントをフッ酸：フッ化アンモニウム＝１：５０
とするウエット・エッチング法を適用することに依り、
保護膜３５を選択的に除去してｐ側電極３７を表出させ
る。 ６−（２） ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐ
ｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を適用することに依り、基板３１
の裏面側を研磨し、矢印で指示してある厚さを１２０
〔μｍ〕にする。
エッチャントをフッ酸：フッ化アンモニウム＝１：５０
とするウエット・エッチング法を適用することに依り、
保護膜３５を選択的に除去してｐ側電極３７を表出させ
る。 ６−（２） ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐ
ｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を適用することに依り、基板３１
の裏面側を研磨し、矢印で指示してある厚さを１２０
〔μｍ〕にする。
【００５８】図６（Ｂ）参照 ６−（３） 真空蒸着法を適用することに依り、基板３１の裏面側に
Ａｕ／ＡｕＳｎからなるｎ側電極３８を形成する。
Ａｕ／ＡｕＳｎからなるｎ側電極３８を形成する。
【００５９】図７参照 ７−（１） 通常の半導体レーザと同様な劈開を行なってから、プラ
ズマＣＶＤ法を適用することに依り、光入射側の端面に
ＳｉＮからなるＡＲコート膜３９を形成して完成させ
る。
ズマＣＶＤ法を適用することに依り、光入射側の端面に
ＳｉＮからなるＡＲコート膜３９を形成して完成させ
る。
【００６０】図８は図１乃至図７について説明した半導
体受光装置の動作を説明する為の半導体受光装置の要部
切断正面図であり、図１乃至図７に於いて用いた記号と
同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとす
る。
体受光装置の動作を説明する為の半導体受光装置の要部
切断正面図であり、図１乃至図７に於いて用いた記号と
同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとす
る。
【００６１】図に於いて、４０は半導体受光装置に入射
して伝播する光ビームを示し、このように光ビーム４０
が伝播する際、その両側方にｐ+ 領域３４Ｃが存在して
いるので、そのｐ+ 領域３４Ｃはキャリヤ・トラップと
して作用し、従って、高速動作させた際に生じる光ビー
ムの裾引き現象を低減させることができる。
して伝播する光ビームを示し、このように光ビーム４０
が伝播する際、その両側方にｐ+ 領域３４Ｃが存在して
いるので、そのｐ+ 領域３４Ｃはキャリヤ・トラップと
して作用し、従って、高速動作させた際に生じる光ビー
ムの裾引き現象を低減させることができる。
【００６２】図９は本発明に於ける実施の形態２に依っ
て製造された半導体受光装置を表す要部切断正面図であ
る。
て製造された半導体受光装置を表す要部切断正面図であ
る。
【００６３】図に於いて、４１はｐ+ 段差形状基板、４
２はｐ+ 光導波層、４３はアンドープ光吸収層、４４は
光導波層、４４Ａは光導波層４４に於けるｎ+ 領域、４
４Ｂは導波層４４に於けるｐ領域、４４Ｃは導波層４４
に於けるｎ+ 領域、４５はＳｉＮからなる保護膜、４６
はｐ側電極、４７はｎ側電極をそれぞれ示している。
２はｐ+ 光導波層、４３はアンドープ光吸収層、４４は
光導波層、４４Ａは光導波層４４に於けるｎ+ 領域、４
４Ｂは導波層４４に於けるｐ領域、４４Ｃは導波層４４
に於けるｎ+ 領域、４５はＳｉＮからなる保護膜、４６
はｐ側電極、４７はｎ側電極をそれぞれ示している。
【００６４】この半導体受光装置は、実施の形態１に依
る半導体受光装置がｎ+ 段差形状基板を用いているのに
対し、ｐ+ 段差形状基板を用い、全体として各部分の導
電型が逆になっている点で相違している。
る半導体受光装置がｎ+ 段差形状基板を用いているのに
対し、ｐ+ 段差形状基板を用い、全体として各部分の導
電型が逆になっている点で相違している。
【００６５】図１０は本発明に於ける実施の形態３に依
って製造された半導体受光装置を表す要部切断正面図で
あり、図９に於いて用いた記号と同記号は同部分を表す
か或いは同じ意味を持つものとする。
って製造された半導体受光装置を表す要部切断正面図で
あり、図９に於いて用いた記号と同記号は同部分を表す
か或いは同じ意味を持つものとする。
【００６６】この半導体受光装置は、実施の形態２に依
る半導体受光装置のｎ+ 領域４４Ａがリッジ状部分の頂
面に形成されているのに対し、ｎ+ 領域４４Ａが相隣る
リッジ状部分とリッジ状部分との間に生成された溝状部
分の底面に形成されている点で相違している。
る半導体受光装置のｎ+ 領域４４Ａがリッジ状部分の頂
面に形成されているのに対し、ｎ+ 領域４４Ａが相隣る
リッジ状部分とリッジ状部分との間に生成された溝状部
分の底面に形成されている点で相違している。
【００６７】図１１は本発明に於ける実施の形態４及び
実施の形態５に依って製造された半導体受光装置を表す
要部切断正面図である。
実施の形態５に依って製造された半導体受光装置を表す
要部切断正面図である。
【００６８】（Ａ）に於いて、５１はｎ+ 段差形状基
板、５２はｎ+ 光導波層、５３はアンドープ光吸収層、
５４は光導波層、５４Ａは光導波層５４を構成するｐ+
領域、５４Ｃは光導波層５４を構成するｎ領域、５５は
ＳｉＮからなる保護膜、５６はｐ側電極、５７はｎ側電
極をそれぞれ示している。
板、５２はｎ+ 光導波層、５３はアンドープ光吸収層、
５４は光導波層、５４Ａは光導波層５４を構成するｐ+
領域、５４Ｃは光導波層５４を構成するｎ領域、５５は
ＳｉＮからなる保護膜、５６はｐ側電極、５７はｎ側電
極をそれぞれ示している。
【００６９】（Ｂ）に於いて、６１はｐ+ 段差形状基
板、６２はｐ+ 光導波層、６３はアンドープ光吸収層、
６４は光導波層、６４Ａは光導波層６４を構成するｎ+
領域、６４Ｃは光導波層６４を構成するｐ領域、６５は
ＳｉＮからなる保護膜、６６はｎ側電極、６７はｐ側電
極をそれぞれ示している。
板、６２はｐ+ 光導波層、６３はアンドープ光吸収層、
６４は光導波層、６４Ａは光導波層６４を構成するｎ+
領域、６４Ｃは光導波層６４を構成するｐ領域、６５は
ＳｉＮからなる保護膜、６６はｎ側電極、６７はｐ側電
極をそれぞれ示している。
【００７０】（Ｂ）に見られる半導体受光装置は、実施
の形態４に依って製造された半導体受光装置がｎ+ 段差
形状基板を用いているのに対し、ｐ+ 段差形状基板を用
い、全体として各部分の導電型が逆になっている点で相
違している。
の形態４に依って製造された半導体受光装置がｎ+ 段差
形状基板を用いているのに対し、ｐ+ 段差形状基板を用
い、全体として各部分の導電型が逆になっている点で相
違している。
【００７１】図１２は本発明に於ける実施の形態６に依
って製造された半導体受光装置を表す要部切断側面図で
ある。
って製造された半導体受光装置を表す要部切断側面図で
ある。
【００７２】図に於いて、７１はｎ+ 段差形状基板、７
２はｎ+ 光導波層、７３はアンドープ光吸収層、７４は
光導波層、７４Ａは光導波層７４を構成するｐ+ 領域、
７５はＳｉＮからなる保護膜、７６はＡｕ膜からなるミ
ラー、７７はポリイミド層、７８はｐ側電極、７９はｎ
側電極をそれぞれ示している。
２はｎ+ 光導波層、７３はアンドープ光吸収層、７４は
光導波層、７４Ａは光導波層７４を構成するｐ+ 領域、
７５はＳｉＮからなる保護膜、７６はＡｕ膜からなるミ
ラー、７７はポリイミド層、７８はｐ側電極、７９はｎ
側電極をそれぞれ示している。
【００７３】この半導体受光装置では、保護膜７５を形
成した後、光吸収層７３に於ける光入射側と反対側にミ
ラー７６を設けるようにしている。この構成に依って、
入射され且つ伝播してきた光がミラー７６で反射される
ので、素子長を短くすることができる点で他の実施の形
態に依る半導体受光装置と異なる。
成した後、光吸収層７３に於ける光入射側と反対側にミ
ラー７６を設けるようにしている。この構成に依って、
入射され且つ伝播してきた光がミラー７６で反射される
ので、素子長を短くすることができる点で他の実施の形
態に依る半導体受光装置と異なる。
【００７４】
【発明の効果】本発明に依る半導体受光装置の製造方法
に於いては、段差形状基板上に該段差形状を受け継いだ
少なくとも光導波層及び光吸収層及び光導波層を順に積
層形成して光導波路型ｐｉｎ受光素子を製造する場合、
光吸収層上に光導波層を形成する際にｐ型不純物及びｎ
型不純物を同時にドーピングして結晶を成長することに
依って前記光導波層にｐ型領域とｎ型領域とを選択的に
生成させる。
に於いては、段差形状基板上に該段差形状を受け継いだ
少なくとも光導波層及び光吸収層及び光導波層を順に積
層形成して光導波路型ｐｉｎ受光素子を製造する場合、
光吸収層上に光導波層を形成する際にｐ型不純物及びｎ
型不純物を同時にドーピングして結晶を成長することに
依って前記光導波層にｐ型領域とｎ型領域とを選択的に
生成させる。
【００７５】前記構成を採ることに依って、生成された
ｐｎ接合の大部分は、良質の半導体に囲まれ、ごく僅か
な部分が表出されるのみである為、リーク電流を少なく
抑えることができ、また、そのｐｎ接合は、結晶成長時
に自然発生的に生成され、しかも、その位置は、下地の
面方位に依って正確に制御されるので製造歩留りは向上
する。
ｐｎ接合の大部分は、良質の半導体に囲まれ、ごく僅か
な部分が表出されるのみである為、リーク電流を少なく
抑えることができ、また、そのｐｎ接合は、結晶成長時
に自然発生的に生成され、しかも、その位置は、下地の
面方位に依って正確に制御されるので製造歩留りは向上
する。
【図１】本発明に於ける実施の形態１に依って製造され
た半導体受光装置を表す要部切断斜面図である。
た半導体受光装置を表す要部切断斜面図である。
【図２】段差形状基板を作成する工程を説明する為の工
程要所に於ける段差形状基板を表す要部切断正面図であ
