JP2001174658A - 選択領域成長法を用いた２重コアスポットサイズ変換器及びその製造方法 - Google Patents

選択領域成長法を用いた２重コアスポットサイズ変換器及びその製造方法

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JP2001174658A JP2000333131A JP2000333131A JP2001174658A JP 2001174658 A JP2001174658 A JP 2001174658A JP 2000333131 A JP2000333131 A JP 2000333131A JP 2000333131 A JP2000333131 A JP 2000333131A JP 2001174658 A JP2001174658 A JP 2001174658A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光通信分野で重要部品として用いられる光送
受信素子として用いられる２重コアスポットサイズ変換
器及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 約０.３μｍの厚さのスペーサを介在して
下部受動光導波路及び上部受動光導波路と能動光導波路
とより構成される２重コア構造を有するが、上部受動光
導波路をSAGパターンを用いた選択領域成長で能動光導
波路と同時に成長させることによって、能動光導波路側
から光放出面側にいくほどその厚さが薄くなる負テーパ
構造を有すると同時にその組成も少しずつ変わる構造を
有する。このような構造は、従来のエッチング法による
２重コア構造とは違って、SAGを用いた方法がはるかに
よい性能のスポットサイズ変換器を得るのに有利であ
る。SAG条件さえ確保されれば、簡単なエッチング工程
を通じてもビーム発散角が非常に小さな２重コアSSCを
非常に高い収率で具現できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信分野で重要部
品として用いられる光送受信素子としてのスポットサイ
ズ変換器に係り、詳細には光ファイバに印加される光ビ
ームのスポットサイズ変換のための２重コアを選択領域
成長法を用いて製作する選択領域成長法を用いた２重コ
アスポットサイズ変換器及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に光通信分野でスポットサイズ変換
器は、光信号発生原因光素子と光信号伝達媒体の光ファ
イバ内で光ビームのサイズを有させるために、光素子か
ら放出される光ビームのスポットサイズを光素子内での
ビームサイズと一致するように変換して光ファイバに印
加させるのに使われる。このようなスポットサイズ変換
器は、代表的にレーザーダイオードや半導体光増幅器、
変調器、光検出器、波長変換器に主に適用されている。
【０００３】光通信時代を早めるために光通信部品のコ
ストダウンが必然的に要請されており、このような要請
に応じる努力の一つとして光送受信部品の値段を下げる
ためにはレンズを使用しないパッケージ形態の光素子生
産が要求される。レンズを使用せずに良い光結合効率を
得る高性能の光部品を製作するためには、素子と光ファ
イバ内でのビームサイズが同程度であるべきだ。しかし
ビームサイズは光ファイバ内で約９μｍで非常に大きい
反面に、半導体光素子内では約１μｍ程度で差が非常に
大きくて光結合効率がとてもよくない。これを解決する
ために素子の端部にモードサイズを拡大できるスポット
サイズ変換器(spot size converter;SSC)を結合する方
法を使用してレンズを使用しなくても良い光結合効率を
具現してこそ低廉な光部品の生産が可能である。
【０００４】図１は、既存の２重コアスポットサイズ変
換器の構造を示す部分切開斜視図である。示したよう
に、活性光導波路１０は水平方向や垂直方向に負テーパ
を与え、受動光導波路２０は正テーパを与えることによ
って、活性光導波路１０側に拘束されているモードを断
熱的に受動光導波路２０に行かせて素子のビームサイズ
を受動光導波路だけで調節する方法である。
【０００５】即ち、既存の方法は図１に示したように、
活性光導波路１０での制限を縮めるために水平方向への
エッチングを通じて負テーパを与える方法を使用してい
る。この方法を具現するためには水平方向へのエッチン
グが必須でSSC領域では受動光導波路２０だけ存在すべ
きために、正確なエッチング速度の調節が要求される。
即ち、既存のSSCを製作するためには光導波路を湿式ま
たは乾式エッチング法を使用して光拘束係数（optical
confinement factor）を小さくすることによってビーム
サイズを大きくする方法を使用している。
【０００６】従来のSSC製作方法を調べれば下の表１に
記載されたように大きく４つの分類に分けられる。それ
ぞれの方法に対して長短所を表１にまとめた。表１で分
かるようにSAG法を除いては正確なエッチングにより０.
２μｍ以下への光導波路幅の調節が必須で要求される。
反面にSAG法は、より狭いビーム発散角を得るためには
活性層方向の決定性を犠牲しなければならないし、円形
ビームを得るためには正確な光導波路の設計と工程確保
が要求される。Butt-joint法では、SSC領域と活性領域
でモードが柔らかく遷移される結晶成長条件の確保が非
常に難しくて多くの研究と時間が要求される。２重コア
構造の場合、活性光導波路を水平または垂直方向に縮め
ることによってモードサイズを大きくして下方の受動光
導波路に結合してビーム発散角を調節する方法である。
活性光導波路と関係なく受動光導波路の屈折率、厚さ、
幅を調節できるのでビームサイズ調節が非常に容易であ
る。しかしこの方法を使用するためには非常に安定した
エッチング幅と深度の調節が要求されて乾式エッチング
工程の確保が必須的である。しかし乾式エッチング工程
を適用する場合にテーパされた領域で柔らかい輪郭を得
難くてこれに対する深い研究が要求されている。一方、
エッチング法を通じて光導波路幅を調節する方法を使用
してビームサイズを調節する場合には、埋立ヘテロ構造
製作のために再成長時幅が非常に狭い導波路の終端が高
温でマストランスポート（mass transport）現象により
崩れてビーム形態を歪める現象が発生する。
【表１】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような
問題点を改善するために創案したものであって、光素子
から放出されるビームの非点収差を縮め遠距離発散角を
小さくて光素子と光ファイバとの光結合効率を向上させ
る２重コアスポットサイズ変換器及びその製造方法を提
供することにその目的がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記のような目的を達成
するために本発明に係る２重コアスポットサイズ変換器
は、下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に所定の
幅と厚さで形成されて放出ビームのパターンを決定する
下部受動光導波路と、前記下部受動光導波路上に所定の
厚さで形成されたスペーサ層と、前記スペーサ層上に所
定の厚さで形成された能動光導波路と、スポットサイズ
変換のために前記スペーサ層上に前記能動光導波路とつ
ながって負テーパ状で形成された上部受動光導波路と、
前記能動光導波路及び上部受動光導波路上に形成された
上部クラッド層とを具備したことを特徴とする。
【０００９】本発明において、前記下部受動光導波路の
幅は０.３μｍ以上で形成され、厚さは１μｍ以下で形
成され、前記スペーサ層の厚さは３μｍ以下で形成さ
れ、前記上部受動光導波路厚さのテーパ構造は厚さの増
加が１．５倍以上であり、前記上部受動光導波路は、モ
ードが前記下部受動光導波路に遷移されるように光放出
面側に前記下部受動光導波路の終端より先に断絶される
ように形成され、前記下部クラッド層はn-InPで形成さ
れ、前記下部受動光導波路はInGaAsPで形成され、前記
スペーサ層はInPで形成され、前記能動光導波路及び上
部受動光導波路はInGaAsPで形成され、前記上部クラッ
ド層はp-InPで形成され、前記光導波路の両側面には絶
縁のためにp-InPで形成された第１電流遮断層とn-InPで
形成された第２電流遮断層がさらに備わったことが望ま
しい。
【００１０】前記のような目的を達成するために本発明
に係る２重コアスポットサイズ変換器の製造方法は、
(a) 基板の役割をする下部クラッド層上に下部受動光導
波路及びスペーサ層を順次に成長させる段階と、(b) 前
記スペーサ層上に選択成長用パターンを形成した後、選
択領域成長を通じてテーパ構造のスポットサイズ変換領
域の上部受動光導波路と活性領域の能動光導波路を共に
成長させる段階と、(c)前記上部受動光導波路にエッチ
ング工程を用いて前記テーパ構造外郭の薄くなった部分
を一部除去して前記上部受動光導波路を完成する段階
と、(d) 前記上部受動光導波路及び能動光導波路を含む
光導波路の側面下のクラッド層を部分的にエッチングし
た後、その所に再成長を実施して第１及び第２電流遮断
層を成長させて絶縁構造を形成する段階と、(e) 前記上
部受動光導波路、能動光導波路、第１電流遮断層及び第
２電流遮断層の露出部上に上部クラッド層を成長させる
段階とを含むことを特徴とする。
【００１１】本発明において、前記(a)段階で前記下部
受動光導波路は１μｍ以下の厚さで成長させ、前記スペ
ーサ層は３μｍ以下の厚さで成長させ、前記(b)段階で
前記上部受動光導波路は、選択領域成長法で厚さの増加
が１．５倍以上になるように成長させ、前記(c)段階で
前記上部受動光導波路は、モードが前記下部受動光導波
路に遷移されるように光放出面側に前記下部受動光導波
路の終端より先に断絶されるようにエッチングし、前記
(d)段階で下部受動光導波路の幅は０.３μｍ以上で形成
し、前記下部クラッド層はn-InPで形成し、前記下部受
動光導波路はInGaAsPで形成し、前記スペーサ層はInPで
形成し、前記能動光導波路及び上部受動光導波路はInGa
AsPで形成し、前記上部クラッド層はp-InPで形成し、前
記第１電流遮断層はp-InPで形成し、前記第２電流遮断
層はn-InPで形成することが望ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る２重コアスポットサイズ変換器及びその製造方法を詳
細に説明する。
【００１３】本発明はエッチングング法の代わりに選択
領域成長(selective area growth;SAG)法を使用して活
性素子内のモードサイズ調節を通じてモードを受動導波
路に移すことによって、ビーム発散角を調節する方法を
使用する。即ち、本発明ではSAG法を使用して活性光導
波路でのモードの拘束を減らすSSC領域を作って下方の
受動光導波路にモードを転換させる方法を使用すること
によって、ややこしいエッチング工程を導入しなくても
良質の２重コアスポットサイズ変換器を得られる。
【００１４】このように、SAG法を用いたSSCの具現は、
光部品生産時工程を単純化して製品の値段を低められる
ので現在推進中の光通信体系の構築に非常に有益である
と判断される。
【００１５】図２Ａ及び図２Ｂは、各々本発明に係る２
重コアスポットサイズ変換器の概略的な構造を示す光導
波路方向に切開された垂直断面図及び部分切開斜視図で
ある。示したように、本発明に係る２重コアスポットサ
イズ変換器は、下部受動光導波路２及び上部受動光導波
路３と活性光導波路４の２重コアがスペーサ８を介在し
て形成されてスポットサイズを変換する。上部受動光導
波路３は光が放出されるファセット方向にいくほど厚さ
が薄くなる構造を有し、その組成も厚さによって少しず
つ違う。また、受動導波路３で光放出ファセット方向の
幅は、能動光導波路４の幅と同一とか広く構成される。
下部受動光導波路２は１μｍ以下の厚さと０.３μｍ以
上の幅を有するように形成される。そしてスペーサ８は
３μｍ以下の厚さで形成される。
【００１６】このような構造で能動光導波路４領域に存
するモードを受動光導波路２に遷移する過程で、余分の
エッチング工程なくSAGを通じて厚さが段々薄くなり屈
折率が減少して能動光導波路４と同じ光導波路幅でもモ
ードサイズが大きくなる。これを用いれば断熱的に能動
光導波路４でSAGにより形成された上部受動光導波路(SS
C)３へのモードを遷移できる。前記のSSCの役割をする
上部受動光導波路３により大きくなったモードの下層
に、さらに他の受動光導波路２をSAG前に成長させて下
部受動光導波路２に遷移がなされる。この時SSC領域３
でモードを十分に下方の受動光導波路２領域に遷移して
領域から除去すればモード全体が下方の受動光導波路２
に拘束される。下方の受動光導波路２の幅と厚さ及び屈
折率を調節することによってビーム形態を希望の通りに
調節できる。
【００１７】ここで、部材番号１、３、５、６及び７は
各々下部クラッド層、上部受動光導波路(スポットサイ
ズ変換領域)、第１電流遮断層、第２電流遮断層及び電
極を示す。ここで、第１電流遮断層５及び第２電流遮断
層６は互いに反対極性の物質でドーピングされて電気的
絶縁層を構成する。
【００１８】図３Ａ乃至図３Ｄは、本発明に係る２重コ
アスポットサイズ変換器を製造する方法を工程段階別に
示す図面であって、図３Ａ乃至図３Ｃは各工程段階を示
す垂直断面図で、図３Ｄは部分切開斜視図である。これ
を参照して製造方法を工程段階別に説明すれば次の通り
である。
【００１９】先ず、図３Ａに示したように、基板の役割
をする下部クラッド層１上に受動光導波路２とInPスペ
ーサ層８とを成長させる。
【００２０】次に、スペーサ層８上に誘電体マスクを形
成して選択成長用パターンを形成した後、選択領域成長
(SAG)を通して図３Ｂに示したようにスポットサイズ変
換領域、即ち、受動光導波路３'と活性領域４とより構
成された上部光導波路３'、４を成長させる。図３Ｂに
示したように、上部受動光導波路３'は選択領域成長(SA
G)を実施した結果、垂直方向には負テーパが存在するよ
うに形成されるが、能動光導波路４は変動のない構造を
製作できる。
【００２１】次に、図３Ｃに示したように、上部受動光
導波路３'に対する簡単なエッチング工程を通じてSAG成
長法で形成された外郭の薄くなった部分を一部除去して
上部受動光導波路(SSCの役割をする)３を形成する。
【００２２】次に、図３Ｄに示したように、上部受動光
導波路３及び能動光導波路４を含む光導波路の側面クラ
ッド層をエッチングした後その所に再成長を通じて逆転
層５、６を成長させて絶縁構造を形成し、その上に上部
クラッド層９を成長させて埋立ヘテロ構造を製作する。
【００２３】以上のような方法で製作された２重コアス
ポットサイズ変換器は次のように動作する。
【００２４】図２Ａ及び図２Ｂに示したような構造の能
動光導波路４から受動光導波路２にモードが進行する時
モードの分布変化を図４に示した。図２ＡのA領域では
モードの９５%以上が能動光導波路４に拘束されている
ことが分かり、能動光導波路４での希望の素子の作動
（増幅、変調、吸収）)は受動光導波路２、３の影響を
受けないことが分かる。また、B領域では順次に能動光
導波路４領域が終わりSAGにより形成された受動光導波
路３領域が始まって、能動光導波路４から上部受動光導
波路３にモードの遷移がなされている。C領域では上方
の受動光導波路３領域から下方の受動光導波路２への遷
移がなされており、上方の受動光導波路３が消える前に
５０%以上のモードの遷移が起こる。このようなモード
遷移は、上方の受動光導波路３から下方の受動光導波路
２への断熱的な遷移を可能にする。図２ＡのD領域で
は、下方の受動光導波路２にだけ拘束されているモード
を得られる。前記のモード遷移はBPM方法を通じて遷移
領域B、Cで断熱的モード遷移がなされることが確認され
た。またシミュレーションを通してスペーサの厚さと屈
折率に対する最適の条件を確保した。
【００２５】＜実施例＞実施例は、図５に示したよう
に、基板の役割をするn-InP下部クラッド層１上にInGaA
sP下部受動光導波路２、InGaAsPスペーサ８が順次に積
層され、InGaAsPスペーサ８上にInGaAsP上部受動光導波
路３とInGaAsP能動光導波路４が共同方向に連続して形
成され、その上にp-InP上部クラッド層９及び電極７が
形成される。そしてスペーサ８を含んで上下部光導波路
２、３、４の両側面はエッチングされて、p-InP第１電
流遮断層５及びn-InP第２電流遮断層６が形成されて中
央の光導波路構造を埋立てる。図５の能動光導波路４か
ら０.３μｍ厚さのInPスペーサ層８を介在して１.１μ
ｍの波長を有するInGaAsPで形成された下部受動光導波
路２が０.１５μｍの厚さで形成された構造で得たビー
ムの遠距離パターンが図６Ａ乃至図６Ｄ及び図７に示さ
れている。図６Ａ乃至図６Ｄは、上部受動光導波路３の
光放出面側の幅に従う放出ビームの水平方向の遠距離パ
ターン(far-fieldpattern;FFP)を各々示し、図７は垂直
方向のFFPを示す。即ち、図６Ａは、上部受動光導波路
３の光放出面側の幅が能動光導波路４の幅と同じ１μｍ
で形成した場合のFFPであり、図６Ｂは、上部受動光導
波路３の光放出面方向の幅を２μｍで形成した場合のFF
Pであり、図６Ｃ及び図６Ｄは、各々上部受動光導波路
３の光放出面方向の幅を各々３μｍ及び４μｍで形成し
た場合のFFPである。そして図７に示した垂直方向のFFP
は、受動光導波路３の厚さと屈折率により調節されるの
で光放出面側の幅とは関係なく一つで示される。これら
図面のFFPグラフからその半値幅(Full Width Half Maxi
mum; FWHM)及びビームの発散角が分かる。
【００２６】即ち、図６Ａ及び図７を参照する時、上部
受動光導波路３の光放出面側の幅を能動光導波路４の幅
と同じ１μｍで形成した場合に、水平方向と垂直方向に
対して１１゜×１２゜のFFPのFWHMを得られることが分
かる。一般にSAG法だけを使用した時、８゜×１５゜の
非常に非対称のFFPを得ることに対して、本発明の方法
を使用した時ほとんど円形光のFFPを得ることができ
た。即ち、非点収差がほとんどない出力ビームを得られ
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る２重
コアを有するスポットサイズ変換器は、約０.３μｍの
厚さのスペーサを介在して下部受動光導波路及び上部受
動光導波路と能動光導波路とより構成される２重コア構
造を有するが、上部受動光導波路をSAGパターンを用い
た選択領域成長で能動光導波路と同時に成長させること
によって、能動光導波路側から光放出面側にいくほどそ
の厚さが薄くなる負テーパ構造を有すると同時にその組
成も少しずつ変わる構造を有する。このような構造は、
従来のエッチング法による２重コア構造とは違って、SA
Gを用いた方法がはるかによい性能のスポットサイズ変
換器を得るのに有利である。SAG条件さえ確保されれ
ば、簡単なエッチング工程を通じてもビーム発散角が非
常に小さな２重コアSSCを非常に高い収率で具現でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 既存の２重コアスポットサイズ変換器の構造
を示す部分切開斜視図である。
【図２】 図２は、各々本発明に係る２重コアスポット
サイズ変換器の構造を示す図面であって、 （Ａ）は、
スポットサイズ変換器を長さ方向に切開した断面を示す
垂直断面図で、 （Ｂ）は、スポットサイズ変換器の部
分切開斜視図である。
【図３】 各々図２Ａ及び図２Ｂの２重コアスポットサ
イズ変換器の製造方法を工程段階別に示す図であって、
それぞれ、（Ａ）第１の工程を示す垂直断面図、（Ｂ）
第２の工程を示す垂直断面図、（Ｃ）第３の段階を示す
垂直断面図、及び（Ｄ）第４の段階を示す部分切開斜視
図である。
【図４】 図２Ａ及び図２Ｂの２重コアスポットサイズ
変換器のモード遷移を模式的に示すグラフである。
【図５】 本発明の実施形態の部分切開斜視図である。
【図６】 図５の実施例で受動光導波路の水平方向のＦ
ＦＰを示すグラフであって、ファセットでの幅を各々
（Ａ）１μｍ、（Ｂ）２μｍ、（Ｃ）３μｍ及び（Ｄ）
４μｍで形成した場合である。
【図７】 図５の実施例での垂直方向のFFPを示すグラ
フである。
【符号の説明】
１ 下部クラッド層 ２ 下部受動光導波路 ３ 上部受動光導波路 ４ 活性光導波路 ５ 第１電流遮断層 ６ 第２電流遮断層 ７ 電極 ８ スペーサ

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下部クラッド層と、 前記下部クラッド層上に所定の幅と厚さで形成されて放
    出ビームのパターンを決定する下部受動光導波路と、 前記下部受動光導波路上に所定の厚さで形成されたスペ
    ーサ層と、 前記スペーサ層上に所定の厚さで形成された能動光導波
    路と、 スポットサイズ変換のために前記スペーサ層上に前記能
    動光導波路とつながって負テーパ状で形成された上部受
    動光導波路と、 前記能動光導波路及び上部受動光導波路上に形成された
    上部クラッド層とを具備したことを特徴とする２重コア
    スポットサイズ変換器。
  2. 【請求項２】 前記下部受動光導波路の幅は０.３μｍ以
    上で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の２重
    コアスポットサイズ変換器。
  3. 【請求項３】 前記下部受動光導波路の厚さは１μｍ以
    下で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の２重
    コアスポットサイズ変換器。
  4. 【請求項４】 前記スペーサ層の厚さは３μｍ以下で形
    成されたことを特徴とする請求項１に記載の２重コアス
    ポットサイズ変換器。
  5. 【請求項５】 前記上部受動光導波路厚さのテーパ構造
    は厚さの増加が１．５倍以上であることを特徴とする請
    求項１に記載の２重コアスポットサイズ変換器。
  6. 【請求項６】 前記上部受動光導波路は、モードが前記
    下部受動光導波路に遷移されるように光放出面側に前記
    下部受動光導波路の終端より先に断絶されるように形成
    されたことを特徴とする請求項１に記載の２重コアスポ
    ットサイズ変換器。
  7. 【請求項７】 前記下部クラッド層はn-InPで形成され、
    前記下部受動光導波路はInGaAsPで形成され、前記スペ
    ーサ層はInPで形成され、前記能動光導波路及び上部受
    動光導波路はInGaAsPで形成され、前記上部クラッド層
    はp-InPで形成され、前記光導波路の両側面には絶縁の
    ためにp-InPで形成された第１電流遮断層とn-InPで形成
    された第２電流遮断層がさらに備わったことを特徴とす
    る請求項１に記載の２重コアスポットサイズ変換器。
  8. 【請求項８】 (a) 基板の役割をする下部クラッド層上
    に下部受動光導波路及びスペーサ層を順次に成長させる
    段階と、 (b) 前記スペーサ層上に選択成長用パターンを形成した
    後、選択領域成長を通じてテーパ構造のスポットサイズ
    変換領域の上部受動光導波路と活性領域の能動光導波路
    を共に成長させる段階と、 (c) 前記上部受動光導波路にエッチング工程を用いて前
    記テーパ構造外郭の薄くなった部分を一部除去して前記
    上部受動光導波路を完成する段階と、 (d) 前記上部受動光導波路及び能動光導波路を含む光導
    波路の側面下のクラッド層を部分的にエッチングした
    後、その所に再成長を実施して第１及び第２電流遮断層
    を成長させて絶縁構造を形成する段階と、 (e) 前記上部受動光導波路、能動光導波路、第１電流遮
    断層及び第２電流遮断層の露出部上に上部クラッド層を
    成長させる段階とを含むことを特徴とする２重コアスポ
    ットサイズ変換器の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記(a)段階で前記下部受動光導波路は１
    μｍ以下の厚さで成長させることを特徴とする請求項８
    に記載の２重コアスポットサイズ変換器の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記(a)段階で前記スペーサ層は３μｍ
    以下の厚さで成長させることを特徴とする請求項８に記
    載の２重コアスポットサイズ変換器の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記(b)段階で前記上部受動光導波路
    は、選択領域成長法で厚さの増加が１．５倍以上になる
    ように成長させることを特徴とする請求項８に記載の２
    重コアスポットサイズ変換器の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記(c)段階で前記上部受動光導波路
    は、モードが前記下部受動光導波路に遷移されるように
    光放出面側に前記下部受動光導波路の終端より先に断絶
    されるようにエッチングすることを特徴とする請求項８
    に記載の２重コアスポットサイズ変換器の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記(d)段階で下部受動光導波路の幅は
    ０.３μｍ以上で形成することを特徴とする請求項８に
    記載の２重コアスポットサイズ変換器の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記下部クラッド層はn-InPで形成し、
    前記下部受動光導波路はInGaAsPで形成し、前記スペー
    サ層はInPで形成し、前記能動光導波路及び上部受動光
    導波路はInGaAsPで形成し、前記上部クラッド層はp-InP
    で形成し、前記第１電流遮断層はp-InPで形成し、前記
    第２電流遮断層はn-InPで形成することを特徴とする請
    求項８に記載の２重コアスポットサイズ変換器の製造方
    法。
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