JP4819209B2 - 互いに異なる共通電圧を有する液晶表示装置 - Google Patents

互いに異なる共通電圧を有する液晶表示装置 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置(liquid crystal display;LCD)に関するものであって、より詳しくは互いに異なる共通電圧を有する薄膜トランジスタ(thin film transistor;TFT)液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
TFT−LCDは二つの基板の間に注入されている異方性誘電率を有する液晶物質に電界を印加し、この電界の強さを調節して基板に透過される光の量を調節することによって、望む画像信号を得る表示装置である。
【0003】
前記のようなTFT−LCDの基板の上には互いに平行した複数のゲート線とこのゲート線に絶縁されて交差する複数のデータ線とが形成され、これらゲート線とデータ線とによって囲まれている領域とが一つの画素を規定する。各画素のゲート線とデータ線とが交差する部分にはTFTが形成される。
【0004】
図1は一般的なTFT−LCDで単位画素に対する等価回路を示す。
【0005】
図1に示したように、TFT10のゲート電極g、ソース電極s、ドレーン電極dはそれぞれゲート線Gn、データ線Dm、画素電極Pに連結される。画素電極Pと共通電極Comとの間には液晶物質が形成されるが、これを等価的に液晶容量Clcで示した。そして、画素電極と前端ゲート線Gn−1との間には蓄積容量Cstが形成され、ゲート電極とドレーン電極との間には誤整列(misa−lignment)などに起因した寄生容量Cgdが生じる。液晶容量Clcと蓄積容量CstとはTFT−LCDが駆動しなければならない負荷として作用する。
【0006】
前記のようなTFT−LCDの動作を説明すると次の通りである。
【0007】
先ず、表示しようとするゲート線Gnに連結されたゲート電極にゲートオン電圧を印加して、TFT10をオンにした後に、画像信号を示すデータ電圧をソース電極sに印加してこのデータ電圧がドレーン電極dに印加されるようにする。すると、前記データ電圧は画素電極Pを通じてそれぞれ液晶容量Clcと蓄積容量Cstとに印加され、画素電極Pと共通電極Comとの電圧の差によって電界が形成される。この時、液晶物質に同じ方向の電界が続いて印加されると液晶が劣化するので、LCDパネルでは液晶の劣化を防止するために画像信号を共通電極に対して陽、陰繰り返して駆動し、このような駆動方式を反転駆動方式と言う。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
一方、TFTがオンの状態になった場合に液晶容量Clc及び蓄積容量Cstに印加された電圧はTFTがオフの状態になった後にも続いて持続されなければならないが、ゲート電極とドレーン電極との間にある寄生容量Cgdのために、画素電極に印加された電圧は歪曲が生じるようになる。このように歪曲された電圧をキックバック(kick−back)電圧と言うが、このキックバック電圧ΔVは次の数式1から求められる。
【数1】
Figure 0004819209
ここで、ΔVgはゲート電圧の変化量、つまりゲートオン電圧Vonとゲートオフ電圧Voffの差を意味する。
【0009】
前記電圧歪曲はデータ電圧の極性に関係なく、常に画素電極の電圧を下げる方向に作用するようになり、これを図2に示した。
【0010】
図2において、Vg、Vd、Vpはそれぞれゲート電圧、データ電圧、画素電極の電圧を示し、Vcom、ΔVはそれぞれ共通電極電圧(共通電圧)とキックバック電圧とを示す。
【0011】
図2に点線で示したように、理想的なTFT−LCDではゲート電圧Vgがオンである時にデータ電圧Vdが画素電極に印加されてゲート電圧がオフとなる場合にも前記データ電圧を維持するが、実際のTFT−LCDでは図2の実線で示したように、ゲート電圧が変わる部分ではキックバック電圧ΔVの影響で画素電圧Vpがキックバック電圧の分だけ下方に下がる。
【0012】
一方、液晶に印加される電圧の実効値は画素電圧Vpと共通電圧Vcomとの間の面積で決められるが、液晶表示装置を反転駆動方式で駆動する場合には共通電圧を中心とした画素電圧の面積が対象になるように共通電圧のレベルを調節する必要があり、このために従来は画素電圧の面積が対象となる一定の共通電圧を共通電極に印加した。
【0013】
これは共通電圧Vcomを中心にした画素電圧Vpの面積が対象にならない場合には各画素に充電される画素電圧の量がフレーム毎に差異が発生し、画素電圧が反転される時に画面がちらつくフリッカー(flicker)現象が発生するためである。
【0014】
しかし、フリッカー現象を防止するために従来のように一定の共通電圧を共通電極に印加する場合にも、次のような理由でフリッカー現象が依然として発生するようになる。
【0015】
一般にゲート線は抵抗成分と寄生容量成分とを有しており、これによってこの二つの値の積によって決定される時定数分のゲート電圧の遅延が生じるようになる。この信号遅延は液晶パネルが大きくなるほどさらに大きくなる。
【0016】
図3はゲート線の長さによって遅延されるゲート電圧Vgの測定値を概略的に示した図面である。図3において、Vg1とVg2とはそれぞれゲート電圧の入力端から近いところと遠いところとのゲート線で測定されるゲート電圧を示す。
【0017】
図3に示したように、ゲート電圧の入力端から遠くなるほど、つまりゲート信号の遅延が大きいほどゲート電圧の変化量(数式1のΔVg)は小さくなり、これによって数式1から分かるようにキックバック電圧(ΔV)は小さくなる。
【0018】
したがって、共通電圧を一定に印加する場合、この電圧が画素電圧の中心値として維持されないので、フレーム単位で画素に充填される電圧の値が異なるようになって、フリッカー現象が発生するようになる。このような現象は液晶表示装置の画面が大型化して、ゲート線が長くなることによってさらに問題となる。
【0019】
本発明の目的は、前記のような問題点を解決するためのものであって、ゲート電圧の信号遅延によって生じるフリッカー現象を防止するためのものである。
【0020】
【課題を解決するための手段】
前記のような目的を達成するための本発明による液晶表示装置は、 ゲート線、上記ゲート線に絶縁して交差するデータ線、前記ゲート線に連結されるゲート電極と前記データ線に連結されるソース電極とを有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレーン電極に連結される画素電極が形成されている第1基板と;前記画素電極に対向している共通電極が形成されている第2基板と;前記ゲート線に前記薄膜トランジスタをオン/オフするためのゲート信号を印加するためのゲートドライバーと;前記データ線に画像信号を示すデータ電圧を印加するためのデータドライバーと;前記ゲートドライバーに近接する側にある第1地点の共通電極に第1共通電圧を印加し、前記ゲートドライバーに対して第1地点より離れた側にある第2地点の共通電極に前記第1共通電圧より大きい第2共通電圧を印加する共通電圧発生部を含み、前記共通電圧発生部は、電源電圧と;前記電源電圧に一部が連結され、前記第2地点に他方が連結される第1抵抗と;接地点に一部が連結され、前記第1地点に他方が連結される第2抵抗と;を含み、前記第1抵抗または前記第2抵抗は可変抵抗であり、前記第1地点と前記第2地点とは前記第2基板の内部抵抗を通じて電気的に連結される
【0021】
前記第1共通電圧と前記第2共通電圧との差は、前記ゲート線の特性によって調節されることを特徴とする。
前記第2地点に一部が連結され、接地点に他方が連結される第1キャパシターと、前記第1地点に一部が連結され、接地点に他方が連結される第2キャパシターをさらに含む。
前記第2共通電圧と前記第1共通電圧との差異は、前記第1地点におけるキックバック電圧と前記第2地点におけるキックバック電圧との差異と同一であるのを特徴とする。
【0022】
本発明の液晶表示装置においては前記共通電圧発生部の可変抵抗値を調節することによって、前記第2共通電圧と前記第1共通電圧との差を調節することができ、具体的に可変抵抗値を調節して、前記第2共通電圧と前記第1共通電圧との差異が前記第1地点でのキックバック電圧と前記第2地点でのキックバック電圧との差異と同一になるようにすることによってフリッカーを防止する。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明が属する技術分野において、通常の知識を有している者がこの発明を容易に実施することができるように、本発明の実施例を詳細に説明する。
【0024】
図4は本発明を概略的に示すための図面である。
【0025】
図4において、Aはゲート電圧を印加するゲートドライバー(図示せず)に近い部分であり、Bはゲートドライバーに印加する地点から遠いところに位置する部分を示す。
【0026】
本発明ではゲート線の両端(A、B)に対応する共通電極に互いに異なる共通電圧(Vom1、Vcom2)を印加する。つまり、本発明ではゲート線による信号遅延によってB点のキックバック電圧がA点のキックバック電圧より小さいために生じる従来のフリッカー現象を防止するために、パネル100のB地点に印加された共通電圧(Vcom2)をA地点に印加された共通電圧(Vcom1)より大きくした。これを具体的に説明すると次の通りである。
【0027】
ゲートドライバーの隣接部分に位置しているA地点のキックバック電圧をΔV(O)とし、遠いところに位置しているB地点のキックバック電圧をΔV(L)とすると、これらキックバック電圧は次の数式2で示すことができる。
【数2】
Figure 0004819209
ここで、Von(O)とVon(L)とはそれぞれA地点とB地点とでのゲートオン電圧を示し、Cgd、Cst、Clcはゲート電極とドレーン電極との間の寄生容量、蓄積容量、液晶容量を示す。
【0028】
前記数式2において、ゲート線の信号遅延によってVon(O)>Von(L)であるので、ΔV(O)>ΔV(L)となる。つまり、ゲートドライバーから遠いほどキックバック電圧は小さくなり、これによってゲートドライバーから遠い部分であるほどキックバック電圧によって画素電圧が下方に下がる現象が少なくなる。
【0029】
したがって、A地点での共通電圧(Vcom(O))よりB地点での共通電圧(Vcom(L))を大きくすると、ゲート遅延によるフリッカー現象を防止することができる。この時、ゲート遅延によるフリッカーを防止するためのキックバック電圧と共通電圧との間の関係式は数式3の通りである。
【数3】
Figure 0004819209
数式3から分かるように、B地点とA地点とでの共通電圧の差異(Vcom(L)−Vcom(O))がA地点とB地点とでのキックバック電圧の差異(Von(O)−Von(L))と同一になるようにすると、ゲート線の信号遅延によるフリッカー現象を防止することができる。
【0030】
図5は本発明の実施例によるTFT−LCDを示す図面である。
【0031】
図5に示されたように、本発明の実施例によるTFT−LCDはTFT−LCDパネル100、ゲートドライバー200、データドライバー300、共通電圧発生部400からなる。
【0032】
データドライバー300は画像信号を示すデータ電圧をTFT−LCDパネル100の各データ線Dに印加し、ゲートドライバー200は各データ線Dに印加されたデータ電圧が画素電極に印加できるように、各画素のTFTをオンにするゲート電圧を出力する。
【0033】
TFT−LCDパネル100にはデータドライバー300からのデータ電圧を伝達するデータ線Dとゲートドライバー200からのゲート電圧を伝達するゲート線Gとが互いに交差して形成される。各画素のTFTのソース電極とゲート電極とはこのデータ線とゲート線とに連結される。図5では説明の便宜上、TFT−LCDパネル100に一つの画素に対する等価回路だけを示し、ここで画素電極に充電される電圧はVpで、蓄積容量電極に充電される電圧はVstで示した。
【0034】
共通電圧発生部400はゲート線の両端(A、B)に対応する共通電極に互いに異なる共通電圧(Vcom1、Vcom2)を印加する。この時、Vcom2はVcom1より大きい値が印加され、具体的に数式3を満足する値が印加される。
【0035】
図6は本発明の実施例によるTFT−LCDパネルの構造を示した図面である。
【0036】
図6に示したように、本発明の実施例によるTFT−LCDパネルは第1基板110、第1基板と対向する第2基板120とで構成されている。ここで、通常第1基板110は薄膜トランジスタ及び画素電極が形成されており、薄膜トランジスタ基板とも呼ばれる。また、第2基板120はカラーフィルター及び共通電極が形成されており、対向基板とも呼ばれる。
【0037】
二つの基板110、120の中央には画像信号を表示する多数の画素からなる表示領域130がある。露出された第1基板110の上部は多数のデータ線(図示せず)と連結されており、外部からデータ電圧を伝達するデータパッド140が群集している。また、露出された第1基板の左側は多数のゲート線(図示せず)と連結されており、外部からゲート電圧を伝達するためのゲートパッド150が群集して形成されている。表示領域130とパッド140、150との間にはゲート線及びデータ線とそれぞれのパッド140、150を連結する連結部141、151がそれぞれ形成されている。
【0038】
表示領域130外の四つの角には四つの共通電極接触点161、162、163、164が分布しており、接触点161、162、163、164はパッド140、150の側に余分に形成されているダミーパッド171、172、173を通じて外部から共通電圧の印加を受ける。また、二つの基板110、120の右側に形成されている二つの接触点163、164は共通連結線180で連結されるが、この共通連結線180は二つの接触点163、164の間の抵抗によって発生する電圧降下を最小化するために多数の低抵抗金属膜の配線で形成する。
【0039】
ここで、共通電極接触点(161、162)、(163、164)にはそれぞれ互いに異なる共通電圧(Vcom1、Vcom2)が印加されて、ゲート線の信号遅延によるフリッカー現象を防止する。
【0040】
次に、図7を参照して本発明の第1実施例による共通電圧発生部400について説明する。
【0041】
図7に示したように、本発明の第1実施例による共通電圧発生部400は第1共通電圧発生部410と第2共通電圧発生部420とからなる。第1及び第2共通電圧発生部410、420はそれぞれ独立的に共通電圧Vcom1とVcom2とを生成するためのものであって、電源電圧Va、抵抗R1、R2、R3、R4、演算増幅器OP1、OP2からなる。
【0042】
図7において、第1共通電圧発生部410は電圧Vaを抵抗R1、R2に分圧した後、演算増幅器OP1を通じてこの分圧された電圧を増幅して、共通電圧Vcom1を生成する。これと同様に第2共通電圧発生部420は電圧Vaを抵抗R3、R4で分圧した後、演算増幅器OP2を通じてこの分圧された電圧を増幅して、共通電圧Vcom2を生成する。この時、共通電圧(Vcom1、Vcom2)は数式3の関係式を満たすが、これらの関係式はTFT−LCDパネルの製造時に適切な抵抗R1、R2、R3、R4値を選択するか、適切な演算増幅器OP1、OP2の利得値を選択することによって達成される。
【0043】
一方、図7に示した本発明の第1実施例ではTFT−LCDパネルの特性のばらつき(panel to panel variation)によって各パネルのゲート線の遅延特性が異なる場合には適用しにくいという問題点がある。
【0044】
たとえば、ゲート線の遅延が小さいXというパネルのB地点でのキックバック電圧がΔV(L)とし、ゲート線の遅延が大きいYというパネルのB地点でのキックバック電圧がΔV(L)′とすると、ΔV(L)>ΔV(L)′となる。
【0045】
前記の場合には数式3から分かるように、XパネルのB地点とA地点とに印加される共通電圧の差(Vcom(L)−Vcom(O))はYパネルのB地点とA地点とに印加される共通電圧の差(Vcom(L)′−Vcom(O)′)より小さくならなければならない。
【0046】
したがって、各TFT−LCDパネルの変異によるゲート線の遅延特性に対応して、ゲート線の両端に印加される共通電圧の差を調節することによってフリッカーを防止する必要がある。
【0047】
しかし、本発明の第1実施例によると、TFT−LCD製造時に既に抵抗値及び演算増幅器の利得値が固定されるために、パネルの変移によって各TFT−LCDパネルのゲート線の遅延特性が変わる場合に生じるフリッカーを効果的に防止することができないという問題点がある。
【0048】
本発明の第2実施例による共通電圧発生部400はこれと同様な問題点を解決するためのものであって、図8にこれを示した。
【0049】
図8に示したように、本発明の第2実施例による共通電圧発生部400は電源電圧VDD、可変抵抗VR、抵抗R5とキャパシターC1、C2からなる。
【0050】
図8において、可変抵抗VRの一端は電源電圧VDDに連結され、他端CはキャパシターC1の一端に連結される。キャパシターC1の他端は接地点に連結される。可変抵抗VRとキャパシターC1との間の接点の電圧は共通電圧Vcom2としてTFT−LCDパネル100のB部分に印加される。
【0051】
抵抗R5の一端は接地点に連結され、他端DはキャパシターC2の一端に連結される。キャパシターC2の他端は接地点に連結される。抵抗R5とキャパシターC2との間の接点の電圧は共通電圧Vcom1としてTFT−LCDパネル100のA部分に印加される。
【0052】
一方、可変抵抗VRとキャパシターC1との間の接点Cと、抵抗R5とキャパシターC2との間の接点Dとは、TFT−LCDパネル100の内部抵抗(Rin)を通じて電気的に連結される。
【0053】
図8に示した第2実施例において、TFT−LCDパネルのA部分とB部分とに印加される共通電圧Vcom(O)、Vcom(L)はそれぞれ次の数式4で求められる。
【数4】
Figure 0004819209
【0054】
前記数式4から、パネルのB地点及びA地点に印加される共通電圧の差は次の数式5で求められる。
【数5】
Figure 0004819209
【0055】
数式5から分かるように、パネルの両端間の電圧の差は可変抵抗VRによって調整することができ、これによってパネルの変異によるゲート線の遅延特性の差異によって生じるフリッカーもこの可変抵抗値を適切に調節することによって防止することができる。
【0056】
一方、図8のキャパシターC1、C2は共通電極端から発生するリップル(ripple)を除去するためのものである。このリップルは共通電極と連結される液晶キャパシターで必要な電荷の移動によって発生するのもであって、この現象を最小化するためには一つのゲート線に対応する液晶キャパシターの容量より大きいか同一でなければならない。
【0057】
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明は前記実施例に限られるものでなく、その他の多くの変更及び変形が可能であるのは当然のことである。
【0058】
たとえば、図8に示した本発明の第2実施例では一つの可変抵抗を用いたが、二つ以上の可変抵抗を用いても構わない。
【0059】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によるとゲート線の両端に対応する共通電極に互いに異なる共通電圧を印加することによって、ゲート電圧の信号遅延によって生じるフリッカー現象を防止することができる。
【0060】
また、本発明では、可変抵抗の抵抗値を変化させることで共通電圧の値を変更することができるので、パネルに特性のばらつきがある場合でも、ゲート線の遅延特性の差異によって生じるフリッカー現象を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一般的な薄膜トランジスタ液晶表示装置の単位画素に対する等価回路を示す図面である。
【図2】キックバック電圧による電圧歪曲を示す図面である。
【図3】ゲート線の信号遅延によって遅延するゲート電圧の測定値を概略的に示す図面である。
【図4】本発明を概略的に示した図面である。
【図5】本発明の実施例による薄膜トランジスタ液晶表示装置を示す図面である。
【図6】本発明の実施例による薄膜トランジスタ液晶表示装置パネルの構造を示す図面である。
【図7】本発明の第1実施例による共通電圧発生部を示す図面である。
【図8】本発明の第2実施例による共通電圧発生部を示す図面である。
【符号の説明】
100 パネル
110、120 基板
130 表示領域
140 データパッド
150 ゲートパッド
161、162、163、164 共通電極接触点
171、172、173 ダミーパッド
200 ゲートドライバー
300 データドライバー
410 第1共通電圧発生部
420 第2共通電圧発生部
A、B ゲート線の両端点
C1、C2 キャパシター
D データ線
G ゲート線
Va 電源電圧
VDD 電源電圧
VR 可変抵抗
R1、R2、R3、R4、R5 抵抗
OP1、OP2 演算増幅器

Claims (4)

  1. ゲート線、上記ゲート線に絶縁して交差するデータ線、前記ゲート線に連結されるゲート電極と前記データ線に連結されるソース電極とを有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレーン電極に連結される画素電極が形成されている第1基板と;前記画素電極に対向している共通電極が形成されている第2基板と;前記ゲート線に前記薄膜トランジスタをオン/オフするためのゲート信号を印加するためのゲートドライバーと;前記データ線に画像信号を示すデータ電圧を印加するためのデータドライバーと;前記ゲートドライバーに近接する側にある第1地点の共通電極に第1共通電圧を印加し、前記ゲートドライバーに対して第1地点より離れた側にある第2地点の共通電極に前記第1共通電圧より大きい第2共通電圧を印加する共通電圧発生部を含み、
    前記共通電圧発生部は、電源電圧と;前記電源電圧に一部が連結され、前記第2地点に他方が連結される第1抵抗と;接地点に一部が連結され、前記第1地点に他方が連結される第2抵抗と;を含み、前記第1抵抗または前記第2抵抗は可変抵抗であり、前記第1地点と前記第2地点とは前記第2基板の内部抵抗を通じて電気的に連結される液晶表示装置。
  2. 前記第1共通電圧と前記第2共通電圧との差は、前記ゲート線の特性によって調節されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記第2地点に一部が連結され、接地点に他方が連結される第1キャパシターと、前記第1地点に一部が連結され、接地点に他方が連結される第2キャパシターをさらに含む請求項に記載の液晶表示装置。
  4. 前記第2共通電圧と前記第1共通電圧との差異は、前記第1地点におけるキックバック電圧と前記第2地点におけるキックバック電圧との差異と同一であるのを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の液晶表示装置。
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