JP4865804B2 - 大信号出力ブースト段を備えた小信号増幅器 - Google Patents
大信号出力ブースト段を備えた小信号増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4865804B2 JP4865804B2 JP2008543277A JP2008543277A JP4865804B2 JP 4865804 B2 JP4865804 B2 JP 4865804B2 JP 2008543277 A JP2008543277 A JP 2008543277A JP 2008543277 A JP2008543277 A JP 2008543277A JP 4865804 B2 JP4865804 B2 JP 4865804B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- transistor
- connection point
- output
- input signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45278—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using BiFET transistors as the active amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled
- H03F3/343—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled
- H03F3/343—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/3432—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only with bipolar transistors
- H03F3/3435—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only with bipolar transistors using Darlington amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled
- H03F3/343—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/345—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/42—Amplifiers with two or more amplifying elements having their dc paths in series with the load, the control electrode of each element being excited by at least part of the input signal, e.g. so-called totem-pole amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
- H03F3/4578—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with BiFET transistors as the active amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/50—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/426—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier comprising circuitry for protection against overload
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/45—Indexing scheme relating to amplifiers the load of the amplifier being a capacitive element, e.g. CRT
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/91—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier has a current mode topology
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45526—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising a resistor-capacitor combination and being coupled between the LC and the IC
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45722—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more source followers, as post buffer or driver stages, in cascade in the LC
Description
図2に示すようにミラー28および30に直列に配置された二重飽和ミラー(MP6/MP7、MN5/MN6)は、別法として、図3に示すように単一のトランジスタを使用して実施することも可能である。図3に示す略図は、MP6/MP7がFET MP14に置換され、また、MN5/MN6がFET MN9に置換されている点を除き、図2に示す略図と全く同じである。動作も上で説明した通りであり、INMが正の方向にオーバドライブされると、MN9が電流飽和に入り、MN2がターンオンするよう、MN3、MN4およびMN2のゲート接続点の正の揺れを許容する。INMが負の方向にオーバドライブされると、MP14が電流飽和に入り、MP3がターンオンするよう、MP4、MP5およびMP3のゲート接続点の負の揺れを許容する。
Claims (7)
- 第1および第2の電源レールであって、前記第1のレールが前記第2のレールに対して正である第1および第2の電源レールと、
前記レールの間に接続された、それぞれの入力接続点に印加される第1および第2の入力信号を受け取り、かつ、負荷をドライブするために適した出力接続点に出力信号を提供する小信号増幅器であって、前記入力信号間の差動電圧が所定の閾値未満である場合に、前記出力信号が前記差動電圧に応じてほぼ直線的に変化するようになされた小信号増幅器と、
前記出力接続点に接続された大信号出力ブースト段であって、前記差動電圧が前記所定の閾値より高い場合に、前記第1または第2の電源レールの近くに前記出力接続点をドライブし、それにより、前記小信号増幅器の負荷容量よりも大きな負荷電流を提供するようになされた大信号出力ブースト段と、
前記出力接続点に接続された、帰還信号として前記第2の入力信号を提供する負荷回路であって、増幅器回路が、前記大信号出力ブースト段が前記第1または第2の電源レールの近くに前記出力接続点をドライブし、それにより前記第1の入力信号と第2の入力信号との間の前記差動電圧を低くするようになされた負荷回路と
を備え、前記小信号増幅器が、
前記第1の入力信号と前記第2の入力信号との間の前記差動電圧にしたがって変化する第1の電流を第4の接続点にミラーする第1の電流ミラーと、
前記第1の入力信号と前記第2の入力信号との間の前記差動電圧にしたがって変化する第2の電流を第4の接続点にミラーする第2の電流ミラーと
を備え、前記大信号出力ブースト段が、
前記差動電圧が前記所定の閾値より高く、かつ、前記第2の入力信号が前記第1の入力信号に対して負である場合に第1のブースト電流を前記出力接続点に供給するように、前記第1の電流ミラーによりミラーされる前記電流をミラーするために接続されたトランジスタと、
前記差動電圧が前記所定の閾値より高く、かつ、前記第2の入力信号が前記第1の入力信号に対して正である場合に第2のブースト電流を前記出力接続点に供給するように、前記第2の電流ミラーによりミラーされる前記電流をミラーするために接続されたトランジスタと、
を備え、
前記小信号増幅器が電流帰還増幅器を備え、前記電流帰還増幅器が、
その制御入力が前記第1の入力接続点に結合され、かつ、フォロワとして動作するようにバイアスされた、逆極性の第1および第2のトランジスタと、
それぞれ前記第1および第2のフォロワトランジスタの出力に応答して前記第2の入力接続点にそれぞれの電流を導くように接続された、逆極性の第3および第4のトランジスタと、
前記第3のトランジスタによって導かれた電流を前記第4の接続点にミラーするように接続された前記第1の電流ミラーと、
前記第4のトランジスタによって導かれた電流を前記第4の接続点にミラーするように接続された前記第2の電流ミラーと、
前記第4の接続点の電圧に応答して前記小信号増幅器の出力信号を提供する出力段と、
を備えること、
を特徴とする増幅器回路。 - 前記電流帰還増幅器の出力段がトーテムポール出力段である、請求項1に記載の増幅器回路。
- 前記第1の電流ミラーが、前記第1の電源レールと前記第3のトランジスタとの間に接続された第1のダイオード接続トランジスタを備え、前記第2の電流ミラーが、前記第2の電源レールと前記第4のトランジスタとの間に接続された第2のダイオード接続トランジスタを備え、
前記第1の電流ミラーによりミラーされる前記電流をミラーするために接続された前記トランジスタが、前記出力接続点に前記第1のブースト電流を導く前記第1のダイオード接続トランジスタと共に電流ミラーを形成するように接続された第5のトランジスタを備え、
前記第2の電流ミラーによりミラーされる前記電流をミラーするために接続された前記トランジスタが、前記出力接続点に前記第2のブースト電流を導く前記第2のダイオード接続トランジスタと共に電流ミラーを形成するように接続された第6のトランジスタを備え、前記第5および第6のトランジスタが、
前記差動電圧が前記所定の閾値より高く、かつ、前記第2の入力信号が前記第1の入力信号に対して負である場合、前記第5のトランジスタがターンオンして、前記第1の電源レールの近くに前記出力接続点をドライブし、また、
前記差動電圧が前記所定の閾値より高く、かつ、前記第2の入力信号が前記第1の入力信号に対して正である場合、前記第6のトランジスタがターンオンして、前記第2の電源レールの近くに前記出力接続点をドライブする
ようになされた、請求項1に記載の増幅器回路。 - 前記第1および第2のダイオード接続トランジスタならびに前記第5および第6のトランジスタが個々に閾値電圧を有し、前記第5および第6のトランジスタが、それらの閾値電圧が前記第1および第2のダイオード接続トランジスタの閾値電圧より高くなるようになされた、請求項3に記載の増幅器回路。
- 前記第1の電源レールと第5の接続点との間、および前記第1の電源レールと第6の接続点との間にそれぞれ接続された第7および第8のトランジスタと、
前記第2の電源レールと第7の接続点との間、および前記第2の電源レールと第8の接続点との間にそれぞれ接続された第9および第10のトランジスタと
をさらに備え、前記第1の電流ミラーが、
前記第5の接続点と前記第3のトランジスタとの間に直列に接続された第1のダイオード接続入力トランジスタと、
前記第6の接続点と前記第4の接続点との間に直列に接続された出力トランジスタと
を備え、前記第2の電流ミラーが、
前記第7の接続点と前記第4のトランジスタとの間に直列に接続された第2のダイオード接続トランジスタと、
前記第8の接続点と前記第4の接続点との間に直列に接続された出力トランジスタと
を備え、
前記第1の電流ミラーによりミラーされる前記電流をミラーするために接続された前記トランジスタが、前記出力接続点に前記第1のブースト電流を導く前記第1のダイオード接続トランジスタと共に電流ミラーを形成するように接続された第11のトランジスタを備え、
前記第2の電流ミラーによりミラーされる前記電流をミラーするために接続された前記トランジスタが、前記出力接続点に前記第2のブースト電流を導く前記第2のダイオード接続トランジスタと共に電流ミラーを形成するように接続された第12のトランジスタを備え、前記第7および第8のトランジスタが、前記差動電圧が前記所定の閾値より高く、かつ、前記第2の入力信号が前記第1の入力信号に対して負である場合に、前記第11のトランジスタがターンオンして、前記第1の電源レールの近くに前記出力接続点をドライブするように、前記差動電圧が前記所定の閾値未満である場合に、それらがトライオード領域で動作し、また、前記差動電圧が前記所定の閾値より高く、かつ前記第2の入力信号が前記第1の入力信号に対して負である場合に、飽和領域で動作するように、サイズ化され、かつ、バイアスされ、
前記第9および第10のトランジスタが、前記差動電圧が前記所定の閾値より高く、かつ、前記第2の入力信号が前記第1の入力信号に対して正である場合に、前記第12のトランジスタがターンオンして、前記第2の電源レールの近くに前記出力接続点をドライブするように、前記差動電圧が前記所定の閾値未満である場合に、それらがトライオード領域で動作し、また、前記差動電圧が前記所定の閾値より高く、かつ前記第2の入力信号が前記第1の入力信号に対して正である場合に、飽和領域で動作するように、サイズ化され、かつ、バイアスされた、請求項1に記載の増幅器回路。 - 前記第1の電源レールと第5の接続点との間に接続された第7のトランジスタと、
前記第2の電源レールと第6の接続点との間に接続された第8のトランジスタと
をさらに備え、前記第1の電流ミラーが、
前記第5の接続点と前記第3のトランジスタとの間に直列に接続された第1のダイオード接続入力トランジスタと、
前記第5の接続点と前記第4の接続点との間に直列に接続された出力トランジスタと
を備え、前記第2の電流ミラーが、
前記第6の接続点と前記第4のトランジスタとの間に直列に接続された第2のダイオード接続トランジスタと、
前記第6の接続点と前記第4の接続点との間に直列に接続された出力トランジスタと
を備え、
前記第1の電流ミラーによりミラーされる前記電流をミラーするために接続された前記トランジスタが、前記出力接続点に前記第1のブースト電流を導く前記第1のダイオード接続トランジスタと共に電流ミラーを形成するように接続された第9のトランジスタを備え、
前記第2の電流ミラーによりミラーされる前記電流をミラーするために接続された前記トランジスタが、前記出力接続点に前記第2のブースト電流を導く前記第2のダイオード接続トランジスタと共に電流ミラーを形成するように接続された第10のトランジスタを備え、前記第7および第8のトランジスタが、
前記差動電圧が前記所定の閾値より高く、かつ、前記第2の入力信号が前記第1の入力信号に対して負である場合に、前記第9のトランジスタが前記第1の電源レールの近くに前記出力接続点をドライブし、また、
前記差動電圧が前記所定の閾値より高く、かつ、前記第2の入力信号が前記第1の入力信号に対して正である場合に、前記第10のトランジスタが前記第2の電源レールの近くに前記出力接続点をドライブする
ように、前記差動電圧が前記所定の閾値未満である場合に、それらがトライオード領域で動作し、また、前記差動電圧が前記所定の閾値より高い場合に、飽和領域で動作するように、サイズ化され、かつ、バイアスされた、請求項1に記載の増幅器回路。 - 前記第1、第2、第3および第4のトランジスタが、静止動作状態下で前記第1の入力接続点と第2の入力接続点との間のオフセット電圧を最小化するようになされた、請求項1に記載の増幅器回路。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US74114205P | 2005-11-30 | 2005-11-30 | |
US60/741,142 | 2005-11-30 | ||
US11/313,545 US7288993B2 (en) | 2005-01-25 | 2005-12-20 | Small signal amplifier with large signal output boost stage |
US11/313,545 | 2005-12-20 | ||
PCT/US2006/039097 WO2007064403A1 (en) | 2005-11-30 | 2006-10-04 | Small signal amplifier with large signal output boost stage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009517975A JP2009517975A (ja) | 2009-04-30 |
JP4865804B2 true JP4865804B2 (ja) | 2012-02-01 |
Family
ID=37680592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008543277A Expired - Fee Related JP4865804B2 (ja) | 2005-11-30 | 2006-10-04 | 大信号出力ブースト段を備えた小信号増幅器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7288993B2 (ja) |
EP (1) | EP1955437B1 (ja) |
JP (1) | JP4865804B2 (ja) |
CN (1) | CN101361265B (ja) |
WO (1) | WO2007064403A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008271389A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 出力回路及び多出力回路 |
EP2028760B1 (en) * | 2007-08-22 | 2020-06-17 | Semiconductor Components Industries, LLC | A low side driver |
US8737523B2 (en) * | 2009-06-04 | 2014-05-27 | Xilinx, Inc. | Apparatus and method for predictive over-drive detection |
US8837633B2 (en) | 2011-10-21 | 2014-09-16 | Xilinx, Inc. | Systems and methods for digital processing based on active signal channels of a communication system |
JP6205112B2 (ja) * | 2012-06-08 | 2017-09-27 | ローム株式会社 | ソースドライバおよびそれを用いた液晶ディスプレイ装置、電子機器 |
JP2016127573A (ja) * | 2015-01-08 | 2016-07-11 | 株式会社東芝 | アナログスイッチ、および、マルチプレクサ |
CN107579713B (zh) * | 2017-09-29 | 2020-12-04 | 清华大学 | 一种新型跨导运算放大器电路 |
US10622980B1 (en) | 2018-11-09 | 2020-04-14 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and methods for setting and clamping a node voltage |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04356816A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-12-10 | Toshiba Corp | バッファ回路 |
JPH06161570A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-07 | Toshiba Corp | 定電圧発生回路及びそれを用いた半導体集積回路装置 |
JPH08237045A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-09-13 | Analog Devices Inc <Adi> | 集積回路増幅器 |
JPH11242528A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Fuji Electric Co Ltd | 基準電源回路 |
JP2004056826A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Hynix Semiconductor Inc | 負荷駆動能力可変型増幅回路 |
JP2004072700A (ja) * | 2002-08-02 | 2004-03-04 | Renei Kagi Kofun Yugenkoshi | スルーレート増加装置 |
JP2004140487A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Rohm Co Ltd | バッファ回路及びドライバic |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3462697A (en) * | 1965-07-09 | 1969-08-19 | Applied Dynamics Inc | Stabilized amplifier having improved overload recovery |
US5646576A (en) * | 1995-07-24 | 1997-07-08 | Motorola | Output stage of operational amplifier suitable for mounting on a substrate and method of amplifying therewith |
JPH11220341A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-08-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 演算増幅器 |
US6317000B1 (en) * | 2000-10-05 | 2001-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Overload recovery circuit and method |
US6359512B1 (en) * | 2001-01-18 | 2002-03-19 | Texas Instruments Incorporated | Slew rate boost circuitry and method |
DE10241086B4 (de) | 2001-09-06 | 2016-02-18 | Fuji Electric Co., Ltd | Zusammengesetztes integriertes Halbleiterbauteil |
JP4015903B2 (ja) | 2002-08-02 | 2007-11-28 | Necエレクトロニクス株式会社 | 入力保護回路 |
-
2005
- 2005-12-20 US US11/313,545 patent/US7288993B2/en active Active
-
2006
- 2006-10-04 EP EP06825546.2A patent/EP1955437B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-04 WO PCT/US2006/039097 patent/WO2007064403A1/en active Application Filing
- 2006-10-04 JP JP2008543277A patent/JP4865804B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-04 CN CN2006800510811A patent/CN101361265B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04356816A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-12-10 | Toshiba Corp | バッファ回路 |
JPH06161570A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-07 | Toshiba Corp | 定電圧発生回路及びそれを用いた半導体集積回路装置 |
JPH08237045A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-09-13 | Analog Devices Inc <Adi> | 集積回路増幅器 |
JPH11242528A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Fuji Electric Co Ltd | 基準電源回路 |
JP2004056826A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Hynix Semiconductor Inc | 負荷駆動能力可変型増幅回路 |
JP2004072700A (ja) * | 2002-08-02 | 2004-03-04 | Renei Kagi Kofun Yugenkoshi | スルーレート増加装置 |
JP2004140487A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Rohm Co Ltd | バッファ回路及びドライバic |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1955437A1 (en) | 2008-08-13 |
US20060164170A1 (en) | 2006-07-27 |
EP1955437B1 (en) | 2017-11-29 |
CN101361265A (zh) | 2009-02-04 |
CN101361265B (zh) | 2011-12-07 |
WO2007064403A1 (en) | 2007-06-07 |
JP2009517975A (ja) | 2009-04-30 |
US7288993B2 (en) | 2007-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4865804B2 (ja) | 大信号出力ブースト段を備えた小信号増幅器 | |
JP4834347B2 (ja) | 定電流回路 | |
US7786801B2 (en) | Operational amplifier having high slew rate and stability, and operating method thereof | |
US6384684B1 (en) | Amplifier | |
KR101916224B1 (ko) | 출력 버퍼용 증폭기 및 이를 이용한 신호 처리 장치 | |
JP4564285B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
US5475343A (en) | Class AB complementary output stage | |
US6433637B1 (en) | Single cell rail-to-rail input/output operational amplifier | |
US7358812B2 (en) | Class AB operational buffer | |
WO2009059185A2 (en) | Differential amplifier system | |
KR20120003799A (ko) | 차동 증폭 회로 및 시리즈 레귤레이터 | |
US20020190793A1 (en) | Operational transconductance amplifier for an output buffer | |
JPH08204470A (ja) | 演算増幅器 | |
JP2011150561A (ja) | 半導体集積回路およびそれを用いた差動増幅器およびバッファアンプ | |
US7570113B2 (en) | Overload recovery circuit for folded cascode amplifiers | |
KR987001154A (ko) | 증폭기 | |
US6249153B1 (en) | High slew rate input differential pair with common mode input to ground | |
JP3482159B2 (ja) | 電源装置、及びこれを用いた液晶表示装置 | |
JPH0927721A (ja) | 演算増幅装置 | |
JPH09130162A (ja) | 横電流調節を有する電流ドライバ回路 | |
KR20090012811A (ko) | 빠른 슬루율을 가지는 레일-투-레일 연산 증폭기 및 이를구비하는 디스플레이 구동 집적회로 | |
US10270392B1 (en) | Low-power differential amplifier with improved unity gain frequency | |
JP3971605B2 (ja) | ゲインブースト演算増幅回路 | |
JPS61157106A (ja) | 演算増幅器 | |
JP2007180796A (ja) | 差動増幅回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100826 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110613 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111012 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111110 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141118 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4865804 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |