JP4917571B2 - 分散されたゲートドライバを備えた電源集積回路及びｍｏｓトランジスタを駆動するための方法 - Google Patents

分散されたゲートドライバを備えた電源集積回路及びｍｏｓトランジスタを駆動するための方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4917571B2
JP4917571B2 JP2008142645A JP2008142645A JP4917571B2 JP 4917571 B2 JP4917571 B2 JP 4917571B2 JP 2008142645 A JP2008142645 A JP 2008142645A JP 2008142645 A JP2008142645 A JP 2008142645A JP 4917571 B2 JP4917571 B2 JP 4917571B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
segments
gate driver
power supply
nmos
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008142645A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008277842A5 (ja
JP2008277842A (ja
Inventor
レイ ディズニー ドナルド
Original Assignee
パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド filed Critical パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド
Publication of JP2008277842A publication Critical patent/JP2008277842A/ja
Publication of JP2008277842A5 publication Critical patent/JP2008277842A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4917571B2 publication Critical patent/JP4917571B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4824—Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Control Of Voltage And Current In General (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Description

本発明は、電源集積回路（ＩＣ）に関し、より具体的には、高電圧出力装置を備えたＩＣに関する。
一般的なタイプの集積回路装置としては、金属−酸化物−半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）がある。ＭＯＳＦＥＴは、ソース領域と、ドレイン領域と、該ソース領域と該ドレイン領域との間で延びるチャネル領域と、該チャネル領域上に配置されたゲートとを含む。ゲートは、チャネル領域上に配置されかつ薄い酸化物層により該チャネル領域から絶縁された導電性ゲート構造を含む。
大型のラテラル型ＭＯＳＦＥＴ装置は、高電圧で作動する電源集積回路内で広く用いられている。電源ＩＣは、一般的に１つ又はそれより多くの外部負荷への電流を制御する１つ又はそれより多くの大型の高電圧出力トランジスタを含む。ある種の用途においては、高電圧出力トランジスタは、高いスイッチング速度で作動する。例えば、スイッチモード電源集積回路においては、１つの出力トランジスタが、変圧器の一次巻線を通る電流を制御し、それによって電源により供給される電力を制御する。スイッチング・トランジスタが変圧器の一次巻線に結合されている電源回路の一例が、米国特許第４，９９９，７５９号に開示されている。米国特許第６，２２５，６６４Ｂ１号には、集積回路ドライバを備えた電源ＩＣが開示されている。
電源ＩＣにおいて、大型の出力トランジスタは、一般的にはＭＯＳＦＥＴのソース領域とドレイン領域とを含む細長いセグメントのアレイとして設計される。出力トランジスタの電流処理能力を高めるために、装置に対して単純に多くのセグメントが付加される。或る設計においては、出力トランジスタのソース領域とドレイン領域とは、セグメントが１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部の対を含むことができるインターディジタル構造の方式で配置される。これについての背景技術としては、米国特許第５，２５８，６３６号に、インターディジタル構造のソース・ドレイン領域を有する高電圧トランジスタが開示されている。
