JP2002541611A - 自動テスト機器の故障捕捉装置および方法 - Google Patents

自動テスト機器の故障捕捉装置および方法

Info

Publication number
JP2002541611A
JP2002541611A JP2000610013A JP2000610013A JP2002541611A JP 2002541611 A JP2002541611 A JP 2002541611A JP 2000610013 A JP2000610013 A JP 2000610013A JP 2000610013 A JP2000610013 A JP 2000610013A JP 2002541611 A JP2002541611 A JP 2002541611A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fault
information
mut
circuit
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000610013A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4758005B2 (ja
Inventor
オウガーテン,マイケル・エイチ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Teradyne Inc
Original Assignee
Teradyne Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Teradyne Inc filed Critical Teradyne Inc
Publication of JP2002541611A publication Critical patent/JP2002541611A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4758005B2 publication Critical patent/JP4758005B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • G11C29/56008Error analysis, representation of errors

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 所定の記憶容量を有するテスト中のメモリ(MUT)から故障ロケーション情報を識別する故障捕捉回路が開示される。故障捕捉回路は、MUTに結合されるよう適合されると共に、テスト信号をMUTに加え、そこからの出力信号を処理して故障情報にするよう動作する故障検出回路を備える。故障情報は、故障したメモリセルのロケーションを示す。ロケーション情報を格納するために、ルックアップテーブルが故障検出回路に結合され、これによってルックアップテーブルのサイズおよび故障データを冗長解析器に転送する時間が最小化される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】発明の分野 本発明は、一般に半導体デバイスを試験(テスト)する自動テスト機器に関し
、特に、故障捕捉装置および半導体デバイステスタにおけるその使用方法に関す
る。発明の背景 半導体メモリ製造業者は、競争力を保つために、メモリデバイスの製造コスト
の最小化を絶えず追求している。より重要な製造プロセスの1つは、各デバイス
をテストして様々な条件下での信頼性および動作性を保証することに関連する。
テストの実行に利用される機器は、自動テスト機器または「テスタ」と呼ばれる
ことが多い。
【0002】 従来のテスタは一般に、1つまたは複数のテスト中のメモリ(MUT:memory
-under-test)に結合され、MUT内の選択されたロケーションに信号を書き込
む回路を備える。書き込まれた信号は次に読み戻され、予期される信号との比較
のため、テスタによって捕捉される。比較の故障結果は、通常、MUTがテスト
に合格したか、または修復が必要であるかを指示する。
【0003】 多くのメモリデバイスは、万が一テスト中に故障が検出された場合に、デバイ
スの修復に使用する冗長行および冗長列を採用している。この特徴は、商業的に
許容されるデバイスの多くにおいて歩留まりをかなり向上させる。従来のメモリ
テスタは、通常、1つまたは複数の行または列を利用可能な冗長行/列で物理的
に置換する1つまたは複数の冗長修復ステーションを備える。しかし、冗長解析
の実行が可能になるには、その前に、テスタによる信頼性のある初期故障データ
の捕捉が行われなければならない。
【0004】 従来、テスタは、MUTと同様サイズの容量を有するRAMメモリにまず故障
データを格納していた。一般にキャッチRAM(catchram)と呼ばれるメモリが
通常、MUT内のアドレスロケーションに物理的に対応するアドレスに故障情報
を格納する。この方法は従来MUTのビットイメージ表現を提供し、ユーザが、
特定の製造不具合に関連しうる故障の原因群を素早く識別することができるよう
にする。これは、早い時期にMUT製造における工程不具合を診断するために、
技術開発環境において特に重要である。製造ラインでの工程不具合の迅速な識別
は、ラインでのあらゆるダウンタイム(中断時間)を最小化し、製品スループッ
トおよび対応するロットの歩留まりを最大化するためにも重要である。
【0005】 キャッチRAMの1つの構造は、MUTの容量に略等しい容量を有する1ビッ
ト幅のSRAMを利用する。ランダムモードにおける動作が比較的高速であるこ
とで知られているSRAMは、動作の観点からは望ましいメモリタイプを提供す
る。不都合なことに、SRAMの製造は、将来的な可用性の不確実性に伴い近年
低下している。その結果、SRAMデバイスのコストはかなり高い。
【0006】 SRAMの少ないキャッチRAMを製造するという努力において、当業者は、
様々なDRAMの実施を利用してきた。DRAMは比較的安価であり、一般に、
ビットイメージキャッチRAM用途に適した大容量メモリを提供する。デバイス
は、ランダムモード(インタリーブ)またはバーストモード(シーケンシャル)
のいずれかに従って選択可能な動作モードを含む。不都合なことに、ランダムモ
ードでは、DRAMはSRAMデバイスよりもかなり低速で動作し、キャッチR
AM用途で首尾よく動作するには特別な技術が必要とされる。
【0007】 Satoに付与された米国特許第5,790,559号に開示されている故障
捕捉メモリにDRAMを用いる1つの提案は、DRAMランダム(インタリーブ
)モード時に許容できる動作速度を達成するために、インタリーブドDRAMの
バンクを採用している。バンクはそれぞれMUTの容量に等しい容量を有し、イ
ンタリーブされた出力を生成してより高速なシリアルビットストリームを生成す
る。ランダム動作モードの代替として、上記特許は、アドレスコンバータと共に
バーストモードを用いて、故障データの複数ビットを連続して捕捉メモリに格納
する技術も開示している。
【0008】 Satoの提案はそれが意図する用途に関しては有利であるが、各MUTにつ
いて数バンクのDRAMデバイスを採用する。16から32個のMUTを並列処
理するテスタの場合、すべてのキャッチRAMに必要なDRAMの数は、スペー
スおよびハードウェアコストの双方に関して望ましくないレベルに近づく。さら
に、MUT容量サイズの絶え間ない増大に伴い、対応する従来のキャッチRAM
容量もまた増大し、大きなメモリに関するコスト問題が提示される。
【0009】 米国特許第5,644,578号においてOhsawaにより提案される技術
は、その主張によれば、故障データを圧縮し、かかる圧縮された故障データを、
MUTの容量よりも少ない容量を有する捕捉メモリに格納することで、上記メモ
リ容量の問題に対処する。また、その主張によれば、この提案は捕捉メモリのサ
イズおよびコストを低減するが、記憶方式は依然として故障したMUTメモリセ
ルの位置と捕捉メモリロケーションの間の物理的な対応に依存している。
【0010】 米国特許第5,317,573号および同第4,628,509号の双方に概
して開示されるさらなる圧縮方式は、キャッチRAM使用を完全に回避している
。上記技術は、概して、特定の「要修復故障(must-failure)」情報を追跡して
、MUTのいずれの冗長行または冗長列がデバイスの修復に必要とされるかを識
別するために、圧縮マトリクス構造を備える。圧縮マトリクスは、MUT内の故
障アドレスに物理的に対応する、限られた数(冗長行および冗長列の数に対応す
る)のアドレス可能な行および列を設ける。
【0011】 このデータ圧縮技術は高速な製造処理には有利であるが、任意の種類のビット
イメージ解析を提供する能力は省かれている。その結果、万が一製造テスト中に
デバイスが相次いで不合格になった場合、いずれの製造処理不具合も容易には明
らかにならず、おそらく故障探求および修復に必要な時間が延びる。
【0012】 必要とされているが、今まで入手不可能であったものは、1つまたは複数のM
UTからの故障データのビットイメージマップを再構築する能力を提供し、かか
る情報の冗長解析回路への転送を最小のコストで最大化するキャッチRAM構造
である。本発明のキャッチRAMおよび方法は、これらの必要性を満たす。発明の概要 本発明の故障捕捉回路は、テスト中のメモリ(MUT)からの故障データの捕
捉および解析に関わるコストを低減する。これは、MUTメモリセル故障を示す
最小の情報を格納することによって達成される。格納される初期捕捉された故障
情報を最小化することで、故障情報を冗長解析回路に送信するための後続する転
送時間もまた実質的に最小化され、テストのスループットが増大する。
【0013】 上記利点を実現するため、本発明は、一形態において、所定の記憶容量を有す
るテスト中のメモリ(MUT)から故障ロケーション情報を識別する故障捕捉回
路を含む。故障捕捉回路は、MUTに結合されるよう適合されると共に、テスト
信号をMUTに加え、そこからの出力信号を故障ロケーション情報に処理するよ
う動作する故障検出回路を備える。故障検出回路に故障ロケーション情報を格納
するルックアップテーブルが結合される。
【0014】 別の形態において、本発明は、MUTからの故障データを判断し、かかる故障
データを解析してMUTを修復する故障処理回路を備える。故障処理回路は、M
UTに結合されるように適合されると共にMUTにテスト信号を加えるよう動作
する故障検出回路を含む故障捕捉回路を備える。故障検出回路はまた、MUTか
らの出力信号を処理して、故障したメモリセルロケーションを示す故障情報にす
る。ロケーション情報を格納するために、故障検出回路にはルックアップテーブ
ルが結合される。故障処理回路は、MUTの修復に最適な手順を確立する冗長解
析回路をさらに備える。転送回路が冗長解析回路と故障捕捉回路を結合し、故障
検出回路から独立して動作する。
【0015】 さらに別の形態において、本発明は、決定的故障(要修復故障)情報と疎故障
(sparse-failure)情報とを区別し、MUTからの故障データを表す疎故障情報
を故障メモリに選択的に渡すスクリーニング回路を備える。スクリーニング回路
はまた、疎故障情報および要修復故障情報を冗長解析器に指向させる。スクリー
ニング回路は、要修復故障列を規定する所定数の故障を有するメモリセル列を追
跡するための列フラグメモリと、要修復故障行を規定する所定数の故障を有する
メモリセル行を追跡するための行フラグメモリとを備える。行故障カウンタは、
行および列のフラグメモリと協働して、事前にプログラムされた閾値基準に従っ
てフラグをセットする。
【0016】 本発明のさらなる形態は、故障捕捉回路において使用するための、MUTから
捕捉された複数のマルチビット信号を格納するメモリを備える。信号は、事前に
選択されたデータ構造を有する。メモリは、バースト動作モード時にマルチビッ
ト信号を受信するためのマルチビット入力インタフェースと、入力インタフェー
スと連絡して配置される、マルチビット信号を格納するための記憶セルアレイと
を備える。
【0017】 さらに別の形態において、本発明は、後続する冗長解析のために、MUTから
故障情報を取得する方法を含む。本方法は、故障情報を捕捉するステップと、故
障情報からMUT内の故障のロケーションを識別するステップと、識別された故
障ロケーションをルックアップテーブルに格納するステップと、を含む。
【0018】 別の形態において、本発明は、MUTからの故障アドレス情報を格納するよう
に適合された故障捕捉メモリに渡す故障情報をスクリーニングする方法を含む。
捕捉メモリは、冗長解析回路によりアクセスすることができる。この方法は、要
修復故障情報を判断するステップと、要修復故障情報を疎故障情報から分離し、
疎故障情報を捕捉メモリに渡すステップと、要修復故障情報および疎故障情報を
冗長解析回路に配向するステップと、を含む。
【0019】 本発明の他の特徴および利点は、添付図面と合わせて以下の詳細な説明を読む
ことから明らかになろう。 本発明は、以下のより詳細な説明および添付図面を参照することによってより
良く理解されよう。発明の詳細な説明 ここで図1を参照し、概して10で表す本発明の一実施形態による半導体メモ
リテスタの概略ブロック図は、コンピュータワークステーション12およびテス
トコントローラ13を備える。テストコントローラは、ワークステーションに応
答して、1つまたは複数のテスト中のメモリ(MUT)16に書き込まれそして
読み出されるアドレス信号およびデータ信号を生成するパターン発生器14を備
える。パターン発生器によって生成された信号は、ドライバ回路17を介してM
UTにアクセスし、指定されたデータをMUT内の所定の行および列のアドレス
ロケーションに書き込む。概して20で表される故障捕捉回路は、続いて、パタ
ーン発生器により生成される読み出し信号に応答し、MUTにアクセスしてデー
タを読み出し、MUT内の故障したメモリセルロケーションを識別する目的で、
それを予期される値と比較する。
【0020】 図1を引き続き参照し、本発明の故障捕捉回路20は、故障検出回路22と、
故障アドレスルックアップテーブル110とを採用して、MUT16からのビッ
トイメージ故障情報の冗長解析回路160への転送速度を最小のハードウェアコ
ストで最大化する。
【0021】 さらに図1を参照し、故障検出器回路22は、MUT16のI/Oピン(図示
せず)に結合する捕捉および比較ロジックを備える。捕捉および比較ロジックは
、I/O選択ロジック24によって選択される構成に従い、MUTの個々のピン
に対応するコンパレータアレイ(図示せず)を備える捕捉回路25を含む。各コ
ンパレータは、特定の動作サイクル中の特定のピンにおける故障状況を表す同期
リジェクト(拒絶)信号を生成する同期拒絶ロジック27に提供される。
【0022】 ここで図2をより詳細に参照すると、I/O選択ロジック24は、好ましくは
、パターン発生器クロック(BOC)によりレジスタ28を通して同期がとられ
る複数の同期拒絶入力0〜79を備える。レジスタの出力は、各マルチプレクサ
M1〜M4によって定義される複数の20:1セレクタパスに沿ってファンアウ
トする。マルチプレクサは、各単一ビット出力をORゲート30に提供し、これ
が次にXORゲート32の入力に結合する。XORゲートは、反転された同期拒
絶信号INV_SRから第2の入力を受信し、先入れ先出し(FIFO)モジュ
ール34を通ってANDゲート36に向けられる出力を生成する。ANDゲート
は、スクリーニングロジック70の入力としての役割を果たす。
【0023】 引き続き図2を参照し、パターン分配ロジック38は、好ましい詳細において
、アドレスおよびデータ情報をコンパレータ回路60に提供するアドレスセレク
タ40を備える。パターン分配ロジックはまた、パターン発生器14からのパタ
ーンが開始されるとき、およびパターン発生器によって提供されるプログラムさ
れた条件に基づいていつデータを格納するかを回路に警告するSTCパス42も
備える。アドレスセレクタ40は、パターン発生器クロック(BOC)において
動作する各レジスタ48および50によって同期がとられる32ビット代替デー
タソース(ADS)バス44と、第2の(SEC)バス46とをそれぞれ備える
。バスは32ビットアドレス選択マルチプレクサ52に提供され、かかる32ア
ドレス選択マルチプレクサ52は、一方のバスからの単一ビット出力を選択的に
渡す。XORゲート54はソース選択出力を受信し、これらと反転アドレス信号
INV_ADDRとの排他的論理和をとる。第2のFIFOモジュール56は、
排他的論理和演算されたデータを、I/Oセレクタデータストリームに配置され
た第1のFIFOモジュール34と同期してパイプする。第2のFIFOからの
出力はコンパレータ回路60に提供され、捕捉アドレスレジスタおよび捕捉アド
レスイネーブルと比較される。本発明の故障捕捉回路において述べられるFIF
O構造は、好ましくは、各モジュールデータ入力および出力に配置された各フリ
ップフロップ(図示せず)を含むが、たとえば、当分野で周知のようにラッチま
たはメモリを含んでもよい。
【0024】 コンパレータ回路60は、32ビットMUT値信号CAPTR_CMP_VA
Lを受信し、これとパターン発生器情報を表す第2のFIFOの出力56との排
他的論理和をとるXORゲート62を含む。XORゲート62の出力はNAND
ゲート64に提供され、該NANDゲート64が、データと32ビット捕捉イネ
ーブル信号CAPTR_CMP_ENAとの否定論理積(NAND)をとる。N
ANDゲートの出力およびイネーブル信号SLICE_ENAは、スクリーニン
グロジックANDゲート36の入力に指向される。
【0025】 次に図1乃至図4を参照し、スクリーニングロジック70は、MUT16に対
して決定的故障(要修復故障)解析を実行し、ルックアップテーブル110に不
必要な故障情報が渡ることを防ぐように構成される決定的故障(要修復故障)回
路71を含む。その結果、ルックアップテーブルの容量を最小化することができ
、故障情報の冗長解析回路160への転送速度の向上につながる。
【0026】 特に図3を参照し、MUT16は、所定数の冗長行RXおよび冗長列RYを含
む。万が一特定の行または列が、たとえば73および75において、冗長ライン
数を越える数の故障(Xで表される)を有する場合、これら特定の行または列を
完全に冗長構造と置換しなければならない。その結果、本発明者は、行または列
を完全に置換すべき場合、その行の故障情報をルックアップテーブルに格納する
必要はないと判断した(その行は修復「されなければならない(must)」ため)
【0027】 次に図4を参照し、要修復故障スクリーン回路71は、制御レジスタ75によ
って生成されるクロック信号に従い、アドレスバスADDRESSからのアドレ
スを交互に格納する一対のアドレスフリップフロップ72および73を含む。フ
リップフロップは、各ANDゲートアレイ76および77に提供される32ビッ
トアドレスを交互に格納する。ゲートアレイは、選択的に所定のアドレスを除外
する。コンパレータ78は、ANDゲートアレイの出力を受信し、現在のアドレ
ス(一方のフリップフロップに格納されている)を先行アドレス(他方のフリッ
プフロップに格納されている)と比較する。行カウンタ79は同期拒絶信号パス
DATA S/Rに結合され、故障(同期拒絶)が検出される都度増分(インク
リメント)される。カウンタは、コンパレータの出力がハイであることに応答し
てカウンタをクリアするリセットRを含む。一般に、現在のアドレスおよび先行
アドレスの行が同じである場合、コンパレータからの出力はローである。行が異
なる場合、コンパレータの出力はハイであり、カウンタがリセットされる。
【0028】 行カウンタ79からの出力は第2のコンパレータ80に提供され、該第2のコ
ンパレータ80はカウントをレジスタ81に維持される事前に(予め)プログラ
ムされる閾値カウントと比較する。閾値を超える場合には、コンパレータに書き
込みイネーブル信号を行フラグメモリ82に対して送信させると共に、ロジック
ロー(低)をスクリーニングロジックデータ出力ANDゲート83に対して送信
させ、その行のさらなる故障データがキャッチRAMにロードされないようにす
る。列フラグメモリ84の制御は、行故障の関数として要修復故障列を識別する
冗長解析器によって行われる判断を通して実現される。
【0029】 次に図5を参照し、スクリーニングロジック70の出力が、疎故障情報を高速
で故障アドレスルックアップテーブル110にロードする転送インタフェース9
0に提供される。転送インタフェースは、要修復故障スクリーン回路71の出力
に結合され、SR31を通して同期拒絶信号SR0を受信する32ビット入力O
Rゲート92を含む。ORゲートの出力はデータFIFOコントローラ94に提
供され、該データFIFOコントローラ94は、キャッチRAMコントローラ9
6と協働し、一対の交互になった(alternating)64×64「ピンポン」FI
FO98および100を通してデータのパイプライン化を制御する。データFI
FOコントローラは、任意のSR入力に故障が入ってくる都度増分されるカウン
タ(図示せず)を含む。各ピンポンFIFOは、各データパスFIFO102お
よび104を通してスクリーニングロジック70からデータを選択的に受信する
。ピンポンFIFOは交互に64ビット出力を生成し、該64ビット出力は、入
力データレートの2倍で動作し、故障アドレスルックアップテーブル110の容
量を最大化する独自のプログラマブルデータ構造に従って構成されるデータスト
リームを形成する。
【0030】 一実施形態において、キャッチRAMと一般に呼ばれるルックアップテーブル
110は、SDRAMデバイス等の半導体メモリを含むことが好ましい。デバイ
スは、64ビット幅入力D/Qを含み、フルページ線形バースト動作モードにお
いて、ピンポンFIFO98および100から高速でデータを連続してロードす
る。
【0031】 キャッチRAMバーストモード特徴の高速性という利点を最大化するために、
本発明者は、MUTアドレス情報および/またはコマンド情報の各ストリングを
含む、図5に示す独自のデータ構造を考案した。アドレス情報データ構造112
は、好ましくは、ビット0〜31で符号化されるMUT I/Oピン情報と、ビ
ット32〜62で符号化される故障アドレス情報とを含む。ビット63は、アド
レスストリングをコマンドストリングと区別するために利用される。一方、コマ
ンドデータ構造114は、所定数のビットを採用してオペランドを符号化し、第
2のビットフィールドを用いて演算コードを識別する。アドレス構造のように、
コマンドデータ構造は、1ビット(63)を利用してコマンドデータ構造自体と
アドレスデータ構造112とを差別化する。
【0032】 さらに図4を参照して、キャッチRAM110は、ADDR(マルチプレクサ
アドレス)、RAS(行アドレスストローブ)、CAS(列アドレスストローブ
)、WE(書き込みイネーブル)、CS(チップ選択)、およびCKE(クロッ
クイネーブル)等のSDRAMデバイスにしばしば関連する複数の制御入力を含
む。制御入力は、キャッチRAMコントローラ96からプログラムされた制御信
号をそれぞれ受信する。
【0033】 キャッチRAMコントローラ96は、有限ステートマシン(状態機械)として
構成されることが好ましい。コントローラは、故障アドレス情報をロードするた
めのキャッチRAM110のバースト、キャッチRAMのリフレッシュ、および
ピンポンFIFO98および100の制御とデータFIFOコントローラ94と
の調整を含む多くの制御機能を実行する。コントローラからキャッチRAMへの
制御出力は、8ns周期クロック(125MHz)という高速で動作しているレ
ジスタ116のアレイを通して再度同期される。クロック領域の遷移はまた、キ
ャッチRAMの演算能力を最大化する役割も果たす。コントローラに支配される
他の機能には、冗長解析転送のためのメモリ読み出し、および診断のためのシス
テム読み出し/書き込みがある。
【0034】 キャッチRAM110内の故障アドレスへのアクセスは、キャッチRAMを冗
長解析(RA)回路160(図1)に結合するインタフェースまたは転送回路1
20(図1および図4)によって実行される。転送回路は、キャッチRAMから
RA回路160へのデータ転送を制御するための走査有限状態機械(FSM)1
22と、転送されたデータの有効性を判断するISEロジック124とを備える
。走査FSMはキャッチRAMコントローラ96に接続し、自走16ns周期ク
ロックに従ってデータ転送を指示し、動作する。レジスタ126および128は
、8nsクロック(CLK8)と並列にロードされ、16nsクロック(CLK
16)により直列にアンロードされる。ロードとロードは、交互のロードと共に
、CLK8からCLK16への同期を提供する。
【0035】 引き続き図4を参照し、より詳細な転送回路120は、キャッチRAM D/
Qから一対のデータセレクタ132および134に提供される64ビット出力デ
ータパス130を含むことが好ましい。セレクタは、ロードを評価し、各コマン
ドライン140および142に沿ってキャッチRAMコントローラ96および走
査コントローラ122からのコマンド信号を走査する各ANDゲート136およ
び138から制御信号を受信する。セレクタからの並列出力は8nsクロックレ
ジスタ126および128にロードされ、ビット選択制御ライン148に沿って
走査コントローラ122により制御される各64:1並列/直列(P2S)モジ
ュール144および146によって直列化された出力に変換される。モジュール
はマルチプレクサ150に接続し、マルチプレクサ150はどのビットストリー
ムが転送されるかを選択し、次にISE FIFO152に結合する。ISE
FIFOは、パターン発生器捕捉信号から独立したシステムRAに適した同期で
、64ビットの有効データストリームを冗長解析回路160に生成する。
【0036】 上述した故障捕捉回路20の構造の殆どは、特定用途向け集積回路(ASIC
)形態での実施によく適している。これは、複数の故障捕捉回路が並列配置され
て、MUTの対応する並列アレイをテストする並列テスト用途の場合に特に有利
である。ASIC技術に関連する高密度という利点により、テスト能力を多数の
MUTに提供するために必要な回路スペースがかなり低減される。
【0037】 概して、故障捕捉回路20の動作は、MUT16から故障データを捕捉し、続
くRA回路160への高速転送のためにこれを処理することに関わる。冗長解析
時にビットイメージ解析が望まれるため、多量の故障データがしばしば関与し、
MUTテストのスループットを最大化するために、高速演算が求められる。RA
回路が受信したデータは、本発明の譲受人に譲渡され、本明細書に明示的に援用
される「Semiconductor Memory Tester With Hardware Accelerators」と題する
米国特許第5,754,556号に開示されているもの等、当業者には周知の方
法に従って解析される。上記故障捕捉回路の構造および構成では、最大のデバイ
ス密度および最小のハードウェアコストでの高速演算が可能である。
【0038】 動作に先立ち、テスタ10は、所定のデータをMUT16内の選択されたアド
レスに書き込むように事前にプログラムされる。これは概して、ゼロ復帰、補数
復帰(return-to-complement)、および当業者に周知の他のテスト波形等のテス
トパターン波形を駆動するようにパターン発生器14をプログラムすることを含
む。
【0039】 テスト中、パターン発生器14が波形情報をドライバ回路17に提供すると共
に、テスト信号のコピーを故障捕捉回路20に提供する。ドライバ回路は、プロ
グラムされた波形をMUTに書き込む。パターン発生器分配ロジック38は、ア
ドレスセレクタ40においてパターン発生器からアドレス情報を受信する一方、
データ情報は、後続するデータ比較のために同期拒絶ロジックによって受信され
る。
【0040】 ドライバ回路17がデータをMUT16に書き込んだ後、捕捉および比較ロジ
ック22が、後続のパターン情報に応答してMUTの選択されたエリアを走査し
、パターン発生器により先に送信されたデータとの比較のために、選択されたエ
リアからデータを読み出す。I/Oセレクタ26は、アクセスするために所定の
MUT I/Oピンを識別し、データリソースをそれら特定のピンに導く。これ
は、MUTの並列アレイをテストする場合に特に有利である。
【0041】 捕捉回路25は、パターン発生器14により生成されるストローブ信号に応答
して起動し、I/O選択ロジック26によって選択されたMUTアドレスからデ
ータを読み出す。捕捉されたデータは、各コンパレータ(図示せず)によりロジ
ックハイ(高)またはロジックローとして検出され、同期拒絶ロジック27に提
供される。次に、同期拒絶ロジックは検出されたロジックレベルを、パターン発
生器により提供される予期されるデータと比較する。捕捉されたデータが予期さ
れるデータと整合する場合、同期拒絶ロジックの出力はローのままである。万が
一不整合が発生した場合には、ロジックが故障状況を示す同期拒絶信号を生成す
る。
【0042】 捕捉された故障データを次にスクリーニングロジック70を通して処理し、疎
故障情報と要修復故障情報とを区別する。本発明者は、平均して、デバイスの大
きな母集団にわたって分散するMUT故障の全数はかなり低い傾向があることを
発見した。この判断の当然の帰結として、ロジック「1」を対応するMUTの鏡
像に格納するのではなく、その代わりにMUT故障のアドレスのみをキャッチR
AM110に格納することで、キャッチRAMの記憶容量をかなり低減すること
ができる。さらに、キャッチRAMは高速バーストモードのSRAMデバイスを
利用するため、インタリーブドメモリのバンクがなくなり、ハードウェアコスト
が削減されると共に、テスタチャネルカード上の高価なスペースが最小化される
【0043】 再び図4を参照すると、要修復故障スクリーン回路71が、故障カウンタ79
を用いて選択された行75(図3)における故障の数をカウントする。特定の行
における所定の閾値故障数(通常、利用可能な冗長列の数に対応する)が検出さ
れると、MUT「要修復故障」行に対応する1ビット幅行フラグメモリ82にフ
ラグが格納される。フラグメモリ82および84双方の結果はインヒビット(禁
止)回路83に提供され、該禁止回路83が、いずれの要修復故障データもキャ
ッチRAM110内の高価な記憶空間を占有しないようにする。
【0044】 スクリーニングロジック70は、データFIFOコントローラ94からの定期
的(timed)コマンドに従って、「ピンポン」FIFO98および100をロー
ドするために、疎故障情報を各データパスFIFO102および104に沿って
渡す。複数の同期拒絶信号がコントローラ94のデータ入力に提供され、FIF
Oにロードされた故障をカウントする。概して、FIFOコントローラは一方の
FIFOに故障情報をロードしながら、同時にキャッチRAM110のD/Q入
力へのデータバースにおいて他方のFIFOを空にする。このようにして、連続
したデータストリームが、パターン発生器クロックの最大レートの2倍でキャッ
チRAMにロードされる。
【0045】 上述したように、故障アドレスデータのキャッチRAM110へのロードおよ
びキャッチRAM110からのアンロードは、バーストモードで動作しているデ
バイスで行われる。SDRAMデバイスの場合、これには、データをランダムに
メモリに格納するのではなく、連続して格納する必要がある。これにより、ビッ
トイメージデータをMUTに対応する物理的なロケーションに格納するのではな
く、その代わりに故障アドレスのみをMUT内に格納するように、キャッチRA
Mを構成することが可能になる。その結果、さらに後述するように、キャッチR
AMから冗長解析回路への故障データの転送時間が劇的に向上する。
【0046】 ここで図1および図4を参照し、インタフェースまたは転送回路120は概し
てキャッチRAM110にアクセスし、パターン発生器クロックとは独立したデ
ータレートで故障情報をRA回路160に送信する。これは、キャッチRAM1
10からRA回路160への転送を待たずにパターンをMUTに加えられるよう
にすることで、スループットの意味において有利である。この利点は、1つの回
路がデータを転送している間に、別の故障捕捉回路がデータを捕捉できるように
することで、並列テスト用途においてさらに顕著である。
【0047】 さらに詳細に、走査コントローラ122は、コマンドをキャッチRAMコント
ローラ96に発することで、キャッチRAM110からの故障データの転送を指
向させる。走査コントローラはまた、2つのデータセレクタパス132および1
34のうちの一方を選択的に起動する。データセレクタは並列で更新され、続け
て、データレジスタの各ビットを通して逐次転送される。高速クロックを用いて
データを並列にロードしながら、低速クロックがデータを逐次アンロードする。
データの低速な逐次アンロードにより、SDRAMコントローラがリフレッシュ
要求のサービスを提供し、バースト−1読み出しの必要動作を行うのに十分な時
間が提供される。メモリを読み出し、選択されたレジスタを並列にロードし、そ
れから選択されたレジスタからデータを逐次転送するプロセスは、走査有限状態
機械のレジスタにプログラムされたキャッチRAMメモリアドレスの数について
続けられる。
【0048】 当業者は、本発明により提供される多くの恩恵および利点を理解するであろう
。重要なのは、故障アドレスを故障捕捉回路に格納するキャッチRAMを採用す
ることで実現される格納および転送速度の利点である。これは、1つのメモリデ
バイスが、冗長解析回路がMUTの実質的なビットイメージ再生を復活するのに
十分な故障情報を捕捉、格納、および転送できるようにする。メモリデバイスの
複数バンクの入手に関わるコストが結果として最小化される。さらに、故障捕捉
回路は、平均して、従来採用されている回路よりも少ないデータを格納するため
、キャッチRAMからRA回路からの転送レートが最大化される。これらの利点
は、複数のMUTのテストに複数の故障捕捉回路が採用される並列テスト環境に
おいて増幅される。
【0049】 本発明について、特に本発明の好ましい実施形態を参照して図示し説明したが
、当業者には、本発明の精神および範囲から逸脱せずに、形態および詳細に対す
る各種変更を行いうることが理解されよう。たとえば、本明細書において説明し
たインタフェース回路は、キャッチRAMから冗長解析器へのデータ転送に関連
するが、非転送モード時に、これを冗長解析器を共有キャッチ構成に結合しても
よい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の故障捕捉装置を採用したテスタの略ブロック図である。
【図2】 図1の故障捕捉回路の一実施形態の部分略図である。
【図3】 図1のMUTの略ブロック図である。
【図4】 図2の要修復故障回路のブロック図である。
【図5】 図1の故障捕捉回路の一実施形態の部分略図である。
【図6】 本発明の故障捕捉回路において使用される2つの好ましいデータ構造の図であ
る。
【手続補正書】
【提出日】平成14年3月19日(2002.3.19)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2G132 AA08 AC03 AE06 AE08 AE11 AE14 AE19 AE24 AG01 AG02 AH00 AL26 5L106 AA01 AA02 DD22 DD23 DD24 DD25

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 テスト中のメモリ(MUT)から故障ロケーション情報を識
    別する故障捕捉回路であって、前記MUTは複数のメモリセルを含む所定の記憶
    容量を有し、前記故障捕捉回路は、 前記MUTに結合されるよう適合されると共に、テスト信号を前記MUTに加
    え、前記MUTからの出力信号を処理して故障情報にするよう動作する故障検出
    回路であって、前記故障情報は故障したメモリセルのロケーションを示す、故障
    検出回路と、 該故障検出回路に結合され、前記ロケーション情報を格納するルックアップテ
    ーブルと、 を備える、故障捕捉回路。
  2. 【請求項2】 前記故障検出回路は、 前記テスト信号を前記メモリセルに加えるパターン発生器と、 前記出力信号を取得する捕捉ロジックと、 前記出力信号を所定の予期される信号と比較し、該比較に失敗したメモリセル
    ロケーションを識別する比較ロジックと、 を備える、請求項1記載の故障捕捉回路。
  3. 【請求項3】 前記比較ロジックに結合され、要修復故障(must-fail)情
    報を疎故障(sparse-fail)情報と区別するように動作するスクリーニングロジ
    ックをさらに備え、該スクリーニングロジックは、疎故障信号パスを介して前記
    ルックアップテーブルに接続され、疎故障情報を前記ルックアップテーブルに渡
    し、前記要修復故障情報および前記疎故障情報を冗長解析器に指向させるように
    適合される要修復故障信号パスを含む、請求項1記載の故障捕捉回路。
  4. 【請求項4】 前記スクリーニングロジックは、 要修復故障列を規定する所定数の故障を有するメモリセル列を追跡するための
    列フラグメモリと、 要修復故障行を規定する所定数の故障を有するメモリセル行を追跡するための
    行フラグメモリと、 前記所定の行故障数まで各行の故障の数をカウントし、前記列フラグメモリと
    協働して、前記行故障の関数として要修復故障列を識別するための行カウンタと
    、 を備える、請求項3記載の故障捕捉回路。
  5. 【請求項5】 前記ルックアップテーブルはRAMを含む、請求項1記載の
    故障捕捉回路。
  6. 【請求項6】 前記RAMは、前記MUTのメモリ容量よりも少ないメモリ
    容量を含む、請求項5記載の故障捕捉回路。
  7. 【請求項7】 前記RAMはマルチビットバーストモードを含む、請求項5
    記載の故障捕捉回路。
  8. 【請求項8】 前記RAMは、疎故障情報のみを格納するように適合される
    、請求項5記載の故障捕捉回路。
  9. 【請求項9】 前記RAMは、複数のマルチビット信号を格納するように適
    合され、前記信号は事前に選択されたデータ構造を有し、前記RAMは、 前記バースト動作モード時に前記マルチビット信号を受信するためのマルチビ
    ット入力インタフェースと、 該入力インタフェースと連絡して配置され、前記マルチビット信号を格納する
    ための記憶セルアレイと、 を備える、請求項5記載の故障捕捉回路。
  10. 【請求項10】 前記マルチビット信号は、故障アドレスと、前記MUT内
    の故障したメモリセルのロケーションを示すデータフィールドとを有するアドレ
    スデータ構造を含む、請求項9記載の故障捕捉回路。
  11. 【請求項11】 前記マルチビット信号は、プログラムされた演算コードを
    表すコマンドフィールドを有するコマンドデータ構造を含む、請求項10記載の
    故障捕捉回路。
  12. 【請求項12】 前記マルチビット信号は、前記データ構造が前記故障アド
    レス情報を含むか、前記コマンド情報を含むかを識別する識別子を含む、請求項
    11記載の故障捕捉回路。
  13. 【請求項13】 前記ルックアップテーブルを冗長解析回路に結合する転送
    回路をさらに備える、請求項1記載の故障捕捉回路。
  14. 【請求項14】 前記転送回路は、前記故障検出回路とは独立して動作する
    、請求項13記載の故障捕捉回路。
  15. 【請求項15】 MUTからの故障データを判断し、該故障データを解析し
    て前記MUTを修復する故障処理回路であって、故障捕捉回路を備え、 該故障捕捉回路は、 前記MUTに結合されるよう適合されると共に、テスト信号を前記MUTに
    加え、前記MUTからの出力信号を処理して故障情報にするよう動作する故障検
    出回路であって、前記故障情報は、故障したメモリセルのロケーションを示す、
    故障検出回路と、 該故障検出回路に結合され、前記ロケーション情報を格納するルックアップ
    テーブルと、 前記MUTを修復するための手順を確立する冗長解析回路と、 該冗長解析回路を前記故障捕捉回路に結合するインタフェース回路であって
    、前記故障検出回路とは独立して動作する、インタフェース回路と、 を備える、故障処理回路。
  16. 【請求項16】 疎故障情報を要修復故障情報と区別し、MUTからの故障
    データを表す疎故障情報を故障メモリに選択的に渡し、要修復故障情報を冗長解
    析器に指向させるスクリーニング回路であって、 要修復故障列を規定する所定数の故障を有するメモリセル列を追跡するための
    列フラグメモリと、 要修復故障行を規定する所定数の故障を有するメモリセル行を追跡するための
    行フラグメモリと、 前記所定の行故障数まで各行の故障の数をカウントし、前記列フラグメモリと
    協働して、前記行故障の関数として要修復故障列を識別するための行カウンタと
    、 を備えるスクリーニング回路。
  17. 【請求項17】 MUTから捕捉される複数のマルチビット信号を格納する
    、故障捕捉回路において使用するためのメモリであって、前記信号は事前に選択
    されたデータ構造を有し、前記メモリは、 前記バースト動作モード時に前記マルチビット信号を受信するためのマルチビ
    ット入力インタフェースと、 該入力インタフェースと連絡して配置され、前記マルチビット信号を格納する
    ための記憶セルアレイと、 を備えるメモリ。
  18. 【請求項18】 前記マルチビット信号は、故障アドレスと、前記MUT内
    の故障したメモリセルのロケーションを示すデータフィールドとを有するアドレ
    スデータ構造を含む、請求項17記載のメモリ。
  19. 【請求項19】 前記マルチビット信号は、プログラムされた演算コードを
    表すコマンドフィールドを有するコマンドデータ構造を含む、請求項18記載の
    メモリ。
  20. 【請求項20】 前記マルチビット信号は、前記データ構造が前記故障アド
    レス情報を含むか、前記コマンド情報を含むかを識別する識別子を含む、請求項
    19記載のメモリ。
  21. 【請求項21】 後続する冗長解析のために、MUTから故障情報を取得す
    る方法であって、 前記故障情報を捕捉するステップと、 前記故障情報から前記MUT内の前記故障のロケーションを識別するステップ
    と、 前記識別された故障ロケーションをルックアップテーブルに格納するステップ
    と、 を含む、MUTから故障情報を取得する方法。
  22. 【請求項22】 前記識別するステップは、前記故障ロケーションをスクリ
    ーニングして、要修復故障データおよび疎故障データを判断するステップを含み
    、 前記格納するステップは、前記疎故障データを前記ルックアップテーブルに書
    き込むことを含む、請求項21記載のMUTから故障情報を取得する方法。
  23. 【請求項23】 前記格納するステップは、バースト動作モード時に、前記
    故障ロケーション情報をRAMに逐次書き込むことを含む、請求項21記載のM
    UTから故障情報を取得する方法。
  24. 【請求項24】 MUTからの故障アドレス情報を格納するように適合され
    た故障捕捉メモリに渡される故障情報をスクリーニングする方法であって、前記
    捕捉メモリは、冗長解析回路によりアクセス可能であり、前記方法は、 要修復故障情報を判断するステップと、 前記要修復故障情報を疎故障情報と区別するステップと、 前記疎故障情報を前記捕捉メモリに渡すステップと、 前記要修復故障情報および前記疎故障情報を前記冗長解析回路に指向させるス
    テップと、 を含む、故障情報をスクリーニングする方法。
  25. 【請求項25】 前記判断するステップは、 前記MUTにおける各行および列について所定の閾値故障数を確立するステッ
    プと、 前記行の各々の故障をカウントしてカウントを生成するステップと、 前記カウントされた行故障の関数として列故障を検出するステップと、 前記カウントが前記所定の閾値故障数以上である場合に、行および/または列
    を要修復故障と識別するステップと、 を含む、請求項24記載の故障情報をスクリーニングする方法。
JP2000610013A 1999-04-02 2000-03-30 自動テスト機器の故障捕捉装置および方法 Expired - Lifetime JP4758005B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/285,857 1999-04-02
US09/285,857 US6442724B1 (en) 1999-04-02 1999-04-02 Failure capture apparatus and method for automatic test equipment
PCT/US2000/008497 WO2000060606A1 (en) 1999-04-02 2000-03-30 Failure capture apparatus and method for automatic test equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002541611A true JP2002541611A (ja) 2002-12-03
JP4758005B2 JP4758005B2 (ja) 2011-08-24

Family

ID=23096004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000610013A Expired - Lifetime JP4758005B2 (ja) 1999-04-02 2000-03-30 自動テスト機器の故障捕捉装置および方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6442724B1 (ja)
EP (1) EP1173853B1 (ja)
JP (1) JP4758005B2 (ja)
KR (1) KR100676205B1 (ja)
DE (1) DE60005941T2 (ja)
MY (1) MY123372A (ja)
TW (1) TW463177B (ja)
WO (1) WO2000060606A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006048767A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Elpida Memory Inc 半導体メモリ試験装置

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6594714B1 (en) * 2000-05-01 2003-07-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Reconfigurable FIFO interface to support multiple channels in bundled agent configurations
US6601205B1 (en) * 2000-09-29 2003-07-29 Infineon Technologies Ag Method to descramble the data mapping in memory circuits
JP2002131401A (ja) * 2000-10-27 2002-05-09 Ando Electric Co Ltd データログ取得回路、及びデータログ取得方法
JP2002216495A (ja) * 2001-01-18 2002-08-02 Mitsubishi Electric Corp メモリデバイス冗長救済解析方法、記録媒体および装置
US6591213B1 (en) * 2001-02-27 2003-07-08 Inovys Corporation Systems for providing zero latency, non-modulo looping and branching of test pattern data for automatic test equipment
US7401272B1 (en) * 2001-03-09 2008-07-15 Pmc-Sierra, Inc. Apparatus and method for high speed sampling or testing of data signals using automated testing equipment
JP2003346496A (ja) * 2002-05-22 2003-12-05 Mitsubishi Electric Corp 不良情報格納装置とその装置を備える不良情報蓄積処理装置、不良情報蓄積方法、不良情報格納装置を備える半導体装置試験装置、および不良情報格納装置を備える半導体装置
US7107501B2 (en) * 2002-05-31 2006-09-12 Infineon Technologies Ag Test device, test system and method for testing a memory circuit
DE10229802B3 (de) * 2002-07-03 2004-01-08 Infineon Technologies Ag Testschaltung und Verfahren zum Testen einer integrierten Speicherschaltung
US7203874B2 (en) * 2003-05-08 2007-04-10 Micron Technology, Inc. Error detection, documentation, and correction in a flash memory device
US7685481B2 (en) * 2005-06-23 2010-03-23 Mks Instruments, Inc. Bitmap cluster analysis of defects in integrated circuits
US7669094B2 (en) * 2005-08-05 2010-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and inspection method of semiconductor device and wireless chip
US7265696B2 (en) * 2005-11-10 2007-09-04 International Business Machines Corporation Methods and apparatus for testing an integrated circuit
US7395465B2 (en) * 2006-01-13 2008-07-01 International Business Machines Corporation Memory array repair where repair logic cannot operate at same operating condition as array
KR100866962B1 (ko) * 2007-03-08 2008-11-05 삼성전자주식회사 Hdd를 하이브리드 hdd에서 노멀 hdd로 전환시키는방법
US20080270854A1 (en) 2007-04-24 2008-10-30 Micron Technology, Inc. System and method for running test and redundancy analysis in parallel
US8977912B2 (en) * 2007-05-07 2015-03-10 Macronix International Co., Ltd. Method and apparatus for repairing memory
US8832511B2 (en) * 2011-08-15 2014-09-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Built-in self-test for interposer
US9953725B2 (en) * 2012-02-29 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices and methods of operating the same
DE112018007597B4 (de) 2018-06-18 2022-06-09 Mitsubishi Electric Corporation Diagnosevorrichtung, Diagnoseverfahren und Programm
KR20210024880A (ko) * 2019-08-26 2021-03-08 에스케이하이닉스 주식회사 테스트 회로, 이를 포함하는 반도체 장치 및 테스트 시스템

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62204500A (ja) * 1986-03-04 1987-09-09 Mitsubishi Electric Corp 多出力冗長回路付メモリicのテスト装置
JPH04339399A (ja) * 1991-05-15 1992-11-26 Ando Electric Co Ltd メモリテスタの救済アドレス解析回路
JPH05325594A (ja) * 1992-05-22 1993-12-10 Toshiba Corp 半導体試験装置
JPH0836900A (ja) * 1994-07-21 1996-02-06 Hitachi Ltd 集積回路装置の検査方法および検査装置
JPH1055694A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Advantest Corp メモリ試験装置
JPH1074397A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Asia Electron Inc メモリ解析装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4736373A (en) * 1981-08-03 1988-04-05 Pacific Western Systems, Inc. Memory tester having concurrent failure data readout and memory repair analysis
EP0125633B1 (en) 1983-05-11 1990-08-08 Hitachi, Ltd. Testing apparatus for redundant memory
US4586178A (en) * 1983-10-06 1986-04-29 Eaton Corporation High speed redundancy processor
US4751656A (en) * 1986-03-10 1988-06-14 International Business Machines Corporation Method for choosing replacement lines in a two dimensionally redundant array
US4876685A (en) 1987-06-08 1989-10-24 Teradyne, Inc. Failure information processing in automatic memory tester
EP0424612A3 (en) 1989-08-30 1992-03-11 International Business Machines Corporation Apparatus and method for real time data error capture and compression for redundancy analysis of a memory
US5157664A (en) * 1989-09-21 1992-10-20 Texas Instruments Incorporated Tester for semiconductor memory devices
US5588115A (en) * 1993-01-29 1996-12-24 Teradyne, Inc. Redundancy analyzer for automatic memory tester
US5610925A (en) 1995-03-27 1997-03-11 Advantest Corporation Failure analyzer for semiconductor tester
JP3552175B2 (ja) 1995-05-17 2004-08-11 株式会社アドバンテスト フェイルメモリ装置
JPH095402A (ja) 1995-06-22 1997-01-10 Advantest Corp 半導体メモリ試験装置
US5795797A (en) 1995-08-18 1998-08-18 Teradyne, Inc. Method of making memory chips using memory tester providing fast repair
JPH0963300A (ja) 1995-08-22 1997-03-07 Advantest Corp 半導体メモリ試験装置のフェイル解析装置
WO1997011381A1 (fr) * 1995-09-22 1997-03-27 Advantest Corporation Controleur de memoire
US5720031A (en) 1995-12-04 1998-02-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for testing memory devices and displaying results of such tests
TW338106B (en) 1996-03-29 1998-08-11 Adoban Test Kk Semiconductor memory testing apparatus
US5754556A (en) 1996-07-18 1998-05-19 Teradyne, Inc. Semiconductor memory tester with hardware accelerators
JPH10269799A (ja) * 1997-03-19 1998-10-09 Advantest Corp 半導体メモリ試験装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62204500A (ja) * 1986-03-04 1987-09-09 Mitsubishi Electric Corp 多出力冗長回路付メモリicのテスト装置
JPH04339399A (ja) * 1991-05-15 1992-11-26 Ando Electric Co Ltd メモリテスタの救済アドレス解析回路
JPH05325594A (ja) * 1992-05-22 1993-12-10 Toshiba Corp 半導体試験装置
JPH0836900A (ja) * 1994-07-21 1996-02-06 Hitachi Ltd 集積回路装置の検査方法および検査装置
JPH1055694A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Advantest Corp メモリ試験装置
JPH1074397A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Asia Electron Inc メモリ解析装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006048767A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Elpida Memory Inc 半導体メモリ試験装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4758005B2 (ja) 2011-08-24
DE60005941T2 (de) 2004-08-19
WO2000060606A1 (en) 2000-10-12
EP1173853B1 (en) 2003-10-15
EP1173853A1 (en) 2002-01-23
MY123372A (en) 2006-05-31
TW463177B (en) 2001-11-11
KR100676205B1 (ko) 2007-01-30
US6442724B1 (en) 2002-08-27
DE60005941D1 (de) 2003-11-20
KR20010109342A (ko) 2001-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4758005B2 (ja) 自動テスト機器の故障捕捉装置および方法
US6536005B1 (en) High-speed failure capture apparatus and method for automatic test equipment
US7962809B1 (en) Method and apparatus for improving memory operation and yield
JP3650411B2 (ja) 自動メモリー・テスタのための冗長性アナライザ
US6560740B1 (en) Apparatus and method for programmable built-in self-test and self-repair of embedded memory
US5428575A (en) Semiconductor memory device with comparing circuit for facilitating test mode
US5673270A (en) Semiconductor memory device having register for holding test resultant signal
EP1537586B1 (en) Circuit and method for testing embedded dram circuits through direct access mode
US20050047229A1 (en) Method and circuit for collecting memory failure information
US5925141A (en) Semiconductor memory device with data scramble circuit
US7251757B2 (en) Memory testing
JP2002032998A (ja) 半導体記憶装置の不良解析装置
JPH10199294A (ja) モニタ・モードおよびテスタ・モードを備えた内蔵自己検査回路を有する集積回路メモリ素子およびその動作方法
US7213186B2 (en) Memory built-in self test circuit with full error mapping capability
JPH08161899A (ja) メモリデバイスおよび半導体デバイステスト方法
JPS62266638A (ja) デイジタルデ−タを記憶するための複数個のメモリ場所の各々の機能性をテストする方法
JPH09293400A (ja) 半導体メモリ装置の並列テスト回路
US6288955B1 (en) Methods and systems for testing integrated circuit memory devices by overlappiing test result loading and test result analysis
US7593274B2 (en) Semiconductor integrated circuit and relief method and test method of the same
JPS62250599A (ja) 半導体メモリ装置
JP2003007097A (ja) 半導体記憶装置およびそのテスト方法
JP2000322330A (ja) 記憶装置の故障診断回路
KR20030054198A (ko) 다중 메모리의 테스트를 위한 bist 회로 및 그것을구비한 집적회로 장치
JPH01179300A (ja) 半導体装置
JPH0258800A (ja) 半導体メモリ用オンチップテスト回路及びテスト方式

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061018

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091022

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100121

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100128

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100219

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100318

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101202

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110301

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110308

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110401

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110524

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110602

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4758005

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140610

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term