JP4891282B2 - マスクレスリソグラフィにおける均一なバックグラウンド放射 - Google Patents
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Description
Md*Pitchscan+SLMscan+BA=SLMDscan+Pitchscan−BA
SLMDscan=Md*Pitchscan+(SLMscan−Pitchscan)+2*BA
が得られる。
本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。本発明の精神と範囲に反することなく種々に変更することができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。本発明の範囲と精神は上記で述べた例示に限定されるものではなく、請求項とその均等物によってのみ定義されるものである。
Claims (13)
- 放射ビームを変調するよう複数の個別制御可能素子アレイにパターンを与え、変調された放射ビームを基板に投影するデバイス製造方法であって、
複数の個別制御可能素子アレイに与えられるパターンは予め設定された大きさのバックグラウンド放射を変調放射ビームに含むように設定され、基板上でのバックグラウンド放射の総量の変動を小さくするように、予め設定されたバックグラウンド放射の大きさは個別制御可能素子アレイにおける位置によって異なることを特徴とするデバイス製造方法。 - 変調放射ビームに含まれる予め設定されたバックグラウンド放射の大きさは、個別制御可能素子アレイの端部よりも中心部において大きいことを特徴とする請求項1に記載のデバイス製造方法。
- 放射ビームを変調するよう複数の個別制御可能素子アレイにパターンを与え、変調された放射ビームを基板に投影するデバイス製造方法であって、
複数の個別制御可能素子アレイに与えられるパターンは予め設定された大きさのバックグラウンド放射を変調放射ビームに含むように設定され、予め設定されたバックグラウンド放射の大きさは個別制御可能素子アレイにおける位置によって異なり、
予め設定されたバックグラウンド放射の大きさは、1つの個別制御可能素子アレイから放射を受ける位置であるか2以上の個別制御可能素子アレイから放射を受ける位置であるかにかかわらず実質的に均一レベルのバックグラウンド放射が基板上の異なる位置にもたらされるように選択されていることを特徴とするデバイス製造方法。 - 2以上の個別制御可能素子アレイにより変調された放射を受ける基板上の位置と、1つの個別制御可能素子アレイにより変調された放射しか受けない基板上の位置と、を決定し、
1つの個別制御可能素子アレイにより変調された放射しか受けない基板上の位置が2以上の個別制御可能素子アレイにより変調された放射を受ける基板上の位置と実質的に等しいバックグラウンド放射を受けるように、前記複数の個別制御可能素子アレイに与えるべき前記放射ビームを変調するためのパターンを設定することをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス製造方法。 - 基板上の異なる複数の位置で受けるバックグラウンド放射の大きさを決定し、
前記基板が受けるバックグラウンド放射の最大量を決定し、
前記予め設定されたバックグラウンド放射として、前記バックグラウンド放射の最大量に満たない放射を受ける基板上の位置に付加されるべき追加バックグラウンド放射の大きさを計算し、
基板上の各位置が前記バックグラウンド放射の最大量を受けるように前記複数の個別制御可能素子アレイに与えるべき前記放射ビームを変調するためのパターンを調整することをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス製造方法。 - 個別制御可能素子アレイの異なる位置に設けられている個別制御可能素子に対して、変調ビームに含まれるバックグラウンド放射の大きさを調整するDCオフセットが与えられることを特徴とする請求項1に記載のデバイス製造方法。
- 基板に投影されるパターン領域が千鳥足状に配置されており、千鳥足状配置でない場合にパターン投影の際に4回のパターン放射を受けるであろう基板上の位置がパターン投影の際に4回未満のパターン放射を受けることを特徴とする請求項1に記載のデバイス製造方法。
- 基板の走査方向に交差する方向にパターン領域が整列されていないように基板に投影されるパターン領域が千鳥足状に配置されることを特徴とする請求項1に記載のデバイス製造方法。
- 放射ビームを変調するようにパターンが与えられる複数の個別制御可能素子アレイと、
変調された放射ビームを基板に投影する投影系と、
複数の個別制御可能素子アレイに与えるパターンを制御する制御部と、を備えるリソグラフィ装置であって、
前記制御部は、複数の個別制御可能素子アレイにパターンを与え、
当該パターンは、個別制御可能素子アレイにより変調されるときに予め設定された大きさのバックグラウンド放射が放射ビームに含まれるように形成され、
予め設定されたバックグラウンド放射の大きさは、基板上でのバックグラウンド放射の総量の変動を小さくするように、個別制御可能素子アレイにおける位置によって異なることを特徴とするリソグラフィ装置。 - 複数の個別制御可能素子アレイの1つに与えられるパターンは、当該個別制御可能素子アレイ上の1つの位置で変調された放射ビームに含まれるバックグラウンド放射の大きさが当該個別制御可能素子アレイ上の他の位置で変調された放射ビームに含まれるバックグラウンド放射の2倍の大きさとなっていることを特徴とする請求項9に記載のリソグラフィ装置。
- 変調放射ビームに含まれる予め設定されたバックグラウンド放射の大きさは、複数の個別制御可能素子アレイの1つの中心において端部よりも大きいことを特徴とする請求項9に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、2以上の個別制御可能素子アレイにより変調された放射を受ける基板上の位置と、1つの個別制御可能素子アレイにより変調された放射しか受けない基板上の位置と、を示す情報を与えられ、
前記制御部は、1つの個別制御可能素子アレイにより変調された放射しか受けない基板上の位置が2以上の個別制御可能素子アレイにより変調された放射を受ける基板上の位置と実質的に等しいバックグラウンド放射を受けるように、前記複数の個別制御可能素子アレイに与えるべき前記放射ビームを変調するためのパターンを設定することを特徴とする請求項9に記載のリソグラフィ装置。 - 1つまたは複数の個別制御可能素子アレイにより変調された放射をマスクするブレードであって、リソグラフィ装置内部での基板の走査移動方向に平行なエッジを有し、走査移動方向に交差する方向に移動可能であるブレードをさらに備えることを特徴とする請求項9に記載のリソグラフィ装置。
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