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  1. 複数のセグメントを有する出力ＭＯＳトランジスタであって、前記出力ＭＯＳトランジスタの前記セグメントの各々が、１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を有する、前記出力ＭＯＳトランジスタと、
    該出力トランジスタに結合されたゲートドライバと、
    を含み、
    該ゲートドライバは、ＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタを含み、前記ＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタの少なくとも一方が、１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を有する複数のドライバセグメントを含み、前記ＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタの一方の前記複数のドライバセグメントの各々が、前記出力ＭＯＳトランジスタのセグメントに隣接するよう配置されており、
    前記出力ＭＯＳトランジスタのセグメントに隣接して配置される複数のセグメントを有する前記ＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタの前記一方が、他方のトランジスタよりも大きいことを特徴とする電源集積回路。
  2. 前記ＰＭＯＳトランジスタ及び前記ＮＭＯＳトランジスタが、ＶDDとＶSSとの間で直列に結合されていることを特徴とする、請求項１に記載の電源集積回路。
  3. 前記ゲートドライバのセグメントが、前記ＰＭＯＳトランジスタにある１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の電源集積回路。
  4. 前記ゲートドライバのセグメントが、前記ＮＭＯＳトランジスタにある１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の電源集積回路。
  5. 前記ゲートドライバのセグメントが、前記ＰＭＯＳトランジスタ及び前記ＮＭＯＳトランジスタの各々にある１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の電源集積回路。
  6. 前記ゲートドライバに結合された論理回路を更に含み、該論理回路がスイッチング信号を生成することを特徴とする、請求項１に記載の電源集積回路。
  7. 複数のセグメントを有する出力トランジスタであって、前記出力ＭＯＳトランジスタの前記セグメントの各々が、１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を有する、前記出力ＭＯＳトランジスタと、
    該出力トランジスタと結合されているゲートドライバとを含み、
    該ゲートドライバは、２つ又はそれより多くのセグメントを有し、各セグメントは、１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を有し、前記ゲートドライバはインバータとして構成されたＰＭＯＳ装置およびＮＭＯＳ装置から成り、当該ゲートドライバのＰＭＯＳ装置およびＮＭＯＳ装置の一方の各セグメントは、前記出力ＭＯＳトランジスタのセグメントの一つに隣接し、且つ前記出力ＭＯＳトランジスタのソースパッドにも隣接して配置されており、
    前記出力ＭＯＳトランジスタの各セグメント及びゲートドライバの各セグメントが、１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を含んでおり、前記出力ＭＯＳトランジスタのセグメントに隣接して置かれる複数のセグメントを有する前記ＰＭＯＳ装置およびＮＭＯＳ装置の前記一方が他方のトランジスタよりも大きいことを特徴とする電源集積回路。
  8. 前記ＰＭＯＳ装置及び前記ＮＭＯＳ装置が、ＶDDとＶSSとの間で直列に結合されていることを特徴とする、請求項７に記載の電源集積回路。
  9. 前記ゲートドライバのセグメントが、前記ＰＭＯＳ装置にある１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項７に記載の電源集積回路。
  10. 前記ゲートドライバのセグメントが、前記ＮＭＯＳ装置にある１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項７に記載の電源集積回路。
  11. 前記ゲートドライバのセグメントが、前記ＰＭＯＳ装置及び前記ＮＭＯＳ装置の各々にある１つ又はそれより多くのソース／ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項７に記載の電源集積回路。
  12. 単一のＭＯＳトランジスタを駆動するための方法であって、
    制御回路において信号を発生し、
    前記制御回路において発生された前記信号を使用して、ゲートドライバのセグメントの並列的な集合を駆動し、ここで、前記ゲートドライバのセグメントの各々が、ＰＭＯＳデバイス及びＮＭＯＳデバイスからなり、
    前記ＰＭＯＳデバイスを使用して、前記単一のＭＯＳトランジスタのゲートをターンオンし、
    前記ＮＭＯＳデバイスを使用して、前記単一のＭＯＳトランジスタのゲートをターンオフすることから成る方法。
  13. 前記単一のＭＯＳトランジスタが、セグメントにグループ分けされた一つまたはそれより多くのソース／ドレイン指状部を有し、
    前記ゲートドライバのセグメントの各々が、前記出力ＭＯＳトランジスタの対応するセグメントに隣接して位置している請求項１２記載の方法。
  14. 前記ＰＭＯＳデバイス及び前記ＮＭＯＳデバイスの一方が、前記ＰＭＯＳデバイス及び前記ＮＭＯＳデバイスの他方よりも大きいことを特徴とする請求項１２記載の方法。
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