JP4758005B2 - 自動テスト機器の故障捕捉装置および方法 - Google Patents

自動テスト機器の故障捕捉装置および方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4758005B2
JP4758005B2 JP2000610013A JP2000610013A JP4758005B2 JP 4758005 B2 JP4758005 B2 JP 4758005B2 JP 2000610013 A JP2000610013 A JP 2000610013A JP 2000610013 A JP2000610013 A JP 2000610013A JP 4758005 B2 JP4758005 B2 JP 4758005B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fault
information
mut
circuit
failure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2000610013A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002541611A (ja
Inventor
オウガーテン,マイケル・エイチ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Teradyne Inc
Original Assignee
Teradyne Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Teradyne Inc filed Critical Teradyne Inc
Publication of JP2002541611A publication Critical patent/JP2002541611A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4758005B2 publication Critical patent/JP4758005B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • G11C29/56008Error analysis, representation of errors

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

【0001】
発明の分野
本発明は、一般に半導体デバイスを試験(テスト)する自動テスト機器に関し、特に、故障捕捉装置および半導体デバイステスタにおけるその使用方法に関する。
発明の背景
半導体メモリ製造業者は、競争力を保つために、メモリデバイスの製造コストの最小化を絶えず追求している。より重要な製造プロセスの1つは、各デバイスをテストして様々な条件下での信頼性および動作性を保証することに関連する。テストの実行に利用される機器は、自動テスト機器または「テスタ」と呼ばれることが多い。
【0002】
従来のテスタは一般に、1つまたは複数のテスト中のメモリ(MUT:memory-under-test)に結合され、MUT内の選択されたロケーションに信号を書き込む回路を備える。書き込まれた信号は次に読み戻され、予期される信号との比較のため、テスタによって捕捉される。比較の故障結果は、通常、MUTがテストに合格したか、または修復が必要であるかを指示する。
【0003】
多くのメモリデバイスは、万が一テスト中に故障が検出された場合に、デバイスの修復に使用する冗長行および冗長列を採用している。この特徴は、商業的に許容されるデバイスの多くにおいて歩留まりをかなり向上させる。従来のメモリテスタは、通常、1つまたは複数の行または列を利用可能な冗長行/列で物理的に置換する1つまたは複数の冗長修復ステーションを備える。しかし、冗長解析の実行が可能になるには、その前に、テスタによる信頼性のある初期故障データの捕捉が行われなければならない。
【0004】
従来、テスタは、MUTと同様サイズの容量を有するRAMメモリにまず故障データを格納していた。一般にキャッチRAM(catchram)と呼ばれるメモリが通常、MUT内のアドレスロケーションに物理的に対応するアドレスに故障情報を格納する。この方法は従来MUTのビットイメージ表現を提供し、ユーザが、特定の製造不具合に関連しうる故障の原因群を素早く識別することができるようにする。これは、早い時期にMUT製造における工程不具合を診断するために、技術開発環境において特に重要である。製造ラインでの工程不具合の迅速な識別は、ラインでのあらゆるダウンタイム(中断時間)を最小化し、製品スループットおよび対応するロットの歩留まりを最大化するためにも重要である。
【0005】
キャッチRAMの1つの構造は、MUTの容量に略等しい容量を有する1ビット幅のSRAMを利用する。ランダムモードにおける動作が比較的高速であることで知られているSRAMは、動作の観点からは望ましいメモリタイプを提供する。不都合なことに、SRAMの製造は、将来的な可用性の不確実性に伴い近年低下している。その結果、SRAMデバイスのコストはかなり高い。
【0006】
SRAMの少ないキャッチRAMを製造するという努力において、当業者は、様々なDRAMの実施を利用してきた。DRAMは比較的安価であり、一般に、ビットイメージキャッチRAM用途に適した大容量メモリを提供する。デバイスは、ランダムモード(インタリーブ)またはバーストモード(シーケンシャル)のいずれかに従って選択可能な動作モードを含む。不都合なことに、ランダムモードでは、DRAMはSRAMデバイスよりもかなり低速で動作し、キャッチRAM用途で首尾よく動作するには特別な技術が必要とされる。
【0007】
Satoに付与された米国特許第5,790,559号明細書に開示されている故障捕捉メモリにDRAMを用いる1つの提案は、DRAMランダム(インタリーブ)モード時に許容できる動作速度を達成するために、インタリーブドDRAMのバンクを採用している。バンクはそれぞれMUTの容量に等しい容量を有し、インタリーブされた出力を生成してより高速なシリアルビットストリームを生成する。ランダム動作モードの代替として、上記特許は、アドレスコンバータと共にバーストモードを用いて、故障データの複数ビットを連続して捕捉メモリに格納する技術も開示している。
【0008】
Satoの提案はそれが意図する用途に関しては有利であるが、各MUTについて数バンクのDRAMデバイスを採用する。16から32個のMUTを並列処理するテスタの場合、すべてのキャッチRAMに必要なDRAMの数は、スペースおよびハードウェアコストの双方に関して望ましくないレベルに近づく。さらに、MUT容量サイズの絶え間ない増大に伴い、対応する従来のキャッチRAM容量もまた増大し、大きなメモリに関するコスト問題が提示される。
【0009】
米国特許第5,644,578号明細書においてOhsawaにより提案される技術は、その主張によれば、故障データを圧縮し、かかる圧縮された故障データを、MUTの容量よりも少ない容量を有する捕捉メモリに格納することで、上記メモリ容量の問題に対処する。また、その主張によれば、この提案は捕捉メモリのサイズおよびコストを低減するが、記憶方式は依然として故障したMUTメモリセルの位置と捕捉メモリロケーションの間の物理的な対応に依存している。
【0010】
米国特許第5,317,573号明細書および同第4,628,509号明細書の双方に概して開示されるさらなる圧縮方式は、キャッチRAM使用を完全に回避している。上記技術は、概して、特定の「要修復故障(must-failure)」情報を追跡して、MUTのいずれの冗長行または冗長列がデバイスの修復に必要とされるかを識別するために、圧縮マトリクス構造を備える。圧縮マトリクスは、MUT内の故障アドレスに物理的に対応する、限られた数(冗長行および冗長列の数に対応する)のアドレス可能な行および列を設ける。
【0011】
このデータ圧縮技術は高速な製造処理には有利であるが、任意の種類のビットイメージ解析を提供する能力は省かれている。その結果、万が一製造テスト中にデバイスが相次いで不合格になった場合、いずれの製造処理不具合も容易には明らかにならず、おそらく故障探求および修復に必要な時間が延びる。
【0012】
必要とされているが、今まで入手不可能であったものは、1つまたは複数のMUTからの故障データのビットイメージマップを再構築する能力を提供し、かかる情報の冗長解析回路への転送を最小のコストで最大化するキャッチRAM構造である。本発明のキャッチRAMおよび方法は、これらの必要性を満たす。
発明の概要
本発明の故障捕捉回路は、テスト中のメモリ(MUT)からの故障データの捕捉および解析に関わるコストを低減する。これは、MUTメモリセル故障を示す最小の情報を格納することによって達成される。格納される初期捕捉された故障情報を最小化することで、故障情報を冗長解析回路に送信するための後続する転送時間もまた実質的に最小化され、テストのスループットが増大する。
【0013】
上記利点を実現するため、本発明は、一形態において、所定の記憶容量を有するテスト中のメモリ(MUT)から故障ロケーション情報を識別する故障捕捉回路を含む。故障捕捉回路は、MUTに結合されるよう適合されると共に、テスト信号をMUTに加え、そこからの出力信号を故障ロケーション情報に処理するよう動作する故障検出回路を備える。故障検出回路に故障ロケーション情報を格納するルックアップテーブルが結合される。
【0014】
別の形態において、本発明は、MUTからの故障データを判断し、かかる故障データを解析してMUTを修復する故障処理回路を備える。故障処理回路は、MUTに結合されるように適合されると共にMUTにテスト信号を加えるよう動作する故障検出回路を含む故障捕捉回路を備える。故障検出回路はまた、MUTからの出力信号を処理して、故障したメモリセルロケーションを示す故障情報にする。ロケーション情報を格納するために、故障検出回路にはルックアップテーブルが結合される。故障処理回路は、MUTの修復に最適な手順を確立する冗長解析回路をさらに備える。転送回路が冗長解析回路と故障捕捉回路を結合し、故障検出回路から独立して動作する。
【0015】
さらに別の形態において、本発明は、決定的故障(要修復故障)情報と疎故障(sparse-failure)情報とを区別し、MUTからの故障データを表す疎故障情報を故障メモリに選択的に渡すスクリーニング回路を備える。スクリーニング回路はまた、疎故障情報および要修復故障情報を冗長解析器に指向させる。スクリーニング回路は、要修復故障列を規定する所定数の故障を有するメモリセル列を追跡するための列フラグメモリと、要修復故障行を規定する所定数の故障を有するメモリセル行を追跡するための行フラグメモリとを備える。行故障カウンタは、行および列のフラグメモリと協働して、事前にプログラムされた閾値基準に従ってフラグをセットする。
【0016】
本発明のさらなる形態は、故障捕捉回路において使用するための、MUTから捕捉された複数のマルチビット信号を格納するメモリを備える。信号は、事前に選択されたデータ構造を有する。メモリは、バースト動作モード時にマルチビット信号を受信するためのマルチビット入力インタフェースと、入力インタフェースと連絡して配置される、マルチビット信号を格納するための記憶セルアレイとを備える。
【0017】
さらに別の形態において、本発明は、後続する冗長解析のために、MUTから故障情報を取得する方法を含む。本方法は、故障情報を捕捉するステップと、故障情報からMUT内の故障のロケーションを識別するステップと、識別された故障ロケーションをルックアップテーブルに格納するステップと、を含む。
【0018】
別の形態において、本発明は、MUTからの故障アドレス情報を格納するように適合された故障捕捉メモリに渡す故障情報をスクリーニングする方法を含む。捕捉メモリは、冗長解析回路によりアクセスすることができる。この方法は、要修復故障情報を判断するステップと、要修復故障情報を疎故障情報から分離し、疎故障情報を捕捉メモリに渡すステップと、要修復故障情報および疎故障情報を冗長解析回路に配向するステップと、を含む。
【0019】
本発明の他の特徴および利点は、添付図面と合わせて以下の詳細な説明を読むことから明らかになろう。
本発明は、以下のより詳細な説明および添付図面を参照することによってより良く理解されよう。
発明の詳細な説明
ここで図1を参照し、概して10で表す本発明の一実施形態による半導体メモリテスタの概略ブロック図は、コンピュータワークステーション12およびテストコントローラ13を備える。テストコントローラは、ワークステーションに応答して、1つまたは複数のテスト中のメモリ(MUT)16に書き込まれそして読み出されるアドレス信号およびデータ信号を生成するパターン発生器14を備える。パターン発生器によって生成された信号は、ドライバ回路17を介してMUTにアクセスし、指定されたデータをMUT内の所定の行および列のアドレスロケーションに書き込む。概して20で表される故障捕捉回路は、続いて、パターン発生器により生成される読み出し信号に応答し、MUTにアクセスしてデータを読み出し、MUT内の故障したメモリセルロケーションを識別する目的で、それを予期される値と比較する。
【0020】
図1を引き続き参照し、本発明の故障捕捉回路20は、故障検出回路22と、故障アドレスルックアップテーブル110とを採用して、MUT16からのビットイメージ故障情報の冗長解析回路160への転送速度を最小のハードウェアコストで最大化する。
【0021】
