JP4782646B2 - 多層磁気シールドルーム - Google Patents

Description

本発明は、開口部を有する多層磁気シールドルームに関する。

地磁気の遮蔽を目的とする磁気シールドルーム（ＭＳＲ）や変動磁界の遮蔽を目的とする磁気シールドクリーンルーム（ＭＳＣＲ）には、換気や設備配管のための開口部が壁、床、天井に設けられている。

例えば、図２０の平面図に示すように、磁気シールドクリーンルーム２００は、磁気遮蔽層の最内層２０４Ａ、中間層２０４Ｂ、及び最外層２０４Ｃからなる３層の磁気遮蔽構造体２０４によって囲まれている。すなわち、磁気遮蔽構造体２０４によって、磁気シールドクリーンルーム２００の壁、床、天井が覆われている。

また、磁気シールドクリーンルーム２００の室内部２４０には、ＥＢ（Electron Beam）露光装置、ＳＱＵＩＤ（Superconductive Quantum Interference Device）磁束計（生体磁気計測装置）、電子顕微鏡等の磁気ノイズに影響を受け易い機器２０２が設置されている。そして、磁気シールドクリーンルーム２００の床や壁を構成する磁気遮蔽構造体２０４に、複数の正方形の開口部２０６、２０８が設けられている。

これらの開口部２０６、２０８から外部磁界が室内部２４０に侵入するのを防ぐために、通常、磁性材料からなる角筒状のダクト２１０が取り付けられている。このダクト２１０は最外層２０４Ｃから突出され、その突出長さは開口部の一辺の長さの２〜３倍程度にするのがよいとされていた。

図２１に示すように、特許文献１の磁気シールドルーム２１２には開口部２１４が設けられており、この開口部２１４に磁気遮蔽材の管２１６が取り付けられている。管２１６は、磁気シールドルーム２１２の外壁面から突出しており、先端部にフランジ２１８を有している。

よって、管２１６によって開口部２１４から侵入する外部磁界を低減すると共に、フランジ２１８により管２１６の先端部から開口部２１４に漏洩する磁界を低減するので、管２１６の長さを短くできる。

このような磁気シールドルーム２１２では、室内に設置されたＥＢ露光装置や生体磁気計測装置等の機器を正常に機能させるために、図２０の磁気シールドクリーンルーム２００のように磁気遮蔽層を多層にするのが一般的である。

近年のデバイスの微細化、高密度化に伴い、ＥＢ露光装置等の機器に求められる漏洩磁界の条件も、従来の０．３μＴ以下から０．１μＴ以下へと益々厳しくなっている。また、生体磁気計測においても、心臓磁界や脳磁界の計測では微小な信号を扱わなければならない。

これらの描画や計測を電車や自動車等のノイズ源が多い都市部で行う場合、磁気シールドルームには特に高い磁気遮蔽性が求められるので、磁気シールドルームを多層にする傾向が強くなる。

また、これらの多層磁気シールドルームの開口部に対して、ダクトは図２２や図２３のように取り付けられることが多い。

図２２（Ａ）、（Ｂ）の平断面図では、磁気遮蔽構造体２０４を構成する磁気遮蔽層の最外層２０４Ｃから角筒状のダクト２１０Ｃが突設されている。そして、最外層２０４Ｃから突出するダクト２１０Ｃの長さＬは、通常、ダクト２１０Ｃの内側開口部の一辺の長さｈの２倍（Ｌ＝２ｈ）以上になっている。

ダクト２１０Ｃを最外層２０４Ｃから突設させればよいのでダクトの取り付けは容易であるが、しかし、図２２（Ａ）に示すように、ダクト２１０Ｃの側方からダクト２１０Ｃの軸方向と直交するように直流一様磁界Ｂ_Ｘが水平に印加された場合、磁気遮蔽構造体２０４の最内層２０４Ａ、中間層２０４Ｂに伝わった外部磁界Ｂ_Ｘの磁束Ｐは、開口部２０８Ａ、２０８Ｂ付近で拡散され室内部２４０に侵入してしまう。

また、図２２（Ｂ）に示すように、ダクト２１０Ｃの正面から室内部２４０に向かって直流一様磁界Ｂ_Ｚが水平に印加された場合、磁気遮蔽構造体２０４の最内層２０４Ａ、中間層２０４Ｂに伝わった外部磁界Ｂ_Ｚの磁束Ｐは、開口部２０８Ａ、２０８Ｂから室内部２４０に侵入してしまう。

これらにより、開口部から室内部に侵入（漏洩）する外部磁界を効果的に低減することができない。

さらに、ダクト長を長くすると製造コストも高くなり、取り付け部も強固にしなければならない。また、最外層２０４Ｃの外側に突出させた分だけ余計な空間が多層磁気シールドルームの外側に必要となる。

図２３（Ａ）、（Ｂ）の平断面図では、磁気遮蔽構造体２０４を構成する磁気遮蔽層の最内層２０４Ａ、中間層２０４Ｂ、最外層２０４Ｃから角筒状のダクト２１０Ａ、２１０Ｂ、２１０Ｃがそれぞれ突設されている。そして、最外層２０４Ｃから突出するダクト２１０Ｃの長さＬは、ダクト２１０Ａの内側開口部の一辺の長さｈと同じ（Ｌ＝ｈ）になっている。また、ダクト２１０Ａ、２１０Ｂの最外層２０４Ｃからの突出長さは、ダクト２１０Ｃの最外層２０４Ｃからの突出長さと同じになっている。

よって、図２３（Ａ）に示すように、図２２（Ａ）と同様に直流一様磁界Ｂ_Ｘがダクト２１０Ｃの側方から印加された場合、各層に伝わった外部磁界Ｂ_Ｘの磁束Ｐがダクト２１０Ａ、２１０Ｂ、２１０Ｃを伝って室外部２４２側へ誘導される。

しかし、図２３（Ｂ）に示すように、図２２（Ｂ）と同様に直流一様磁界Ｂ_Ｚがダクト２１０の正面から印加された場合、多くのダクト２１０Ａ、２１０Ｂ、２１０Ｃが最外層２０４Ｃから突出しているために外部磁界Ｂ_Ｚの磁束Ｐを誘導して開口部に集めてしまい、この結果、室内部に余計な磁束を引き込んで、開口部から室内部２４０に侵入（漏洩）する外部磁界Ｂ_Ｚを効果的に低減することができない。

また、全ての層にダクトを取り付けると材料費が掛かると共に、取り付け手間が増えるので取り付けに時間が掛かり、施工費も高くなってしまう。特に、室外部２４２側から空調用のダクトを取り付けるのは困難な作業になるので、複数のダクトを取り付けることは非常に効率が悪い施工となる。

また、通常のダクトの施工は磁気遮蔽構造体２０４の組み立てが完了した後に行われるので、室内部２４０側からダクトを取り付ける場合には、図２３（Ａ）、（Ｂ）とは逆に、各層の開口部２０８Ａ、２０８Ｂ、２０８Ｃの大きさを室外部２４２に向うに従って徐々に小さくする必要があるので、各層毎に開口部の大きさを変えなければならない。

さらに、このようなダクトを扉が設けられる開口部に用いた場合には、ダクト２１０Ａ、２１０Ｂ、２１０Ｃの厚みにより、床面に対する段差が大きくなってしまうので、人や物等の出入りの邪魔になってしまう。

特に、半導体デバイス・マスク製造用の磁気シールドクリーンルームの場合には、換気量が大きいためにダクト数が多くなるので、この問題が顕著に表れる。

図２４（Ａ）に示すように、特許文献２の磁気シールド装置２２０には、開口部２２２の外部にシールド材のダクト２２４が取り付けられている。そして、図２４（Ｂ）に示すように、このダクト２２４の内部にはシールド板２２６からなる立体格子２２８が設けられている。

よって、開口部２２２から侵入する磁気を低減することができる。

しかし、この磁気シールド装置２２０のダクト２２４は、開口部２２２の外部に設けられているので、多層の磁気シールドルームに用いた場合には、図２２と同様の問題が生じてしまう。

また、図２５に示すように、特許文献３の磁気シールドルーム２３０は、高透磁率合金の内部室２３２、中間室２３４、及び外部室２３６の壁面部からなる３層構造によって囲まれており、この壁面部に対して上下方向に傾斜した換気ダクト２３８が、内部室２３２、中間室２３４、外部室２３６に形成された通孔２３２Ａ、２３４Ａ、２３６Ａを貫通するように設けられている。換気ダクト２３８は、磁気絶縁材料によって形成されている。

よって、通孔２３６Ａが形成された外部室２３６の壁面に向って印加される外部からの磁気は、内部室２３２、中間室２３４、及び外部室２３６の壁面部に吸収、遮蔽される。

また、換気ダクト２３８から侵入した外部からの磁気は換気ダクト２３８に吸収されずに通孔２３６Ａ、２３４Ａを介して室内部に向かう。しかし、通孔２３６Ａ、２３４Ａは上下方向にずれて形成されているので、通孔２３６Ａから侵入した磁気は次の中間室２３４に当たって吸収、遮蔽され、通孔２３４Ａから侵入した磁気は次の内部室２３２に当たって吸収、遮蔽される。これにより、換気ダクト２３８から侵入する磁気を低減することができる。

しかし、多層磁気シールド構造において、このような斜めのダクトを設置するのは困難であり、また、開口部が上下方向にずれているので、ウエハ等の試料の出入口や窓として開口部を利用することができない。

また、多層磁気シールドルーム２３０に防振装置を設ける場合、この防振装置用基礎の脚部のための貫通孔は床部に垂直に形成する必要があるので、このような貫通孔に特許文献３の傾斜した換気ダクト２３８を用いることはできない。

さらに、特許文献３の換気ダクト２３８を空調の吹出口、吸込口に用いた場合、空調機から強制的に大量の空気を換気ダクト２３８に流そうとすると、斜めのダクトでは室内の気流分布が乱れてしまうので、磁気シールドクリーンルームの換気ダクトには適さない。
特開平１１−１８６７７９号公報 実開平３−１２４９７号公報 特開平７−１２２８７７号公報

本発明は係る事実を考慮し、施工が容易かつ低コストであり、開口部から侵入（漏洩）する外部磁界を低減することができる多層磁気シールドルームを提供することを課題とする。

第１態様の発明は、複数の磁気遮蔽層によって囲まれた多層磁気シールドルームにおいて、前記複数の磁気遮蔽層を貫通する開口部と、前記複数の磁気遮蔽層の最内層に接合され、かつ該最内層から前記開口部内へ突設された筒体と、を有し、前記筒体は、高透磁性材料によって形成されていることを特徴としている。

第１態様の発明では、多層磁気シールドルームは、複数の磁気遮蔽層を貫通する開口部を有している。そして、高透磁性材料によって形成された筒体が複数の磁気遮蔽層の最内層に接合され、かつ最内層から開口部内へ突設されている。

これにより、多層磁気シールドルームの室内部へ侵入しようとする外部磁界は、複数の磁気遮蔽層によって遮蔽される。このとき、最内層に伝わった開口部付近の磁束は、筒体の外面方向、又は筒体の先端方向へ流れる。

そして、筒体の外面方向へ流れた磁束は再び最内層に戻り、筒体の先端方向へ流れた磁束も筒体を媒体にして外面方向に流れた後に再び最内層に伝達される。

ここで、筒体の先端部は最内層の開口部から離れた室外部側に位置するので、筒体の先端方向へ流れた磁束が筒体内側に流れても室内部には侵入しないか、又は侵入する磁束は少なくなる。

また、筒体の正面から室内部に向って印加される外部磁界の磁束は、筒体により最内層に導かれる。

よって、開口部から室内部に侵入（漏洩）する外部磁界を低減することができる。

また、１つの筒体を最内層から突設させるだけでよいので筒体の製作費が安くなり、また、取り付けが容易になるので工期短縮や施工費の低減を図ることができる。

また、最内層から突設された筒体により、開口部に高い磁気遮蔽性を与えることができるので、大きな開口部を設けることが可能であり、扉を有さない出入口や窓として開口部を利用することができる。

第２態様の発明は、前記筒体は、前記複数の磁気遮蔽層の最内層以外の磁気遮蔽層とは非接合であることを特徴としている。

第２態様の発明では、筒体が、複数の磁気遮蔽層の最内層以外の磁気遮蔽層とは接合されていない。

筒体が最内層以外の磁気遮蔽層とは接合されていなかったり、又は軽く接触しているだけで接合状態になっていなくても、最内層にさえ筒体が接合されていれば、高い磁気遮蔽性を開口部に与えることができる。

よって、最内層以外の磁気遮蔽層の開口部には高い加工精度を必要とせず、また、筒体と開口部の隙間を埋めなくてもよいので、施工がより容易に行える。

第３態様の発明は、前記筒体の先端部は、前記複数の磁気遮蔽層の最外層から突出していないことを特徴としている。

第３態様の発明では、筒体の先端部が、複数の磁気遮蔽層の最外層から突出していないので、筒体の正面から室内部に向って外部磁界が印加されたときに、外部磁界の磁束を誘導して開口部に集めることはなく、開口部へ誘導される外部磁界をより低減することができ、これによって、室内部へ侵入（漏洩）する磁界が小さくなる。

よって、筒体の正面から室内部に向って印加される外部磁界に対して高い磁気遮蔽効果を発揮することができ、また、多層磁気シールドルームの外側に筒体が突出する空間を必要としない。

第４態様の発明は、前記筒体の先端部は、前記複数の磁気遮蔽層の最外層と面一であることを特徴としている。

第４態様の発明では、筒体の先端部が、複数の磁気遮蔽層の最外層と面一となっているので、筒体の先端部を最外層から突出させずに、かつ筒体の長さは筒体の先端部を最外層から突出させない範囲で最も長くなっている。

