JP4898937B2 - 多数個取り配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、製品単位となる配線基板の基板本体を複数個併有する多数個取り配線基板およびその製造方法に関する。

近年の多機能化の要請に応じて、配線基板の表面に各種の半導体素子や水晶振動子などの電子部品を複数個併設するように実装できることが求められている。このため、各種の電子部品における接続端子に対応して、異なる金属のメッキ膜を個別に被覆した複数の表面電極を表面などに形成した配線基板が求められる。
一方、以上のような配線基板を生産性良く得るために、多数個取りの配線基板において、個々の配線基板における内部配線の電気的チェックが効率良く行えるようにした多数個取り配線基板も提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００３−１７８１６号公報（第１〜５頁、図１，２）

前記多数個取り配線基板における個々の配線基板領域の配線導体の露出表面には、Ｎｉメッキ層やＡｕメッキ層が被着される。かかる異なる金属のメッキ層を異なる配線導体の露出表面に被着する場合、これまで次のようにして行われていた。即ち、上記配線導体における一方の露出表面をマスキングした状態で、その配線導体をメッキ電極として電解Ｎｉメッキを施した後、上記マスキングを除去し且つ他方の露出表面をマスキングした状態で、その配線導体をメッキ電極として電解Ａｕメッキを施している。このため、メッキ工数やコストが増えていた。
しかも、配線基板の小型化および内部配線のファインピッチ化の要請により、上記マスキングのためのスペースが取りにくくなっていると共に、前記のように多数個取り配線基板の状態で、個々の配線基板の電気的特性の試験を精度および効率良く行うことが求められている。しかしながら、かかる要請に対応した技術は、これまで提案されていなかった。

本発明は、前記背景技術おける問題点を解決し、基板本体の表面などに同種または異種の金属メッキ層を個別且つ精緻に被覆した複数の表面電極を併設した配線基板を複数併有する多数個取り配線基板、および当該多数個取り配線基板を効率良く製造できる製造方法を提供する、ことを課題とする。

課題を解決するための手段および発明の効果

本発明は、前記課題を解決するため、発明者の鋭意研究の結果、多数個取り配線基板内の各配線基板ごとに、互いに独立した複数の回路を形成する複数組の内部配線層を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の多数個取り配線基板（請求項１）は、製品単位となる配線基板の基板本体を平面方向に沿って複数個併有する絶縁層からなるベース基板と、かかるベース基板の側面において厚み方向に沿って形成された複数の外部接続用端子と、上記基板本体ごとに内蔵され且つ互いに独立回路として形成された少なくとも第１配線層および第２配線層と、を含み、上記基板本体ごとに内蔵して形成された第１配線層および第２配線層は、当該基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に形成された第１表面電極および第２表面電極と個別に接続され、かかる第１表面電極および第２表面電極は、Ｎｉメッキ層と、該Ｎｉメッキ層の表面を被覆したＡｕメッキ層と、を含むと共に、該第１表面電極および第２表面電極の一方は、上記Ａｕメッキ層の表面をＡｇメッキ層が更に被覆しており、上記複数の外部接続用端子は、上記第１配線層のみに導通可能とされる第１外部接続用端子と、上記第２配線層のみに導通可能とされる第２外部接続用端子とを備えている、ことを特徴とする。

これによれば、第１外部接続用端子および上記基板本体ごとの第１配線層に導通する第１表面電極と、第２外部接続用端子および上記基板本体ごとの第２配線層に導通する第２表面電極とに、それぞれＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層が被覆され、且つ何れか一方にはＡｇメッキ層を更に被覆した配線基板の基板本体群を有している。このため、各配線基板ごとの表面や裏面に種々の電子部品を同時に実装し、あるいは接続することが可能な多数個取り配線基板とすることができ、高性能化および多機能化に対応することが容易となる。しかも、多数個取り配線基板の状態で、個別の配線基板における第１配線層や第２配線層などの電気的チェックも効率良く且つ正確に行えるため、追って個別に分割される各配線基板ごとの電気的信頼性を高めることも可能となる。従って、高性能化および多機能化に容易に対応し得る配線基板を効率良く提供できる。

