JP4663348B2 - 配線基板、これを用いた固体撮像用半導体装置及びこれを用いた固体撮像用半導体装置の製造方法。 - Google Patents

配線基板、これを用いた固体撮像用半導体装置及びこれを用いた固体撮像用半導体装置の製造方法。 Download PDF

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Description

本発明は、固体撮像用半導体装置に係り、より詳しくはレンズ部と第2の配線基板との間に半導体チップと電気的に連結された第1の配線基板を配置した固体撮像用半導体装置に関する。
PDA(Personal Digital Assistant)、DSC(Digital Still Camera)、移動電話機(Mobile Phone)などのモバイル装置には、普通固体撮像用半導体チップとレンズを組み合わせた形態の固体撮像用半導体装置が搭載されている。こうした小型カメラを備えた移動電話機は、通話者の映像を小型カメラにより撮像して画像データとして入力して、通話相対方にその画像データを送信する。
こうしたモバイル装置の小型化がさらに進行されており、これらに使用される固体撮像用半導体装置も小型化が要求されている。このような固体撮像用半導体装置の小型化の要求を満足させるために、レンズと固体撮像用半導体チップとを一体化して形成された半導体装置が開発されている。
図1は、従来の固体撮像用半導体装置の概略的構成を示した断面図である。図1に示されたような従来の固体撮像用半導体装置100は、固体撮像用レンズ160が付着されたレンズ部150、軟質印刷回路基板(Flexible printed circuit board;以下、“FPC”と称する。)110及び半導体チップ140から構成される。
ここで、固体撮像用レンズ160と赤外線遮断用フィルター(IR cut filter)165が付着されているレンズ部150がFPC110の上部の一面に接着剤により固着されている。半導体チップ140は、固体撮像用レンズ160からの光を画像信号に変換し、この画像信号をイメージ処理する役割をするチップとして、FPC110上に接合され、FPC110の上面の所定の部分に形成されたパッドとワイヤー145によりワイヤーボンディング(Wire bonding)されている。
また、このような固体撮像用半導体装置100内に抵抗又はキャパシタのような受動素子120を共に実装して一体化された半導体装置が開発されている。
すなわち、FPC110上の所定の部分に受動素子120が実装することができるが、図1に示すように、FPC110上に半導体チップ140が接合されたところの周りに受動素子120が実装される。ここで、受動素子120は、レンズ部150内に実装されて一体化された固体撮像用半導体装置100を構成する。
図1に示すように、受動素子120を固体撮像用半導体装置100内に実装する場合、固体撮像用半導体装置100の左右幅L1が広くなって全体的に固体撮像用半導体装置100の小型化に障害になる。
特願2003−259169号公報
本発明の技術的課題は、左右幅が狭く、小型化された固体撮像用半導体装置を提供することである。
本発明の他の技術的課題は、固体撮像用半導体装置に適した配線基板を提供することである。
前述した技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による固体撮像用半導体装置は、固体撮像用レンズを備えるレンズ部と、開口部を備え、上部が内側面から開口部内へ突出して内側面に段差部が形成され、固体撮像用レンズと開口部が対向するようにレンズ部の下端と連結された第1の配線基板と、第1の配線基板の下端と電気的に連結された第2の配線基板と、開口部内に配置されるように第2の配線基板上に接合され、第1の配線基板と電気的に連結され、固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換し、画像信号を処理する半導体チップと、を含む。
前述した他の技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による配線基板は、半導体チップが実装される領域を画定する開口部を備え、上部が内側面から開口部内へ突出して内側面に段差部が形成された筐体部と、一端は筐体部の上面と連結され、他端は筐体部の下面と連結されたリードと、を含む。
また、前述した他の技術的課題を達成するための本発明の他の実施形態による配線基板は、半導体チップが実装される領域を画定する開口部を備え、上部が内側面から開口部内へ突出して内側面に段差部が形成された筐体部と、一端は筐体部の段差部から開口部内へ突出し、他端は筐体部の下面と連結されたリードと、を含む。
その他実施形態の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。
前述したように本発明に従う固体撮像用半導体装置によれば、半導体チップと第2の配線基板とを、直接、電気的に連結する代わりに段差部が形成された第1の配線基板を中間媒介として用いて電気的に連結することによって、第1の配線基板の段差部の下部と第2の配線基板との所定の空間に受動素子を実装することができ、第2の配線基板上に半導体チップとの電気的連結のためのパッドを形成する必要がないので左右幅L2が狭い小型化された固体撮像用半導体装置を製造することができる。
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すれば明確になる。しかしながら、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、相異なる多様な形態で具現されるものであり、本実施形態は、本発明の開示が完全となり、当業者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、特許請求の範囲の記載に基づいて決められなければならない。なお、明細書全体にわたる同一参照符号は同一構成要素を示すものとする。
以下、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
本発明の第1の実施形態を図2A〜図2Eに基づいて説明する。図2Aは、本発明の第1の実施形態による固体撮像用半導体装置200を示した断面図である。そして、図2Bは、図2Aの第1の配線基板230のみを示した部分切開斜視図である。
図2A及び図2Bに示すように、本発明の固体撮像用半導体装置200は、固体撮像用レンズ260が付着されたレンズ部250と、第1の配線基板230と、第2の配線基板210及び半導体チップ240と、から構成される。
ここで、レンズ部250は、光が通る部分に受光ホールが形成される。レンズ部250の受光ホールには、固体撮像用レンズ260が付着されている。望ましくは、レンズ部250内に位置し、固体撮像用レンズ260と所定の間隔をおいて対向し、固体撮像用レンズ260の下部に位置して、固体撮像用レンズ260を通過した光が通る部分に位置する赤外線遮断用フィルター265又は高周波遮光用フィルターが設けられる。本願では、説明の便宜のために赤外線遮断用フィルターを用いて説明する。
第1の配線基板230は、筐体部232とリード(Lead)234とから構成される。
ここで、筐体部232は、レンズ部250の下部に接着剤で固定される。筐体部232は、固体撮像用レンズ260の垂直下部に開口部236を備える。こうした開口部236は、筐体部232に半導体チップ240が実装される領域を示す。図2Bに示すように、筐体部232には、その上部が内側面から開口部236内へ突出して段差部238が形成される。第1の配線基板230の下端と第2の配線基板210が連結されるため、第1の配線基板230の段差部238の下部と第2の配線基板210との間には所定の空間が形成される。従って、第1の配線基板230の段差部238の下部と第2の配線基板210との所定の空間に受動素子220を実装することができる。こうした受動素子220としては、抵抗(Resistor)、キャパシタ(Capacitor)、インダクタ(Inductor)などを使用することができる。
ここで、リード234は、筐体部232の内部を貫通して形成される。リード234の一端234aは、筐体部232の上面と連結されて形成される。そして、リード234の他端234bは筐体部232の下面と連結される。リード234の材料は、例えばCu又は合金(NiとFe)があり、製造方法はエッチングタイプ(Etching Type、円板を必要な形態のみ残してエッチングして製造する方法)とスタンピングタイプ(Stamping Type、金型を用いて円板を必要な形態で圧力を加えて製造する方法)がある。こうしたリード234は、Ni,Auのような貴金属(noble metal)で鍍金されるものが望ましい。
本願で使用される筐体部232とリード234とから構成された第1の配線基板230としては印刷回路基板(Printed Circuit Board;以下、“PCB”と称する。)、セラミックリードレスチップキャリヤ(Ceramic Leadless Chip Carrier;以下、“CLCC”と称する。)又はプレモールデッドリードレスチップキャリヤ(Pre−molded Leadless Chip Carrier;以下、“PLCC”と称する。)などを使用することができる。ここで、PLCCはEMC(Epoxy Molding Compound)のような物質を使用しうる。但し、前述した配線基板230は例示的なものに過ぎない。
そして、第2の配線基板210は、第1の配線基板230と電気的に連結される。従って、半導体チップ240、電気的接続手段245、第1の配線基板230及び第2の配線基板210は、電気的に連結されており、第2の配線基板210により固体撮像用半導体装置200と外部本体(図示せず)が電気的に繋がる。本発明の一実施形態による第2の配線基板210はFPCを使用することができる。
図2A〜図2Bに示すように、半導体チップ240は、固体撮像用レンズ260の垂直下部に位置して筐体部232の開口部236内に安着されるように第2の配線基板210上に接合されて固定位置する。そして、半導体チップ240の上面に形成された電極パッド(図示せず)とリード234の一端234aは電気的接続手段245により電気的に連結される。本発明の第1の実施形態において、電気的接続手段245はワイヤーボンディングであるものが望ましい。
ここで、半導体チップ240は、固体撮像用半導体素子と画像処理用半導体素子とを一つの半導体チップ内に一体化したものである。
固体撮像用半導体素子は、固体撮像用レンズ260からの光を画像信号に変換する光電変換素子群より成る。固体撮像用半導体素子には、例えばCMOSイメージセンサ(CMOS Image Sensor;CIS)を構成する2次元で配列された光電変換素子群より成る光電変換部(センサ部)と、光電変換素子群を順次に駆動して信号電荷を得る駆動回路部と、信号電荷をディジタル信号に変換するA/D変換部と、ディジタル信号を映像信号出力に作る信号処理部と、ディジタル信号の出力レベルを本に電気的に露光時間を制御する露光制御手段を同一な半導体チップ上に形成した半導体回路部などが設けられている。勿論固体撮像用半導体素子は、CCD(Charged Coupled Device)を含む。
そして、画像処理用半導体素子は、固体撮像用半導体素子からの画像信号を処理する役割をする。
従って、本発明による半導体チップ240は、固体撮像用レンズ260及び赤外線遮断用フィルター265を通じて半導体チップ240においてのセンサ部に被写体像を結像させて光電変換することによって、例えばディジタル又はアナログの画像信号を出力した後、こうした画像信号を処理してリード234へ出力する役割をする。
そして、半導体チップ240のセンサ部を、固体撮像用レンズ260の垂直下部に位置づける。
このように、半導体チップ240と第2の配線基板210を、直接、電気的に連結する代わりに段差部238が形成された第1の配線基板230を中間媒介として用いて電気的に連結することによって、図1に示す従来技術に比べて固体撮像用半導体装置200の高さは変化がない。だが、第1の配線基板230の段差部238の下部と第2の配線基板210との所定の空間に受動素子220を実装することができ、第2の配線基板210上に半導体チップ240との電気的連結のためのパッドを形成する必要がないので左右幅L2が狭い小型化された固体撮像用半導体装置200を形成することができる。
以下、図3A〜図3D及び図4A〜図4Eに基づいて図2Aの固体撮像用半導体装置200の製造方法を説明する。
図3A〜図3Dは、図2Aの固体撮像用半導体装置200の製造方法を順序通り示した断面図である。図4A〜図4Eは、それぞれ図3A〜図3D及び図2Aの平面図である。
図3A及び図4Aに示すように、外部本体(図示せず)と固体撮像用半導体装置200を連結する第2の配線基板210を準備する。第2の配線基板210には、外部本体(図示せず)と電気的に連結される連結端子217と受動素子220が実装される部分が画定されたボンディングパッド215が形成されている。
図3B及び図4Bに示すように、第2の配線基板210上に受動素子220を実装する。受動素子220は、後述する半導体チップ240が実装されるところの周囲に配置するのが望ましい。こうした受動素子220は、主に表面実装技術(Surface Mount Technology;SMT)により第2の配線基板210上に配置される。
図3C及び図4Cに示すように、段差部238が形成された第1の配線基板230を第2の配線基板210上に実装する。第1の配線基板230の段差部238の下部に受動素子220が配置されるようにする。
図3D及び図4Dに示すように、半導体チップ240が第1の配線基板230の開口部236内に配置されるように第2の配線基板210上に接合する。
図2A及び図4Eに示すように、固体撮像用レンズ260及び赤外線遮断用フィルター265が付着されたレンズ部250を第1の配線基板230の上部に接合する。
以下、本発明の第2の実施形態を図5に基づいて説明する。第2の実施形態の説明において、図2A〜図4Eに示す第1の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図5は、本発明の第2の実施形態による固体撮像用半導体装置500を示す断面図である。
第1の実施形態と異なる点は、図5に示すように、ソケットタイプ(Socket type)の第2の配線基板510を使用する。第2の実施形態で使用されたソケットタイプの第2の配線基板510は、第2の配線基板510の下部にランド(land)タイプの外部連結端子515が形成されている。
以下、本発明の第3の実施形態を図6に基づいて説明する。第3の実施形態の説明において、図2A〜図4Eに示す第1の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図6は、本発明の第3の実施形態による固体撮像用半導体装置600を示す断面図である。
第1の実施形態と異なる点は、図6に示すように、ソケットタイプの第2の配線基板610を使用する。第2の実施形態とは異なり、第3の実施形態で使用されたソケットタイプの第2の配線基板610は、第2の配線基板610の側面に外部連結端子615が形成されている。
以下、本発明の第4の実施形態を図7に基づいて説明する。第4の実施形態の説明において、図2A〜図4Eに示す第1の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図7は、本発明の第4の実施形態による固体撮像用半導体装置700を示す断面図である。
第1の実施形態と異なる点は、図7に示すように、第2の配線基板710として硬質−軟質印刷回路基板(Rigid−Flexible PCB;以下、“RF−PCB”と称する。)710を使用する。RF−PCB710は、一般に使用される多層の硬質PCB714,716と屈曲性を有する軟質FPC712を組み合わせた形態の複合印刷回路基板として3次元の回路連結が可能なので携帯用電子機器の高機能化と小型化とを実現することができる。ここで、硬質PCB714,716と軟質PCB712の数は限定されない。
以下、本発明の第5の実施形態〜第8の実施形態を説明する。第5の実施形態〜第8の実施形態は、第1の実施形態〜第4の実施形態とは異なり、電気的接続手段845として金属バンプを用いたフリップチップボンディングを使用する。
以下、本発明の第5の実施形態を図8A及び図8Bに基づいて説明する。第5の実施形態の説明において、図2A〜図4Eに示す第1の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図8Aは、本発明の第5の実施形態による固体撮像用半導体装置800を示す断面図である。そして、図8Bは図8Aの第1の配線基板830のみを示す部分切開斜視図である。
図8Aに示すように本発明の固体撮像用半導体装置800は、固体撮像用レンズ260が付着されたレンズ部250と、第1の配線基板830と、第2の配線基板210及び半導体チップ240と、から構成される。第1の実施形態と異なる点は、第1の配線基板830の構造がかえられたものと電気的接続手段845がフリップチップボンディングに置換されたことである。
図8A及び図8Bを参照すれば、第1の配線基板830は、筐体部832とリード834と、から構成される。
ここで、筐体部832は、レンズ部250の下部に接着剤で固定される。筐体部832は、固体撮像用レンズ260の垂直下部に開口部836を備える。こうした開口部836は、筐体部832に半導体チップ240が実装される領域を示す。図8Bに示すように、筐体部832には、その上部が内側面から開口部836内に突出して段差部838が形成される。第1の配線基板830の下端と第2の配線基板210が連結されるため、第1の配線基板830の段差部838の下部と第2の配線基板210との間には所定の空間が形成される。従って、第1の配線基板830の段差部838の下部と第2の配線基板210との所定の空間に受動素子220を実装することができる。
ここで、リード834は、筐体部832の内部を貫通して形成される。リード834の一端834aは、筐体部832の段差部838から開口部836内へ突出して形成される。そして、リード834の他端834bは、筐体部832の下面と連結される。リード834の材料は、例えばCu又は合金(NiとFe)があり、製造方法は、エッチングタイプとスタンピングタイプがある。こうしたリード834は、Ni、Auのような貴金属で鍍金されるものが望ましい。
本願で使用される筐体部832とリード834とから構成された第1の配線基板830としては、PCB、CLCC又はPLCCなどを使用することができる。ここで、PLCCは、EMCのような物質が使用される。但し、前述した第1の配線基板830は例示的なものに過ぎない。
図8A及び図8Bに示すように、半導体チップ240は、固体撮像用レンズ260の垂直下部に位置して筐体部832の開口部836下に安着されるように第2の配線基板210上に接合されて固定位置する。そして、半導体チップ240の上面に形成された電極パッド(図示せず)とリード834の一端834aは、電気的接続手段845により電気的に連結される。本発明の一実施形態において、電気的接続手段845は、金属バンプを用いたフリップチップボンディングであるものが望ましい。
以下、本発明の第6の実施形態を図9に基づいて説明する。第6の実施形態の説明において、図8A及び図8Bに示す図5の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図9は、本発明の第6の実施形態による固体撮像用半導体装置900を示す断面図である。
第5の実施形態と異なる点は、図9に示すように、ソケットタイプの第2の配線基板510を使用する。第6の実施形態で使用されたソケットタイプの第2の配線基板510は、第2の配線基板510の下部にランドタイプの外部連結端子515が形成されている。
以下、本発明の第7の実施形態を図10に基づいて説明する。第7の実施形態の説明において、図8A及び図8Bに示す第5の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図10は、本発明の第7の実施形態による固体撮像用半導体装置1000を示す断面図である。
第5の実施形態と異なる点は、図10に示すように、ソケットタイプの第2の配線基板610を使用する。第6の実施形態とは違って、第7の実施形態で使用されたソケットタイプの第2の配線基板610は、第2の配線基板610の側面に外部連結端子615が形成されている。
以下、本発明の第8の実施形態を図11に基づいて説明する。第8の実施形態の説明において、図8A及び図8Bに示す第5の実施形態と同一又は当該部分には同一符号を付けて説明を省略する。
図11は、本発明の第8の実施形態による固体撮像用半導体装置1100を示す断面図である。
第5の実施形態と異なる点は、図11に示すように、第2の配線基板710として硬質−軟質印刷回路基板(RF−PCB)710を使用する。RF−PCB710は、一般に使用される多層の硬質PCB714,716と屈曲性を有する軟質FPC712を組み合わせた形態の複合印刷回路基板として3次元の回路連結が可能なので携帯用電子機器の高機能化と小型化とを実現することができる。ここで、硬質PCB714,716と軟質PCB712の数は限定されない。
以上、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を説明したが、当業者であれば、本発明の技術的思想や必須的な特徴を変更せずに他の具体的な形態で実施しうることを理解することができる。したがって、上述した好適な実施形態は、例示的なものであり、限定的なものではないと理解すべきである。
本発明は、固体撮像用半導体装置に適用されうる。
従来の固体撮像用半導体装置の概略的構成を示す断面図である。 本発明の第1の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 図2Aの第1の配線基板のみを示す部分切開斜視図である。 図2Aの固体撮像用半導体装置の製造方法を順序通り示す断面図である。 図2Aの固体撮像用半導体装置の製造方法を順序通り示したす断面図である。 図2Aの固体撮像用半導体装置の製造方法を順序通り示したす断面図である。 図2Aの固体撮像用半導体装置の製造方法を順序通り示したす断面図である。 図3Aの平面図である。 図3Bの平面図である。 図3Cの平面図である。 図3Dの平面図である。 図2Aの平面図である。 本発明の第2の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 本発明の第3の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 本発明の第4の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 本発明の第5の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 図8Aの第1の配線基板のみを示す部分切開斜視図である。 本発明の第6の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 本発明の第7の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。 本発明の第8の実施形態による固体撮像用半導体装置を示す断面図である。
符号の説明
200: 固体撮像用半導体装置
210: 第2の配線基板
215: ボンディングパッド
217: 連結端子
220: 受動素子
230: 第1の配線基板
232: 筐体部
234: リード
234a: リードの一端
234b: リードの他端
236: 開口部
238: 段差部
240: 半導体チップ
245: 電気的接続手段
250: レンズ部
260: 固体撮像用レンズ
265:赤外線遮断用フィルター
500: 固体撮像用半導体装置
510: 配線基板
515: 外部連結端子
600: 固体撮像用半導体装置
610: 第2の配線基板
615: 外部連結端子
700: 固体撮像用半導体装置
710: 第2の配線基板
712: 軟質FPC
714、716: 多層の硬質PCB
800: 固体撮像用半導体装置
830: 第1の配線基板
832: 筐体部
834a: リードの一端
834b: リードの他端
836: 開口部
838: 段差部
845: 電気的接続手段
900: 固体撮像用半導体装置
1000: 固体撮像用半導体装置
1100: 固体撮像用半導体装置
L1、L2: 左右幅

Claims (14)

  1. 固体撮像用レンズを備えるレンズ部と、
    開口部を備え、上部が内側面から前記開口部内へ突出して前記内側面に段差部が形成され、前記固体撮像用レンズと前記開口部が対向するように前記レンズ部の下端と連結された第1の配線基板と、
    前記第1の配線基板の下端と電気的に連結された第2の配線基板と、
    前記開口部内に配置されるように前記第2の配線基板上に接合され、前記第1の配線基板と電気的に連結される半導体チップと、
    前記第2の配線基板上に接合され、前記段差部の下部に配置される受動素子と、
    を含むことを特徴とする固体撮像用半導体装置。
  2. 前記半導体チップは、前記固体撮像用レンズからの光を画像信号に変換し、前記画像信号を処理することを特徴とする、請求項に記載の固体撮像用半導体装置。
  3. 前記第1の配線基板は、PCB、CLCC及びPLCCより成る群から選択されたいずれか一つより成ることを特徴とする、請求項に記載の固体撮像用半導体装置。
  4. 前記第2の配線基板は、FPC、一つ以上の軟質PCBと一つ以上の硬質PCBの組合及びソケットタイプパッケージより成る群から選択されたいずれか一つより成ることを特徴とする、請求項に記載の固体撮像用半導体装置。
  5. 前記第1の配線基板と前記半導体チップは、ワイヤーボンディングにより電気的に連結されることを特徴とする、請求項に記載の固体撮像用半導体装置。
  6. 前記第1の配線基板と前記半導体チップは、フリップチップボンディングにより電気的に連結されることを特徴とする、請求項に記載の固体撮像用半導体装置。
  7. 前記固体撮像用レンズと所定の間隔をおいて対向し、前記固体撮像用レンズと前記半導体チップとの間に位置し、前記レンズ部内に固定位置する赤外線遮断用フィルターをさらに含むことを特徴とする、請求項に記載の固体撮像用半導体装置。
  8. 前記第2の配線基板の側面に形成された外部連結端子をさらに含むことを特徴とする、請求項に記載の固体撮像用半導体装置。
  9. 第2の配線基板を提供する段階と、
    前記第2の配線基板上に前記第2の配線基板と電気的に連結され、内部に開口部を備え、上部が内側面から前記開口部内へ突出して前記内側面に段差部が形成された第1の配線基板を提供する段階と、
    前記開口部内に配置される半導体チップを前記第2の配線基板上に接合する段階と、
    前記半導体チップを前記第1の配線基板と電気的に連結する段階と、
    前記第1の配線基板の上面に固体撮像用レンズを備えるレンズ部を形成する段階と、
    を含むことを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
  10. 前記半導体チップを前記第1の配線基板と電気的に連結する段階は、フリップチップボンディングを用いることを特徴とする、請求項に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
  11. 前記半導体チップを前記第1の配線基板と電気的に連結する段階は、ワイヤーボンディングを用いることを特徴とする、請求項に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
  12. 前記第2の配線基板の側面に外部連結端子を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
  13. 前記第1の配線基板は、PCB、CLCC及びPLCCより成る群から選択されたいずれか一つより成ることを特徴とする、請求項に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
  14. 前記第2の配線基板は、FPC、一つ以上の軟質PCBと一つ以上の硬質PCBの組合及びソケットタイプパッケージより成る群から選択されたいずれか一つより成ることを特徴とする、請求項に記載の固体撮像用半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4864364B2 (ja) * 2005-07-11 2012-02-01 Hoya株式会社 電子内視鏡用撮像ユニット
KR100721163B1 (ko) * 2005-09-27 2007-05-23 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈과 이를 이용한 카메라 모듈 및 카메라모듈의 제조방법
JP2007173496A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子用パッケージおよび固体撮像装置
US7498646B2 (en) * 2006-07-19 2009-03-03 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Structure of image sensor module and a method for manufacturing of wafer level package
JP4923967B2 (ja) 2006-11-14 2012-04-25 凸版印刷株式会社 固体撮像装置及び電子機器
US7659617B2 (en) * 2006-11-30 2010-02-09 Tessera, Inc. Substrate for a flexible microelectronic assembly and a method of fabricating thereof
JP5082542B2 (ja) * 2007-03-29 2012-11-28 ソニー株式会社 固体撮像装置
CN100561736C (zh) * 2007-05-25 2009-11-18 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像感测器封装结构及其应用的成像模组
CN101349797A (zh) * 2007-07-16 2009-01-21 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像撷取模块及其镜头座
JP4413956B2 (ja) * 2007-08-21 2010-02-10 新光電気工業株式会社 カメラモジュール及び携帯端末機
KR100928011B1 (ko) * 2007-12-20 2009-11-24 삼성전기주식회사 이미지센서 모듈과 그 제조방법, 그리고 이를 포함하는카메라 모듈
KR100947971B1 (ko) * 2008-07-18 2010-03-15 삼성전기주식회사 모바일 기기용 카메라모듈
JP5197421B2 (ja) * 2009-02-17 2013-05-15 新光電気工業株式会社 カメラモジュール
CN101998035B (zh) * 2009-08-24 2013-07-03 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 相机模组及其组装方法
KR20110127913A (ko) * 2010-05-20 2011-11-28 삼성전자주식회사 카메라 모듈
JP5491628B2 (ja) * 2010-06-28 2014-05-14 京セラ株式会社 配線基板および撮像装置ならびに撮像装置モジュール
CN102569594A (zh) * 2010-12-24 2012-07-11 展晶科技(深圳)有限公司 封装载体及采用该封装载体的发光二极管封装结构
US8872293B2 (en) * 2011-02-15 2014-10-28 Sony Corporation Solid-state imaging device and method of manufacturing the same and electronic apparatus
JP2013243340A (ja) 2012-04-27 2013-12-05 Canon Inc 電子部品、実装部材、電子機器およびこれらの製造方法
JP6296687B2 (ja) 2012-04-27 2018-03-20 キヤノン株式会社 電子部品、電子モジュールおよびこれらの製造方法。
JP5885690B2 (ja) 2012-04-27 2016-03-15 キヤノン株式会社 電子部品および電子機器
CN103400848B (zh) * 2013-08-14 2015-08-12 中国电子科技集团公司第四十四研究所 用于倍增电荷耦合器件的封装结构
JP6939561B2 (ja) * 2015-11-24 2021-09-22 ソニーグループ株式会社 撮像素子パッケージ、撮像装置及び撮像素子パッケージの製造方法
WO2017092695A2 (zh) * 2015-12-01 2017-06-08 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其电气支架
KR20170099444A (ko) 2016-02-23 2017-09-01 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US10290672B2 (en) 2016-05-31 2019-05-14 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor semiconductor packages and related methods
US10272678B2 (en) * 2016-11-18 2019-04-30 Ricoh Company, Ltd. Liquid discharge head, liquid discharge device, and liquid discharge apparatus
CN108649041B (zh) * 2018-04-16 2021-01-26 复旦大学 一种基于复合互连衬底的芯片封装结构及其方法
JP7336261B2 (ja) * 2019-05-22 2023-08-31 キヤノン株式会社 撮像ユニット及び撮像装置
KR20210023195A (ko) 2019-08-22 2021-03-04 삼성전자주식회사 인쇄 회로 기판을 포함하는 카메라 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001358997A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2002246574A (ja) * 2001-02-15 2002-08-30 Citizen Electronics Co Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2003158252A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58140156A (ja) * 1982-02-16 1983-08-19 Canon Inc 固体撮像装置
US5040069A (en) * 1989-06-16 1991-08-13 Fuji Photo Optical Co., Ltd. Electronic endoscope with a mask bump bonded to an image pick-up device
US5418566A (en) * 1990-09-10 1995-05-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Compact imaging apparatus for electronic endoscope with improved optical characteristics
JP3793454B2 (ja) 2001-12-19 2006-07-05 富士写真フイルム株式会社 撮像素子パッケージユニット
JP2003259169A (ja) 2002-03-05 2003-09-12 Fuji Photo Film Co Ltd 電子機器、撮像モジュール、および実装方法
JP4359072B2 (ja) * 2002-05-07 2009-11-04 三井化学株式会社 固体撮像素子装着用パッケージ
KR100514917B1 (ko) 2002-05-07 2005-09-14 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 고체 촬상소자 장착용 패키지
US7005310B2 (en) * 2002-08-14 2006-02-28 Renesas Technology Corporation Manufacturing method of solid-state image sensing device
KR200308381Y1 (ko) 2002-10-25 2003-03-28 카스크테크놀러지 주식회사 이미지 품질과 소형화를 위한 디지털 이미지 센서 모듈

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001358997A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2002246574A (ja) * 2001-02-15 2002-08-30 Citizen Electronics Co Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2003158252A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法

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