JP4943852B2 - 少なくとも一つの電気的コンポーネントを有するフィルム及びその生産プロセス - Google Patents

少なくとも一つの電気的コンポーネントを有するフィルム及びその生産プロセス Download PDF

Info

Publication number
JP4943852B2
JP4943852B2 JP2006535939A JP2006535939A JP4943852B2 JP 4943852 B2 JP4943852 B2 JP 4943852B2 JP 2006535939 A JP2006535939 A JP 2006535939A JP 2006535939 A JP2006535939 A JP 2006535939A JP 4943852 B2 JP4943852 B2 JP 4943852B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
layer
adhesive layer
functional layer
electrical functional
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006535939A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007515782A (ja
JP2007515782A5 (ja
Inventor
ハインリッヒ ヴィルト
ルートヴィヒ ブレーム
アヒム ハンゼン
Original Assignee
レオンハード クルツ ゲーエムベーハー ウント コー.カーゲー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by レオンハード クルツ ゲーエムベーハー ウント コー.カーゲー filed Critical レオンハード クルツ ゲーエムベーハー ウント コー.カーゲー
Publication of JP2007515782A publication Critical patent/JP2007515782A/ja
Publication of JP2007515782A5 publication Critical patent/JP2007515782A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4943852B2 publication Critical patent/JP4943852B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/18Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/204Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive coating being discontinuous
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2467/00Presence of polyester
    • C09J2467/006Presence of polyester in the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68359Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during manufacture of interconnect decals or build up layers

