JP4565883B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/12—Programming voltage switching circuits
Description
2 半導体集積回路装置
3 コイル
4 RF部アナログ回路
5 マイコン部
6 整流回路
7 レギュレータ
8 基準電圧回路
9 受信回路
10 送信回路
11 検出回路
12 CPU
13 ROM
14 RAM
15 EEPROM
16 メモリセルアレイ
17 制御回路
18 メモリゲートドライバ
19 センスラッチ
20 入出力回路
21 ウェルデコーダ
22 昇圧回路(電圧生成部)
23 ライトステートマシーン(制御回路)
24 発振器(クロック信号制御部)
25 否定論理積回路(クロック信号制御部、クロック選択部)
26 否定論理積回路(クロック信号制御部、クロック選択部)
27 チャージポンプ(チャージポンプ回路)
28 スイッチ
29 抵抗(クロック停止検出部)
29a 抵抗(電圧検出部)
30 比較器(クロック停止検出部)
30a 比較器(電圧検出部)
LA,LB 接続端子
MS メモリセル(不揮発性メモリセル)
W0〜Wn ウェル
E/W 消去/書き込み制御信号
CL 低速クロック制御信号
CH 高速クロック制御信号
CCS 発振制御信号
CLKSTOP クロック停止信号
CLKPUMP 選択クロック信号
KS −4V検出信号
Vdd 内部電源電圧
Vref 基準電圧
Ipp 消費電流
Vpp 昇圧電圧
VCC 電源電圧
Claims (9)
- 外部のホスト機器と電磁結合により動作電力の供給を受け、またデータの入出力を行う半導体集積回路装置であって、
中央処理装置と、複数の不揮発性メモリセルと第1の電圧生成部とを有するメモリアレイと、第2の電圧生成部とを有し、
前記第2の電圧生成部は、
前記外部のホスト機器と電磁結合されるアンテナを介して供給された交流電圧を直流電圧に変換する整流回路を有し、前記中央処理装置と前記メモリアレイとに動作電圧を供給し、
前記第1の電圧生成部は、
前記第2の電圧生成部の供給する前記動作電圧を受け、
第1のクロック信号、および前記第1のクロック信号よりも高い周波数の第2のクロック信号を生成し、選択して出力するクロック信号制御部と、
前記クロック信号制御部から出力された第1のクロック信号、および第2のクロック信号を用いてポンピング動作による昇圧を行い、前記メモリアレイに供給する所定の電圧を生成するチャージポンプ回路とを備え、
前記クロック信号制御部は、
前記チャージポンプ回路に対して前記第1のクロック信号を出力した後、前記第2のクロック信号を出力し、
前記チャージポンプ回路は、
前記動作電圧の電圧低下を所定範囲内にするために、前記クロック信号制御部から出力された第1のクロック信号による昇圧動作の後、前記第2のクロック信号による昇圧動作を行い、前記不揮発性メモリセルに供給する所定の電圧を生成することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記クロック信号制御部は、
前記第1のクロック信号を所定の時間出力した後、前記第2のクロック信号を出力することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項2記載の半導体集積回路装置において、
前記クロック信号制御部は、
発振制御信号に基づいて、前記第1のクロック信号、および前記第2のクロック信号をそれぞれ生成する発振器と、
クロック制御信号に基づいて、前記発振器が生成した第1のクロック信号、または前記第2のクロック信号のいずれか一方の出力するクロック選択部と、
前記クロック選択部に前記第1のクロック信号を所定の時間出力させた後、前記第2のクロック信号を出力させる前記クロック制御信号を生成する制御回路とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項3記載の半導体集積回路装置において、
前記電圧生成部は、
前記所定の電圧の電圧レベルを検出し、前記所定の電圧が、最終到達電圧になった際にクロック停止信号を出力し、前記クロック信号制御部から出力されている前記第2のクロック信号を停止させるクロック停止検出部を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項2〜4のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、
前記制御回路が、前記第1のクロック信号を出力する時間は、前記所定の電圧が最終到達電圧となる時間の1/3程度であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記クロック信号制御部は、
前記チャージポンプ回路の昇圧動作時において、
前記所定の電圧が、任意の電圧値まで昇圧されるまで前記第1のクロック信号を出力した後、前記所定の電圧が規定電圧値になるまで前記第2のクロック信号を出力することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項6記載の半導体集積回路装置において、
前記クロック信号制御部は、
前記チャージポンプ回路から出力される電圧値を検出し、任意の電圧値になった際に電圧検出信号を出力する電圧検出部と、
発振制御信号に基づいて、前記第1のクロック信号、および前記第2のクロック信号をそれぞれ生成する発振器と、
前記電圧検出部から出力された電圧検出信号が入力されるまでは前記発振器が生成した第1のクロック信号を選択して出力し、前記電圧検出部から出力された電圧検出信号が入力された際に前記発振器が生成した第2のクロック信号を選択して出力するクロック選択部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項6または7記載の半導体集積回路装置において、
前記電圧検出部が検出する電圧は、前記所定の電圧における最終到達電圧の1/3程度であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項6〜8のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、
前記電圧生成部は、
前記所定の電圧の電圧レベルを検出し、前記所定の電圧が、最終到達電圧になった際にクロック停止信号を出力し、前記クロック信号制御部から出力されている前記第2のクロック信号を停止させるクロック停止検出部を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004130710A JP4565883B2 (ja) | 2004-04-27 | 2004-04-27 | 半導体集積回路装置 |
US11/115,132 US7251162B2 (en) | 2004-04-27 | 2005-04-27 | Nonvolatile memory with multi-frequency charge pump control |
US11/819,288 US7411831B2 (en) | 2004-04-27 | 2007-06-26 | Disk processing apparatus with voltage generating circuit having a boost ratio control |
US12/171,724 US7652924B2 (en) | 2004-04-27 | 2008-07-11 | Data processing circuit for contactless IC card |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004130710A JP4565883B2 (ja) | 2004-04-27 | 2004-04-27 | 半導体集積回路装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005318034A JP2005318034A (ja) | 2005-11-10 |
JP2005318034A5 JP2005318034A5 (ja) | 2007-06-21 |
JP4565883B2 true JP4565883B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=35136232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004130710A Expired - Fee Related JP4565883B2 (ja) | 2004-04-27 | 2004-04-27 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7251162B2 (ja) |
JP (1) | JP4565883B2 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6675272B2 (en) | 2001-04-24 | 2004-01-06 | Rambus Inc. | Method and apparatus for coordinating memory operations among diversely-located memory components |
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KR100884605B1 (ko) | 2007-09-17 | 2009-02-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자 |
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-
2004
- 2004-04-27 JP JP2004130710A patent/JP4565883B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-27 US US11/115,132 patent/US7251162B2/en active Active
-
2007
- 2007-06-26 US US11/819,288 patent/US7411831B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-11 US US12/171,724 patent/US7652924B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005318034A (ja) | 2005-11-10 |
US7411831B2 (en) | 2008-08-12 |
US20050237825A1 (en) | 2005-10-27 |
US20080279011A1 (en) | 2008-11-13 |
US20070247920A1 (en) | 2007-10-25 |
US7652924B2 (en) | 2010-01-26 |
US7251162B2 (en) | 2007-07-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070425 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091127 |
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A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100528 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100713 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100803 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4565883 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |