JPH0667043A - スポット変換素子およびその製造方法 - Google Patents
スポット変換素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0667043A JPH0667043A JP22403592A JP22403592A JPH0667043A JP H0667043 A JPH0667043 A JP H0667043A JP 22403592 A JP22403592 A JP 22403592A JP 22403592 A JP22403592 A JP 22403592A JP H0667043 A JPH0667043 A JP H0667043A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- spot
- core
- common core
- conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スポット変換素子の挿入損失を改善する。
【構成】 出射光導波路のスポットを変換するスポット
変換素子である。この素子はスポット変換光導波路部が
共通コアを有するとともに、素子先端部へ向かってスポ
ット変換部の共通コアの少なくとも厚みを薄くし、かつ
共通コアを素子先端部に達するまでに打ち切り、さらに
クラッドよりも屈折率が高い少なくとも１個のコアを出
射用光導波路とスポットサイズ変換用光導波路部の共通
コアの上もしくは下の少なくとも一方に形成し、スポッ
トサイズ変換用光導波路部において導波光の横方向の閉
じ込めをリッジにより行っている。
変換素子である。この素子はスポット変換光導波路部が
共通コアを有するとともに、素子先端部へ向かってスポ
ット変換部の共通コアの少なくとも厚みを薄くし、かつ
共通コアを素子先端部に達するまでに打ち切り、さらに
クラッドよりも屈折率が高い少なくとも１個のコアを出
射用光導波路とスポットサイズ変換用光導波路部の共通
コアの上もしくは下の少なくとも一方に形成し、スポッ
トサイズ変換用光導波路部において導波光の横方向の閉
じ込めをリッジにより行っている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、小形で低損失な導波路
形スポット変換素子に関するものである。
形スポット変換素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】まず、後の説明の便宜のために、スポッ
トサイズについて定義しておく。光の界分布をガウシア
ン分布でフィッティングした場合、そのパワー分布がピ
ークの値の１／ｅ2 になる幅（半幅）をスポットサイズ
とする。
トサイズについて定義しておく。光の界分布をガウシア
ン分布でフィッティングした場合、そのパワー分布がピ
ークの値の１／ｅ2 になる幅（半幅）をスポットサイズ
とする。
【０００３】一般に、半導体光導波路の場合、コアとク
ラッドの屈折率差が大きいため半導体光導波路を伝搬す
る光のスポットサイズはサブミクロンオーダと小さくな
る。スポットサイズがｗ1 とｗ2 の２つのガウシアンビ
ームが結合する場合の結合効率ηは
ラッドの屈折率差が大きいため半導体光導波路を伝搬す
る光のスポットサイズはサブミクロンオーダと小さくな
る。スポットサイズがｗ1 とｗ2 の２つのガウシアンビ
ームが結合する場合の結合効率ηは
【０００４】
【数１】 η＝４／（ｗ1 ／ｗ2 ＋ｗ2 ／ｗ1 ）2 （１） と表される。
【０００５】さて、式（１）から、光導波路間の結合損
失を低減するためには、スポットサイズを一致させれば
よいことがわかる。受光用光導波路として単一モード光
ファイバ（以下、ＳＭＦと略す）を用いる場合、そのス
ポットサイズｗ2 は約４μｍであり、半導体光導波路と
直接結合させたのでは結合損失が極めて大きくなる。例
えば、半導体光導波路のスポットサイズｗ1 が１μｍで
ＳＭＦのスポットサイズｗ2 が４μｍの場合、結合損失
（−１０・ｌｏｇ（η））は６．５ｄＢとなる。そこ
で、後述のように先端を研磨してレンズ効果を持たせて
スポットサイズを小さくする、いわゆる先球加工単一モ
ード光ファイバ（以下、先球ＳＭＦと略す）が用いられ
る。
失を低減するためには、スポットサイズを一致させれば
よいことがわかる。受光用光導波路として単一モード光
ファイバ（以下、ＳＭＦと略す）を用いる場合、そのス
ポットサイズｗ2 は約４μｍであり、半導体光導波路と
直接結合させたのでは結合損失が極めて大きくなる。例
えば、半導体光導波路のスポットサイズｗ1 が１μｍで
ＳＭＦのスポットサイズｗ2 が４μｍの場合、結合損失
（−１０・ｌｏｇ（η））は６．５ｄＢとなる。そこ
で、後述のように先端を研磨してレンズ効果を持たせて
スポットサイズを小さくする、いわゆる先球加工単一モ
ード光ファイバ（以下、先球ＳＭＦと略す）が用いられ
る。
【０００６】ところが、先球ＳＭＦのスポットサイズを
サブミクロンオーダにまで小さくすると軸ずれのトレラ
ンスの問題が生じてくる。つまり、スポットサイズｗの
２個のガウシアンビームが光軸に垂直にｘだけ軸ずれし
て結合する場合の結合効率ηは
サブミクロンオーダにまで小さくすると軸ずれのトレラ
ンスの問題が生じてくる。つまり、スポットサイズｗの
２個のガウシアンビームが光軸に垂直にｘだけ軸ずれし
て結合する場合の結合効率ηは
【０００７】
【数２】 η＝ｅｘｐ（−ｘ2 ／ｗ2 ） （２） で与えられ、スポットサイズｗがサブミクロンと小さい
時には結合損失が大幅に増加し、軸ずれのトレランスが
極めて厳しくなる。また、実際には、先球ＳＭＦの先端
のＲ1 を小さくしても研磨の際の加工精度のためスポッ
トサイズを０．５μｍ程度にまで小さくすることは大変
難しい（以上の参考文献：河野健治著、“光デバイスの
ための光結合系の基礎と応用”（現代工学社））。
時には結合損失が大幅に増加し、軸ずれのトレランスが
極めて厳しくなる。また、実際には、先球ＳＭＦの先端
のＲ1 を小さくしても研磨の際の加工精度のためスポッ
トサイズを０．５μｍ程度にまで小さくすることは大変
難しい（以上の参考文献：河野健治著、“光デバイスの
ための光結合系の基礎と応用”（現代工学社））。
【０００８】そこで、半導体光導波路のスポットサイズ
を大きくすることが必要となる。図１３は半導体光導波
路におけるスポットサイズ変換について従来例を説明す
る斜視図である。１および２は各々半導体レーザなどの
光機能部のクラッドとコアであり出射用光導波路のコア
とクラッドに対応している。３および４はパッシブ光導
波路のクラッドとコア、５はスポットサイズ変換用光導
波路のコアである。図１４と図１５の各々図１３のＡ−
Ａ′とＢ−Ｂ′における断面図である。
を大きくすることが必要となる。図１３は半導体光導波
路におけるスポットサイズ変換について従来例を説明す
る斜視図である。１および２は各々半導体レーザなどの
光機能部のクラッドとコアであり出射用光導波路のコア
とクラッドに対応している。３および４はパッシブ光導
波路のクラッドとコア、５はスポットサイズ変換用光導