電源ＩＣはまた、一般的に出力トランジスタを制御する制御回路を含む。制御回路は、出力トランジスタをターンオン及びターンオフするために、該出力トランジスタのゲートに与えられる信号を生成する。この信号はゲートドライバによって生成され、該ゲートドライバは、典型的には出力トランジスタをターンオンするための比較的大型のＰＭＯＳトランジスタと、出力トランジスタをターンオフするための比較的大型のＮＭＯＳトランジスタとを含む。出力トランジスタがターンオン及びターンオフする速度は、出力装置のスイッチング電力損失を決定する因子である。電源ＩＣの電力損失分にとってこのオン／オフ速度は、スイッチング頻度が増大するにつれて益々重要になる。出力トランジスタの分散されたゲートキャパシタンスと、このキャパシタンスとターンオン電圧（典型的にはＶDD）及びターンオフ電圧（典型的にはＶSS）との間の実効抵抗とが、電源装置のスイッチング速度を大半決定する。
先行技術による装置においては、ゲートドライバはＩＣチップ上の制御回路部分内に置かれ、該ゲートドライバの出力側を出力トランジスタの各セグメントのゲート電極に接続するために、長いバスが使用される。そのような構成を図１に示す。
図１は、物理的にチップの制御回路１１と同一部分内に置かれたゲートドライバ１２を含む、先行技術による典型的な電源ＩＣ１０の平面図である。バス１３が、ゲートドライバ１２の出力側を出力トランジスタ１４のゲート電極に接続する。図１の例においては詳しく図示されていないが、出力トランジスタ１４は、各々が複数対の細長いソース／ドレイン指状部を備えた４つのセグメントを有する。出力トランジスタ１４の各セグメントは、関連するドレインパッド１５とソースパッド１６とを有する。
図１に示す先行技術による電源ＩＣのもつ欠点の１つは、任意の制御回路に接続された最も大型の出力装置を高速でスイッチング作動させるために、ゲートドライバを十分に大きくする必要があることである。このことは、同一の制御回路に接続されたより小型の出力トランジスタを含む製品の場合にゲートドライバが一般的にオーバサイズとなり、従ってシリコン面積が無駄になるということを意味している。もう１つの欠点は、ゲートドライバを出力トランジスタの各々のセグメントに接続するバスがより大きくなり、従ってより大型の出力トランジスタの場合に抵抗がより大きくなることである。回路内のこのノードにおけるより大きい抵抗は、電源ＩＣのスイッチング電力損失に悪影響を及ぼす。
特開平０１−２３８０３７号公報 特開平０７−２０２１９４号公報 特開平０８−３２１６０４号公報
限定するためではなく実例として、本発明を添付図面の図において説明する。分散されたゲートドライバ回路を備えた電源ＩＣについて説明する。以下の説明においては、本発明の完全な理解に資するために、装置の形式、寸法、回路構成等々のような数多くの具体的な詳細事項について述べる。ＩＣ技術における当業者は、これらの詳細事項の多くが無くても本発明を実施できることが分かるであろう。別の場合には、本発明を曖昧にすることを避けるために、公知の回路素子、技術、及び処理過程に関する詳述は省いてある。
本発明は、半導体基板上に作られる電源集積回路（電源ＩＣ）に関するものである。電源ＩＣは、同一基板上のゲートドライバに結合された高電圧出力トランジスタを含む。一実施形態においては、ゲートドライバ及び出力トランジスタは、両者共に複数のセグメントを有する。ゲートドライバは、該ゲートドライバのドライバセグメントの各々が出力トランジスタの出力セグメントのうちの対応する１つに隣接して置かれるように、分散配置される。この構成は、各出力トランジスタセグメントのゲートとゲートドライバとの間の距離を最小化する。その結果、ゲートドライバと出力トランジスタのゲートとの間の抵抗が減少し、高速スイッチング性能が改善される。更に、ゲートドライバのサイズは、シリコン面積を無駄にすることなく出力トランジスタのサイズに合わせて調整することができる。
図２は、本発明の一実施形態による電源ＩＣの概略回路図であって、この電源ＩＣにおいては、ゲートドライバ論理回路２２がノード２１に信号を与え、それによって出力トランジスタ２９をスイッチ状態にする。回路２２は、トランジスタ２９のスイッチング動作を制御するデジタルパルス信号（例えばパルス幅変調信号）を生成する普通の論理回路を含む。ノード２１は、ゲートドライバの入力ノードであり、該ゲートドライバは、ＶDD供給線３０とＶSS供給線２０との間に直列に結合された状態で図示されているＰＭＯＳトランジスタ２６とＮＭＯＳトランジスタ２７とを含む。ゲートドライバは、ノード２８において出力トランジスタ２９のゲートに結合される。
