JP2927284B2 - 磁気シールドルーム - Google Patents

磁気シールドルーム

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気シールドルー
ムに関し、特にウエハ等を出入りさせるための開口部を
備えた磁気シールドルームに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、ウエハやマスク等の試料にレ
ジストパタンを形成する装置として、電子ビームを用い
てフォトレジストに描画するEB(Electron Beam )露
光装置が用いられている。この種の装置では外部磁場の
影響によって電子ビームの照射位置が変動し、その結
果、描画パタンに歪みを生じてしまうことが問題となっ
ている。そこで、これらのEB露光装置をシールドルー
ム内に配置することにより、外部磁場を遮断した状態で
稼働することが行われている。
【0003】ところで、EB露光装置で処理するウエハ
やマスクは、通常、これらを複数枚収納したカセットを
一つの単位として取り扱っている。そのため、EB露光
装置には、これから処理されるウエハやマスクをカセッ
トから取り出して処理室に送り込むためのロード部、処
理済みのウエハやマスクをカセットに収納するアンロー
ド部が設けられており、さらにはロード部やアンロード
部に対して何らかの手段を用いてカセットを取り付けた
り、取り外したりする必要がある。
【0004】このようなロード/アンロード部を磁気シ
ールドルーム内に設置した場合、従来においては磁気シ
ールドルームに設けた常時閉の扉を設けた出入り口か
ら、人手によってカセットの搬入および搬出を行ってい
た。しかし、人の出入りのために扉を開くと、EB露光
装置が外部磁場の影響を受けてしまうため、カセットの
搬入・搬出時には装置の稼働を一時中断しなければなら
ず、スループットが低下するという問題があった。
【0005】例えば、図6は従来の磁気シールドルーム
を示す斜視図であり、同図に示すように、磁気シールド
ルーム1には、メンテナンス扉3とが設けられ、内壁に
は磁場遮蔽材が張り付けられるとともに、図示しないE
B露光装置等が内部に設置されている。
【0006】そのため、その対策としては、外部磁場の
影響をEB露光装置に及ぼさない程度の開口を磁気シー
ルドルームに設け、その開口からカセットを出し入れす
ることが考えられる。しかし、近年の半導体集積回路に
おける微細化・高集積化の要請から、その描画精度の条
件は0.1μm以下と厳しくなっており、装置周辺の磁
場をできるだけ抑えることが要求されている。
【0007】したがって、カセットの出し入れに必要と
される寸法(例えば、カセットの寸法は180[mm]
×180[mm]×180[mm])の開口を設ける
と、そこから外部磁場がシールドルーム内に侵入してE
B露光装置に対して影響を及ぼすため、EB露光装置を
開口から十分離して設置しなければならない。その結
果、装置の占有面積に対する磁気シールドルームの占有
面積がかなり大きくなってしまうという問題点がある。
【0008】そこで、侵入した外部磁場の強度がEB露
光装置に対して影響を及ぼさない程度にするためには、
長方形の開口の短辺を100mm以下まで短くする必要
があり、このような寸法では1枚のウエハやマスクを通
すことが限界であって、カセットに収納した状態で出し
入れすることは到底できなかった。
【0009】一方、磁気シールドルームの開口部からの
外部磁場の侵入を抑制する方法の一つとしては、開口部
の外側に管状の磁気遮蔽材を設けたものも知られている
(例えば、特開昭59−197198号公報参照)。
【0010】また、開口率を悪化させることなく磁気シ
ールド効果を向上させるために、開口部の外側に設けた
管状の遮蔽材の中に、さらに奥行きのある立体格子状の
シールド格子を配置し、格子間隔を奥行きよりも小さく
する技術も知られている(例えば、実開平3−1249
7号公報参照)。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、開口部
に磁気遮蔽材の管を設けることで外部磁場を十分にシー
ルドするためには、開口寸法に応じて管の長さを長くす
る必要があるが、管を長くするとカセットを磁気シール
ドルーム内のロード/アンロード部に出し入れする作業
性が阻害されるという問題点がある。例えば、カセット
をロード/アンロード部に載置する作業性を考慮する
と、管の長さをできるだけ短くする必要がある。
【0012】また、管の内部にシールド格子を設けた場
合、換気口のような用途には適するものの、カセットを
出し入れするような用途においては、格子間隔を大きく
する必要があり、結局開口寸法に応じて管の長さを長く
しなければならず、作業性を阻害するという問題点があ
る。本発明は、このような課題を解決するためのもので
あり、外部磁場による磁気シールドルーム内の磁場強度
を増加させることなく、カセットの出し入れを可能とす
る開口を有し、かつ、管の長さを抑えた磁気シールドル
ームを提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、請求項1に係る本発明の磁気シールドルーム
は、開口部を有する磁気シールドルームにおいて、この
開口部には、所望の長さを有するとともに磁気遮蔽材に
よって形成された管が、上記磁気シールドルームから突
出するようにして取り付けられ、上記管の末端から所定
の長さに亘る部分は、管軸に対して上記管の外側に向い
たものである。また、請求項2に係る本発明の磁気シー
ルドルームは、請求項1において、上記管の長さは、2
00mm以下のものである。また、請求項3に係る本発
明の磁気シールドルームは、請求項1において、上記所
定の長さは、10mm以上のものである。また、請求項
4に係る本発明の磁気シールドルームは、請求項1にお
いて、上記管の末端から所定の長さに亘る部分が、管軸
に対して上記管の外側に曲げられたものである。また、
請求項5に係る本発明の磁気シールドルームは、請求項
1において、上記管の末端から所定の長さに亘る部分
が、管軸に対して上記管の外側に曲率を持って曲げられ
たものである。また、請求項6に係る本発明の磁気シー
ルドルームは、請求項1において、上記管の末端から所
定の長さに亘る部分は、管軸に対して前記管の外側に9
0゜傾いたものである。また、請求項7に係る本発明の
磁気シールドルームは、請求項1において、上記管の外
側に向いた部分は、磁気遮蔽材からなる板部材を取り付
けて形成されたものである。また、請求項8に係る本発
明の磁気シールドルームは、請求項1において、上記開
口部は、物を出し入れするための開口部である。
【0014】このように本発明は、磁気シールドルーム
を構成する磁気遮蔽材に吸収された磁場が管の末端から
放射状に放出されてその一部が開口から入り込むこと
が、管を設けた場合のシールド効果を低下させるという
知見に基づいてなされたものである。すなわち、本発明
は、管によって開口部からの外部磁場の侵入を防止する
とともに、管の末端から放出される磁場が開口部から磁
気シールドルーム内に入らないように管の末端を外側に
向けて磁場放出方向を変えることにより、開口部の磁気
シールド効率を上げ、シールド性能を低下させることな
く管の長さを短くすることを可能とするものである。
【0015】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一つの実施の形態
について図を用いて説明する。図1は、本発明の一つの
実施の形態を示す斜視図である。同図において、図6に
おける同一符号の部品とは同一または同等のものを示
し、さらに長方形の開口部には磁気遮蔽材(例えば、パ
ーマロイ等)からなる管4がリベット等によって取り付
けられている。そして、その末端から所定の長さに亘る
部分は管軸に対して管の外側に向けて曲げられており、
以下においてはこの曲げられた部分をフランジ5という
ことにする。
【0016】図2は、図1におけるII-II'線における断
面図を示す。同図(a)に示すように、フランジ5は管
4の縁に垂直に取り付けられ、また管4の長さを
「c」、フランジ5の長さを「d」としている。そし
て、各部の寸法は例えば、 開口寸法 「a」=990[mm] (3個のカセットを並べることができる) 「b」=250[mm] 管4の寸法 開口は上記に同じ 「c」=100[mm] フランジ5の寸法 「d」=10〜20[mm] フランジ5の管軸に対する角度 「θ」=90゜ とする。
【0017】ただし、本発明はこれらの数値に限定され
るものではない。すなわち、少なくとも管4の末端から
所定の長さに亘る部分が管軸に対して管の外側に向いて
いればよいのであって、好ましくはフランジ5の寸法
「d」を10mm以上とし、フランジ5の管軸に対する
角度「θ」を90゜とするとよい。また、図2(b)に
示すように管4の末端周辺を曲率を持つようにして曲げ
ることにより、フランジ5に相当するものを形成しても
よい。そして、同図においても、管4の末端が管軸に対
して管の外側に向いていればよいのであって、好ましく
はフランジ5の寸法「d」を10mm以上とし、フラン
ジ5の外側に向いた方向と管軸にとの角度「θ」を90
゜とするとよい。
【0018】図3は、磁気シールドルーム1の正面図お
よびA−A’線における断面図を示す。同図(b)に示
すように、磁気シールドルーム1の内壁全面、および壁
の開口部内にまで延在して、隙間無く磁気遮蔽材11が
貼付されている。そして、開口部2付近にウエハやマス
クのロード/アンロード部6が設置され、開口部2を介
して搬送されたカセットはこのロード/アンロード部6
に装着される。
【0019】カセットに収納されたウエハ等は、搬送ア
ーム部8のアーム7によってEB露光装置10のカラム
9内に搬送されてから露光が行われる。その後、露光さ
れたウエハは上記とは逆の手順をたどり、アーム7によ
って再びカセットに装着され、そのカセットは開口部2
を介して外部に搬出される。なお、管4の長さはあまり
長いと、カセットをロード/アンロード部6に装着する
際に支障をきたすため、150mm以下にするのが好ま
しい。
【0020】次に、本発明に係る管4の有無と外部磁場
の影響との関係について説明する。図4は、外部磁場を
5mGとし、開口部2からの距離と磁気シールドルーム
1内の磁場の強度との関係を示したグラフである。な
お、開口寸法は、「a」×「b」=990[mm]×2
50[mm]としている。同図に示すように、開口部2
を設けなければ磁気シールドルーム1内の磁場は、シー
ルド壁近くでは0.3mG、シールド壁から500mm
の位置で0.25mG、1000mmの位置では0.1
7mGと徐々に減衰している。
【0021】それに対して、開口部2のみを設けた磁気
シールドルーム1の場合(すなわち、管4のみを設けた
場合)、開口部2付近の磁場は約3mG近い値を示し、
開口部2から500mmの位置では0.35mGと急速
に減衰し、それ以降は徐々に減衰するが、1000mm
の位置でも0.23mGと開口部のない場合と比べて
0.06mG程度高い値を示している。
【0022】一方、「d」=10[mm],「θ」=9
0゜のフランジ5を有し、「c」=200[mm]であ
る管4を設けた本発明の一つの実施の形態においては、
開口部2のすぐ内側では0.6mGの強度であるが、開
口部から500mmの位置では開口部のない場合とほぼ
等しい値まで急速に減衰し、1000mmの位置では
0.17mGまで徐々に減衰している。それに対して、
フランジを設けない管を用いた場合においてこの程度の
シールド効果を得るためには、600mm以上の長さの
管が必要であり、管の長さを短くさせることについて本
発明がいかに有効であるかがわかる。
【0023】また、「d」=10[mm],「θ」=9
0゜のフランジ5を有し、「c」=100[mm]の管
4を設けた本発明の一つの実施の形態においても、開口
部のすぐ内側で約1.4mGの強度であるが、開口部か
ら500mmの位置では開口部を設けていない場合とほ
とんど等しい値まで急速に減衰し、1000mmの位置
では0.17mGまで徐々に減衰している。
【0024】なお、フランジ5は上記のように管4の末
端を曲げて形成してもよいし、図5に示されるように曲
げられた管4の縁4aに、リング状のフランジ5をリ
ベット5aを用いて取り付けてもよい。このとき、リベ
ット5aの個数を増やしたり、またはリベット5aの代
わりに溶接によってフランジ5を接続したりすることに
より、接続部分の密着性を高めることができ、接続部分
のインピ−ダンスが下がり、内部磁場をより外部へ放出
させ易くすることができる。また、縁4a同士の切り
かけ部分にのみ板部材を取り付けることにより、管4の
開口を一周するようなフランジ5を形成しても、同様の
効果が得られる。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は磁気シー
ルドルームの開口部にフランジを有する管を設けたこと
により、開口部の大きさを大きくしても外部磁場の磁気
シールドルーム内への影響を低減させることができる。
すなわち、管のみを用いた場合と比べ、短い管であって
も長い管と同等の効果が得られる。例えば、フランジ付
きの100mm程度の管を開口に設けることにより、開
口から500mm離れた位置においては開口のないもの
と同等の効果を得ることができる。そのため、開口部を
介してカセットの出し入れが可能となり、ロード/アン
ロード部を磁気シールドルーム内に設置することがで
き、スループットを向上させることができる。また、開
口部からの外部磁場の侵入を従来以上に抑制することが
できるため、EB露光装置と開口部との距離を短くする
ことができ、従来のように余分な空間を必要としないた
め、磁気シールドルームの小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一つの実施の形態を示す斜視図であ
る。
【図2】 図1のII-II'線における断面図である。
【図3】 (a)磁気シールドルーム1の正面図、およ
び(b)そのA−A’線における断面図である。
【図4】 開口部2からの距離と磁気シールドルーム1
内の磁場の強度との関係を示すグラフである。
【図5】 管4およびフランジ5を示す斜視図である。
【図6】 従来例を示す斜視図である。
【符号の説明】
1…磁気シールドルーム、2…開口部、3…メンテナン
ス扉、4…管、4a…縁、5…フランジ、5a…リベ
ット、6…ロード/アンロード部、7…アーム、8…搬
送アーム部、9…カラム、10…EB露光装置、11…
磁気遮蔽材。

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 開口部を有する磁気シールドルームにお
    いて、 この開口部には、所望の長さを有するとともに磁気遮蔽
    材によって形成された管が、前記磁気シールドルームか
    ら突出するようにして取り付けられ、 前記管の末端から所定の長さに亘る部分は、管軸に対し
    て前記管の外側に向いていることを特徴とする磁気シー
    ルドルーム。
  2. 【請求項2】 請求項1において、 前記管の長さは、200mm以下であることを特徴とす
    る磁気シールドルーム。
  3. 【請求項3】 請求項1において、 前記所定の長さは、10mm以上であることを特徴とす
    る磁気シールドルーム。
  4. 【請求項4】 請求項1において、 前記管の末端から所定の長さに亘る部分が、管軸に対し
    て前記管の外側に曲げられていることを特徴とする磁気
    シールドルーム。
  5. 【請求項5】 請求項1において、 前記管の末端から所定の長さに亘る部分が、管軸に対し
    て前記管の外側に曲率を持って曲げられていることを特
    徴とする磁気シールドルーム。
  6. 【請求項6】 請求項1において、 前記管の末端から所定の長さに亘る部分は、管軸に対し
    て前記管の外側に90゜傾いていることを特徴とする磁
    気シールドルーム。
  7. 【請求項7】 請求項1において、 前記管の外側に向いた部分は、磁気遮蔽材からなる板部
    材を取り付けて形成されていることを特徴とする磁気シ
    ールドルーム。
  8. 【請求項8】 請求項1において、 前記開口部は、物を出し入れするための開口部であるこ
    とを特徴とする磁気シールドルーム。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4150493B2 (ja) * 2000-08-22 2008-09-17 株式会社東芝 パターン描画装置における温度測定方法
CA2359597C (en) * 2001-10-23 2003-10-21 Roland Kenny Beverage can holder
US6962644B2 (en) 2002-03-18 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Tandem etch chamber plasma processing system
JP2003309393A (ja) * 2002-04-12 2003-10-31 Fujita Corp 磁気シールド構造およびその設計法
US20030230385A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-18 Applied Materials, Inc. Electro-magnetic configuration for uniformity enhancement in a dual chamber plasma processing system
JP4782646B2 (ja) * 2006-08-25 2011-09-28 株式会社竹中工務店 多層磁気シールドルーム
JP2012074457A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Igarashi Chikara 磁気シールド補助装置及び磁気シールドシステム
JP6117352B2 (ja) * 2013-05-30 2017-04-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US10104816B2 (en) * 2016-02-05 2018-10-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Board, semiconductor fabrication plant (FAB) and fabrication facility

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4482811A (en) * 1982-09-30 1984-11-13 Radiation Dynamics, Inc. Apparatus for guiding cable through a radiation chamber with reduced leakage therefrom
JPS59197198A (ja) * 1983-04-22 1984-11-08 株式会社トーキン 磁気シ−ルド装置
JPS6457700A (en) 1987-08-28 1989-03-03 Hitachi Ltd Magnetic shielding device
JP2744470B2 (ja) 1989-06-09 1998-04-28 出光興産株式会社 潤滑油組成物
JPH07122886A (ja) 1993-10-22 1995-05-12 Shimizu Corp 磁気シールドルームにおける出入口開口部

Also Published As

Publication number Publication date
CN1114341C (zh) 2003-07-09
KR19990063318A (ko) 1999-07-26
US6265723B1 (en) 2001-07-24
JPH11186779A (ja) 1999-07-09
EP0924749A2 (en) 1999-06-23
CN1224328A (zh) 1999-07-28
EP0924749A3 (en) 2002-10-02
TW398166B (en) 2000-07-11
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