JP4917230B2 - 触媒装置 - Google Patents
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Description
この出願は1999年12月23日に出願された米国仮出願第60/173,017号の優先権を主張するものである。
【0002】
本発明は自動車及びディーゼル用途のための触媒コンバータに関する。
【0003】
触媒コンバータは、自動車から生成される一酸化炭素、炭化水素及び窒素酸化物(NOx)などの有害な排気物を低減するために1970年代初期に最初に使用された。これらのコンバータは依然として使用されており、通常、貴金属触媒を含有するコーティングによって覆われている金属又はセラミック(例えば、コージエライト)を含むハニカム支持体構造体を形成することにより製造されている。触媒で被覆された構造体は排気装置に連結された金属容器内に配置され、排気ガスはハニカムのチャンネルを通して流れるようになっている。
【0004】
触媒コーティングは、通常、マイクロメートルサイズの凝集したアルミナの粒子上に堆積されたナノメートルサイズの貴金属(例えば、白金、パラジウム及びロジウム)の粒子からなるウォッシュコートを用いて適用される。コーティングの厚さは、通常、10〜100μmの厚さであり、表面粗さを含む金属又はコージエライトの全体表面を被覆している。触媒コーティングはこの厚さで形成され、コンバータ装置の体積制限内で十分な触媒充填量を提供し、それにより、触媒コンバータの十分な初期性能及び十分な性能寿命を確保する。
【0005】
これらの触媒コンバータは、一旦、運転温度に達すると、排気物を抑制するのに有効であるが、「低温スタート」(cold start)時の排気物の抑制にはあまり有効でない。低温スタートとは、触媒温度が低く(例えば、周囲温度)であり、そして触媒反応の速度が有効な排気ガス処理のためには遅すぎるときである。高温エンジンガスが触媒を加熱し、触媒が運転し始める温度が達成され(一般にライトオフと呼ぶ)、そして反応が起こり、例えば、COからCO2への酸化が生じる。結果として、自動車は自動車が始動した後の最初の数分の間に最も汚染を生じさせることがよく認識されている。
【0006】
自動車の量及びさらなる厳格な清浄空気基準を考えると、この初期のスタートアップ時の汚染はより大きな問題である。この問題を解決するために、自動車のバッテリーにより出力される抵抗加熱を用いた触媒コンンバータの予熱などの幾つかのアプローチが試みられてきた。このアプローチではバッテリーの過度の消耗の問題があり、複雑さが増し、乗物を始動しそして即座に進行することができなくなるという問題がある(すなわち、コンバータを暖めるのに数分を要する)。別のアプローチはエンジンの熱を捕獲することであり、この熱はコンバータを加熱するためにある時間の後に使用されうる。このアプローチも複雑さが増し、始動しそして即座に進行することができず、そして熱が保持される時間が限定されている(例えば、24時間以下)という問題がある。
【0007】
したがって、上記に記載した問題などの従来技術の問題の1つ以上を克服する触媒装置及びこの装置の製造方法を提供することが望まれている。
【0008】
本発明の第一の態様は、溶融セラミック粒の触媒支持体、及び、このセラミック粒の少なくとも一部に表面結合しており、セラミック粒の少なくとも一部に取り込まれており又はその組み合わせである触媒を含む触媒装置であり、このセラミック粒及び触媒は、少なくとも1マイクロメートルから最大で1ミリメートルのボックスサイズ「d」から測定したときに、ボックスカウンティング次元が少なくとも1ステップ変化(one step change)を有するか、又は、ボックスカウンティング次元が1.00より大きい表面構造を形成している。
【0009】
本発明の第二の態様は、触媒装置上にガスを流すためのインレット及びアウトレットを有する金属容器内に包囲された第一の態様の触媒装置を含む触媒コンバータである。
【0010】
本発明の第三の態様は、触媒装置を通してガスを流すためのインレット及びアウトレットを有する金属容器内に包囲された第一の態様の触媒装置を含む触媒コンバータである。
【0011】
本発明の第四の態様は、触媒装置を通してガスを流すためのインレット及びアウトレットを有する金属容器内に包囲された第一の態様の触媒装置を含む触媒コンバータ−煤トラップである。
【0012】
驚くべきことに、第一の態様の触媒装置により、典型的な自動車用触媒コンバータよりもずっと薄い触媒コーティングの使用及びより速いライトオフが可能になる。さらに、触媒装置は触媒装置の触媒発熱反応(例えば、CO+1/2O2=CO2)により発生される熱によって続いて燃焼される煤粒子を捕獲するフィルター要素としても使用されうる。
【0013】
さらに、触媒装置は自熱性(autothermal)でありうるいずれの反応に使用することもできる。すなわち、点火点と消火点を有する反応である。一般に、これは反応が少なくとも4の絶対値を有するゼルドビッチ数(Zeldovich number)Bを有する場合である。ゼルドビッチ数Bは以下の式で示される。
【0014】
【数1】
【0015】
(式中、ΔHは反応熱であり、Coは制限反応体の濃度であり、ρは流体の密度であり、Cpは流体の熱容量であり、Eは反応の全活性化エネルギーであり、Toは反応体の温度であり、Rは普遍気体定数である)。
【0016】
図1は本発明の触媒装置の例の25×及び100×での走査型電子顕微鏡写真からなり、触媒は針状ムライトハニカム基材の壁内及び針上に堆積されたアルミナ及び白金のウォッシュコートである。
【0017】
図2は本発明の態様でない触媒装置の25×及び100×での走査型電子顕微鏡写真からなり、基材は図1に示されるのと同一のウォッシュコートで被覆された市販のコージエライトハニカム基材である。
【0018】
本発明は溶融セラミック粒の触媒支持体、及び、このセラミック粒の少なくとも一部に表面結合しており、セラミック粒の少なくとも一部の中に取り込まれており、又はそれらの組み合わせである触媒を含む触媒装置であり、セラミック粒及び触媒は少なくとも1マイクロメートルから最大で1ミリメートルのボックスサイズdから測定したときに、1.00より大きいか又は少なくとも1ステップ変化のボックスカウンティング次元を有する表面構造を形成している。
【0019】
本発明において、セラミック粒及び触媒は表面上の面積を増加させ、ガスはより好ましい拡散条件で触媒反応しうるものと信じられる。例えば、セラミック粒及び触媒はウォッシュコート粒子間の小さい孔チャンネルにより生じる拡散抵抗を低減するものと信じられる。一般に、これらのウォッシュコートは1マイクロメートル未満の大きさの孔チャンネル開口部を有する。本発明の表面構造の例は、平面表面がその表面から外側に延びている直交筒型突起を有するもの、すなわち、「ベッドオブネイル」であり、但し、突起(すなわち、ネイル)間の距離は突起間で形成されるチャンネルがガスのチャンネル内での拡散が実質的に阻害されるほど小さい開口部を有するほどには小さくならない。表面構造の別の例は、多孔質表面構造を形成するランダム配向の非対称粒である。
【0020】
表面構造のボックスカウンティング次元は構造がフラクタルタイプ構造であるときに1.00より大きい。又は、表面構造が周期的(例えば、ベッドオブネイル)であるときには、ボックスカウンティング次元は下記のラインの傾きにおいて少なくとも1ステップ変化を有する。ボックスカウンティング法はフラクタル技術において知られている方法、例えば、Falconer, Fractal Geometry Mathematical Foundations and Applications, John Wiley and Sons, NY, pages38-47, 1990に記載されている方法により決定されうる。
【0021】
以下は使用できるボックスカウンティング法の1つの例である。寸法dの円又はボックスを用いて、図に示される表面の断面の顕微鏡写真からの表面構造の同一部分をカバーする(例えば、「ベッドオブネイル」の顕微鏡写真はクシの歯の長さに対して直角に見たクシのように見える)。dの最小寸法は下限(1マイクロメートル)であり、dの最大寸法は上限(1ミリメートル)であり、前のパラグラフで記載している。表面をカバーするのに必要なボックス又は円の量Mは上限及び下限で又はその間で周期的に決定される。ボックスカウンティング次元はlog M対log dの対数比により示され、dは測定限界内で0に近づく。ボックスカウンティング法による表面の分析において、市販の画像分析ソフトウェア、例えば、TruSoft International, Inc., St. Petersburg, FL33704から入手可能なBenoit, version 1.3, Fractal Analysis Systemを用いることができる。
【0022】
ボックスカウンティング次元は、得られるラインの傾きが本質的に一定の傾きであるときに(例えばフラクタルタイプ表面)1より大きい。上限及び下限の範囲内でラインの傾きが突然変化し、その後、傾きの突然変化の前と同様の傾きが続くときには、ボックスカウンティング次元は1ステップ変化を有する。ステップ変化の例は、ボックスサイズが「ベッドオブネイル」におけるネイル間の空間とちょうど等しくなるときである。これらのタイプの構造は広く周期構造と呼ばれ、そして擬周期構造(例えば、異なる長さのネイルを有する「ベッドオブネイル」)を含む。
【0023】
フラクタルタイプ構造が望まれるときには、ボックスカウンティング次元は好ましくは少なくとも1.01であり、より好ましくは少なくとも1.05であり、さらにより好ましくは少なくとも1.2であり、そして最も好ましくは少なくとも1.5である。所望の構造が周期的であるときには、少なくとも2ステップ変化を有することが好ましく、より好ましくは少なくとも3ステップ変化、そして最も好ましくは少なくとも4ステップ変化を有する。
【0024】
ボックスカウンティング次元は1マイクロメートルの下限及び1ミリメートルの上限で決定される。下限はウォッシュコート粒子間の孔チャンネルサイズに対応することが理解される。ウォッシュコート粒子は一般に凝集した粒子群を含み、ウォッシュコート粒子間の孔チャンネルよりも小さい孔チャンネルを画定している。例えば、顕微鏡サンプル調製のために生じるウォッシュコートにおける亀裂は測定に適用されないことも理解される。好ましくは、下限は2マイクロメートルであり、より好ましくは5マイクロメートルであり、そして最も好ましくは10マイクロメートルである。
【0025】
セラミック粒は、当業界において知られているようなどの適切なセラミック粒であってもよい。一般に、セラミック粒は酸化物である。好ましくは、セラミックはアルミナ、シリカ又はアルミノシリケートである。より好ましくは、セラミックはアルミノシリケートである。最も好ましくは、セラミック粒はムライト粒である。粒子タイプは電子線回折、X−線回折及びエネルギー分散分光測定などの適切な技術によって決定されうる。
【0026】
好ましくは、実質的に全てのセラミック粒は針状セラミック粒である。実質的に全てのセラミック粒が針状であるとは、支持体の粒の少なくとも90%が針状粒であることを意味する。より好ましくは、全ての粒は針状粒である。
【0027】
針状セラミック粒は、一般に、少なくとも2のアスペクト比を有するセラミック粒である。好ましくは、針状粒は少なくとも10のアスペクト比を有する。一般に、断面寸法(すなわち、幅及び深さ)は少なくとも0.1マイクロメートルから250マイクロメートルである。好ましくは、断面寸法は少なくとも1マイクロメートル、より好ましくは少なくとも2マイクロメートル、そして最も好ましくは少なくとも10マイクロメートルから、好ましくは、150マイクロメートル以下、より好ましくは100マイクロメートル以下、そして最も好ましくは50マイクロメートル以下である。針状粒の長さ(すなわち、最長寸法)は、一般に、少なくとも1マイクロメートルから2ミリメートル以下である。好ましくは、その長さは好ましくは少なくとも10マイクロメートル、より好ましくは少なくとも20マイクロメートル、そして最も好ましくは少なくとも100マイクロメートルから、好ましくは1.5ミリメートル以下、より好ましくは1ミリメートル以下、そして最も好ましくは500マイクロメートル以下である。
【0028】
セラミック粒はまた、互いに融着して、触媒支持体を形成する。「融着(溶融)」とは互いに焼結している粒を意味する(すなわち、粒間の粒界はガラスなどを含むセラミックを含む)。
【0029】
触媒支持体は好ましくは多孔質である(すなわち、多孔質触媒支持体)。実質的に全ての孔は開放孔であることも好ましい。開放孔は液体又は気体にアクセス可能である(すなわち、液体又は気体が浸入することができる)孔である。換言すれば、開放孔は閉止されておらず又はエントラップされていない。好ましくは、この開放孔は支持体全体を通して連続的に相互連結されている。このことは針状粒がランダムに配向されているときに一般に起こることである。この文脈において、「実質的に全て」とは、触媒支持体が、触媒支持体の孔の全量のうち5%以下の閉止孔を含むことを意味する。好ましくは、閉止孔の量はほぼ微量(トレース量)以下である。好ましくは、閉止孔の殆どは個々の粒の内部の孔を含む(すなわち、1つより多くの粒子の表面が画定している孔ではない)。開放孔及び閉止孔は当業界において知られているような適切な技術によって測定されうる。
【0030】
好ましい針状セラミック粒のユニークな構造のために、多孔質触媒支持体は、少なくとも40体積%の多孔度を有しながら、触媒コンバータ用途に適する強度を有することができる。好ましくは、多孔度は触媒支持体の少なくとも50体積%、より好ましくは少なくとも60体積%、そして最も好ましくは少なくとも65体積%から、一般に、85体積%以下である。
【0031】
触媒装置は、触媒支持体に加えて、セラミック粒の少なくとも一部に表面結合しているか、セラミック粒の少なくとも一部に取り込まれているか、又はそれらの組み合わせである触媒を含む。触媒は当業界において知られているようなどの適切な触媒であってもよい。特に、触媒は以下の好ましい態様のいずれか又はそれらの組み合わせであってよい。
【0032】
第一の好ましい触媒は貴金属、卑金属及びそれらの組み合わせなどの直接的に結合した金属触媒である。貴金属触媒の例は白金、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、レニウム、銀及びそれらの合金を含む。卑金属触媒の例は銅、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、マンガン、バナジウム、チタン、スカンジウム及びそれらの組み合わせを含む。金属触媒は、好ましくは、金属の形態であるが、酸化物、窒化物及び炭化物などの無機化合物として存在してもよく、又は、多孔質触媒支持体のセラミック粒の内部の欠陥構造として存在してもよい。金属は当業界において知られているような適切な技術のいずれかによって適用できる。例えば、金属触媒はケミカルベーパーデポジションによって適用されうる。
【0033】
第二の好ましい触媒コーティングは多孔質触媒支持体のセラミック粒の格子構造中に取り込まれたものである。例えば、元素としてはCe、Zr、La、Mg、Ca、前のパラグラフで記載した金属元素又はそれらの組み合わせであってよい。これらの元素は当業界において知られているようないずれかの適切な様式で、以下に記載する方法によって取り込まれることができる。
【0034】
第三の好ましい触媒は、金属が堆積されたセラミック粒子の組み合わせである。これらは、通常、ウォッシュコートと呼ばれている。一般に、ウォッシュコートは金属が上に堆積されたマイクロメートルサイズのセラミック粒子からなり、例えば、金属が堆積されたゼオライト、アルミノシリケート、シリカ、セリア、ジルコニア、酸化バリウム、炭酸バリウム及びアルミナ粒子である。金属は直接的に堆積される金属について上記に記載したいずれのものであってもよい。特に好ましいウォッシュコート触媒コーティングは貴金属を有するアルミナ粒子を含むものである。ジルコニウム、バリウム、ランタン、マグネシウム及びセリウムのうちの少なくとも1つの酸化物を有するアルミナなどの1種を超える金属酸化物を含むこともできる。
【0035】
第四の好ましい触媒は米国特許第5,939,354号明細書にGoldenが記載しているような金属酸化物組成物を含むペロブスカイト型触媒である。
【0036】
第五の好ましい触媒は、以下の組成物を300℃〜3000℃の温度で焼成することにより形成され、そして触媒支持体上に堆積されるものである:上記組成物は(a)少なくとも1種の金属塩を含む塩水溶液及び(b)平均分子量が400を超え、エチレンオキシド含有分が5〜90%であり、そしてHLBが−15〜15である、両親媒性エチレンオキシド含有コポリマーを含み、GruenbauerらによりPCT特許出願第99/18809号に記載されているとおりである。さらに、触媒は米国特許第5,698,483号明細書及びPCT特許出願第99/03627号に記載されているものなどであってよい。
【0037】
触媒は、特定の用途に十分な触媒が存在しているときに、セラミック粒の少なくとも一部に結合しているか又はそこに取り込まれている。一般に、少なくとも10%から本質的に全てのセラミック粒は触媒でコーティングされているか又は触媒を含む。
【0038】
触媒が多孔質触媒支持体のセラミック粒の少なくとも1つの元素に化学結合されているときに、この触媒は結合している。
【0039】
一般に、セラミック粒の表面に結合している触媒は層を形成しており、この層は、触媒が結合しているセラミック粒の少なくとも10%が、被覆された各セラミック粒の最小寸法の1/2以下の厚さを有するようなものである。好ましくは、上記の文に記載されるとおりの厚さが1/3以下であり、より好ましくは1/4以下であり、そして最も好ましくは1/5以下である。さらに、触媒コーティングがモノレイヤー(すなわち、1原子又は1分子の厚さである)以下であることも望ましいことがある。
【0040】
多孔質触媒支持体を形成するセラミック粒はこの多孔質触媒支持体の多孔度よりも低い多孔度を有する材料を含む構造支持体に結合されてもよい。一般に、構造支持体は多孔質触媒支持体よりも少なくとも20%低い多孔度を有する。例えば、多孔質触媒支持体の多孔度が70%であるときに、構造支持体は一般に50体積%以下の多孔度を有する。一般に、構造支持体は50体積%以下、より好ましくは30体積%以下、そして最も好ましくは10体積%以下の多孔度を有する。
【0041】
構造支持体はどの適切な方法によって結合されてもよい。一般に、構造支持体は触媒コンバータの運転の厳しさに耐えるのに十分に結合される。好ましくは、構造支持体は多孔質触媒支持体に融着され、融着は上記と同様に使用される。
【0042】
構造支持体はどの適切な材料であってもよい。例えば、材料は多孔度が上記のとおりに異なっているかぎり、多孔質触媒支持体と同一の化学物質であっても又は異なる化学物質であってもよい。構造支持体は金属であっても、セラミックであっても、又はそれらの組み合わせであってもよい。構造支持体がセラミックであるときには、その粒は、針状とは対照的に実質的に対称であることが好ましい。実質的に対称であるとは、粒の平均アスペクト比が2以下であるときである。コージエライトは好ましい構造支持体である。
【0043】
触媒支持体を形成するセラミック粒はどの適切な方法で製造してもよい。適切な方法には、例えば、米国特許第5,194,154号、同第5,198,007号、同第5,173,349号、同第4,911,902号、同第5,252,272号、同第4,948,766号及び同第4,910,172号明細書に記載されているような針状ムライトの製造方法が含まれる。
【0044】
多孔質触媒支持体を製造するときに、一般に、前駆体化合物を混合し、その後、支持体の針状セラミック粒を形成するのに十分に加熱する。例えば、支持体がムライトであるときに、Al、Si及び酸素を含有する前駆体化合物を混合して、フルオロトパーズを形成し次いでムライトを形成することができる混合物を形成する。ムライト多孔質触媒支持体を形成するために使用することができる前駆体化合物は上記の米国特許明細書に記載されている。
【0045】
前駆体化合物の混合物は多孔質触媒の針状セラミック粒の粒子構造内に取り込まれることができる元素を有する前駆体触媒化合物を含むこともできる。これらの取り込まれる触媒を形成するのに有用な化合物の例は多孔質触媒のセラミック粒中に取り込まれることができる触媒について上記した元素を有する無機化合物及び有機化合物を含む。
【0046】
混合物の造形を容易にするために他の有機化合物を用いることもできる(例えば、Introduction to the Principles of Ceramic Processing, J. Reed, Wiley Interscience, 1988に記載されているようなバインダーおよび分散剤)。一般に、ムライト多孔質触媒支持体を形成するときに、混合物は、クレー(すなわち、水和されたアルミニウムシリケート)、他のアルミノシリケート、例えば、カイアナイト又はゼオライト、アルミナ、シリカ、三フッ化アルミニウム及びフルオロトパーズなどの化合物を含む。好ましくは、前駆体化合物はクレー、シリカ、アルミナ及びそれらの混合物からなる群より選ばれる。最も好ましくは、混合物はムライト多孔質触媒支持体を形成するときには、クレー及びアルミナを含む。
