KR100781855B1 - Ｒｆｉｄ의 전압 펌핑 회로 - Google Patents

Ｒｆｉｄ의 전압 펌핑 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR100781855B1
KR100781855B1 KR1020060036276A KR20060036276A KR100781855B1 KR 100781855 B1 KR100781855 B1 KR 100781855B1 KR 1020060036276 A KR1020060036276 A KR 1020060036276A KR 20060036276 A KR20060036276 A KR 20060036276A KR 100781855 B1 KR100781855 B1 KR 100781855B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
pumping
power supply
node
unit
Prior art date
Application number
KR1020060036276A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070104101A (ko
Inventor
강희복
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020060036276A priority Critical patent/KR100781855B1/ko
Priority to US11/646,325 priority patent/US7599233B2/en
Publication of KR20070104101A publication Critical patent/KR20070104101A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100781855B1 publication Critical patent/KR100781855B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/20—Memory cell initialisation circuits, e.g. when powering up or down, memory clear, latent image memory
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0701—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips at least one of the integrated circuit chips comprising an arrangement for power management
    • G06K19/0713—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips at least one of the integrated circuit chips comprising an arrangement for power management the arrangement including a power charge pump
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0723—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips the record carrier comprising an arrangement for non-contact communication, e.g. wireless communication circuits on transponder cards, non-contact smart cards or RFIDs
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 RFID의 전압 펌핑 회로에 관한 것으로서, RFID의 메모리 블록에서 메모리 셀의 리드/라이트 동작시에만 펌핑 전압을 공급하여 전류 소모를 줄일 수 있도록 하는 기술을 개시한다. 이러한 본 발명은 무선 주파수 신호를 입력받아 동작 명령신호를 출력하는 아날로그 블록과, 아날로그 블록으로부터 인가되는 동작 명령신호에 따라 어드레스 및 동작 제어신호를 생성하여 출력하고, 해당하는 응답신호를 아날로그 블록에 출력하는 디지털 블록, 및 동작 제어신호를 입력받아 내부 제어신호를 생성하고, 내부 제어신호에 따라 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 메모리 셀에 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록을 포함하되, 메모리 블록은 메모리 셀의 리드/라이트 동작시 메모리 셀에 전원전압보다 높은 펌핑전압을 공급하는 스텝-펄스 펌핑부를 포함한다.

