JP4562480B2 - センスアンプ回路 - Google Patents
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Description
PchトランジスタPTR1bのゲートはセンスノードSAに接続されており、ドレインはNチャネルトランジスタNTR1aのドレインに接続されている。
PchトランジスタPTR1Rbのゲートは参照センスノードRSAに接続されており、ドレインはNchトランジスタNTR1Raのドレインに接続されていると共に、NchトランジスタNTR1a,NTR1Raの夫々のゲートに接続されている。
NchトランジスタNTR1aのゲートとNchトランジスタNTR1Raのゲートが接続されている。
カレントミラー回路1の入力回路側の入力部はPchトランジスタPTR1bのゲートであり、参照(比較)回路側の入力部はPchトランジスタPTR1Rbのゲートである。カレントミラー回路1の出力部は、PchトランジスタPTR1bのドレインとNchトランジスタNTR1aのドレインとの接続線間である。なお、カレントミラー回路1の入力回路側および参照(比較)回路側の入力信号を、夫々、SAIN,REFINと記載する。特に、後述するメモリセルMCがオフの状態(“0”)のときの入力信号をSAIN0と記載し、メモリセルMCがオンの状態(“1”)のときの入力信号をSAIN1と記載する。カレントミラー回路1の出力信号をSAOUTと記載する。
PchトランジスタPTR2aのソースにVccレベルの電圧が入力され、そのゲートにはプリチャージ信号/PREが入力される。PchトランジスタPTR2aのドレインはPchトランジスタPTR2bのソースに接続されている。
PchトランジスタPTR2bのゲートは自身のドレインに接続され、この接続部がプリチャージ回路2の出力部であって、カレントミラー回路1の入力回路側の入力部に接続されている。
PchトランジスタPTR3aのソースにVccレベルの電圧が入力され、そのゲートには活性化信号/SENが入力される。PchトランジスタPTR3aのドレインはPchトランジスタPTR3bのソースに接続されている。
PchトランジスタPTR3bのゲートは自身のドレインに接続され、この接続部が負荷回路3の出力部であって、カレントミラー回路1の入力回路側の入力部に接続されている。
PchトランジスタPTR2RaのソースにVccレベルの電圧が入力され、そのゲートにはプリチャージ信号/PREが入力される。PchトランジスタPTR2RaのドレインはPchトランジスタPTR2Rbのソースに接続されている。
PchトランジスタPTR2Rbのゲートは自身のドレインに接続され、この接続部がプリチャージ回路2Rの出力部であって、カレントミラー回路1の参照(比較)回路側の入力部に接続されている。
PchトランジスタPTR3RaのソースにVccレベルの電圧が入力され、そのゲートには活性化信号/SENが入力される。PchトランジスタPTR3RaのドレインはPchトランジスタPTR3Rbのソースに接続されている。
PchトランジスタPTR3Rbのゲートは自身のドレインに接続され、この接続部が負荷回路3Rの出力部であって、カレントミラー回路1の参照回路側の入力部に接続されている。
カレントミラー回路1の入力信号SAIN,REFINが該カレントミラー回路の最大動作電圧にあたる(Vcc−Vthp)より高くなると、つまり、PchトランジスタPTR1b,PTR1Rbのソースとゲートとの電位差がそれらの閾値Vthp以下になると、PchトランジスタPTR1b,PTR1Rbがオフとなり、入力信号SAIN1,REFINが(Vcc−Vthp)に下がるまで、カレントミラー回路1が動作しない。このため、入力信号SAIN,REFINが(Vcc−Vthp)にまで下がるのに要する時間Δt分のロスが生じることになる。
出力ビット数が16個(これをワード構成の出力という。1ワードが16ビット)である場合、このセンスアンプ回路は16個必要になる。高性能化の要求により、ページモード機能或いはバーストモード機能を取り入れると、例えば、8ページの機能があるものでは、センスアンプ回路は16個(1ワード)に、8ページをかけた128個分必要となり、センスアンプ回路で消費する電流が支配的となり、上記のピーク電流が問題になる。
PchトランジスタPTR2aのソースにVccレベルの電圧が入力され、そのゲートにはプリチャージ信号/PREが入力される。PchトランジスタPTR2aのドレインはPchトランジスタPTR2bのソースに接続されている。
PchトランジスタPTR2bのゲートは自身のドレインに接続され、この接続部がNchトランジスタNTR2aのドレインに接続されている。
NchトランジスタNTR2aのゲートに(Vcc−Vthp−β)の電圧に設定されたLEVEL信号が入力され、ソースがプリチャージ回路2aの出力部であって、カレントミラー回路1の入力回路側の入力部に接続されている。NchトランジスタNTR2aの閾値はほぼ0(V)に設定されている。
PchトランジスタPTR3aのソースにVccレベルの電圧が入力され、そのゲートには活性化信号/SENが入力される。PchトランジスタPTR3aのドレインはPchトランジスタPTR3bのソースに接続されている。
PchトランジスタPTR3bのゲートは自身のドレインに接続され、この接続部がNchトランジスタNTR3aのドレインに接続されている。
NchトランジスタNTR3aのゲートにLEVEL信号(上述したように(Vcc−Vthp−β)の電圧に設定された信号)が入力され、ソースが負荷回路3aの出力部であって、カレントミラー回路1の入力回路側の入力部に接続されている。NchトランジスタNTR3aの閾値はほぼ0(V)に設定されている。
PchトランジスタPTR2RaのソースにVccレベルの電圧が入力され、そのゲートにはプリチャージ信号/PREが入力される。PchトランジスタPTR2RaのドレインはPchトランジスタPTR2Rbのソースに接続されている。
PchトランジスタPTR2Rbのゲートは自身のドレインに接続され、この接続部がNchトランジスタNTR2Raのドレインに接続されている。
NchトランジスタNTR2RaのゲートにLEVEL信号(上述したように(Vcc−Vthp−β)の電圧に設定された信号)が入力され、ソースがプリチャージ回路2Raの出力部であって、カレントミラー回路1の参照(比較)回路側の入力部に接続されている。NchトランジスタNTR2Raの閾値はほぼ0(V)に設定されている。
PchトランジスタPTR3RaのソースにVccレベルの電圧が入力され、そのゲートには活性化信号/SENが入力される。PchトランジスタPTR3RaのドレインはPchトランジスタPTR3Rbのソースに接続されている。
PchトランジスタPTR3Rbのゲートは自身のドレインに接続され、この接続部がNchトランジスタNTR3Raのドレインに接続されている。
NchトランジスタNTR3RaのゲートにLEVEL信号(上述したように(Vcc−Vthp−β)の電圧に設定された信号)が入力され、ソースが負荷回路3Raの出力部であって、カレントミラー回路1の参照(比較)回路側の入力部に接続されている。NchトランジスタNTR3Raの閾値はほぼ0(V)に設定されている。
PchトランジスタPTR2aのソースにVccレベルの電圧が入力され、そのゲートにはプリチャージ信号/PREが入力される。PchトランジスタPTR2aのドレインはPchトランジスタPTR2bのソースに接続されている。
PchトランジスタPTR2bのゲートは自身のドレインに接続され、この接続部がNchトランジスタNTR2bのドレインに接続されている。
NchトランジスタNTR2bのゲートに(Vcc−Vthp−β)の電圧に設定されたLEVEL信号が入力され、ソースがプリチャージ回路2bの出力部であって、カレントミラー回路1の入力回路側の入力部に接続されている。NchトランジスタNTR2bの閾値はほぼ0(V)に設定されている。
PchトランジスタPTR2RaのソースにVccレベルの電圧が入力され、そのゲートにはプリチャージ信号/PREが入力される。PchトランジスタPTR2RaのドレインはPchトランジスタPTR2Rbのソースに接続されている。
PchトランジスタPTR2Rbのゲートは自身のドレインに接続され、この接続部がNchトランジスタNTR2Rbのドレインに接続されている。
NchトランジスタNTR2RbのゲートにLEVEL信号(上述したように(Vcc−Vthp−β)の電圧に設定された信号)が入力され、ソースがプリチャージ回路2RBの出力部であって、カレントミラー回路1の参照(比較)回路側の入力部に接続されている。NchトランジスタNTR2Rbの閾値はほぼ0(V)に設定されている。
PchトランジスタPTRのソースにVccレベルの電圧が供給され、ゲートは自身のドレインに接続されている。PchトランジスタPTRのドレインは抵抗素子Rの一端に接続され、抵抗素子の他端はグランドに接続されている。PchトランジスタPTRのドレインと抵抗素子Rの一端との接続部からの出力をLEVEL信号とする。
つまり、従来のセンスアンプ回路では、プリチャージ信号/PREがHighレベルからLowレベルになるタイミングでHighレベルからLowレベルになる活性化信号/SENがPchトランジスタPTR1aのゲートに入力される(図11,図12参照)。
これに対して、本実施の形態のセンスアンプ回路では、プリチャージ信号/PREがHighレベルからLowレベルになるタイミングからΔtずらしてHighレベルからLowレベルになる活性化信号/SENdがPchトランジスタPTR1aのゲートに入力される(図9,図10参照)。ここで、Δtはプリチャージ信号/PREがLowレベルの期間Tに活性化信号/SENdがHighレベルからLowレベルになるように設定する。ただし、センスノードSAおよび参照センスノードRSAをある程度充電し、かつ、次の読み出し動作に備えてカレントミラー回路1を活性化することを踏まえて、例えば、ΔtをT/3以上、2/3×T以下に設定するのが好ましい。なお、Δtを、カレントミラー回路1を活性化するのに最小限必要な時間を残して最大限大きく設定することが、ピーク電流対策として最も有効である。
プリチャージ信号/PREがHighレベルからLowレベルになってΔt経過後、活性化信号/SENdがLowレベルになり、PchトランジスタPTR1aがオンし、Vccから基準電位へ向かって、PchトランジスタPTR1a,PTR1bおよびNchトランジスタNTR6を介して、貫通電流が流れ、ピーク値がI(peak)2の電流が流れ、カレントミラー回路1が活性化される。このとき、センスノードSAが充電されてセンスノードSAの電位が高くなっているので、従来のセンスアンプ回路のピーク値I(SENSE)1に比べてピーク値I(SENSE)2が小さくなる。
2,2R プリチャージ回路
3,3R 負荷回路
8,8R カウンタキャパシタ
PTR2a,PTR2b,PTR2Ra,PTR2Rb Pchトランジスタ
PTR3a,PTR3b,PTR3Ra,PTR3Rb Pchトランジスタ
PTR8,PTR8R Pchトランジスタ
Claims (9)
- カレントミラー接続されたNチャネルトランジスタと、負荷となるPチャネルトランジスタにより構成されたカレントミラー回路を有し、該カレントミラー回路の入力回路側に第1のプリチャージ回路および第1の負荷回路が設けられ、該カレントミラー回路の比較回路側に第2のプリチャージ回路および第2の負荷回路が設けられているセンスアンプ回路において、
前記第1のプリチャージ回路は、
プリチャージ信号がゲートに入力されることにより前記カレントミラー回路の入力回路側の第1の入力部に入力電圧を供給する第1のスイッチングトランジスタと、
前記第1の入力部と前記第1のスイッチングトランジスタとの間に設けられ、前記第1の入力部の電圧レベルを該カレントミラー回路の最大動作電圧(電源電圧マイナス上記Pチャネルトランジスタの閾値の電圧レベル)にするダイオードからなる第1の入力電圧リミット手段と、を備え、
前記第2のプリチャージ回路は、
プリチャージ信号がゲートに入力されることにより前記カレントミラー回路の比較回路側の第2の入力部に入力電圧を供給する第2のスイッチングトランジスタと、
前記第2の入力部と前記第2のスイッチングトランジスタとの間に設けられ、前記第2の入力部の電圧レベルを該カレントミラー回路の最大動作電圧(電源電圧マイナス上記Pチャネルトランジスタの閾値の電圧レベル)にするダイオードからなる第2の入力電圧リミット手段と、を備え、
一端が前記第1のスイッチングトランジスタと前記第1の入力電圧リミット手段との第1の接続部に接続され、他端に前記プリチャージ信号の反転信号が入力される第1の容量手段と、
一端が前記第2のスイッチングトランジスタと前記第2の入力電圧リミット手段との第2の接続部に接続され、他端に前記プリチャージ信号の反転信号が入力される第2の容量手段との少なくも一方が設けられていることを特徴とするセンスアンプ回路。 - 前記第1の容量手段および前記第2の容量手段の双方を備えていることを特徴とする請求項1に記載のセンスアンプ回路。
- カレントミラー回路の入力回路側に第1のプリチャージ回路および第1の負荷回路が設けられ、該カレントミラー回路の比較回路側に第2のプリチャージ回路および第2の負荷回路が設けられているセンスアンプ回路において、
前記第1のプリチャージ回路を構成する第1のスイッチングトランジスタのゲートに入力されるプリチャージ信号の反転信号がゲートに入力され、ドレインおよびソースが該第1のスイッチングトランジスタの出力部に接続される、該第1のスイッチングトランジスタと同じ種類の第1のトランジスタと、
前記第2のプリチャージ回路を構成する第2のスイッチングトランジスタのゲートに入力されるプリチャージ信号の反転信号がゲートに入力され、ドレインおよびソースが該第2のスイッチングトランジスタの出力部に接続される、該第2のスイッチングトランジスタと同じ種類の第2のトランジスタと、
を備えたことを特徴とするセンスアンプ回路。 - 前記第1のトランジスタの寸法が前記第1のスイッチングトランジスタの寸法の略半分であり、前記第2のトランジスタの寸法が前記第2のスイッチングトランジスタの寸法の略半分である、ことを特徴とする請求項3に記載のセンスアンプ回路。
- 前記第1のトランジスタの寸法が前記第1のスイッチングトランジスタの寸法の半分より大きく、前記第2のトランジスタの寸法が前記第2のスイッチングトランジスタの寸法の半分より大きい、ことを特徴とする請求項3に記載のセンスアンプ回路。
- 前記第1のトランジスタの寸法と前記第2のトランジスタの寸法が異なることを特徴とする請求項3から請求項5の何れか1項に記載のセンスアンプ回路。
- カレントミラー回路の入力回路側に第1のプリチャージ回路および第1の負荷回路が設けられ、該カレントミラー回路の比較回路側に第2のプリチャージ回路および第2の負荷回路が設けられているセンスアンプ回路において、
前記第1のプリチャージ回路は、第1のスイッチングトランジスタと、該第1のスイッチングトランジスタに接続された第1の負荷トランジスタと、該第1の負荷トランジスタにソースまたはドレインの一方が接続され、前記カレントミラー回路の入力回路側の第1の入力部にソースまたはドレインの他方が接続され、ゲートに前記カレントミラー回路の最大動作電圧以下の一定電圧が入力される第1のトランジスタと、を備え、
前記第2のプリチャージ回路は、第2のスイッチングトランジスタと、該第2のスイッチングトランジスタに接続された第2の負荷トランジスタと、該第2の負荷トランジスタにソースまたはドレインの一方が接続され、前記カレントミラー回路の比較回路側の第2の入力部にソースまたはドレインの他方が接続され、ゲートに前記カレントミラー回路の最大動作電圧以下の一定電圧が入力される第2のトランジスタと、を備え、
前記第1の負荷回路は、第3のスイッチングトランジスタと、該第3のスイッチングトランジスタに接続された第3の負荷トランジスタと、該第3の負荷トランジスタにソースまたはドレインの一方が接続され、前記第1の入力部にソースまたはドレインの他方が接続され、ゲートに前記カレントミラー回路の最大動作電圧以下の一定電圧が入力される第3のトランジスタと、を備え、
前記第2の負荷回路は、第4のスイッチングトランジスタと、該第4のスイッチングトランジスタに接続された第4の負荷トランジスタと、該第4の負荷トランジスタにソースまたはドレインの一方が接続され、前記第2の入力部にソースまたはドレインの他方が接続され、ゲートに前記カレントミラー回路の最大動作電圧以下の一定電圧が入力される第4のトランジスタと、を備えていることを特徴とするセンスアンプ回路。 - カレントミラー回路の入力回路側に第1のプリチャージ回路および第1の負荷回路が設けられ、該カレントミラー回路の比較回路側に第2のプリチャージ回路および第2の負荷回路が設けられているセンスアンプ回路において、
前記第1のプリチャージ回路は、第1のスイッチングトランジスタと、該第1のスイッチングトランジスタに接続された第1の負荷トランジスタと、該第1の負荷トランジスタにソースまたはドレインの一方が接続され、前記カレントミラー回路の入力回路側の入力部にソースまたはドレインの他方が接続され、ゲートに前記カレントミラー回路の最大動作電圧以下の一定電圧が入力される第1のトランジスタと、を備え、
前記第2のプリチャージ回路は、第2のスイッチングトランジスタと、該第2のスイッチングトランジスタに接続された第2の負荷トランジスタと、該第2の負荷トランジスタソースまたはドレインの一方が接続され、前記カレントミラー回路の比較回路側の入力部にソースまたはドレインの他方が接続され、ゲートに前記カレントミラー回路の最大動作電圧以下の一定電圧が入力される第2のトランジスタと、を備え、
前記第1の負荷回路は、第3のスイッチングトランジスタと、該第3のスイッチングトランジスタに接続された第3の負荷トランジスタと、を備え、
前記第2の負荷回路は、第4のスイッチングトランジスタと、該第4のスイッチングトランジスタに接続された第4の負荷トランジスタと、を備えていることを特徴とするセンスアンプ回路。 - カレントミラー接続されたNチャネルトランジスタと、負荷となるPチャネルトランジスタにより構成されたカレントミラー回路を有し、該カレントミラー回路の入力回路側に第1のプリチャージ回路および第1の負荷回路が設けられ、該カレントミラー回路の比較回路側に第2のプリチャージ回路および第2の負荷回路が設けられているセンスアンプ回路において、
前記第1のプリチャージ回路は、
プリチャージ信号がゲートに入力されることにより前記カレントミラー回路の入力回路側の第1の入力部に入力電圧を供給する第1のスイッチングトランジスタと、
前記第1の入力部と前記第1のスイッチングトランジスタとの間に設けられ、予め設定された電圧レベルに基づいて、前記第1のスイッチングトランジスタから前記第1の入力部に入力する入力電圧の電圧レベルを該カレントミラー回路の最大動作電圧以下(電源電圧マイナス上記Pチャネルトランジスタの閾値の電圧レベル以下)にする第1の入力電圧クランプ手段と、を備え、
前記第2のプリチャージ回路は、
プリチャージ信号がゲートに入力されることにより前記カレントミラー回路の比較回路側の第2の入力部に入力電圧を供給する第2のスイッチングトランジスタと、
前記第2の入力部と前記第2のスイッチングトランジスタとの間に設けられ、予め設定された電圧レベルに基づいて、前記第2のスイッチングトランジスタから前記第2の入力部に入力する入力電圧の電圧レベルを該カレントミラー回路の最大動作電圧以下(電源電圧マイナス上記Pチャネルトランジスタの閾値の電圧レベル以下)にする第2の入力電圧クランプ手段と、
を備えることを特徴とするセンスアンプ回路。
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