JP2004007606A - 分散されたゲートドライバを備えた電源集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲートドライバ論理回路22がノード21に信号を与え、それによって出力トランジスタ29をスイッチ状態にする。回路22は、トランジスタ29のスイッチング動作を制御するデジタルパルス信号(例えばパルス幅変調信号)を生成する普通の論理回路を含む。ノード21は、ゲートドライバの入力ノードであり、該ゲートドライバは、VDD供給線30とVSS供給線20との間に直列に結合された状態で図示されているPMOSトランジスタ26とNMOSトランジスタ27とを含む。ゲートドライバは、ノード28において出力トランジスタ29のゲートに結合される。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電源集積回路(IC)に関し、より具体的には、高電圧出力装置を備えたICに関する。
【0002】
【従来の技術】
一般的なタイプの集積回路装置としては、金属−酸化物−半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)がある。MOSFETは、ソース領域と、ドレイン領域と、該ソース領域と該ドレイン領域との間で延びるチャネル領域と、該チャネル領域上に配置されたゲートとを含む。ゲートは、チャネル領域上に配置されかつ薄い酸化物層により該チャネル領域から絶縁された導電性ゲート構造を含む。
【0003】
大型のラテラル型MOSFET装置は、高電圧で作動する電源集積回路内で広く用いられている。電源ICは、一般的に1つ又はそれより多くの外部負荷への電流を制御する1つ又はそれより多くの大型の高電圧出力トランジスタを含む。ある種の用途においては、高電圧出力トランジスタは、高いスイッチング速度で作動する。例えば、スイッチモード電源集積回路においては、1つの出力トランジスタが、変圧器の一次巻線を通る電流を制御し、それによって電源により供給される電力を制御する。スイッチング・トランジスタが変圧器の一次巻線に結合されている電源回路の一例が、米国特許第4,999,759号に開示されている。米国特許第6,225,664B1号には、集積回路ドライバを備えた電源ICが開示されている。
【0004】
電源ICにおいて、大型の出力トランジスタは、一般的にはMOSFETのソース領域とドレイン領域とを含む細長いセグメントのアレイとして設計される。出力トランジスタの電流処理能力を高めるために、装置に対して単純に多くのセグメントが付加される。或る設計においては、出力トランジスタのソース領域とドレイン領域とは、セグメントが1つ又はそれより多くのソース/ドレイン指状部の対を含むことができるインターディジタル構造の方式で配置される。これについての背景技術としては、米国特許第5,258,636号に、インターディジタル構造のソース・ドレイン領域を有する高電圧トランジスタが開示されている。
【0005】
電源ICはまた、一般的に出力トランジスタを制御する制御回路を含む。制御回路は、出力トランジスタをターンオン及びターンオフするために、該出力トランジスタのゲートに与えられる信号を生成する。この信号はゲートドライバによって生成され、該ゲートドライバは、典型的には出力トランジスタをターンオンするための比較的大型のPMOSトランジスタと、出力トランジスタをターンオフするための比較的大型のNMOSトランジスタとを含む。出力トランジスタがターンオン及びターンオフする速度は、出力装置のスイッチング電力損失を決定する因子である。電源ICの電力損失分にとってこのオン/オフ速度は、スイッチング頻度が増大するにつれて益々重要になる。出力トランジスタの分散されたゲートキャパシタンスと、このキャパシタンスとターンオン電圧(典型的にはVDD)及びターンオフ電圧(典型的にはVSS)との間の実効抵抗とが、電源装置のスイッチング速度を大半決定する。
【0006】
先行技術による装置においては、ゲートドライバはICチップ上の制御回路部分内に置かれ、該ゲートドライバの出力側を出力トランジスタの各セグメントのゲート電極に接続するために、長いバスが使用される。そのような構成を図1に示す。
【0007】
図1は、物理的にチップの制御回路11と同一部分内に置かれたゲートドライバ12を含む、先行技術による典型的な電源IC10の平面図である。バス13が、ゲートドライバ12の出力側を出力トランジスタ14のゲート電極に接続する。図1の例においては詳しく図示されていないが、出力トランジスタ14は、各々が複数対の細長いソース/ドレイン指状部を備えた4つのセグメントを有する。出力トランジスタ14の各セグメントは、関連するドレインパッド15とソースパッド16とを有する。
【0008】
図1に示す先行技術による電源ICのもつ欠点の1つは、任意の制御回路に接続された最も大型の出力装置を高速でスイッチング作動させるために、ゲートドライバを十分に大きくする必要があることである。このことは、同一の制御回路に接続されたより小型の出力トランジスタを含む製品の場合にゲートドライバが一般的にオーバサイズとなり、従ってシリコン面積が無駄になるということを意味している。もう1つの欠点は、ゲートドライバを出力トランジスタの各々のセグメントに接続するバスがより大きくなり、従ってより大型の出力トランジスタの場合に抵抗がより大きくなることである。回路内のこのノードにおけるより大きい抵抗は、電源ICのスイッチング電力損失に悪影響を及ぼす。
【0009】
【発明の実施の形態】
限定するためではなく実例として、本発明を添付図面の図において説明する。分散されたゲートドライバ回路を備えた電源ICについて説明する。以下の説明においては、本発明の完全な理解に資するために、装置の形式、寸法、回路構成等々のような数多くの具体的な詳細事項について述べる。IC技術における当業者は、これらの詳細事項の多くが無くても本発明を実施できることが分かるであろう。別の場合には、本発明を曖昧にすることを避けるために、公知の回路素子、技術、及び処理過程に関する詳述は省いてある。
【0010】
本発明は、半導体基板上に作られる電源集積回路(電源IC)に関するものである。電源ICは、同一基板上のゲートドライバに結合された高電圧出力トランジスタを含む。一実施形態においては、ゲートドライバ及び出力トランジスタは、両者共に複数のセグメントを有する。ゲートドライバは、該ゲートドライバのドライバセグメントの各々が出力トランジスタの出力セグメントのうちの対応する1つに隣接して置かれるように、分散配置される。この構成は、各出力トランジスタセグメントのゲートとゲートドライバとの間の距離を最小化する。その結果、ゲートドライバと出力トランジスタのゲートとの間の抵抗が減少し、高速スイッチング性能が改善される。更に、ゲートドライバのサイズは、シリコン面積を無駄にすることなく出力トランジスタのサイズに合わせて調整することができる。
【0011】
図2は、本発明の一実施形態による電源ICの概略回路図であって、この電源ICにおいては、ゲートドライバ論理回路22がノード21に信号を与え、それによって出力トランジスタ29をスイッチ状態にする。回路22は、トランジスタ29のスイッチング動作を制御するデジタルパルス信号(例えばパルス幅変調信号)を生成する普通の論理回路を含む。ノード21は、ゲートドライバの入力ノードであり、該ゲートドライバは、VDD供給線30とVSS供給線20との間に直列に結合された状態で図示されているPMOSトランジスタ26とNMOSトランジスタ27とを含む。ゲートドライバは、ノード28において出力トランジスタ29のゲートに結合される。
【0012】
オン状態における抵抗を低くして出力トランジスタ29を高速で駆動させるために、ゲートドライバのPMOSトランジスタ26及びNMOSトランジスタ27は、比較的大きなゲート幅をもつことができる。相対的な装置サイズの一例としては、出力トランジスタ29は典型的には340,000umのゲート幅をもつことができ、またゲートドライバのNMOSトランジスタ27は13,000umのゲート幅をもつことができる。
【0013】
次に図3を参照すると、ここには本発明の一実施形態において利用される出力トランジスタの一部分の上面配置図が示されている。この例においては、ソース/ドレイン領域間のインターディジタル構造のパターンを説明するために、出力トランジスタ29のセグメント17についてのドレイン19及びソース18電極のメタライゼーションのパターンが図示されている。この用途においては、セグメントは、インターディジタル構造のトランジスタにある1つ又はそれより多くの指状部からなる群として識別されることを理解されたい。例えば図3において、セグメント17は、3対のソース/ドレイン指状部を含む。
【0014】
図4は、本発明の一実施形態による電源IC50の平面図である。電源IC50は、制御回路51と、図4においてOS1乃至OS4で表示した4つのセグメントを含む大型の出力トランジスタ54とを含む。この特定の実施形態においては、ソースパッド55とドレインパッド56とが各出力トランジスタセグメントの対向する端部に配置された状態で図示されている。他の実施形態では、ソースパッド及びドレインパッドを異なる配置で実装することができる。別の実施形態では、もっと多い数の又は少ない数のセグメントを含んでもよいことが分かるであろう。異なる実施形態においては、セグメントの各々を含むソース/ドレイン指状部の数も変えることができる。ゲートドライバ52もまた、セグメントGS1乃至GS4に分けて配置され、該セグメントGS1乃至GS4の各々は多数のソース/ドレイン指状部を含む。ゲートドライバセグメントの各々は、出力トランジスタ54の対応する出力セグメントに隣接して置かれる。
【0015】
ゲートドライバセグメントGS1乃至GS4は全て、制御回路51によって生成された信号により並列的に駆動される。各ゲートドライバセグメントは、出力トランジスタ54のゲートをターンオンするためのPMOS装置と、出力トランジスタ54のゲートをターンオフするためのNMOS装置とを含む。出力装置のターンオン及びターンオフのスイッチング速度を大半決定する適正な抵抗を得るために、PMOS装置及びNMOS装置は適切なサイズにされる。
【0016】
図4の特定の実施形態においては、各ゲートドライバセグメント内のNMOS装置は、対応する出力トランジスタセグメントのソースパッド55に隣接して置かれる。このように配置することにより、NMOSドライバ装置がターンオンになった時、出力トランジスタ54のゲート及びソース間の抵抗は最小となる。
【0017】
別の実施形態においては、PMOSドライバ装置又はNMOSドライバ装置の1つのみが上記の様に分散され、他方のドライバ装置は、例えばICの制御回路部分内などほかの場所に置かれる。例えば、出力トランジスタ54のターンオフ速度がターンオン速度よりもずっと重要である場合には、より大型のNMOS装置のみを、NMOSセグメントの各々がトランジスタ54の対応するセグメントに隣接して置かれた状態で、出力トランジスタ54に隣接して分散させることができる。そのような場合には、より小型のPMOSドライバ装置をチップの制御回路部分内に置くことができる。
他方、ターンオン速度がより重要視される場合には、PMOSドライバ装置を出力装置に隣接させて置き、NMOSドライバ装置をそのICの制御回路部分内に置くことができる。
【0018】
本発明を特定の実施形態に関して説明してきたが、多くの修正及び変更もまた本発明の範囲内にあることを理解されたい。従って、明細書及び図面は、本発明を説明するためのものであって、これを限定するためのものではないと見なされるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】先行技術による電源集積回路の平面図である。
【図2】本発明の一実施形態による電源集積回路の概略回路図である。
【図3】本発明の一実施形態において利用される出力トランジスタの一部分の上面配置図である。
【図4】本発明の一実施形態による電源集積回路の一部分の平面図である。
【符号の説明】
20 VSS供給線
21 ノード
22 ゲートドライブ論理回路
26 PMOSトランジスタ
27 NMOSトランジスタ
28 ノード
29 出力トランジスタ
30 VDD供給線
Claims (23)
- 複数のセグメントを有する出力トランジスタと、
該出力トランジスタに結合されたゲートドライバと、
を含み、
該ゲートドライバが複数のセグメントを有し、該ゲートドライバのセグメントの各々が、前記出力トランジスタのセグメントのうちの対応する1つに隣接して置かれている、
ことを特徴とする電源集積回路。 - 前記出力トランジスタのセグメントの各々が、1つ又はそれより多くのソース/ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項1に記載の電源集積回路。
- 前記ゲートドライバが、PMOS装置とNMOS装置とを含むことを特徴とする、請求項1に記載の電源集積回路。
- 前記PMOS装置及び前記NMOS装置がインバータとして構成されていることを特徴とする、請求項3に記載の電源集積回路。
- 前記PMOS装置及び前記NMOS装置が、VDDとVSSとの間で直列に結合されていることを特徴とする、請求項3に記載の電源集積回路。
- 前記ドライバ回路のセグメントが、前記PMOS装置にある1つ又はそれより多くのソース/ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項3に記載の電源集積回路。
- 前記ゲートドライバのセグメントが、前記NMOS装置にある1つ又はそれより多くのソース/ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項3に記載の電源集積回路。
- 前記ゲートドライバのセグメントが、前記PMOS装置及び前記NMOS装置の各々にある1つ又はそれより多くのソース/ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項3に記載の電源集積回路。
- 前記ゲートドライバに結合された論理回路を更に含み、該論理回路がスイッチング信号を生成することを特徴とする、請求項1に記載の電源集積回路。
- 前記ゲートドライバの各セグメントが、前記出力トランジスタのソースパッドに隣接して置かれていることを特徴とする、請求項1に記載の電源集積回路。
- 基板上に作られる電源集積回路であって、
ゲートと、複数の出力セグメントとして配置されたインターディジタル構造のソース/ドレイン領域とを有する出力トランジスタと、
該出力トランジスタの前記ゲートに結合され、各々が前記出力セグメントのうちの対応する1つに隣接して前記基板上に置かれている複数のドライバセグメントを有する、ゲートドライバと、
該ゲートドライバに結合された論理回路と、
を含むことを特徴とする電源集積回路。 - 前記ゲートドライバが、PMOS装置とNMOS装置とを含むことを特徴とする、請求項11に記載の電源集積回路。
- 前記PMOS装置及び前記NMOS装置がインバータとして構成されていることを特徴とする、請求項12に記載の電源集積回路。
- 前記ドライバセグメントが、前記PMOS装置にある1つ又はそれより多くのソース/ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項12に記載の電源集積回路。
- 前記ドライバセグメントが、前記NMOS装置にある1つ又はそれより多くのソース/ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項12に記載の電源集積回路。
- 前記ドライバセグメントが、前記PMOS装置及び前記NMOS装置の各々にある1つ又はそれより多くのソース/ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項12に記載の電源集積回路。
- 前記出力セグメントが、関連するソースパッドを有し、
前記ドライバセグメントの各々が、前記ソースパッドのうちの対応する1つに隣接して置かれていることを特徴とする、請求項11に記載の電源集積回路。 - 複数の出力セグメントを有する出力トランジスタと、
該出力トランジスタに結合され、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタとを含むゲートドライバと、
該ゲートドライバに結合された論理回路と、
を含み、
前記PMOSトランジスタ及び前記NMOSトランジスタのうちの少なくとも1つがドライバセグメントを含み、該ドライバセグメントの各々が前記出力セグメントのうちの対応する1つに隣接して置かれている、
ことを特徴とする電源集積回路。 - 前記NMOSトランジスタのみが、前記ドライバセグメントを含むことを特徴とする、請求項18に記載の電源集積回路。
- 前記PMOSトランジスタが、制御回路内に置かれていることを特徴とする、請求項19に記載の電源集積回路。
- 前記PMOSトランジスタのみが、前記ドライバセグメントを含むことを特徴とする、請求項18に記載の電源集積回路。
- 前記NMOSトランジスタが、制御回路内に置かれていることを特徴とする、請求項21に記載の電源集積回路。
- 前記出力セグメントの各々が、1つ又はそれより多くのソース/ドレイン指状部を含むことを特徴とする、請求項22に記載の電源集積回路。
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Cited By (2)
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JP2008294334A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置及びゲート耐圧試験方法 |
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Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1307867B1 (en) * | 2000-07-26 | 2010-06-23 | Smiths Detection Inc. | Methods and systems for networked camera control |
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US6573558B2 (en) * | 2001-09-07 | 2003-06-03 | Power Integrations, Inc. | High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure |
US7786533B2 (en) * | 2001-09-07 | 2010-08-31 | Power Integrations, Inc. | High-voltage vertical transistor with edge termination structure |
US8093621B2 (en) | 2008-12-23 | 2012-01-10 | Power Integrations, Inc. | VTS insulated gate bipolar transistor |
US8653583B2 (en) | 2007-02-16 | 2014-02-18 | Power Integrations, Inc. | Sensing FET integrated with a high-voltage transistor |
US7859037B2 (en) | 2007-02-16 | 2010-12-28 | Power Integrations, Inc. | Checkerboarded high-voltage vertical transistor layout |