Description

ＲＦＩＤ의 전압 펌핑 회로{Circuit for pumping voltage of RFID}
도 1은 본 발명에 따른 RFID의 전체 구성도.
도 2는 도 1의 스텝-펄스 펌핑부에 관한 상세 회로도.
도 3은 도 1의 스텝-펄스 펌핑부에 관한 다른 실시예.
도 4는 도 1의 스텝-펄스 펌핑부에 관한 동작 타이밍도.
본 발명은 RFID의 전압 펌핑 회로에 관한 것으로서, RFID의 메모리 블록에서 메모리 셀의 리드/라이트 동작시에만 펌핑 전압을 공급하여 전류 소모를 줄일 수 있도록 하는 기술이다.
일반적으로 불휘발성 강유전체 메모리 즉, FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)은 디램(DRAM;Dynamic Random Access Memory) 정도의 데이터 처리 속도를 갖고, 전원의 오프시에도 데이타가 보존되는 특성 때문에 차세대 기억 소자로 주목받고 있다.
이러한 FeRAM은 디램과 거의 유사한 구조를 갖는 기억소자로써 커패시터의 재료로 강유전체를 사용하여 강유전체의 특성인 높은 잔류 분극을 이용한 것이다. 이와 같은 잔류 분극 특성으로 인하여 전계를 제거하더라도 데이터가 지워지지 않는다.
상술된 FeRAM에 관한 기술내용은 본 발명과 동일 발명자에 의해 출원된 대한민국 특허 출원 제 2001-57275호에 개시된 바 있다. 따라서, FeRAM에 관한 기본적인 구성 및 그 동작에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 일반적인 RFID(Radio Frequency Identification) 장치는 크게 아날로그 블록, 디지털 블록 및 메모리 블록을 구비한다. 이러한 RFID 칩 수동 소자는 안테나에 전달된 전원을 이용하여 동작하게 된다. 그런데, 장거리 동작을 위한 RFID 칩의 경우 안테나에 전달되는 전원이 아주 미약하게 된다. 따라서, RFID 칩의 각 블록 회로들은 전력이 최소한으로 소모되도록 설계되어야 한다.
그런데, 종래의 RFID 장치는 메모리 블록에서 메모리 셀이 리드/라이트 동작을 수행하지 않는 경우에도 계속해서 메모리 블록에 일정전압을 공급하게 된다. 즉, 메모리 셀은 셀에 데이터를 리드/라이트 동작하는 경우에만 펌핑 전압의 공급이 필요하게 된다.
하지만, 종래의 RFID 장치는 아날로그 블록 내에 구비된 전압 더블러에서 전압 멀티플라이어로부터 인가되는 전원전압을 승압하여, 메모리 셀의 활성화 여부와 무관하게 메모리 블록에 계속적인 펌핑 전압을 공급한다. 즉, 디램이 안정된 전원전압 레벨로 승압 될 때까지 전압 더블러에서 연속적인 승압 동작이 이루어진다. 이 때문에 전압 멀티플라이어의 오실레이션 동작에 따라 불필요한 전류 소모가 증가하게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 특히 RFID의 메모리 블록에서 메모리 셀의 리드/라이트 동작 시에만 펌핑 전압을 공급하여 불필요한 펌핑 전압의 공급에 따른 전류 소모를 줄일 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 RFID의 전압 펌핑 회로는, 무선 주파수 신호를 입력받아 동작 명령신호를 출력하는 아날로그 블록과, 아날로그 블록으로부터 인가되는 동작 명령신호에 따라 어드레스 및 동작 제어신호를 생성하여 출력하고, 해당하는 응답신호를 아날로그 블록에 출력하는 디지털 블록, 및 동작 제어신호를 입력받아 내부 제어신호를 생성하고, 내부 제어신호에 따라 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 메모리 셀에 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록을 포함하되, 메모리 블록은 메모리 셀의 동작시 메모리 셀에 전원전압보다 높은 펌핑전압을 공급하는 스텝-펄스 펌핑부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명에 따른 RFID(Radio Frequency Identification) 장치의 전체 구성도이다.