さらに図1を参照し、故障検出器回路22は、MUT16のI/Oピン(図示せず)に結合する捕捉および比較ロジックを備える。捕捉および比較ロジックは、I/O選択ロジック24によって選択される構成に従い、MUTの個々のピンに対応するコンパレータアレイ(図示せず)を備える捕捉回路25を含む。各コンパレータは、特定の動作サイクル中の特定のピンにおける故障状況を表す同期リジェクト(拒絶)信号を生成する同期拒絶ロジック27に提供される。
【0022】
ここで図2をより詳細に参照すると、I/O選択ロジック24は、好ましくは、パターン発生器クロック(BOC)によりレジスタ28を通して同期がとられる複数の同期拒絶入力0〜79を備える。レジスタの出力は、各マルチプレクサM1〜M4によって定義される複数の20:1セレクタパスに沿ってファンアウトする。マルチプレクサは、各単一ビット出力をORゲート30に提供し、これが次にXORゲート32の入力に結合する。XORゲートは、反転された同期拒絶信号INV_SRから第2の入力を受信し、先入れ先出し(FIFO)モジュール34を通ってANDゲート36に向けられる出力を生成する。ANDゲートは、スクリーニングロジック70の入力としての役割を果たす。
【0023】
引き続き図2を参照し、パターン分配ロジック38は、好ましい詳細において、アドレスおよびデータ情報をコンパレータ回路60に提供するアドレスセレクタ40を備える。パターン分配ロジックはまた、パターン発生器14からのパターンが開始されるとき、およびパターン発生器によって提供されるプログラムされた条件に基づいていつデータを格納するかを回路に警告するSTCパス42も備える。アドレスセレクタ40は、パターン発生器クロック(BOC)において動作する各レジスタ48および50によって同期がとられる32ビット代替データソース(ADS)バス44と、第2の(SEC)バス46とをそれぞれ備える。バスは32ビットアドレス選択マルチプレクサ52に提供され、かかる32アドレス選択マルチプレクサ52は、一方のバスからの単一ビット出力を選択的に渡す。XORゲート54はソース選択出力を受信し、これらと反転アドレス信号INV_ADDRとの排他的論理和をとる。第2のFIFOモジュール56は、排他的論理和演算されたデータを、I/Oセレクタデータストリームに配置された第1のFIFOモジュール34と同期してパイプする。第2のFIFOからの出力はコンパレータ回路60に提供され、捕捉アドレスレジスタおよび捕捉アドレスイネーブルと比較される。本発明の故障捕捉回路において述べられるFIFO構造は、好ましくは、各モジュールデータ入力および出力に配置された各フリップフロップ(図示せず)を含むが、たとえば、当分野で周知のようにラッチまたはメモリを含んでもよい。
【0024】
コンパレータ回路60は、32ビットMUT値信号CAPTR_CMP_VALを受信し、これとパターン発生器情報を表す第2のFIFOの出力56との排他的論理和をとるXORゲート62を含む。XORゲート62の出力はNANDゲート64に提供され、該NANDゲート64が、データと32ビット捕捉イネーブル信号CAPTR_CMP_ENAとの否定論理積(NAND)をとる。NANDゲートの出力およびイネーブル信号SLICE_ENAは、スクリーニングロジックANDゲート36の入力に指向される。
【0025】
次に図1乃至図4を参照し、スクリーニングロジック70は、MUT16に対して決定的故障(要修復故障)解析を実行し、故障アドレスルックアップテーブル110に不必要な故障情報が渡ることを防ぐように構成される決定的故障(要修復故障)スクリーン回路71を含む。その結果、ルックアップテーブルの容量を最小化することができ、故障情報の冗長解析回路160への転送速度の向上につながる。
【0026】
特に図3を参照し、MUT16は、所定数の冗長行RXおよび冗長列RYを含む。万が一特定の行または列が、たとえば73および75において、冗長ライン数を越える数の故障(Xで表される)を有する場合、これら特定の行または列を完全に冗長構造と置換しなければならない。その結果、本発明者は、行または列を完全に置換すべき場合、その行の故障情報をルックアップテーブルに格納する必要はないと判断した(その行は修復「されなければならない(must)」ため)。
【0027】
次に図4を参照し、要修復故障スクリーン回路71は、制御レジスタ75によって生成されるクロック信号に従い、アドレスバスADDRESSからのアドレスを交互に格納する一対のアドレスフリップフロップ72および73を含む。フリップフロップは、各ANDゲートアレイ76および77に提供される32ビットアドレスを交互に格納する。ゲートアレイは、選択的に所定のアドレスを除外する。コンパレータ78は、ANDゲートアレイの出力を受信し、現在のアドレス(一方のフリップフロップに格納されている)を先行アドレス(他方のフリップフロップに格納されている)と比較する。行カウンタ79は同期拒絶信号パスDATA S/Rに結合され、故障(同期拒絶)が検出される都度増分(インクリメント)される。カウンタは、コンパレータの出力がハイであることに応答してカウンタをクリアするリセットRを含む。一般に、現在のアドレスおよび先行アドレスの行が同じである場合、コンパレータからの出力はローである。行が異なる場合、コンパレータの出力はハイであり、カウンタがリセットされる。
【0028】
行カウンタ79からの出力は第2のコンパレータ80に提供され、該第2のコンパレータ80はカウントをレジスタ81に維持される事前に(予め)プログラムされる閾値カウントと比較する。閾値を超える場合には、コンパレータに書き込みイネーブル信号を行フラグメモリ82に対して送信させると共に、ロジックロー(低)をスクリーニングロジックデータ出力ANDゲート83に対して送信させ、その行のさらなる故障データがキャッチRAMにロードされないようにする。列フラグメモリ84の制御は、行故障の関数として要修復故障列を識別する冗長解析器によって行われる判断を通して実現される。
【0029】
次に図5を参照し、スクリーニングロジック70の出力が、疎故障情報を高速で故障アドレスルックアップテーブル110にロードする転送インタフェース90に提供される。転送インタフェースは、要修復故障スクリーン回路71の出力に結合され、SR31を通して同期拒絶信号SR0を受信する32ビット入力ORゲート92を含む。ORゲートの出力はデータFIFOコントローラ94に提供され、該データFIFOコントローラ94は、キャッチRAMコントローラ96と協働し、一対の交互になった(alternating)64×64「ピンポン」FIFO98および100を通してデータのパイプライン化を制御する。データFIFOコントローラは、任意のSR入力に故障が入ってくる都度増分されるカウンタ(図示せず)を含む。各ピンポンFIFOは、各データパスFIFO102および104を通してスクリーニングロジック70からデータを選択的に受信する。ピンポンFIFOは交互に64ビット出力を生成し、該64ビット出力は、入力データレートの2倍で動作し、故障アドレスルックアップテーブル110の容量を最大化する独自のプログラマブルデータ構造に従って構成されるデータストリームを形成する。
【0030】
一実施形態において、キャッチRAMと一般に呼ばれる故障アドレスルックアップテーブル110は、SDRAMデバイス等の半導体メモリを含むことが好ましい。デバイスは、64ビット幅入力D/Qを含み、フルページ線形バースト動作モードにおいて、ピンポンFIFO98および100から高速でデータを連続してロードする。
【0031】
キャッチRAMバーストモード特徴の高速性という利点を最大化するために、本発明者は、MUTアドレス情報および/またはコマンド情報の各ストリングを含む、図5に示す独自のデータ構造を考案した。アドレス情報データ構造112は、好ましくは、ビット0〜31で符号化されるMUTI/Oピン情報と、ビット32〜62で符号化される故障アドレス情報とを含む。ビット63は、アドレスストリングをコマンドストリングと区別するために利用される。一方、コマンドデータ構造114は、所定数のビットを採用してオペランドを符号化し、第2のビットフィールドを用いて演算コードを識別する。アドレス構造のように、コマンドデータ構造は、1ビット(63)を利用してコマンドデータ構造自体とアドレス情報データ構造112とを差別化する。
【0032】
さらに図を参照して、故障アドレスルックアップテーブル110は、ADDR(マルチプレクサアドレス)、RAS(行アドレスストローブ)、CAS(列アドレスストローブ)、WE(書き込みイネーブル)、CS(チップ選択)、およびCKE(クロックイネーブル)等のSDRAMデバイスにしばしば関連する複数の制御入力を含む。制御入力は、キャッチRAMコントローラ96からプログラムされた制御信号をそれぞれ受信する。
【0033】
キャッチRAMコントローラ96は、有限ステートマシン(状態機械)として構成されることが好ましい。コントローラは、故障アドレス情報をロードするための故障アドレスルックアップテーブル110のバースト、キャッチRAMのリフレッシュ、およびピンポンFIFO98および100の制御とデータFIFOコントローラ94との調整を含む多くの制御機能を実行する。コントローラからキャッチRAMへの制御出力は、8ns周期クロック(125MHz)という高速で動作しているレジスタ116のアレイを通して再度同期される。クロック領域の遷移はまた、キャッチRAMの演算能力を最大化する役割も果たす。コントローラに支配される他の機能には、冗長解析転送のためのメモリ読み出し、および診断のためのシステム読み出し/書き込みがある。
【0034】
故障アドレスルックアップテーブル110内の故障アドレスへのアクセスは、キャッチRAMを冗長解析(RA)回路160(図1)に結合するインタフェースまたは転送回路120(図1および図)によって実行される。転送回路は、キャッチRAMからRA回路160へのデータ転送を制御するための走査有限状態機械(FSM)122と、転送されたデータの有効性を判断するISEロジック124とを備える。走査FSMはキャッチRAMコントローラ96に接続し、自走16ns周期クロックに従ってデータ転送を指示し、動作する。レジスタ126および128は、8nsクロック(CLK8)と並列にロードされ、16nsクロック(CLK16)により直列にアンロードされる。ロードとロードは、交互のロードと共に、CLK8からCLK16への同期を提供する。
【0035】
引き続き図を参照し、より詳細な転送回路120は、キャッチRAM D/Qから一対のデータセレクタ132および134に提供される64ビット出力データパス130を含むことが好ましい。セレクタは、ロードを評価し、各コマンドライン140および142に沿ってキャッチRAMコントローラ96および走査FSM122からのコマンド信号を走査する各ANDゲート136および138から制御信号を受信する。セレクタからの並列出力は8nsクロックレジスタ126および128にロードされ、ビット選択制御ライン148に沿って走査FSM122により制御される各64:1並列/直列(P2S)モジュール144および146によって直列化された出力に変換される。モジュールはマルチプレクサ150に接続し、マルチプレクサ150はどのビットストリームが転送されるかを選択し、次にISEFIFO152に結合する。ISE FIFOは、パターン発生器捕捉信号から独立したシステムRAに適した同期で、64ビットの有効データストリームを冗長解析回路160に生成する。
【0036】
上述した故障捕捉回路20の構造の殆どは、特定用途向け集積回路(ASIC)形態での実施によく適している。これは、複数の故障捕捉回路が並列配置されて、MUTの対応する並列アレイをテストする並列テスト用途の場合に特に有利である。ASIC技術に関連する高密度という利点により、テスト能力を多数のMUTに提供するために必要な回路スペースがかなり低減される。
【0037】
概して、故障捕捉回路20の動作は、MUT16から故障データを捕捉し、続くRA回路160への高速転送のためにこれを処理することに関わる。冗長解析時にビットイメージ解析が望まれるため、多量の故障データがしばしば関与し、MUTテストのスループットを最大化するために、高速演算が求められる。RA回路が受信したデータは、本発明の譲受人に譲渡され、本明細書に明示的に援用される「Semiconductor Memory Tester With Hardware Accelerators」と題する米国特許第5,754,556号に開示されているもの等、当業者には周知の方法に従って解析される。上記故障捕捉回路の構造および構成では、最大のデバイス密度および最小のハードウェアコストでの高速演算が可能である。
【0038】
動作に先立ち、テスタ10は、所定のデータをMUT16内の選択されたアドレスに書き込むように事前にプログラムされる。これは概して、ゼロ復帰、補数復帰(return-to-complement)、および当業者に周知の他のテスト波形等のテストパターン波形を駆動するようにパターン発生器14をプログラムすることを含む。
【0039】
テスト中、パターン発生器14が波形情報をドライバ回路17に提供すると共に、テスト信号のコピーを故障捕捉回路20に提供する。ドライバ回路は、プログラムされた波形をMUTに書き込む。パターン分配ロジック38は、アドレスセレクタ40においてパターン発生器からアドレス情報を受信する一方、データ情報は、後続するデータ比較のために同期拒絶ロジックによって受信される。
【0040】
ドライバ回路17がデータをMUT16に書き込んだ後、故障検出回路22が、後続のパターン情報に応答してMUTの選択されたエリアを走査し、パターン発生器により先に送信されたデータとの比較のために、選択されたエリアからデータを読み出す。I/O選択ロジック26は、アクセスするために所定のMUTI/Oピンを識別し、データリソースをそれら特定のピンに導く。これは、MUTの並列アレイをテストする場合に特に有利である。
【0041】
捕捉回路25は、パターン発生器14により生成されるストローブ信号に応答して起動し、I/O選択ロジック26によって選択されたMUTアドレスからデータを読み出す。捕捉されたデータは、各コンパレータ(図示せず)によりロジックハイ(高)またはロジックローとして検出され、同期拒絶ロジック27に提供される。次に、同期拒絶ロジックは検出されたロジックレベルを、パターン発生器により提供される予期されるデータと比較する。捕捉されたデータが予期されるデータと整合する場合、同期拒絶ロジックの出力はローのままである。万が一不整合が発生した場合には、ロジックが故障状況を示す同期拒絶信号を生成する。
【0042】
捕捉された故障データを次にスクリーニングロジック70を通して処理し、疎故障情報と要修復故障情報とを区別する。本発明者は、平均して、デバイスの大きな母集団にわたって分散するMUT故障の全数はかなり低い傾向があることを発見した。この判断の当然の帰結として、ロジック「1」を対応するMUTの鏡像に格納するのではなく、その代わりにMUT故障のアドレスのみを故障アドレスルックアップテーブル110に格納することで、キャッチRAMの記憶容量をかなり低減することができる。さらに、キャッチRAMは高速バーストモードのSRAMデバイスを利用するため、インタリーブドメモリのバンクがなくなり、ハードウェアコストが削減されると共に、テスタチャネルカード上の高価なスペースが最小化される。
【0043】
再び図4を参照すると、要修復故障スクリーン回路71が、カウンタ79を用いて選択された行75(図3)における故障の数をカウントする。特定の行における所定の閾値故障数(通常、利用可能な冗長列の数に対応する)が検出されると、MUT「要修復故障」行に対応する1ビット幅行フラグメモリ82にフラグが格納される。フラグメモリ82および列フラグメモリ84双方の結果はインヒビット(禁止)回路83に提供され、該禁止回路83が、いずれの要修復故障データも故障アドレスルックアップテーブル110内の高価な記憶空間を占有しないようにする。
【0044】
スクリーニングロジック70は、データFIFOコントローラ94からの定期的(timed)コマンドに従って、「ピンポン」FIFO98および100をロードするために、疎故障情報を各データパスFIFO102および104に沿って渡す。複数の同期拒絶信号がデータFIFOコントローラ94のデータ入力に提供され、FIFOにロードされた故障をカウントする。概して、データFIFOコントローラは一方のFIFOに故障情報をロードしながら、同時に故障アドレスルックアップテーブル110のD/Q入力へのデータバースにおいて他方のFIFOを空にする。このようにして、連続したデータストリームが、パターン発生器クロックの最大レートの2倍でキャッチRAMにロードされる。
【0045】
上述したように、故障アドレスデータの故障アドレスルックアップテーブル110へのロードおよび故障アドレスルックアップテーブル110からのアンロードは、バーストモードで動作しているデバイスで行われる。SDRAMデバイスの場合、これには、データをランダムにメモリに格納するのではなく、連続して格納する必要がある。これにより、ビットイメージデータをMUTに対応する物理的なロケーションに格納するのではなく、その代わりに故障アドレスのみをMUT内に格納するように、キャッチRAMを構成することが可能になる。その結果、さらに後述するように、キャッチRAMから冗長解析回路への故障データの転送時間が劇的に向上する。
【0046】
ここで図1および図4を参照し、インタフェースまたは転送回路120は概して故障アドレスルックアップテーブル110にアクセスし、パターン発生器クロックとは独立したデータレートで故障情報をRA回路160に送信する。これは、故障アドレスルックアップテーブル110からRA回路160への転送を待たずにパターンをMUTに加えられるようにすることで、スループットの意味において有利である。この利点は、1つの回路がデータを転送している間に、別の故障捕捉回路がデータを捕捉できるようにすることで、並列テスト用途においてさらに顕著である。
【0047】
さらに詳細に、走査FSM122は、コマンドをキャッチRAMコントローラ96に発することで、故障アドレスルックアップテーブル110からの故障データの転送を指向させる。走査コントローラはまた、2つのデータセレクタ132および134のうちの一方を選択的に起動する。データセレクタは並列で更新され、続けて、データレジスタの各ビットを通して逐次転送される。高速クロックを用いてデータを並列にロードしながら、低速クロックがデータを逐次アンロードする。データの低速な逐次アンロードにより、SDRAMコントローラがリフレッシュ要求のサービスを提供し、バースト−1読み出しの必要動作を行うのに十分な時間が提供される。メモリを読み出し、選択されたレジスタを並列にロードし、それから選択されたレジスタからデータを逐次転送するプロセスは、走査有限状態機械のレジスタにプログラムされたキャッチRAMメモリアドレスの数について続けられる。
【0048】
当業者は、本発明により提供される多くの恩恵および利点を理解するであろう。重要なのは、故障アドレスを故障捕捉回路に格納するキャッチRAMを採用することで実現される格納および転送速度の利点である。これは、1つのメモリデバイスが、冗長解析回路がMUTの実質的なビットイメージ再生を復活するのに十分な故障情報を捕捉、格納、および転送できるようにする。メモリデバイスの複数バンクの入手に関わるコストが結果として最小化される。さらに、故障捕捉回路は、平均して、従来採用されている回路よりも少ないデータを格納するため、キャッチRAMからRA回路からの転送レートが最大化される。これらの利点は、複数のMUTのテストに複数の故障捕捉回路が採用される並列テスト環境において増幅される。
【0049】
本発明について、特に本発明の好ましい実施形態を参照して図示し説明したが、当業者には、本発明の精神および範囲から逸脱せずに、形態および詳細に対する各種変更を行いうることが理解されよう。たとえば、本明細書において説明したインタフェース回路は、キャッチRAMから冗長解析器へのデータ転送に関連するが、非転送モード時に、これを冗長解析器を共有キャッチ構成に結合してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の故障捕捉装置を採用したテスタの略ブロック図である。
【図2】 図1の故障捕捉回路の一実施形態の部分略図である。
【図3】 図1のMUTの略ブロック図である。
【図4】 図2の要修復故障回路のブロック図である。
【図5】 図1の故障捕捉回路の一実施形態の部分略図である。
【図6】 本発明の故障捕捉回路において使用される2つの好ましいデータ構造の図である。