更に、前記Ａｕメッキ層の表面にＡｇメッキ層を被覆することにより、第１表面電極および第２表面電極の双方のＮｉメッキ層の表面にＡｕメッキ層を同時に被覆した後、何れか一方のＡｕメッキ層の表面にのみＡｇメッキ層を被覆することができるため、後述する製造方法の各メッキ工程の管理が容易となる。
また、Ｎｉメッキ層の表面にＡｕメッキ層およびＡｇメッキ層の順序で被覆するため、逆の順序のＡｇメッキ層およびＡｕメッキ層の場合に、Ａｕよりもイオン化傾向が高いＡｇが、電解Ａｕメッキ中に不通電側の表面電極からメッキ液中に溶出し、不導通側の表面電極のＡｇメッキ層上にＡｕメッキが置換析出することを防ぐことができる。あるいは、Ａｕメッキの置換析出に至らなくても、Ａｇメッキ層の表面を変色させ、光の反射特性を低下させる事態を防ぐこともできる。
更に、Ａｕメッキ層およびＡｇメッキ層の順序でメッキする際、予めＮｉメッキ層が前記熱処理を施されていると、電解Ａｇメッキ中に不通電側の表面電極からＮｉイオンを電解Ａｇメッキ液中に溶出する事態を防止できるため、Ａｕメッキ層表面の変色を確実に予防することができる。
尚、複数個の配線基板の基板本体を併有する絶縁層のベース基板には、複数層のセラミック層からなる形態や、樹脂または金属のコア基板の表面および裏面の少なくとも一方に複数の樹脂層を積層した形態が含まれる。また、前記第１および第２外部接続端子は、ベース基板の対向する一対の側面にそれぞれ対称に形成したり、同じ側面に交互に隣接するように形成しても良い。更に、前記第１および第２配線層のほかに、第３外部接続用端子と導通し且つ第１配線層および第２配線層とは接続しない第３配線層を、更に併有する形態としても良い。加えて、上記第１〜第３外部接続用端子および第１〜第２配線層は、相対的な呼称である。

また、本発明には、前記基板本体ごとに内蔵して形成された第１配線層および第２配線層と、隣接する基板本体に形成された第１配線層および第２配線層との間は、それぞれ互いに接続されると共に、上記第１配線層および第２配線層は、前記第１外部接続用端子および第２外部接続用端子との間においても第１タイバーを介して、それぞれ互いに接続されている、多数個取り配線基板も含まれ得る。
これによる場合、前記第１外部接続用端子と第１配線層との間、および第２外部接続用端子と第２配線層との間を、それぞれ専用の上記第１タイバーを介して、互いに導通させることが可能となる。しかも、個々の基板本体を区画する切断予定線に沿ってベース基板をカッタなどにより分割した際、各切断予定線と交差する第１タイバーは、それらの中間で切断され且つ各基板本体の側面に当該第１タイバーの切断面のみを露出するに留められる。

尚、第１タイバーは、前記ベース基板の厚み方向における第１配線層や第２配線層が内蔵されている位置と同じレベルとしても良い。また、互いに隣接する基板本体同士の間では、第１配線層および第２配線層が互いに平行で且つ直に切断予定線と交差するか、かかる切断予定線付近に形成した専用の第２タイバーを介して、第１配線層同士の間および第２配線層同士の間を接続するようにしても良い。

更に、本発明には、前記第１表面電極および第２表面電極は、前記配線基板の基板本体の表面に開口するキャビティ内に位置している、多数個取り配線基板（請求項２）も含まれる。

尚、前記Ｎｉメッキ層は、Ａｕメッキ層の下地であり、メタライズの表面に一層または二層以上でメッキされると共に、各Ｎｉメッキ層ごとに、あるいは表層側のＮｉメッキ層のみに対し、メッキ後に５００〜９００℃（例えば６００℃）で約０．５〜２時間程度加熱する熱処理が施されている。また、二層のＮｉメッキ層の間には、両者間の隙間を埋める低融点合金のロウ材を充填しても良い。更に、Ｎｉメッキ層を形成するＮｉは、純Ｎｉのほか、耐食性（耐薬品性）の高いＮｉ−５〜１０wt％Ｃｏ合金を適用しても良い。

一方、本発明の多数個取り配線基板の製造方法（請求項６）は、複数の絶縁性シートを積層し且つかかる絶縁性シート間に少なくとも第１配線層および第２配線層を配置することにより、製品単位となる配線基板の基板本体を平面方向に沿って複数個併有し且つ各基板本体ごとに上記第１配線層および第２配線層を互いに独立して内蔵するベース基板を形成する工程と、
上記ベース基板の側面において、当該ベース基板の厚み方向に沿って第１外部接続用端子および第２外部接続用端子を形成する工程と、
上記第１外部接続用端子と第１配線層とを専用の第１タイバーを介して導通する工程と、
上記第２外部接続用端子と第２配線層とを別の専用の第２タイバーを介して導通する工程と、
上記第１外部接続用端子、第１タイバー、および第１配線層を介して、第１配線層と接続された第１表面電極に電解金属メッキを施し、上記第２外部接続用端子、第２タイバー、および第２配線層を介して、第２配線層と接続された第２表面電極に電解金属メッキを施すメッキ工程と、を含み、
上記メッキ工程において、上記第１表面電極および第２表面電極には、電解ＮｉメッキによりＮｉメッキ層を被覆し、更に電解ＡｕメッキによるＡｕメッキ層をそれぞれ被覆した後、該第１表面電極および第２表面電極の何れか一方の上記Ａｕメッキ層上に電解ＡｇメッキによるＡｇメッキ層が被覆される、ことを特徴とする。

これによれば、第１外部接続用端子および上記基板本体ごとの第１配線層に導通する第１表面電極と、第２外部接続用端子および上記基板本体ごとの第２配線層に導通する第２表面電極とに、それぞれＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被覆し、且つ何れか一方にはＡｇメッキ層を更に被覆することが可能となる。従って、種々の電子部品を各基板本体ごとの表面などに同時に実装ないし接続できるため、高性能化および多機能化に容易に対応し得る配線基板を効率良く製造することが可能となる。しかも、個別の配線基板における第１配線層や第２配線層などの電気的チェックも効率良く且つ正確に行うことができる。
付言すれば、前記各工程のほかに、前記ベース基板における各基板本体ごとに内蔵して形成された第１配線層および第２配線層と、隣接する基板本体に形成された第１配線層および第２配線層との間を、専用の第３タイバーを介して互いに接続する工程を、更に含む多数個取り配線基板の製造方法としても良い。
尚、前記絶縁性シートは、セラミックを主成分とするグリーンシート、あるいはは樹脂製フィルムまたは樹脂の塗布層である。

また、本発明には、前記メッキ工程を、前記第１外部接続用端子、第１タイバー、および第１配線層を介して、第１配線層と接続された第１表面電極に電解金属メッキを施す第１メッキ工程と、前記第２外部接続用端子、第２タイバー、および第２配線層を介して、第２配線層と接続された第２表面電極に電解金属メッキを施す第２メッキ工程とする、多数個取り配線基板の製造方法も含まれ得る。
これによる場合、第１表面電極および第２表面電極ごとに異なる金属メッキ層を任意の厚みで被覆したり、同じ金属メッキ膜で且つ厚みが同じか相違する金属メッキ層を被覆することが確実に行える。尚、第１メッキ工程および第２メッキ工程も、両者を区別するための相対的な呼称である。

付言すれば、本発明には、前記第１表面電極および第２表面電極には、異なる金属の電解メッキによる金属メッキ層が前記第１メッキ工程および第２メッキ工程で個別に被覆されるか、あるいは、同じ金属の電解メッキによる金属メッキ層が同じ第１メッキ工程および第２メッキ工程の何れか一方で被覆されるか、または前記第１メッキ工程および第２メッキ工程の双方で被覆される、多数個取り配線基板の製造方法も含まれ得る。
これによる場合、第１表面電極および第２表面電極ごとに異なる金属メッキ層を任意の厚みで被覆したり、同じ金属メッキ膜で且つ厚みが同じか相違する金属メッキ層を被覆することが自在に行うことが可能となる。
例えば、第１表面電極および第２表面電極の双方に電解Ａｕメッキ（第１メッキ工程）を同時に施してＡｕメッキ層を被覆した後、例えば第２表面電極のみを通電状態とし、係る第２表面電極に被覆されたＡｕメッキ層の表面にのみ電解Ａｇメッキ（第２メッキ工程）を施して、Ａｇメッキ層を被覆することもできる。

本発明の前提となる参考形態の多数個取り配線基板を示す平面図。 図１中のＸ−Ｘ線に沿った矢視における概略断面図。 上記多数個取り配線基板に含まれる基板本体を示す斜視図。 上記多数個取り配線基板の図２と同じ位置における断面図。 図４中の右端付近を示す拡大図。 図４中の左端付近を示す拡大図。 本発明の多数個取り配線基板の製造方法の１工程を示す概略断面図。 図７に続く製造工程を示す概略断面図。 図７に続く製造工程で且つ図８と異なる位置を示す概略断面図。 図８，９に続く製造工程を示す概略断面図。 図８，９に続く製造工程で且つ図１０と異なる位置を示す概略断面図。 本発明の実施の形態で且つ図１１中の部分拡大図。 図１２とは異なる位置の応用形態である図１１中の部分拡大図。 異なるメッキ工程および第２表面電極を示す概略断面図。 本発明の異なる実施の形態で且つ図１４中の部分拡大図。 異なる参考形態の多数個取り配線基板を示す平面図。 図１６中のＹ−Ｙ線に沿った矢視における部分拡大断面図。 図１７中の部分拡大図。

以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明の前提となる参考形態の多数個取り配線基板１を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った概略断面図、図３は、多数個取り配線基板１に含まれ且つ追って製品単位の配線基板となる基板本体ｋを示す斜視図である。
多数個取り配線基板１は、図１，２に示すように、全体が板形状で且つほぼ直方体のベース基板２と、かかるベース基板２の表面３と裏面４との周辺である側面のうち長辺である一対の側面６，６において、当該ベース基板２の厚み方向に沿って形成された第１外部接続用端子１０ａおよび第２外部接続用端子１０ｂと、を備えている。
前記ベース基板２は、例えばアルミナを主成分とする複数のセラミック層（絶縁層）の積層体からなり、図１に示すように、短辺の側面５，５と長辺の側面６，６とに沿って、縦：４個×横：６個の追って配線基板となる合計２４個の基板本体ｋを併有している。

前記２４個の基板本体ｋ同士の境界とそれらの周辺部とを区画するため、ベース基板２の表面３と裏面４とには、図２で例示するように、断面ほぼＶ字形の切り込み溝（切断予定線）７，８が上下から対称に形成されている。
また、前記ベース基板２における長辺の各側面６には、平面視で半円形を呈する凹部９が一対ずつ形成され、かかる凹部９の内壁に沿って断面半円形で且つＷ（タングステン）やＭｏ（モリブデン）やＣｕなどからなる第１・第２外部接続用端子１０ａ，１０ｂが形成されている。
基板本体ｋは、図３に示すように、全体がほぼ直方体を呈し且つ表面１３および裏面１４を有する本体１２と、かかる本体１２の表面１３の中央に開口したほぼ長方形のキャビティ１５と、を備えている。かかるキャビティ１５の底面中央には、平面視が長方形で且つ表面にＡｕメッキ層が被覆された第１表面電極１６が位置すると共に、当該キャビティ１５の四つの側面には、上広がりに傾斜し且つ表面にＡｇメッキ層が被覆された第２表面電極２０が位置している。

図４は、前記図２と同様な断面図、図５は、図４中の右端側の拡大図、図６は、図４中の左端側の拡大図である。図４に示すように、基板本体ｋごとに第１配線層２４と第２配線層２６とが互いに独立回路を形成して内蔵されている。
図４，５に示すように、第１外部接続用端子１０ａは、第１タイバーｂ１を介して右端の基板本体ｋの第１配線層２４と接続され、かかる第１配線層２４は、第３タイバーｂ３を介して左側に隣接する基板本体ｋの第１配線層２４と接続されている。図６に示すように、左端の基板本体ｋの第１配線層２４には、右側に隣接する基板本体ｋの第１配線層２４と接続された第３タイバーｂ３が接続している。各基板本体ｋの第１配線層２４は、ビア導体２５を介して、キャビティ１５の底面に位置する第１表面電極１６にそれぞれ接続されている。

図４，６の左側に示すように、第２外部接続用端子１０ｂは、第２タイバーｂ２を介して左端の基板本体ｋの第２配線層２６と接続され、かかる第２配線層２６は、第３タイバーｂ３を介して右側に隣接する基板本体ｋの第２配線層２６と接続されている。図５に示すように、右端の基板本体ｋの第２配線層２６には、左側に隣接する基板本体ｋの第２配線層２６と接続された第３タイバーｂ３が接続している。各基板本体ｋの第２配線層２６は、ビア導体２７を介して、キャビティ１５の四側面に沿って位置する第２表面電極２０にそれぞれ接続されている。
尚、第１・第２配線層２４，２６およびビア導体２５，２７は、例えばＷ、Ｍｏ、またはＣｕなどの焼結体からなる。
また、前記図１で示したように、第１外部接続端子１０ａおよび第２外部接続用端子１０ｂからは、ベース基板２の側面６付近から各基板本体ｋに向かって、複数本の第１タイバーｂ１または第２タイバーｂ２が延びている。

図５，６に示すように、第１表面電極１６は、ＷまたはＭｏからなるメタライズ１７と、その表面に被覆された厚み約１．５μｍのＡｕメッキ層１８と、からなる。
また、第２表面電極２０は、基板本体ｋごとのキャビティ１５の四側面および底面間にまたがる断面ほぼＬ字形で且つＷまたはＭｏからなるメタライズ２１と、その内側に断面が直角三角形もしくはフィレット形状にして位置するＡｇ−Ｃｕ系合金のロウ材２２と、その外側にほぼ４５度に傾斜して被覆されたＡｇメッキ層２３と、を備えている。
かかるＡｇメッキ層２３は、約５μｍの厚みであり、ベース基板２の表面（基板本体ｋの表面１３）に実装される図示しない光発光素子（例えば、発光ダイオード：ＬＥＤ）から発光された光を反射するために用いられる。

ここで、前記多数個取り配線基板１の製造方法について説明する。
予め、アルミナを主成分する複数のグリーンシート（絶縁性シート）を積層し、かかる複数のグリーンシート間にＷまたはＭｏ粉末を主成分とする導電性ペーストを所定のパターンで配置することにより、製品単位となる複数の基板本体ｋごとに第１配線層２４および第２配線層２６を互いに独立して形成した平面視がほぼ長方形のベース基板２を形成する。かかるベース基板２における基板本体ｋごとの表面３の中央には、平面視がほぼ長方形のキャビティ１５が形成されている。
かかるベース基板２において、図７〜９に示すように、隣接する基板本体ｋ同士の第１配線層２４，２４間、または第２配線層２６，２６間は、上記同様の導電性ペーストからなる専用の第３タイバーｂ３を介して接続される。尚、かかる第３タイバーｂ３を省略し、第１配線層２２および第２配線層２４を、隣接する基板本体ｋ，ｋ間にまたがり連続して配線しても良い。

図７で例示するように、ベース基板２において、長辺の各側面６には、その表面３と裏面４との間を厚み方向に沿って平面視にてほぼ半円形の凹部９が複数個形成される。これらの凹部９には、前記第１タイバーｂ１の一端面が露出する。尚、凹部９は、プレスによる打ち抜き加工によって形成される。
また、図７に示すように、上記ベース基板２において、基板本体ｋごとに形成された第１配線層２４は、その上方に位置するグリーンシートを貫通するビア導体２５を介して、キャビティ１５の底面中央に印刷により形成されたＷなどからなるメタライズ１７と接続される。
更に、基板本体ｋごとに形成された第２配線層２６は、図７に示すように、その上方に位置するグリーンシートを貫通するビア導体２７を介して、キャビティ１５の各側面と底面とにまたがって印刷により形成された断面ほぼＬ字形のメタライズ２１の底面に接続される。

また、上記ベース基板２において、複数の基板本体ｋのうち、外周に位置する基板本体ｋごとに形成された第１配線層２４と第２配線層２６とには、図７〜９に示すように、それぞれ独立して当該ベース基板２の側面６の凹部９に達する専用の第１タイバーｂ１または第２タイバーｂ２が接続される。かかる第１・第２タイバーｂ１，ｂ２も、前記グリーンシート間に印刷により形成される。
更に、これらの凹部９の内壁面に、例えばＰｄなどを含むメッキ触媒を塗布した後、無電解Ｎｉメッキおよび電解Ｎｉメッキを施すことにより、図８，９に示すように、断面ほぼ半円形の第１・第２外部接続用端子１０ａ，１０ｂを、ベース基板２における対向する一対の側面６，６ごとに個別に形成する。
尚、第１・第２外部接続用端子１０ａ，１０ｂは、各凹部９に対して前記配線層２４，２６と同様の導電性ペーストをスクリーン印刷することで、形成しても良い。

この結果、第１外部接続用端子１０ａは、図８，９に示すように、第１タイバーｂ１、第１配線層２４、ビア導体２５、第３タイバーｂ３を介して、全ての基板本体ｋのメタライズ１７に導通可能とされる。
また、第２外部接続用端子１０ｂは、図８，９に示すように、第２タイバーｂ２、第２配線層２６、ビア導体２７、第３タイバーｂ３を介して、全ての基板本体ｋのメタライズ２１に導通可能とされる。
尚、上記メタライズ２１の内側には、図８，９に示すように、Ａｇ−Ｃｕ系合金からなるロウ材２２が断面直角三角形もしくはフィレット形状にして充填される。

次に、前記ベース基板２は、複数の基板本体ｋごとに表面３および裏面４から対称に格子形のカッタが挿入され、図７〜９に示すように、断面ほぼＶ字形の切り込み溝（切断予定線）７，８が上下から対称に形成される。
かかる状態で、上記ベース基板２は、所定の温度域に加熱されて焼成される。
更に、第１外部接続用端子１０ａに図示しないＡｕメッキ用の電極ロッドを接触させた状態で、当該ベース基板２を電解メッキ液に浸漬し、第１タイバーｂ１、第１配線層２４、ビア導体２５、専用の第３タイバーｂ３を介して、全ての基板本体ｋのメタライズ１７に通電し、かかるメタライズ１７の表面に電解Ａｕメッキ（電解金属メッキ）を施す（第１メッキ工程）。
その結果、図８，９に示すように、上記メタライズ１７の表面に厚み約１．５μｍのＡｕメッキ層１８が被覆されて、第１表面電極１６が形成される。かかる第１メッキ工程の後で、電解メッキ液からベース基板２を取り出し、上記Ａｕメッキ用の電極ロッドを、第１外部接続用端子１０ａから引き離す。

次いで、第２外部接続用端子１０ｂに図示しないＡｇメッキ用の電極ロッドを接触させた状態で、当該ベース基板２を電解Ａｇメッキ液中に浸漬し、第２タイバーｂ２、第２配線層２６、ビア導体２７、専用の第３タイバーｂ３を介して、全ての基板本体ｋの前記メタライズ２１およびロウ材２２に通電し、その表面に電解Ａｇメッキ（電解金属メッキ）を施す（第２メッキ工程）。
その結果、図１０，１１に示すように、メタライズ２１およびロウ材２２の表面に厚み約５μｍのＡｇメッキ層２３が斜めに被覆されて、第２表面電極２０が形成される。かかる第２メッキ工程の後で、電解メッキ液からベース基板２を取り出し、上記電解Ａｇメッキ用の電極ロッドを、第２外部接続用端子１０ｂから引き離す。

本発明の実施の形態では、前記第１メッキ工程の前に、次述するように、Ｗなどからなるメタライズ１７，２１に電解Ｎｉメッキを行う。第１外部接続用端子１０ａと第２外部接続用端子１０ｂとに対して、同時にＮｉメッキ用の電極ロッドを接触させた状態で、当該ベース基板２を電解Ｎｉメッキ液中に浸漬し、前記２つの導電経路を介して、全ての基板本体ｋにおけるメタライズ１７およびメタライズ２１上のロウ材２２に通電し、これらの表面に電解Ｎｉメッキをそれぞれ施すようにしても良い。かかる電解Ｎｉメッキは、二回に分けて行う。
本発明の実施の形態である図１２に示すように、上記電解Ｎｉメッキを施した場合における第１表面電極１６付近の拡大図を示す。図示のように、第１表面電極１６は、Ｗなどからなるメタライズ１７の表面に電解Ｎｉメッキによる二層のＮｉメッキ層３３，３４が被覆され、表層側のＮｉメッキ層３４の表面に前記Ａｕメッキ層１８が被覆されている。Ｎｉメッキ層３３，３４の少なくとも一方は、約６００℃×約０．５〜２時間の熱処理を施される。

また、前記電解Ｎｉメッキを施した応用形態の第２表面電極２０は、図１３の拡大図で示すように、メタライズ２１の表面に沿って電解Ｎｉメッキによる断面ほぼＬ字形のＮｉメッキ層３５が被覆され、その内側に前記ロウ材２２を充填した後、係るロウ材２２の表面にＮｉメッキ層３６が被覆される。かかる表層側のＮｉメッキ層３６の表面に前記Ａｇメッキ層２３が被覆されている。
尚、Ｎｉメッキ層３５，３６の少なくとも一方には、上記熱処理が施されている。Ｎｉメッキ層３３，３５およびＮｉメッキ層３４，３６は、それぞれ同じ電解Ｎｉメッキ工程で同時に形成される。
これによって、前記図１，４〜６に示した多数個取り配線基板１が得られる。
そして、上記多数個取り配線基板１を切り込み溝７，８に沿って切断し分割することにより、製品単位である配線基板の基板本体ｋを複数個同時に且つ効率良く得ることができる。

以上の製造方法により得られる多数の基板本体ｋの側面には、第１タイバーｂ１〜第３タイバーｂ３の少なくとも１つの切断面が露出するが、これは極く少面積のため、腐食などのおそれは皆無である。
尚、第１外部接続用端子１０ａと第２外部接続用端子１０ｂとに同時にＡｕメッキ用の電極ロッドを接触させた状態で、当該ベース基板２を電解Ａｕメッキ液中に浸漬し、前記２つの導電経路を介して、全ての基板本体ｋにおけるメタライズ１７およびメタライズ２１上のロウ材２２に通電し、これらの表面に電解Ａｕメッキをそれぞれ同時に施しても良い。
これにより、図１４に示すように、Ａｕメッキ層１８が表面に被覆された第１表面電極１６と、Ａｕメッキ層２８が表面に被覆された第２表面電極２０とを、複数の基板本体ｋごとに有する多数個取り配線基板を得ることができる。

また、上記電解Ａｕメッキの後で、例えば、第１外部接続用端子１０ａおよび第２外部接続用端子１０ｂからＡｕメッキ用の電極ロッドを引き離し、第２外部接続用端子１０ｂにのみＡｇメッキ用の電極ロッドを接触させた状態として、前記同様にＡｕメッキ層２８の表面に対して電解Ａｇメッキを施す。
その結果、図１４に示すように、Ａｇメッキ層２３が更に被覆された第２表面電極２０′を形成することができる。

図１５は、本発明の異なる実施の形態である図１４中の第２表面電極２０′付近の拡大図を示し、メタライズ２１の表面に沿ってＮｉメッキ層３５を被覆し、その内側に前記ロウ材２２を充填し、かかるロウ材２２の表面にＮｉメッキ層３６を被覆した後、その表面に前記Ａｕメッキ層２８およびＡｇメッキ層２３が順次それぞれの電解メッキで被覆される。尚、Ｎｉメッキ層３５，３６にも前記熱処理が施されている。また、Ａｕメッキ層２８は、前記Ａｕメッキ層１８と同時に前記第１メッキ工程で形成され、その後でＡｇメッキ層２３のみが前記第２メッキ工程で形成される。この際、非導通状態の第１表面電極１６のＮｉメッキ層３３，３４は、電解Ａｇメッキ液中に溶出しないため、Ａｕメッキ層１８の表面を変色させない。
あるいは、前記電解Ａｕメッキの後で、例えば第２外部接続用端子１０ｂから電極ロッドを引き離し、第１外部接続用端子１０ａにのみ電極ロッドを接触させた状態として、前記同様に電解Ａｕメッキを施しても良い。これにより、表面のＡｕメッキ層１８を更に厚く被覆した第１表面電極１６を複数の基板本体ｋごとに有する多数個取り配線基板を得ることもできる。

また、第１外部接続用端子１０ａと第２外部接続用端子１０ｂとに同時にＡｇメッキ用の電極ロッドを接触させた状態で、当該ベース基板２を電解Ａｇメッキ液中に浸漬し、前記２つの導電経路を介して、全ての基板本体ｋにおけるメタライズ１７およびロウ材２２などに通電し、これらの表面に電解Ａｇメッキをそれぞれ施しても良い。これにより、Ａｇメッキ層が表面に被覆された第１表面電極１６およびＡｇメッキ層２３が表面に被覆された第２表面電極２０を複数の基板本体ｋごとに有する多数個取り配線基板を得ることができる。
尚、上記電解Ａｇメッキの後で、例えば第２外部接続用端子１０ｂからＡｇメッキ用の電極ロッドを引き離し、第１外部接続用端子１０ａにのみＡｕメッキ用の電極ロッドを接触させて、前記同様に電解Ａｕメッキを施しても良い。これによれば、表面にＡｕメッキ層１８およびＡｇメッキ層を有する第１表面電極１６を複数の基板本体ｋごとに有する多数個取り配線基板が得られる。

図１６は、異なる参考形態の多数個取り配線基板１ａを示す平面図、図１７は、図１６中のＹ−Ｙ線に沿った矢視における部分断面図である。
多数個取り配線基板１ａは、前記同様のベース基板２と、その短辺および長辺の側面５，６に交互に配置された複数の第１・第２外部接続用端子１０ａ，１０ｂと、複数個（本実施形態では１６個）の基板本体ｋとを備えている。
図１６に示すように、第１・第２外部接続用端子１０ａ，１０ｂは、側面６に交互で、且つ対向する一対の側面６に対称に形成され、それらの間に４個の基板本体ｋが位置している。また、第１・第２外部接続用端子１０ａ，１０ｂは、一対の短辺の側面５にも形成されている。

このため、例えばベース基板２の各側面５，６に位置する一対の第１外部接続用端子１０ａ，１０ａ間を、図１７に示すように、第１タイバーｂ１および第１配線層２４を介して、導通するようにしても良い。また、ベース基板２の各側面５，６に位置する一対の第２外部接続端子１０ｂ，１０ｂ間を、前記第２タイバーｂ２および第２配線層２６を介して、導通するようにしても良い。
尚、図１７中の左側に示すように、切断予定線７，８を挟んで隣接する基板本体ｋ，ｋの第１配線層２４と第２配線層２６とは、前記第３タイバーｂ３を介することなく、それぞれが連続して形成されている。

また、個々の基板本体ｋは、前記と同様に、第１表面電極１６および第２表面電極２０が形成されている。
これらの他に、個々の基板本体ｋは、図１７に示すように、第１外部接続用端子１０ａ、第１配線層２４、およびビア導体２９を介して、当該基板本体ｋの表面１３（ベース基板２の表面３）で且つキャビティ１５の周囲に、平面視が四角枠形状である第１外部電極３０を形成している。
かかる第１外部電極３０は、第１外部接続用端子１０ａ、第１配線層２４、およびビア導体２９を介して、表面３の予め印刷で形成されたＷからなるメタライズ３１に、Ａｕメッキ電流を通電することで、図１７に示すように、かかるメタライズ３１の表面にＡｕメッキ層３２を被覆したものである。
図１８は、図１７中における第１表面電極３０付近の拡大図を示す。図示のように、第１表面電極３０も、Ｗなどからなるメタライズ３１の表面にＮｉメッキ層３３，３４が前記同様に被覆され、表層側のＮｉメッキ層３４の表面にＡｕメッキ層３２が前記同様に被覆されている。
以上のような参考形態の多数個取り配線基板１ａは、前記多数個取り配線基板１と同様の製造方法により得ることができる。これにより、第１外部電極１６，３０、第２外部電極２０、および第１・第２配線層２４，２６を有する多数の基板本体ｋを効率良く確実に提供することができる。

本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記ベース基板は、前記アルミナなどのセラミックからなる絶縁層に限らず、樹脂または金属製のコア基板の表面および裏面の少なくとも一方にエポキシ系などの樹脂層を複数積層し、これらの間に第１・第２配線層などを互いに独立回路として形成したものとしても良い。
また、本発明の多数個取り配線基板の側面に第３外部接続用端子を更に形成し、かかる多数個取り配線基板に含まれる複数の基板本体には、上記第３外部接続用端子とのみ導通可能な第３配線層を更に形成すると共に、各基板本体の表面または裏面に上記第３配線層とのみ導通可能な第３表面電極を形成しても良い。かかる第３表面電極の表面には、第１・第２表面電極の何れかと同じ金属メッキ層または異なる金属メッキ層が任意の厚さで被覆される。

更に、多数個取り配線基板に含まれる複数の基板本体には、互いにサイズが異なるか、あるいはパターンが異なる第１〜第３配線層の２種以上が内蔵された複数種類の基板本体が併設された形態も含まれる。
また、多数個取り配線基板に含まれる複数の基板本体は、その表面が平坦で前記キャビティ１５のない形態とし、かかる平坦な表面に第１〜第３表面電極の２つ以上を配設した形態とすることもできる。
加えて、外部接続用端子は、前記ベース基板の側面において、断面がチャンネル形または台形の凹部の内壁面に倣った断面形状としも良く、且つ前記断面ほぼ半円形の形態を含め、当該ベース基板の側面における厚さ方向の中間で閉じた形態としても良い。

本発明によれば、基板本体の表面などに同種または異種の金属メッキ層を個別且つ精緻に被覆した複数の表面電極を併設した配線基板を複数併有する多数個取り配線基板を効率良く提供することが可能となる。

１…………………多数個取り配線基板
２…………………ベース基板
３，１３…………表面
４，１４…………裏面
５，６……………側面
１０ａ……………第１外部接続用端子
１０ｂ……………第２外部接続用端子
１６，３０………第１表面電極
１８,２８,３２…Ａｕメッキ層
２０，２０′……第２表面電極
２３………………Ａｇメッキ層
２４………………第１配線層
２６………………第２配線層
３３〜３６………Ｎｉメッキ層
ｋ…………………基板本体
ｂ１………………第１タイバー
ｂ２………………第２タイバー

Claims (3)

1. 製品単位となる配線基板の基板本体を平面方向に沿って複数個併有する絶縁層からなるベース基板と、
   上記ベース基板の側面において厚み方向に沿って形成された複数の外部接続用端子と、
   上記基板本体ごとに内蔵され且つ互いに独立回路として形成された少なくとも第１配線層および第２配線層と、を含み、
   上記基板本体ごとに内蔵して形成された第１配線層および第２配線層は、当該基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に形成された第１表面電極および第２表面電極と個別に接続され、
   上記第１表面電極および第２表面電極は、Ｎｉメッキ層と、該Ｎｉメッキ層の表面を被覆したＡｕメッキ層と、を含むと共に、該第１表面電極および第２表面電極の一方は、上記Ａｕメッキ層の表面をＡｇメッキ層が更に被覆しており、
   上記複数の外部接続用端子は、上記第１配線層のみに導通可能とされる第１外部接続用端子と、上記第２配線層のみに導通可能とされる第２外部接続用端子とを備えている、
   ことを特徴とする多数個取り配線基板。
2. 前記第１表面電極および第２表面電極は、前記配線基板の基板本体の表面に開口するキャビティ内に位置している、
   ことを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
3. 複数の絶縁性シートを積層し且つかかる絶縁性シート間に少なくとも第１配線層および第２配線層を配置することにより、製品単位となる配線基板の基板本体を平面方向に沿って複数個併有し且つ各基板本体ごとに上記第１配線層および第２配線層を互いに独立して内蔵するベース基板を形成する工程と、
   上記ベース基板の側面において、当該ベース基板の厚み方向に沿って第１外部接続用端子および第２外部接続用端子を形成する工程と、
   上記第１外部接続用端子と第１配線層とを専用の第１タイバーを介して導通する工程と、
   上記第２外部接続用端子と第２配線層とを別の専用の第２タイバーを介して導通する工程と、
   上記第１外部接続用端子、第１タイバー、および第１配線層を介して、第１配線層と接続された第１表面電極に電解金属メッキを施し、上記第２外部接続用端子、第２タイバー、および第２配線層を介して、第２配線層と接続された第２表面電極に電解金属メッキを施すメッキ工程と、を含み、
   上記メッキ工程において、上記第１表面電極および第２表面電極には、電解ＮｉメッキによりＮｉメッキ層を被覆し、更に電解ＡｕメッキによるＡｕメッキ層をそれぞれ被覆した後、該第１表面電極および第２表面電極の何れか一方の上記Ａｕメッキ層上に電解ＡｇメッキによるＡｇメッキ層が被覆される、
   ことを特徴とする多数個取り配線基板の製造方法。

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