JP4219371B2 - 多数個取り配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、複数の製品を縦横に併有する製品領域における各製品ごとに異なる金属メッキ層が形成された複数の導体を有する多数個取り配線基板に関する。

例えば、複数の絶縁層を積層してなる絶縁基体の上面に、発光素子を収容する凹部が開口し、かかる凹部の底面に形成された配線層の表面には、Ａｕメッキ層が被着され、上記凹部の内周面に形成したメタライズ金属層は、その表面にＡｇメッキ層が被着されている発光素子収納用パッケージ、およびこれを得るための多数個取り用の基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００４−３１９９３９号公報（第１〜１１頁、図１，６）

前記特許文献１に開示された発光素子収納用パッケージおよび多数個取り用の基板では、前記の異なる部位に異なる金属メッキ層を個別に被着するため、絶縁基体を形成する複数の絶縁層ごとの表面に、Ａｕメッキ用導体層およびＡｇメッキ用導体層の何れか一方を形成している。そして、かかるＡｕメッキおよびＡｇメッキ専用の各メッキ用導体層を介して、前記配線層の表面にＡｕメッキ層を被着し、且つ前記メタライズ金属層の表面にＡｇメッキ層を被着している。
しかしながら、かかる発光素子収納用パッケージおよび多数個取り用の基板では、異なる部位に異なる金属メッキ層を被着すべく、かかるメッキ層の種類に応じた複数の絶縁層ごとの表面に配線層やタイバーを形成し且つ積層して絶縁基体を形成している。この結果、絶縁基体を構成する絶縁層の層数が増加すると共に、各絶縁層ごとの表面に配線層など形成するため、構造が複雑で且つ上記パッケージや上記絶縁基板の厚みが大きくなる。しかも、製造工程も煩雑で且つ工数も増えるため、コスト高になる、という問題があつた。

本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、構造が簡素でベース基板の厚みを薄くでき、且つ低コストにより得られると共に、異なる部位ごとに異なる金属メッキ層が形成された複数の製品（配線基板）を縦横に配置する製品領域を有する多数個取り配線基板を提供する、ことを課題とする。

本発明は、前記課題を解決するため、異なる部位ごとに異なる種類の金属メッキ層を形成するための複数の配線回路を、互いに導通させず且つ基板本体における同じ平面に形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の多数個取り配線基板（請求項１）は、平面視が矩形の表面および裏面を有する絶縁材からなり、複数の製品を縦横方向に有する製品領域、およびかかる製品領域を囲む耳部を有するベース基板と、かかるベース基板の対向する一対の側面またはその付近の耳部に個別に形成された第１および第２の外部導体と、上記ベース基板の製品領域内における複数の製品ごとに形成された第１および第２の導体と、上記第１の外部導体と上記複数の製品ごとに形成された上記第１の導体とを接続する第１配線回路と、上記第２の外部導体と上記複数の製品ごとに形成された上記第２の導体とを接続する第２配線回路と、を備え、上記第１配線回路と第２配線回路とは、互いに導通しないと共に、上記ベース基板における同じ平面に形成されている、ことを特徴とする。

前記多数個取り配線基板によれば、第１の外部導体と複数の製品ごとに形成された第１の導体とを接続する第１配線回路と、第２の外部導体と複数の製品ごとに形成された第２の導体とを接続する第２配線回路とが、前記ベース基板における同じ平面に形成されている。このため、ベース基板は、単層の絶縁層からなる形態、あるいは、２層などの最小限の絶縁層を積層した形態として構成でき、これらの表面および裏面の一方の同じ面（平面）に、第１配線回路と第２配線回路とを、互いに独立して形成している。従って、ベース基板の厚みを薄くでき、且つ個々の製品である複数の配線基板および当該多数個取り配線基板の構造も簡素にできると共に、その製造工程も簡素で且つ容易となるため、低コストで製造することも可能となる。