US7557406B2 (en) * | 2007-02-16 | 2009-07-07 | Power Integrations, Inc. | Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor |
US7875962B2 (en) * | 2007-10-15 | 2011-01-25 | Power Integrations, Inc. | Package for a power semiconductor device |
US7924065B2 (en) * | 2008-07-17 | 2011-04-12 | Continental Automotive Gmbh | Control circuit for a power field-effect transistor and method for configuring a control circuit for a power field-effect transistor |
US7964912B2 (en) | 2008-09-18 | 2011-06-21 | Power Integrations, Inc. | High-voltage vertical transistor with a varied width silicon pillar |
US20100155831A1 (en) * | 2008-12-20 | 2010-06-24 | Power Integrations, Inc. | Deep trench insulated gate bipolar transistor |
US7871882B2 (en) | 2008-12-20 | 2011-01-18 | Power Integrations, Inc. | Method of fabricating a deep trench insulated gate bipolar transistor |
US8115457B2 (en) * | 2009-07-31 | 2012-02-14 | Power Integrations, Inc. | Method and apparatus for implementing a power converter input terminal voltage discharge circuit |
US8207455B2 (en) * | 2009-07-31 | 2012-06-26 | Power Integrations, Inc. | Power semiconductor package with bottom surface protrusions |
US8207577B2 (en) * | 2009-09-29 | 2012-06-26 | Power Integrations, Inc. | High-voltage transistor structure with reduced gate capacitance |
US7893754B1 (en) | 2009-10-02 | 2011-02-22 | Power Integrations, Inc. | Temperature independent reference circuit |
US8634218B2 (en) | 2009-10-06 | 2014-01-21 | Power Integrations, Inc. | Monolithic AC/DC converter for generating DC supply voltage |
US8310845B2 (en) * | 2010-02-10 | 2012-11-13 | Power Integrations, Inc. | Power supply circuit with a control terminal for different functional modes of operation |
US8653600B2 (en) | 2012-06-01 | 2014-02-18 | Power Integrations, Inc. | High-voltage monolithic schottky device structure |
US9299691B2 (en) * | 2012-11-30 | 2016-03-29 | Enpirion, Inc. | Semiconductor device including alternating source and drain regions, and respective source and drain metallic strips |
US9978862B2 (en) * | 2013-04-30 | 2018-05-22 | Infineon Technologies Austria Ag | Power transistor with at least partially integrated driver stage |
US9799643B2 (en) | 2013-05-23 | 2017-10-24 | Infineon Technologies Austria Ag | Gate voltage control for III-nitride transistors |
US9455621B2 (en) | 2013-08-28 | 2016-09-27 | Power Integrations, Inc. | Controller IC with zero-crossing detector and capacitor discharge switching element |
US10325988B2 (en) | 2013-12-13 | 2019-06-18 | Power Integrations, Inc. | Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped field plates |
US9543396B2 (en) | 2013-12-13 | 2017-01-10 | Power Integrations, Inc. | Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped regions |
US9530765B1 (en) | 2015-04-30 | 2016-12-27 | Silanna Asia Pte Ltd | Distributing capacitance with gate driver for power switch |
US9667154B2 (en) | 2015-09-18 | 2017-05-30 | Power Integrations, Inc. | Demand-controlled, low standby power linear shunt regulator |
US9973183B2 (en) * | 2015-09-28 | 2018-05-15 | Power Integrations, Inc. | Field-effect transistor device with partial finger current sensing FETs |
US20170093282A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-03-30 | The Silanna Group Pty Ltd. | Power Converter with Low Threshold Voltage Transistor |
US9602009B1 (en) | 2015-12-08 | 2017-03-21 | Power Integrations, Inc. | Low voltage, closed loop controlled energy storage circuit |
US9629218B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Power Integrations, Inc. | Thermal protection for LED bleeder in fault condition |
US11898987B2 (en) * | 2020-09-10 | 2024-02-13 | Raytheon Company | SAW-based hydrogel testing for detecting viruses or other antigens |
US11437911B2 (en) | 2020-12-22 | 2022-09-06 | Power Integrations, Inc. | Variable drive strength in response to a power converter operating condition |
US11979090B2 (en) | 2021-08-12 | 2024-05-07 | Power Integrations, Inc. | Power converter controller with branch switch |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01238037A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置、半導体装置の設計支援システム及び半導体装置を用いた電源システム |
JPH06196630A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2002043521A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Denso Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1215230B (it) * | 1985-01-08 | 1990-01-31 | Ates Componenti Elettron | Diretta. dispositivo a semiconduttore integrato con drastica riduzione dei fenomeni di rottura secondaria |
US5023678A (en) * | 1987-05-27 | 1991-06-11 | International Rectifier Corporation | High power MOSFET and integrated control circuit therefor for high-side switch application |
US4949139A (en) * | 1988-09-09 | 1990-08-14 | Atmel Corporation | Transistor construction for low noise output driver |
IT1231052B (it) | 1989-09-27 | 1991-11-12 | Bull Hn Information Syst | Alimentatore a commutazione con piu' uscite, regolazione di una tensione di uscita e compensazione di carico. |
JP3071915B2 (ja) * | 1991-12-20 | 2000-07-31 | 株式会社東芝 | 出力回路 |
US5334885A (en) * | 1993-01-13 | 1994-08-02 | At&T Bell Laboratories | Automatic control of buffer speed |
JP3173268B2 (ja) * | 1994-01-06 | 2001-06-04 | 富士電機株式会社 | Mis電界効果トランジスタを備えた半導体装置 |
US5728594A (en) * | 1994-11-02 | 1998-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a multiple transistor integrated circuit with thick copper interconnect |
US5610503A (en) * | 1995-05-10 | 1997-03-11 | Celestica, Inc. | Low voltage DC-to-DC power converter integrated circuit and related methods |
JPH08321604A (ja) * | 1995-05-25 | 1996-12-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0927554A (ja) * | 1995-07-12 | 1997-01-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体電子回路 |
JP3698828B2 (ja) * | 1996-08-29 | 2005-09-21 | 富士通株式会社 | 信号伝送システム、半導体装置モジュール、入力バッファ回路、及び半導体装置 |
JP3269475B2 (ja) * | 1998-02-16 | 2002-03-25 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP3517154B2 (ja) | 1998-04-30 | 2004-04-05 | 株式会社東芝 | 誘電体分離集積回路 |
JP2000332191A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-30 | Toshiba Corp | ハイブリッド型半導体装置 |
JP3384386B2 (ja) * | 1999-07-07 | 2003-03-10 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
US6313672B1 (en) | 1999-12-15 | 2001-11-06 | Exar Corporation | Over-voltage tolerant integrated circuit I/O buffer |
US6313671B1 (en) | 1999-12-15 | 2001-11-06 | Exar Corporation | Low-power integrated circuit I/O buffer |
JP2001352047A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Oki Micro Design Co Ltd | 半導体集積回路 |
US20020071293A1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-06-13 | Eden Richard C. | Power semiconductor switching devices, power converters, integrated circuit assemblies, integrated circuitry, power current switching methods, methods of forming a power semiconductor switching device, power conversion methods, power semiconductor switching device packaging methods, and methods a of forming power transistor |
JP3647728B2 (ja) * | 2000-08-01 | 2005-05-18 | 松下電器産業株式会社 | スイッチング電源装置及びスイッチング電源用半導体装置 |
US6362608B1 (en) * | 2001-02-01 | 2002-03-26 | Maxim Integrated Products, Inc. | Multi-phase switching converters and methods |
-
2002
- 2002-04-22 US US10/127,989 patent/US6583663B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-04-09 US US10/410,725 patent/US6680646B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-21 JP JP2003115516A patent/JP2004007606A/ja active Pending
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-
2004
- 2004-06-17 JP JP2004179763A patent/JP2004260224A/ja active Pending
-
2008
- 2008-05-30 JP JP2008142645A patent/JP4917571B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01238037A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置、半導体装置の設計支援システム及び半導体装置を用いた電源システム |
JPH06196630A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2002043521A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Denso Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008294334A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置及びゲート耐圧試験方法 |
CN102460805A (zh) * | 2009-05-27 | 2012-05-16 | 巴莱诺斯清洁能源控股公司 | 用于燃料电池堆中的电池的旁路系统 |
JP2012528431A (ja) * | 2009-05-27 | 2012-11-12 | ベレノス・クリーン・パワー・ホールディング・アーゲー | 燃料電池スタックのセル用シャントシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60331221D1 (de) | 2010-03-25 |
US20030206047A1 (en) | 2003-11-06 |
ATE458277T1 (de) | 2010-03-15 |
EP1513197A2 (en) | 2005-03-09 |
JP2008277842A (ja) | 2008-11-13 |
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EP1513197B1 (en) | 2010-02-10 |
EP1357601B1 (en) | 2010-02-17 |
ATE457527T1 (de) | 2010-02-15 |
DE60331276D1 (de) | 2010-04-01 |
US6583663B1 (en) | 2003-06-24 |
JP2004260224A (ja) | 2004-09-16 |
EP1357601A2 (en) | 2003-10-29 |
EP1513197A3 (en) | 2007-08-29 |
JP4917571B2 (ja) | 2012-04-18 |
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