JP4890369B2 - デューティ検知回路及びこれを用いたdll回路、半導体記憶装置、並びに、データ処理システム - Google Patents
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Description
BIASND 放電接点
BIASPD 充電接点
COMP 比較回路
D11,D12 遅延回路
G11〜G14 ゲート回路
LCLKOEB,LCLKOET 内部クロック
LDCSMTT〜LDCSMBB 選択信号
LDUTYHB,LDUTYLB 検出ライン
N1 バイアストランジスタ
P0 プリチャージ回路
P1 バイアストランジスタ
PRE プリチャージ信号
TR1,TR2 放電トランジスタ
TR3,TR4 充電トランジスタ
31,43 入力レシーバ
32,44 分周回路
33,45 ディレイライン
34,38 DQレプリカ回路
35,39 位相検知回路
36,40,48〜50,52 コントローラ
37,41,51,53 カウンタ
42 マルチプレクサ
46,47 デューティ検知回路
100 データ処理システム
110 システムバス
120 データプロセッサ
140 ストレージデバイス
150 I/Oデバイス
Claims (11)
- それぞれ第1及び第2の制御信号に応答して動作する第1及び第2の放電トランジスタと、
それぞれ第3及び第4の制御信号に応答して動作する第1及び第2の充電トランジスタと、
前記第1の放電トランジスタと前記第1の充電トランジスタとの接点に接続された第1の検出ラインと、
前記第2の放電トランジスタと前記第2の充電トランジスタとの接点に接続された第2の検出ラインと、
前記第1及び第2の検出ラインの電位差を検出する比較回路と、
nの倍数サイクル(nは2のべき乗)の内部クロック信号がハイレベルである期間に前記第1の制御信号を活性化させる第1のゲート回路と、
前記nの倍数サイクルの内部クロック信号がローレベルである期間に前記第2の制御信号を活性化させる第2のゲート回路と、
前記nの倍数サイクルの内部クロック信号がローレベルである期間に前記第3の制御信号を活性化させる第3のゲート回路と、
前記nの倍数サイクルの内部クロック信号がハイレベルである期間に前記第4の制御信号を活性化させる第4のゲート回路と、
前記第1及び第2の制御信号のいずれか一方を遅延させる第1の遅延回路と、
前記第3及び第4の制御信号のいずれか一方を遅延させる第2の遅延回路と、を備えることを特徴とするデューティ検知回路。 - 前記第1及び第2の遅延回路の遅延量は、前記内部クロック信号の少なくとも半周期であることを特徴とする請求項1に記載のデューティ検知回路。
- 前記第1及び第2の検出ラインを中間電位にプリチャージするプリチャージ回路をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のデューティ検知回路。
- 前記第1のゲート回路は、前記内部クロック信号と第1の選択信号を受けて前記第1の制御信号を生成し、
前記第2のゲート回路は、前記内部クロック信号の反転信号と第2の選択信号を受けて前記第2の制御信号を生成し、
前記第3のゲート回路は、前記反転信号と第3の選択信号を受けて前記第3の制御信号を生成し、
前記第4のゲート回路は、前記内部クロック信号と第4の選択信号を受けて前記第4の制御信号を生成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のデューティ検知回路。 - 各検出期間に対応して活性化する前記第1乃至第4の制御信号の数が互いに等しいことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のデューティ検知回路。
- 1回目の検出期間においては、前記第1乃至第4の制御信号のうちいずれか1つを除く3つを活性化させ、
2回目の検出期間においては、前記第1乃至第4の制御信号のうち他のいずれか1つを除く3つを活性化させ、
3回目の検出期間においては、前記第1乃至第4の制御信号のうちさらに他のいずれか1つを除く3つを活性化させ、
4回目の検出期間においては、前記第1乃至第4の制御信号のうち残りの1つを除く3つを活性化させることを特徴とする請求項5に記載のデューティ検知回路。 - 前記1回目の検出期間においては前記第1、第2及び第3の制御信号を活性化させ、
前記2回目の検出期間においては前記第1、第2及び第4の制御信号を活性化させ、
前記3回目の検出期間においては前記第2、第3及び第4の制御信号を活性化させ、
前記4回目の検出期間においては前記第1、第3及び第4の制御信号を活性化させることを特徴とする請求項6に記載のデューティ検知回路。 - 外部クロック信号をn分周することにより、互いに位相の異なるn個の分周信号を生成する分周回路と、
前記分周信号の位相をそれぞれ調整するn個の遅延調整部と、
前記n個の遅延調整部からの出力を合成することにより前記内部クロック信号を生成する合成回路と、
前記内部クロック信号のデューティを検知する請求項1乃至7のいずれか一項に記載のデューティ検知回路とを備え、
前記デューティ検知回路の出力は、前記n個の遅延調整部の少なくとも1つにフィードバックされることを特徴とするDLL回路。 - n=2であり、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載のデューティ検知回路を2台有しており、
一方のデューティ検知回路は前記内部クロック信号の偶数サイクルに対応して検知を行い、
他方のデューティ検知回路は前記内部クロック信号の奇数サイクルに対応して検知を行い、
前記遅延調整部は、前記一方のデューティ検知回路の出力に基づいて前記内部クロック信号の偶数サイクルのエッジを調整し、前記他方のデューティ検知回路の出力に基づいて前記内部クロック信号の奇数サイクルのエッジを調整することを特徴とする請求項8に記載のDLL回路。 - 請求項8又は9に記載のDLL回路を含む半導体記憶装置。
- 請求項10に記載の半導体記憶装置と、データプロセッサと、ROMと、ストレージデバイスと、I/Oデバイスとを備え、これらがシステムバスにより相互に接続されていることを特徴とするデータ処理システム。
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