尚、前記ベース基板を形成する絶縁材には、アルミナなどのセラミック、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミック、あるいはエポキシ系などの樹脂が含まれる。
また、前記第１および第２の外部導体には、ベース基板における対向する一対の側面に形成した切欠部の内面に沿った断面ほぼ半円形の形態、あるいは、上記一対の側面の付近における耳部を貫通する貫通孔の内面に沿った全体がほぼ円筒形の形態が含まれる。
更に、製品領域内における個々の製品に形成される前記第１および第２の導体には、かかる製品である配線基板の表面および裏面の少なくとも一方の同じ面に形成した第１および第２のパッド、あるいは、配線基板ごとの表面に開口するキャビティの底面に形成した電子部品や発光素子を搭載するための搭載用パッドやワイヤボンデイング用のパッドなどが含まれる。
また、第１配線回路および第２配線回路は、第１および第２の外部導体と第１および第２の導体との間を導通するためのタイバーなども含んでいる。
更に、前記ベース基板における同じ平面には、かかるベース基板の表面や裏面のほか、ベース基板を構成する下層側の絶縁層の表面で、且つ上層側の絶縁層における複数の製品ごとの位置に貫通している各キャビティの底面も含まれる。

付言すれば、本発明は、前記第１配線回路および第２配線回路は、前記ベース基板における表面、裏面、および内部における少なくとも１つの同じ平面に形成されている、多数個取り配線基板も含み得る。
これによる場合、例えば、ベース基板の表面および裏面の双方に、第１配線回路および第２配線回路が合計４つにして形成することが可能となる。このため、例えば、ベース基板の表面および裏面ごとに、それぞれ第１配線回路と、第２配線回路とを形成した形態とすることが可能となる。あるいは、ベース基板の内部の平面であって、かかるベース基板の表面に露出するキャビティの底面や凹部の底面に、第１配線回路と第２配線回路とを形成することが可能となる。

また、本発明は、前記第１および第２の外部導体、前記第１および第２の導体、および前記第１および第２配線回路は、上記第１および第２の導体に対し、互いに異なる２種類の金属メッキを形成するものである、多数個取り配線基板も含み得る。これによる場合、例えば、ベース基板の表面または裏面に、その平面にＡｕメッキ層を形成した第１配線回路と、その表面にＡｇメッキ層を形成した第１配線回路とを形成した形態とすることが可能となる。

更に、本発明は、前記第１および第２の導体は、前記複数の製品ごとの表面および裏面の少なくとも一方に形成されたパッドであるか、あるいは、上記複数の製品ごとのキャビティの底面に形成された配線層である、多数個取り配線基板も含み得る。
これによる場合、例えば、複数の製品ごとの表面またはキャビティの底面に、Ａｕメッキ層を形成した表面パッドと、Ａｇメッキ層を形成した別の表面パッドとを有する形態などとすることが可能となる。

以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明における一形態の多数個取り配線基板Ｋ１を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図である。尚、以下において、多数個取り配線基板Ｋ１は、単に配線基板Ｋ１と記述する。
配線基板Ｋ１は、図１，図２に示すように、平面視が長方形（矩形）の表面２および裏面３を有し、複数の製品（配線基板）ｐ１を縦横方向に有する製品領域Ｐと、かかる製品領域Ｐを囲む平面視が四角枠形の耳部ｍとを有する板状のベース基板１を備えている。上記製品領域Ｐと耳部ｍとの間や、個々の製品ｐ１，ｐ１間は、図１，図２中の破線で示す仮想の切断予定面ｆによって区画されている。
尚、表面２および裏面３は、配線基板Ｋ１、製品領域Ｐ、個々の製品ｐ１、耳部ｍについて、それぞれ共通して用いる。

ベース基板１は、アルミナなどのセラミック（絶縁材）からなる単層のセラミック層（絶縁層）、または複数のセラミック層を積層したセラミック積層体からなる。
図１，図２に示すように、ベース基板１における対向する左右一対の側面４には、平面視がほぼ半円形の切欠部５，７と、これらの内面とベース基板１の厚み方向とに沿って形成された平面視がほぼ半円形の第１または第２の外部導体６，８とが、側面４ごとに３個ずつ形成されている。かかる外部導体６，８は、ＷまたはＭｏなどからなり、耳部ｍの表面２およひ裏面３にほほ半円形の上・下端面が露出し、それらの窪んだ表面には、図示しないメッキ用電極棒が接触可能である。
製品領域Ｐ内における個々の製品ｐ１ごとの表面２には、平面視が台形である第１のパッド（第１の導体）１５と、平面視が長方形である第２のパッド（第２の導体）１８とが、互いに離間して形成されている。

図１，図２に示すように、各製品ｐ１ごとにおける第１のパッド１５は、幅狭のタイバー１６を介して、図示の左右方法に沿って互いに接続されると共に、製品領域Ｐと耳部ｍとにまたがる表面２に形成されたタイバー１１、および左辺の耳部ｍの表面２に形成されたタイバー９，１０を介して、第１の外部導体６の上端部と導通されている。かかる第１のパッド１５、タイバー１６、タイバー９〜１１は、第１配線回路ｃ１を構成している。
一方、各製品ｐ１ごとにおける第２のパッド１８は、幅狭のタイバー１７を介して、図１の左右方法に沿って互いに接続されると共に、製品領域Ｐと耳部ｍとにまたがる表面２に形成されたタイバー１４、および右辺の耳部ｍの表面２に形成されたタイバー１２，１３を介して、第２の外部導体８の上端部と導通されている。かかる第２のパッド１８、タイバー１７、タイバー１２〜１４は、第２配線回路ｃ２を構成している。

尚、第２のパッド１８の上には、例えば、導電性接着剤を介してＩＣチップなどの電子部品が追って搭載され、かかる電子部品と第１のパッド１５との間は、ボンデイングワイヤによって導通される。
また、前記第１および第２のパッド１５，１８、タイバー１６，１７、タイバー９〜１４も、ＷまたはＭｏなどからなる。
図１に示すように、第１配線回路ｃ１を構成している複数組の第１のパッド１５、タイバー１１，１６と、第２配線回路ｃ２を構成している複数組の第２のパッド１８、タイバー１４，１７とは、ベース基板１の表面２において、互いに平行で且つ離間している。即ち、第１配線回路ｃ１と第２配線回路ｃ２とは、両者のタイバー９，１０，１２，１３を含め、互いに導通しないようにして、ベース基板１の同じ表面（平面）２に形成されている。

第１配線回路ｃ１を構成する第１のパッド１５およびタイバー９〜１１，１６の表面には、下地のＮｉメッキ層および表層のＡｕメッキ層（何れも図示せず）が形成されている。かかるＮｉメッキ層の厚みは、約１〜１５μｍであり、Ａｕメッキ層の厚みは、約０．１〜５．０μｍである。これらは、後述するように、第１の外部導体６の窪んだ表面にメッキ用電極棒を接触させた状態で、Ｎｉメッキ槽およびＡｕメッキ槽にベース基板１を順次浸漬して、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを施すことにより形成される。
また、第２配線回路ｃ２を構成する第２のパッド１８およびタイバー１２〜１４，１７の表面には、下地のＮｉメッキ層および表層のＡｇメッキ層（何れも図示せず）が形成されている。かかるＡｇメッキ層の厚みは、約０．５〜５．０μｍである。これらは、第２の外部導体８の窪んだ表面にメッキ用電極棒を接触させた状態で、Ｎｉメッキ槽およびＡｇメッキ槽にベース基板１を順次浸漬して、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｇメッキを施すことにより形成される。

以上のような配線基板Ｋ１は、次のようにして製造した。
先ず、アルミナを主成分とする平面視が長方形である大版のグリーンシートを用意し、かかるグリーンシートにおける対向する一対の側面４に、パンチとダイの受入穴とによる打ち抜き加工によって、当該グリーンシートの表面２と裏面３との厚み方向に沿って平面視がほぼ半円形の切欠部５，７を３個ずつ形成した。
次に、かかるグリーンシートの表面２に対し、前記第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２のパターンに倣って、ＷまたはＭｏ粉末粒子を含む導電性ペーストをスクリーン印刷した。更に、上記切欠部５，７ごとの内面にも、同様の導電性ペーストを塗布して、平面視がほぼ半円形の外部導体６，８を形成した。この際、外部導体６，８の上端部と、第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２のタイバー９，１２とが、耳部ｍの表面２において互いに接続された。

次いで、表面２に第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２が形成され、各切欠部５，７に外部導体６，８が形成されたグリーンシートを、所定の温度帯に加熱して焼成した。この結果、表面２に位置して焼成された第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２と、側面４ごとにおいて焼成された第１および第２の外部導体６，８とを有し、焼成済みのアルミナからなる前記ベース基板１が形成された。
更に、第１の外部導体６の窪んだ表面に図示しないメッキ用電極棒を接触させた状態で、Ｎｉメッキ槽およびＡｕメッキ槽にベース基板１を順次浸漬して、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを施した。その結果、第１配線回路ｃ１を構成する第１のパッド１５およびタイバー９〜１１，１６の表面には、下地のＮｉメッキ層および表層のＡｕメッキ層が前記の厚みで形成された。

そして、第２の外部導体８の窪んだ表面に図示しないメッキ用電極棒を接触させた状態で、Ｎｉメッキ槽およびＡｇメッキ槽にベース基板１を順次浸漬して、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｇメッキを施した。その結果、第２配線回路ｃ２を構成する第２のパッド１８およびタイバー１２〜１４，１７の表面に、下地のＮｉメッキ層および表層のＡｇメッキ層が形成された。
以上の各工程を経ることで、図１，図２に示した配線基板Ｋ１が製造できた。
尚、前記大版のグリーンシートを上層側と下層側との２層からなるグリーンシート積層体とし、これらの間に、前記導電性ペーストを所定のパターンで印刷・形成して、互いに導通しない２系統の内部配線導体を形成すると共に、これらと第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２とを、上層側のグリーンシートを貫通するビア導体を介して、並列に接続するようにしても良い。

図３は、異なる形態の多数個取り配線基板Ｋ２を示す平面図、図４は、図３中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面図である。尚、以下において、多数個取り配線基板Ｋ２は、単に配線基板Ｋ２と記述する。
配線基板Ｋ２は、図３，図４に示すように、平面視が長方形（矩形）の表面２２および裏面２３を有し、複数の製品（配線基板）ｐ２を縦横方向に有する製品領域Ｐと、かかる製品領域Ｐを囲む平面視が四角枠形の耳部ｍとを有する板状のベース基板２１を備えている。上記製品領域Ｐと耳部ｍとの間や、個々の製品ｐ２，ｐ２間は、図３，図４中の破線で示す仮想の切断予定面ｆによって区画されている。尚、表面２２および裏面２３は、配線基板Ｋ２、製品領域Ｐ、個々の製品ｐ２、耳部ｍについて、それぞれ共通して用いる。

ベース基板２１も、アルミナなどのセラミック（絶縁材）からなる単層のセラミック層、または複数のセラミック層を積層したセラミック積層体からなる。
図３，図４に示すように、ベース基板２１における対向する左右一対の側面２４付近の耳部ｍには、平面視がほぼ円形の貫通孔２５，３１と、これらの内面とベース基板２１の厚み方向とに沿って形成されたほぼ円筒形の第１および第２の外部導体２６，３２とが、側面２４ごとに沿って３個ずつ形成されている。かかる外部導体２６，３２は、ＷまたはＭｏなどからなり、耳部ｍの表面２２およひ裏面２３にほぼ円形の上・下端面が露出しており、それらの中空部２７，３３には、図示しないメッキ用電極棒が挿入可能である。

図３，図４に示すように、製品領域Ｐ内における個々の製品ｐ２ごとの表面２２には、平面視が偏平な六角形である第１のパッド（第１の導体）３０と、平面視が長方形である第２のパッド（第２の導体）３６とが、互いに離間して形成されている。
各製品ｐ２ごとにおける第１のパッド３０は、幅狭のタイバー２９を介して、図３，図４の左右方法に沿って互いに接続されると共に、製品領域Ｐと耳部ｍとにまたがる表面２２に形成されたタイバー２９、および左辺の耳部ｍの表面２２に形成されたタイバー２８を介して、第１の外部導体２６の上端部と導通されている。かかる第１のパッド３０、タイバー２８，２９は、第１配線回路ｃ１を構成している。

一方、各製品ｐ２ごとにおける第２のパッド３６は、幅狭のタイバー３５を介して、図３，図４の左右方法に沿って互いに接続されると共に、製品領域Ｐと耳部ｍとにまたがる表面２に形成されたタイバー３５、および右辺の耳部ｍの表面２２に形成されたタイバー３４を介して、第２の外部導体３２の上端部と導通されている。かかる第２のパッド３６、タイバー３４，３５は、第２配線回路ｃ２を構成している。
尚、第１のパッド３０の上には、例えば、導電性接着剤を介してＩＣチップなどの電子部品が追って搭載され、かかる電子部品と第２のパッド３６との間は、ボンデイングワイヤによって導通される。また、前記第１および第２のパッド３０，３６、タイバー２８，２９，３４，３５も、ＷまたはＭｏなどからなる。

図３に示すように、第１配線回路ｃ１を構成している複数組の第１のパッド３０およびタイバー２９と、第２配線回路ｃ２を構成している複数組の第２のパッド３６およびタイバー３５とは、ベース基板２１の表面２２において、互いに平行で且つ離間している。即ち、第１配線回路ｃ１と第２配線回路ｃ２とは、両者のタイバー２８，３４を含め、互いに導通しないようにして、ベース基板２１の同じ表面（平面）２２に形成されている。
第１配線回路ｃ１を構成する第１のパッド３０およびタイバー２８，２９の表面には、下地のＮｉメッキ層および表層のＡｇメッキ層が前記同様の厚みで形成されている。また、第２配線回路ｃ２を構成する第２のパッド３６およびタイバー３４，３５の表面には、下地のＮｉメッキ層および表層のＡｕメッキ層が前記同様の厚みで形成されている。

以上のような配線基板Ｋ２は、次のようにして製造した。
先ず、アルミナを主成分とする平面視が長方形である大版のグリーンシートを用意し、かかるグリーンシートの対向する一対の側面２４に沿った耳部ｍに、パンチとダイの受入穴とによる打ち抜き加工により、当該耳部ｍの表面２２と裏面２３との厚み方向に沿って断面ほぼ円形の貫通孔２５，３１を３個ずつ形成した。
次に、かかるグリーンシートの表面２２に対し、前記第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２のパターンに倣って、ＷまたはＭｏ粉末粒子を含む導電性ペーストをスクリーン印刷した。更に、上記貫通孔２５，３１ごとの内面に対し、表面２２，裏面２３ごとに配置するメタルマスクおよびスキージを用い、且つ反対側の開口部から吸引する負圧状態にして、上記同様の導電性ペーストを塗布して、ほぼ円筒形の外部導体２６，３２を形成した。この際、かかる外部導体２６，３２の上端部と、第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２のタイバー２８，３４とが、耳部ｍの表面２２において互いに接続された。

次いで、表面２に第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２が形成され、各貫通孔２５，３１に外部導体２６，３２が形成されたグリーンシートを、所定の温度帯に加熱して焼成した。この結果、表面２２に焼成された第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２と、各側面２４付近の耳部ｍごとに焼成された外部導体２６，３１とを有し、焼成済みのアルミナからなる前記ベース基板２１が形成された。
更に、第１の外部導体２６の中空部２７にメッキ用電極棒を挿入し、当該外部導体２６の内周面に接触させた。かかる状態で、Ｎｉメッキ槽およびＡメッキ槽にベース基板２１を順次浸漬して、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｇメッキを施した。その結果、第１配線回路ｃ１を構成する第１のパッド３０およびタイバー２８，２９の表面には、下地のＮｉメッキ層および表層のＡｇメッキ層が前記同様の厚みで形成された。

そして、第２の外部導体３２の中空部３３にメッキ用電極棒を挿入し、かかる外部導体３２の内周面に接触させた状態で、Ｎｉメッキ槽およびＡｕメッキ槽にベース基板２１を順次浸漬して、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを施した。その結果、第２配線回路ｃ２を構成する第２のパッド３６およびタイバー３４，３５の表面に、下地のＮｉメッキ層および表層のＡｕメッキ層が形成された。
以上の各工程を経ることで、図３，図４に示した配線基板Ｋ１が製造できた。
尚、前記大版のグリーンシートを上層側と下層側との２層からなるグリーンシート積層体とし、これらの間に互いに導通しない２系統の内部配線導体を形成すると共に、これらと第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２とを、上層側のグリーンシートを貫通するビア導体を介して、並列に接続するようにしても良い。

以上のような配線基板Ｋ１，Ｋ２によれば、第１の外部導体６，２６と複数の製品ｐ１，ｐ２ごとに形成された第１のパッド（導体）１５，３０とを接続する第１配線回路ｃ１と、第２の外部導体８，３２と複数の製品ｐ１，ｐ２ごとに形成された第２のパッド（導体）１８，３６とを接続する第２配線回路ｃ２とが、前記ベース基板１，２１における同じ表面（平面）２，２２に形成されている。このため、ベース基板１，２１は、単層のセラミック層からなる形態、あるいは最小限のセラミック層を積層した形態として構成でき、これらの表面２，２２に、第１配線回路ｃ１と第２配線回路ｃ２とを、互いに独立して形成しているので、ベース基板１，２１の厚みを薄くできる。しかも、複数の製品（配線基板）ｐ１，ｐ２および配線基板Ｋ１，Ｋ２の構造もそれぞれ簡素にできると共に、これらの製造工程も簡素で且つ容易となるため、低コストで製造することも可能となる。

図５は、更に異なる形態の多数個取り配線基板Ｋ３を示す平面図、図６は、図４中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図である。尚、以下において、多数個取り配線基板Ｋ３は、単に配線基板Ｋ３と記述する。
配線基板Ｋ３は、図５，図６に示すように、平面視が正方形（矩形）の表面４２および裏面４３を有し、複数の製品（配線基板）ｐ３を縦横方向に有する製品領域Ｐと、かかる製品領域Ｐを囲む平面視が四角枠形の耳部ｍとを有する板状のベース基板４１を備えている。上記製品領域Ｐと耳部ｍとの間や、個々の製品ｐ３，ｐ３間は、図５，図６中の破線で示す仮想の切断予定面ｆによって区画されている。尚、表面４２および裏面４３は、配線基板Ｋ３、製品領域Ｐ、個々の製品ｐ３、耳部ｍについて、それぞれ共通して用いる。

ベース基板４１は、図６に示すように、アルミナなどのセラミック（絶縁材）からなる下層側のセラミック層ｓ１と上層側のセラミック層ｓ２とを一体に積層したセラミック積層体である。
図５，図６に示すように、ベース基板４１における対向する左右一対の側面４４には、平面視がほぼ半円形の切欠部４５，５１と、これらの内面とベース基板４１の厚み方向とに沿って形成された平面視がほぼ半円形の第１または第２の外部導体４６，５２とが、各側面４４に個別に３個ずつ形成されている。かかる外部導体４６，５２は、ＷまたはＭｏなどからなり、耳部ｍの表面４２およひ裏面４３にほぼ半円形の上・下端面が露出しており、それらの窪んだ表面には、図示しないメッキ用電極棒が接触可能である。

製品領域Ｐ内における個々の製品ｐ３ごとの表面４２には、平面視がほぼ正方形のキャビティ５７が開口し、かかるキャビティ５７の底面には、下層側のセラミック層ｓ１の表面５８が露出している。キャビティ５７ごとのかかる底面（表面）５８には、平面視が長方形である第１のパッド（第１の導体）５０と、平面視が台形である第２のパッド（第２の導体）５６とが、互いに離間して形成されている。
図５，図６に示すように、各製品ｐ３ごとにおける第１のパッド５０は、幅狭のタイバー４９を介して、図示の左右方法に沿って互いに接続されると共に、製品領域Ｐと耳部ｍとにまたがる下層側のセラミック層ｓ１の表面５８に形成されたタイバー４８、および左辺の耳部ｍ内の上記表面５８に形成されたタイバー４７を介して、第１の外部導体４６の中間部分と導通されている。かかる第１のパッド５０、タイバー４７〜４９は、第１配線回路ｃ１を構成している。
尚、キャビティ５７の底面５８に露出するタイバー４９の部分以外のタイバー４７〜４９は、下・上層側のセラミック層ｓ１，ｓ２間に内蔵されている。

一方、各製品ｐ３ごとにおける第２のパッド５６は、幅狭のタイバー５５を介して、図５，図６の左右方法に沿って互いに接続されると共に、製品領域Ｐと耳部ｍとにまたがる下層側のセラミック層ｓ１の表面５８に形成されたタイバー５４、および右辺の耳部ｍ内の上記表面５８に形成されたタイバー５３を介して、第２の外部導体５２の中間部分と導通されている。かかる第２のパッド５６、タイバー５３〜５５は、第２配線回路ｃ２を構成している。
尚、キャビティ５７の底面５８に露出するタイバー５５の部分以外のタイバー５３〜５５は、下・上層側のセラミック層ｓ１，ｓ２間に内蔵されている。また、第２のパッド５６の上には、例えば、導電性接着剤を介してＩＣチップなどの電子部品が追って搭載され、かかる電子部品と第１のパッド５０との間は、ボンデイングワイヤによって導通される。更に、前記第１および第２のパッド５０，５６、タイバー４７〜４９，５３〜５５も、ＷまたはＭｏなどからなる。

図５に示すように、第１配線回路ｃ１を構成している複数組の第１のパッド５０およびタイバー４９と、第２配線回路ｃ２を構成している複数組の第２のパッド５６およびタイバー５５とは、下層側のセラミック層ｓ１の表面５８において、互いに平行で且つ離間している。即ち、第１配線回路ｃ１と第２配線回路ｃ２とは、両者のタイバー４７，４８、５３，５４を含めて、互いに導通しないように、ベース基板４１内における同じ下層側のセラミック層ｓ１の表面（平面）５８に形成されている。
第１配線回路ｃ１を構成する第１のパッド５０およびキャビティ５７の底面５８に露出するタイバー４９の表面には、下地のＮｉメッキ層および表層のＡｇメッキ層が前記同様の厚みで形成されている。また、第２配線回路ｃ２を構成する第２のパッド５６およびキャビティ５７の底面５８に露出するタイバー５５の表面には、下地のＮｉメッキ層および表層のＡｕメッキ層が前記同様の厚みで形成されている。

以上のような配線基板Ｋ３は、次のようにして製造した。
予め、アルミナを主成分とする平面視が長方形である大版のグリーンシートを上下２層用意した。
先ず、下層側のグリーンシートの表面に対し、前記第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２のパターンに倣って、ＷまたはＭｏ粉末粒子を含む導電性ペーストをスクリーン印刷した。一方、上層側のグリーンシートの各製品ｐ３ごとの中央部に、前記同様の打ち抜き加工によって、断面がほぼ正方形の貫通孔を形成した。
次に、下層側のグリーンシートと上層側のグリーンシートとを積層して、グリ積層体を形成した。この際、かかる積層体の製品ｐ３ごとの表面４２には、上記貫通孔からなるキャビティ５７が開口し、その底面５８には、未焼成の第１および第２のパッド５０，５６やタイバー４９，５５の一部が露出していた。

次いで、上記グリーンシート積層体の対向する一対の側面４４に対し、前記同様の打ち抜き加工を行って、平面視がほぼ半円形の切欠部４５，５１を３個ずつ形成した。かかる切欠部４５，５１の内面における下・上層側のグリーンシート間には、未焼成であるタイバー４７，５３の外端部が露出していた。
引き続いて、上記切欠部４５，５１ごとの内面にも、同様の導電性ペーストを塗布して、平面視がほぼ半円形の外部導体４６，５２を形成した。この際、第１および第２の外部導体４６，５２の中間部と、第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２のタイバー４７，５３とが、耳部ｍ内において互いに接続された。

更に、下層側のグリーンシートの表面５８に第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２が形成され、各切欠部４５，５１に外部導体４６，５２が形成されたグリーンシート積層体を、所定の温度帯に加熱して焼成した。
この結果、下層側のセラミック層ｓ１の表面５８に位置して焼成された第１および第２配線回路ｃ１，ｃ２と、側面４４ごとの焼成された外部導体４６，５２とを有し、焼成済みのアルミナからなる前記ベース基板４１が形成された。
次いで、第１の外部導体４６の表面にメッキ用電極棒を接触させた状態で、Ｎｉメッキ槽およびＡｕメッキ槽にベース基板４１を順次浸漬して、各キャビティ５７の底面５８に露出する第１のパッド５０およびタイバー４９に対し、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを施した。

そして、第２の外部導体５２の表面にメッキ用電極棒を接触させた状態で、Ｎｉメッキ槽およびＡｇメッキ槽にベース基板４１を順次浸漬して、各キャビティ５７の底面５８に露出する第２のパッド５６およびタイバー５５に対し、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｇメッキを施した。
以上の各工程を経ることで、図５，図６に示した配線基板Ｋ３が製造できた。
尚、配線基板Ｋ３において、第１および第２の外部導体は、ベース基板４１における一対の側面４４ごとに沿った耳部ｍの表面４２と裏面４３との間を貫通する断面ほぼ円形の貫通孔の内面に沿ったほぼ円筒形の形態とし、これらの中間位置で、前記タイバー４７，５３と接続するようにしても良い。

以上のような配線基板Ｋ３によれば、第１の外部導体４６と複数の製品ｐ３ごとにおけるキャビティ５７の底面５８に形成された第１のパッド（導体）５０とを接続する第１配線回路ｃ１と、第２の外部導体５２と複数の製品ｐ３ごとにおけるキャビティ５７の底面５８に形成された第２のパッド（導体）５６とを接続する第２配線回路ｃ２とが、前記ベース基板４１における同じ下層側のセラミック層ｓ１の表面（平面）５８に形成されている。このため、ベース基板４１は、２層のセラミック層ｓ１，ｓ２を積層した形態として構成でき、これらの間で、第１配線回路ｃ１と第２配線回路ｃ２とを、互いに独立して形成しているので、ベース基板４１の厚みを薄くできる。しかも、複数の製品（配線基板）ｐ３および配線基板Ｋ３の構造もそれぞれ簡素にできると共に、かかる配線基板Ｋ３の製造工程も簡素で且つ容易となるため、低コストで製造することも可能となる。
尚、配線基板Ｋ３は、複数の製品ｐ３ごとにおけるキャビティ５７の底面５８において、第１および第２のパッド５０，５６のみを形成し、これらの表面のみに前記金属メッキ層をそれぞれ形成した形態としても良い。

本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記ベース基板を形成する絶縁材は、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックとしたり、エポキシ系の樹脂としても良い。かかるガラス−セラミックや樹脂からなるベース基板の場合、第１および第２の外部導体や第１および第２配線回路は、例えばＣｕやＮｉ−Ａｕ系合金などからなるものとし、これらの表面にＮｉおよびＡｕメッキ層や、ＮｉおよびＡｇメッキ層などが形成される。
また、第１および第２配線回路の表面には、Ｎｉメッキ層の上に、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどの互いに異なる金属メッキ層を形成しても良い。
更に、第１および第２配線回路は、ベース基板の同じ裏面のみに形成したり、ベース基板の表面と裏面との双方に、表・裏面間で互いに導通する２組の回路とした形態、あるいは表・裏面間で導通しない４組の回路とした形態としても良い。
また、第１および第２配線回路は、ベース基板を形成し且つ製品領域内の製品ごとにキャビティを有する最上層側のセラミック層の同じ表面に、例えば、各キャビティの開口部を封止する金属層などとして形成しても良い。

本発明における一形態の多数個取り配線基板を示す平面図。 図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図。 異なる形態の多数個取り配線基板を示す平面図。 図３中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面図。 更に異なる形態の多数個取り配線基板を示す平面図。 図５中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図。

符号の説明

１，２１，４１……ベース基板
２，２２，４２……表面／平面
３，２３，４３……裏面
４，２４，４４……側面
６，２６，４６……第１の外部導体
８，３２，５２……第２の外部導体
１５，３０，５０…第１のパッド（第１の導体）
１８，３６，５６…第２のパッド（第２の導体）
５８…………………下層側のセラミック層の表面／キャビティの底面（平面）
Ｋ１〜Ｋ３…………多数個取り配線基板
ｐ１〜ｐ３…………製品（配線基板）
Ｐ……………………製品領域
ｍ……………………耳部
ｃ１…………………第１配線回路
ｃ２…………………第２配線回路

Claims (1)

1. 平面視が矩形の表面および裏面を有する絶縁材からなり、複数の製品を縦横方向に有する製品領域、およびかかる製品領域を囲む耳部を有するベース基板と、
   上記ベース基板の対向する一対の側面またはその付近の耳部に個別に形成された第１および第２の外部導体と、
   上記ベース基板の製品領域内における複数の製品ごとに形成された第１および第２の導体と、
   上記第１の外部導体と上記複数の製品ごとに形成された上記第１の導体とを接続する第１配線回路と、
   上記第２の外部導体と上記複数の製品ごとに形成された上記第２の導体とを接続する第２配線回路と、を備え、
   上記第１配線回路と第２配線回路とは、互いに導通しないと共に、上記ベース基板における同じ平面に形成されている、
   ことを特徴とする多数個取り配線基板。
   

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