Description

本発明は、少なくとも一つの電気的コンポーネントを有するフィルム及びそのようなフィルムの生産方法に関するものである。
有機半導体技術を用いることによる電気的コンポーネント、例えば有機電界効果トランジスタ(OFETs)あるいは有機ポリマーからなるその他の電気的コンポーネントの生産のために、少なくとも導電性電極層の構造化が必要とされている。その他の層の構造化は必ずしも必要ではないが、有機半導体技術によって生じるそのようなコンポーネントの効率や性能を改良することができる。有機半導体技術を用いた強力な電気的コンポーネントの生産を可能にするために、それらの層の構造化が高水準の解像度と記録精度で実施されることが必要である。
WO 02/25750はリソグラフィプロセスを用いる電極や回路基板の生産について説明している。その工程においてドープポリアニリン(PANI)あるいはポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)を含む有機導電層は基板、例えばフィルムに、ドクター法、スプレー、スピンコーティング、あるいはスクリーン印刷によってその表面にわたって塗布される。フォトレジストの薄層はその上に塗布され構造化された形状に露光される。露光されたポリアニリン層は現像液の作用によって脱プロトン化されて非導電性になる。残っているフォトレジストは溶剤によって溶解除去される。この工程の前または後に、非導電性有機層マトリックスは非塩基性溶媒によって溶解除去される。
WO 02/25750は脱プロトン化効果を有する化合物が印刷によって平坦な機能性ポリマー層に構造化するために塗布される、ということを説明している。化合物は塩基性であることが好ましい。非導電性領域はその後に続くリンス工程で選択的に除去される。
WO 02/47183は有機電界効果トランジスタの層の構造化のために整形層のリセス中に機能性ポリマーを導入することを提案している。整形層は、絶縁特性を有する異なる有機材料を備え、整形層にはパンチが押し付けられる。機能性ポリマーはドクターによってリセスに導入される。そのプロセスによって2から5μmの範囲の面内寸法を有する極めて良い構造を作り出すことができる。さらにドクター法は材料に固有のものではなく、すなわち有機電界効果トランジスタの全ての層の構造化に適する。さらに、ドクター工程のための粘度範囲は印刷操作のためよりもはるかに大きい。機能性ポリマーは実質的にそれらの形状を保つことができる。さらに、1μmまでの範囲の比較的厚い層を作り出すことができる。
DE 100 33 112は、機能性ポリマーが基板あるいはすでに存在する層にタンポン印刷技術によって塗布される、有機半導体技術を用いた電気的コンポーネントの生産のためのプロセスについて説明している。
本発明の目的は、有機半導体技術による強力なコンポーネントの生産を改良すること、及び/または有機半導体技術によって改良されたコンポーネントの構造を特定することである。
本発明の目的はさらに、パターン形状に構造化された電気的機能層とフィルムのフィルム体との間に配置され、パターン形状に構造化された電気的機能層をフィルム体に接合する放射線架橋性接着剤を備えた接着剤層を有すること、を特徴とする、少なくとも一つの電気的コンポーネントを有する、特に有機半導体技術を用いたフィルムによって実現される。
前記目的は、放射線架橋性接着剤を備えた接着剤層がベースフィルムに塗布され、この場合、接着剤層はパターン形状に構造化された形状でベースフィルムに塗布され、及び/または、接着剤層があるパターン形状に構造化して硬化するように、あるパターン形状に放射線照射され(例えばUV光で)、キャリアフィルムと電気的機能層とを備えたトランスファーフィルムが、電気的機能層が接着剤層に向いた方向で接着剤層へ塗布され、ベースフィルムと接着剤層と電気的機能層とを含むフィルム体からキャリアフィルムは取り除かれ、
電気的機能層が、パターン形状に構造化された第一領域ではベース体に残り、パターン形状に構造化された第二領域ではキャリアフィルムに残り、ベースフィルムからキャリアフィルムとともに取り除かれること、
を特徴とする、少なくとも一つの電気的コンポーネントを有する、特に有機半導体技術を用いたフィルムの生産プロセスによって実現される。
前記目的はさらに、放射線架橋性洗浄ラッカー層がパターン形状に構造化された形状で塗布され、洗浄ラッカー層が硬化されるようにパターン形状に構造化された洗浄ラッカー層は放射線照射され(例えばUV光で)、電気的機能層は洗浄ラッカー層に塗布され、洗浄過程では電気的機能層はパターン形状に構造化され洗浄ラッカー層が塗布されなかった領域でベース体に残るように、パターン形状に構造化された洗浄ラッカー層はそれらの上の電気的機能層の領域とともに取り除かれること、を特徴とする、少なくとも一つの電気的コンポーネントを有する、特に有機半導体技術を用いたフィルムの生産プロセスによって実現される。
本発明によって、有機半導体技術のコンポーネントの電気的機能層が正確な記録関係で、高水準の解像度を有して構造化されることが可能である。それにより、例えばソースとドレインとの間に25μm 以下のスペーシングをすることが可能である。本発明のさらなる利点は、このプロセスはとても安価であり、大きな工業的スケールでの使用にも適している、ということである。
確かにリソグラフィックプロセスの使用によって高解像度を達成することが可能である。しかしながら、一方では、リソグラフィックプロセスは、多くのプロセス段階と、高品質で高価な材料とを必要とし、そのような材料は、覆われ、コーティングされ、マスクされ、露光され、処理され、エッチングされ、剥がされる。
さらには、本発明によるプロセスを用いるとき、生成される有機半導体技術の電気的コンポーネントの質における改良がもたらされる。つまり、本発明によるプロセスは半導体層の汚染が実質的に避けられるドライプロセスである。例えばプロトン化効果によって不純物が低水準濃度で存在する時にはそれら不純物が半導体層の電気的特性を変え得るように、有機半導体技術を用いた電気的コンポーネントからなる半導体層は不純物に関して極めて感度が高い。したがって、例えばリソグラフプロセスの場合、必要な処理、エッチング、及び剥離などの工程によって、有機半導体層が汚染されることはほとんど避けることができない。さらには、導電性ポリマーの直接印刷において、電気的機能層の必要とされる高解像度の構造化は、非常に高コストで、特に、十分な再現性の観点からみると、非常に高レベルの複雑な問題が伴ったときのみに成し遂げられる、ということが分かっている。それは特に、とりわけ大きな技術スケールで使用可能である印刷工程では、適切な厚さ及び十分な再現性ある印刷を妨害する標準の印刷材料の粘度に起因している。
従って本発明は、大きな工業的スケールにも適用可能であり、高い質的要求を満足させる、有機半導体技術を用いた電気的コンポーネントを有するフィルムのための安価な生産プロセスを提供する。
本発明の有利な形態は、従属する請求項に説明される。
本発明の例として好適な実施例によれば、接着剤層は、印刷プロセスを用いてパターン形状に構造化されるように印刷することによってベースフィルムへ塗布され、トランスファーフィルムは接着剤層に適用され、接着剤層は放射線照射によって硬化され、その後、キャリアフィルムはベースフィルム、接着剤層、及び電気的機能層から形成されるフィルム体から取り除かれる。従って、放射線架橋性接着剤を用いて印刷された領域に、電気的機能層は残る。ここでは、印刷材料の特性の違いや生成された層の厚さの違いによって、導電性ポリマーの直接的な印刷を用いたときよりもより高い解像度を実現することが可能である、という利点がある。さらに、凹版印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷のような、大きな工業的スケールで使用され得る、安価な印刷工程を用いることが可能である。
本発明のさらに好適な実施例によれば、UV架橋性接着剤は、ベースフィルムに表面全体にわたって塗布され、それから、パターン形状に構造化された領域で接着剤層が硬化するように、パターン形状にUVで露光される。続いてトランスファーフィルムが接着剤層に適用される。次にキャリアフィルムは、ベースフィルム、接着剤層、及び電気的機能層から形成されるフィルム体から取り除かれる。この場合、電気的機能層は、パターン形状に構造化され接着剤層が硬化せずにまだある程度の接着性を有する領域でベースフィルムに残る。他の領域、つまり接着剤層がすでに硬化している領域では、電気的機能層はキャリアフィルムに残り、キャリアフィルムとともに取り除かれる。このような方法によって構造化された電気的機能層は、非常に高レベルな解像度でベースフィルムに形成され得る。さらに、ここでは例えば高度な凹版グラビア印刷シリンダーが必要とされないといった、コスト優位性がある。
上述したプロセスにおける接着剤層の適切な露光を保証するために、半導体材料から電気的機能層、例えば非常に薄い金属層を形成すること、及び放射線透過性キャリアフィルムを用いること、は有利である。このことは、接着剤層がトランスファーフィルム側からトランスファーフィルムを通して放射線照射されることを可能にさせる。もう一つの方法としては、ベースフィルムが放射線透過性のものからなり、接着剤層がベースフィルム側からベースフィルムを通して露光されることが可能である。
本発明のさらに好適な実施例によれば、パターン形状に構造化された領域に接着剤層が硬化されるように、トランスファーフィルムの適用後に接着剤層はパターン形状に露光される。続いて、キャリアフィルムは、ベースフィルムと電気的機能層とから形成されるフィルム体から取り除かれる。接着剤層がパターン形状に硬化された領域では、電気的機能層は接着剤層によって固定され、ベース体に残る。他の接着剤層が硬化されていない領域では、電気的機能層はトランスファーフィルムに残り、キャリアフィルムとともに取り除かれる。この場合、硬化されない条件では、電気的機能層とキャリアフィルムとの間の接着力よりも電気的機能層に対してより低い接着力しか有さない、放射線架橋性接着剤を用いることが必要である。
この方法の優位性は、電気的機能層が高レベルの解像度でベースフィルムに形成され、電気的機能層とベース体の放射線透過性に関しては、制約条件がないということである。
大きな工業的スケールでのロール−ロールプロセスのコンセプトにおけるこのプロセスの使用は、ドラム露光装置、あるいは接着剤層のパターン形態にUV照射するための循環型マスクベルトを有するマスク露光装置を用いることによって可能とされる。
本発明によるプロセスの際立って重要な事柄は、キャリアフィルムからの電気的機能層の速く正確な剥離を可能にする、適切なトランスファーフィルムを使用することである。その点において、キャリアフィルムと電気的機能層との間に剥離層を与えることは特に望ましいということが分かっている。
電気的機能層は導電性層にしてもよい。特に、一方でベースフィルムに残り、他方ではキャリアフィルムに残るといったトランジション領域での的確な電気的機能層の切断は、例えば金属、カーボンブラック、あるいはグラファイト粒子のような、導電性粒子、特にナノ粒子を含む電気的機能層を用いることによってなされる。この場合、特に導電性ナノ粒子と接合剤を備えた機能層が、特に接合剤の比率が低いときに、的確な切断を可能にする。さらに、ナノ粒子の圧縮によって電気導電性が増大するように、電気的機能層がベースフィルムに押さえられて適用されることが、有利に働くということが見いだされている。
切断における高水準の精度もまた、電気的機能層として薄い金属層、あるいは薄い合金からなる層を用いることによって実現され得る。導電性ポリマー、あるいは、例えばITOのような非有機導電層を備えた電気的機能層を使用することもまた適切である。
有機半導体技術を用いたコンポーネントのそれぞれの構造に応じて、電気的に非導電性、あるいは導電性の接着剤を接着剤層に使用することによって、電気的コンポーネントを構成するときのプロセスを省略することが可能である。この点において、電気的機能層は、電気的コンポーネント内に、電気的コンポーネントの一つあるいはそれ以上の電極を構成する微細構造化された電極層の機能、あるいは電気的コンポーネントの一つあるいはそれ以上の半導体コンポーネント部分を与える微細構造化された半導体層の機能を与えることが望ましい。
図1は、少なくとも一つの有機半導体技術の電気的コンポーネントを有するフィルムが生産されるような、ロール−ロール生産プロセスの一部分を図式的に示す。
この点において、有機半導体技術の電気的コンポーネントという用語は、少なくとも一つの有機半導体材料からなる層を含む電気的コンポーネントを表示するのに用いられる。有機半導体材料、有機導電性材料、及び有機絶縁性材料は、この場合それぞれの電気的特性を有する、有機、有機金属、及び/または無機の材料によって形成される。この点において、有機半導体技術のコンポーネントの構成において用いられ得る、有機、有機金属、及び/または無機の材料は、機能性ポリマーと呼ばれる。したがって、機能性ポリマーという用語は、非ポリマーコンポーネント部分をもまた含んでいる。有機半導体層あるいは機能性コンポーネント部分のような半導体層領域を含むコンポーネントは、例えばトランジスタ、FET、トライアック、ダイオード、等である。ここで、例えばポリチオフェンが有機半導体材料として用いられ得る。
図1は、印刷ステイション1、露光ステイション20、偏向ローラ31、及び三つのローラ32、33及び34を示す。ベースフィルム51は印刷ステイション1に供給される。印刷ステイション10で処理されたベースフィルム1は、フィルム52の形状でトランスファーフィルムロール40から展開されたトランスファーフィルム41をフィルム52に適用する一対のローラ32、33へ送られ、フィルム53を形成する。露光ステイション20で処理されたフィルム53はフィルム54の形状で、キャリアフィルム42がフィルム54から剥がされるローラ34へ送られ、フィルム55が残存フィルムとして残る。
もっとも単純な場合ではベースフィルム51がキャリアフィルムとなる。そのようなキャリアフィルムは6μmから200μmの厚さのプラスチックフィルム、例えば19μmから38μmの厚さのポリエステルフィルムを含むのが好ましい。しかしながら通常はベースフィルム51、またそのようなキャリアフィルムは前述のプロセス工程で塗布された層をさらに有している。この種の層は、例えばラッカー層、絶縁層、及び電気的機能層である。このように、ベースフィルム51はすでに一つまたはそれ以上の機能性ポリマー層、例えばポリアニリンやポリピロールといった有機導電性ポリマーや、ポリチオフェンといった半導体層、ポリビニルフェノールといった絶縁層、を含むことができる。その点において、それらの層はベースフィルム51において構造化された形状がすでに存在していることが可能である。
印刷ステイション1は、UV架橋性接着剤11を含んだインクタンクを有する。接着剤11は複数のトランスファーロール12、13によって印刷シリンダー14に塗布される。印刷シリンダー14は、ここで、パターン形状に構造化されたUV架橋性接着剤11を印刷シリンダー14と支持圧ローラ15との間を通るベースフィルム51に塗布する。
印刷ステイション1はオフセット印刷あるいはフレキソ印刷を伴ったものであることが望ましい。しかし、印刷ステイション1は凹版印刷であることも可能である。
接着剤層57は0.5μmから10μmの厚さのものであることが望ましい。
以下の接着剤はUV架橋性接着剤11として用いられ得る:
AKZO NOBEL INKSからのフィルムボンド(UVH 0002)、及びZeller +Gmelin GmbHからのUVAFLEX UV Adhesive VL000ZA。
接着剤は、1g/m2−5 g/m2の塗布重量でベースフィルム51に塗布されるのが望ましい。
従って、図4bに示されるように、パターン形状に構造化された接着剤層57がベース体51に塗布された場合、印刷工程はフィルム52を与える。
その点において、用いられた接着剤のそれぞれの性質に応じて、接着剤層57が例えば100から120℃の温度で乾燥される乾燥通路を、図4bで示されたフィルム52が通ることは可能である。
図4aはトランスファーフィルム41の構造を示す。トランスファーフィルム41は、キャリアフィルム45、剥離層46、及び電気的機能層47を有する。