본 발명의 RFID 장치는 크게 아날로그 블록(100)과, 디지털 블록(200) 및 불휘발성 강유전체 메모리(FeRAM;non-volatile ferroelectric random access memory) 블록(300)을 구비한다.
여기서, 아날로그 블록(100)은 전압 멀티플라이어(Voltage Multiplier;110), 전압 리미터(Voltage Limiter;120), 모듈레이터(Modulator;130), 디모듈레이터(Demodulator;140), 파워온 리셋부(Power On Reset;150) 및 클럭 발생부(160)를 구비한다.
그리고, 아날로그 블록(100)의 안테나(10)는 외부의 리더기 또는 라이터기와 RFID 간에 데이터를 송수신하기 위한 구성이다. 전압 멀티플라이어(110)는 안테나(10)로부터 인가되는 무선 주파수 신호 RF에 의해 RFID의 구동전압인 전원전압 VDD을 생성한다. 전압 리미터(120)는 안테나(10)로부터 인가된 무선 주파수 신호 RF의 전송 전압의 크기를 제한하여 디모듈레이터(140)에 출력한다.
또한, 모듈레이터(130)는 디지털 블록(200)으로부터 인가되는 응답 신호 RP를 모듈레이팅하여 안테나(10)에 전송한다. 디모듈레이터(140)는 전압 멀티플라이어(110)와 전압 리미터(120)의 출력전압에 따라 안테나(10)로부터 인가되는 무선 주파수 신호 RF에서 동작 명령 신호를 검출하여 명령신호 CMD를 디지털 블록(200)에 출력한다.
파워온 리셋부(150)는 전압 멀티플라이어(110)의 출력 전압 VDD을 감지하여 리셋 동작을 제어하기 위한 파워 온 리셋신호 POR를 디지털 블록(200)에 출력한다. 클럭 발생부(160)는 전압 멀티플라이어(110)의 출력 전압 VDD에 따라 디지털 블록(200)의 동작을 제어하기 위한 클럭 CLK를 디지털 블록(200)에 공급한다.
또한, 상술된 디지털 블록(200)은 아날로그 블록(100)으로부터 전원전압 VDD, 파워 온 리셋신호 POR, 클럭 CLK 및 명령신호 CMD를 인가받아 명령신호 CMD를 해석하고 제어신호 및 처리 신호들을 생성하여 아날로그 블록(20)에 해당하는 응답신호 RP를 출력한다. 그리고, 디지털 블록(200)은 어드레스 ADD, 입/출력 데이터 I/O, 및 제어신호 CTR를 메모리 블록(300)에 출력한다.
FeRAM(300)은 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 이용하여 데이타를 리드/라이트 하는 메모리 블록이다. 여기서, 메모리 블록(300)은 전압 멀티플라이어(110)의 출력 전압 VDD을 펌핑하여 메모리 셀의 리드/라이트 동작시 펌핑 인에이블 신호 PUMP_EN에 따라 워드라인이 활성화될 경우에만 메모리 셀의 전압 레벨을 부스팅하기 위한 스텝-펄스 펌핑부(310)를 포함한다.
여기서, 펌핑 인에이블 신호 PUMP_EN는 디지털 블록으로부터 인가되는 제어신호 CTR, 즉, 칩 인에이블 신호(CE)와, 출력 인에이블 신호(OE) 및 라이트 인에이블 신호(WE)에 따라 메모리 블록(300) 내부에 구비된 주변회로부(미도시)에 의해 생성된 신호이다.
이러한 펌핑 인에이블 신호 PUMP_EN에 따라 스텝-펄스 펌핑부(310)를 구동하여 리드/라이트 동작을 수행하는 한 사이클에 한번 메모리 셀에 펌핑전압을 공급할 수 있도록 한다. 즉, 메모리 셀의 리드/라이트 동작시 펌핑 인에이블 신호 PUMP_EN가 활성화되어 메모리 셀을 구동하기 위한 워드라인 드라이버 및 플레이트 라인 드라이버를 활성화시키도록 한다.
도 2는 도 1의 스텝-펄스 펌핑부(310)에 관한 상세 회로도이다.
스텝-펄스 펌핑부(310)는 구동부(311), 강유전체 용량부(312), 모스 다이오 드 정류부(313), 제 1충전부(314), 제 2충전부(315) 및 과펌핑 감지부(316)를 구비한다.