よって、開口部から室内部へ侵入する外部磁界をより低減することができ、また、筒体の正面から室内部に向って印加される外部磁界に対しても高い磁気遮蔽効果を発揮することができる。

第５態様の発明は、前記筒体の内側開口部の形状は矩形又は円形であり、前記内側開口部の長辺の長さ又は直径をｈとしたときに、前記筒体の長さはｈ／２以上２ｈ以下であることを特徴としている。

第５態様の発明では、筒体の内側開口部の形状が矩形の場合に内側開口部の長辺の長さをｈとし、筒体の内側開口部の形状が円形の場合に内側開口部の直径をｈとしたときに、筒体の長さがｈ／２以上２ｈ以下となっている。

筒体の長さをｈ／２以上とすれば、筒体の先端方向へ流れた磁束が筒体内側に流れても室内部には侵入しないか、又は侵入する磁束は少なくなる。

また、筒体の長さが２ｈ以上になると、磁気抵抗が大きくなって先端まで磁束が流れて行かないので、開口部から侵入する外部磁界を低減する効果はこれ以上はあまり大きくならない。

よって、筒体の長さをｈ／２以上２ｈ以下とすることによって、開口部から室内部に侵入する外部磁界を低減することができ、また、筒体の長さを無駄に長くすることがなくなる。

第６態様の発明は、前記筒体の内部に、高透磁性材料によって形成された磁気誘導部材が前記筒体の内壁の少なくとも２箇所と接するように設けられていることを特徴としている。

第６態様の発明では、筒体の内部に高透磁性材料によって形成された磁気誘導部材が設けられている。また、この磁気誘導部材は、筒体の内壁の少なくとも２箇所と接している。

これにより、磁気誘導部材により筒体内部の磁気抵抗が小さくなり、この磁気誘導部材を介して最内層の開口部間の磁束の受け渡しが容易になるので、開口部から侵入する外部磁界をより低減することができる。

第７態様の発明は、前記磁気誘導部材は、立体格子であることを特徴としている。

第７態様の発明では、磁気誘導部材を立体格子とすることによって、開口部の強度を上げることができる。

本発明の多層磁気シールドルームは上記構成としたので、施工が容易かつ低コストであり、開口部から侵入（漏洩）する外部磁界を低減することができる。

図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る多層磁気シールドルームについて説明する。

なお、本実施形態は、心臓磁界や心臓磁場等の生体磁気計測装置、電子線描画装置、電子線マスク描画装置、又はイオンビーム装置等の磁気ノイズに影響を受け易い機器が備えられた部屋を磁気遮蔽するさまざまな用途の多層磁気シールドルームへの適用が可能である。

まず、本発明の第１の実施形態に係る多層磁気シールドルームについて説明する。

図１は、第１の実施形態に係る多層磁気シールドルーム１０の斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。

図１に示すように、多層磁気シールドルーム１０は、幅３４００ｍｍ、奥行き３４００ｍｍ、高さ４６００ｍｍの直方体であり、図２に示すように、複数の磁気遮蔽層としての最内層１２Ａ、中間層１２Ｂ、及び最外層１２Ｃからなる３層構造の磁気遮蔽構造体１２によって囲まれている。すなわち、多層磁気シールドルーム１０の壁、床、天井が、磁気遮蔽構造体１２によって覆われている。最内層１２Ａ、中間層１２Ｂ、及び最外層１２Ｃの材料には、パーマロイが用いられている。

最内層１２Ａ、中間層１２Ｂ、及び最外層１２Ｃの厚さは２ｍｍであり、層間距離は１００ｍｍとなっている。

多層磁気シールドルーム１０の室内部１４には、ＥＢ露光装置等の磁気ノイズに影響を受け易い機器１６が設置されている。

さらに、多層磁気シールドルーム１０の床部には、最内層１２Ａ、中間層１２Ｂ、及び最外層１２Ｃを貫通する正方形の開口部１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃが換気用に設けられている。
そして、開口部１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ付近を拡大した図３（Ａ）、（Ｂ）の平断面図、及び図３（Ｃ）の正面図に示すように、高透磁性材料によって形成された筒体としての角筒状のダクト２０が、最内層１２Ａから開口部１８Ｂ、１８Ｃ内へ突設されている。ダクト２０は、最内層１２Ａの壁面に対して垂直に真っ直ぐ張り出しており、最内層１２Ａのみに接合されている。すなわち、最内層１２Ａ以外の磁気遮蔽層である中間層１２Ｂ、最外層１２Ｃとダクト２０とは接合されていない。ダクト２０の材料には、パーマロイが用いられている。

ダクト２０の内側開口部２４の形状は開口部１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ同様に正方形であり、内側開口部２４の一辺の長さｈは３５０ｍｍとなっている。また、ダクト２０の長さＬは、内側開口部２４の一辺の長さｈと同じ３５０ｍｍ（Ｌ＝ｈ）となっている。

次に、本発明の第１の実施形態に係る多層磁気シールドルームの作用及び効果について説明する。
図３（Ａ）に示すように、ダクト２０の側方からダクト２０の軸方向と直交するように水平に印加された外部磁界Ｂ_Ｘは、複数の磁気遮蔽層としての最内層１２Ａ、中間層１２Ｂ、及び最外層１２Ｃによって遮蔽される。このとき、最内層１２Ａに伝わった開口部１８Ａ付近の磁束Ｐは、ダクト２０の外面方向、又はダクト２０の先端方向へ流れる。

そして、ダクト２０の外面方向へ流れた磁束Ｐは再び最内層１２Ａに戻り、ダクト２０の先端方向へ流れた磁束Ｐもダクト２０を媒体にして外面方向に流れた後に再び最内層１２Ａに伝達される。

ここで、ダクト２０の先端部は最内層１２Ａの開口部１８Ａから離れた室外部２２側に位置するので、ダクト２０の先端方向へ流れた磁束Ｐがダクト２０の内側に流れても室内部１４には侵入しないか、又は侵入する磁束Ｐは少なくなる。

また、図３（Ｂ）に示すように、ダクト２０の正面から室内部１４に向って水平に印加される外部磁界Ｂ_Ｚの磁束Ｐは、ダクト２０により最内層１２Ａに導かれる。

これらにより、開口部１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃから室内部１４に侵入（漏洩）する外部磁界Ｂ_Ｘ、Ｂ_Ｚを低減することができる。

また、１つのダクト２０を最内層１２Ａから突設させるだけでよいのでダクト２０の製作費が安くなり、また、取り付けが容易になるので工期短縮や施工費の低減を図ることができる。

また、ダクト２０が最内層１２Ａ以外の磁気遮蔽層である中間層１２Ｂ、最外層１２Ｃと接合されていなかったり、又は軽く接触しているだけで接合状態になっていなくても、最内層１２Ａにさえダクト２０が接合されていれば、高い磁気遮蔽性を開口部に与えることができる。よって、最内層１２Ａ以外の磁気遮蔽層である中間層１２Ｂ、最外層１２Ｃの開口部１８Ｂ、１８Ｃには高い加工精度を必要とせず、また、ダクト２０と開口部１８Ｂ、１８Ｃの隙間を埋めなくてもよいので、施工がより容易になる。

また、最内層１２Ａから突設されたダクト２０により、開口部に高い磁気遮蔽性を与えることができるので、大きな開口部を設けることが可能であり、扉を有さない出入口や窓として開口部を利用することができる。

なお、第１の実施形態の図３では、ダクト２０の長さＬを内側開口部２４の一辺の長さｈと同じ３５０ｍｍ（Ｌ＝ｈ）としているが、これに限らず、ダクト２０の長さを短くしたり、図４、５のようにダクト２０の長さをさらに長くしてもよい。

図４（Ａ）の平断面図、及び図４（Ｂ）の正面図は、図３のダクト２０の長さＬを内側開口部２４の一辺の長さｈの２倍の７００ｍｍ（Ｌ＝２ｈ）としたものであり、図５（Ａ）の平断面図、及び図５（Ｂ）の正面図は、図３のダクト２０の長さＬを内側開口部２４の一辺の長さｈの３倍の１０５０ｍｍ（Ｌ＝３ｈ）としたものである。

ダクト２０の長さを長くすれば、開口部１８Ａから室内部１４に侵入する外部磁界Ｂ_Ｘの磁束Ｐを低減することができるが、最外層１２Ｃからのダクト２０の突出長さを大きくしてしまうと、外部磁界Ｂ_Ｚの磁束Ｐを誘導してダクト２０に集めてしまい、開口部１８Ａから室内部１４に侵入する磁界を大きくしてしまう。よって、最外層１２Ｃからあまり突出させない方が好ましい。

次に、本発明の第２の実施形態に係る多層磁気シールドルームについて説明する。

第２の実施形態は、第１の実施形態のダクト２０が最外層１２Ｃから突出していないものである。したがって、以下の説明において、第１の実施形態と同じ構成のものは、同符号を付すると共に、適宜省略して説明する。

図６（Ａ）、（Ｂ）は第２の実施形態に係る多層磁気シールドルーム２６の開口部１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ付近を拡大した平断面図であり、図６（Ｃ）は正面図である。

高透磁性材料によって形成された筒体としての角筒状のダクト２０が、最内層１２Ａから開口部１８Ｂ内へ突設されている。ダクト２０は、最内層１２Ａの壁面に対して垂直に真っ直ぐ張り出しており、最内層１２Ａのみに接合されている。すなわち、最内層１２Ａ以外の磁気遮蔽層である中間層１２Ｂ、最外層１２Ｃとダクト２０とは接合されていない。ダクト２０の材料には、パーマロイが用いられている。

ダクト２０の長さＬは、ダクト２０の内側開口部２４の一辺の長さｈの１／２の１７５ｍｍ（Ｌ＝ｈ／２）となっている。すなわち、ダクト２０の先端部が複数の磁気遮蔽層からなる磁気遮蔽構造体１２の最外層１２Ｃから突出していない。

次に、本発明の第２の実施形態に係る多層磁気シールドルームの作用及び効果について説明する。

第２の実施形態では、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１の実施形態とほぼ同様の効果を得ることができ、また、ダクト２０の先端部が、最外層１２Ｃから突出していないので、ダクト２０の正面から室内部１４に向って外部磁界Ｂ_Ｚが印加されたときに、外部磁界Ｂ_Ｚの磁束Ｐを誘導してダクト２０に集めることがなくなり、開口部１８Ａから室内部１４に侵入（漏洩）する磁界をより低減することができる。

よって、ダクト２０の正面から室内部１４に向って印加される外部磁界Ｂ_Ｚに対して高い磁気遮蔽性を開口部に与えることができ、また、多層磁気シールドルーム２６の室外部２２にダクト２０が突出する空間を必要としない。

なお、第２の実施形態では、ダクト２０の長さＬが内側開口部２４の一辺の長さｈの１／２の１７５ｍｍ（Ｌ＝ｈ／２）としているが、これに限らず、ダクト２０の長さを短くしたり、図７（Ａ）の平断面図、及び図７（Ｂ）の正面図のようにダクト２０の先端部を最外層１２Ｃと面一にしてもよい。

図７のダクト２０の先端部は最外層１２Ｃから突出しておらず、かつダクト２０の長さは、最外層１２Ｃから突出させない範囲で最も長くなっている。

これにより、開口部１８Ａから室内部１４へ侵入する外部磁界Ｂ_Ｘをより低減することができ、また、ダクト２０の正面から室内部１４に向って印加される外部磁界Ｂ_Ｚに対しても高い磁気遮蔽性を開口部に与えることができるので、図７のダクト２０は、より好ましい実施形態である。

次に、本発明の第３の実施形態に係る多層磁気シールドルームについて説明する。

第３の実施形態は、第１の実施形態のダクト２０の内部に磁気誘導部材が設けられているものである。したがって、以下の説明において、第１の実施形態と同じ構成のものは、同符号を付すると共に、適宜省略して説明する。

図８（Ａ）、（Ｂ）は第３の実施形態に係る多層磁気シールドルーム２８の開口部１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ付近を拡大した平断面図であり、図８（Ｃ）は正面図である。

高透磁性材料によって形成された筒体としての角筒状のダクト２０が、最内層１２Ａから開口部１８Ｂ内へ突設されている。ダクト２０は、最内層１２Ａの壁面に対して垂直に真っ直ぐ張り出しており、最内層１２Ａのみに接合されている。すなわち、最内層１２Ａ以外の磁気遮蔽層である中間層１２Ｂ、最外層１２Ｃとダクト２０とは接合されていない。ダクト２０の材料には、パーマロイが用いられている。

ダクト２０の長さＬは、ダクト２０の内側開口部２４の一辺の長さｈの１／２の１７５ｍｍ（Ｌ＝ｈ／２）となっている。すなわち、ダクト２０の先端部が複数の磁気遮蔽層からなる磁気遮蔽構造体１２の最外層１２Ｃから突出していない。

さらに、ダクト２０の内部に高透磁性材料によって形成された磁気誘導部材３０が設けられている。この磁気誘導部材３０は、厚みのある平板を直交させた立体格子になっており、ダクト２０と同じ長さの奥行きを有する。材料にはパーマロイが用いられている。また、磁気誘導部材３０はダクト２０の内壁の少なくとも２箇所と接している。

次に、本発明の第３の実施形態に係る多層磁気シールドルームの作用及び効果について説明する。

第３の実施形態では、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１の実施形態とほぼ同様の効果を得ることができ、また、磁気誘導部材３０によってダクト２０内部の磁気抵抗が小さくなり、この磁気誘導部材３０を介して最内層１２Ｃの開口部１８Ａ間の磁束Ｐの受け渡しが容易になるので、開口部１８Ａから室内部１４に侵入する外部磁界Ｂ_Ｘをより低減することができる。

また、磁気誘導部材３０を立体格子とすることによって、開口部１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃの強度を上げることができる。

なお、第３の実施形態では、ダクト２０の長さＬが内側開口部２４の一辺の長さｈの１／２の１７５ｍｍ（Ｌ＝ｈ／２）となっているが、これに限らず、ダクト２０の長さを図９（Ａ）の平断面図、及び図９（Ｂ）の正面図のように短くしたり、又は長くしてもよい。

第３の実施形態では、磁気誘導部材３０によって外部磁界Ｂ_Ｘに対して、より高い磁気遮蔽性を開口部に与えることができるので、ダクト２０の長さＬをそれほど長くしなくてもよい。よって、最外層１２Ｃから突出させなくてもよいので、ダクト２０の正面から室内部１４に向って印加される外部磁界Ｂ_Ｚに対して高い磁気遮蔽効果を発揮することができる。

また、第３の実施形態では、立体格子状の磁気誘導部材３０の例を示したが、磁気誘導部材３０はダクト２０の内壁の少なくとも２箇所と接していればよく、ダクト２０の正面図である図１０（Ａ）〜（Ｆ）のように、開口部の用途に応じて、磁気誘導部材をさまざまな形状にすることができる。図１０（Ｃ）のように磁気誘導部材３０を立体格子にすれば、開口部の強度を上げることができる。また、磁気誘導部材を構成する各部材は、平板状に限らず、丸棒状や角柱状等のさまざまな形状の部材を用いることができる。また、磁気誘導部材の奥行き長さは任意である。奥行き長さを長くした方が、より高い磁気遮蔽効果を開口部に与えることができる。

また、磁気誘導部材３０の材料をパーマロイとしたが、高透磁性を有する材料であればよく、ミューメタル又は珪素鋼等の材料を磁気誘導部材に用いてもよい。これらの高透磁性を有する材料を用いれば、多層磁気シールドルームの開口部から侵入する磁界に対してより優れた磁気遮蔽効果を発揮することができる。

これまでに説明した第１〜第３の実施形態において、ダクト２０は換気用の開口部だけでなく、電線管や配管等にも適用でき、図１１の多層磁気シールドルーム３２に示すような窓３４や透明な扉（不図示）を開口部に設けることもできる。

一般に、多層磁気シールドルームに設けられた扉は、壁部を構成する複数の磁気遮蔽層に対応した磁気遮蔽層を複数有しているが、扉を設ける開口部にダクト２０を適用することによって、１層のみの磁気遮蔽層を有する扉でも十分な磁気遮蔽効果を発揮させることが可能となる。これにより、扉の重量を軽くすることができるので、扉を設ける開口部やヒンジ等の扉の開閉機構をそれほど強固なものにしなくてもよくなる。

また、第１〜第３の実施形態の多層磁気シールドルームの開口部に高い磁気遮蔽性を与えることができるので、この開口部を大きくすることが可能である。よって、扉を有さない出入口や大きな窓を多層磁気シールドルームに設けることができる。

大きな開口部は、多層磁気シールドルーム内にいる技師や被験者等が感じるストレスを和らげることができ、アメニティーの向上が図れる。また、半導体工場等においては、密閉した室内を外部から見通せるので安全性の向上に寄与できる。

また、図３〜５では、最内層１２Ａにダクト２０が接合されているので、ダクト２０の長さをそれほど長くしなくても高い磁気遮蔽性を開口部に与えることができ、さらに、図６〜９では、最外層１２Ｃからダクト２０を突出させる必要がないので、多層磁気シールドルーム２６、２８の室外部２２にダクト２０が突出する空間を必要としない。

特に、防振装置用基礎の脚部のための貫通孔や換気用開口が、躯体床に載置された多層磁気シールドルームの床部にある場合には、躯体床と多層磁気シールドルーム床部の間に十分な隙間がないことが多い。このような場合には、多層磁気シールドルームの外側にダクトを突出させられないことがあるので、多層磁気シールドルームの外側へのダクトの突出長さが小さい、又はダクトを突出させない第１〜第３の実施形態は有効となる。

また、第１〜第３の実施形態では、一辺が３５０ｍｍの正方形の開口部１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃを床部の１箇所に設けた例を示したが、他の形状及び寸法の開口部を床、壁、天井の任意の箇所に複数設けた場合においても、第１〜第３の実施形態を適用すれば、第１〜第３の実施形態と同様の磁気遮蔽性を開口部に与えることができる。

また、第１〜第３の実施形態において、ダクト２０の内側開口部２４の一辺をｈとしたときに、ダクト２０の長さをｈ／２以上とすれば、ダクト２０の先端方向へ流れた磁束Ｐがダクト２０内側に流れても室内部１４には侵入しないか、又は侵入する磁束は少なくなる。

また、ダクト２０の長さが２ｈ以上になると、磁気抵抗が大きくなって先端まで磁束が流れて行かないので、開口部から侵入する外部磁界を低減する効果はこれ以上はあまり大きくならない。

よって、ダクト２０の長さをｈ／２以上２ｈ以下とすることによって、開口部から室内部に侵入する外部磁界を低減することができ、また、ダクト２０の長さを無駄に長くすることがなくなる。

また、第２の実施形態で示したように、ダクト２０の長さは最外層から突出させないようにして、かつできるだけ長くした方がよいので、ダクト２０の長さは、ｈ／２以上ｈ以下であることが好ましく、ｈであることがより好ましい。

また、第１〜第３の実施形態では、角筒状のダクト２０の例を示したが、筒体であればよく、円筒状や矩形の断面を有する筒体を用いてもよい。

この場合、ダクトの内側開口部の形状が矩形のときの内側開口部の長辺の長さ、又はダクトの内側開口部の形状が円形のときの直径をｈとすれば、ダクトの長さは、先に述べたダクト２０の場合と同様に、ｈ／２以上２ｈ以下であればよく、ｈ／２以上ｈ以下であることが好ましく、ｈであることがより好ましい。

後述する実施例で、第１〜第３の実施形態で示した正方形の内側開口部を有する角筒状のダクト２０において、これらの効果は検証されている。

ここで、ダクトの内側開口部の形状が矩形の場合、矩形の長辺の長さをｈとした内開口面積は、一辺の長さをｈとした正方形の内開口面積よりも小さくなる。また、ダクトの内側開口部の形状が円形の場合、円形の直径をｈとした内開口面積と、一辺の長さをｈとした正方形の内開口面積はそれほど大きくは違わない。

開口部から侵入する外部磁界は開口面積と共に大きくなる傾向があるので、正方形の内側開口部を有する角筒状のダクト２０において高い磁気遮蔽性を開口部に与えられることが検証されていれば、開口面積がほぼ同じかそれ以下となる円形又は矩形の内側開口部を有するダクトにおいても開口部に十分な磁気遮蔽性を与えられるものと考えられる。

また、第１〜第３の実施形態では、ダクト２０が最内層１２Ａの壁面に対して垂直に真っ直ぐ張り出して設けられ、最内層１２Ａのみに接合されている例を示したが、上下又は左右方向に斜めに張り出していても、ダクト２０が曲がっていてもよい。さらに、最内層１２Ａ以外の他の層（第１〜第３の実施形態では、中間層１２Ｂ、最外層１２Ｃ）に接合されていてもよい。最内層１２Ａがダクト２０と接合されていれば、他の層の少なくとも１つの層がダクト２０と接合されていてもよいし、軽く接触していてもよい。ダクト２０と最内層１２Ａの磁気遮蔽層との接合は、一般的なボルト、ナットやリベットによる締め付けによって行われる。

また、第１〜第３の実施形態では、３つの磁気遮蔽層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃによる３層構造の磁気遮蔽構造体１２によって囲まれた多層磁気シールドルーム１０、２６、２８の例を示したが、２層、４層等の他の層数や、さまざまな層厚、層間隔の磁気遮蔽構造体を有する他の多層磁気磁気シールドルームにおいても、最内層からダクトを突設させることによって第１〜第３の実施形態と同様の磁気遮蔽効果を得ることができる。施工が容易な第１〜第３の実施形態は、層の数が多くなるほど、より効果を発揮することができる。

また、第１〜第３の実施形態では、筒体としてのダクト２０の材料をパーマロイとしたが、高透磁性を有する材料であればよく、ミューメタル又は珪素鋼等の材料を用いてもよい。これらの高透磁性を有する材料を用いれば、多層磁気シールドルームの開口部から侵入する磁界に対してより優れた磁気遮蔽効果を発揮することができる。
（実施例）
図１２、１３は、第１〜第３の実施形態で示した多層磁気シールドルーム１０、２６、２８に外部磁界を印加したときの開口部から室内部に侵入する磁界を有限要素法による三次元磁界解析シミュレーションを用いて数値化したものである。

磁気遮蔽層としての最内層１２Ａ、中間層１２Ｂ、最外層１２Ｃを形成するパーマロイの比透磁率を１５０００とし、多層磁気シールドルーム１０、２６、２８の外部から５μＴの外部磁界Ｂ_Ｘ、Ｂ_Ｚを印加した。

図１２には、ダクト２０の側方からダクト２０の軸方向と直交するように外部磁界Ｂ_Ｘを水平に印加したときの開口部１８Ａの開口面中心から室内部１４側への距離ｄ（ｍｍ）（横軸）に対する、その地点の磁界強度の値（縦軸）が示されている。磁界強度の値は、その地点の磁界強度Ｂ_ｎを外部磁界Ｂ_Ｘで割った値（Ｂ_ｎ／Ｂ_Ｘ）である。よって、Ｂ_ｎ／Ｂ_Ｘの値が大きいほど室内部に漏洩する磁界、すなわち開口部から侵入する外部磁界が大きいことになる。

図１２の符号３６Ａ、３８Ａ、４０Ａ、４２Ａ、４４Ａ、４６Ａ、４８Ａ、５０Ａ、５２Ａ、５４Ａ、５６Ａは、図１４、１６、１５、６（Ａ）、９、７、３（Ａ）、４、５、８（Ａ）、１７のようにダクト２０を設けた場合の値をそれぞれ示している。

図１３には、ダクト２０の正面から室内部１４に向って外部磁界Ｂ_Ｚを水平に印加したときの開口部１８Ａの開口面中心から室内部１４側への距離ｄ（ｍｍ）（横軸）に対する、その地点の磁界強度の値（縦軸）が示されている。磁界強度の値は、その地点の磁界強度Ｂ_ｎを外部磁界Ｂ_Ｚで割った値（Ｂ_ｎ／Ｂ_Ｚ）である。よって、Ｂ_ｎ／Ｂ_Ｚの値が大きいほど室内部に漏洩する磁界、すなわち開口部から侵入する外部磁界が大きいことになる。

図１３の符号３６Ｂ、３８Ｂ、４０Ｂ、４２Ｂ、４４Ｂ、４６Ｂ、４８Ｂ、５０Ｂ、５２Ｂ、５４Ｂ、５６Ｂは、図１４、１６、１５、６（Ｂ）、９、７、３（Ｂ）、４、５、８（Ｂ）、１７のようにダクト２０を設けた場合の値をそれぞれ示している。

図１４、１５、１６、１７は、比較例として示したものであり、図１４（Ａ）の平断面図、及び図１４（Ｂ）の正面図は、開口部１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃのみでダクトが設けられていない場合である。

また、図１５（Ａ）の平断面図、及び図１５（Ｂ）の正面図では、パーマロイで形成された角筒状のダクト２０が、中間層１２Ｂから突設されている。ダクト２０は、中間層１２Ｂの壁面に対して垂直に真っ直ぐ張り出しており、中間層１２Ｂのみに接合されている。ダクト２０の長さＬは、ダクト２０の内側開口部２４の一辺の長さｈと同じ３５０ｍｍ（Ｌ＝ｈ）となっている。

また、図１６（Ａ）の平断面図、及び図１６（Ｂ）の正面図では、パーマロイで形成された角筒状のダクト２０が、最外層１２Ｃから突設されている。ダクト２０は、最外層１２Ｃの壁面に対して垂直に真っ直ぐ張り出しており、最外層１２Ｃのみに接合されている。ダクト２０の長さＬは、ダクト２０の内側開口部２４の一辺の長さｈと同じ３５０ｍｍ（Ｌ＝ｈ）となっている。

また、図１７（Ａ）の平断面図、及び図１７（Ｂ）の正面図では、最内層１２Ａ、中間層１２Ｂ、最外層１２Ｃから、パーマロイで形成された角筒状のダクト２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃがそれぞれ突設されている。ダクト２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃは、最内層１２Ａ、中間層１２Ｂ、最外層１２Ｃの壁面に対してそれぞれ垂直に真っ直ぐ張り出している。そして、最外層１２Ｃから突出するダクト２０Ｃの長さＬは、ダクト２０Ａの内側開口部の一辺の長さｈと同じ３５０ｍｍとなっている。また、ダクト２０Ａ、２０Ｂの最外層１２Ｃからの突出長さは、ダクト２０Ｃの最外層１２Ｃからの突出長さと同じになっている。

まず、図１２に示すように、符号３６Ａ、３８Ａ、４０Ａ、４２Ａ、４４Ａ、４６Ａにおいては、開口部（ｄ＝０ｍｍ）から室内部１４側に離れるに連れて磁界強度が減衰していくことがわかる。そして、長さＬが３５０ｍｍのダクト２０を最外層１２Ｃから設けた符号３８Ａ、中間層１２Ｂから設けた４０Ａ、最内装１２Ａから設けた符号４８Ａを比べると、ダクト２０を最内層１２Ａから設けた符号４８Ａが他のものよりも開口部付近（最内層からの距離ｄが０ｍｍから２００ｍｍ程度までの範囲）の磁界強度の減衰が、かなり大きくなっていることがわかる。また、この符号４８Ａと各層にダクト２０が設けられている符号５６Ａを比べても大差がない。

これにより、外部磁界Ｂ_Ｘに対しては、最内層からダクトを設ければ（ダクトが最内層に接合されていれば）高い磁気遮蔽性を開口部に与えることができ、また、製造コストが掛かって施工も面倒な図１７（符号５６Ａ）よりも図３のダクト２０（符号４８Ａ）の配置の方が有効であることがわかる。

また、最内層１２Ａからダクト２０を設けた場合において、ダクト２０の長さＬが１７５ｍｍの符号４２Ａ、ダクト２０の長さＬが２００ｍｍの符号４６Ａ、ダクト２０の長さＬが３５０ｍｍの符号４８Ａ、ダクト２０の長さＬが７００ｍｍの符号５０Ａ、ダクト２０の長さＬが１０５０ｍｍの符号５２Ａを比べると、ダクト２０の長さＬが大きいほど、磁界強度の減衰も大きくなる。

しかし、４８Ａ、５０Ａ、５２Ａの磁界強度の減衰効果に大差がなく、ダクト２０の長さを大きくし過ぎても効果的でないことがわかる。これは、ダクト２０を長くすると磁気抵抗が大きくなり、ダクト２０の先端まで磁束Ｐが流れないので、十分な減衰効果が発揮されないためと考えられる。

また、符号４２Ａ、４６Ａ、４８Ａ、５０Ａ、５２Ａの中で最も磁界強度の減衰が小さい符号４２Ａでも、ダクトを有さない符号３６Ａ、及び最外層１２Ｃや中間層１２Ｂのみにダクト２０が設けられている符号３８Ａ、４０Ａと比べると減衰がかなり大きいことがわかる。

これにより、外部磁界Ｂ_Ｘに対しては、ダクトの内側開口部の一辺の長さをｈとしたときに、ダクトの長さＬをｈ／２（＝１７５ｍｍ）以上２ｈ（＝７００ｍｍ）以下とすれば開口部に高い磁気遮蔽性を与えることができ、また、ダクトの長さＬはｈ／２（＝１７５ｍｍ）以上ｈ（＝３５０ｍｍ）以下であることが好ましく、ｈ（＝３５０ｍｍ）であることがより好ましいことがわかる。

また、長さが１７５ｍｍのダクト２０の内部に磁気誘導部材３０を設けた場合の符号５４Ａは、同じ長さで磁気誘導部材３０が設けられていない符号４２Ａに比べて、磁界強度の減衰がかなり大きくなっていることがわかる。

さらに、長さが８７．５ｍｍのダクト２０の内部に磁気誘導部材３０を設けた場合の符号４４Ａの磁界強度の減衰の大きさは、これよりも長いダクト２０を有するが磁気誘導部材３０が設けられていない符号４２Ａとほぼ同じになっている。

これにより、外部磁界Ｂ_Ｘに対しては、ダクトの内部に磁気誘導部材を設けることによって、開口部に高い磁気遮蔽効果を与えられることがわかる。

次に、図１３において、長さＬが３５０ｍｍのダクト２０を最外層１２Ｃから設けた符号３８Ｂ、中間層１２Ｂから設けた符号４０Ｂ、最内装１２Ａから設けた符号４８Ｂを比べると、最内層からの距離ｄが０ｍｍから２００ｍｍ程度までの範囲では、図１２のときと同様の傾向が見られる。

これにより、外部磁界Ｂ_Ｚに対しては、最内層からダクトを設ければ（ダクトが最内層に接合されていれば）高い磁気遮蔽性を開口部に与えられることがわかる。

また、最内層１２Ａからダクト２０を設けた場合において、ダクト２０の長さＬが１７５ｍｍの符号４２Ｂ、ダクト２０の長さＬが２００ｍｍの符号４６Ｂ、ダクト２０の長さＬが３５０ｍｍの符号４８Ｂ、ダクト２０の長さＬが７００ｍｍの符号５０Ｂ、ダクト２０の長さＬが１０５０ｍｍの符号５２Ｂを比べてみると、最内層からの距離ｄが３００ｍｍ以上の位置の磁界強度の値は、符号５０Ｂ、５２Ｂが大きくなってしまう。これは、ダクト２０の正面から室内部に向って外部磁界Ｂ_Ｚが印加されたときに、外部磁界Ｂ_Ｚの磁束Ｐを誘導してダクト２０に集めてしまい、十分な減衰効果が発揮されないためと考えられる。

これにより、外部磁界Ｂ_Ｚに対しては、最外層からの突出長さが小さい方が、高い磁気遮蔽性を開口部に与えられることがわかる。

また、長さが１７５ｍｍのダクト２０の内部に磁気誘導部材３０を設けた場合の符号５４Ｂは、同じ長さで磁気誘導部材３０が設けられていない符号４２Ｂに比べて、磁界強度の減衰がかなり大きくなっていることがわかる。また、符号５４Ｂは、最内層１２Ａからの距離ｄが３００ｍｍ以上の範囲において、室内部１４に引き込む磁界が小さくなっていることがわかる。

さらに、長さが８７．５ｍｍのダクト２０の内部に磁気誘導部材３０を設けた場合の符号４４Ｂの磁界強度の減衰は、これよりも長いダクト２０を有するが磁気誘導部材３０が設けられていない符号４２Ｂよりもかなり大きくなっている。

これにより、外部磁界Ｂ_Ｚに対しては、ダクトの内部に磁気誘導部材３０を設けることによって、開口部に高い磁気遮蔽効果を与えられることがわかる。

これまで述べたように、外部磁界Ｂ_Ｘ、Ｂ_Ｚに対して、開口部付近及び開口部から離れた地点における磁界強度の減衰を大きくする（開口部から侵入する外部磁界を効果的に低減する）には、ダクトを最内層に接合し、かつ最内層から突設させて、最外層から突出しないようにする。

また、ダクトの内側開口部の長辺の長さ又は直径をｈとしたときのダクトの長さＬをｈ／２以上２ｈ以下とする。

さらに、ダクトの長さＬはｈ／２以上ｈ以下とするのが好ましく、ｈとするのがより好ましい。すなわち、図７のダクト２０の配置がより好ましい実施形態である。

そして、ダクト２０の内部に磁気誘導部材３０を設ければ、磁界強度の減衰効果をより高くする（開口部からの外部磁界の侵入をより小さくする）ことができる。

図１８、１９は、開口部の大きさの違いによる開口面中央地点Ｍの磁界強度の大きさを図１２、１３と同様の解析シミュレーションによって求めたものである。

図１８には、ダクト２０の側方からダクト２０軸方向と直交するように外部磁界Ｂ_Ｘを水平に印加したときのダクト２０の長さＬ（ｍｍ）（横軸）に対する、開口部１８Ａの開口面中心地点Ｍの磁界強度の値（縦軸）が示されている。磁界強度の値は、地点Ｍの磁界強度Ｂ_ｎを外部磁界Ｂ_Ｘで割った値（Ｂ_ｎ／Ｂ_Ｘ）である。よって、Ｂ_ｎ／Ｂ_Ｘの値が大きいほど室内部に漏洩する磁界、すなわち開口部から侵入する外部磁界が大きいことになる。また、図１８（Ａ）はダクト２０の内側開口部の一辺の長さｈを８０ｍｍ、図１８（Ｂ）はダクト２０の内側開口部の一辺の長さｈを３５０ｍｍ、図１８（Ｃ）はダクト２０の内側開口部の一辺の長さｈを５００ｍｍとしたときの値である。

図１８（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、ダクト２０の長さＬがｈ／２以上２ｈ以下の範囲内においては、符号５８Ａ、６０Ａ、６２Ａの磁界強度は０．０３以下と小さく、これによって、外部磁界Ｂ_Ｘに対しては、開口部の大きさに影響されずに高い磁気遮蔽効果が得られることがわかる。

図１９には、ダクト２０の正面から室内部１４に向って外部磁界Ｂ_Ｚを水平に印加したときのダクト２０の長さＬ（ｍｍ）（横軸）に対する、開口部１８Ａの開口面中心地点Ｍの磁界強度の値（縦軸）が示されている。磁界強度の値は、地点Ｍの磁界強度Ｂ_ｎを外部磁界Ｂ_Ｚで割った値（Ｂ_ｎ／Ｂ_Ｚ）である。よって、Ｂ_ｎ／Ｂ_Ｚの値が大きいほど室内部に漏洩する磁界、すなわち開口部から侵入する外部磁界が大きいことになる。また、図１９（Ａ）はダクト２０の内側開口部の一辺の長さｈを８０ｍｍ、図１９（Ｂ）はダクト２０の内側開口部の一辺の長さｈを３５０ｍｍ、図１９（Ｃ）はダクト２０の内側開口部の一辺の長さｈを５００ｍｍとしたときの値である。

図１９に示すように、ダクト２０の長さＬがｈ／２以上２ｈ以下の範囲内においては、符号５８Ｂ、６０Ｂ、６２Ｂの磁界強度は０．３以下と小さく、これによって、外部磁界Ｂ_Ｚに対しては、開口部の大きさに影響されずに高い磁気遮蔽効果が得られることがわかる。

本発明の第１の実施形態に係る多層磁気シールドルームを示す斜視図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る多層磁気シールドルームのダクト配置を示す平断面図及び正面図である。 本発明の第１の実施形態に係る多層磁気シールドルームのダクト配置を示す平断面図及び正面図である。 本発明の第１の実施形態に係る多層磁気シールドルームのダクト配置を示す平断面図及び正面図である。 本発明の第２の実施形態に係る多層磁気シールドルームのダクト配置を示す平断面図及び正面図である。 本発明の第２の実施形態に係る多層磁気シールドルームのダクト配置を示す平断面図及び正面図である。 本発明の第３の実施形態に係る多層磁気シールドルームのダクト配置を示す平断面図及び正面図である。 本発明の第３の実施形態に係る多層磁気シールドルームのダクト配置を示す平断面図及び正面図である。 本発明の第３の実施形態に係る多層磁気シールドルームの磁気誘導部材を示す正面図である。 本発明の第３の実施形態に係る多層磁気シールドルームの応用例を示す説明図である。 本発明の実施形態に係る多層磁気シールドルームの最内層からの距離に対する磁界強度を示す線図である。 本発明の実施形態に係る多層磁気シールドルームの最内層からの距離に対する磁界強度を示す線図である。 本発明の実施形態に係る多層磁気シールドルームの比較例のダクト配置を示す平断面図及び正面図である。 本発明の実施形態に係る多層磁気シールドルームの比較例のダクト配置を示す平断面図及び正面図である。 本発明の実施形態に係る多層磁気シールドルームの比較例のダクト配置を示す平断面図及び正面図である。 本発明の実施形態に係る多層磁気シールドルームの比較例のダクト配置を示す平断面図及び正面図である。 本発明の実施形態に係る多層磁気シールドルームのダクト長さに対する磁界強度を示す線図である。 本発明の実施形態に係る多層磁気シールドルームのダクト長さに対する磁界強度を示す線図である。 従来の磁気シールドクリーンルームを示す平面図である。 従来の磁気シールドルームを示す斜視図である。 従来の多層磁気シールドルームのダクト配置を示す平断面図である。 従来の多層磁気シールドルームのダクト配置を示す平断面図である。 従来の磁気シールド装置を示す斜視図及び拡大図である。 従来の磁気シールドルームを示す側断面図である。

符号の説明

１０ 多層磁気シールドルーム
１２Ａ 最内層（磁気遮蔽層）
１２Ｂ 中間層（磁気遮蔽層）
１２Ｃ 最外層（磁気遮蔽層）
１８Ａ 開口部
１８Ｂ 開口部
１８Ｃ 開口部
２０ ダクト（筒体）
２４ 内側開口部
２６ 多層磁気シールドルーム
２８ 多層磁気シールドルーム
３０ 磁気誘導部材
３２ 多層磁気シールドルーム

Claims (6)

1. 複数の磁気遮蔽層によって囲まれた多層磁気シールドルームにおいて、
   前記複数の磁気遮蔽層を貫通する開口部と、
   前記複数の磁気遮蔽層の最内層に接合され、かつ該最内層から前記開口部内へ突設された筒体と、
   を有し、
   前記筒体は、高透磁性材料によって形成され、前記複数の磁気遮蔽層の最内層以外の磁気遮蔽層とは非接合であることを特徴とする多層磁気シールドルーム。
2. 前記筒体の先端部は、前記複数の磁気遮蔽層の最外層から突出していないことを特徴とする請求項１に記載の多層磁気シールドルーム。
3. 前記筒体の先端部は、前記複数の磁気遮蔽層の最外層と面一であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層磁気シールドルーム。
4. 前記筒体の内側開口部の形状は矩形又は円形であり、
   前記内側開口部の長辺の長さ又は直径をｈとしたときに、前記筒体の長さはｈ／２以上２ｈ以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の多層磁気シールドルーム。
5. 前記筒体の内部に、高透磁性材料によって形成された磁気誘導部材が前記筒体の内壁の少なくとも２箇所と接するように設けられていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の多層磁気シールドルーム。
6. 前記磁気誘導部材は、立体格子であることを特徴とする請求項５に記載の多層磁気シールドルーム。

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