る。
程要所に於ける段差形状基板を表す要部切断正面図であ
る。
【図３】段差形状基板を作成する他の工程を説明する為
の工程要所に於ける段差形状基板を表す要部切断正面図
である。
の工程要所に於ける段差形状基板を表す要部切断正面図
である。
【図４】図１に見られる半導体受光装置の製造工程であ
る実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける半導体
受光装置を表す要部切断正面図である。
る実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける半導体
受光装置を表す要部切断正面図である。
【図５】図１に見られる半導体受光装置の製造工程であ
る実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける半導体
受光装置を表す要部切断正面図である。
る実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける半導体
受光装置を表す要部切断正面図である。
【図６】図１に見られる半導体受光装置の製造工程であ
る実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける半導体
受光装置を表す要部切断正面図である。
る実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける半導体
受光装置を表す要部切断正面図である。
【図７】図１に見られる半導体受光装置の製造工程であ
る実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける半導体
受光装置を表す要部切断正面図である。
る実施の形態１を説明する為の工程要所に於ける半導体
受光装置を表す要部切断正面図である。
【図８】図１乃至図７について説明した半導体受光装置
の動作を説明する為の半導体受光装置の要部切断正面図
である。
の動作を説明する為の半導体受光装置の要部切断正面図
である。
【図９】本発明に於ける実施の形態２に依って製造され
た半導体受光装置を表す要部切断正面図である。
た半導体受光装置を表す要部切断正面図である。
【図１０】本発明に於ける実施の形態３に依って製造さ
れた半導体受光装置を表す要部切断正面図である。
れた半導体受光装置を表す要部切断正面図である。
【図１１】本発明に於ける実施の形態４及び実施の形態
５に依って製造された半導体受光装置を表す要部切断正
面図である。
５に依って製造された半導体受光装置を表す要部切断正
面図である。
【図１２】本発明に於ける実施の形態６に依って製造さ
れた半導体受光装置を表す要部切断側面図である。
れた半導体受光装置を表す要部切断側面図である。
【図１３】従来の技術に依るメサ・タイプの光導波路型
受光素子を表す要部切断斜面図である。
受光素子を表す要部切断斜面図である。
【図１４】従来の技術に依る拡散タイプの光導波路型受
光素子を表す要部切断斜面図である。
光素子を表す要部切断斜面図である。
【図１５】ＩｎＰ系材料に於ける面方位に依ってドーパ
ントの取り込まれ量が変化することを説明する為の線図
である。
ントの取り込まれ量が変化することを説明する為の線図
である。
【図１６】ＩｎＰ系材料に於ける面方位に依ってドーパ
ントの取り込まれ量が変化することを説明する為の線図
である。
ントの取り込まれ量が変化することを説明する為の線図
である。
【図１７】ＧａＡｓ系材料に於ける面方位に依ってドー
パントの取り込まれ量が変化することを説明する為の線
図である。
パントの取り込まれ量が変化することを説明する為の線
図である。
【図１８】ＧａＡｓ系材料に於ける面方位に依ってドー
パントの取り込まれ量が変化することを説明する為の線
図である。
パントの取り込まれ量が変化することを説明する為の線
図である。
３１ 段差形状基板 ３２ 光導波層 ３３ 光吸収層 ３４ 光導波層 ３４Ａ 光導波層３４に於けるｐ+ 領域 ３４Ｂ 光導波層３４に於けるｎ領域 ３４Ｃ 光導波層３４に於けるｐ+ 領域 ３５ ＳｉＮからなる保護膜 ３６ ポリイミド層 ３７ ｐ側電極 ３８ ｎ側電極
Claims (7)
- 【請求項１】段差形状基板上に該段差形状を受け継いだ
少なくとも光導波層及び光吸収層及び光導波層を順に積
層形成して光導波路型ｐｉｎ受光素子を製造する場合に
於いて、 前記光吸収層上に光導波層を形成する際にｐ型領域を生
成するｐ型不純物及びｎ型領域を生成するｎ型不純物を
同時にドーピングして結晶を成長することに依って前記
光導波層にｐ型領域とｎ型領域とを選択的に生成させる
工程が含まれてなることを特徴とする半導体受光装置の
製造方法。 - 【請求項２】ｐ型不純物がＢｅ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｇ
ｅ，Ｃから選択されたものであると共にｎ型不純物が
Ｓ，Ｓｉ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｓｎから選択されたものである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体受光装置の製造
方法。 - 【請求項３】段差形状基板がｎ型である場合に受光部で
ある光吸収層部分の直上に位置するｐ型領域が（００
１）面に生成されると共に前記ｐ型領域に接するｎ型領
域がＡ面にオフした面に生成されることを特徴とする請
求項１或いは２記載の半導体受光装置の製造方法。 - 【請求項４】段差形状基板がｐ型である場合に受光部で
ある光吸収層部分の直上に位置するｎ型領域が（００
１）面に生成されると共に前記ｎ型領域に接するｐ型領
域がＢ面にオフした面に生成されることを特徴とする請
求項１或いは２記載の半導体受光装置の製造方法。 - 【請求項５】段差形状基板がｎ型である場合にｎ型領域
が（００１）面に生成されると共に受光部である光吸収
層部分直上のｐ型領域がＢ面にオフした面に前記ｎ型領
域と接して生成されることを特徴とする請求項１或いは
２記載の半導体受光装置の製造方法。 - 【請求項６】段差形状基板がｐ型である場合にｐ型領域
が（００１）面に生成されると共に受光部である光吸収
層部分直上のｎ型領域がＡ面にオフした面に前記ｐ型領
域と接して生成されることを特徴とする請求項１或いは
２記載の半導体受光装置の製造方法。 - 【請求項７】光吸収層に於ける光入射側と反対側にミラ
ーを形成することを特徴とする請求項１乃至６の何れか
１記載の半導体受光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9175462A JPH1126801A (ja) | 1997-07-01 | 1997-07-01 | 半導体受光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9175462A JPH1126801A (ja) | 1997-07-01 | 1997-07-01 | 半導体受光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126801A true JPH1126801A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=15996494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9175462A Withdrawn JPH1126801A (ja) | 1997-07-01 | 1997-07-01 | 半導体受光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126801A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189481A (ja) * | 1999-12-30 | 2001-07-10 | Honda Motor Co Ltd | ソーラーセルの製造方法 |
| WO2013065639A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | 住友電気工業株式会社 | 受光素子、エピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
| CN114899246A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-08-12 | 中国科学院半导体研究所 | 磷化铟基波导探测器及其制备方法 |
-
1997
- 1997-07-01 JP JP9175462A patent/JPH1126801A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189481A (ja) * | 1999-12-30 | 2001-07-10 | Honda Motor Co Ltd | ソーラーセルの製造方法 |
| WO2013065639A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | 住友電気工業株式会社 | 受光素子、エピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
| JP2013098385A (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子、エピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
| CN114899246A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-08-12 | 中国科学院半导体研究所 | 磷化铟基波导探测器及其制备方法 |
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