여기서, 구동부(311)는 인버터 IV1,IV2와, 구동수단(PMOS트랜지스터 P1 및 NMOS트랜지스터 N1)을 구비한다. 인버터 IV1,IV2는 펌핑 인에이블 신호 PUMP_EN를 비반전 지연하여 강유전체 용량부(312)에 출력한다. PMOS트랜지스터 P1와 NMOS트랜지스터 N1는 노드 (A)와 접지전압단 사이에 직렬 연결되어 게이트 단자를 통해 인버터 IV1의 출력이 인가된다. 또한, PMOS트랜지스터 P1의 벌크에 노드 (A)의 출력이 인가된다.
그리고, 강유전체 용량부(312)는 노드 (A)와 인버터 IV2의 출력단 사이에 병렬 연결된 복수개의 강유전체 커패시터 FC1~FC3를 구비한다. 모스 다이오드 정류부(313)는 모스 다이오드 타입의 NMOS트랜지스터 N2를 구비한다. 여기서, NMOS트랜지스터 N2는 노드 (A)와 펌프 출력단 POUT 사이에 연결되어 게이트 단자가 노드 (A)와 연결된다.
제 1충전부(314)는 PMOS트랜지스터 P2를 구비한다. 여기서, PMOS트랜지스터 P2는 전원전압단과 노드 (A) 사이에 연결되어 게이트 단자가 노드 (B)에 연결되고 벌크에 노드 (A)의 출력이 인가된다. 제 2충전부(315)는 PMOS트랜지스터 P3를 구비한다. 여기서, PMOS트랜지스터 P3는 전원전압단과 펌프 출력단 POUT 사이에 연결되어 게이트 단자가 펌프 출력단 POUT에 연결되고 벌크에 펌프 출력단 POUT의 출력이 인가된다.
과펌핑 감지부(316)는 전원전압단과 펌프 출력단 POUT 사이에 연결되어 게이 트 단자가 펌프 출력단 POUT에 연결된 NMOS트랜지스터 N3를 구비한다.
도 3은 도 1의 스텝-펄스 펌핑부(310)에 관한 다른 실시예이다.
스텝-펄스 펌핑부(310)는 구동부(317), 강유전체 용량부(318), PN 다이오드 정류부(319), 제 3충전부(320), 제 4충전부(321) 및 과펌핑 감지부(322)를 구비한다.
여기서, 구동부(317)는 펌핑 인에이블 신호 PUMP_EN를 비반전 지연하여 강유전체 용량부(318)에 출력하는 인버터 IV3,IV4를 구비한다. 그리고, 강유전체 용량부(318)는 노드 (C)와 인버터 IV4의 출력단 사이에 병렬 연결된 복수개의 강유전체 커패시터 FC4~FC6를 구비한다. PN 다이오드 정류부(319)는 노드 (C)와 펌프 출력단 POUT 사이에 순방향으로 연결된 PN 타입의 다이오드 D2를 구비한다.
또한, 제 3충전부(320)는 전원전압단과 노드 (B) 사이에 순방향으로 연결된 PN 타입의 다이오드 D1를 구비한다. 제 4충전부(321)는 전원전압단과 펌프 출력단 POUT 사이에 순방향으로 연결된 PN 타입의 다이오드 D3을 구비한다. 과펌핑 감지부(322)는 전원전압단과 펌프 출력단 POUT 사이에 역방향으로 연결된 PN 타입의 다이오드 D4를 구비한다.
여기서, 구동부(317)는 메모리 셀의 리드/라이트 동작시에 활성화되는 펌핑 인에이블 신호 PUMP_EN를 비반전 지연하여 노드 (C)를 2VDD 전압 레벨로 상승시키도록 한다. 그리고, 제 3충전부(320)는 노드 (C)에 전원전압을 공급한다. 또한, PN 다이오드 정류부(319)는 노드 (C)의 전압을 정류하여 펌프 출력단 POUT에 출력한다. 제 4충전부(321)는 펌프 출력단 POUT의 전압 레벨을 충전하는 역할을 수행 한다.
그리고, 과펌핑 감지부(322)는 펌프 출력단 POUT의 전압이 특정 전압 레벨 이상으로 과펌핑되는 것을 감지하여 이를 메모리 셀의 전원전압단에 공급함으로써 과펌핑된 전압을 메모리 셀의 전원으로 재활용할 수 있도록 한다.
이러한 구성을 갖는 스텝-펄스 펌핑부(310)의 동작 과정을 도 4의 동작 타이밍도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, t1 구간에서는 펌핑 인에이블 신호 PUMP_EN가 로우 레벨을 유지한다. 그리고, 펌핑 인에이블 신호 PUMP_EN가 로우 레벨일 경우 인버터 IV1의 출력이 하이가 된다. 이에 따라, 구동부(311)의 NMOS트랜지스터 N1가 턴온되어 노드 (B)가 로우 레벨 상태를 유지한다.
이때, 노드 (B)가 로우 레벨일 경우 PMOS트랜지스터 P2가 턴온되어 노말 동작시 노드 (A)가 전원전압 VDD 레벨을 유지한다. 이에 따라, 노드 (A)가 하이 레벨일 경우 NMOS트랜지스터 N2가 턴온되어 펌프 출력단 POUT이 목표전압 vtarget을 유지하게 된다. 여기서, 메모리 셀이 리드/라이트 동작을 수행하지 않을 경우 워드라인 WL, 플레이트 라인 PL 및 비트라인 BL은 접지전압 VSS 레벨을 유지하게 된다.
이후에, 메모리 셀이 센싱 동작을 수행하여 메모리 셀의 워드라인 WL, 비트라인 BL 및 플레이트 라인 PL이 활성화되는 t2 구간의 진입시 펌핑 인에이블 신호 PUMP_EN가 하이로 천이한다. 이에 따라, 인버터 IV2의 출력이 하이가 되면 전원전압 VDD 레벨이 복수개의 강유전체 커패시터 FC1~FC3의 충전 전압에 따라 상승하여 노드 (A)의 전압 레벨이 2VDD가 된다.
이때, 인버터 IV1의 출력이 로우가 되면, PMOS트랜지스터 P1가 턴온되어 노드 (B)의 전압 레벨이 2VDD가 된다. 이에 따라, 제 1충전부(314)의 PMOS트랜지스터 P2가 턴오프 상태를 유지한다.
그리고, NMOS트랜지스터 N2가 턴온되면 펌프 출력단 POUT은 목표전압 vtarget의 전압 레벨보다 높은 전압으로 상승한다. 이에 따라, 워드라인 WL, 플레이트 라인 PL이 목표전압 vtarget 레벨 이상의 펌핑전압 레벨로 상승하고, 비트라인 BL의 전압 레벨이 상승하여, 메모리 셀의 문턱전압을 보강하기 위한 펌핑전압이 메모리 셀에 공급된다.
여기서, 목표전압 vtarget의 전압 레벨은 2VDD-Vt(NMOS트랜지스터 N2의 문턱전압)-Vt(NMOS트랜지스터 N3의 문턱전압)가 된다. 이에 따라, 과펌핑 감지부(322)의 NMOS트랜지스터 N3가 턴온되어 과펌핑된 전압을 과펌핑 감지부(322)의 전원전압단을 통해 메모리 셀에 공급하게 된다.
이때, 펌프 출력단 POUT을 통해 메모리 셀의 전원전압단에 공급되는 전압 레벨은 NMOS트랜지스터 N3의 문턱전압(Vt)에 따라 달라지게 된다. 즉, 메모리 셀의 전원전압단에 공급되는 전압 레벨을 얼마나 클램핑(Clamping) 할 것이냐는 NMOS트랜지스터 N3의 문턱전압(Vt)에 따라 조절할 수 있게 된다.
이후에, 데이터 '0'을 재저장하기 위한 t3 구간의 진입시 펌프 출력단 POUT의 전압 레벨은 다시 목표전압 vtarget 레벨을 유지하게 된다. 이때, 메모리 셀의 워드라인 WL, 비트라인 BL 및 플레이트 라인 PL은 펌프 출력단 POUT의 전압 레벨과 동일한 목표전압 vtarget 레벨을 유지한다.
이어서, 데이터 '1'을 재저장하기 위한 t4 구간의 진입시 플레이트 라인 PL의 전압 레벨이 로우 레벨로 천이한다. 이후에, t5 구간의 진입시 워드라인 WL의 전압 레벨이 로우로 천이할 경우 비트라인 BL의 전압 레벨이 접지전압 VSS 레벨을 유지하게 된다.
한편, 도 3의 실시예에 따른 동작 과정은 도 2의 동작 과정과 유사하므로 그 상세한 동작 과정의 설명은 생략하기로 한다. 이때, 도 3의 실시예에서 PN 다이오드 정류부(319), 제 1충전부(320), 제 2충전부(321) 및 과펌핑 감지부(322)의 상세 구성이 모스 트랜지스터가 아니라 PN 다이오드 소자로 이루어진 점이 도 2의 실시예와 상이하다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 RFID의 메모리 블록에서 메모리 셀의 리드/라이트 동작 시에만 펌핑 전압을 공급하여 불필요한 펌핑 전압의 공급에 따른 전류 소모를 줄일 수 있도록 한다.
또한, 본 발명은 메모리 블록 내부에 메모리 셀에 펌핑전압을 공급하기 위한 스텝-펄스 펌핑부를 별도로 구비하여 전력 소모를 줄일 수 있도록 하는 효과를 제공한다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으 로 보아야 할 것이다.

Claims (21)

  1. 무선 주파수 신호를 입력받아 동작 명령신호를 출력하는 아날로그 블록;
    상기 아날로그 블록으로부터 인가되는 상기 동작 명령신호에 따라 어드레스 및 동작 제어신호를 생성하여 출력하고, 해당하는 응답신호를 상기 아날로그 블록에 출력하는 디지털 블록; 및
    상기 동작 제어신호를 입력받아 내부 제어신호를 생성하고, 상기 내부 제어신호에 따라 불휘발성 강유전체 커패시터 소자를 포함하는 메모리 셀에 데이터를 리드/라이트 하는 메모리 블록을 포함하되,
    상기 메모리 블록은 상기 메모리 셀의 동작시 상기 메모리 셀에 전원전압보다 높은 펌핑전압을 공급하는 스텝-펄스 펌핑부를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 스텝-펄스 펌핑부는
    상기 메모리 셀의 리드 동작시 상기 메모리 셀에 상기 펌핑전압을 공급하고, 상기 메모리 셀의 라이트 동작시 상기 메모리 셀에 상기 펌핑전압보다 낮고 상기 전원전압보다 높은 목표전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 스텝-펄스 펌핑부는
    상기 메모리 셀의 동작시 활성화되는 펌핑 인에이블 신호를 구동하는 구동부;
    상기 구동부의 출력에 따라 제 1노드를 상기 전원전압보다 높은 레벨로 상승시키는 강유전체 용량부;
    상기 펌핑 인에이블 신호의 비활성화시 상기 제 1노드를 상기 전원전압 레벨로 충전하는 제 1충전부;
    상기 제 1노드의 전압을 정류하여 펌프 출력단에 공급하는 정류수단; 및
    상기 펌프 출력단의 과펌핑을 감지하여 상기 메모리 셀의 전원전압단에 공급하는 과펌핑 감지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 구동부는
    상기 펌핑 인에이블 신호를 일정시간 지연하는 지연수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 지연수단은
    상기 펌핑 인에이블 신호를 반전하여 상기 구동수단에 출력하는 제 1인버터; 및
    상기 펌핑 인에이블 신호를 비반전 지연하여 상기 강유전체 용량부에 출력하는 제 2인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 구동부는
    상기 지연수단의 출력 레벨에 따라 상기 제 1노드의 전압과 접지전압을 제 2노드에 선택적으로 출력하는 구동수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 구동수단은
    상기 제 1노드와 접지전압단 사이에 직렬 연결되어 공통 게이트 단자를 통해 상기 지연수단의 출력을 인가받고, 공통 드레인 단자가 상기 제 1충전부에 연결된 제 1PMOS트랜지스터와 제 1NMOS트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  8. 제 3항에 있어서, 상기 강유전체 용량부는
    상기 제 1노드와 상기 구동부 사이에 병렬 연결된 복수개의 강유전체 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  9. 제 3항에 있어서, 상기 제 1충전부는
    전원전압단과 상기 제 1노드 사이에 연결되어 게이트 단자가 상기 구동부의 출력단과 연결된 제 2PMOS트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  10. 제 3항에 있어서, 상기 제 1충전부는
    전원전압단과 상기 제 1노드 사이에 순방향으로 연결된 제 1PN 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  11. 제 3항에 있어서, 상기 정류수단은
    상기 제 1노드와 상기 펌프 출력단 사이에 연결되어 게이트 단자가 상기 제 1노드와 연결된 제 2NMOS트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  12. 제 3항에 있어서, 상기 정류수단은 상기 제 1노드와 상기 펌프 출력단 사이에 순방향으로 연결된 제 2PN 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  13. 제 3항에 있어서, 상기 과펌핑 감지부는
    상기 전원전압단과 상기 펌프 출력단 사이에 연결되어 게이트 단자가 상기 펌프 출력단과 연결된 제 3NMOS트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  14. 제 3항에 있어서, 상기 과펌핑 감지부는
    상기 전원전압단과 상기 펌프 출력단과 사이에 역방향으로 연결된 제 3PN 다 이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  15. 제 3항에 있어서, 상기 스텝-펄스 펌핑부는
    상기 펌프 출력단을 전원전압 레벨로 충전하는 제 2충전부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 제 2충전부는
    상기 전원전압단과 상기 펌프 출력단 사이에 연결되어 게이트 단자가 상기 펌프 출력단과 연결된 제 3PMOS트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  17. 제 15항에 있어서, 상기 제 2충전부는
    상기 전원전압단과 상기 펌프 출력단과 사이에 순방향으로 연결된 제 4PN 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  18. 제 3항에 있어서, 상기 목표전압은 2×전원전압 레벨에서 상기 정류수단의 문턱전압과 상기 과펌핑 감지부의 문턱전압을 뺀 값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  19. 제 3항에 있어서, 상기 1노드는 펌핑 인에이블 신호의 비활성화시 상기 제 1 충전부에 따라 전원전압 레벨을 유지하고, 상기 펌핑 인에이블 신호의 활성화시 2×전원전압 레벨로 충전되는 것을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  20. 제 1항에 있어서, 상기 스텝-펄스 펌핑부는
    상기 메모리 셀의 리드/라이트 동작시 활성화되는 펌핑 인에이블 신호가 활성화될 경우에만 활성화됨을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 펌핑 인에이블 신호는
    상기 디지털 블록으로부터 인가된 상기 동작 제어신호를 입력받아 내부 주변회로부에 의해 생성된 신호임을 특징으로 하는 RFID의 전압 펌핑 회로.
KR1020060036276A 2006-04-21 2006-04-21 Ｒｆｉｄ의 전압 펌핑 회로 KR100781855B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060036276A KR100781855B1 (ko) 2006-04-21 2006-04-21 Ｒｆｉｄ의 전압 펌핑 회로
US11/646,325 US7599233B2 (en) 2006-04-21 2006-12-28 RFID device having nonvolatile ferroelectric memory device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060036276A KR100781855B1 (ko) 2006-04-21 2006-04-21 Ｒｆｉｄ의 전압 펌핑 회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070104101A KR20070104101A (ko) 2007-10-25
KR100781855B1 true KR100781855B1 (ko) 2007-12-03

Family

ID=38619350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060036276A KR100781855B1 (ko) 2006-04-21 2006-04-21 Ｒｆｉｄ의 전압 펌핑 회로

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7599233B2 (ko)
KR (1) KR100781855B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4873868B2 (ja) * 2005-02-09 2012-02-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 パッシブ型ｒｆｉｄ用の半導体装置、ｉｃタグ、ｉｃタグの制御方法及び通信方法
TW200935769A (en) * 2008-02-04 2009-08-16 Favepc Inc Battery-free active transmitter circuit, architecture and its applications
US20090256679A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 General Electric Company Rfid based methods and systems for use in manufacturing and monitoring applications

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990014107A (ko) * 1997-07-25 1999-02-25 가네꼬 하시시 스텝업 전압을 버스트 액세스용 출력회로에 독점적으로 공급하는 부스터를 갖는 반도체 메모리장치
KR20010076493A (ko) * 2000-01-26 2001-08-16 윤종용 다마신 공정으로 형성된 반도체 소자의 배선구조

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6201731B1 (en) * 1999-05-28 2001-03-13 Celis Semiconductor Corporation Electronic memory with disturb prevention function
JP2001076493A (ja) * 1999-09-03 2001-03-23 Nec Corp 強誘電体記憶装置
JP3940014B2 (ja) * 2002-03-29 2007-07-04 富士通株式会社 半導体集積回路、無線タグ、および非接触型ｉｃカード
JP2005092922A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Fujitsu Ltd 強誘電体メモリ
JP4114659B2 (ja) * 2004-11-26 2008-07-09 セイコーエプソン株式会社 強誘電体メモリ及びその駆動方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990014107A (ko) * 1997-07-25 1999-02-25 가네꼬 하시시 스텝업 전압을 버스트 액세스용 출력회로에 독점적으로 공급하는 부스터를 갖는 반도체 메모리장치
KR20010076493A (ko) * 2000-01-26 2001-08-16 윤종용 다마신 공정으로 형성된 반도체 소자의 배선구조

Also Published As

Publication number Publication date
US20070247926A1 (en) 2007-10-25
KR20070104101A (ko) 2007-10-25
US7599233B2 (en) 2009-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7411831B2 (en) Disk processing apparatus with voltage generating circuit having a boost ratio control
US7092308B2 (en) Portable data storage apparatus
US7417528B2 (en) RFID device having nonvolatile ferroelectric memory device
US20060175420A1 (en) Passive type RFID semiconductor device, IC tag, and control method
US20100277282A1 (en) Radio frequency identification tag
KR20010088392A (ko) 부스터, 이를 구비하는 집적회로 카드, 및 이를 구비하는전자장치
US6525362B2 (en) IC chip for contactless IC card
US7881124B2 (en) Method for block writing in a memory
KR100781855B1 (ko) Ｒｆｉｄ의 전압 펌핑 회로
US7978494B2 (en) Radio frequency identification device initializing a memory using an offset voltage
JPH1173481A (ja) 非接触型ｉｃカード
US10283207B2 (en) Non-volatile memory devices comprising high voltage generation circuits and operating methods thereof
KR101218280B1 (ko) Ｒｆｉｄ 장치
KR101102000B1 (ko) Ｒｆｉｄ 장치
KR101939239B1 (ko) Ｒｆｉｄ 통신용 포락선 검출기
KR100919570B1 (ko) 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 ｒｆｉｄ 장치
US8319642B2 (en) Radio frequency identification device having nonvolatile ferroelectric memory
US20100277281A1 (en) Rfid tag and method for driving the same
KR101037546B1 (ko) Ｒｆｉｄ 장치
KR100756798B1 (ko) Ｒｆｉｄ 장치
KR101150523B1 (ko) Ｒｆｉｄ 장치
KR101067886B1 (ko) Ｒｆｉｄ 장치
KR100671209B1 (ko) 저전력 플래쉬 메모리의 센싱회로
KR101150525B1 (ko) Ｒｆｉｄ 장치 및 그 테스트 방법
KR101101997B1 (ko) Ｒｆｉｄ 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111024

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121022

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee