JP4717385B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
(構成)
図1、図2を参照して、本発明に基づく実施の形態1における半導体装置について説明する。この半導体装置は、トップゲート型の薄膜トランジスタである。この半導体装置は、図1に示すように、絶縁表面を有する基板であるガラス基板1と、ガラス基板1と重なり合う関係にあるシリコン層3とを備えている。ガラス基板1とシリコン層3との間には、いわゆる下地膜としてのシリコン酸化膜2が介在している。シリコン層3は、能動素子領域となる主領域を含む。シリコン層3の上側には、ゲート絶縁膜4を介してゲート電極5が形成されている。シリコン層3の部分を拡大して図2に示す。
本実施の形態における半導体装置では、YAG−2ωレーザの照射による溶融および再結晶化によって、各々の結晶粒のうちゲート電極に近い側は、1つ1つの結晶粒径が大きな、すなわち、結晶性の優れた第1層となっている。したがって、ゲート電極に近い側では電子移動度を上げることができ、高速動作に適した状態を実現している。その一方で、各々の結晶粒のうちゲート電極と反対の側は、第2層となっており、この第2層はアモルファス状態であるので、個々の結晶粒に含まれる第2層がゲッタリングサイトの役割を果たす。したがって、不要な不純物は第2層によって捕獲されるので、薄膜トランジスタの動作を安定させることができる。
(構成)
図5を参照して、本発明に基づく実施の形態2における半導体装置について説明する。この半導体装置は、逆スタガー型の薄膜トランジスタである。この半導体装置は、図5に示すように、絶縁表面を有する基板であるガラス基板1と、ガラス基板1と重なり合う関係にあるシリコン層3とを備えている。ガラス基板1とシリコン層3との間には、いわゆる下地膜としてのシリコン酸化膜2が介在している。ここまでは、実施の形態1で説明したトップゲート型の薄膜トランジスタと同様である。しかし、実施の形態2における逆スタガー型の薄膜トランジスタでは、ゲート電極12は、ガラス基板1とシリコン層3との間に挟まれている。ガラス基板1の平坦な表面にゲート電極12が局所的に載置されるように形成されており、このゲート電極12の上側をゲート絶縁膜4が覆っている。さらに、ゲート絶縁膜4の上側をシリコン層3が覆っている。したがって、ガラス基板1の平坦な表面に対して、ゲート電極12の存在によって盛り上がった形状がそのまま、ゲート絶縁膜4およびシリコン層3の形状にも反映されている。このシリコン層3も、粒界6によって多数の結晶粒7に仕切られている点は実施の形態1と同様である。各々の結晶粒7は、ゲート電極5に近い側にほぼ完全結晶である第1層8を含み、ゲート電極5と反対の側に第1層8とは異なる第2層9を含む2層構造となっている点も実施の形態1と同様である。ただ、実施の形態1と比べてシリコン層3に対するゲート電極がある側が上下逆になっているので、実施の形態2のシリコン層3では、第1層8が下側となり、第2層9が上側となっている。
本実施の形態における半導体装置では、各々の結晶粒が結晶性の優れた第1層と、ゲッタリングサイトの役割を果たす第2層とを含んでいるので、電気抵抗を低く抑え、高速動作を可能にしつつ、ゲッタリングも着実に行なって薄膜トランジスタの動作を安定させることができる。
(構成)
図7を参照して、本発明に基づく実施の形態3における半導体装置について説明する。この半導体装置は、図7に示すようなトップゲート型の薄膜トランジスタである。この半導体装置では、シリコン層3内に実施の形態1で説明した構成を備え、さらに図7に示されるように、ガラス基板1とシリコン酸化膜2との間にシリコン窒化膜13が介在している。このシリコン窒化膜13とガラス基板1との間には酸窒化膜14aが介在している。一方、シリコン窒化膜13とシリコン酸化膜2との間には酸窒化膜14bが介在している。シリコン窒化膜13の厚みは、50nm〜100nmである。酸窒化膜14a,14bの膜厚はそれぞれ数nm〜数十nmである。
本実施の形態では、膨張率で比較した場合、シリコン酸化膜2とシリコン窒化膜13との間に相当する膜である酸窒化膜がシリコン窒化膜13の上下界面に形成されているので、シリコン酸化膜2とシリコン窒化膜13との間の密着力を強化することができる。さらに、シリコン窒化膜13とガラス基板1との間の密着力も強化することができる。こうして、シリコン層3とガラス基板1との間で生じる剥離を防止することができる。
Claims (5)
- 絶縁表面を有するガラス基板と、
前記絶縁表面と重なり合う関係にある位置にあるシリコン層とを備え、
前記シリコン層は、アモルファス状態のゲッタリング領域を含み、
前記絶縁表面と前記シリコン層との間に、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を備え、前記シリコン窒化膜と前記絶縁基板との間と、前記シリコン酸化膜と前記シリコン窒化膜との間とに、それぞれ酸窒化膜が配置されており、前記酸窒化膜は、膨張率で比較した場合、前記シリコン酸化膜と前記シリコン窒化膜との間に相当するものである、半導体装置。 - 前記シリコン層は、能動素子領域となる主領域を含み、
前記ゲッタリング領域は、前記シリコン層のうち、前記主領域以外の部分に含まれる、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記シリコン層は、薄膜トランジスタの活性領域となる部分を含む、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記シリコン層は、キャパシタを構成する電極のうちの1つとなる部分を含む、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記シリコン層は、他の配線とのコンタクト部となる部分を含む、請求項1または2に記載の半導体装置。
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