JP4873562B2 - 半導体装置及びicカード - Google Patents
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先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
次に、実施の形態について更に詳述する。
図2には、本発明に係る半導体装置を搭載したICカードが例示される。ICカード1は、プラスチック等で形成されたカード基板2に、ICカード用マイコンとされる半導体装置(LSI)3と、非接触インターフェース用のアンテナコイル4と、接触インターフェース用の接触端子5等を搭載したものである。半導体装置3は、アンテナコイル端子6a,6bを介してアンテナコイル4と接続されており、アンテナコイル4から非接触で情報の入出力を行い、接触インターフェース端子7を介して接触端子5と接続されており、接触して外部からの情報の入出力を行う。
図4には、不揮発性メモリの回路構成が概略的に例示されている。不揮発性メモリ10は、メモリアレイ(MARY)11を有する。メモリアレイ11は、行方向に図中の点線で囲む領域に対応する複数のウェル領域WEL0〜WELnに分割され、マトリクス配置された複数個の不揮発性メモリセル(MC)12とスイッチトランジスタ(SWTr)13とを有する。不揮発性メモリセル12は、MONOS構造のゲートを備えたトランジスタである。スイッチトランジスタ13は、N型のMOSトランジスタ(以下、nMOSという)である。各ウェル領域WEL0〜WELnでは、代表的に各々1本の共通ワード線MG0〜MGn,CG0〜CGnに対して8個の不揮発性メモリセル12とスイッチトランジスタ13が配置されている。共通ワード線MG0〜MGnは、不揮発性メモリセル12のメモリゲートに接続されている。共通ワード線CG0〜CGnは、スイッチトランジスタ13のコントロールゲートに接続されている。同一列に配置された不揮発性メモリセル12のドレイン電極は、スイッチトランジスタ13を介して対応するビット線b0〜b7に接続される。同一列に配置された不揮発性メモリセル12のソース電極は、対応するソース線S0〜S7に接続される。
図1には、電源回路の回路構成が例示される。電源回路30は、例えば書込み動作や消去動作時に負荷Bに要求される最終目標電圧Vppαを発生させる回路であって、チャージポンプ回路31と、判定回路32と、制御回路33とを有する。負荷Bは、ここでは動作選択された不揮発性メモリセル12の数に対応しているものとする。チャージポンプ回路31は、図6に例示するように、電源電圧Vccを昇圧し、昇圧電圧Vppを発生する回路であって、電源ノードと出力ノード間に各ノードN1〜N5を介して直列接続された複数のnMOSと、複数のキャパシタとを有する。nMOSは、電源ノードから出力ノードに向かう方向が順方向になるように接続される。複数のキャパシタは、一端が各ノードN1〜N5に接続され、他端から相補なクロック信号φ,/φを受けるように接続されている。ここでは、一端がノードN1,N3に接続されたキャパシタは、その他端にクロック信号φを受け、一端がノードN2,N4,N5に接続されたキャパシタは、その他端にクロック信号/φを受ける。このように、チャージポンプ回路31では、相補なクロック信号φ,/φを受けることで、キャパシタの電荷がnMOSを経由して出力ノード側のキャパシタに次々に移動する昇圧動作によって、電源電圧Vccが昇圧される。そして、出力ノードからは昇圧電圧Vppが出力される。即ち、このチャージポンプ回路31は、クロック信号φ,/φに同期して昇圧動作を行う。
図8,図9を用いて、本実施形態に係る電源回路による負荷の軽重に応じた動作について詳細に説明する。図8には、負荷が軽い場合に電源回路から出力される昇圧電圧の波形が例示されている。図中、横軸を時間Time、縦軸を昇圧電圧Vppとし、電源回路30による昇圧電圧Vppの波形を実線で示し、比較例とされる電源回路60から出力される昇圧電圧Vppを一点鎖線で示す。縦軸に示すVccは電源電圧とされ、VppA,VppBは分圧回路34により得られる目的電圧とされ、Vppαは上記最終目標電圧とされる。横軸に示す時刻a,bは、タイミング発生回路35からのタイミング信号TIMA,TIMB,TIMCのレベル変化時に対応している。時刻0〜cは、最終目標電圧Vppαを発生させるまでの最適な昇圧動作時間(例えば200μs)とされる。時刻c〜dは、例えば書込み動作時での最終目標電圧Vppαの上記最適な印加時間(例えば、1ms)とされ、時刻d〜eは昇圧電圧Vppが電源電圧Vccに立下がるまでの時間を示している。
時刻0では、昇圧電圧Vppは電源電圧Vccであるから、DIV電圧<基準電圧Vrefとなり、コンパレータ40は、ハイレベルの信号VppENを出力する。クロック切替制御回路42は、上記RS−FFが初期状態とされるから、ハイレベルのクロック切替信号SELCKを第1ロジック回路43に出力する。これにより、第1ロジック回路43から出力されるクロック信号CLKは、クロック信号BCLKaとされる。第2ロジック回路44は、ハイレベルの信号VppENを受けて、クロック信号BCLKaに基づく相補なクロック信号φ,/φをチャージポンプ回路31に供給する。チャージポンプ回路31は、上記相補なクロック信号φ,/φに同期して昇圧動作を開始するので、昇圧電圧Vppが昇圧される。また、昇圧電圧Vppの波形の傾きは、クロック信号φ,/φの周波数に依存するチャージポンプ回路31の昇圧能力に対応している。
このため、昇圧電圧Vppは、期間Aと同様の昇圧能力によってチャージポンプ回路31により昇圧される。期間Bの時刻b1で、昇圧電圧Vppが目的電圧VppBに到達すると、分圧電圧DIV>基準電圧Vrefとなるので、信号VppENがコンパレータ40によりローレベルとされ、上記したようにクロック信号φ、/φが固定値となって昇圧動作が停止する。その後、時刻b1〜bでは、負荷Bから電流が流れて、昇圧電圧Vppが低下し、分圧電圧DIV<基準電圧Vrefとなると上記同様に信号VppENがハイレベルとされ、昇圧動作が再開される。このようなフィードバック制御により、昇圧電圧Vppは時刻b1〜bで目的電圧VppBに維持される。ここで、期間Bで信号VppENが一度でもローレベルになったことから、上記RS−FFにフラグFGがセットされる。これは、期間Bで昇圧電圧Vppが一旦目的電圧VppBに到達したことを意味する。
このため、昇圧電圧Vppは、期間A,Bと同様の昇圧能力によってチャージポンプ回路31により昇圧され、時刻cで最終目標電圧Vppαに到達する。その後、最適な印加時間とされる時刻c〜dで、昇圧電圧Vppは最終目標電圧Vppαに維持される。これにより、動作選択された不揮発性メモリセル12に書込み用データが確実に書込まれる。そして、時刻d〜eでは、昇圧電圧Vppは、立下り制御回路45によって最終目標電圧Vppαから電源電圧Vccに短時間で立下げられる。
図10には、チャージポンプ回路における昇圧電圧と消費電流の関係が例示される。チャージポンプ回路31の消費電流Iは、通常、昇圧動作開始時に高くなり、入力電圧Vccが昇圧されると共に減少する。また、チャージポンプ回路31の消費電流Iは、クロック信号φ,/φの周波数が高くなれば増大する。上記電源回路30では、負荷が重いときにはクロック信号BCLKa,BCLKbのうち、周波数の高いクロック信号BCLKbに基づいたクロック信号φ,/φをチャージポンプ回路31に供給するので、昇圧動作の途中で消費電流Iが増大してしまう。
3 半導体装置
10 不揮発性メモリ
11 メモリアレイ
30 電源回路
31 チャージポンプ回路
32 判定回路
33 制御回路
34 分圧回路
35 タイミング発生回路
36〜38 スイッチ回路
39 基準電圧発生回路
40 コンパレータ
41 クロック発生回路
42 クロック切替制御回路
43 第1ロジック回路
44 第2ロジック回路
Vcc 電源電圧
Vpp 昇圧電圧
VppA,VppB 目的電圧
Vppα 最終目標電圧
Claims (7)
- 入力電圧を昇圧するチャージポンプ回路と、
前記チャージポンプ回路から出力される昇圧電圧が目的電圧に到達したか否かを判定する判定回路と、
前記判定回路の判定結果に基づいて、前記チャージポンプ回路による昇圧動作をフィードバック制御する制御回路と、を有し、
前記制御回路は、所定時間内に前記昇圧電圧が一度も前記目的電圧に到達しないときには、前記所定時間後に前記チャージポンプ回路の昇圧能力を高くして前記目的電圧を更新し、前記所定時間内に前記昇圧電圧が一旦前記目的電圧に到達したときには、前記所定時間後に昇圧能力を変更せずに前記目的電圧を更新する半導体装置。 - 前記チャージポンプ回路は、クロック信号に同期して昇圧動作を行い、
前記制御回路は、前記クロック信号の周波数を高くして、前記チャージポンプ回路の昇圧能力を高くする請求項1記載の半導体装置。 - 前記判定回路は、前記所定時間を設定するためのタイミング信号を発生するタイミング発生回路を有する請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記目的電圧は、前記制御回路により更新される毎に高くされる請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、
周波数の異なる複数のクロック信号を発生するクロック発生回路と、
前記タイミング信号を受けて、前記判定回路の判定結果に基づいて前記複数のクロック信号のうちいずれかを選択するためのクロック切替信号を出力するクロック切替制御回路と、
前記クロック切替信号を受けて、前記複数のクロック信号のうちいずれかを出力する第1ロジック回路と、
前記第1ロジック回路から出力されたクロック信号を受けて、前記判定結果に基づいて前記クロック信号を相補なクロック信号に変換し、前記相補なクロック信号を前記チャージポンプ回路に供給する第2ロジック回路と、を有する請求項3又は4記載の半導体装置。 - 前記チャージポンプ回路の昇圧能力が高くされたときに供給されるクロック信号の周波数は、前記昇圧能力が高くされたときの昇圧動作に伴うピーク電流が、前記昇圧能力を高くする前でのピーク電流以下とされる周波数である請求項2乃至5のいずれか1項記載の半導体装置。
- カード基板と、
前記カード基板に搭載され、ICカード用マイコンとされる請求項1乃至6の何れか1項記載の半導体装置と、を有するICカード。
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