JP4964936B2 - 洗浄装置 - Google Patents

洗浄装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4964936B2
JP4964936B2 JP2009256815A JP2009256815A JP4964936B2 JP 4964936 B2 JP4964936 B2 JP 4964936B2 JP 2009256815 A JP2009256815 A JP 2009256815A JP 2009256815 A JP2009256815 A JP 2009256815A JP 4964936 B2 JP4964936 B2 JP 4964936B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
substrate
floating
foreign matter
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009256815A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010115648A (ja
Inventor
泰 英 呉
殷 河 李
Original Assignee
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド filed Critical エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
Publication of JP2010115648A publication Critical patent/JP2010115648A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4964936B2 publication Critical patent/JP4964936B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1316Methods for cleaning the liquid crystal cells, or components thereof, during manufacture: Materials therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、洗浄装置に関するもので、特に、プラズマ照射工程中に基板の垂れによる基板の破損を防止できる洗浄装置に関する。
液晶表示装置は、ビデオ信号によって液晶セルの光透過率を調節して画像を表示する。アクティブマトリクス(Active Matrix)タイプの液晶表示装置は、画素セルごとにスイッチング素子が設けられ、動映像を表示し易くなっている。スイッチング素子には主として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;以下、“TFT”という。)が用いられている。
かかる液晶表示装置は、相対向する2枚の基板と、これらの基板間に形成された液晶層と、を含む。いずれか一方の基板にはスイッチング素子の薄膜トランジスタが形成され、他方の基板にはカラーフィルタが形成されるが、このような工程前後に各基板には洗浄工程が行われる。
洗浄工程において基板は搬送ローラによって各工程装置に搬送されるが、基板の大型化に伴ってこれを搬送する搬送ローラの長さも増加し、この搬送ローラの中心軸の中心部は自重により重力方向に垂れてしまう。こうなると、この搬送ローラに置かれた基板の中心部も重力方向に反り、工程中に基板が破損するという問題点につながる。
本発明は、上記の問題点を解決するために案出されたもので、その目的は、フローティングユニットを用いて基板をフローティング状態に維持したままで基板の洗浄工程を行うことによって、基板の垂れによる破損を防止することができる洗浄装置を提供することにある。
上記の目的を達成するための本発明による洗浄装置は、基板ローディング部から基板が供給され、該基板にプラズマを照射して基板上の異物を除去するプラズマ照射部と、プラズマ照射部から基板が供給され、該基板上に残っている異物を除去する異物洗浄部と、異物洗浄部から基板が供給され、該基板を洗浄する仕上げ洗浄部と、仕上げ洗浄部から基板が供給され、該基板を乾燥させる乾燥部と、乾燥部から基板が供給され、該基板をアンローディングする基板アンローディング部と、を含み、プラズマ照射部は、基板にプラズマを照射するプラズマ照射ユニット及び基板をフローティング状態に維持させるフローティングユニットを含むことを特徴とする。
上記洗浄装置は、基板ローディング部に設置されて外部からの基板をプラズマ照射部に搬送する第1搬送ローラと、プラズマ照射部と異物洗浄部との間に位置してプラズマ照射部からの基板を異物洗浄部に搬送する第2搬送ローラと、異物洗浄部と乾燥部との間に位置して異物洗浄部からの基板を乾燥部に搬送する第3搬送ローラと、基板アンローディング部に設置されて乾燥部からの基板を外部に搬送する第4搬送ローラと、をさらに含み、洗浄部は、第3搬送ローラの上側に位置して第3搬送ローラ上に置かれた基板に向けて洗浄液を噴射する洗浄ユニットを含むことを特徴とする。
プラズマ照射ユニットとフローティングユニットは、互いに離間しつつ相対向するように配置され、プラズマ照射ユニットとフローティングユニットとの間に形成された移動空間を基板が通過することを特徴とする。
フローティングユニットは、移動空間に向けて空気を噴射すると共に噴射された空気を吸入することによって基板をフローティング状態に維持させることを特徴とする。