オン状態における抵抗を低くして出力トランジスタ２９を高速で駆動させるために、ゲートドライバのＰＭＯＳトランジスタ２６及びＮＭＯＳトランジスタ２７は、比較的大きなゲート幅をもつことができる。相対的な装置サイズの一例としては、出力トランジスタ２９は典型的には３４０，０００ｕｍのゲート幅をもつことができ、またゲートドライバのＮＭＯＳトランジスタ２７は１３，０００ｕｍのゲート幅をもつことができる。
次に図３を参照すると、ここには本発明の一実施形態において利用される出力トランジスタの一部分の上面配置図が示されている。この例においては、ソース／ドレイン領域間のインターディジタル構造のパターンを説明するために、出力トランジスタ２９のセグメント１７についてのドレイン１９及びソース１８電極のメタライゼーションのパターンが図示されている。この用途においては、セグメントは、インターディジタル構造のトランジスタにある１つ又はそれより多くの指状部からなる群として識別されることを理解されたい。例えば図３において、セグメント１７は、３対のソース／ドレイン指状部を含む。
図４は、本発明の一実施形態による電源ＩＣ５０の平面図である。電源ＩＣ５０は、制御回路５１と、図４においてＯＳ1乃至ＯＳ4で表示した４つのセグメントを含む大型の出力トランジスタ５４とを含む。この特定の実施形態においては、ソースパッド５５とドレインパッド５６とが各出力トランジスタセグメントの対向する端部に配置された状態で図示されている。他の実施形態では、ソースパッド及びドレインパッドを異なる配置で実装することができる。別の実施形態では、もっと多い数の又は少ない数のセグメントを含んでもよいことが分かるであろう。異なる実施形態においては、セグメントの各々を含むソース／ドレイン指状部の数も変えることができる。ゲートドライバ５２もまた、セグメントＧＳ1乃至ＧＳ4に分けて配置され、該セグメントＧＳ1乃至ＧＳ4の各々は１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を含む。ゲートドライバセグメントの各々は、出力トランジスタ５４の対応する出力セグメントに隣接して置かれる。
ゲートドライバセグメントＧＳ1乃至ＧＳ4は全て、制御回路５１によって生成された信号により並列的に駆動される。各ゲートドライバセグメントは、出力トランジスタ５４のゲートをターンオンするためのＰＭＯＳ装置と、出力トランジスタ５４のゲートをターンオフするためのＮＭＯＳ装置とを含む。出力装置のターンオン及びターンオフのスイッチング速度を大半決定する適正な抵抗を得るために、ＰＭＯＳ装置及びＮＭＯＳ装置は適切なサイズにされる。
図４の特定の実施形態においては、各ゲートドライバセグメント内のＮＭＯＳ装置は、対応する出力トランジスタセグメントのソースパッド５５に隣接して置かれる。このように配置することにより、ＮＭＯＳドライバ装置がターンオンになった時、出力トランジスタ５４のゲート及びソース間の抵抗は最小となる。
別の実施形態においては、ＰＭＯＳドライバ装置又はＮＭＯＳドライバ装置の１つのみが上記の様に分散され、他方のドライバ装置は、例えばＩＣの制御回路部分内などほかの場所に置かれる。例えば、出力トランジスタ５４のターンオフ速度がターンオン速度よりもずっと重要である場合には、より大型のＮＭＯＳ装置のみを、ＮＭＯＳセグメントの各々がトランジスタ５４の対応するセグメントに隣接して置かれた状態で、出力トランジスタ５４に隣接して分散させることができる。そのような場合には、より小型のＰＭＯＳドライバ装置をチップの制御回路部分内に置くことができる。
他方、ターンオン速度がより重要視される場合には、ＰＭＯＳドライバ装置を出力装置に隣接させて置き、ＮＭＯＳドライバ装置をそのＩＣの制御回路部分内に置くことができる。
本発明を特定の実施形態に関して説明してきたが、多くの修正及び変更もまた本発明の範囲内にあることを理解されたい。従って、明細書及び図面は、本発明を説明するためのものであって、これを限定するためのものではないと見なされるべきである。
先行技術による電源集積回路の平面図である。 本発明の一実施形態による電源集積回路の概略回路図である。 本発明の一実施形態において利用される出力トランジスタの一部分の上面配置図である。 本発明の一実施形態による電源集積回路の一部分の平面図である。
符号の説明
２０ ＶSS供給線
２１ ノード
２２ ゲートドライブ論理回路
２６ ＰＭＯＳトランジスタ
２７ ＮＭＯＳトランジスタ
２８ ノード
２９ 出力トランジスタ
３０ ＶDD供給線

