JP4589439B2 - カーボンナノチューブ複合物の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、複合物の製造方法に関し、特にカーボンナノチューブ複合物の製造方法に関するものである。
カーボンナノチューブは1991年に発見された新しい一次元ナノ材料となるものである。カーボンナノチューブは高い引張強さ及び高い熱安定性を有し、また、異なる螺旋構造により、金属にも半導体にもなる。カーボンナノチューブは、理想的な一次元構造を有し、優れた力学機能、電気機能及び熱学機能などを有するので、材料科学、化学、物理などの科学領域、例えば、フィールドエミッタ(field emitter)を応用した平面ディスプレイ、単一電子デバイス、(single−electron device)、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope, AFM)のプローブ、熱センサー、光センサー、フィルターなどに広くに応用されている。
現在、カーボンナノチューブを基質に分散して混合材料を形成して、スクリーン印刷法又は化学気相堆積法により、該混合材料を基板に塗布して、カーボンナノチューブ複合物を形成することができる。該カーボンナノチューブ複合物は、カーボンナノチューブ及び前記基質の特性を有する。
Kaili Jiang、Qunqing Li、Shoushan Fan、"Spinning continuous carbon nanotube yarns"、Nature、2002年、第419巻、p.801
しかし、従来の前記カーボンナノチューブ複合物の製造方法は次の課題がある。第一に、前記カーボンナノチューブ複合物の製造方法は複雑であるので、前記カーボンナノチューブ複合物のコストが高い。第二に、前記カーボンナノチューブ複合物において、カーボンナノチューブが凝集しやすいので、前記カーボンナノチューブ複合物の強度及び強靱性が低くなる。第三に、前記カーボンナノチューブ複合物において、カーボンナノチューブが不均一及び不規則に配列されているので、カーボンナノチューブの導電特性及び熱伝導特性を十分に利用することができない。
従って、本発明は、前記課題を解決するために、コストが低いカーボンナノチューブ複合物を製造することができる製造方法を提供する。
本発明のカーボンナノチューブ複合物の製造方法は、複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体における各々のカーボンナノチューブの表面に、少なくとも一つの導電性層を被覆する第二ステップと、を含む。
前記第一ステップにおいては、前記カーボンナノチューブ構造体が、少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを含む。
前記第一ステップは、カーボンナノチューブアレイを提供する第一サブステップと、前記カーボンナノチューブアレイからカーボンナノチューブフィルムを引き出す第二サブステップと、を含む。
前記第二ステップは、少なくとも一つの気化源を含む真空装置を提供する第一サブステップと、前記少なくとも一つの気化源を加熱させて、前記カーボンナノチューブフィルムの表面に金属材料を堆積させる第二サブステップと、を含む。
前記第二ステップにおいては、複数の前記気化源を前記真空装置の中に設置し、前記複数の気化源が対向して設置されている。
前記導電性層の厚さは、1nm〜20nmである。
本発明のカーボンナノチューブ複合物の製造方法は、前記導電性層で被覆された前記カーボンナノチューブの表面に、強化層を形成する第三ステップを含む。
従来の技術と比べて、本発明は次の優れた点を有する。第一に、本発明のカーボンナノチューブ複合物は、端と端で接続された複数のカーボンナノチューブを含むので、前記カーボンナノチューブ複合物は高い強度及び強靭性を有する。第二に、前記カーボンナノチューブ複合物において、各々のカーボンナノチューブの表面に金属を被覆させるので、前記カーボンナノチューブ複合物は良好な導電性を有する。第三に、前記カーボンナノチューブ複合物は良好な光透過性を有するので、透明な導電構造体として利用されることができる。第四に、前記カーボンナノチューブ複合物の製造方法は簡単であるので、前記カーボンナノチューブ複合物のコストが低い。さらに、前記カーボンナノチューブ複合物を連続的に製造することができるので、本発明は、前記カーボンナノチューブ複合物の量産を実現することができる。
本発明のカーボンナノチューブ複合物の模式図である。 本発明のカーボンナノチューブ複合物における一本のカーボンナノチューブの断面図である。 本発明のカーボンナノチューブ複合物の製造方法のフローチャートである。 本発明のカーボンナノチューブ複合物の製造を示すである。 本発明のカーボンナノチューブフィルムのSEM写真である。 本発明のカーボンナノチューブ複合物のSEM写真である。 本発明のカーボンナノチューブ複合物のTEM写真である。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図1を参照すると、本実施形態のカーボンナノチューブ複合物100は、複数のカーボンナノチューブ111を含む。前記複数のカーボンナノチューブ111は同じ方向に沿って、前記複数のカーボンナノチューブ複合物100の表面に平行に配列されている。前記複数のカーボンナノチューブ111は分子間力で端と端が結合されている。前記複数のカーボンナノチューブ111は、複数のカーボンナノチューブセグメント(図示せず)に形成されている。単一の前記カーボンナノチューブセグメントは、長さが同じ、平行に配列された複数のカーボンナノチューブ111を含む。隣接する前記カーボンナノチューブセグメントは、分子間力で端と端が結合されている。前記複数のカーボンナノチューブセグメントは、同じ厚さや幅、形状などを有する。
図2を参照すると、各々の前記カーボンナノチューブ111を囲むように、各々の前記カーボンナノチューブ111の外表面に、外部層(図示せず)を形成する。前記外部層は、濡れ層112と、過渡層113と、導電層114と、抗酸化層115と、を含む。前記濡れ層112は、最も前記カーボンナノチューブ111の外表面に近く設置され、前記カーボンナノチューブ111の外表面に接触する。前記過渡層113は、前記濡れ層112を覆うように設置されている。前記導電層114は、前記過渡層113を覆うように設置されている。前記抗酸化層115は、前記導電層114を覆うように設置されている。
カーボンナノチューブが金属で濡れ難いので、前記濡れ層112を設置することにより、前記カーボンナノチューブ111と前記導電層114とを効果的に結合させることができる。前記濡れ層112は、ニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)、チタニウム(Ti)及びそれらの一種の合金からなる。前記濡れ層112の厚さは、1nm〜10nmである。本実施形態において、前記濡れ層112はニッケルからなり、その厚さが2nmである。前記濡れ層112を設置しないことができる。
前記過渡層113は、前記濡れ層112と前記導電層114とを結合させるために設置されている。前記過渡層113は、銅、銀及びその一種の合金からなる。前記過渡層113の厚さは、1nm〜10nmである。本実施形態において、前記過渡層113は銅からなり、その厚さが2nmである。前記過渡層113を設置しないことができる。
前記導電層114は、前記カーボンナノチューブ複合物の導電性を高めるために設置されている。前記導電層114は、金、銅、銀及びその一種の合金からなる。前記導電層114の厚さは、1nm〜20nmである。本実施形態において、前記導電層114は銀からなり、その厚さが5nmである。
前記抗酸化層115は、前記カーボンナノチューブ複合物の酸化を防ぐために設置されている。前記抗酸化層115は、銅、白金などの抗酸化金属及びその一種の合金からなる。前記抗酸化層115の厚さは、1nm〜10nmである。本実施形態において、前記抗酸化層115は白金からなり、その厚さが2nmである。前記抗酸化層115を設置しないことができる。
さらに、前記カーボンナノチューブ複合物の強靭性を高めるために、前記抗酸化層115を覆うように強化層116を設置することができる。前記強化層116は、ポリ酢酸ビニル(polyvinyl acetate,PVA)、ポリ塩化ビニル(polyvinyl chloride,PVC)、ポリエチレン(polyethylene,PE)、パラフェニレンベンゾビスオキサゾール(paraphenylene benzobisoxazole,PBO)のいずれか一種からなる。前記強化層116の厚さは、0.1μm〜1μmである。本実施形態において、前記強化層116はPVAからなり、その厚さが0.5μmである。前記強化層116を設置しないことができる。
図3及び図4を参照すると、カーボンナノチューブ複合物222の製造方法は、複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体214を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体214における各々のカーボンナノチューブの表面に、少なくとも一つの導電性層を設置する第二ステップと、を含む。
前記第一ステップにおいて、前記カーボンナノチューブ構造体214は、少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを含む。前記第一ステップは、さらに、カーボンナノチューブアレイ216を提供する第一サブステップと、前記カーボンナノチューブアレイ216からカーボンナノチューブフィルム214を引き出す第二サブステップと、を含む。
前記第一ステップの第一サブステップにおいて、前記カーボンナノチューブアレイ216は超配列カーボンナノチューブアレイ(Superaligned array of carbon nanotubes,非特許文献1)であることが好ましい。
本実施形態において、化学気相堆積(CVD)法により前記カーボンナノチューブアレイ216を成長させる。まず、基材を提供する。該基材としては、P型又はN型のシリコン基材、又は表面に酸化物が形成されたシリコン基材が利用される。本実施形態において、厚さが4インチのシリコン基材を提供する。次に、前記基材の表面に触媒層を蒸着させる。該触媒層は、Fe、Co、Ni又はそれらの合金である。次に、前記触媒層が蒸着された前記基材を、700〜900℃、空気雰囲気において30〜90分間アニーリングする。最後に、前記基材を反応装置内に置いて、保護ガスを導入すると同時に前記基材を500〜700℃に加熱して、5〜30分間カーボンを含むガスを導入する。
これにより、高さが200〜400μmの超配列カーボンナノチューブアレイ216が形成される。前記超配列カーボンナノチューブアレイ216は、相互に平行で基材に垂直に成長する複数のカーボンナノチューブからなる。前記カーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ又は多層カーボンナノチューブである。該カーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブが単層カーボンナノチューブである場合、該カーボンナノチューブの直径は0.5nm〜50nmである。該カーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブが二層カーボンナノチューブである場合、該二層カーボンナノチューブの直径は1nm〜50nmである。該カーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブが多層カーボンナノチューブである場合、該多層カーボンナノチューブの直径は1.5nm〜50nmである。
本実施形態において、前記カーボンを含むガスは、エチレン、メタン、アセチレン、エタン、またはその混合物などの炭化水素であり、保護ガスは窒素やアンモニアなどの不活性ガスである。勿論、前記カーボンナノチューブアレイは、アーク放電法又はレーザー蒸発法でも得られる。前記方法により、前記超配列カーボンナノチューブアレイにアモルファスカーボン又は触媒剤である金属粒子などの不純物が残らず、純粋なカーボンナノチューブアレイが得られる。
前記第一ステップの第二サブステップにおいて、まず、ピンセットなどの工具を利用して複数のカーボンナノチューブの端部を持つ。本実施形態において、一定の幅を有するテープを利用して複数のカーボンナノチューブの端部を持つ。次に、所定の速度で前記複数のカーボンナノチューブを引き出し、複数のカーボンナノチューブ束からなる連続のカーボンナノチューブフィルム214を形成する。
前記複数のカーボンナノチューブを引き出す工程において、前記複数のカーボンナノチューブがそれぞれ前記基材から脱離すると、原子間力で前記カーボンナノチューブ束が端と端で接合され、連続のカーボンナノチューブフィルム214が形成される。図5を参照すると、前記カーボンナノチューブフィルム214は、所定の方向に沿って配列し、端と端で接合される複数のカーボンナノチューブからなる一定の幅を有するフィルムである。前記カーボンナノチューブフィルム214は、均一な導電性及び均一な厚さを有する。このカーボンナノチューブフィルム214の製造方法は、高効率で簡単であり、工業的に実用される。
前記カーボンナノチューブフィルム214の寸法は、前記カーボンナノチューブアレイ216に関係する。例えば、4インチの基板に成長された前記カーボンナノチューブアレイ216から、幅が0.01cm〜10cm、厚さが0.5nm〜100μmであるカーボンナノチューブフィルム214を引き出すことができる。
前記第二ステップにおいて、例えば、真空蒸着法又はスパッタ法などの物理気相堆積法(physical vapor deposition,PVD)を利用して、前記カーボンナノチューブフィルム214の表面に一つの導電性層を堆積させる。本実施形態において、真空蒸着法を利用する。
前記第二ステップは、さらに、少なくとも一つの気化源212を含む真空装置210を提供する第一サブステップと、前記少なくとも一つの気化源212を加熱させて、前記カーボンナノチューブフィルム214の表面に少なくとも一つの導電層を堆積させる第二第二サブステップと、を含む。
前記第二ステップの第一サブステップにおいて、前記真空装置210は、堆積空間(図示せず)を備えている。前記堆積空間の上方及び下方に、対応して複数の前記気化源212が設置されている。前記堆積空間の上方に設置された前記気化源212は、前記堆積空間の下方に設置された前記気化源212と一つずつ対向して設置されている。対向する前記二つの気化源212は、同じ金属材料を含む。前記カーボンナノチューブフィルム214の一つ表面を、前記堆積空間の上方に設置された前記気化源212に対向させ、前記カーボンナノチューブフィルム214の前記表面と反対する表面を、前記堆積空間の上方に設置された前記気化源212に対向させるように、前記カーボンナノチューブフィルム214を前記真空装置210の中に設置する。前記カーボンナノチューブフィルム214を前記気化源212に接触させないように、前記対向する二つの気化源212の間から通す。真空ポンプ(図示せず)を利用して、前記真空装置210を真空化させることができる。
前記第二ステップの第二サブステップにおいて、加熱装置(図示せず)を利用して、前記気化源212を加熱さて、前記気化源212に含まれた金属材料を気化させて気化金属材料を形成する。前記気化金属材料は前記カーボンナノチューブフィルム214と接触すると、それぞれ前記カーボンナノチューブフィルム214の対向する二つの表面に凝固される。前記カーボンナノチューブフィルム214が非常に薄く、また、前記カーボンナノチューブフィルム214において、隣接するカーボンナノチューブの間に微小な隙間があるので、前記気化金属材料を、隣接するカーボンナノチューブの間に浸潤させることができる。これにより、前記気化金属材料は、冷却された後で、前記カーボンナノチューブフィルム214におけるカーボンナノチューブの表面に被覆され、カーボンナノチューブ複合物222が形成される。図6及び図7は、カーボンナノチューブ複合物222を示す図である。
実際の条件により、前記対向する二つの気化源212の間の距離、及び前記カーボンナノチューブフィルム214と前記気化源212との間の距離を調整することができる。前記カーボンナノチューブフィルム214の表面に異なる材料を被覆させる場合、前記カーボンナノチューブフィルム214の表面に塗布しようとする異なる材料の順番によって、前記カーボンナノチューブフィルム214におけるカーボンナノチューブの長手方向に沿って、前記異なる材料を含む気化源212を設置する。作業する場合、前記カーボンナノチューブフィルム214を前記気化源212の間に移動して、前記カーボンナノチューブフィルム214の表面に異なる材料を被覆させることができる。
前記気化金属材料の酸化を防止し、前記気化金属材料の密度を高めるために、前記真空装置の中の真空度を1Pa以下に設定することができる。本実施形態において、前記真空度は、4×10−4Paである。
なお、前記第一ステップで提供されたカーボンナノチューブアレイ216を直接前記真空装置210に設置することができる。前記真空装置210の中で、カーボンナノチューブアレイ216から前記カーボンナノチューブフィルム214を引き出して、前記対向する二つの気化源212の間を通して、前記カーボンナノチューブフィルム214の表面を前記金属材料で被覆させることができる。
さらに、前記第二ステップは、前記カーボンナノチューブ214の表面に濡れ層を形成する第一サブステップと、前記濡れ層の表面に過渡層を形成する第二サブステップと、前記過渡層の表面に導電層を形成する第三サブステップと、前記導電層の表面に抗酸化層を形成する第四サブステップと、を含むことができる。前記第一サブステップ及び第二サブステップ及び第四サブステップは、選択的な工程である。
さらに、本実施形態のカーボンナノチューブ複合物の製造方法は、前記カーボンナノチューブ複合物の表面に強化層(図示せず)を設置する第三ステップを含むことができる。ポリマー溶液で前記カーボンナノチューブ複合物を浸漬させて、前記カーボンナノチューブ複合物の表面に強化層を形成させることができる。前記第三ステップは、前記真空装置210の中で行われる。これにより、連続な製造工程を実現することができる。勿論、前記カーボンナノチューブ複合物を、前記ポリマー溶液が入った容器220に浸漬させて、前記カーボンナノチューブ複合物の表面に強化層を形成させることができる。
さらに、本実施形態のカーボンナノチューブ複合物をローラー260に巻いてまとめることができる。
本実施形態において、前記第一ステップで提供されたカーボンチューブフィルム214の抵抗は1600Ωである。前記カーボンチューブフィルム214にNi及びAuを被覆させることでカーボンチューブ複合物222の抵抗を、200Ω程度に下げることができる。前記カーボンチューブ複合物222の光透過率は、85%〜95%程度に達することができる。従って、本発明のカーボンチューブ複合物は、抵抗が低く、光透過性が高いという優れた点があるので、透明な導電構造体として利用することができる。
100 カーボンナノチューブ複合物
111 カーボンナノチューブ
112 濡れ層
113 過渡層
114 導電層
115 抗酸化層
116 強化層
210 真空装置
212 気化源
214 カーボンナノチューブフィルム
216 カーボンナノチューブアレイ
220 溶液
222 カーボンナノチューブ複合物
260 ローラー

Claims (7)

  1. 複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体を提供する第一ステップであって
    前記第一ステップにおける前記カーボンナノチューブ構造体は、少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムよりなり、
    カーボンナノチューブアレイを提供する第一サブステップと、
    前記カーボンナノチューブアレイからカーボンナノチューブフィルムを引き出す第二サブステップと、
    を備えた前記第一ステップと、
    前記カーボンナノチューブ構造体における各々のカーボンナノチューブの表面に、濡れ層と、過渡層と、電層と、抗酸化層と順次に被覆する第二ステップであって
    前記濡れ層、過渡層、導電層、及び抗酸化層の気化源を含む真空装置を提供する第一サブステップと、
    前記濡れ層、過渡層、導電層、及び抗酸化層の気化源を加熱させて、前記カーボンナノチューブフィルムの表面に各層の材料を順次に堆積させる第二サブステップと、
    を備えた前記第二ステップと、
    を含むことを特徴とするカーボンナノチューブ複合物の製造方法。
  2. 前記導電層の厚さが、1nm〜20nmであることを特徴とする、請求項1に記載のカーボンナノチューブ複合物の製造方法。
  3. 前記濡れ層と、過渡層と、導電層と、抗酸化層とが被覆された前記カーボンナノチューブの表面に、強化層を形成する第三ステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載のカーボンナノチューブ複合物の製造方法。
  4. 前記濡れ層は、ニッケル、パラジウム、チタニウム及びそれらの一種の合金から選択されることを特徴とする、請求項1に記載のカーボンナノチューブ複合物の製造方法。
  5. 前記過渡層は、銅、銀及びそれらの一種の合金から選択されることを特徴とする、請求項1に記載のカーボンナノチューブ複合物の製造方法。
  6. 前記導電層は、金、銅、銀及びそれらの一種の合金から選択されることを特徴とする、請求項1に記載のカーボンナノチューブ複合物の製造方法。
  7. 前記抗酸化層は、銅、白金及びそれら一種の合金から選択されることを特徴とする、請求項1に記載のカーボンナノチューブ複合物の製造方法。
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