フローティングユニットは、第1〜第3フローティングユニットに区分され、第2フローティングユニットは、プラズマ照射ユニットと対向しつつ第1フローティングユニットと第3フローティングユニットとの間に位置し、基板の進行方向に位置している第1及び第3フローティングユニットの各一側面が傾斜していることを特徴とする。
第1フローティングユニットは、第1搬送ローラに隣接して位置し、第1フローティングユニットの一側面が第1搬送ローラに向って漸次低くなる形態の傾斜面を有し、第3フローティングユニットは、第2搬送ローラに隣接して位置し、第3フローティングユニットの一側面が第2搬送ローラに向って漸次低くなる形態の傾斜面を有することを特徴とする。
第1フローティングユニットの一側面において最も低い部分から地面までの距離が、第1搬送ローラの中心軸から地面までの距離と同一であり、第3フローティングユニットの一側面において最も低い部分から地面までの距離が、第2搬送ローラの中心軸から地面までの距離と同一であることを特徴とする。
異物洗浄部は、基板が通過できる移動空間を形成するように互いに離間して対向配置される上部異物洗浄部及び下部異物洗浄部を含み、上部異物洗浄部は、移動空間に向けて空気を噴射すると共に噴射された空気を吸入し、下部異物洗浄部は、移動空間に向けて空気を噴射すると共に噴射された空気を吸入することによって、基板をフローティング状態に維持させ、上部異物洗浄部は、移動空間に向けて洗浄液を噴射し、この洗浄液と噴射された空気とを用いてバブルを生成することによって、移動空間を通過する基板の上面についた異物を除去し、下部異物洗浄部は、移動空間に向けて洗浄液を噴射し、この洗浄液と噴射された空気とを用いてバブルを生成することによって、移動空間を通過する基板の下面についた異物を除去し、上部異物洗浄部及び下部異物洗浄部は、吸入される空気を用いて洗浄液を外部に排出させることを特徴とする。
外部から供給された空気が上部異物洗浄部及び下部異物洗浄部自体を通過して移動空間に噴射されるように、上部異物洗浄部及び下部異物洗浄部は多孔性素材からなることを特徴とする。
異物洗浄部は、第2搬送ローラの一側に位置している第1フローティングユニットと、第3搬送ローラの一側に位置している第2フローティングユニットと、
をさらに含み、第1及び第2フローティングユニットは、上側に空気を噴射すると共に噴射された空気を吸入することによって基板をフローティング状態に維持させることを特徴とする。
乾燥部は、第3搬送ローラの一側に位置している第1フローティングユニットと、第4搬送ローラの一側に位置している第2フローティングユニットと、をさらに含み、第1及び第2フローティングユニットは、上側に空気を噴射すると共に噴射された空気を吸入することによって基板をフローティング状態に維持させることを特徴とする。
本発明による洗浄装置は下記のような効果を奏する。
第一に、プラズマ照射ユニットの下部に第1〜第3フローティングユニットが設置されるため、プラズマ照射工程中に基板が重力方向に反ることを防止し、結果として、プラズマ照射工程中における基板の破損を防止することが可能になる。
第二に、仕上げ洗浄部からの洗浄液を再利用するため、洗浄液の浪費を減らすことが可能になる。
本発明の一実施例による洗浄装置を示す図である。 図1に示すプラズマ照射部の詳細構成図である。 図1に示す洗浄部の詳細構成図である。 上部異物洗浄部及び下部異物洗浄部の背面を示す図である。
図1は、本発明の一実施例による洗浄装置を示す図である。
本発明の一実施例による洗浄装置は、図1に示すように、基板ローディング部111から基板SUBが供給され、この基板SUBにプラズマを照射して基板SUB上の異物を除去するプラズマ照射部100と、プラズマ照射部100から基板SUBが供給され、この基板SUB上に残っている異物を除去する異物洗浄部101と、異物洗浄部101から基板SUBが供給され、この基板SUBを洗浄する仕上げ洗浄部102と、仕上げ洗浄部102から基板SUBが供給され、この基板SUBを乾燥させる乾燥部103と、乾燥部103から基板SUBが供給され、この基板SUBをアンローディングする基板アンローディング部112と、を含む。ここで、プラズマ照射部100は、基板SUBにプラズマを照射するプラズマ照射ユニット800及び基板SUBをフローティング状態に維持させるフローティングユニットを含む。
上述した各構成要素の間には、各構成要素間における基板SUBの搬送のための複数の搬送ローラが設けられる。また、基板ローディング部111及び基板アンローディング部112も搬送ローラを備える。
基板ローディング部111には、基板SUBをプラズマ照射部100に搬送する第1搬送ローラ201が設置され、プラズマ照射部100と異物洗浄部101との間にはプラズマ照射部100からの基板SUBを異物洗浄部101に搬送する第2搬送ローラ202が設置され、異物洗浄部101と乾燥部103との間には、異物洗浄部101からの基板SUBを乾燥部103に搬送する第3搬送ローラ203が設置され、基板アンローディング部112には、乾燥部103からの基板SUBを外部に搬送する第4搬送ローラ204が設置される。ここで、仕上げ洗浄部102は、第3搬送ローラ203の上側に配置され、第3搬送ローラ203上に置かれた基板SUBに向けて洗浄液を噴射する洗浄ユニット333を含む。
次に、上述した各構成要素を、図1〜図3を参照しつつより具体的に説明する。
図2は、図1に示すプラズマ照射部100の詳細構成図であり、図3は、図1に示す洗浄部の詳細構成図である。
プラズマ照射部100
プラズマ照射部100は、図1及び図2に示すように、基板SUBにプラズマを照射するプラズマ照射ユニット800及び基板SUBをフローティング状態に維持させるフローティングユニット100abcを含む。
プラズマ照射ユニット800は、基板SUB上にプラズマを照射することによって基板SUBについた異物、特に有機物を燃やして除去する。
プラズマ照射ユニット800とフローティングユニット100abcは互いに離間しつつ相対向するように配置され、プラズマ照射ユニット800とフローティングユニット100abcとの間に形成された移動空間777を通って基板SUBが移動する。
フローティングユニット100abcは、移動空間777に向けて空気を噴射すると共に噴射された空気を吸入することによって、基板SUBをフローティング状態に維持させる。
このフローティングユニット100abcは、第1〜第3フローティングユニット100a,100b,100cに区分されることができるが、その数が3個に制限されることはない。すなわち、フローティングユニットは、2個または4個以上にしても良い。本発明では、説明の便宜上、3個で構成されたフローティングユニットとして説明する。
第2フローティングユニット100bは、プラズマ照射ユニット800と対向しつつ第1フローティングユニット100aと第3フローティングユニット100cとの間に位置する。特に、図2に示すように、基板SUBの進行方向に位置している第1及び第3フローティングユニット100a,100cの各一側面が傾斜している。具体的に、第1フローティングユニット100aは第1搬送ローラ201に隣接して位置するが、このような第1フローティングユニット100aの一側面が第1搬送ローラ201に向って漸次低くなる形態の傾斜面を持つ。そして、第3フローティングユニット100cは第2搬送ローラ202に隣接して位置するが、このような第3フローティングユニット100cの一側面が第2搬送ローラ202に向って漸次低くなる形態の傾斜面を持つ。
ここで、図2に示すように、第1フローティングユニット100aの一側面において最も低い部分から地面(ground)までの距離hが、第1搬送ローラ201の中心軸から地面までの距離hと同一であり、また、第3フローティングユニット100cの一側面において最も低い部分から地面までの距離hが、第2搬送ローラ202の中心軸から地面までの距離hと同一である。
外部から供給された空気が第1〜第3フローティングユニット100a,100b,100c自体を通過して基板SUBに噴射されるように、第1〜第3フローティングユニット100a,100b,100cは多孔性素材からなる。すなわち、外部から第1〜第3フローティングユニット100a,100b,100cの上部に向けて噴射された空気は、第1〜第3フローティングユニット100a,100b,100cを通過して移動空間777に供給される。
第1〜第3フローティングユニット100a,100b,100cのそれぞれには、移動空間777中の空気を吸入するための複数の吸入穴403が形成されている。第1〜第3フローティングユニット100a,100b,100cに形成された吸入穴403は、第1〜第3フローティングユニット100a,100b,100cを貫通して移動空間777に延びている。
このように、プラズマ照射ユニット800の下部に第1〜第3フローティングユニット100a,100b,100cを設置することによって、プラズマ照射工程中に基板SUBが重力方向に反ることを防止することができる。
異物洗浄部101は、図1及び図3に示すように、相対向する上部異物洗浄部101Uabcと下部異物洗浄部101Babcとを含む。上部異物洗浄部101Uabcと下部異物洗浄部101Babcは互いに所定間隔離間しており、これら離間している構造物101Uabc,101Babcの間には、基板SUBが移動できる移動空間888が形成される。
上部異物洗浄部101Uabcは、移動空間888に向けて空気を噴射すると共に噴射された空気を吸入する。同様に、下部異物洗浄部101Babcは、移動空間888に向けて空気を噴射すると共に噴射された空気を吸入する。これにより、移動空間888に進入した基板SUBは移動空間888上に浮いている状態となる。換言すると、上部異物洗浄部101Uabcは、移動空間888に進入した基板SUBの上面に向けて空気を噴射すると共に噴射された空気を吸入し、下部異物洗浄部101Babcは、移動空間888に進入した基板SUBの下面に向けて空気を噴射すると共に噴射された空気を吸入することによって、基板SUBを移動空間上に浮いているフローティング状態に維持させる。この時、噴射力が吸入力よりも強く作用する。
上部異物洗浄部101Uabcは、移動空間888に向けて洗浄液666を噴射し、この洗浄液666と噴射された空気とを用いてバブルを生成することによって、移動空間888を通過する基板SUBの上面についた異物を除去し、また、下部異物洗浄部101Babcは、移動空間888に向けて洗浄液666を噴射し、この洗浄液666と噴射された空気とを用いてバブルを生成することによって、移動空間888を通過する基板SUBの下面についた異物を除去する。また、上部異物洗浄部101Uabc及び下部異物洗浄部101Babcは、吸入する空気を用いて洗浄液666を外部に排出させる。洗浄液666は、純水またはケミカル溶液または純水とケミカルとの混合溶液とすることができる。
外部から供給された空気が上部異物洗浄部101Uabc及び下部異物洗浄部101Babc自体を通過して移動空間888へと噴射されるように、上部異物洗浄部101Uabc及び下部異物洗浄部101Babcは多孔性素材からなる。すなわち、外部から上部異物洗浄部101Uabcの上部に向けて噴射された空気は、上部異物洗浄部101Uabcを通過して移動空間888に供給され、また、外部から下部異物洗浄部101Babcの下部に向けて噴射された空気は下部異物洗浄部101Babcを通過して移動空間888に供給される。
上部異物洗浄部101Uabc及び下部異物洗浄部101Babcのそれぞれには、空気を吸入するための複数の吸入穴603が形成されている。上部異物洗浄部101Uabcに形成された吸入穴603は、上部異物洗浄部101Uabcを貫通して移動空間888に延びており、また、下部異物洗浄部101Babcに形成された吸入穴603は下部異物洗浄部101Babcを貫通して移動空間888に延びている。
また、上部異物洗浄部101Uabc及び下部異物洗浄部101Babcのそれぞれには、洗浄液666を移動空間888に噴射するための複数の噴射穴613が形成されている。上部異物洗浄部101Uabcに形成された噴射穴613は、上部異物洗浄部101Uabcを貫通して移動空間888に延びており、また、下部異物洗浄部101Babcに形成された噴射穴613は、下部異物洗浄部101Babcを貫通して移動空間888に延びている。
このような上部異物洗浄部101Uabcは、第1〜第3上部異物洗浄部101Ua,101Ub,101Ucに区分されることができるが、その数が3個に制限されることはない。
すなわち、上部異物洗浄部101Uabcは、2個または4個以上にしても良い。また、下部異物洗浄部101Babcも同様に、第1〜第3下部異物洗浄部101Ba,101Bb,101Bcに区分されることができるが、その数が3個に制限されることはない。すなわち、下部異物洗浄部101Babcは2個または4個以上にしても良い。第1上部異物洗浄部101Uaは第1下部異物洗浄部101Baと対向しており、第2上部異物洗浄部101Ubは第2下部異物洗浄部101Bbと対向しており、また、第3上部異物洗浄部101Ucは第3下部異物洗浄部101Bcと対向している。
一方、図4は、上部異物洗浄部101Ua及び下部異物洗浄部101Baの背面を示す図である。同図に示すように、第1上部異物洗浄部101Ua及び第1下部異物洗浄部101Baは、複数のトレンチ123をさらに含む。複数の吸入穴603は、複数のトレンチ123のいずれかに共通してつながってこのトレンチ123を通じて空気を吸入したりまたは洗浄液666を吸入し、また、複数の噴射穴613は、複数のトレンチ123のいずれかに共通してつながってこのトレンチ123を通じて洗浄液666を移動空間888に噴射する。
各トレンチ123は、基板SUBの進行方向に垂直な方向に長さを有し、これらのトレンチ123は、基板SUBの進行方向を沿って配列されている。これらのトレンチ123には洗浄液666が埋め込まれ、これによって基板SUBの洗浄効果を高めることができる。
第1〜第3上部異物洗浄部101Ua,101Ub,101Ucと基板SUBの上面間の間隔は約20μmであり、第1〜第3下部異物洗浄部101Ba,101Bb,101Bcと基板SUBの下面間の間隔も約20μmである。第1〜第3上部異物洗浄部101Ua,101Ub,101Ucと第1〜第3下部異物洗浄部101Ba,101Bb,101Bc間の間隔は、基板SUBの厚さによって調節可能である。
一方、異物洗浄部101は、第1及び第2フローティングユニット101a,101bをさらに備えることができる。第1フローティングユニット101aは、第2搬送ローラ202と第1下部異物洗浄部101Baとの間に位置し、第2フローティングユニット101bは、第3搬送ローラ203と第3下部異物洗浄部101Bcとの間に位置する。
外部から供給された空気が第1及び第2フローティングユニット101a,101b自体を通過して基板SUBに噴射されるように、第1及び第2フローティングユニット101a,101bは多孔性素材からなる。すなわち、外部から第1及び第2フローティングユニット101a,101bの上部に向けて噴射された空気は、第1及び第2フローティングユニット101a,101bを通過して移動空間888に供給される。
第1及び第2フローティングユニット101a,101bのそれぞれには、移動空間888中の空気を吸入するための複数の吸入穴703が形成されている。
仕上げ洗浄部102
仕上げ洗浄部102は、第3搬送ローラ203の上側に配置され、第3搬送ローラ203上に置かれた基板SUBに向けて洗浄液666を噴射する洗浄ユニット333を含む。
この洗浄ユニット333から噴射された洗浄液666は、異物洗浄部101に供給されて再利用される。すなわち、異物洗浄部101は洗浄ユニット333で使用された洗浄液666を再利用する。
このように仕上げ洗浄部102からの洗浄液666を再利用することによって、洗浄液666の浪費を減らすことができる。
乾燥部103
乾燥部103は、相対向する上部乾燥部1032と下部乾燥部1031とを含む。上部乾燥部1032と下部乾燥部1031は互いに所定間隔離間しており、これら離間している構造物間に基板SUBが移動できる移動空間が形成される。
上部乾燥部1032は、移動空間999に向けて空気を噴射する。すなわち、この上部乾燥部1032は、移動空間999を通過する基板SUBの上面に空気を噴射し、基板SUBの上面に残っている洗浄液666を基板SUB外に流し出すことによって、基板SUBの上面を乾燥させる。これと同様に、下部乾燥部1031は、移動空間999に向けて空気を噴射する。すなわち、この下部乾燥部1031は、移動空間999を通過する基板SUBの下面に空気を噴射し、基板SUBの下面に残っている洗浄液666を基板SUB外に流し出すことによって基板SUBの下面を乾燥させる。
このような乾燥部103は、第1及び第2フローティングユニット103a,103bをさらに備えることができる。
第1フローティングユニット103aは、第3搬送ローラ203と下部乾燥部1031との間に位置し、第2フローティングユニット103bは、第4搬送ローラ112と下部乾燥部1031との間に位置する。第1及び第2フローティングユニット103a,103bは、上側に空気を噴射すると共に噴射された空気を吸入することによって、基板SUBをフローティング状態に維持させる。
外部から供給された空気が第1及び第2フローティングユニット103a,103b自体を通過して基板SUBに噴射されるように、第1及び第2フローティングユニット103a,103bは多孔性素材からなる。第1及び第2フローティングユニット103a,103bのそれぞれには空気を吸入するための複数の吸入穴が形成されている。
以上説明してきた実施例及び添付図面に本発明が限定されることはなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であるということが、本発明の属する技術分野における通常の知識を持つ者にとっては明白である。
111 基板ローディング部
100 プラズマ照射部
101 異物洗浄部
102 仕上げ洗浄部
103 乾燥部
112 基板アンローディング部
100abc フローティングユニット
101Babc:下部異物洗浄部
101Uabc 上部異物洗浄部
1031 下部乾燥部
1032 上部乾燥部
201 第1搬送ローラ
202 第2搬送ローラ
203 第3搬送ローラ
204 第4搬送ローラ

Claims (9)

  1. 基板ローディング部から基板が供給され、該基板にプラズマを照射して基板上の異物を除去するプラズマ照射部と、
    前記プラズマ照射部から前記基板が供給され、該基板上に残っている異物を除去する異物洗浄部と、
    前記異物洗浄部から基板が供給され、該基板を洗浄する仕上げ洗浄部と、
    前記仕上げ洗浄部から基板が供給され、該基板を乾燥させる乾燥部と、
    前記乾燥部から基板が供給され、該基板をアンローディングする基板アンローディング部と、
    前記基板ローディング部に設置されて外部からの基板をプラズマ照射部に搬送する第1搬送ローラと、
    前記プラズマ照射部と異物洗浄部との間に位置して前記プラズマ照射部からの基板を前記異物洗浄部に搬送する第2搬送ローラと、
    前記異物洗浄部と前記乾燥部との間に位置して前記異物洗浄部からの基板を前記乾燥部に搬送する第3搬送ローラと、
    前記基板アンローディング部に設置されて前記乾燥部からの基板を外部に搬送する第4搬送ローラと、
    を含み、
    前記プラズマ照射部は、前記基板にプラズマを照射するプラズマ照射ユニット及び前記基板をフローティング状態に維持させるフローティングユニットを含み、
    前記仕上げ洗浄部は、前記第3搬送ローラの上側に位置して前記第3搬送ローラ上に置かれた基板に向けて洗浄液を噴射する洗浄ユニットを含み、
    前記プラズマ照射ユニットと前記フローティングユニットは、互いに離間しつつ相対向するように配置され、前記プラズマ照射ユニットと前記フローティングユニットとの間に形成された移動空間を基板が通過し、
    前記フローティングユニットは、前記移動空間に向けて空気を噴射すると共に噴射された空気を吸入することによって基板をフローティング状態に維持させることを特徴とする洗浄装置。
  2. 前記フローティングユニットは、前記移動空間に向けて空気を噴射すると共に前記噴射された空気を吸入することによって前記基板をフローティング状態に維持させることを特徴とする請求項1に記載の洗浄装置。
  3. 前記フローティングユニットは、第1〜第3フローティングユニットに区分され、
    前記第2フローティングユニットは、前記プラズマ照射ユニットと対向しつつ前記第1フローティングユニットと第3フローティングユニットとの間に位置し、
    前記基板の進行方向に位置している第1及び第3フローティングユニットの各一側面が傾斜していることを特徴とする請求項2に記載の洗浄装置。
  4. 前記第1フローティングユニットは、前記第1搬送ローラに隣接して位置し、前記第1フローティングユニットの一側面が前記第1搬送ローラに向って漸次低くなる形態の傾斜面を有し、
    前記第3フローティングユニットは、前記第2搬送ローラに隣接して位置し、前記第3フローティングユニットの一側面が前記第2搬送ローラに向って漸次低くなる形態の傾斜面を有することを特徴とする請求項3に記載の洗浄装置。
  5. 前記第1フローティングユニットの一側面において最も低い部分から地面までの距離が、前記第1搬送ローラの中心軸から地面までの距離と同一であり、
    前記第3フローティングユニットの一側面において最も低い部分から地面までの距離が、前記第2搬送ローラの中心軸から地面までの距離と同一であることを特徴とする請求項4に記載の洗浄装置。
  6. 前記異物洗浄部は、
    前記基板が通過できる移動空間を形成するように互いに離間して対向配置される上部異物洗浄部及び下部異物洗浄部を含み、
    前記上部異物洗浄部は、前記移動空間に向けて空気を噴射すると共に前記噴射された空気を吸入し、前記下部異物洗浄部は、前記移動空間に向けて空気を噴射すると共に前記噴射された空気を吸入することによって、前記基板をフローティング状態に維持させ、
    前記上部異物洗浄部は、前記移動空間に向けて洗浄液を噴射し、この洗浄液と前記噴射された空気とを用いてバブルを生成することによって、前記移動空間を通過する基板の上面についた異物を除去し、
    前記下部異物洗浄部は、前記移動空間に向けて洗浄液を噴射し、この洗浄液と前記噴射された空気とを用いてバブルを生成することによって、前記移動空間を通過する基板の下面についた異物を除去し、
    前記上部異物洗浄部及び下部異物洗浄部は、前記吸入される空気を用いて前記洗浄液を外部に排出させることを特徴とする請求項1に記載の洗浄装置。
  7. 外部から供給された空気が前記上部異物洗浄部及び下部異物洗浄部自体を通過して前記移動空間に噴射されるように、前記上部異物洗浄部及び下部異物洗浄部は多孔性素材からなることを特徴とする請求項6に記載の洗浄装置。
  8. 前記異物洗浄部は、
    前記第2搬送ローラの一側に位置している第1フローティングユニットと、
    前記第3搬送ローラの一側に位置している第2フローティングユニットと、
    をさらに含み、
    前記第1及び第2フローティングユニットは、上側に空気を噴射すると共に前記噴射された空気を吸入することによって前記基板をフローティング状態に維持させることを特徴とする請求項6に記載の洗浄装置。
  9. 前記乾燥部は、
    前記第3搬送ローラの一側に位置している第1フローティングユニットと、
    前記第4搬送ローラの一側に位置している第2フローティングユニットと、
    をさらに含み、
    前記第1及び第2フローティングユニットは、上側に空気を噴射すると共に前記噴射された空気を吸入することによって前記基板をフローティング状態に維持させることを特徴とする請求項1に記載の洗浄装置。
JP2009256815A 2008-11-14 2009-11-10 洗浄装置 Active JP4964936B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080113050A KR101296659B1 (ko) 2008-11-14 2008-11-14 세정 장치
KR10-2008-0113050 2008-11-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010115648A JP2010115648A (ja) 2010-05-27
JP4964936B2 true JP4964936B2 (ja) 2012-07-04

Family

ID=42171022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009256815A Active JP4964936B2 (ja) 2008-11-14 2009-11-10 洗浄装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9362146B2 (ja)
JP (1) JP4964936B2 (ja)
KR (1) KR101296659B1 (ja)
CN (1) CN101733258B (ja)
TW (1) TWI400133B (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150118012A1 (en) * 2013-10-31 2015-04-30 Lam Research Corporation Wafer entry port with gas concentration attenuators
CN104907289A (zh) * 2014-03-13 2015-09-16 东莞高伟光学电子有限公司 清洁电子元件的清洁设备及工艺
EP3151981B1 (en) * 2014-06-05 2021-11-17 Illinois Tool Works, Inc. System and method for cleaning an object
JP5799181B1 (ja) 2015-01-07 2015-10-21 住友化学株式会社 有機電子素子の製造方法
JP6254108B2 (ja) * 2015-01-07 2017-12-27 住友化学株式会社 有機elパネルの製造方法
TWI575641B (zh) * 2016-06-02 2017-03-21 盟立自動化股份有限公司 溼式製程設備
KR101682566B1 (ko) * 2016-06-15 2016-12-26 신흥플라즈마코팅 주식회사 옵셋 인쇄장치 실린더 자켓용 금속판의 표면처리방법
KR102115184B1 (ko) * 2018-10-16 2020-05-27 주식회사 탑 엔지니어링 패널 제조 장치 및 이를 이용한 패널 제조 방법
CN109317431B (zh) * 2018-11-05 2021-07-23 江苏立讯机器人有限公司 一种清洗装置
CN110190011B (zh) * 2019-05-16 2021-10-01 Tcl华星光电技术有限公司 一种蚀刻装置
JP2023003251A (ja) 2021-06-23 2023-01-11 株式会社Screenホールディングス 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4270317A (en) * 1978-10-10 1981-06-02 Midland-Ross Corporation Apparatus used in the treatment of a continuous strip of metal and method of use thereof
US4376672A (en) * 1981-10-26 1983-03-15 Applied Materials, Inc. Materials and methods for plasma etching of oxides and nitrides of silicon
NL8203318A (nl) * 1982-08-24 1984-03-16 Integrated Automation Inrichting voor processing van substraten.
JP3133054B2 (ja) * 1990-07-26 2001-02-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板の洗浄処理方法及び洗浄処理装置
US5289639A (en) * 1992-07-10 1994-03-01 International Business Machines Corp. Fluid treatment apparatus and method
JP2648286B2 (ja) * 1994-08-04 1997-08-27 株式会社飯沼ゲージ製作所 基板の洗浄乾燥装置
US6240933B1 (en) * 1997-05-09 2001-06-05 Semitool, Inc. Methods for cleaning semiconductor surfaces
JP2000117213A (ja) * 1998-10-13 2000-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ洗浄方法及び装置
EP1058290A1 (en) * 1999-06-02 2000-12-06 Kaneka Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor device
JP4410899B2 (ja) * 2000-02-23 2010-02-03 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ プラズマ洗浄装置
DE10130999A1 (de) * 2000-06-29 2002-04-18 D M S Co Multifunktions-Reinigungsmodul einer Herstellungseinrichtung für Flachbildschirme und Reinigungsgerät mit Verwendung desselben
JP3756402B2 (ja) * 2000-12-08 2006-03-15 富士写真フイルム株式会社 基板搬送装置及び方法
JP2003063643A (ja) * 2001-08-30 2003-03-05 Nippon Sekkei Kogyo:Kk 薄板の搬送方法及び装置
JP2003283103A (ja) * 2002-03-22 2003-10-03 Seiko Epson Corp パターン形成方法および装置並びにデバイスの製造方法およびデバイス
KR100596050B1 (ko) * 2002-10-31 2006-07-03 삼성코닝정밀유리 주식회사 유리기판의 이송시스템
JP4789412B2 (ja) 2002-12-10 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマ処理装置
DE10319379A1 (de) * 2003-04-30 2004-11-25 Applied Films Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Transportieren eines flachen Substrats in einer Vakuumkammer
US7543546B2 (en) * 2003-05-27 2009-06-09 Matsushita Electric Works, Ltd. Plasma processing apparatus, method for producing reaction vessel for plasma generation, and plasma processing method
JP4045214B2 (ja) * 2003-08-12 2008-02-13 株式会社 日立ディスプレイズ 表示素子の製造方法及び製造装置
JP2005150266A (ja) * 2003-11-13 2005-06-09 Pioneer Plasma Display Corp プラズマディスプレイパネル製造方法,プラズマ表示装置製造方法,及び表示パネル処理装置
JP2005166457A (ja) * 2003-12-03 2005-06-23 Fujisawa Pharmaceut Co Ltd プラズマ放電装置
KR100592960B1 (ko) 2004-05-24 2006-06-28 이부락 반도체 제조장치용 이송장치
JP4043455B2 (ja) * 2004-05-28 2008-02-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
US20050274396A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-15 Hong Shih Methods for wet cleaning quartz surfaces of components for plasma processing chambers
JP4349528B2 (ja) * 2005-01-25 2009-10-21 大日本印刷株式会社 基板搬送装置、基板制御方法、カラーフィルタ製造方法、電子回路製造方法
JP4529794B2 (ja) * 2005-05-19 2010-08-25 シンフォニアテクノロジー株式会社 気体浮上搬送装置
JP4553376B2 (ja) * 2005-07-19 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 浮上式基板搬送処理装置及び浮上式基板搬送処理方法
US8795769B2 (en) * 2005-08-02 2014-08-05 New Way Machine Components, Inc. Method and a device for depositing a film of material or otherwise processing or inspecting, a substrate as it passes through a vacuum environment guided by a plurality of opposing and balanced air bearing lands and sealed by differentially pumped groves and sealing lands in a non-contact manner
JP4668088B2 (ja) * 2005-10-14 2011-04-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4594241B2 (ja) * 2006-01-06 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及びコンピュータプログラム
JP4605469B2 (ja) * 2006-03-20 2011-01-05 村田機械株式会社 搬送システム
CN101081395B (zh) * 2006-05-31 2010-12-22 财团法人金属工业研究发展中心 以复合式洁净基板的表面污染物的方法
JP4753313B2 (ja) * 2006-12-27 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10217651B2 (en) 2019-02-26
KR101296659B1 (ko) 2013-08-14
CN101733258A (zh) 2010-06-16
TWI400133B (zh) 2013-07-01
KR20100054235A (ko) 2010-05-25
US9362146B2 (en) 2016-06-07
TW201018532A (en) 2010-05-16
JP2010115648A (ja) 2010-05-27
US20100122716A1 (en) 2010-05-20
US20150200115A1 (en) 2015-07-16
CN101733258B (zh) 2012-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4964936B2 (ja) 洗浄装置
TWI428969B (zh) Substrate cleaning treatment device
JP3918401B2 (ja) 基板乾燥装置及び乾燥方法、並びに基板の製造方法
TWI546131B (zh) 基板處理裝置、噴嘴以及基板處理方法
TWI457266B (zh) And a substrate processing device having a non-contact floating conveyance function
TWI531411B (zh) 塗佈裝置及噴嘴的維護方法
JP2007301427A (ja) パネル洗浄機及び洗浄方法
JP2008049226A (ja) 予備吐出装置
JP5288383B2 (ja) 塗布処理装置及び塗布処理方法
KR101261431B1 (ko) 플렉시블 필름이 부착된 캐리어 기판의 배면 세정장치
KR20060046703A (ko) 처리액 공급장치
KR101253499B1 (ko) 약액 도포모듈 및 이를 이용한 약액 도포장치
KR102564341B1 (ko) 기판 이송 방법 및 장치, 그리고 이를 포함하는 기판 처리 방법
KR20180042884A (ko) LLO(Laser Lift-Off) 공정 전 OLED 캐리어 글라스 기판 후면 세정 장치
JP2010103383A (ja) 基板処理装置
JP2010131485A (ja) 基板の液切り装置および液切り方法
KR20070118478A (ko) 평판표시장치용 습식식각 장비
KR20100055812A (ko) 기판 처리 장치
JP2008227195A (ja) 液処理装置
KR100687505B1 (ko) 슬릿코터의 예비토출장치
KR100725038B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2020047820A (ja) 浮上搬送装置
JP2011129579A (ja) 洗浄装置
KR101077836B1 (ko) 슬릿 노즐 세정기와 이를 구비한 부상식 기판 코터 장치
JP5667827B2 (ja) 基板の処理装置及び搬送装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111024

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120123

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120305

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120328

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250