【0047】
混合物は当業界において知られているようなどの適切な方法によって製造されてもよい。例はボールミリングリボンブレンディング、垂直スクリュー混合、V-ブレンディング及びアトリションミリングを含む。混合物はドライ(すなわち、液媒の不在下に)、又は、ウェットで調製されてよい。
【0048】
混合物は、その後、当業界において知られているいずれかの適切な方法によって多孔質形状へと造形される。例はインジェクションモールディング、押出、等圧プレス(isostatic pressing)、スリップキャスティング、ロールコンパクション及びテープキャスティングを含む。これらの例はIntroduction to the Principles of Ceramic Processing, J. Reed, Chapters 20 and 21, Wiley Interscience, 1988により詳細に記載されている。
【0049】
前駆体化合物の混合物は多孔質触媒支持体を形成するために十分な雰囲気下に加熱される。所望の多孔質触媒支持体のセラミック粒の化学的性質によって、どの適切な温度及び雰囲気を用いてもよい。例えば、ムライトを形成するときには、前駆体化合物の加熱の少なくともある時間の間には、SiF4、AlF3、HF、Na2SiF6、NaF及びNH4Fなどの源からのフッ素が雰囲気中に存在する。
【0050】
ムライトを製造するときに、多孔質体を、一般に、多孔質体中の前駆体化合物をフルオロトパーズに転化するために十分な時間、第一の温度に加熱し、その後、ムライト組成物を形成するために十分な第二の温度に上げる。温度は完全なムライト生成を確保するために第一の温度と第二の温度とを繰り返してもよい。ムライト生成後、多孔質体は製品中のフッ化物イオンの量を低減するための処理を行ってもよい。フッ化物イオンを低減するための方法は米国特許第5,173,349号明細書に記載されている方法を含む。第一の温度は500℃〜950℃であることができる。好ましくは、第一の温度は少なくとも550℃、より好ましくは少なくとも650℃、そして最も好ましくは少なくとも725℃から、好ましくは850℃以下、より好ましくは800℃以下、そして最も好ましくは775℃以下である。
【0051】
第二の温度は、一般に、少なくとも1000℃から1700℃以下である。好ましくは、第二の温度は、少なくとも1050℃、より好ましくは少なくとも1075℃、そして最も好ましくは少なくとも1100℃から、好ましくは1600℃以下、より好ましくは1400℃以下、そして最も好ましくは1200℃以下である。
【0052】
一般に、ムライト多孔質触媒支持体を形成するための第一の温度への加熱の間に、雰囲気は、フッ素含有ガスを通常に導入する温度である500℃までは不活性(例えば、窒素)であるか又は真空である。第一の温度に加熱する間に、有機化合物及び水は除去されうる。これらは、当業界に一般的な別個の加熱工程において除去されてもよく、例えば、Introduction to the Principles of Ceramic Processing, J. Reed, Wiley Interscience, 1988に記載されている。
【0053】
上記のとおり、多孔質触媒支持体の粒中に触媒が取り込まれることに加えて、触媒は当業界において知られている適切な方法によって支持体が製造された後に、触媒は適用されうる。例えば、触媒は蒸着法及び溶液法によって適用されうる。特に、金属触媒を適切な溶剤(例えば、水)中の可溶性塩(例えば、白金塩)により溶液から触媒支持体に塗布し、次いで、加熱して塩を分解してよい。触媒は、既知のウォッシュコート及びその適用法を用いることによっても多孔質触媒支持体に適用されうる。もちろん、触媒コーティングの形成方法のいずれか1つ又はその組み合わせを用いてもよい。
【0054】
触媒装置は、また、触媒コンバータ中に使用するときに特に有用である。1つの態様において、触媒装置は、自動車排気系において通常に行われているように、触媒装置上にガス(例えば、排気ガス)を流すためのインレット及びアウトレットを有する金属容器内に包囲されている。別の態様において、触媒装置は触媒装置を通してガスを流すためのインレット及びアウトレットを有する金属容器内に包囲されている。金属容器は触媒コンバータを製造するための当業界に知られているどの適切な容器であってもよい。触媒装置の形状は、ペレット、平板及びハニカムなどの適切な形状であってよい。
【0055】
驚くべきことに、同一の条件下で、触媒装置を含む触媒コンバータは、一般に、既知の触媒コンバータよりも短いライトオフ時間を有する。ライトオフ時間とは、触媒が反応の点火温度に達するのに要する時間である。さらに、貴金属触媒の量は、もし使用されるならば、より少量であることができる。というのは、金属触媒原子の粒子又はクラスターがより均一に広がり、触媒コンンバータの最も問題である被毒、「金属触媒の焼結」をさけることができるからである。好ましくは、触媒コンバータ又は装置は実質的により短いライトオフ時間を有する。実質的に、より短いライトオフ時間は、一般に、その時間が少なくとも5%短いことを意味する。
【0056】
さらにもっと驚くべきことには、同一の条件下に、触媒コンバータ又は装置は、実質的に同一の条件下に試験して、実質的に同一の触媒を用いて調製された金属もしくはコージエライト基材から製造された既知の触媒コンバータよりも低いライトオフ温度を有することができる。実質的に同一の触媒及び条件とは、例えば、同一の白金充填量及びウォッシュコート及びガス流量速度及びガス組成を含む。好ましくは、ライトオフ温度は実質的により低い。ライトオフ温度は、その温度が少なくとも10℃低いときに、一般に、実質的により低いという。好ましくは、ライトオフ温度は少なくとも15℃低く、そしてより好ましくは少なくとも20℃低い。
【0057】
触媒装置は、また、ディーゼルエンジンのための粒状物(煤)トラップ及び排気触媒として特に有用である。この態様において、触媒装置は触媒装置を通して排気ガスを流すためのインレット及びアウトレットを有する金属カン内に閉じ込められる。このような配置で、煤粒子は、一般に、より小さい孔径を有する領域でトラップされ、そして排気ガスは、通常、より大きな孔径を有する領域で触媒されるであろう。煤粒子は触媒において保持されるので、驚くべきことに、煤粒子は触媒が運転温度まで加熱されたときに燃焼し、そして得られた燃焼ガスは排気ガスと同様に触媒される。
【0058】
例
一般に、以下の例は乗物で期待される運転温度で試験された(例えば、過剰酸素を有する0.5体積%CO及びこのような用途で一般に使用される白金量)。
【0059】
例1
天然ボールクレー(Todd Darkグレード, Kentucky-Tennessee Clay Company)、K−アルミナ(ALCOA ギブサイト、1100℃で焼成)及びポリマーバインダーの混合物を押出すことにより、セル密度240セル/平方インチ及び壁厚0.013〜0.014インチを有する正方形チャンネルハニカムを形成した。クレー及びアルミナはAl:Si原子比3.15を与える割合で混合した。ハニカムを押出成形した。押出成形されたハニカムを、その後、1時間1000℃まで空気中でゆっくりと加熱し、ポリマーバインダーを燃焼させ、そしてクレーの構造水を追い出した。得られた焼成ハニカムを試験に要求されるサイズに切断し、そしてその後、SiF4源に連結されそしてガス雰囲気を調節することが可能になった真空炉内で針状ムライトに転化した。
【0060】
焼成したハニカムを真空下に735℃まで加熱し、そしてその温度に少なくとも1時間保持し、その後、真空下に720℃まで冷却した。この点で、SiF4ガスを加えて、圧力を600トルに維持した。その後、炉を1.5℃/分で加熱し、必要なときにSiF4を添加し、SiF4の吸収が本質的に完了するまで600トルの圧力を維持した(820℃)。この点で、反応器の圧力を200トルまで低下し、そして必要なときにSiF4を除去するように反応器をセットし、その圧力を維持した。炉を3℃/分で1000℃まで加熱し、その後、SiF4の放出が実質的に止まるまで1℃/分で加熱した(1100℃)。反応器を排気し、そして周囲温度に冷却し、そしてセル密度238セル/平方インチの得られたムライトハニカムを取り出した。
【0061】
商品名DISPAL(Condea Chemie GMBH, Lake Charles, LA)で入手可能な、粒径120nm及び焼成後の表面積155m2/gである水性アルミナスラリー(20重量%)中にムライトハニカムを完全に浸漬させた。ムライトハニカムをスラリーから取り出し、そしてハニカムのチャンネルを通して圧縮空気を吹き付けることにより過剰のスラリーを除去した。このサンプルを乾燥させ、30,000m2表面積/1リットルハニカム体積(焼成後)を提供するのに十分なアルミナが添加されるまでスラリー内に再び浸漬させた。所望のアルミナ量が堆積したときに、ムライトハニカムを炉内で600℃の温度に2時間加熱した。
【0062】
周囲温度に冷却した後に、ジアミンジニトリト白金の希アンモニア溶液(0.425重量%のジアミンジニトリト白金)中にハニカムの末端を、溶液がハニカムの半分まで吸い上げられるまで浸漬し、その後、ハニカムを反転しそしてこの手順を繰り返した。周囲条件での乾燥の後、サンプルを空気炉内で200℃にまで2時間加熱し、ジアミンジニトリト白金を分解して酸化白金とした。このサンプルを、その後、5%水素/窒素雰囲気中225℃で6時間加熱し、酸化白金を白金金属に還元した。得られた触媒装置は、中性子活性化分析により決定した白金の質量及び触媒装置又はモノリスの外側寸法から計算して、0.84g/lの白金濃度を有した。
【0063】
モノリスのライトオフ温度を以下のとおりに決定した。INTERAM Mount Mat(3M corporation)を用いることによりステンレススチールサンプルホルダー中にモノリスを留めた。検量された質量流量コントローラ(Brooks)及び空気/N2/COガスマニホールドを用いて、40標準リットル/分(slpm)の流速のO2/N2/COガス混合物を発生させた。このガス混合物を充填床熱交換器(石英チップで充填され、そしてチューブ炉内にあるステンレススチールパイプ)で加熱し、その後、試験モノリスを通過させた。モノリスに入るガスの温度(T3)は、モノリスの前面から上流約1と3/4インチにサンプルホルダー中にあるタイプK熱電対により測定した。サンプル点火の近傍でdT3/dtを5℃/分未満に制限するようにチュープ炉のセットポイント温度を調節した。モノリス及びサンプルホルダーを出るガス混合物の組成を、10秒未満の応答時間を有するCO/O2/CO2分析器(Servomex 1440シリーズ)によって連続的にモニターした。モノリスを出るガス中のCO濃度が入り口ガスの値の50%にまで落ちた温度(T3)としてライトオフ温度を定義した。同様に、冷却時に、出口CO濃度が入口の値の50%になる入口ガス温度として消火温度を定義した。この例では、ライトオフ温度は246℃であり、そして消火温度は212℃であった。表1にも示す。さらに、この例は、図1に示されており、触媒ウォッシュコートは針状ムライトハニカム基材の針の上及び壁に堆積されている。
【0064】
例2
例2は例1と同様に調製しそして試験したが、白金濃度は1.56g/リットルであり、ライトオフ温度は233℃であり、消火温度は200℃であった(表1にも示している)。
【0065】
例3
例3は例1と同様に調製しそして試験したが、ジアミンジニトリト白金の水溶液の濃度は0.85重量%であり、白金の濃度は2.03g/リットルであり、そしてライトオフ温度は224℃であり、そして消火温度は185℃であった(表1にも示している)。
【0066】
例4
例4は例3と同様に調製しそして試験したが、白金の濃度は2.73g/リットルであり、そしてライトオフ温度は232℃であり、そして消火温度は192℃であった(表1にも示している)。
【0067】
比較例1
Corning Inc., Corning NYから入手可能な市販のコージエライト(グレードEX−80)ハニカムであって、セル密度300セル/平方インチのハニカムを例3のムライトと同一のアルミナ及び白金で被覆して、同様に試験した。白金の濃度は1.5g/リットルであり、そしてモノリスは271℃のライトオフ温度及び229℃の消火温度を有した(表1参照)。
【0068】
比較例2
Corning Inc., Corning NYから入手可能な市販のコージエライト(グレードEX−80)ハニカムであって、セル密度200セル/平方インチのハニカムを比較例1と同様に製造し、そして試験したが、ジアミンジニトリト白金の水溶液の濃度は1.7重量%であった。白金の濃度は1.8g/リットルであり、そしてモノリスは262℃のライトオフ温度及び227℃の消火温度を有した(表1参照)。さらに、この比較例は図2に示されており、表面が請求項1の範囲にないことが容易に観測される。
【0069】
比較例3
Corning Inc., Corning NYから入手可能な市販のコージエライト(グレードEX−80)ハニカムであって、セル密度300セル/平方インチのハニカムを比較例1と同様に製造しそして試験したが、ジアミンジニトリト白金の水溶液の濃度は1.7重量%であった。白金の濃度は3.0g/リットルであり、そしてモノリスは240℃のライトオフ温度及び201℃の消火温度を有した(表1参照)。
【0070】
比較例4
Corning Inc., Corning NYから入手可能な市販のコージエライト(グレードEX−80)ハニカムであって、セル密度400セル/平方インチのハニカムを比較例1と同様に製造しそして試験したが、ジアミンジニトリト白金の水溶液の濃度は1.7重量%であった。白金の濃度は2.2g/リットルであり、そしてモノリスは265℃のライトオフ温度及び223℃の消火温度を有した(表1参照)。
【0071】
【表1】
【0072】
例1〜4は、比較例1〜3と同様に、白金の濃度の増加に伴い、ライトオフ温度が低下する一般的な傾向を示している。白金の増加に伴い、下限に到達しているようである。これは、例えば、白金が焼結し、結果的に、反応に利用されうる白金の量を減少させていることによるものであろう。さらに、ハニカムのセル/平方インチはライトオフ温度に温度に殆ど影響を及ぼさないか又は全く影響を及ぼさないようである(比較例1、2及び4参照)。
【0073】
驚くべきことに、本質的に同一のウォッシュコートアルミナ及び白金触媒並びに各々同量を用いても、本発明の触媒装置は市販のコージエライト基材よりもほぼ40℃低いライトオフ温度を有する(例1と、比較例1及び2とを参照)。さらにより驚くべきことには、本発明の触媒装置は、コージエライトをベースとする触媒装置上に存在する白金濃度の半分以下であっても、30℃低いライトオフ温度を有する(例1と、比較例1、2及び4とを参照)。コージエライトをベースとする装置の白金濃度が4倍であるときにのみ、ライトオフ温度は本発明の触媒装置と同等になる。
【0074】
このことは完全に予期せぬことであった。というのは、例えば、同一の性能を達成しながら、実質的に低減された貴金属濃度で触媒コンバータを使用することが可能であろうからである。さらに、より低い白金濃度でのより低いライトオフ温度は、例えば、貴金属の焼結による、時間経過に伴う触媒劣化を抑制することになりうる。最後に、同等の貴金属濃度でより低い温度でライトオフすることができる能力により、実質的なコスト又は努力を伴わずに、より過酷な排出規制を満たすことを可能にすることができる。
【0075】
さらに、消火温度はライトオフ温度と同様に驚くほど低減されている。より低い消火温度は非常に望ましい。というのは、触媒が一度点火された後に、エンジンの速度及び排気組成及び温度の変化により、反応の消火を生じさせることがあるからである。結果として、より低い消火温度を有する触媒はこの問題を受けにくい。このため、より低い消火温度を有する触媒は、他の全てのことが同一で、より高い転化率(効率)をもたらすであろう。より低い消火温度は触媒の寿命を改善するものと信じられる。というのは、一般に、反応が触媒のインレットにより近いであろうからである。
Claims (20)
- セラミック粒からなる触媒支持体、及び、前記セラミック粒の少なくとも一部に表面結合しているか、前記セラミック粒の少なくとも一部に取り込まれているか、又は、それらの組み合わせである触媒を含む触媒装置であり、前記セラミック粒及び触媒は、少なくとも1.0マイクロメートルから1ミリメートル以下のボックスサイズdから測定されたときに、ボックスカウンティング次元が少なくとも1ステップ変化を有するか、又は、少なくとも1.2のボックスカウンティング次元を有する表面構造を形成しており、前記セラミック粒はアスペクト比が少なくとも10である、触媒装置。
- セラミック粒からなる触媒支持体、及び、前記セラミック粒の少なくとも一部に表面結合しているか、前記セラミック粒の少なくとも一部に取り込まれているか、又は、それらの組み合わせである触媒を含む触媒装置であり、前記セラミック粒及び触媒は、少なくとも1.0マイクロメートルから1ミリメートル以下のボックスサイズdから測定されたときに、ボックスカウンティング次元が少なくとも1ステップ変化を有するか、又は、少なくとも1.2のボックスカウンティング次元を有する表面構造を形成しており、前記セラミック粒はアスペクト比が少なくとも10であり、前記セラミック粒はその中に取り込まれた少なくとも1種の触媒活性元素を有する、触媒装置。
- 前記セラミック粒は針状ムライト粒である、請求項1記載の触媒装置。
- 前記触媒支持体は多孔質である、請求項1記載の触媒装置。
- 前記触媒支持体は多孔度が少なくとも50体積%である、請求項4記載の触媒装置。
- 前記多孔度は少なくとも60体積%である、請求項5記載の触媒装置。
- 前記多孔度は少なくとも70体積%である、請求項6記載の触媒装置。
- 前記触媒はセラミック、金属又はそれらの混合物である、請求項1記載の触媒装置。
- 前記触媒は、Ni、Ti、Fe、Ce、Zr、La、Mg、Ca及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる元素を含む、請求項8記載の触媒装置。
- セラミック粒からなる触媒支持体、及び、前記セラミック粒の少なくとも一部に表面結合しているか、前記セラミック粒の少なくとも一部に取り込まれているか、又は、それらの組み合わせである触媒を含む触媒装置であり、前記セラミック粒及び触媒は、少なくとも1.0マイクロメートルから1ミリメートル以下のボックスサイズdから測定されたときに、ボックスカウンティング次元が少なくとも1ステップ変化を有するか、又は、少なくとも1.2のボックスカウンティング次元を有する表面構造を形成しており、前記セラミック粒はアスペクト比が少なくとも10であり、前記触媒は、金属を上に有するゼオライト、金属を上に有するアルミナもしくは金属を上に有する、ムライト以外のアルミノシリケート、ペロブスカイト型触媒又はパイロクロール(pyrochlors)である、触媒装置。
- 前記触媒は触媒支持体のセラミック粒に直接結合している、請求項1記載の触媒装置。
- 前記触媒は貴金属、卑金属、卑金属酸化物又はそれらの組み合わせである、請求項11記載の触媒装置。
- 前記触媒は白金、ロジウム、パラジウム及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれたものである、請求項12記載の触媒装置。
- 前記卑金属はCu、Cr、Fe、Co、Ni及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれたものである、請求項12記載の触媒装置。
- 前記触媒は前記セラミック粒の表面の少なくとも一部に結合して層を形成しており、前記触媒が結合している前記セラミック粒の少なくとも10%は層の厚さが被覆された各セラミック粒の最小寸法の1/2以下である、請求項1記載の触媒装置。
- 前記触媒が結合している前記セラミック粒の少なくとも10%は層の厚さが被覆された各セラミック粒の最小寸法の1/4である、請求項15記載の触媒装置。
- 触媒装置上にガスを流すためのインレット及びアウトレットを有する金属容器内に包囲されている請求項1記載の触媒装置を含む、触媒コンバータ。
- 触媒装置を通してガスを流すためのインレット及びアウトレットを有する金属容器内に包囲されている請求項4記載の触媒装置を含む、触媒コンバータ。
- 触媒装置を通してガスを流すためのインレット及びアウトレットを有する金属容器内に包囲されている請求項4の触媒装置を含む、触媒コンバータ−煤トラップ。
- 前記触媒は金属を上に有するアルミナを含む、請求項10記載の触媒装置。
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