波路のコアである。図１４と図１５の各々図１３のＡ−
Ａ′とＢ−Ｂ′における断面図である。
【０００９】この従来例の動作原理を説明する。スポッ
トサイズ変換用光導波路のコア５は図１３や図１４から
わかるように先端の幅が徐々に細くなっている。従っ
て、パッシブ光導波路のコア４を伝搬してきた光がスポ
ットサイズ変換用光導波路のコア５にさしかかると、光
がクラッドへ漏れだす量が多くなり、光の界分布が広が
ることになる。その結果、スポットサイズが大きくな
り、式（１）に与えた結合損失を低減することができ
る。
トサイズ変換用光導波路のコア５は図１３や図１４から
わかるように先端の幅が徐々に細くなっている。従っ
て、パッシブ光導波路のコア４を伝搬してきた光がスポ
ットサイズ変換用光導波路のコア５にさしかかると、光
がクラッドへ漏れだす量が多くなり、光の界分布が広が
ることになる。その結果、スポットサイズが大きくな
り、式（１）に与えた結合損失を低減することができ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来例では光
機能部のコア２とパッシブ光導波路部のコア４の埋め込
み形コアであるため、双方の界分布の形状と大きさ（ス
ポットサイズ）の整合性がよい。ところが、後に述べる
光スイッチなどの場合には界分布が横に偏平となる共通
コアが用いられているため、光スイッチ部とパッシブ光
導波路部の接合（バットジョイント：Ｂｕｔｔ−Ｊｏｉ
ｎｔ）部での界分布の形状と大きさが異なり、接合損失
が生じる。あるいは、パッシブ光導波路部のコア４が埋
め込み形であるため、加工時のコアの揺らぎによる放射
損失が大きく、その結果、パッシブ光導波路が長くなる
と光素子全体としての挿入損失が大きくなるという欠点
があった。またスポットを大きくすると素子端面でのク
ラッドの厚みを厚くせねばならず、結晶成長や製作の点
で困難であった。
機能部のコア２とパッシブ光導波路部のコア４の埋め込
み形コアであるため、双方の界分布の形状と大きさ（ス
ポットサイズ）の整合性がよい。ところが、後に述べる
光スイッチなどの場合には界分布が横に偏平となる共通
コアが用いられているため、光スイッチ部とパッシブ光
導波路部の接合（バットジョイント：Ｂｕｔｔ−Ｊｏｉ
ｎｔ）部での界分布の形状と大きさが異なり、接合損失
が生じる。あるいは、パッシブ光導波路部のコア４が埋
め込み形であるため、加工時のコアの揺らぎによる放射
損失が大きく、その結果、パッシブ光導波路が長くなる
と光素子全体としての挿入損失が大きくなるという欠点
があった。またスポットを大きくすると素子端面でのク
ラッドの厚みを厚くせねばならず、結晶成長や製作の点
で困難であった。
【００１１】そこで、本発明の目的はこれらの問題を解
決し、挿入損失の点で優れたスポット変換素子およびそ
の製造方法を提供することにある。
決し、挿入損失の点で優れたスポット変換素子およびそ
の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるスポット変換素子は、出射光導波路の
スポットを変換するスポット変換素子において、スポッ
ト変換光導波路部が共通コアを有するとともに、素子先
端部へ向かって前記スポット変換部の共通コアの少なく
とも厚みを薄くし、かつ前記共通コアを素子先端部に達
するまでに打ち切り、さらにクラッドよりも屈折率が高
い少なくとも１個のコアを前記出射用光導波路と前記ス
ポットサイズ変換用光導波路部の前記共通コアの上もし
くは下の少なくとも一方に形成し、前記スポットサイズ
変換用光導波路部において導波光の横方向の閉じ込めを
リッジにより行ったことを特徴とする。
に、本発明によるスポット変換素子は、出射光導波路の
スポットを変換するスポット変換素子において、スポッ
ト変換光導波路部が共通コアを有するとともに、素子先
端部へ向かって前記スポット変換部の共通コアの少なく
とも厚みを薄くし、かつ前記共通コアを素子先端部に達
するまでに打ち切り、さらにクラッドよりも屈折率が高
い少なくとも１個のコアを前記出射用光導波路と前記ス
ポットサイズ変換用光導波路部の前記共通コアの上もし
くは下の少なくとも一方に形成し、前記スポットサイズ
変換用光導波路部において導波光の横方向の閉じ込めを
リッジにより行ったことを特徴とする。
【００１３】本発明による製造方法は、請求項１に記載
のスポット変換素子の製造方法において、前記リッジの
クラッドの厚みを領域選択成長技術により前記出射光導
波路のクラッドの厚みよりも厚く形成することを特徴と
する。
のスポット変換素子の製造方法において、前記リッジの
クラッドの厚みを領域選択成長技術により前記出射光導
波路のクラッドの厚みよりも厚く形成することを特徴と
する。
【００１４】さらに本発明によるスポット変換素子は、
共通コアとリッジ形クラッドを有する出射光導波路のス
ポットを変換するスポット変換素子において、スポット
変換光導波路部が共通コアを有するとともに、素子先端
部へ向かって前記スポット変換部の共通コアの厚みを薄
くするとともに前記リッジ形クラッドの幅を大きくもし
くは小さくしたことを特徴とする。
共通コアとリッジ形クラッドを有する出射光導波路のス
ポットを変換するスポット変換素子において、スポット
変換光導波路部が共通コアを有するとともに、素子先端
部へ向かって前記スポット変換部の共通コアの厚みを薄
くするとともに前記リッジ形クラッドの幅を大きくもし
くは小さくしたことを特徴とする。
【００１５】さらにまた本発明によるスポット変換素子
は、共通コアとリッジ形クラッドを有する光導波路のス
ポットを変換するスポット変換素子において、少なくと
も出射光導波路部とスポット変換光導波路との間を接続
する光導波路を共通コア形とするとともに、パッシブ光
導波路と前記スポット変換光導波路との接合点におい
て、前記スポット変換光導波路の共通コアの一部を切取
りかつ、埋め込み形コアとするとともに素子先端部に向
かって前記コアの幅もしくは厚みの少なくとも一方を変
化させたことを特徴とする。
は、共通コアとリッジ形クラッドを有する光導波路のス
ポットを変換するスポット変換素子において、少なくと
も出射光導波路部とスポット変換光導波路との間を接続
する光導波路を共通コア形とするとともに、パッシブ光
導波路と前記スポット変換光導波路との接合点におい
て、前記スポット変換光導波路の共通コアの一部を切取
りかつ、埋め込み形コアとするとともに素子先端部に向
かって前記コアの幅もしくは厚みの少なくとも一方を変
化させたことを特徴とする。
【００１６】
【作用】本発明によれば、パッシブ光導波路に共通コア
形を用いているために共通コアを有するタイプの光機能
部との結合損失が小さい、あるいは伝搬損失が小さいな
ど低損失であるとともに、半導体の微小スポットを効率
よく拡大可能なスポット変換素子を実現することができ
る。さらに、領域選択成長技術を用いることによって、
スポット変換部のクラッドを他の部分と比較して厚くす
ることができるので、結晶成長・製作の点で優れてい
る。
形を用いているために共通コアを有するタイプの光機能
部との結合損失が小さい、あるいは伝搬損失が小さいな
ど低損失であるとともに、半導体の微小スポットを効率
よく拡大可能なスポット変換素子を実現することができ
る。さらに、領域選択成長技術を用いることによって、
スポット変換部のクラッドを他の部分と比較して厚くす
ることができるので、結晶成長・製作の点で優れてい
る。
【００１７】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１８】（実施例１）図１に本発明の第１の実施例
の斜視図を、図２にそのＢ−Ｂ′における断面図を示
す。簡単のため、光出射部に対応する光機能部として、
光位相変調器の場合を想定する。図中、Ｉが光位相変調
器部、ＩＩはパッシブ光導波路部、ＩＩＩはスポット変
換光導波路部である。６はｐ側電極、７はＩｎＧａＡｓ
キャップ層、８はｐ−ＩｎＰクラッド、９はｉ−ＩｎＰ
サイドクラッド、１０は例えばｉ−ＩｎＧａＡｌＡｓ
（ウエル）／ＩｎＡｌＡｓ（バリア）多重量子井戸（Ｍ
ｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：ＭＱＷ）
であり、ウエル厚を９０ｎｍ、バリア厚を５０ｎｍとす
ると、エキシトンピーク波長が１．４４μｍとなり、
１．５５μｍでの動作に適している。ＭＱＷ層１０の厚
みは０．４μｍ程度である。１１および１１′はｉ−Ｉ
ｎＡｌＡｓ（屈折率＝３．１７２）、ｉ−ＩｎＰ（屈折
率＝３．１６９）を１：１２の比率で層（ＭＱＷ）状に
積層することにより、ＩｎＰよりもごくわずか高い屈折
率を実現した第２コアと第３コアである。１２はｎ−Ｉ
ｎＰ基板、１３はパッシブ光導波路部のクラッドであ
り、例えばｉ−ＩｎＰである。１４はｉ−ＩｎＰエッチ
ストップ層、１５は例えばバンドギャップ波長が１．３
μｍのｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層、１６はスポット変換部の
クラッドで、例えばｉ−ＩｎＰである。
の斜視図を、図２にそのＢ−Ｂ′における断面図を示
す。簡単のため、光出射部に対応する光機能部として、
光位相変調器の場合を想定する。図中、Ｉが光位相変調
器部、ＩＩはパッシブ光導波路部、ＩＩＩはスポット変
換光導波路部である。６はｐ側電極、７はＩｎＧａＡｓ
キャップ層、８はｐ−ＩｎＰクラッド、９はｉ−ＩｎＰ
サイドクラッド、１０は例えばｉ−ＩｎＧａＡｌＡｓ
（ウエル）／ＩｎＡｌＡｓ（バリア）多重量子井戸（Ｍ
ｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：ＭＱＷ）
であり、ウエル厚を９０ｎｍ、バリア厚を５０ｎｍとす
ると、エキシトンピーク波長が１．４４μｍとなり、
１．５５μｍでの動作に適している。ＭＱＷ層１０の厚
みは０．４μｍ程度である。１１および１１′はｉ−Ｉ
ｎＡｌＡｓ（屈折率＝３．１７２）、ｉ−ＩｎＰ（屈折
率＝３．１６９）を１：１２の比率で層（ＭＱＷ）状に
積層することにより、ＩｎＰよりもごくわずか高い屈折
率を実現した第２コアと第３コアである。１２はｎ−Ｉ
ｎＰ基板、１３はパッシブ光導波路部のクラッドであ
り、例えばｉ−ＩｎＰである。１４はｉ−ＩｎＰエッチ
ストップ層、１５は例えばバンドギャップ波長が１．３
μｍのｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層、１６はスポット変換部の
クラッドで、例えばｉ−ＩｎＰである。
【００１９】図１からわかるように、光変調器部Ｉにお
いて、ｉ−ＭＱＷコアは埋め込み形ではなく、共通コア
形である。パッシブ光導波路部ＩＩにおいてはｉ−Ｉｎ
Ｐエッチストップ層１４とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層１５の
組合せが共通コアとなるが、共通コア構成なので伝搬損
失が小さいという特徴がある。
いて、ｉ−ＭＱＷコアは埋め込み形ではなく、共通コア
形である。パッシブ光導波路部ＩＩにおいてはｉ−Ｉｎ
Ｐエッチストップ層１４とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層１５の
組合せが共通コアとなるが、共通コア構成なので伝搬損
失が小さいという特徴がある。
【００２０】図３は本発明の第１の実施例の製造工程を
説明する図である。ｎ−ＩｎＰ基板１２の上にｉ−Ｉｎ
ＡｌＡｓ／ｉ−ＩｎＰＭＱＷコア１１，ｉ−ＩｎＧａＡ
ｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓＭＱＷコア１０を堆積したのち、
ｉ−ＭＱＷ層１０の一部をエッチングにより削り取った
あと、図３のようにパッシブ部およびスポット変換部の
コアを形成する。ここで１４はｉ−ＩｎＰエッチストッ
プ層、１５はｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層であり、これらの層
を堆積した位相変調部のｉ−ＭＱＷ層１０に接合（バッ
トジョイント）する。それにフォトレジスト１８を全面
にスピンコートしたのち、図３のようにパターンニング
する。ここで説明している長波長系半導体の場合には、
塩酸系のエッチャントを用いることにより、ｉ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ層１５をエッチングを止めるエッチストップ層
として機能させ、ｉ−ＩｎＰ層９，１４をウエットエッ
チングし、正確に除去することができる。次に、フォト
レジストを再度パターンニングし、硫酸系のエッチャン
トを用いて、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層１５をエッチング・
除去したのち、再度ｉ−ＩｎＰ１４をエッチングする。
これを繰り返せば、スポット変換部におけるコアを図４
に示すように徐々に薄くすることができる。
説明する図である。ｎ−ＩｎＰ基板１２の上にｉ−Ｉｎ
ＡｌＡｓ／ｉ−ＩｎＰＭＱＷコア１１，ｉ−ＩｎＧａＡ
ｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓＭＱＷコア１０を堆積したのち、
ｉ−ＭＱＷ層１０の一部をエッチングにより削り取った
あと、図３のようにパッシブ部およびスポット変換部の
コアを形成する。ここで１４はｉ−ＩｎＰエッチストッ
プ層、１５はｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層であり、これらの層
を堆積した位相変調部のｉ−ＭＱＷ層１０に接合（バッ
トジョイント）する。それにフォトレジスト１８を全面
にスピンコートしたのち、図３のようにパターンニング
する。ここで説明している長波長系半導体の場合には、
塩酸系のエッチャントを用いることにより、ｉ−ＩｎＧ
ａＡｓＰ層１５をエッチングを止めるエッチストップ層
として機能させ、ｉ−ＩｎＰ層９，１４をウエットエッ
チングし、正確に除去することができる。次に、フォト
レジストを再度パターンニングし、硫酸系のエッチャン
トを用いて、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層１５をエッチング・
除去したのち、再度ｉ−ＩｎＰ１４をエッチングする。
これを繰り返せば、スポット変換部におけるコアを図４
に示すように徐々に薄くすることができる。
【００２１】コアを薄くすると、導波光の上下方向のコ
アへの閉じ込めが緩くなり、その結果、導波光の上下方
向のスポットサイズを拡大できる。一方、横方向につい
ては図５に示すように、テーパ状にエッチングし、素子
先端部に達する前に打ち切る。図５には、次に行うべき
工程を示している。ここでは領域選択成長技術を用いる
こととする（参考：特願平３−２４３５０５号）。これ
は、領域選択成長用のＳｉＯ2 マスク１９を図４のチッ
プに形成した場合の上面図である。領域選択成長におい
ては、ＳｉＯ2 マスク１９のない場所に半導体原子が成
長するが、ＳｉＯ2 マスクの上に来た半導体原子はＳｉ
Ｏ2 マスクの上には付着せず、ＳｉＯ2マスクのない場
所へと移動する。従って、図５のように、光位相変調器
部Ｉとパッシブ光導波路部ＩＩにはＳｉＯ2 マスクがな
く、スポット変換部ＩＩＩにはマスク１９を形成してい
ると、光位相変調器部Ｉとパッシブ光導波路部ＩＩのＩ
ｎＰクラッド１３の厚みよりも、光入出力端のＩｎＰク
ラッド１６の厚みを数倍厚く形成できる。従って、パッ
シブ部に成長する第３コア層１１′を０．５μｍ程度と
すると、スポット変換部ＩＩＩの第３コア１１′は１．
５μｍ，と厚くできる（第２コア１１も１．５μｍ程度
と設定している）。また、パッシブ部でのＩｎＰクラッ
ド１３の厚みを１．５μｍとすると、光入出力部では
４．５〜６μｍとすることができる。スポットサイズ変
換部ＩＩＩの素子先端部においては、導波光のスポット
サイズが約５μｍ程度と大きいので、厚いクラッドが必
要となるが、この製造方法により１回のＩｎＰクラッド
の結晶成長で光スイッチ部と光入出力部のクラッドを形
成できる。なお、図１においては、クラッド１６は垂直
に立っているが、この領域選択成長技術を用いてリッジ
を形成した場合には、リッジは約５４．７度の傾斜角度
を有することになる。
アへの閉じ込めが緩くなり、その結果、導波光の上下方
向のスポットサイズを拡大できる。一方、横方向につい
ては図５に示すように、テーパ状にエッチングし、素子
先端部に達する前に打ち切る。図５には、次に行うべき
工程を示している。ここでは領域選択成長技術を用いる
こととする（参考：特願平３−２４３５０５号）。これ
は、領域選択成長用のＳｉＯ2 マスク１９を図４のチッ
プに形成した場合の上面図である。領域選択成長におい
ては、ＳｉＯ2 マスク１９のない場所に半導体原子が成
長するが、ＳｉＯ2 マスクの上に来た半導体原子はＳｉ
Ｏ2 マスクの上には付着せず、ＳｉＯ2マスクのない場
所へと移動する。従って、図５のように、光位相変調器
部Ｉとパッシブ光導波路部ＩＩにはＳｉＯ2 マスクがな
く、スポット変換部ＩＩＩにはマスク１９を形成してい
ると、光位相変調器部Ｉとパッシブ光導波路部ＩＩのＩ
ｎＰクラッド１３の厚みよりも、光入出力端のＩｎＰク
ラッド１６の厚みを数倍厚く形成できる。従って、パッ
シブ部に成長する第３コア層１１′を０．５μｍ程度と
すると、スポット変換部ＩＩＩの第３コア１１′は１．
５μｍ，と厚くできる（第２コア１１も１．５μｍ程度
と設定している）。また、パッシブ部でのＩｎＰクラッ
ド１３の厚みを１．５μｍとすると、光入出力部では
４．５〜６μｍとすることができる。スポットサイズ変
換部ＩＩＩの素子先端部においては、導波光のスポット
サイズが約５μｍ程度と大きいので、厚いクラッドが必
要となるが、この製造方法により１回のＩｎＰクラッド
の結晶成長で光スイッチ部と光入出力部のクラッドを形
成できる。なお、図１においては、クラッド１６は垂直
に立っているが、この領域選択成長技術を用いてリッジ
を形成した場合には、リッジは約５４．７度の傾斜角度
を有することになる。
【００２２】実際の動作について説明する。本実施例で
はスポットサイズ変換部のコア（１４と１５の組合せに
よる）の幅を狭くすることにより、出射用光導波路部Ｉ
からパッシブ光導波路部ＩＩを伝搬してきた光を横方向
に広げている。また、厚みを薄くすることにより、上下
方向にも光の界分布を広げている。本発明では、スポッ
トサイズ変換用光導波路のコアが最終的になくなるよう
に設計しているため、導波光は第２コア１１を伝搬する
ことになる。ところが第２コア１１の屈折率は基板の屈
折率よりも極くわずかだけ高くしているので、導波光は
カットオフとならずに導波され、その界分布は大きく広
げることになる。なお、図１では、スポット変換部にお
いて、内部のコア（１４と１５の組合せ）をテーパ状に
細くしたが、逆にテーパ状に広くしてもよい。従って、
単一モード光ファイバとの結合についても低損失かつ軸
ずれのトレランスが大きく、容易に行うことができる。
はスポットサイズ変換部のコア（１４と１５の組合せに
よる）の幅を狭くすることにより、出射用光導波路部Ｉ
からパッシブ光導波路部ＩＩを伝搬してきた光を横方向
に広げている。また、厚みを薄くすることにより、上下
方向にも光の界分布を広げている。本発明では、スポッ
トサイズ変換用光導波路のコアが最終的になくなるよう
に設計しているため、導波光は第２コア１１を伝搬する
ことになる。ところが第２コア１１の屈折率は基板の屈
折率よりも極くわずかだけ高くしているので、導波光は
カットオフとならずに導波され、その界分布は大きく広
げることになる。なお、図１では、スポット変換部にお
いて、内部のコア（１４と１５の組合せ）をテーパ状に
細くしたが、逆にテーパ状に広くしてもよい。従って、
単一モード光ファイバとの結合についても低損失かつ軸
ずれのトレランスが大きく、容易に行うことができる。
【００２３】なお、若干の効果減少はあるものの、第３
コアはなくても本発明は充分に機能することは言うまで
もない。
コアはなくても本発明は充分に機能することは言うまで
もない。
【００２４】（実施例２）図６は本発明の第２の実施例
の斜視図である。本実施例では、実施例１の場合と異な
り、１４および１５からなる共通コアをテーパ状に薄く
するので、テーパ状に細くすることなく、クラッド１６
の幅を広くすることにより、スポット変換を行ってい
る。なお、本図では第３のコアを省いたが、第３コアを
設けてもよいし、図１の場合と同様に、素子先端部にお
いて第２コア１１までエッチングしてもよいことは言う
までもない。
の斜視図である。本実施例では、実施例１の場合と異な
り、１４および１５からなる共通コアをテーパ状に薄く
するので、テーパ状に細くすることなく、クラッド１６
の幅を広くすることにより、スポット変換を行ってい
る。なお、本図では第３のコアを省いたが、第３コアを
設けてもよいし、図１の場合と同様に、素子先端部にお
いて第２コア１１までエッチングしてもよいことは言う
までもない。
【００２５】（実施例３）図７に本発明の第３の実施例
の斜視図を、図８にそのＢ−Ｂ′における断面図を示
す。簡単のため、光機能部として光位相変調器の場合を
想定する。図中、Ｉが光位相変調器部、ＩＩはパッシブ
光導波路部、ＩＩＩはスポット変換光導波路部である。
６はｐ側電極、７はＩｎＧａＡｓキャップ層、８はｐ−
ＩｎＰクラッド、９はｉ−ＩｎＰサイドクラッド、１０
は例えばｉ−ＩｎＧａＡｌＡｓ（ウエル）／ＩｎＡｌＡ
ｓ（バリア）多重量子井戸であり、ウエル厚を９０ｎ
ｍ、バリア厚を５０ｎｍとすると、エキシトンピーク波
長が１．４４μｍとなり、１．５５μｍでの動作に適し
ている。ＭＱＷ層１０の厚みは０．４μｍ程度である。
１１はｎ−ＩｎＰクラッド、１２はｎ−ＩｎＰ基板、１
３はパッシブ光導波路部のクラッドであり、例えばｎ−
ＩｎＰでもよいしｉ−ＩｎＰなどでもよい。１４はｉ−
ＩｎＰエッチストップ層、１５は例えばバンドギャップ
波長が１．３μｍのｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層、１６はスポ
ット変換部のクラッドで、例えばｎ−ＩｎＰでもよいし
ｉ−ＩｎＰなどでもよい。クラッド８，１３および１６
はリッジ形状である。
の斜視図を、図８にそのＢ−Ｂ′における断面図を示
す。簡単のため、光機能部として光位相変調器の場合を
想定する。図中、Ｉが光位相変調器部、ＩＩはパッシブ
光導波路部、ＩＩＩはスポット変換光導波路部である。
６はｐ側電極、７はＩｎＧａＡｓキャップ層、８はｐ−
ＩｎＰクラッド、９はｉ−ＩｎＰサイドクラッド、１０
は例えばｉ−ＩｎＧａＡｌＡｓ（ウエル）／ＩｎＡｌＡ
ｓ（バリア）多重量子井戸であり、ウエル厚を９０ｎ
ｍ、バリア厚を５０ｎｍとすると、エキシトンピーク波
長が１．４４μｍとなり、１．５５μｍでの動作に適し
ている。ＭＱＷ層１０の厚みは０．４μｍ程度である。
１１はｎ−ＩｎＰクラッド、１２はｎ−ＩｎＰ基板、１
３はパッシブ光導波路部のクラッドであり、例えばｎ−
ＩｎＰでもよいしｉ−ＩｎＰなどでもよい。１４はｉ−
ＩｎＰエッチストップ層、１５は例えばバンドギャップ
波長が１．３μｍのｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層、１６はスポ
ット変換部のクラッドで、例えばｎ−ＩｎＰでもよいし
ｉ−ＩｎＰなどでもよい。クラッド８，１３および１６
はリッジ形状である。
【００２６】図７からわかるように、光変調器部Ｉにお
いて、ｉ−ＭＱＷコアは埋め込み形ではなく、共通コア
形である。パッシブ光導波路部ＩＩにおいてはｉ−Ｉｎ
Ｐエッチストップ層１４とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層１５の
組合せが共通コアとなる。図９は本発明の第３の実施例
の製造工程を説明する図である。ｎ−ＩｎＰ基板１２の
上にｎ−ＩｎＰクラッド１１，ｉ−ＭＱＷコア１０を堆
積したのち、ｉ−ＭＱＷ層１０の一部をエッチングによ
り削り取ったあと、図９のようにパッシブ部およびスポ
ット変換部のコアを形成するためのｉ−ＩｎＰエッチス
トップ層１４，ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層１５を堆積・接合
（バットジョイント）する。それにフォトレジスト１８
を全面にスピンコートしたのち、図９のようにパターニ
ングする。先に説明したように、長波長系半導体の場合
には、硫酸系のエッチャントを用いることにより、ｉ−
ＩｎＰ層１４をエッチングを止めるエッチストップ層と
して機能させ、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ１５のみをウエット
エッチングし、正確に除去することができる。次に、フ
ォトレジストを再度パターンニングし、塩酸系のエッチ
ャントを用いて、ｉ−ＩｎＰエッチストップ層１４を除
去したのち、再度ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ１５をエッチング
する。これを繰り返せば、図７や図８に示すように、ス
ポット変換部におけるコアを薄くすることができる。コ
アを薄くすると、導波光の上下方向のコアへの閉じ込め
が緩くなり、その結果、導波光の上下方向のスポットサ
イズを拡大できる。一方、横方向のスポットサイズは図
１０に示すように、スポット変換部のクラッドの幅Ｗｓ
をパッシブ部のクラッドの幅Ｗｐと比較して、広くもし
くは狭くすることにより拡大できる（図７ではＷｓ＞Ｗ
ｐとした）。
いて、ｉ−ＭＱＷコアは埋め込み形ではなく、共通コア
形である。パッシブ光導波路部ＩＩにおいてはｉ−Ｉｎ
Ｐエッチストップ層１４とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層１５の
組合せが共通コアとなる。図９は本発明の第３の実施例
の製造工程を説明する図である。ｎ−ＩｎＰ基板１２の
上にｎ−ＩｎＰクラッド１１，ｉ−ＭＱＷコア１０を堆
積したのち、ｉ−ＭＱＷ層１０の一部をエッチングによ
り削り取ったあと、図９のようにパッシブ部およびスポ
ット変換部のコアを形成するためのｉ−ＩｎＰエッチス
トップ層１４，ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層１５を堆積・接合
（バットジョイント）する。それにフォトレジスト１８
を全面にスピンコートしたのち、図９のようにパターニ
ングする。先に説明したように、長波長系半導体の場合
には、硫酸系のエッチャントを用いることにより、ｉ−
ＩｎＰ層１４をエッチングを止めるエッチストップ層と
して機能させ、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ１５のみをウエット
エッチングし、正確に除去することができる。次に、フ
ォトレジストを再度パターンニングし、塩酸系のエッチ
ャントを用いて、ｉ−ＩｎＰエッチストップ層１４を除
去したのち、再度ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ１５をエッチング
する。これを繰り返せば、図７や図８に示すように、ス
ポット変換部におけるコアを薄くすることができる。コ
アを薄くすると、導波光の上下方向のコアへの閉じ込め
が緩くなり、その結果、導波光の上下方向のスポットサ
イズを拡大できる。一方、横方向のスポットサイズは図
１０に示すように、スポット変換部のクラッドの幅Ｗｓ
をパッシブ部のクラッドの幅Ｗｐと比較して、広くもし
くは狭くすることにより拡大できる（図７ではＷｓ＞Ｗ
ｐとした）。
【００２７】ここで、図７を用いてｉ−ＩｎＰサイドク
ラッド９の役目について簡単に説明する。導波光はＩｎ
Ｐクラッド８，１３，１６の直下近傍のコア近傍を伝搬
するが、この時導波光はコアの上下にも漏れている。サ
イドクラッド９が薄いとＩｎＰクラッド８，１３，１６
がない場所では導波光は空気の低い屈折率（１．０）を
感じその場所の等価屈折率は下がる。一方、ｐ−ＩｎＰ
クラッド８，１３，１６がある場所ではコアの上に漏れ
た光はその屈折率（３．１７）を感じ、等価屈折率が高
くなり、横方向の光閉じ込めが可能となる。ここでスポ
ット変換部ではコアはｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層１５の薄い
層のみとなり、界分布は上下に大きく広がる。この領域
はＩｎＰクラッド１６の幅が広いので、単一モード伝搬
を実現するためには、横方向における屈折率差を小さく
する必要がある。そこで、図７や図８においてはスポッ
ト変換部のサイドクラッドの厚みＤｓを例えば０．５μ
ｍとし、コアの厚い領域でのサイドクラッドの厚みＤｐ
（例えば０．１μｍ）よりも厚くしている。図７にはス
ポット変換光導波部端面における導波光の等高線を示し
てある。
ラッド９の役目について簡単に説明する。導波光はＩｎ
Ｐクラッド８，１３，１６の直下近傍のコア近傍を伝搬
するが、この時導波光はコアの上下にも漏れている。サ
イドクラッド９が薄いとＩｎＰクラッド８，１３，１６
がない場所では導波光は空気の低い屈折率（１．０）を
感じその場所の等価屈折率は下がる。一方、ｐ−ＩｎＰ
クラッド８，１３，１６がある場所ではコアの上に漏れ
た光はその屈折率（３．１７）を感じ、等価屈折率が高
くなり、横方向の光閉じ込めが可能となる。ここでスポ
ット変換部ではコアはｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層１５の薄い
層のみとなり、界分布は上下に大きく広がる。この領域
はＩｎＰクラッド１６の幅が広いので、単一モード伝搬
を実現するためには、横方向における屈折率差を小さく
する必要がある。そこで、図７や図８においてはスポッ
ト変換部のサイドクラッドの厚みＤｓを例えば０．５μ
ｍとし、コアの厚い領域でのサイドクラッドの厚みＤｐ
（例えば０．１μｍ）よりも厚くしている。図７にはス
ポット変換光導波部端面における導波光の等高線を示し
てある。
【００２８】なお、本実施例では共通コアを有する光変
調器部Ｉに対して、共通コアを有するパッシブ光導波路
部ＩＩを設けているため、それらの接合部における界分
布の形状と大きさ（スポットサイズ）はほぼ等しく、接
合損失がきわめて小さい。また、パッシブ光導波路部Ｉ
Ｉは伝搬損失が埋め込みコア形よりも小さな共通コア形
であるため、この領域における伝搬損失が小さく、その
結果素子全体としての挿入損失を低減できる。さらに、
スポット変換部においてはコアを徐々に薄くするととも
に、ＩｎＰクラッド幅を広くしているため、効率よくス
ポットサイズを上下・左右に拡大できる利点がある。従
って、単一モード光ファイバとの結合についても低損失
から軸ずれのトレランスが大きく、容易に行うことがで
きる。
調器部Ｉに対して、共通コアを有するパッシブ光導波路
部ＩＩを設けているため、それらの接合部における界分
布の形状と大きさ（スポットサイズ）はほぼ等しく、接
合損失がきわめて小さい。また、パッシブ光導波路部Ｉ
Ｉは伝搬損失が埋め込みコア形よりも小さな共通コア形
であるため、この領域における伝搬損失が小さく、その
結果素子全体としての挿入損失を低減できる。さらに、
スポット変換部においてはコアを徐々に薄くするととも
に、ＩｎＰクラッド幅を広くしているため、効率よくス
ポットサイズを上下・左右に拡大できる利点がある。従
って、単一モード光ファイバとの結合についても低損失
から軸ずれのトレランスが大きく、容易に行うことがで
きる。
【００２９】さらに本実施例の基本的な概念は光機能部
Ｉ，パッシブ光導波路部ＩＩ，スポット変換光導波路部
ＩＩＩにおけるコアを同一材料で構成する、すなわち光
機能部，パッシブ光導波路部，スポット変換部と進むに
したがって、単にコア厚みを薄くしてもよい。この場合
には、製作がより簡単になる。例えばリッジ形レーザに
本発明を用いれば、光が半導体から出射される際、半導
体端面におけるスポットサイズは拡大されているため、
ファイバとの結合損失を低減できるだけでなく、端面に
おけるパワー面密度を下げることができ、リッジ形半導
体レーザの端面劣化を抑圧することができる。
Ｉ，パッシブ光導波路部ＩＩ，スポット変換光導波路部
ＩＩＩにおけるコアを同一材料で構成する、すなわち光
機能部，パッシブ光導波路部，スポット変換部と進むに
したがって、単にコア厚みを薄くしてもよい。この場合
には、製作がより簡単になる。例えばリッジ形レーザに
本発明を用いれば、光が半導体から出射される際、半導
体端面におけるスポットサイズは拡大されているため、
ファイバとの結合損失を低減できるだけでなく、端面に
おけるパワー面密度を下げることができ、リッジ形半導
体レーザの端面劣化を抑圧することができる。
【００３０】（実施例４）図１１は本発明の第４の実施
例の斜視図である。この場合にはパッシブ光導波路部Ｉ
Ｉでは伝搬損失の小さな共通コア構造とし、スポット変
換光導波路部ＩＩＩにおいては共通コアの幅をテーパ状
に細くした埋め込み形構造としている。また、この場合
にも図７，図８の場合と同様にｉ−ＩｎＰエッチストッ
プ層１４を用いて厚み方向も薄くしてもよいことは言う
までもない。
例の斜視図である。この場合にはパッシブ光導波路部Ｉ
Ｉでは伝搬損失の小さな共通コア構造とし、スポット変
換光導波路部ＩＩＩにおいては共通コアの幅をテーパ状
に細くした埋め込み形構造としている。また、この場合
にも図７，図８の場合と同様にｉ−ＩｎＰエッチストッ
プ層１４を用いて厚み方向も薄くしてもよいことは言う
までもない。
【００３１】（実施例５）図７，図８の場合と同様にｉ
−ＩｎＰエッチストップ層１４を用いて厚み方向を薄く
するとともに図１１とは逆にコアをテーパ状に広くして
界分布を横方向にも広げてもよい。この実施例の斜視図
を図１２に示す。
−ＩｎＰエッチストップ層１４を用いて厚み方向を薄く
するとともに図１１とは逆にコアをテーパ状に広くして
界分布を横方向にも広げてもよい。この実施例の斜視図
を図１２に示す。
【００３２】第４と第５の実施例では、スポット変換部
ＩＩＩが埋め込みコア形であるため、パッシブ光導波路
部ＩＩとスポット変換部ＩＩＩとの接合部における接合
損失、スポット変換部における伝搬損失が大きくなり易
いため、実施例３ほどには低損失なスポット変換光導波
路を実現しにくいものの、パッシブ部が伝搬損失の小さ
な共通コア型であるため、従来例と比較すると特性的に
優れていると考えられる。
ＩＩＩが埋め込みコア形であるため、パッシブ光導波路
部ＩＩとスポット変換部ＩＩＩとの接合部における接合
損失、スポット変換部における伝搬損失が大きくなり易
いため、実施例３ほどには低損失なスポット変換光導波
路を実現しにくいものの、パッシブ部が伝搬損失の小さ
な共通コア型であるため、従来例と比較すると特性的に
優れていると考えられる。
【００３３】本発明ではパッシブ部に伝搬損失の小さな
共通コア形光導波路を用いていることが一つの特徴であ
る。従って、光機能部が埋め込みコア形光導波路構造の
ものであっても、素子全体としての挿入損失を低減でき
る。さらに、本発明は半導体以外の石英系光導波路など
にも適用可能である。
共通コア形光導波路を用いていることが一つの特徴であ
る。従って、光機能部が埋め込みコア形光導波路構造の
ものであっても、素子全体としての挿入損失を低減でき
る。さらに、本発明は半導体以外の石英系光導波路など
にも適用可能である。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、共
通コア構造の光素子に対してスポット変換素子の構造を
スポットの整合性がよく、かつ伝搬損失が小さい共通コ
ア形とすることにより、接合損失を小さくするととも
に、パッシブ部を伝搬損失の小さな共通コア構造とする
ことにより伝搬損失を低減でき、全体として挿入損失の
点で優れている。さらに本発明では領域選択成長技術を
用いて、スポット変換部のクラッドを他の部分と比較し
て厚くすることができ、結晶成長・製作の点で優れてい
る効果がある。
通コア構造の光素子に対してスポット変換素子の構造を
スポットの整合性がよく、かつ伝搬損失が小さい共通コ
ア形とすることにより、接合損失を小さくするととも
に、パッシブ部を伝搬損失の小さな共通コア構造とする
ことにより伝搬損失を低減でき、全体として挿入損失の
点で優れている。さらに本発明では領域選択成長技術を
用いて、スポット変換部のクラッドを他の部分と比較し
て厚くすることができ、結晶成長・製作の点で優れてい
る効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施例の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例の製造工程を説明する断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の第１の実施例の製造工程を説明する断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の第１の実施例の製造工程を説明する上
面図である。
面図である。
【図６】本発明の第２の実施例の斜視図である。
【図７】本発明の第３の実施例の斜視図である。
【図８】本発明の第３の実施例の断面図である。
【図９】第３の実施例の製造工程を説明する断面図であ
る。
る。
【図１０】第３の実施例の効果を説明する特性図であ
る。
る。
【図１１】本発明の第４の実施例の斜視図である。
【図１２】本発明の第５の実施例の斜視図である。
【図１３】従来例の斜視図である。
【図１４】従来例の断面図である。
【図１５】従来例の断面図である。
１，２ 出射用光導波路のクラッドとコア ３，４ パッシブ光導波路のクラッドとコア ５ スポットサイズ変換用光導波路のコア ６ ｐ側電極 ７ ＩｎＧａＡｓキャップ層 ８ ｐ−ＩｎＰクラッド ９ ｉ−ＩｎＰサイドクラッド １０ ｉ−ＭＱＷ層 １１ 第２コア １１′ 第３コア １２ ｎ−ＩｎＰ基板 １３ パッシブ光導波路部のクラッド １４ ｉ−ＩｎＰエッチストップ層 １５ ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ層 １６ スポット変換部のクラッド １７ ｎ側電極 １８ フォトレジスト １９ ＳｉＯ2 マスク
Claims (4)
- 【請求項１】 出射光導波路のスポットを変換するスポ
ット変換素子において、スポット変換光導波路部が共通
コアを有するとともに、素子先端部へ向かって前記スポ
ット変換部の共通コアの少なくとも厚みを薄くし、かつ
前記共通コアを素子先端部に達するまでに打ち切り、さ
らにクラッドよりも屈折率が高い少なくとも１個のコア
を前記出射用光導波路と前記スポットサイズ変換用光導
波路部の前記共通コアの上もしくは下の少なくとも一方
に形成し、前記スポットサイズ変換用光導波路部におい
て導波光の横方向の閉じ込めをリッジにより行ったこと
を特徴とするスポット変換素子。 - 【請求項２】 請求項１に記載のスポット変換素子の製
造方法において、前記リッジのクラッドの厚みを領域選
択成長技術により前記出射光導波路のクラッドの厚みよ
りも厚く形成することを特徴とするスポット変換素子の
製造方法。 - 【請求項３】 共通コアとリッジ形クラッドを有する出
射光導波路のスポットを変換するスポット変換素子にお
いて、スポット変換光導波路部が共通コアを有するとと
もに、素子先端部へ向かって前記スポット変換部の共通
コアの厚みを薄くするとともに前記リッジ形クラッドの
幅を大きくもしくは小さくしたことを特徴とするスポッ
ト変換素子。 - 【請求項４】 共通コアとリッジ形クラッドを有する光
導波路のスポットを変換するスポット変換素子におい
て、少なくとも出射光導波路部とスポット変換光導波路
との間を接続する光導波路を共通コア形とするととも
に、パッシブ光導波路と前記スポット変換光導波路との
接合点において、前記スポット変換光導波路の共通コア
の一部を切取りかつ、埋め込み形コアとするとともに素
子先端部に向かって前記コアの幅もしくは厚みの少なく
とも一方を変化させたことを特徴とするスポット変換素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22403592A JPH0667043A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | スポット変換素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22403592A JPH0667043A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | スポット変換素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0667043A true JPH0667043A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16807576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22403592A Pending JPH0667043A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | スポット変換素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0667043A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004503800A (ja) * | 2000-07-10 | 2004-02-05 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 低インデックス差導波路と高インデックス差導波路との間に設けられるモード変成器 |
| CN100342601C (zh) * | 2004-12-13 | 2007-10-10 | 中国科学院半导体研究所 | 激光器－电吸收调制器－模斑转换器单片集成的制作方法 |
| CN102200651A (zh) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | 三菱电机株式会社 | 光调制器和其制造方法 |
| JP2013182125A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Fujitsu Ltd | 光素子、光送信器、光受信器、光送受信器及び光素子の製造方法 |
| JPWO2012070585A1 (ja) * | 2010-11-22 | 2014-05-19 | 日立化成株式会社 | 光導波路 |
| JP2015057649A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-03-26 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子、半導体光素子を作製する方法 |
| JP2015191029A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 沖電気工業株式会社 | スポットサイズ変換器 |
| JPWO2020255565A1 (ja) * | 2019-06-19 | 2021-09-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子 |
-
1992
- 1992-08-24 JP JP22403592A patent/JPH0667043A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004503800A (ja) * | 2000-07-10 | 2004-02-05 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 低インデックス差導波路と高インデックス差導波路との間に設けられるモード変成器 |
| CN100342601C (zh) * | 2004-12-13 | 2007-10-10 | 中国科学院半导体研究所 | 激光器－电吸收调制器－模斑转换器单片集成的制作方法 |
| CN102200651A (zh) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | 三菱电机株式会社 | 光调制器和其制造方法 |
| JP2011203662A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光変調器とその製造方法 |
| JPWO2012070585A1 (ja) * | 2010-11-22 | 2014-05-19 | 日立化成株式会社 | 光導波路 |
| JP2013182125A (ja) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Fujitsu Ltd | 光素子、光送信器、光受信器、光送受信器及び光素子の製造方法 |
| US9297956B2 (en) | 2012-03-01 | 2016-03-29 | Fujitsu Limited | Optical device, optical transmitter, optical receiver, optical transceiver, and method of manufacturing optical device |
| JP2015057649A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-03-26 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子、半導体光素子を作製する方法 |
| JP2015191029A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 沖電気工業株式会社 | スポットサイズ変換器 |
| JPWO2020255565A1 (ja) * | 2019-06-19 | 2021-09-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体光素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6174748B1 (en) | Method of forming a tapered section in a semiconductor device to provide for reproducible mode profile of the output beam | |
| US5574742A (en) | Tapered beam expander waveguide integrated with a diode laser | |
| US6285694B1 (en) | Semiconductor laser | |
| JP2001174658A (ja) | 選択領域成長法を用いた２重コアスポットサイズ変換器及びその製造方法 | |
| JPH08116135A (ja) | 導波路集積素子の製造方法，及び導波路集積素子 | |
| JPH05249331A (ja) | 導波路形ビームスポット変換素子およびその製造方法 | |
| JP3244115B2 (ja) | 半導体レーザー | |
| JP2008113041A (ja) | 導波管 | |
| JPH0667043A (ja) | スポット変換素子およびその製造方法 | |
| JPH07168146A (ja) | スポット変換光導波路 | |
| US6253003B1 (en) | Optical coupling method and optical coupling device | |
| US6542533B1 (en) | Process for obtaining ultra-low reflectivity facets for electro-absorption modulated lasers | |
| KR100369329B1 (ko) | 무결함, 무반사의 스폿사이즈 변환기를 구비한 광소자의제조 방법 | |
| US6259718B1 (en) | Distributed feedback laser device high in coupling efficiency with optical fiber | |
| JPH05142435A (ja) | 導波路形ビーム変換素子およびその製造方法 | |
| JP7244784B2 (ja) | 半導体光源素子および光半導体導波路窓構造の製造方法 | |
| JPH05173036A (ja) | 光導波路形成法 | |
| JP2601173B2 (ja) | 半導体光導波路およびその製造方法 | |
| JPH04283704A (ja) | 半導体光導波路 | |
| JP4146974B2 (ja) | 光半導体装置及び光伝送システム | |
| JP3112115B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH09178964A (ja) | 光導波路の分岐構造 | |
| JP2002217446A (ja) | 光半導体集積素子及びその製造方法 | |
| JP3019271B2 (ja) | 光導波路形成法 | |
| US6607933B2 (en) | Double layer beam expander for device-to-fiber coupling |