Claims (17)

  1. テスト中のメモリ(MUT)(16)から故障ロケーション情報を識別する故障捕捉回路(20)であって、前記MUTは複数のメモリセルを含む所定の記憶容量を有し、前記故障捕捉回路は、前記MUTに結合されるよう適合されると共に、テスト信号を前記MUTに加え、前記MUTからの出力信号を処理して故障情報にするよう動作する故障検出回路を含み、前記故障情報が故障したメモリセルのロケーションを示す、故障捕捉回路において
    前記故障検出回路に結合され、要修復故障情報を疎故障情報と区別するように動作するスクリーニングロジック(70)と
    前記故障検出回路に結合され、前記ロケーション情報を格納するルックアップテーブル(110)と、
    前記スクリーニングロジックを前記ルックアップテーブルに接続する疎故障信号パスと、を含み
    前記スクリーニングロジックは、前記疎故障信号パスを介して、前記ルックアップテーブル(110)に接続され、疎故障情報を前記ルックアップテーブルに通過させる
    故障捕捉回路。
  2. 前記故障検出回路(22)は、
    前記テスト信号を前記メモリセルに加えるパターン発生器(38)と、
    前記出力信号を取得する捕捉ロジック(25)と、
    前記出力信号を所定の予期される信号と比較し、該比較に失敗したメモリセルロケーションを識別する比較ロジック(27)と、
    を含む、請求項1記載の故障捕捉回路(20)。
  3. 前記スクリーニングロジック(70)は前記比較ロジックに結合される、請求項1記載の故障捕捉回路(20)。
  4. 前記要修復故障情報および前記疎故障情報を冗長解析器に指向させるように適合される要修復故障信号パスをさらに含む、請求項1記載の故障捕捉回路(20)。
  5. 前記スクリーニングロジック(70)は、
    要修復故障列を規定する所定数の故障を有するメモリセル列を追跡するための列フラグメモリと、
    要修復故障行を規定する所定数の故障を有するメモリセル行を追跡するための行フラグメモリと、
    前記所定の行故障数まで各行の故障の数をカウントし、前記列フラグメモリと協働して、前記行故障の関数として要修復故障列を識別するための行カウンタと、
    を備える請求項記載の故障捕捉回路(20)。
  6. 前記ルックアップテーブル(110)はRAMを備える、請求項1記載の故障捕捉回路(20)。
  7. 前記RAMは、前記MUTのメモリ容量よりも少ないメモリ容量を含む、請求項記載の故障捕捉回路(20)。
  8. 前記RAMはマルチビットバーストモードを含む、請求項記載の故障捕捉回路(20)。
  9. 前記RAMは、疎故障情報のみを格納するように適合される、請求項記載の故障捕捉回路(20)。
  10. 前記RAMは、複数のマルチビット信号を格納するように適合され、前記信号は事前に選択されたデータ構造を有し、前記RAMは、
    前記バースト動作モード時に前記マルチビット信号を受信するためのマルチビット入力インタフェースと、
    該入力インタフェースと連絡して配置され、前記マルチビット信号を格納するための記憶セルアレイと、
    を備える、請求項記載の故障捕捉回路(20)。
  11. 前記マルチビット信号は、故障アドレスと、前記MUT内の故障したメモリセルのロケーションを示すデータフィールドとを有するアドレスデータ構造(112)を含む、請求項10記載の故障捕捉回路(20)。
  12. 前記マルチビット信号は、プログラムされた演算コードを表すコマンドフィールドを有するコマンドデータ構造(114)を含む、請求項11記載の故障捕捉回路(20)。
  13. 前記マルチビット信号は、前記データ構造が前記故障アドレス情報を含むか、前記コマンド情報を含むかを識別する識別子を含む、請求項12記載の故障捕捉回路(20)。
  14. 前記ルックアップテーブル(110)を冗長解析回路(160)に結合する転送回路(120)をさらに備える、請求項1記載の故障捕捉回路(20)。
  15. 前記転送回路(120)は、前記故障検出回路(22)とは独立して動作する、請求項14記載の故障捕捉回路(20)。
  16. 後続する冗長解析のために、MUT(16)から故障情報を取得する方法であって、
    前記故障情報を捕捉するステップと、
    前記故障情報から前記MUT内の前記故障のロケーションを識別するステップと、
    前記識別された故障ロケーションをルックアップテーブル(110)に格納するステップと、を含み、
    前記識別するステップは、前記故障ロケーションをスクリーニングして、要修復故障情報および疎故障情報を判断するステップを含み、
    前記格納するステップは、前記疎故障情報を前記ルックアップテーブル(110)に書き込むことを含む、
    MUT(16)から故障情報を取得する方法。
  17. 前記格納するステップは、バースト動作モード時に、前記故障ロケーション情報をRAM(110)に逐次書き込むことを含む、請求項16記載のMUT(16)から故障情報を取得する方法。
JP2000610013A 1999-04-02 2000-03-30 自動テスト機器の故障捕捉装置および方法 Expired - Lifetime JP4758005B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/285,857 1999-04-02
US09/285,857 US6442724B1 (en) 1999-04-02 1999-04-02 Failure capture apparatus and method for automatic test equipment
PCT/US2000/008497 WO2000060606A1 (en) 1999-04-02 2000-03-30 Failure capture apparatus and method for automatic test equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002541611A JP2002541611A (ja) 2002-12-03
JP4758005B2 true JP4758005B2 (ja) 2011-08-24

Family

ID=23096004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000610013A Expired - Lifetime JP4758005B2 (ja) 1999-04-02 2000-03-30 自動テスト機器の故障捕捉装置および方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6442724B1 (ja)
EP (1) EP1173853B1 (ja)
JP (1) JP4758005B2 (ja)
KR (1) KR100676205B1 (ja)
DE (1) DE60005941T2 (ja)
MY (1) MY123372A (ja)
TW (1) TW463177B (ja)
WO (1) WO2000060606A1 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6594714B1 (en) * 2000-05-01 2003-07-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Reconfigurable FIFO interface to support multiple channels in bundled agent configurations
US6601205B1 (en) * 2000-09-29 2003-07-29 Infineon Technologies Ag Method to descramble the data mapping in memory circuits
JP2002131401A (ja) * 2000-10-27 2002-05-09 Ando Electric Co Ltd データログ取得回路、及びデータログ取得方法
JP2002216495A (ja) * 2001-01-18 2002-08-02 Mitsubishi Electric Corp メモリデバイス冗長救済解析方法、記録媒体および装置
US6591213B1 (en) * 2001-02-27 2003-07-08 Inovys Corporation Systems for providing zero latency, non-modulo looping and branching of test pattern data for automatic test equipment
US7401272B1 (en) * 2001-03-09 2008-07-15 Pmc-Sierra, Inc. Apparatus and method for high speed sampling or testing of data signals using automated testing equipment
JP2003346496A (ja) * 2002-05-22 2003-12-05 Mitsubishi Electric Corp 不良情報格納装置とその装置を備える不良情報蓄積処理装置、不良情報蓄積方法、不良情報格納装置を備える半導体装置試験装置、および不良情報格納装置を備える半導体装置
US7107501B2 (en) * 2002-05-31 2006-09-12 Infineon Technologies Ag Test device, test system and method for testing a memory circuit
DE10229802B3 (de) * 2002-07-03 2004-01-08 Infineon Technologies Ag Testschaltung und Verfahren zum Testen einer integrierten Speicherschaltung
US7203874B2 (en) * 2003-05-08 2007-04-10 Micron Technology, Inc. Error detection, documentation, and correction in a flash memory device
JP2006048767A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Elpida Memory Inc 半導体メモリ試験装置
US7685481B2 (en) * 2005-06-23 2010-03-23 Mks Instruments, Inc. Bitmap cluster analysis of defects in integrated circuits
US7669094B2 (en) * 2005-08-05 2010-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and inspection method of semiconductor device and wireless chip
US7265696B2 (en) * 2005-11-10 2007-09-04 International Business Machines Corporation Methods and apparatus for testing an integrated circuit
US7395465B2 (en) * 2006-01-13 2008-07-01 International Business Machines Corporation Memory array repair where repair logic cannot operate at same operating condition as array
KR100866962B1 (ko) * 2007-03-08 2008-11-05 삼성전자주식회사 Hdd를 하이브리드 hdd에서 노멀 hdd로 전환시키는방법
US20080270854A1 (en) 2007-04-24 2008-10-30 Micron Technology, Inc. System and method for running test and redundancy analysis in parallel
US8977912B2 (en) * 2007-05-07 2015-03-10 Macronix International Co., Ltd. Method and apparatus for repairing memory
US8832511B2 (en) * 2011-08-15 2014-09-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Built-in self-test for interposer
US9953725B2 (en) * 2012-02-29 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices and methods of operating the same
DE112018007597B4 (de) 2018-06-18 2022-06-09 Mitsubishi Electric Corporation Diagnosevorrichtung, Diagnoseverfahren und Programm
KR20210024880A (ko) * 2019-08-26 2021-03-08 에스케이하이닉스 주식회사 테스트 회로, 이를 포함하는 반도체 장치 및 테스트 시스템

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62204500A (ja) * 1986-03-04 1987-09-09 Mitsubishi Electric Corp 多出力冗長回路付メモリicのテスト装置
JPH04339399A (ja) * 1991-05-15 1992-11-26 Ando Electric Co Ltd メモリテスタの救済アドレス解析回路
JPH05325594A (ja) * 1992-05-22 1993-12-10 Toshiba Corp 半導体試験装置
JPH0836900A (ja) * 1994-07-21 1996-02-06 Hitachi Ltd 集積回路装置の検査方法および検査装置
JPH1055694A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Advantest Corp メモリ試験装置
JPH1074397A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Asia Electron Inc メモリ解析装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4736373A (en) * 1981-08-03 1988-04-05 Pacific Western Systems, Inc. Memory tester having concurrent failure data readout and memory repair analysis
EP0125633B1 (en) 1983-05-11 1990-08-08 Hitachi, Ltd. Testing apparatus for redundant memory
US4586178A (en) * 1983-10-06 1986-04-29 Eaton Corporation High speed redundancy processor
US4751656A (en) * 1986-03-10 1988-06-14 International Business Machines Corporation Method for choosing replacement lines in a two dimensionally redundant array
US4876685A (en) 1987-06-08 1989-10-24 Teradyne, Inc. Failure information processing in automatic memory tester
EP0424612A3 (en) 1989-08-30 1992-03-11 International Business Machines Corporation Apparatus and method for real time data error capture and compression for redundancy analysis of a memory
US5157664A (en) * 1989-09-21 1992-10-20 Texas Instruments Incorporated Tester for semiconductor memory devices
US5588115A (en) * 1993-01-29 1996-12-24 Teradyne, Inc. Redundancy analyzer for automatic memory tester
US5610925A (en) 1995-03-27 1997-03-11 Advantest Corporation Failure analyzer for semiconductor tester
JP3552175B2 (ja) 1995-05-17 2004-08-11 株式会社アドバンテスト フェイルメモリ装置
JPH095402A (ja) 1995-06-22 1997-01-10 Advantest Corp 半導体メモリ試験装置
US5795797A (en) 1995-08-18 1998-08-18 Teradyne, Inc. Method of making memory chips using memory tester providing fast repair
JPH0963300A (ja) 1995-08-22 1997-03-07 Advantest Corp 半導体メモリ試験装置のフェイル解析装置
WO1997011381A1 (fr) * 1995-09-22 1997-03-27 Advantest Corporation Controleur de memoire
US5720031A (en) 1995-12-04 1998-02-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for testing memory devices and displaying results of such tests
TW338106B (en) 1996-03-29 1998-08-11 Adoban Test Kk Semiconductor memory testing apparatus
US5754556A (en) 1996-07-18 1998-05-19 Teradyne, Inc. Semiconductor memory tester with hardware accelerators
JPH10269799A (ja) * 1997-03-19 1998-10-09 Advantest Corp 半導体メモリ試験装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62204500A (ja) * 1986-03-04 1987-09-09 Mitsubishi Electric Corp 多出力冗長回路付メモリicのテスト装置
JPH04339399A (ja) * 1991-05-15 1992-11-26 Ando Electric Co Ltd メモリテスタの救済アドレス解析回路
JPH05325594A (ja) * 1992-05-22 1993-12-10 Toshiba Corp 半導体試験装置
JPH0836900A (ja) * 1994-07-21 1996-02-06 Hitachi Ltd 集積回路装置の検査方法および検査装置
JPH1055694A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Advantest Corp メモリ試験装置
JPH1074397A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Asia Electron Inc メモリ解析装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002541611A (ja) 2002-12-03
DE60005941T2 (de) 2004-08-19
WO2000060606A1 (en) 2000-10-12
EP1173853B1 (en) 2003-10-15
EP1173853A1 (en) 2002-01-23
MY123372A (en) 2006-05-31
TW463177B (en) 2001-11-11
KR100676205B1 (ko) 2007-01-30
US6442724B1 (en) 2002-08-27
DE60005941D1 (de) 2003-11-20
KR20010109342A (ko) 2001-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4758005B2 (ja) 自動テスト機器の故障捕捉装置および方法
US6536005B1 (en) High-speed failure capture apparatus and method for automatic test equipment
JP3650411B2 (ja) 自動メモリー・テスタのための冗長性アナライザ
US6684356B2 (en) Self-test ram using external synchronous clock
US6560740B1 (en) Apparatus and method for programmable built-in self-test and self-repair of embedded memory
US20050047229A1 (en) Method and circuit for collecting memory failure information
US7171596B2 (en) Circuit and method for testing embedded DRAM circuits through direct access mode
US5673270A (en) Semiconductor memory device having register for holding test resultant signal
KR100578293B1 (ko) 데이터 저장장치를 테스트하기 위한 테스트 방법
US5925141A (en) Semiconductor memory device with data scramble circuit
JPH09127206A (ja) 選択した障害に関する障害情報を捕捉する集積回路試験用の方法および組込み型自己試験装置
JP2002032998A (ja) 半導体記憶装置の不良解析装置
JPH10199294A (ja) モニタ・モードおよびテスタ・モードを備えた内蔵自己検査回路を有する集積回路メモリ素子およびその動作方法
US5946245A (en) Memory array test circuit and method
US5533194A (en) Hardware-assisted high speed memory test apparatus and method
US7107501B2 (en) Test device, test system and method for testing a memory circuit
JPH09293400A (ja) 半導体メモリ装置の並列テスト回路
JP2001167005A (ja) メモリ診断方法とメモリ診断回路および半導体記憶装置
JPWO2002033708A1 (ja) メモリの不良救済解析処理方法及びこの方法を実施するメモリ試験装置
US20050102595A1 (en) Method and apparatus for testing semiconductor memory device and related testing methods
KR940002904B1 (ko) 데이타 처리 시스템 및 이 시스템에 있어서의 다수 메모리 어레이 테스팅 방법
JPH0277860A (ja) 記憶装置自己試験方法及び線形フィードバック桁送りレジスタ
KR100771263B1 (ko) 메모리 어레이 테스트 방법과 이를 구현하기 위해 배열된메모리 기반 디바이스
JP2000322330A (ja) 記憶装置の故障診断回路
KR20030054198A (ko) 다중 메모리의 테스트를 위한 bist 회로 및 그것을구비한 집적회로 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061018

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091022

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100121

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100128

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100219

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100318

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101202

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110301

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110308

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110401

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110524

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110602

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4758005

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140610

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term