Claims (9)

  1. 複数のセグメントを有する出力ＭＯＳトランジスタであって、前記出力ＭＯＳトランジスタの前記セグメントの各々が、１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を有する、前記出力ＭＯＳトランジスタと、
    該出力ＭＯＳトランジスタに結合されたゲートドライバと、
    を含み、
    該ゲートドライバは、ＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタを含み、前記ＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタの少なくとも一方が、１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を有する複数のドライバセグメントを含み、前記ＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタの一方の前記複数のドライバセグメントの各々が、前記出力ＭＯＳトランジスタのセグメントに隣接するよう配置されており、
    前記出力ＭＯＳトランジスタのセグメントに隣接して配置される複数のセグメントを有する前記ＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタの前記一方が、他方のトランジスタよりも大きいことを特徴とする電源集積回路。
  2. 前記ＰＭＯＳトランジスタ及び前記ＮＭＯＳトランジスタが、ＶDDとＶSSとの間で直列に結合されていることを特徴とする、請求項１に記載の電源集積回路。
  3. 前記ゲートドライバのセグメントが、前記ＰＭＯＳトランジスタにある１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の電源集積回路。
  4. 前記ゲートドライバのセグメントが、前記ＮＭＯＳトランジスタにある１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の電源集積回路。
  5. 前記ゲートドライバのセグメントが、前記ＰＭＯＳトランジスタ及び前記ＮＭＯＳトランジスタの各々にある１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の電源集積回路。
  6. 前記ゲートドライバに結合された論理回路を更に含み、該論理回路がスイッチング信号を生成することを特徴とする、請求項１に記載の電源集積回路。
  7. 複数のセグメントを有する単一のＭＯＳトランジスタを駆動するための方法であって、
    制御回路において信号を発生し、
    前記制御回路において発生された前記信号を使用して、ゲートドライバのセグメントの並列的な集合を駆動し、ここで、前記ゲートドライバのセグメントの各々が、ＰＭＯＳデバイス及びＮＭＯＳデバイスからなり、前記ゲートドライバのセグメントの前記ＰＭＯＳデバイス又は前記ＮＭＯＳデバイスの一方が、各々、前記単一のＭＯＳトランジスタのセグメントに隣接するように配置されており、前記単一のＭＯＳトランジスタのセグメントに隣接するように配置された前記ＰＭＯＳデバイス又は前記ＮＭＯＳデバイスが、他方のデバイスよりも大きい構成上の特性を有しており、
    前記ＰＭＯＳデバイスを使用して、前記単一のＭＯＳトランジスタのゲートをターンオンし、
    前記ＮＭＯＳデバイスを使用して、前記単一のＭＯＳトランジスタのゲートをターンオフすることから成る方法。
  8. 前記単一のＭＯＳトランジスタが、セグメントにグループ分けされた一つまたはそれより多くのソース／ドレイン指状部を有し、
    前記ゲートドライバのセグメントの各々が、前記単一のＭＯＳトランジスタの対応するセグメントに隣接して位置している請求項７に記載の方法。
  9. 前記ＰＭＯＳデバイス及び前記ＮＭＯＳデバイスの一方が、前記ＰＭＯＳデバイス及び前記ＮＭＯＳデバイスの他方よりも大きいことを特徴とする請求項７に記載の方法。
JP2008142645A 2002-04-22 2008-05-30 分散されたゲートドライバを備えた電源集積回路及びｍｏｓトランジスタを駆動するための方法 Expired - Fee Related JP4917571B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/127,989 US6583663B1 (en) 2002-04-22 2002-04-22 Power integrated circuit with distributed gate driver
US10/127989 2002-04-22

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004179763A Division JP2004260224A (ja) 2002-04-22 2004-06-17 分散されたゲートドライバを備えた電源集積回路

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008277842A JP2008277842A (ja) 2008-11-13
JP2008277842A5 JP2008277842A5 (ja) 2009-07-02
JP4917571B2 true JP4917571B2 (ja) 2012-04-18

Family

ID=22433025

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003115516A Pending JP2004007606A (ja) 2002-04-22 2003-04-21 分散されたゲートドライバを備えた電源集積回路
JP2004179763A Pending JP2004260224A (ja) 2002-04-22 2004-06-17 分散されたゲートドライバを備えた電源集積回路
JP2008142645A Expired - Fee Related JP4917571B2 (ja) 2002-04-22 2008-05-30 分散されたゲートドライバを備えた電源集積回路及びｍｏｓトランジスタを駆動するための方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003115516A Pending JP2004007606A (ja) 2002-04-22 2003-04-21 分散されたゲートドライバを備えた電源集積回路
JP2004179763A Pending JP2004260224A (ja) 2002-04-22 2004-06-17 分散されたゲートドライバを備えた電源集積回路

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6583663B1 (ja)
EP (2) EP1357601B1 (ja)
JP (3) JP2004007606A (ja)
AT (2) ATE458277T1 (ja)
DE (2) DE60331221D1 (ja)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7199817B2 (en) 2000-07-26 2007-04-03 Smiths Detection Inc. Methods and systems for networked camera control
US6573558B2 (en) * 2001-09-07 2003-06-03 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure
US6635544B2 (en) 2001-09-07 2003-10-21 Power Intergrations, Inc. Method of fabricating a high-voltage transistor with a multi-layered extended drain structure
US7786533B2 (en) * 2001-09-07 2010-08-31 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with edge termination structure
US8093621B2 (en) 2008-12-23 2012-01-10 Power Integrations, Inc. VTS insulated gate bipolar transistor
US7859037B2 (en) * 2007-02-16 2010-12-28 Power Integrations, Inc. Checkerboarded high-voltage vertical transistor layout
US8653583B2 (en) 2007-02-16 2014-02-18 Power Integrations, Inc. Sensing FET integrated with a high-voltage transistor
US7557406B2 (en) * 2007-02-16 2009-07-07 Power Integrations, Inc. Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor
JP5196222B2 (ja) * 2007-05-28 2013-05-15 富士電機株式会社 ゲート耐圧試験装置及び方法
US7875962B2 (en) * 2007-10-15 2011-01-25 Power Integrations, Inc. Package for a power semiconductor device
US7924065B2 (en) * 2008-07-17 2011-04-12 Continental Automotive Gmbh Control circuit for a power field-effect transistor and method for configuring a control circuit for a power field-effect transistor
US7964912B2 (en) 2008-09-18 2011-06-21 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with a varied width silicon pillar
US7871882B2 (en) 2008-12-20 2011-01-18 Power Integrations, Inc. Method of fabricating a deep trench insulated gate bipolar transistor
US20100155831A1 (en) * 2008-12-20 2010-06-24 Power Integrations, Inc. Deep trench insulated gate bipolar transistor
EP2256852A1 (fr) * 2009-05-27 2010-12-01 Belenos Clean Power Holding AG Système de dérivation des cellules d'une pile à combustible
US8115457B2 (en) 2009-07-31 2012-02-14 Power Integrations, Inc. Method and apparatus for implementing a power converter input terminal voltage discharge circuit
US8207455B2 (en) * 2009-07-31 2012-06-26 Power Integrations, Inc. Power semiconductor package with bottom surface protrusions
US8207577B2 (en) * 2009-09-29 2012-06-26 Power Integrations, Inc. High-voltage transistor structure with reduced gate capacitance
US7893754B1 (en) 2009-10-02 2011-02-22 Power Integrations, Inc. Temperature independent reference circuit
US8634218B2 (en) 2009-10-06 2014-01-21 Power Integrations, Inc. Monolithic AC/DC converter for generating DC supply voltage
US8310845B2 (en) * 2010-02-10 2012-11-13 Power Integrations, Inc. Power supply circuit with a control terminal for different functional modes of operation
US8653600B2 (en) 2012-06-01 2014-02-18 Power Integrations, Inc. High-voltage monolithic schottky device structure
US9299691B2 (en) * 2012-11-30 2016-03-29 Enpirion, Inc. Semiconductor device including alternating source and drain regions, and respective source and drain metallic strips
US9978862B2 (en) * 2013-04-30 2018-05-22 Infineon Technologies Austria Ag Power transistor with at least partially integrated driver stage
US9799643B2 (en) 2013-05-23 2017-10-24 Infineon Technologies Austria Ag Gate voltage control for III-nitride transistors
US9455621B2 (en) 2013-08-28 2016-09-27 Power Integrations, Inc. Controller IC with zero-crossing detector and capacitor discharge switching element
US10325988B2 (en) 2013-12-13 2019-06-18 Power Integrations, Inc. Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped field plates
US9543396B2 (en) 2013-12-13 2017-01-10 Power Integrations, Inc. Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped regions
US9530765B1 (en) 2015-04-30 2016-12-27 Silanna Asia Pte Ltd Distributing capacitance with gate driver for power switch
US9667154B2 (en) 2015-09-18 2017-05-30 Power Integrations, Inc. Demand-controlled, low standby power linear shunt regulator
US9973183B2 (en) * 2015-09-28 2018-05-15 Power Integrations, Inc. Field-effect transistor device with partial finger current sensing FETs
US20170093282A1 (en) * 2015-09-30 2017-03-30 The Silanna Group Pty Ltd. Power Converter with Low Threshold Voltage Transistor
US9602009B1 (en) 2015-12-08 2017-03-21 Power Integrations, Inc. Low voltage, closed loop controlled energy storage circuit
US9629218B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Power Integrations, Inc. Thermal protection for LED bleeder in fault condition
US11898987B2 (en) * 2020-09-10 2024-02-13 Raytheon Company SAW-based hydrogel testing for detecting viruses or other antigens
US11437911B2 (en) 2020-12-22 2022-09-06 Power Integrations, Inc. Variable drive strength in response to a power converter operating condition