キャリアフィルム45は、4から75μmの厚さのプラスチックフィルムである。キャリアフィルム45は、ポリエステル、ポリエチレン、アクリレートあるいは発泡複合材料であることが望ましい。キャリアフィルムの厚さは、12μmであることが望ましい。
剥離層46は、ワックス型のものを備えていることが望ましい。キャリアフィルム45と電気的機能層47の材料が、電気的機能層47とキャリアフィルム45との間の接着力が信頼性のある速い電気的機能層の剥離を妨げないように選ばれるならば、剥離層46なしで済ませることもまた可能である。
剥離層46は例えば以下のような組成に従って作られ得る:
剥離層46(分離層)
トルエン 99.5パーセント
エステルワックス(滴点 90℃) 0.5パーセント
剥離層46はキャリアフィルム45に0.01から0.2μmの厚さで塗布される。
電気的機能層が電気的コンポーネント内に形成されるようにするであろうそれぞれの機能に応じて、電気的機能層47は電気的に導電性あるいは半導体の材料から構成されている。電気的機能層47が電気的に導電性の機能層を形成するのであれば、電気的機能層47の形態に関する次のようなオプションがある:
一方では、電気的機能層47が、キャリアフィルム45と剥離層46とを備えたフィルム体が例えば蒸着によって覆われるような薄い金属層によって形成されることは可能である。本発明によるプロセスによって電気的機能層の高解像度の構造化性を十分に裏付けるために、その種の薄い金属層の厚さは、5nmから50nmの範囲であることが望まれる。ここでは金属層は例えばアルミニウム、銀、銅、金、クロム、ニッケル、あるいはそれらの金属の合金を含み得る。
導電性ナノ粒子の層が電気的機能層47として用いられると特に良好な結果が実現され得る。電気的機能層47は、例えば50nmから1μmの厚さであり、導電性ナノ粒子と接合剤とを備え、ここで、層47の正確な分離を保証するために接合剤の比率が低く保たれる。この場合、電気的機能層47の厚さはまた、電気特性、例えば、電気的コンポーネントの前述した状況では、電気的機能層47に必須のものであるとされる抵抗によって、実質的に決定される。その点において、トランスファーフィルム41のフィルム52への塗布時のみ、層47の導電性が望ましい値を実現することもまた可能となる。電気的機能層47は、塗布工程において用いられる圧力によって電気的機能層47に押し付けられる。そこでは、電気的導電性ナノ粒子の間でのスペーシングが減らされ、層47の電気的導電性は大幅に増加する。
さらに、電気的機能層47は、ITO材料(ITO=インジウムスズ酸化物)といった他の導電性材料、あるいは、ドープされたアルミニウム亜鉛酸化物といった他の透明導電性酸化物、ポリアニリンやポリピロールといった導電性ポリマーからなる層であることも可能である。
さらに、電気的機能層47は半導体材料によって形成されることも可能である。その目的のため、有機半導体材料は、溶解液体の形態あるいは懸濁液の形態で剥離層46に塗布され、その後固化される。この種の電気的機能層47の厚さは、この場合、電気的コンポーネント内に形成される層の電気的機能によって、実質的に決定される。
導電性ナノ粒子は、あまり希釈されていない分散物の形態で剥離層に塗布されることが望ましい。
図4cは、フィルム53、つまり、パターン形状に構造化された接着剤層57で印刷されたベースフィルム51へのトランスファーフィルム41の適用後に作り出されたフィルム体を示す。図4cは、ベースフィルム51、接着剤層57、電気的機能層47、剥離層46、及びキャリアフィルム45を示す。転写・押圧ローラ32及び33によってトランスファーフィルム41がフィルム52に適用されるための加圧の力は、接着剤層を構造化するパターンが実質的に影響をうけないように選択されることになる。
図1に示された露光ステイション20は、UVランプ21と、UVランプ21から放出されたUVの焦点をフィルム53にあわせる反射鏡22と、を有する。UVランプ21の電力は、その状況では、UV光が露光ステイション22を通るように、接着剤層57の信頼性ある硬化を保証する十分なエネルギー量で、接着剤層57に照射されるように選択される。図1に示されるように、フィルム53は、この場合、キャリアフィルム45の側から照射される。このことは、例えば前に説明されたような性質の、薄い金属層のような透明あるいは半透明の層が電気的機能層として用いられたならば可能である。さらに、その目的のためには、キャリアフィルム45と剥離層46がUV透過性材料を備えていることが必要である。電気的機能層47の特別な形態によって、その層をUV透過性あるいは半透過性にすることが可能でない場合には、フィルム53がベースフィルム53側からUV照射されることも可能である。その場合、ベースフィルム53は事実上UV透過性でなければならない。
機能層47は、接着剤層57が形成された場所で、パターン形状に構造化された接着剤層57の硬化により、ベースフィルム51に付着することによって生じる。その後キャリアフィルム45はフィルム53の残っているフィルム体から剥がされるならば、接着剤層57が印刷によって塗布され、それらの場所でトランスファーフィルム41から分離される領域で、電気的機能層47はベースフィルム51に付着する。他の領域では、電気的機能層47と剥離層46との間の付着が優先するので、ここでは電気的機能層47がトランスファーフィルム41に残る。
図4dはフィルム55、つまりキャリアフィルム45の除去後に結果として生じたフィルム体である。図4dは、ベースフィルム51、接着剤層57、及び電気的機能層47を示す。図4dに示されているように、フィルム55は、パターン形状に構造化され、パターン形状に構造化された接着剤層57に従って、ベースフィルム55に配置されている、電気的機能層47を有する。
本発明のさらなる実施例は、図2を参照して説明される。
図2は印刷ステイション10、露光ステイション81、露光ステイション23、偏向ローラ31、転写・押圧ローラ32及び33、剥離ローラ34、及びトランスファーフィルムロール40を示す。
印刷ステイション10は、図1に示される印刷ステイション1と同様に構成され、印刷シリンダー14が、表面全体にわたった印刷によって供給されたベースフィルム61に接着剤11を塗布する印刷シリンダー16に置き換えられている点で、違いを有する。その点において、印刷プロセスによってではなく他のコーティングプロセス、例えば拡散、注入、あるいは噴霧によって、接着剤層がベースフィルム61に塗布されることが可能である。ここでは、接着剤層がベースフィルム61にパターン形状に塗布され、ここに記載されたプロセスが図1に示されたプロセスと組み合わされることが可能である。
ベースフィルム61と、印刷によってベースフィルムに塗布されたUV架橋性接着剤の接着剤層とは、図4bに示されたベースフィルム51と接着剤層57と同様のものであり、ここでは、接着剤層57はベースフィルム61へ表面全体にわたって塗布されることが望ましい、という点で、違いを有する。ベースフィルム61への接着剤層の塗布後に形成されたフィルム体62は、偏向ローラ31から露光ステイション81へと送り出される。
この場合、プレポリマーUV架橋性接着剤が用いられることが望ましい。
露光ステイション81は、フィルム52の動きのスピードに同期されたマスクベルトによってロールからロールへの露光を可能とするマスク露光装置である。マスク露光81は、複数の偏向ローラ84、マスクベルト83、及びUVランプ82を有する。マスクベルト83は、UV透過性領域と不透明あるいは反射領域とを有する。マスクベルトは、UVランプ82に関してフィルム62を覆い、パターン形状でのフィルム62へのUV照射を続けることを可能にする、エンドレスマスクベルトを形成する。すでに上述したように、マスクベルト83の速度は、フィルム62に付加されたそれぞれのオプティカルメイキングが正確な記録関係で露光を可能にするように、フィルム62の速度と同期される。この場合、UVランプ82は、接着剤層を硬化するのに十分なUVエネルギー量がマスク露光装置81を通ってからフィルム62へ供給されるように選択される。
フィルムにはマスク露光装置81によって平行なUV光が照射される。
マスクベルトを用いたマスク露光装置工程の代わりに、フィルム62が通されたドラム形状のマスクを有するドラム露光装置を用いることも可能である。
接着剤層における硬化されている領域と硬化されていない領域とを有するフィルム63が一対のローラ32、33へ送られるように、パターン形状でのUV光での放射線照射は接着剤層をパターン形状に構造化するとともに硬化させる。トランスファーフィルム41は今、一対のローラ32、33によってフィルム63に塗布される。この場合、トランスファーフィルム41は図4aのトランスファーフィルム49と同等のものである。従ってその結果、ベースフィルム61、部分的に硬化された接着剤層、電気的機能層47、剥離層46、及びキャリアフィルム45を備えたフィルム64が生じる。接着剤層が硬化されなかった領域では、接着剤層は粘着性を有したままなので、接着力は接着剤層とそこに配置された電気的機能層47との間に作用する。接着剤層が硬化された他の領域では、これは異なる。従って、キャリアフィルム45が残っているフィルム体から剥がされるとき、接着剤層が硬化していない領域で電気的機能層はフィルム体51に付着し、キャリアフィルム48から剥がされる。他の領域では、剥離層46と電気的機能層47との間の接着力は、それらの領域において電気的機能層47が分離されキャリアフィルム45に残る、ということをもたらす。従って、キャリアフィルム45の除去後、それは、表面全体にわたった接着剤層によってベースフィルム61に接合され、部分的にパターン形成された電気的機能層47を有するフィルム65を形成する。図1に示された露光ステイション20と同等のものである追加的な露光ステイション23において、今度は電気的機能層47とベースフィルム61との間の確実な接合を保証するために、接着剤層はまだ硬化されていない領域で完全に硬化される。しかしながら、露光ステイション23なしで済ますことも可能であろう。
本発明のさらなる実施例は、図3を参照して説明される。
図3は、印刷ステイション10、露光ステイション81、偏向ローラ31、転写・押圧ローラ32、33、剥離ローラ34、及びトランスファーフィルムロール40を示す。
ベースフィルム61は、印刷ステイション10に送られ、図2に示されるように接着剤層で覆われ、それによって図2に示されるようなフィルム62を生じる。トランスファーフィルム41は今度、一対のローラ32、33によってフィルム62に塗布される。この場合、トランスファーフィルム41は図4aに示されるような形態となる。したがって、ベースフィルム61、まだ硬化されていない表面全体を覆う接着剤層、電気的機能層47、剥離層46、及びキャリアフィルム45を備えたフィルム67を生じる。
フィルム46は、今度、図2に示されたマスク露光装置81と同等のマスク露光装置81によって露光される。マスク露光装置81による露光後、結果として、ベースフィルム61、パターン形状への構造化を伴った接着剤層、電気的機能層47、剥離層46、及びキャリアフィルム45を含むフィルム68が生じる。
図2に示された実施例と対照的に、この実施例は、電気的機能層47とキャリアフィルム45との間の接着力よりも、電気的機能層47に対して、あるいはベースフィルム61に対して接着力が弱いものであるような、UV架橋性接着剤を用いる。
当然、図1あるいは図2におけるものと同じ接着剤を用い、キャリアフィルム45、ベース体51、あるいは剥離層46のための材料の選択によって、接着力の適した分配を備えることも可能である。
したがって、キャリアフィルム45はフィルム68の残っているフィルム体から取り除かれると、接着剤層が硬化し電気的機能層47をベースフィルム61に接続する領域で、電気的機能層はベース体61に残る。他の領域では、電気的機能層47のキャリアフィルム45からの剥離を妨げる接着力は、電気的機能層47とベースフィルム61との間の接着力よりも大きいので、電気的機能層47はそれらの領域ではキャリアフィルム45から剥離されない。
有機半導体技術の電界効果トランジスタが、図1、図2、及び図3に示されるように、プロセスのうちの一つによって生産され得る方法が、図5aから5eを参照して説明される。
図5aは、キャリアフィルム91と、そこに塗布されたラッカー層92とを含むベースフィルム90を示す。
キャリアフィルム91はプラスチックフィルムであり、厚さが19μmから38μmのポリエステルフィルムであることが望ましい。ラッカー層92は、さらに保護層として働く絶縁性材料からなるラッカー層である。ラッカー層は、キャリアフィルム91あるいはキャリアフィルム91とラッカー層92との間に配置される剥離層に、0.5μmから5μmの厚さで塗布されることが望ましい。
ここで、図5bに示されるように、電気的機能層94は、図1、図2、あるいは図3に示されるプロセスのうちの一つによって、ベースフィルム90に塗布される。それは、図5bに示され、キャリアフィルム91、ラッカー層92、接着剤層93、及び電気的機能層94を備えるフィルム体を与える。この場合、電気的機能層94は電気的に導電性の材料を備え、その電気的コンポーネントにドレインとソース電極の機能を形成する。その点について、用いられるプロセスの性質によって、図5bに示されるように接着剤層93が、電気的機能層94と同じ形態でパターン形状に構造化されること、あるいは、それが表面全体にわたる接着剤層92に硬化された形状で存在すること、が可能である。
半導体層は、図5bに示されるフィルム体に塗布され、したがって、図5cに示される、キャリアフィルム91、ラッカー層92、接着剤層93、電気的機能層94、及び半導体層95を備えたフィルム体を形成する。半導体層95に用いられる材料は、ここでは、図5bに示されるフィルム体に液体で、溶解した形状、あるいは懸濁液の形状で塗布され硬化されたポリチオフェンである。半導体層95のパターン形状に構造化した塗布もまた可能である。
図5cに示されるフィルム体は今、電気的機能層97が図1、図2、あるいは図3に示されたプロセスのうちの一つによって塗布されたベースフィルムを形成する。図5cは、キャリアフィルム91、ラッカー層92、接着剤層93、電気的機能層94、半導体層95、接着剤層96、及び電気的機能層97を備えている、結果的に生じたフィルム体を示す。
電気的機能層97はここでまた、電気的導電性材料を備え、電気的コンポーネント内で、ゲート電極として働く。接着剤層96は、その上に配置された電気的機能層97と同様に、パターン形状に構造化されるとともに形成される。しかしながら、図2あるいは図3のプロセスを用いるとき、接着剤層96が表面全体にわたって半導体層95に塗布されることも可能である。
さらなるプロセス段階において、電気的に絶縁性の材料からなる追加的なラッカー層はここで、図5dに示されるフィルム体に塗布され、その追加的なラッカー層は、実質的に半導体層95の保護層の機能を果たす。図5eに示されるように、それはキャリアフィルム91、ラッカー層92及び98、半導体層95、接着剤層93及び96、及び、電気的機能層94及び97を備えたフィルム99を与える。
本発明の第一の実施例による、プロセス実現の機能表示。 本発明のさらなる実施例による、プロセス実現の機能表示。 本発明のさらなる実施例による、プロセス実現の機能表示。 図1のプロセス実現のためのフィルム体の断面図。 図1のプロセス実現のためのフィルム体の断面図。 図1のプロセス実現のためのフィルム体の断面図。 図1のプロセス実現のためのフィルム体の断面図。 本発明のさらなる実施例を説明するフィルム体の断面図。 本発明のさらなる実施例を説明するフィルム体の断面図。 本発明のさらなる実施例を説明するフィルム体の断面図。 本発明のさらなる実施例を説明するフィルム体の断面図。
55、66、69、99:フィルム
41:トランスファーフィルム
45、91:キャリアフィルム
46:剥離層
47、94、97:電気的機能層
57、93、96:接着剤層
54、64、68:フィルム体
51、61、90:ベースフィルム
81:マスク露光装置
83:マスクベルト
11:UV架橋性接着剤
12:トランスファーロール
14:印刷シリンダー
15:支持圧ローラ
92:ラッカー層
95:半導体層

Claims (26)

  1. 放射線架橋性接着剤を備えた接着剤層(57、93、96)をパターン形状に構造
    化された形状でベースフィルム(51、61、90)に適用し、
    キャリアフィルム(45)と電気的機能層(47、94、97)とを備えたトランスファーフィルム(41)を、前記電気的機能層(47、94、97)が前記接着剤層(57、93、96)に向いた方向で前記接着剤層(57、93、96)へ適用し、
    前記電気的機能層は、前記トランスファーフィルムが前記接着剤層に適用される際に、前記トランスファーフィルムの表面全体にわたって覆っており、
    前記ベースフィルム(51)と前記接着剤層(57、93、96)と前記電気的機能層(47、94、97)とを含むフィルム体(54、64、68)から前記キャリアフィルム(45)を取り除き、
    前記電気的機能層(47、94、97)が、パターン形状に構造化された第一領域では接着剤層(57、93、96)の電気的コンポーネントの一部としてベースフィルム(51、61、90)に残り、パターン形状に構造化された第二領域では前記キャリアフィルム(45)に残り、前記ベースフィルム(51、61、90)から該キャリアフィルムとともに取り除かれること、
    を特徴とし、そこでは、
    パターン形状に構造化された領域で前記接着剤層が硬化されるように、前記トランスファーフィルム(41)の適用後に前記放射線架橋性接着剤を備えた前記接着剤層を放射線照射し、
    前記電気的機能層が、パターン形状に構造化され前記接着剤層が硬化された前記第一領域では前記ベースフィルム(51)に残り、前記接着剤層が硬化されていない前記第二領域では前記キャリアフィルム(45)とともに取り除かれるように、前記キャリアフィルムを、前記ベースフィルム(51)、前記接着剤層、及び前記電気的機能層を含む前記フィルム体(68)から取り除くこと、
    をもまた特徴とする、少なくとも一つの電気的コンポーネントを有する、特に有機半導体技術を用いたフィルム(55、66、69、99)の生産プロセス。
  2. 放射線架橋性接着剤を備えた接着剤層(57、93、96)をベースフィルム(5
    1、61、90)に適用し、
    放射線架橋性接着剤の前記接着剤層(57、93、96)を、パターン形状に構造化された形状で前記ベースフィルム(51)に適用し、及び/または前記接着剤層があるパターン形状に構造化して硬化するようにパターン形状に放射線照射し、
    キャリアフィルム(45)と電気的機能層(47、94、97)とを備えたトランスファーフィルム(41)を、前記電気的機能層(47、94、97)が前記接着剤層(57、93、96)に向いた方向で前記接着剤層(57、93、96)へ適用し、
    前記電気的機能層は、前記トランスファーフィルムが前記接着剤層に適用される際に、前記トランスファーフィルムの表面全体にわたって覆っており、
    前記ベースフィルム(51)と前記接着剤層(57、93、96)と前記電気的機能層(47、94、97)とを含むフィルム体(54、64、68)から前記キャリアフィルム(45)を取り除き、
    前記電気的機能層(47、94、97)が、パターン形状に構造化された第一領域では接着剤層(57、93、96)の電気的コンポーネントの一部としてベースフィルム(51、61、90)に残り、パターン形状に構造化された第二領域では前記キャリアフィルム(45)に残り、前記ベースフィルム(51、61、90)から該キャリアフィルムとともに取り除かれること、
    を特徴とし、そこでは、
    パターン形状に構造化された領域で前記接着剤層が硬化するように、前記トランスファーフィルム(41)を適用するのに先だって前記放射線架橋性接着剤を備えた前記接着剤層をパターン形状に放射線照射し、
    パターン形状に構造化されるとともに硬化された前記接着剤層に、前記トランスファーフィルム(41)を適用し、
    前記電気的機能層(47)が、パターン形状に構造化され前記接着剤層が硬化されない第一領域ではベースフィルム(61)に残り、パターン形状に構造化され前記接着剤層が硬化された第二領域では前記キャリアフィルムとともに取り除かれるように、前記キャリアフィルム(45)を、前記ベースフィルム(61)、前記接着剤層、及び前記電気的機能層(47)を含む前記フィルム体(64)から取り除くこと、
    をもまた特徴とする、少なくとも一つの電気的コンポーネントを有する、特に有機半導体技術を用いたフィルム(55、66、69、99)の生産プロセス。
  3. 放射線架橋性接着剤を備えた前記接着剤層(47)を、パターン形状に構造化する
    印刷のプロセスによって前記ベースフィルム(51)に適用し、
    前記トランスファーフィルム(41)をパターン形状に構造化された前記接着剤層(47)に適用することを特徴とする、請求項1または2に記載のプロセス。
  4. 凹版印刷によって前記接着剤層を前記ベースフィルム(51)に印刷することを特
    徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプロセス。
  5. オフセット印刷あるいはフレキソ印刷によって前記接着剤層(57)を前記ベース
    フィルム(51)に印刷することを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のプロセス。
  6. 前記電気的機能層(47)は半透明材料であり、
    前記トランスファーフィルム(45)は放射線透過性であり、
    前記接着剤層(57)を前記トランスファーフィルム側から該トランスファーフィルムを通して露光すること、
    を特徴とする、請求項3乃至5のいずれか1項に記載のプロセス。
  7. 前記ベースフィルムは放射線透過性であり、前記接着剤層を前記ベースフィルム側
    から該ベースフィルムを通して露光することを特徴とする、請求項3乃至5のいずれか1項に記載のプロセス。
  8. 前記電気的機能層と前記キャリアフィルムとの間の接着力よりも、電気的機能層に
    対してより弱い接着力しか有さない、放射線架橋性接着剤を用いることを特徴とする、請求項1に記載のプロセス。
  9. まだ硬化されていない前記接着剤層の領域を硬化するための第二露光段階で、前記
    接着剤層を放射線照射することを特徴とする、請求項2に記載のプロセス。
  10. マスク露光装置を露光工程に用いることを特徴とする、請求項1乃至9のいずれか1項に記載のプロセス。
  11. 前記キャリアフィルム(45)と前記電気的機能層との間に剥離層(46)を有す
    るトランスファーフィルム(41)を用いることを特徴とする、請求項1乃至10のいずれか1項に記載のプロセス。
  12. 前記電気的機能層(47、94、97)が導電層であることを特徴とする、請求項
    1乃至11のいずれか1項に記載のプロセス。
  13. 前記電気的機能層は導電性ナノ粒子を含んでいることを特徴とする、請求項12に記載のプロセス。
  14. 前記電気的機能層は導電性ナノ粒子及び接合剤を備えていることを特徴とする、請
    求項13に記載のプロセス。
  15. 前記電気的機能層の導電性が増大するように、該機能層を前記ベースフィルムに適
    用し次第、押圧することを特徴とする、請求項13あるいは14に記載のプロセス。
  16. 前記電気的機能層は導電性ポリマーを含んでいることを特徴とする、請求項12に
    記載のプロセス。
  17. 前記電気的機能層は無機物質、例えばITO材料を含んでいることを特徴とする、
    請求項12に記載のプロセス。
  18. 前記電気的機能層は金属層あるいは合金からなる層であることを特徴とする、請求
    項12に記載のプロセス。
  19. 前記電気的機能層は半導体層であることを特徴とする、請求項1乃至11のいずれか1項に記載のプロセス。
  20. 前記接着剤層は非導電性の接着剤を備えていることを特徴とする、請求項1乃至1
    9のいずれか1項に記載のプロセス。
  21. 前記接着剤層は導電性の接着剤を備えていることを特徴とする、請求項1乃至19
    のいずれか1項に記載のプロセス。
  22. フィルム(55、66、69、99)は放射線架橋性接着剤を備えた接着剤層(5
    7、93、96)を有し、
    前記接着剤層(57、93、96)はパターン形状に構造化された電気的機能層(47、94、97)と前記フィルムのベースフィルム(51、90)との間に配置され、
    パターン形状に構造化された前記電気的機能層(47、94、97)を前記ベースフィルム(51、90)に接合すること、
    を特徴とする、請求項1から21のいずれかに記載されたプロセスによって形成され、少なくとも一つの電気的コンポーネントを有する、特に有機半導体技術を用いたフィルム(55、66、69、99)。
  23. 放射線架橋性接着剤の前記接着剤層(57)は、パターン形状に構造化された前記
    電気的機能層(47)と同じパターン形状に構造化されていることを特徴とする、請求項22に記載のフィルム。
  24. 前記電気的機能層(94、97)は、一つあるいはそれ以上の前記電気的コンポー
    ネントの電極を提供する、微細構造化された電極層であることを特徴とする、請求項22あるいは23に記載のフィルム。
  25. 前記電気的機能層は、一つあるいはそれ以上の前記電気的コンポーネントの半導体
    コンポーネント部分を提供する、微細構造化された半導体層であることを特徴とする、請求項22あるいは23に記載のフィルム。
  26. 前記電気的コンポーネントは、有機電界効果トランジスタであることを特徴とする
    、請求項22乃至25のいずれか1項に記載のフィルム。
JP2006535939A 2003-10-24 2004-10-19 少なくとも一つの電気的コンポーネントを有するフィルム及びその生産プロセス Expired - Fee Related JP4943852B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10349963.6 2003-10-24
DE10349963A DE10349963A1 (de) 2003-10-24 2003-10-24 Verfahren zur Herstellung einer Folie
PCT/DE2004/002319 WO2005039868A2 (de) 2003-10-24 2004-10-19 Strukturierung von elektrischen funktionsschichten mittels einer transferfolie und strukturierung des klebers

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007515782A JP2007515782A (ja) 2007-06-14
JP2007515782A5 JP2007515782A5 (ja) 2011-06-23
JP4943852B2 true JP4943852B2 (ja) 2012-05-30

Family

ID=34485079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006535939A Expired - Fee Related JP4943852B2 (ja) 2003-10-24 2004-10-19 少なくとも一つの電気的コンポーネントを有するフィルム及びその生産プロセス

Country Status (14)

Country Link
US (1) US7700402B2 (ja)
EP (1) EP1676330B1 (ja)
JP (1) JP4943852B2 (ja)
KR (1) KR101193315B1 (ja)
CN (1) CN1871721B (ja)
AT (1) ATE469442T1 (ja)
AU (1) AU2004283127B2 (ja)
BR (1) BRPI0415539B1 (ja)
CA (1) CA2542360C (ja)
DE (2) DE10349963A1 (ja)
ES (1) ES2346655T3 (ja)
RU (1) RU2346359C2 (ja)
TW (1) TWI383459B (ja)
WO (1) WO2005039868A2 (ja)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004004713A1 (de) * 2004-01-30 2005-09-01 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Sicherheitselement mit partieller Magnetschicht
US7799699B2 (en) 2004-06-04 2010-09-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling
US7622367B1 (en) 2004-06-04 2009-11-24 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
US20070015079A1 (en) * 2005-07-18 2007-01-18 Wolk Martin B Laser induced thermal imaging business models and methods
DE102006012708A1 (de) * 2006-03-17 2007-09-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines aktiven oder passiven elektrischen Bauteils sowie elektrisches Bauteil
US7744717B2 (en) 2006-07-17 2010-06-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for enhancing the resolution of a thermally transferred pattern
EP2043861A2 (de) 2006-07-21 2009-04-08 LEONHARD KURZ Stiftung & Co. KG Mehrschichtkörper mit elektrisch leitfähiger polymerschicht und verfahren zu dessen herstellung
DE102006033887B4 (de) * 2006-07-21 2015-04-09 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtkörpers mit leitfähiger Polymerschicht
DE102006037433B4 (de) * 2006-08-09 2010-08-19 Ovd Kinegram Ag Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtkörpers sowie Mehrschichtkörper
US7932123B2 (en) 2006-09-20 2011-04-26 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Release strategies for making transferable semiconductor structures, devices and device components
US20080131590A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-05 Illinois Tool Works Inc. Method for printing electrically conductive circuits
JP5700750B2 (ja) 2007-01-17 2015-04-15 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ 印刷ベースの組立により製作される光学システム
AT10029U1 (de) * 2007-02-16 2008-07-15 Austria Tech & System Tech Verfahren zum herstellen einer starr-flexiblen leiterplatte sowie starr-flexible leiterplatte
DE102007032250B3 (de) * 2007-07-11 2008-12-18 ROWO Coating Gesellschaft für Beschichtung mbH Vorrichtung zum Detektieren von Flüssigkeitslecks
GB2453766A (en) * 2007-10-18 2009-04-22 Novalia Ltd Method of fabricating an electronic device
DE102007051930A1 (de) 2007-10-29 2009-04-30 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer Leiterbahnstruktur
DE102008034616A1 (de) 2008-07-25 2010-02-04 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Prägefolie und deren Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung von Strukturelementen aus Kupfer
DE102008047095A1 (de) * 2008-09-12 2010-03-18 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Transferfolie zur Verwendung in einem Kaltfolientransferverfahren
DE102008047096A1 (de) 2008-09-12 2010-03-25 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Drucktuch für ein Kaltfolientransferverfahren
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US8389862B2 (en) 2008-10-07 2013-03-05 Mc10, Inc. Extremely stretchable electronics
US8372726B2 (en) 2008-10-07 2013-02-12 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
JP5646492B2 (ja) 2008-10-07 2014-12-24 エムシー10 インコーポレイテッドMc10,Inc. 伸縮可能な集積回路およびセンサアレイを有する装置
US8886334B2 (en) 2008-10-07 2014-11-11 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices using stretchable or flexible electronics for medical applications
CN101428978B (zh) * 2008-12-09 2011-01-26 深圳市大族激光科技股份有限公司 一种陶瓷或玻璃的烤花方法
US20100209843A1 (en) * 2009-02-16 2010-08-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for thick film circuit patterning
KR101706915B1 (ko) 2009-05-12 2017-02-15 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 변형가능 및 반투과 디스플레이를 위한 초박형, 미세구조 무기발광다이오드의 인쇄 어셈블리
KR101052219B1 (ko) * 2009-05-29 2011-07-27 주식회사 선경홀로그램 자외선 경화 접착제에 의한 콜드 스템핑 시트 및 그 제조방법
US9723122B2 (en) 2009-10-01 2017-08-01 Mc10, Inc. Protective cases with integrated electronics
US10441185B2 (en) 2009-12-16 2019-10-15 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible and stretchable electronic systems for epidermal electronics
EP2513953B1 (en) 2009-12-16 2017-10-18 The Board of Trustees of the University of Illionis Electrophysiology using conformal electronics
US9936574B2 (en) 2009-12-16 2018-04-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Waterproof stretchable optoelectronics
KR101837481B1 (ko) * 2010-03-17 2018-03-13 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 생체흡수성 기판 상 이식가능한 바이오의료 장치
KR20120065136A (ko) 2010-12-10 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치와 이의 제조 방법 및 이의 제조 설비
US9442285B2 (en) 2011-01-14 2016-09-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Optical component array having adjustable curvature
US9765934B2 (en) 2011-05-16 2017-09-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed LED arrays assembled by printing
EP2712491B1 (en) 2011-05-27 2019-12-04 Mc10, Inc. Flexible electronic structure
EP2713863B1 (en) 2011-06-03 2020-01-15 The Board of Trustees of the University of Illionis Conformable actively multiplexed high-density surface electrode array for brain interfacing
CN102963143A (zh) * 2011-08-28 2013-03-13 瑞世达科技(厦门)有限公司 步进网版印刷方法及其印刷装置
CN104472023B (zh) 2011-12-01 2018-03-27 伊利诺伊大学评议会 经设计以经历可编程转变的瞬态器件
CN102623472B (zh) * 2012-03-27 2015-07-22 格科微电子(上海)有限公司 去除csp封装型图像传感器芯片表面透光板的方法
KR20150004819A (ko) 2012-03-30 2015-01-13 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 표면에 상응하는 부속체 장착가능한 전자 장치
US9171794B2 (en) 2012-10-09 2015-10-27 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer
US10060851B2 (en) 2013-03-05 2018-08-28 Plexense, Inc. Surface plasmon detection apparatuses and methods
KR101592241B1 (ko) 2013-04-15 2016-02-05 (주)플렉센스 나노 입자 어레이의 제조 방법, 표면 플라즈몬 공명 기반의 센서, 및 이를 이용한 분석 방법
DE102015107122A1 (de) * 2015-05-07 2016-11-10 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Strukturieren einer Schicht
US10677647B2 (en) 2015-06-01 2020-06-09 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Miniaturized electronic systems with wireless power and near-field communication capabilities
EP3304130B1 (en) 2015-06-01 2021-10-06 The Board of Trustees of the University of Illinois Alternative approach to uv sensing
US20170135220A1 (en) * 2015-11-07 2017-05-11 The Governing Council Of The University Of Toronto Printable Films for Printed Circuit Boards and Processes for Making Same
US10925543B2 (en) 2015-11-11 2021-02-23 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Bioresorbable silicon electronics for transient implants
DE102016122803A1 (de) * 2016-11-25 2018-05-30 Osram Oled Gmbh Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes und optoelektronisches bauelement
EP3373712B1 (fr) * 2017-03-09 2023-03-29 MGI Digital Technology Procédé de dépôt de traces conductrices
KR101808985B1 (ko) 2017-03-31 2017-12-13 성균관대학교산학협력단 고분자 나노무기입자 복합체 및 이를 제조하는 방법
KR102371678B1 (ko) 2017-06-12 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 금속 나노선 전극 및 이의 제조 방법
CN108963101B (zh) * 2017-11-30 2022-08-26 广东聚华印刷显示技术有限公司 用于柔性显示器件的制作的离型层及复合基板
DE102018105735A1 (de) 2018-03-13 2019-09-19 Mitsubishi Polyester Film Gmbh Trennfolie für Tiefdruckanwendung

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4919994A (en) * 1986-04-01 1990-04-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Dry transfer graphics article and methods of preparation and use thereof
JPS63127592A (ja) * 1986-11-18 1988-05-31 古河電気工業株式会社 剥離性シ−ト付パタ−ン導電化薄膜の製造法
JPS63241986A (ja) * 1987-03-30 1988-10-07 株式会社日立製作所 印刷回路の製造および装置
FI91573C (sv) 1990-01-04 1994-07-11 Neste Oy Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar
DE19633675B4 (de) 1996-08-21 2007-07-19 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Übertragen von Schichten oder Schichtsystemen auf einen sinterfähigen Schichtträger
AU739848B2 (en) 1998-01-28 2001-10-18 Thin Film Electronics Asa A method for generation of electrical conducting or semiconducting structures in three dimensions and methods for erasure of the same structures
GB9806066D0 (en) 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
WO2000031199A1 (en) * 1998-11-23 2000-06-02 Francois Jean Marc A pressure-sensitive adhesive laminate, a method and a device for modifying an initial release force in such a laminate
EP1041620A3 (en) * 1999-04-02 2005-01-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Method of transferring ultrathin substrates and application of the method to the manufacture of a multi-layer thin film device
DE10033112C2 (de) 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
JP2004512675A (ja) * 2000-09-22 2004-04-22 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 有機デバイスのための電極及び/又は導体路、及びその製造方法
DE10061297C2 (de) * 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
US6852355B2 (en) * 2001-03-01 2005-02-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thermal imaging processes and products of electroactive organic material
TW586231B (en) * 2001-07-24 2004-05-01 Seiko Epson Corp Transfer method, methods of manufacturing thin film devices and integrated circuits, circuit board and manufacturing method thereof, electro-optical apparatus and manufacturing method thereof, manufacturing methods of IC card and electronic appliance
JP4211256B2 (ja) 2001-12-28 2009-01-21 セイコーエプソン株式会社 半導体集積回路、半導体集積回路の製造方法、電気光学装置、電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
CA2542360C (en) 2011-06-14
DE502004011216D1 (de) 2010-07-08
EP1676330A2 (de) 2006-07-05
WO2005039868A3 (de) 2006-01-26
JP2007515782A (ja) 2007-06-14
ES2346655T3 (es) 2010-10-19
ATE469442T1 (de) 2010-06-15
CN1871721B (zh) 2010-04-28
CA2542360A1 (en) 2005-05-06
KR101193315B1 (ko) 2012-10-19
TWI383459B (zh) 2013-01-21
WO2005039868A2 (de) 2005-05-06
CN1871721A (zh) 2006-11-29
EP1676330B1 (de) 2010-05-26
RU2006117778A (ru) 2007-11-27
DE10349963A1 (de) 2005-06-02
TW200520112A (en) 2005-06-16
BRPI0415539B1 (pt) 2017-06-06
RU2346359C2 (ru) 2009-02-10
BRPI0415539A (pt) 2006-12-26
KR20060125769A (ko) 2006-12-06
AU2004283127A1 (en) 2005-05-06
US7700402B2 (en) 2010-04-20
US20070077679A1 (en) 2007-04-05
AU2004283127B2 (en) 2009-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4943852B2 (ja) 少なくとも一つの電気的コンポーネントを有するフィルム及びその生産プロセス
US20040262599A1 (en) Organic field effect transistor, method for production and use thereof in the assembly of integrated circuits
CN103229105B (zh) 光学成像
US9159925B2 (en) Process for imprint patterning materials in thin-film devices
JP2010502010A (ja) 基板上に機能材料のパターンを形成する方法
CN107850958B (zh) 图案化外覆层
CA2990283C (en) Self-aligning metal patterning based on photonic sintering of metal nanoparticles
US20090120676A1 (en) Process for the production of a conductor track structure
CN102625590A (zh) 一种电路板阻焊加工方法
JP5282991B1 (ja) 透明導電層付き基体及びその製造方法
DE102004041497B4 (de) "Organisches Elektronik-Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen"
WO2012008204A1 (ja) 導電膜パターンの形成方法
KR20210138197A (ko) 임프린팅을 이용한 나노 패턴 메탈 메쉬 제조 방법
US8202771B2 (en) Manufacturing method of organic semiconductor device
EP1919006A1 (en) Method of obtaining patterns in an organic conductor substrate and organic material thus obtained
KR20230046831A (ko) 터치 스크린용 메탈 메쉬 투명전극
WO2012132487A1 (ja) 有機トランジスタの製造方法
JPS62154793A (ja) パタ−ン印刷基材の製法
JPS61256686A (ja) 導電性回路基板およびその製造方法
JP2008209705A (ja) 印刷平版およびその製造方法およびそれを用いた印刷方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070418

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101014

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101019

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110118

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110125

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110218

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110225

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110316

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110324

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110419

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20110419

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111101

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120123

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120214

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120301

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4943852

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees