JP4874618B2 - フィルムを堆積させる方法および蒸気送達装置 - Google Patents
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Description
Fujiiら、「Surface Orientation Dependency for AlGaAs growth rate with/without HCl in MOCVD」、Journal of Crystal Growth、第259巻、pp327−334、2003
非ドーピングGaN層の堆積を、常圧で作動し、適切なコールドウオール垂直誘導加熱MOCVDリアクターにおいて実施して、GaN堆積を提供する。2μmの厚さを有する薄いGaN層を、200μmの厚さを有する(0001)サファイア基体上で、1050〜1080℃において標準的MOCVD技術によって堆積させる。サファイア基体は、H2SO4:H3PO4(3:1比)酸溶液中での脱脂および酸洗いによって、事前に化学処理する。ガリウム源は、触媒化合物としての三塩化ガリウムの触媒量(1モルのTMGを基準にして0.5モル%)と混合されたトリメチルガリウム(TMG)である。アンモニアガスを、窒素源として使用する。窒素と水素との50:50混合物であるキャリヤーガス希釈剤を、約1.5〜3L/分の流量で使用する。ガリウム/触媒源をバブラーに配置し、バブラーを通して通気された水素とともに、総ガリウムの10〜15μモル/分の割合で使用する。アンモニアを、1〜2L/分の流量で別個のラインを介して導入する。反応体を、1060℃で加熱されたサファイア基体上で分解させる。GaN層の堆積が完了した後、この層を、約1080℃の温度で焼成する。このようにして得られたGaN層は、減少した欠陥密度(たとえば1cm2あたり108)を有すると予想される。リアクターは、従来の触媒されていないGaN成長において得られたものと比較して、多結晶性非晶質ガリウム含有堆積物の有意に減少した堆積を有すると予想される。
非ドーピングGaN層の堆積を、実施例1の一般的手順に従い、ガリウム源として、非対称ジメチルヒドラジンの触媒量(1モルのTMGあたり0.25モル%)と計画的に混合されたトリメチルガリウム(TMG)を用いて、同一条件下に実施する。このようにして得られたGaN層は、従来の方法を用いて生成されたGaN層と比較して、減少した欠陥密度(1cm2あたり約108)を有すると予想される。リアクターは、堆積物を含有する多結晶性非晶質ガリウムの有意に減少した堆積を有すると予想される。
非ドーピングAlN層の堆積を、実施例1の一般的手順に従い、アルミニウム源として、第三級ブチルホスフィンの触媒量(1モルのTMAあたり0.75モル%)と計画的に混合されたトリメチルアルミニウム(TMA)を用いて、同一成長条件下に実施する。このようにして得られたAlN層は、従来の方法を用いて生成されたAlN層と比較して、減少した欠陥密度を有すると予想される。リアクターは、多結晶性非晶質アルミニウム含有堆積物の有意に減少した堆積を有すると予想される。
非ドーピングAlInGaN層の堆積を、実施例1の一般的手順に従い、次のような有機金属源:すなわち、アルミニウム源として第三級ブチルアミンの触媒量(1モルのTMAあたり0.45モル%)と計画的に混合されたトリメチルアルミニウム(TMA)、ガリウム源として第三級ブチルホスフィンの触媒量(1モルのTMGあたり0.35モル%)と計画的に混合されたトリメチルガリウム(TMG)、インジウム源として塩化ジメチルインジウムの触媒量(1モルのTMIあたり0.15モル%)と計画的に混合されたトリメチルインジウム(TMI)を用いて、同一成長条件下に実施する。このようにして得られたAlInGaN層は、従来の方法を用いて生成されたAlInGaN層と比較して、減少した欠陥密度を有すると予想される。リアクターは、多結晶性非晶質アルミニウム含有堆積物の有意に減少した堆積を有すると予想される。
マグネシウムドーピングされたp−型GaN層が予想されること以外、実施例1を繰り返す。ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウムをバブラー中に供給し、これをドーパントとして使用する。実施例1の条件と同一の条件を用い、マグネシウムドーパントの適切な流量を、約0.2μモル/分で使用する。反応体を、1060℃で加熱されたサファイア基体上で分解させる。GaN層の堆積が完了した後、この層を、約1080℃の温度で焼成する。このようにして得られたGaN層は、従来の方法を用いて生成されたGaN層と比較して、減少した欠陥密度(1cm2あたり約108)を有すると予想される。ドーパントの組込みは、本発明の触媒化合物の使用をともなわない従来のGaN成長に対して50%だけ増加すると予想される。リアクターは、多結晶性非晶質ガリウム含有堆積物の有意に減少した堆積を有すると予想される。
次の反応体および条件を、適切な標準的MOCVDフィルム成長技術とともに使用すること以外、実施例1の手順を繰り返す。各サンプルにおいて、適切な基体を使用する。たとえば、サンプル6Aにはサファイア、サンプル6Bおよび6Cには砒化ガリウム、およびサンプル6J〜6Kにはリン化インジウムである。サンプルA中のキャリヤーガスは、H2/N2である。他のすべてのサンプルのためには、H2をキャリヤーガスとして使用する。
次の反応体および条件を、適切な標準的MOCVDフィルム成長技術とともに使用すること以外、実施例6の手順を繰り返す。各サンプルにおいて、適切な基体を使用する。たとえば、窒化ガリウムフィルムにはサファイア、砒化ガリウムフィルムには砒化ガリウム、およびインジウム含有フィルムにはリン化インジウムを使用する。H2をキャリヤーガスとして使用する。触媒は、少なくとも5ppmの量で存在する。
Claims (6)
- 基体上に第IIIA族金属を含むフィルムを堆積させる方法であって、a)気相における、式R3M(式中、Mは、インジウム、ガリウム、およびアルミニウムから選択される第IIIA族金属であり、各Rは独立して、(C1−C10)有機基または水素である)で表される第IIIA族金属化合物を、前記基体を収容している堆積チャンバへ運搬する工程;b)気相における触媒化合物を、前記基体を収容している堆積チャンバへ運搬する工程;c)アンモニア、ホスフィン、およびアルシンから選択される第VA族気体化合物を、前記基体を収容している堆積チャンバへ運搬する工程;d)第IIIA族金属化合物および第VA族気体化合物を、堆積チャンバにおいて分解する工程;およびe)基体上に第IIIA族金属を含むフィルムを堆積させる工程を含み、前記触媒化合物は第VA族気体化合物の分解を触媒し、
前記触媒化合物は、式R 1 a MY b (式中、Mは、第IIIA族金属であり、各R 1 は独立して、(C 1 −C 10 )有機基および水素から選択され、各Yは独立して、ハロゲンおよび水素から選択され、aは0〜2の整数であり、bは1〜3の整数であり、a+b=3である)で表される化合物、ジエチルベリリウム、n−ブチルリチウム、ビス(n−ブチル)マグネシウム、ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウム、ビス(エチルシクロペンタジエニル)ニッケル、四塩化チタン、RuCp 2 、Mo(EtBz) 2 、CoCp 2 、Ba(nPrMe 4 Cp) 2 、Ca(Me 5 Cp) 2 、Cu(TMHD) 2 、CrCp 2 、ErCP 3 、FeCp 2 、Me 2 Au(acac)、LaCP 3 、MnCp 2 、MoCp 2 、OsCp 2 、Me 3 Pd(MeCp)、Me 3 Pt(MeCp)、Rh(acac) 3 、(hfacac)AgVTES、Sr(nPrMe 4 Cp) 2 、Sr(hfacac)、(iPrCp) 2 WH 2 、VCp 2 、V(EtCp) 2 、およびY(nBuCp) 3 、第一級アミン、第二級アミン、および第三級アミンから選択される窒素含有化合物、第一級ホスフィン、第二級ホスフィン、および第三級ホスフィンから選択されるリン含有化合物、ならびに第一級アルシン、第二級アルシン、および第三級アルシンから選択されるアルシン含有化合物からなる群から選択され、前記触媒化合物は第IIIA族金属化合物を基準にして、≦5モル%の量で存在する、
フィルムを堆積させる方法。 - 触媒化合物が、第IIIA族金属化合物の重量を基準にして、少なくとも5ppmの量で存在する、請求項1記載の方法。
- 第IIIA族金属化合物および前記触媒化合物が、単一蒸気送達装置から運搬される、請求項1記載の方法。
- 各Rが独立して、(C1−C6)アルキルであり、Mが、インジウム、ガリウム、およびアルミニウムから選択される、請求項1記載の方法。
- 第IIIA族金属を含有するフィルムが、第III族/第V族化合物半導体である、請求項1記載の方法。
- 断面を有する内部表面を有する伸長した円筒形部分、頂部閉鎖部分、および底部閉鎖部分を有する容器を含む蒸気送達装置であって、前記容器が、キャリヤーガスの導入のための入口開口部、およびキャリヤーガスを出すための出口開口部を有し、前記伸長した円筒形部分が、式R3M(式中、Mは、インジウム、ガリウム、およびアルミニウムから選択される第IIIA族金属であり、各Rは独立して、(C1−C10)有機基または水素である)を有する第IIIA族金属化合物、および第VA族気体化合物の分解を触媒しうる触媒化合物を含むチャンバを有し;前記入口開口部が、前記チャンバと流体連絡し、前記チャンバが、出口開口部と流体連絡しており、
前記触媒化合物は、式R 1 a MY b (式中、Mは、第IIIA族金属であり、各R 1 は独立して、(C 1 −C 10 )有機基および水素から選択され、各Yは独立して、ハロゲンおよび水素から選択され、aは0〜2の整数であり、bは1〜3の整数であり、a+b=3である)で表される化合物、ジエチルベリリウム、n−ブチルリチウム、ビス(n−ブチル)マグネシウム、ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウム、ビス(エチルシクロペンタジエニル)ニッケル、四塩化チタン、RuCp 2 、Mo(EtBz) 2 、CoCp 2 、Ba(nPrMe 4 Cp) 2 、Ca(Me 5 Cp) 2 、Cu(TMHD) 2 、CrCp 2 、ErCP 3 、FeCp 2 、Me 2 Au(acac)、LaCP 3 、MnCp 2 、MoCp 2 、OsCp 2 、Me 3 Pd(MeCp)、Me 3 Pt(MeCp)、Rh(acac) 3 、(hfacac)AgVTES、Sr(nPrMe 4 Cp) 2 、Sr(hfacac)、(iPrCp) 2 WH 2 、VCp 2 、V(EtCp) 2 、およびY(nBuCp) 3 、第一級アミン、第二級アミン、および第三級アミンから選択される窒素含有化合物、第一級ホスフィン、第二級ホスフィン、および第三級ホスフィンから選択されるリン含有化合物、ならびに第一級アルシン、第二級アルシン、および第三級アルシンから選択されるアルシン含有化合物からなる群から選択され、前記触媒化合物は第IIIA族金属化合物を基準にして、≦5モル%の量で存在する、
蒸気送達装置。
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