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1215230B (it) * 1985-01-08 1990-01-31 Ates Componenti Elettron Diretta. dispositivo a semiconduttore integrato con drastica riduzione dei fenomeni di rottura secondaria
US5023678A (en) * 1987-05-27 1991-06-11 International Rectifier Corporation High power MOSFET and integrated control circuit therefor for high-side switch application
JP2619466B2 (ja) * 1988-03-18 1997-06-11 株式会社日立製作所 半導体装置、半導体装置の設計支援システム及び半導体装置を用いた電源システム
US4949139A (en) * 1988-09-09 1990-08-14 Atmel Corporation Transistor construction for low noise output driver
IT1231052B (it) 1989-09-27 1991-11-12 Bull Hn Information Syst Alimentatore a commutazione con piu' uscite, regolazione di una tensione di uscita e compensazione di carico.
JP3071915B2 (ja) * 1991-12-20 2000-07-31 株式会社東芝 出力回路
JP3205099B2 (ja) * 1992-12-25 2001-09-04 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
US5334885A (en) * 1993-01-13 1994-08-02 At&T Bell Laboratories Automatic control of buffer speed
JP3173268B2 (ja) * 1994-01-06 2001-06-04 富士電機株式会社 Ｍｉｓ電界効果トランジスタを備えた半導体装置
US5728594A (en) * 1994-11-02 1998-03-17 Texas Instruments Incorporated Method of making a multiple transistor integrated circuit with thick copper interconnect
US5610503A (en) * 1995-05-10 1997-03-11 Celestica, Inc. Low voltage DC-to-DC power converter integrated circuit and related methods
JPH08321604A (ja) * 1995-05-25 1996-12-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPH0927554A (ja) * 1995-07-12 1997-01-28 Sanyo Electric Co Ltd 半導体電子回路
JP3698828B2 (ja) * 1996-08-29 2005-09-21 富士通株式会社 信号伝送システム、半導体装置モジュール、入力バッファ回路、及び半導体装置
JP3269475B2 (ja) * 1998-02-16 2002-03-25 日本電気株式会社 半導体装置
JP3517154B2 (ja) 1998-04-30 2004-04-05 株式会社東芝 誘電体分離集積回路
JP2000332191A (ja) * 1999-05-17 2000-11-30 Toshiba Corp ハイブリッド型半導体装置
JP3384386B2 (ja) * 1999-07-07 2003-03-10 セイコーエプソン株式会社 半導体装置
US6313671B1 (en) 1999-12-15 2001-11-06 Exar Corporation Low-power integrated circuit I/O buffer
US6313672B1 (en) 1999-12-15 2001-11-06 Exar Corporation Over-voltage tolerant integrated circuit I/O buffer
JP2001352047A (ja) * 2000-06-05 2001-12-21 Oki Micro Design Co Ltd 半導体集積回路
US20020071293A1 (en) * 2000-07-13 2002-06-13 Eden Richard C. Power semiconductor switching devices, power converters, integrated circuit assemblies, integrated circuitry, power current switching methods, methods of forming a power semiconductor switching device, power conversion methods, power semiconductor switching device packaging methods, and methods a of forming power transistor
JP3482948B2 (ja) * 2000-07-25 2004-01-06 株式会社デンソー 半導体装置
JP3647728B2 (ja) * 2000-08-01 2005-05-18 松下電器産業株式会社 スイッチング電源装置及びスイッチング電源用半導体装置
US6362608B1 (en) * 2001-02-01 2002-03-26 Maxim Integrated Products, Inc. Multi-phase switching converters and methods

Also Published As

Publication number Publication date
US6583663B1 (en) 2003-06-24
JP2004007606A (ja) 2004-01-08
DE60331276D1 (de) 2010-04-01
JP2008277842A (ja) 2008-11-13
EP1357601A2 (en) 2003-10-29
EP1513197A2 (en) 2005-03-09
EP1357601B1 (en) 2010-02-17
DE60331221D1 (de) 2010-03-25
ATE458277T1 (de) 2010-03-15
EP1513197B1 (en) 2010-02-10
US6680646B2 (en) 2004-01-20
JP2004260224A (ja) 2004-09-16
EP1357601A3 (en) 2007-08-29
EP1513197A3 (en) 2007-08-29
US20030206047A1 (en) 2003-11-06
ATE457527T1 (de) 2010-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4917571B2 (ja) 分散されたゲートドライバを備えた電源集積回路及びｍｏｓトランジスタを駆動するための方法
US6057726A (en) Output circuit for power IC with high breakdown voltage
JPH10313236A (ja) 遅延回路
EP1771886A1 (en) Insulated gate field effect transistors
JPH0563555A (ja) マルチモード入力回路
JPS61154312A (ja) 駆動回路
JP2006313814A (ja) 半導体装置
US7042026B2 (en) Power switching device
JPH0773207B2 (ja) 出力回路
JP2006278772A (ja) 半導体装置
JPH03232316A (ja) スパイク電流を減少させたｃｍｏｓスイッチドライバ
JPH0832064A (ja) Ｍｏｓ半導体装置とその駆動方法および駆動回路
US20110156765A1 (en) Data output circuit provided with output driver
JPH02188023A (ja) 出力バッファ回路
EP0774786A2 (en) CMOS semiconductor device
JP2003338740A (ja) 高耐圧スイッチング回路
JPH02201964A (ja) Ｍｏｓ型トランジスタ
KR930000959B1 (ko) 데이터 출력회로
JP2010028040A (ja) Ｍｏｓトランジスタ、ｃｍｏｓ及びこれを用いたモータ駆動用半導体集積回路装置
US6346840B1 (en) Electronic device for controlling the “bouncing” in electronic circuits integrated on semiconductor substrate
JPH07109859B2 (ja) Ｍｏｓ型半導体集積回路装置
JPH0750562A (ja) 半導体集積回路装置
JP2002190729A (ja) 出力回路の電流制御装置及びドライバ回路の電流制御装置
JPH05206840A (ja) 半導体集積回路
JP2003282947A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090520

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111013

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111027

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111201

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120112

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120126

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees