JP5896422B2 - Cnt金属複合材 - Google Patents
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- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 title claims description 314
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 123
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 105
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 105
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 69
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 67
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 26
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 15
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910017488 Cu K Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017541 Cu-K Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 claims description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 description 65
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 63
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 38
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 31
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 description 25
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 16
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 13
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 11
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 6
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 6
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 6
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 4
- -1 aluminum halide Chemical class 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 4
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical class CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000009771 scanning electron microscopy-energy dispersive analysis Methods 0.000 description 3
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- HHPQHMAHYTVPER-UHFFFAOYSA-L C(C)(=O)[O-].[Cu+2].C(C)#N.C(C)(=O)[O-] Chemical compound C(C)(=O)[O-].[Cu+2].C(C)#N.C(C)(=O)[O-] HHPQHMAHYTVPER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000002336 sorption--desorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNSRKGXDPRKDEJ-UHFFFAOYSA-J C(C)#N.C(C)(=O)[O-].[Sn+4].C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-] Chemical compound C(C)#N.C(C)(=O)[O-].[Sn+4].C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-] LNSRKGXDPRKDEJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- NZNXNQFTCZYKFK-UHFFFAOYSA-L C(C)(=O)[O-].C(C)#N.[Ni+2].C(C)(=O)[O-] Chemical compound C(C)(=O)[O-].C(C)#N.[Ni+2].C(C)(=O)[O-] NZNXNQFTCZYKFK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910008065 Si-SiO Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006405 Si—SiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- IDGUHHHQCWSQLU-UHFFFAOYSA-N ethanol;hydrate Chemical compound O.CCO IDGUHHHQCWSQLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000000352 supercritical drying Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/006—Nanoparticles
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/18—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Nanotechnology (AREA)
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- Dispersion Chemistry (AREA)
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Description
ここで、本実施形態に係るCNTについて説明する。本実施形態に係るCNT11は、単層CNT(SWNT)が好ましい。本実施形態に係る単層CNTとしては、比表面積が、未開口のCNTが主であれば、800m2/g以上が好ましく、1000m2/g以上がより好ましい。また、開口のCNTが主であれば1300m2/g以上が好ましく、1500m2/g以上がより好ましい。CNTの比表面積は、大きければ大きいほど好ましいが、理論的計算によれば、未開口のものは1300m2/g程度であり、開口したものは2600m2/g程度であると説明されている。上述のような高比表面積を有する単層CNTを出するCNT集合体は、CNT金属複合材において金属とCNTの界面密度が高く、金属とCNTの特性を併せ持つ優れたCNT金属複合材を製造することができる。
ここで、本実施形態に係るCNT金属複合材100のめっきに用いる金属について説明する。本明細書で、めっき金属とは、めっき処理を施すことができる金属のことを意味する。CNT金属複合材100のめっきに用いる金属としては、金、銅、銀、ニッケル、亜鉛、クロム、白金、スズ又はそれらの合金、或いは半田から選択することができる。本実施形態に係る金属は、これらに限定されるものではないが、これらの金属は高い導電性を有するため、CNT金属複合材100のめっきに好適に用いることができる。特に銅は導電性が高く、貴金属に比して安価であるため、工業材料として好適である。
本実施形態に係るCNT金属複合材100は、基板に載置して形成することができる。本実施形態に係る基板は、CNT集合体10が載置可能なものであれば、特に限定されない。一般に配線や回路等形成される基板であればよく、シリコン、シリコンカーバイド(SiC)、サファイア、リン化ガリウム(GaP)、ヒ化ガリウム(GaAs)ウェハー、リン化インジウム(InP)、窒化ガリウム(GaN)等の半導体基板、ガラス、導電性を有するSUS304などのステンレス鋼やYEF42−6合金等の金属基板、ポリアリレート(PAR)やポリエーテルスルホン(PES)、ポリカーボネート(PC)、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のプラスチック基板等何れであってもよい。一方、CNT金属複合材100が導電性を有することから、本実施形態に係る基板は、少なくともCNT金属複合材100を載置する面は絶縁性の表面を備えることが好ましい。絶縁性の表面を備える基板にCNT金属複合材100載置することで、CNT金属複合材100をパターニングして、配線や回路を形成することができる。
本実施形態に係るCNT金属複合材100は、基板に当接する第1の部分、基板から離間する第2の部分、及び、第1の部分と第2の部分とを連結する第3の部分を備える構造を有することができる。図4(a)及び図4(b)は、その構造の概念図である。図4(a)において、CNT金属複合材100は、基坂150に当接する第1の部分101と、基坂150から空間191をおいて離間する(この例では基坂150の上面から離間している)第2の部分103と、第1の部分101と第2の部分103とを連結する屈曲した第3の部分105とから構成される。また、図4(b)に示したように、CNT金属複合材100は、基部150に当接する第1の部分101より下方に第2の部分103が位置し、基部150の適所に段部193を形成することもできる。
本実施形態に係るCNT金属複合材100の製造方法を以下に説明する。図13は、CNT金属複合材100の製造方法を示す模式図である。CNT金属複合材100の製造は、(a)液体窒素の吸着等温線からBJH法で求めた細孔径の分布極大が50nm以下であるCNT集合体10を準備する工程と、(b)CNT集合体10を電解めっき液に浸漬し、電解めっきする第1の電解めっき工程と、(c)電解めっきされたCNT集合体110をアニールする工程と、を備える。
上述したように、本発明に係るCNT金属複合材100は、パターニングすることもできる。本発明に係るパターニングされたCNT金属複合材は、図12(b)に示したように、CNT集合体をパターニングして電解めっきを施すことで製造できる。まず、板状のCNT金属複合材200の製造方法について説明する。板状のCNT金属複合材200は、板状のCNT集合体210を電解めっきすることにより製造する。図16は、板状のCNT集合体210の製造工程を示す模式図である。板状のCNT集合体210は、上述したCNT集合体10を準備する工程において、特願2008−038029などに記載の方法を用いればよく、パターニングされた触媒層を用いて、パターニングされた板状のCNT集合体213を合成し、CNT倒伏工程を施すことにより基板上に板状のCNT集合体210を製造することができる。本実施形態の板状のCNT集合体210の製造工程においては、図16(a)に示した触媒層5021の膜厚は、触媒として用いる金属に応じた最適値に設定すればよく、例えば、鉄金属を用いた場合には、0.1nm以上100nm以下が好ましい。触媒層5021の幅は、最終的に用いるパターニングされた配線等の所要厚さに応じて設定することができ、高密度化後における板状のCNT集合体210の厚さの5〜20倍程度の値に設定される。
次に、CNT集合体をパターンニングすることにより、パターン形成したCNT金属複合材300を製造する方法について説明する。例えば、図17(a)に示すような予め凹部5013を形成した基板5011の上部表面にCNT配向集合体313を合成して、CNT倒伏工程を施すことにより、図17(b)に示す凹部5013の上方に架橋された板状のCNT集合体310を製造することができる。板状のCNT集合体310をパターニングすることで、配線や回路を制することができる。以下ではパターニングする方法について説明する。パターニング工程においては、CNT集合体310の表面に所定パターンのレジスト層を形成し、次いでCNT集合体310におけるレジスト層から露出した部分をエッチングにより除去し、その後にレジスト層を除去する。これにより、図17(c)に示した基板5011に予め形成された凹部5013の上方に架橋された両持ちの梁状のCNT金属複合材301、あるいは図17(d)に示した基板5011に予め形成された段差5013の上方に張り出した遊端を備えた片持ち梁状のCNT金属複合材303が作製される。
本実施例においては、上述したCNT金属複合材100の製造例について説明する。まず、CNT集合体を準備する工程において、特願2010−544871、特願2009−144716の製造方法でシリコン基板上にCNT配向集合体13を合成し、触媒粒子や炭素不純物が混入しないように、CNT配向集合体13をシリコン基板から剥離した。剥離したCNT配向集合体13は0.5mmの厚さの新しいシリコン基板2枚で挾み、下側のシリコン基板を静止させた状態で、上側のシリコン基板を剪断して、クリップで固定した。このようにして、剪断方向に配向し準高密度化したCNT集合体10を得た。CNT集合体10のBJH法で求めた細孔径の分布極大は8nmであった。
実施例2として、CNT金属複合材600のパターン形成方法について具体例を示す。本実施例においては、線状CNT金属複合材及び基板上に載置されたCNT金属複合材、電導体、配線及び回路について説明する。
実施例1と同様にCNT配向集合体10を得た後、実施例1の方法で、4.2mMの酢酸スズ アセトニトリル溶液を用いて、5mA/cm2で24時間電解メッキを行った。得られた複合材料の体積抵抗率は2×10−3Ω・cmであった。金属に帰属される最も強度の大きいピークと前記金属の酸化物に帰属される最も強度の大きいピークとの強度比が100であった。
実施例1と同様にCNT配向集合体10を得た後、実施例1の方法で、1.1mMの酢酸ニッケル アセトニトリル溶液を用いて、5mA/cm2で24時間電解メッキを行った。得られた複合材料の体積抵抗率は1×10−3Ω・cmであった。金属に帰属される最も強度の大きいピークと前記金属の酸化物に帰属される最も強度の大きいピークとの強度比が50であった。
Claims (24)
- 配向しているCNTの表面に金属を被着してなるCNT集合体を備えるCNT金属複合材であって、
前記CNT金属複合材は、集合部と離散部とを備えるCNTマトリックス構造を備え、
前記CNTマトリックス構造は、前記離散部の内部のCNTに金属が被着可能な空間を備え、前記CNT集合体の外部表面及び前記CNT集合体の内部のCNTに金属が被着し、
前記CNTは束になった繊維状を備え、且つ前記繊維状のCNTの長さは2μm以上を備え、
前記金属が20体積含有率以上70体積含有率以下を備え、且つ
体積抵抗率が、2×10 -6 Ω・cm以上5×10 -3 Ω・cm以下を備えることを特徴とするCNT金属複合材。 - 線源としてCu−Kα線を用いて前記CNT金属複合材の外面から内部に向けてX線を照射して前記CNT金属複合材をX線回折分析したときに、前記金属に帰属される最も強度の大きいピークと前記金属の酸化物に帰属される最も強度の大きいピークとの強度比が10以上であることを特徴とする請求項1に記載のCNT金属複合材。
- 前記CNT集合体は、細孔径の分布極大が50nm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のCNT金属複合材。
- BET比表面積が0.1m2/g以上100m2/g以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のCNT金属複合材。
- 前記CNTの少なくとも一部が、配向していることを特徴とする請求項1又は2に記載のCNT金属複合材。
- 前記CNT金属複合材がパターニングされていることを特徴とする請求項1又は2に記載のCNT金属複合材。
- 前記CNT金属複合材を基板に載置してなることを特徴とする請求項1又は2に記載のCNT金属複合材。
- 前記CNT金属複合材を載置する前記基板の表面が絶縁性を備えることを特徴とする請求項7に記載のCNT金属複合材。
- 前記CNT金属複合材の少なくとも一部が酸化防止のための膜により被覆されることを特徴とする請求項1又は2に記載のCNT金属複合材。
- 前記金属が、めっき金属であることを特徴とする請求項1又は2に記載のCNT金属複合材。
- 前記金属が、金、銅、銀、ニッケル、亜鉛、クロム、白金、スズ又はそれらの合金、或いは半田から選択されることを特徴とする請求項10に記載のCNT金属複合材。
- 前記金属が、銅であることを特徴とする請求項10に記載のCNT金属複合材。
- 前記金属は銅であり、線源としてCu−Kα線を用いて、前記CNT金属複合材の外面から内部に向けてX線を照射して前記CNT金属複合材をX線回折分析して測定された(111)、(200)、(220)の強度の大きさが、回折角2θが40°以上80°以下の範囲で(111)>(200)>(220)であることを特徴とする請求項1又は2に記載のCNT金属複合材。
- 前記CNTが、単層CNTであることを特徴とする請求項1又は2に記載のCNT金属複合材。
- 前記CNT金属複合材が、板状であることを特徴とする請求項1又は2に記載のCNT金属複合材。
- 前記板状のCNT金属複合材は、外形寸法の奥行き、幅及び厚みの何れかが1μm以上であることを特徴とする請求項15に記載のCNT金属複合材。
- 前記板状のCNT金属複合材は、外形寸法の奥行き、幅及び厚みのうち2つ以上が1μm以上であることを特徴とする請求項15に記載のCNT金属複合材。
- 前記CNT金属複合材が、線状であることを特徴とする請求項1又は2に記載のCNT金属複合材。
- 前記線状のCNT金属複合材は、外形寸法の奥行き、幅及び厚みの何れかが1μm以上であることを特徴とする請求項18に記載のCNT金属複合材。
- 前記線状のCNT金属複合材は、外形寸法の奥行き、幅及び厚みのうち2つ以上が1μm以上であることを特徴とする請求項18に記載のCNT金属複合材。
- 請求項1又は2に記載のCNT金属複合材を備えることを特徴とする導電材。
- 請求項1又は2に記載のCNT金属複合材を備えることを特徴とする配線。
- 前記配線が所定の間隔で配置されていることを特徴とする請求項22に記載の配線。
- 請求項22に記載の配線を備えることを特徴とする回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012551064A JP5896422B2 (ja) | 2010-12-28 | 2011-12-28 | Cnt金属複合材 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010293099 | 2010-12-28 | ||
JP2010293099 | 2010-12-28 | ||
JP2012551064A JP5896422B2 (ja) | 2010-12-28 | 2011-12-28 | Cnt金属複合材 |
PCT/JP2011/080522 WO2012091139A1 (ja) | 2010-12-28 | 2011-12-28 | Cnt金属複合材及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012091139A1 JPWO2012091139A1 (ja) | 2014-06-09 |
JP5896422B2 true JP5896422B2 (ja) | 2016-03-30 |
Family
ID=46383226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012551064A Expired - Fee Related JP5896422B2 (ja) | 2010-12-28 | 2011-12-28 | Cnt金属複合材 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130299212A1 (ja) |
EP (1) | EP2660361A1 (ja) |
JP (1) | JP5896422B2 (ja) |
CN (1) | CN103298981A (ja) |
WO (1) | WO2012091139A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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- 2011-12-28 WO PCT/JP2011/080522 patent/WO2012091139A1/ja active Application Filing
- 2011-12-28 JP JP2012551064A patent/JP5896422B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-28 EP EP11852322.4A patent/EP2660361A1/en not_active Withdrawn
- 2011-12-28 CN CN2011800632059A patent/CN103298981A/zh active Pending
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- 2013-06-27 US US13/928,840 patent/US20130299212A1/en not_active Abandoned
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JPWO2012091139A1 (ja) | 2014-06-09 |
US20130299212A1 (en) | 2013-11-14 |
WO2012091139A1 (ja) | 2012-07-05 |
EP2660361A1 (en) | 2013-11-06 |
CN103298981A (zh) | 2013-09-11 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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