JP4523406B2 - 光学補償シート及び光学異方性層の作製方法 - Google Patents

Description

本発明は、新規な光学補償シート、および光学異方性層の製造方法の技術分野に属する。

光学補償シートは、画像着色を解消したり、視野角を拡大するために、様々な液晶表示装置で用いられている。従来、光学補償シートとしては、延伸複屈折フイルムが使用されている。また、近年、延伸複屈折フイルムに代えて、透明支持体上にディスコティック液晶性化合物からなる光学異方性層を有する光学補償シートを使用することが提案されている。

この光学異方性層は、通常、ディスコティック液晶性化合物を含むディスコティック液晶組成物を配向膜の上に塗布し、配向温度よりも高い温度で加熱してディスコティック液晶性化合物を配向させ、その配向状態を固定することにより形成される。一般に、ディスコティック液晶性化合物は、大きな複屈折率を有するとともに、多様な配向形態がある。ディスコティック液晶性化合物を用いることで、従来の延伸複屈折フイルムでは得ることができない光学的性質を実現することが可能になった。特に、透明支持体との距離に伴って傾斜角が変化するように配向（ハイブリッド配向）させた光学異方性層を有する光学補償シートは、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードやＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）モードの液晶表示装置の視野角の拡大に有用である。例えば、５〜５０度の傾斜角で配向させたトリフェニレン液晶からなる光学異方性層を有する光学補償シートが提案されている（例えば、米国特許第５，５８３，６７９号明細書、米国特許第５，６４６，７０３号明細書）。また、欧州特許第１０５４０４９Ａ１号明細書には、メラミンと置換安息香酸からなるカラムナー錯体を含む光学補償体が開示されている。

一方、ディスコティック液晶性化合物は、多様な配向形態があるため、所望の光学特性を発現させるためには、光学異方性層におけるディスコティック液晶性化合物の配向を制御する必要がある。例えば、特開平１１−３５２３２８号公報の９〜２１ページには、ディスコティック液晶性化合物に、セルロース低級脂肪酸エステル、含フッ素界面活性剤または１，３，５−トリアジン環を有する化合物を添加することにより、ディスコティック液晶性化合物を平均傾斜角が５度未満の水平状態に配向制御可能であることが記載されている。特開２００１−３３０７２５号公報には、フッ素置換アルキル基と親水基（スルホ基が連結基を介してベンゼン環に結合した）を有する化合物を、層中におけるディスコティック液晶化合物のチルト角を制御するために、光学異方性層に添加した光学補償シートが開示されている。特開２００２−２０３６３号公報には、疎水性排除体積効果化合物を光学異方性層に添加して、液晶性化合物の配向を制御することが記載されている。しかし、本発明者がこれらの光学補償シートを実際に使用してみたところ、偏光板の斜め方向からの光漏れが認められ、視野角が充分に（理論的に期待される程度まで）拡大しなかったり、光学補償機能が十分ではなかった。光学補償機能が不十分になる理由の一つとして液晶性化合物の傾斜角が充分に確保できないことがある。ディスコティック液晶化合物のハイブリッド配向を促進可能な化合物は未だ開示されていない。

液晶性化合物の配向を制御する他の方法として、配向膜（界面処理）を用いる方法が知られている。しかし配向膜の規制力だけでは、液晶性化合物を配向膜界面から空気界面まで均一に配向（モノドメイン配向）させることが難しく、シュリーレンなどの欠陥が残りやすい。特に、生産性を向上させるために熟成時間を短縮すると、シュリーレン欠陥の発生が顕著になる。光学異方性層にシュリーレン欠陥が生じると光散乱が起こり、光学特性を損なうという問題がある。

米国特許第５９９５１８４号（特開２０００−１０５３１５号）には、基板を提供し；基板に液晶配向層を設け；前記配向層に重合可能な液晶材料の薄膜を設けて該薄膜の自由表面が液晶と空気との界面を構成するようにし、該液晶材料は該液晶と空気との界面における該液晶材料のディレクタの固有の傾斜配向を減じる界面活性材料を含み；該薄膜の大部分において該薄膜のディレクタを配向するよう、該薄膜の温度を調節し；及び該薄膜を重合して該配向を保つ；位相遅延プレートを製造する方法が開示されている。

本発明は、シュリーレン欠陥などの欠陥の少ないハイブリッド配向の光学異方性層を、迅速に製造可能な光学異方性層の製造方法を提供することを課題とする。また、本発明は、液晶分子が向上した傾斜角で配向した光学異方性層を有する、光学補償機能に優れた新規な光学補償シートを提供することを課題とする。特に、ディスコティック液晶分子が向上した傾斜角で配向した光学異方性層を有し、ＴＮモードまたはＯＣＢモード等の液晶表示装置の視野角の改善に寄与する光学補償シートを提供することを課題とする。

ある側面において、本発明は、透明支持体と、その上に、下記一般式（Ｉ）または下記一般式（II）で表させる少なくとも一種の化合物を含有する光学異方性層とを有する光学補償シートを提供する。
一般式（Ｉ）
（Ｒ¹−Ｘ¹−）_mＡｒ¹（−ＣＯＯＨ）_p
Ａｒ¹は芳香族ヘテロ環基又は縮合芳香族炭素環基を表し；Ｘ¹は単結合又は２価の連結基を表し；Ｒ¹はアルキル基を表し；ｍは１〜４の整数を表し、ｐは１〜４の整数を表し；ｍが２以上の時、複数のＲ¹−Ｘ¹は互いに同一でも異なっていてもよい。
一般式（II）：
（Ｒ²−Ｘ²−）_nＡｒ²（−ＳＯ₃Ｈ）_q
Ａｒ²は芳香族ヘテロ環基又は芳香族炭素環基を表し、Ｘ²は単結合又は２価の連結基を表し、Ｒ²はアルキル基を表し；ｎは１〜４の整数を表し、ｑは１〜４の整数を表し；ｍが２以上の時、複数のＲ²−Ｘ²は互いに同一でも異なっていてもよい。

他の側面において、本発明は、透明支持体と、その上に、トリフェニレン液晶化合物及び下記一般式（III）で表される化合物の少なくとも一種からなる光学異方性層とを有する光学補償シートを提供する。
一般式（III）
（Ｒ−）_sＡｒ（−Ｙ）_r
Ａｒは芳香族ヘテロ環基又は縮合芳香族炭素環基を表し；Ｒは置換基を表し；Ｙはスルホ又はカルボニルを表し；ｓは０〜５のいずれかの整数を表し、ｒは１〜４のいずれかの整数を表し；ｓ及びｒが２以上の時、複数のＲ及びＹは同一でも異なっていてもよい。
本発明の態様として、前記一般式(III)で表される化合物が、下記一般式（IIIａ）で表される前記光学補償シート：

Ｚは置換基を表し、Ｘ³は単結合又は二価の連結基を表し、Ｒ３はアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し；Ｙ¹はスルホ又はカルボニルを表し、ｔは０〜４の整数であり、ｓ¹は１〜４の整数であり、ｒ¹は１〜４の整数であり；ｔ、ｓ¹及びｒ¹が２以上の時、複数のＺ、Ｒ³、Ｘ³及びＹ¹は同一でも異なっていてもよい；及び式（ＩＩＩａ）中、Ｚがアルキル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基を表し；Ｘ³が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＯ−、−Ｎ（Ｒ^a）ＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＣＯＮ（Ｒ^a）−を表し；Ｒ^aが炭素原子数１〜５のアルキル基又は水素原子を表し；Ｒ³が置換もしくは無置換の炭素原子数８〜２０のアルキル基又は末端にＣＦ₂基又はＣＦ₃基を有し水素原子の６０％以上がフッ素原子で置換されている炭素数４〜１２のアルキル基を表し；ｔが０〜２の整数であり、ｓ¹が１〜３の整数であり、及びｒ¹が１である前記光学補償シート；が提供される。

他の側面において、本発明は、透明支持体と、その上に、ディスコティック液晶化合物及び下記一般式（IVｂ）で表される化合物の少なくとも一種からなる光学異方性層とを有し、前記ディスコティック液晶化合物がハイブリッド配向に固定されている光学補償シートを提供する。

Ｘ⁷、Ｘ⁸及びＸ⁹は独立に、−ＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＳＯ₂−、−Ｏ−又は−Ｓ−を表し；Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴、Ｌ⁵及びＬ⁶は独立に、式（ＩＶｃ）又は（IＶｄ）で表される構造を有する基を表す；

（ＩＶｃ）及び（IＶｄ）中、Ｒ⁷及びＲ⁸は独立に、置換もしくは無置換のアルキル基を表し；ｎは１〜１２の整数である。

他の側面において、本発明は、透明支持体と、その上に、ディスコティック液晶化合物、一般式(XIIIa)で表される化合物の少なくとも一種、及び一般式(XXII)で表される化合物の少なくとも一種からなる光学異方性層とを有し、前記ディスコティック液晶化合物がハイブリッド配向に固定されている光学補償シートを提供する。

Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は独立して、水素原子又は置換基を表し；Ｘ⁴、Ｘ⁵及びＸ⁶は独立して−ＣＯ−、−ＮＲ^a−（Ｒ^aはａ炭素原子数１〜５のアルキル基または水素原子）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる二価の連結基を表し；ｍ¹、ｍ²及びｍ³は独立して１〜５の整数を表し；ｍ¹、ｍ²及びｍ³が２以上の時、複数のＲ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は同一でも異なっていてもよい；

一般式（ＸＸＩＩ）
Ａｒ³（−Ｌ⁷−Ｙ²）_m4
Ａｒ³は芳香族炭素環基又は芳香族へテロ環基を表し；Ｙ²はスルホ又はカルボキシルを表し；Ｌ⁷は単結合又は二価の連結基を表し；ｍ⁴は１〜１０の整数である。

他の側面において、本発明は、ハイブリッド配向した液晶性化合物からなる光学異方性層を作製する方法であって、前記液晶性化合物を水平配向させる第一の工程と、前記液晶性化合物をハイブリッド配向させる第二の工程とを含む光学異方性層の製造方法を提供する。
本発明の態様として、ハイブリッド配向した液晶性化合物からなる光学異方性層を作製する方法であって、前記液晶性化合物を水平配向させる第一の工程と、
前記第一の工程の後に、前記液晶性化合物をハイブリッド配向させる第二の工程とを含み、前記第一の工程において、水平配向化剤の存在下で前記液晶性化合物を温度Ｔ₁℃で水平配向させ、且つ前記第二の工程において、温度Ｔ₂（但し、Ｔ₂＜Ｔ₁）℃で前記水平配向化剤の存在下で前記液晶性化合物をハイブリッド配向させる光学異方性層の製造方法；前記水平配向化剤が、一般式（IVｂ）で表される化合物である前記方法；

Ｘ⁷、Ｘ⁸及びＸ⁹は独立に、−ＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＳＯ₂−、−Ｏ−又は−Ｓ−を表し；Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴、Ｌ⁵及びＬ⁶は独立に、式（ＩＶｃ）又は（IＶｄ）で表される構造を有する基を表す；

（ＩＶｃ）及び（IＶｄ）中、Ｒ⁷及びＲ⁸は独立に、置換もしくは無置換のアルキル基を表し；ｎは１〜１２の整数である；が提供される。

本発明の態様として、前記第一の工程において、水素結合性基を有する少なくとも二種の化合物の存在下で、温度Ｔ₁℃で前記液晶性化合物を水平配向させ、且つ前記二種の化合物の存在下で温度Ｔ₂℃（但し、Ｔ₁＜Ｔ₂）で前記液晶性化合物をハイブリッド配向させる前記方法；前記水素結合性基を有する少なくとも二種の化合物が、１，３，５−トリアジン環を有する化合物である前記方法；前記水素結合性基を有する少なくとも二種の化合物の少なくとも一方が、カルボキシル基を有する化合物である前記方法；前記水素結合性基を有する少なくとも二種の化合物の少なくとも一方が、スルホ基を有する化合物である前記方法；前記水素結合性基を有する少なくとも二種の化合物の一方が、１，３，５−トリアジン環を有する化合物であり、他方がカルボキシル基又はスルホ基を有する化合物である前記方法；前記水素結合性基を有する少なくとも二種の化合物の一方が、一般式（XIIIa）で表される化合物であり、他方が一般式（XXII）で表される化合物である前記方法；

Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は独立に水素原子又は置換基を表し；Ｘ⁴、Ｘ⁵及びＸ⁶は独立に−ＣＯ−、−ＮＲ^a−（Ｒ^aは炭素原子数１〜５のアルキル基又は水素原子を表し）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−及びこれらの組み合わせから選ばれる二価の連結基を表し；ｍ¹、ｍ²及びｍ³は独立に１〜５の整数であり；ｍ¹、ｍ²及びｍ³が２以上の時、複数のＲ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は同一でも異なっていてもよい
一般式（XXII）
Ａｒ³（−Ｌ⁷−Ｙ²）_m4
Ａｒ³は芳香族炭素環基又は芳香族へテロ環基を表し；Ｙ²はスルホ又はカルボキシルを表し；Ｌ⁷は単結合又は二価の連結基を表し；ｍ⁴は１〜１０の整数である。

本発明の態様として、前記第二の工程の後に、前記液晶化合物をハイブリッド配向に固定する第三の工程をさらに含む前記方法；前記液晶化合物がディスコティック液晶化合物である前記方法が提供される。

また、他の側面から、本発明は、前記方法のいずれかによって作製された光学異方性層を有する光学補償シートを提供する。

発明の実施の形態

［チルト角向上剤］
本発明の光学補償シートは、透明支持体と、その上に、一般式（Ｉ）、（II）又は（III）で表される化合物の少なくとも一種を含有する光学異方性層とを有する。一般式（Ｉ）〜（III）で表される化合物は、液晶性化合物が大きなチルト角で安定的にハイブリッド配向するのに寄与するであろう。特に、空気界面におけるチルト角の向上に寄与し、その結果、光学補償性を格段に改善する。さらに、液晶層（光学異方性層）に一般式（Ｉ）〜（III）で表される化合物を添加すると、該層と支持体との濡れ性が改善され、言い換えればハジキが防止できる。

一般式（Ｉ）
（Ｒ¹−Ｘ¹−）_mＡｒ¹（−ＣＯＯＨ）_p
式中、Ａｒ¹は芳香族ヘテロ環基又は芳香族縮合炭素環基を表し；Ｘ¹は単結合又は二価の連結基を表し；Ｒ¹はアルキル基を表し；ｍは１〜４の整数であり、ｐは１〜４の整数であり；ｍが２以上の時、複数のＲ¹−Ｘ¹は互いに同一でも異なっていてもよい。

一般式（ＩＩ）：
（Ｒ²−Ｘ²−）_nＡｒ²（−ＳＯ₃Ｈ）_q
式中、Ａｒ²は芳香族へテロ環基又は芳香族炭素環基を表し；Ｘ²は単結合又は二価の連結基を表し；Ｒ²はアルキル基を表し；ｎは１〜４の整数であり及びｑは１〜４の整数であり；ｎが２以上の時、複数のＲ²−Ｘ²は互いに同一でも異なっていてもよい。

一般式（ＩＩＩ）：
（Ｒ−）_SＡｒ（−Ｙ）_r
式中、Ａｒは芳香族へテロ環基又は芳香族炭素環基を表し；Ｒは置換基を表し；Ｙはスルホ又はカルボキシルを表し；ｓは０〜５の整数であり及びｒは１〜４の整数であり；及びｓ及びｒが２以上の時、複数のＲ及びｓは同一でも異なっていてもよい。

まず、前記一般式（Ｉ）について詳細に説明する。
Ａｒ¹で表される芳香族へテロ環基は、炭素原子数が１〜２０、好ましくは炭素原子数が１〜２０、より好ましくは炭素原子数が１〜１２である。該基に含まれる芳香族へテロ環は少なくとも１つのヘテロ原子、例えば窒素原子（Ｎ）、酸素原子（Ｏ）又は硫黄原子（Ｓ）等のヘテロ原子を有する。前記芳香族へテロ環の例には、フラン環、チオフェン環、ピロール環、イソオキサゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、１，３，５−トリアジン環、インドール環、インダゾール環、キノン環及びカルバゾール環が含まれる。

Ａｒ¹で表される前記芳香族縮合炭素環基は２以上の環からなる前記芳香族縮合炭素環基は、炭素原子数が１０〜３０であるのが好ましく、１０〜２０であるのが好ましい。前記芳香族縮合炭素環基の最も好ましい例は、ナフタレン環を含む基である。
Ａｒ¹は芳香族縮合炭素環であるのが好ましい。

Ａｒ¹で表される前記ヘテロ環及び炭素環は置換基を有していてもよく、該置換基としては以下のものが挙げられる。
アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリール基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルキニル基であり、例えば、プロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基であり、例えば、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる）、置換もしくは無置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６のアミノ基であり、例えば、無置換アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、アニリノ基などが挙げられる）、

アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは２〜１０のアルコキシカルボニル基であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは２〜１０のアシルオキシ基であり、例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０のアシルアミノ基であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２のアルコキシカルボニルアミノ基であり、例えば、メトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２のアリールオキシカルボニルアミノ基であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルホニルアミノ基であり、例えば、メタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２のスルファモイル基であり、例えば、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のカルバモイル基であり、例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる）、

アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基などが挙げられる）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルホニル基であり、例えば、メシル基、トシル基などが挙げられる）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルフィニル基であり、例えば、メタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のウレイド基であり、例えば、無置換のウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のリン酸アミド基であり、例えば、ジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２のヘテロ環基であり、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有するヘテロ環基であり、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４のシリル基であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）が含まれる。
これらの置換基はさらにこれらの置換基によって置換されていてもよい。また、置換基が二つ以上有する場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに結合して環を形成していてもよい。

Ａｒ¹で表される芳香族ヘテロ環又は縮合芳香族炭素環の置換基としては、好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基であり、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基である。

Ｘ¹で表される２価の連結基はアルキレン基、アルケニレン基、２価の芳香族基、２価のヘテロ環残基、−ＣＯ−、−ＮＲ^a−（Ｒ^aは炭素原子数が１〜５のアルキル基又は水素原子）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる２価の連結基であることが好ましい。２価の連結基は、アルキレン基、−ＣＯ−、−ＮＲ^a−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−及びそれらの群より選ばれる２価の連結基を少なくとも２つ組み合わせた基であることがより好ましい。アルキレン基の炭素原子数は、１〜１２であることが好ましい。アルケニレン基の炭素原子数は、２〜１２であることが好ましい。アリーレン基の炭素原子数は、６〜１０であることが好ましい。アルキレン基、アルケニレン基及びアリーレン基は、可能であれば前述のＡｒ₁の置換基として例示された基（例、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ、アルコキシ基、アシルオキシ基など）によって置換されていてもよい。
Ｘ¹は二価の連結基であるのが好ましく、−Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n−（ｎは１〜４の整数である）、−Ｓ−、−ＯＣＯ−、−Ｎ（Ｒ^a）ＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＣＯＮ（Ｒ^a）−であるのがより好ましい。

Ｒ₁で表されるアルキル基は直鎖、分岐又は環状構造を有していてもよく、炭素数６〜６０のアルキル基が好ましく、炭素数７〜５０のアルキル基がより好ましく、炭素数８〜４０のアルキル基がさらに好ましく、炭素数８〜３０のアルキル基が特に好ましく、炭素数８〜２０のアルキル基が最も好ましい。

Ｒ¹で表されるアルキル基は、可能であれば前述のＡｒ¹の置換基として例示された基によって置換されていてもよい。置換基としてはハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。Ｒ¹がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す場合、末端がＣＨＦ₂基又はＣＦ₃基であることが好ましく、炭素数は、１〜１２であり、４〜１６であることが好ましく、４〜１２であることがより好ましい。前記末端にＣＦ₃基を有するアルキル基は、アルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましく、アルキル基に含まれる水素原子の６０％以上が置換されていることが好ましい。
Ｒ¹の例を以下に示す。

一般式（Ｉ）中、ｍは１〜３の整数が好ましく、ｐは１が好ましい。

前記一般式（Ｉ）で表される化合物の中でも、下記一般式（Ｉａ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｘ¹¹は−Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n−（ｎは１〜４の整数である）、−Ｓ−、−ＯＣＯ−、−Ｎ（Ｒ^a）ＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＣＯＮ（Ｒ^a）−を表し；Ｒ¹¹は炭素原子数８〜２０の無置換アルキル基又は末端に−ＣＨＦ₂又は−ＣＦ₃を有し水素原子の６０％以上がフッ素原子で置換されている炭素原子４〜１２のアルキル基；ｐ¹は１〜３の整数であり；Ｒ^aは炭素原子数１〜５のアルキル基又は水素原子を表す。

式中、Ｘ¹¹は好ましくは−Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n−（ｎは１〜４の整数である）、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−を表すのが好ましい。

ｐ１が１の場合、Ｒ¹¹は末端にＣＦ₃基を有し水素原子の６０％以上がフッ素原子で置換されている炭素数４〜１２のアルキル基が好ましく、ｐ１が２の場合、Ｒ¹¹は炭素数１２〜２０の無置換のアルキル基又は末端にＣＨＦ₂基又はＣＦ₃基を有し水素原子の６０％以上がフッ素原子で置換されている炭素数４〜１２のアルキル基が好ましく、ｐ１が３の場合、Ｒ¹¹は炭素数８〜２０の無置換のアルキル基又は末端にＣＨＦ₂基又はＣＦ₃基を有し水素原子の６０％以上がフッ素原子で置換されている炭素数４〜１２のアルキル基が好ましい。

次に、一般式（ＩＩ）の化合物について詳細に説明する。
前記一般式（ＩＩ）中、Ａｒ²は芳香族ヘテロ環又は芳香族炭素環を表す。Ａｒ²で表される芳香族ヘテロ環は、前記一般式（Ｉ）中のＡｒ¹で表される芳香族ヘテロ環と同義であり、その好ましい範囲も同一である。Ａｒ²で表される芳香族炭素環は、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭素環であり、ベンゼン環又はナフタレン環が最も好ましい。Ａｒ²は、芳香族炭素環であるのが好ましい。

Ａｒ²で表される芳香族ヘテロ環又は芳香族炭素環は置換基を有していてもよく、置換基としてはＡｒ¹の置換基と同義であり、その好ましい範囲も同一である。

前記一般式（ＩＩ）中、Ｘ²、Ｒ²、ｎ及びｑは、それぞれ前記一般式（Ｉ）中のＸ¹、Ｒ¹、ｍ及びｐと同義であり、その好ましい範囲も同一である。

前記一般式（ＩＩ）で表される化合物の中でも、下記一般式（ＩＩａ）で表される化合物が好ましい。
一般式（ＩＩａ）
ＨＯ₃Ｓ−（Ａｒ²²）−（Ｘ²²−Ｒ²²）_q1
式中、Ａｒ²²はベンゼン環又はナフタレン環を表し；Ｘ²²は−Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n−（ｎは１〜４の整数である）、−Ｓ−、−ＯＣＯ−、−Ｎ（Ｒ^a）ＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮ（Ｒ^a）−を表し；Ｒ²²は炭素原子数８〜２０の無置換のアルキル基又は末端にＣＨＦ₂基又はＣＦ₃基を有し水素原子の６０％以上がフッ素原子で置換されている炭素数４〜１２のアルキル基を表し、ｑ１は１〜３の整数を表す。また、Ｒ^aは炭素原子数が１〜５のアルキル基又は水素原子を表す。

前記一般式（ＩＩａ）中、Ｘ²²、Ｒ²²及びｑ１は、それぞれ前記一般式（Ｉａ）中のＸ¹¹、Ｒ¹¹及びｐ１と同義であり、その好ましい範囲も同一である。

次に、一般式（III）について詳細に説明する。
式中、Ａｒは芳香族へテロ環基又は芳香族炭素環基を表す。Ｒで表される芳香族へテロ環基及び芳香族炭素環基は一般式（ＩＩ）中のＡｒ²で表されるそれらと同義であり、好ましい範囲も同一である。Ａｒは好ましくはベンゼン環である。

Ｒで表される置換基はＡｒ¹に対する置換基と同義である。
前記一般式（III）で表される化合物の好ましい態様は、一般式（IIIa）で表される。

一般式（IIIａ）中、Ｚは置換基を表し、Ｘ³は単結合又は二価の連結基を表し；Ｒ³はアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し；Ｙ¹はスルホ又はカルボキシルを表し；ｔは０〜４の整数であり、ｓ¹は１〜４の整数であり、及びｒ¹は１〜４の整数であり、ｔ、ｓ¹及びｒ¹がそれぞれ２以上の時、複数のＺ、Ｒ³−Ｘ³及びＹ¹は同一でも異なっていてもよい。

Ｚで表される置換基は一般式（III）中のＲで表される置換基と同義であり、好ましい範囲も同一である。Ｚはアルキル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又はシアノであるのが好ましい。

Ｘ³で表される二価の連結基は一般式（Ｉ）中のＸ¹で表される二価の連結基と同義であり、その好ましい範囲も同一である。

Ｒ³で表されるアルキル基、アルケニル基、およびアルキニル基は直鎖、分岐または環状構造を有していてもよく、好ましくは６〜６０、より好ましくは７〜５０、さらに好ましくは８〜４０、さらにより好ましくは８〜３０、最も好ましくは８〜２０の炭素原子を有する。Ｒ³で表されるアルキル基、アルケニル基、およびアルキニル基は、一般式（III）中のRとして例示された置換基の少なくとも一つによって置換されていてもよい。Ｒ³で表されるアルキル基、アルケニル基、およびアルキニル基の置換基としてはハロゲン原子が好ましく、中でもフッ素原子が好ましい。Ｒ³がフッ素置換されたアルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す場合、Ｒ³は末端にＣＨＦ₂基又はＣＦ₃基を有しているのが好ましく、好ましくは１〜２０、より好ましくは４〜１６、さらに好ましくは４〜１２の炭素原子を有する。末端にＣＨＦ₂基又はＣＦ₃基を有するアルキル基、アルケニル基またはアルキニル基は、５０％以上の水素原子がフッ素原子で置換されているのが好ましく、６０％以上の水素原子がフッ素原子で置換されているのがより好ましい。Ｒ³はアルキル基であるのが好ましい。

Ｒ³の例を以下に示す。

式中、ｔは０〜２の整数であるのが好ましく、ｓ¹は１〜４の整数であるのが好ましく、ｒ¹は１〜４の整数であるのが好ましい。ｔ、ｓ¹及びｒ¹が２以上の時、複数のＺ、Ｒ³、Ｘ³及びＹ¹はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

前記式（IIIａ）で表される化合物の好ましい態様は、一般式（IIIb）で表される。

一般式（IIIｂ）中、Ｚ¹はアルキル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又はシアノを表し；Ｘ¹⁰は−Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n−（ｎは１〜４の整数である）、−Ｓ−、−ＯＣＯ−、−Ｎ（Ｒ^a）ＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＣＯＮ（Ｒ^a）−を表し；Ｒ^aは炭素原子数１〜５のアルキル基又は水素原子を表し；Ｒ⁹は炭素原子数８〜２０の無置換アルキル基、又は水素原子の６０％以上がフッ素原子で置換された末端に−ＣＨＦ₂又は−ＣＦ₃を有する炭素原子数４〜１２のアルキル基を表し；ｔ¹は０〜２の整数であり、ｓ²は１〜３の整数である。

一般式（IIIｂ）中、Ｘ¹⁰は好ましくは−Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n−（ｎは１〜４の整数である）、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−を表す。ｓ²が１の時、Ｒ⁹は好ましくは水素原子の６０％以上がフッ素原子で置換された末端に−ＣＨＦ₂又は−ＣＦ₃を有する炭素原子数４〜１２のアルキル基を表し；ｓ²が２の時、Ｒ⁹は好ましくは炭素原子数１２〜２０の無置換アルキル基又は水素原子の６０％以上がフッ素原子で置換された末端に−ＣＨＦ₂又は−ＣＦ₃を有する炭素原子数４〜１２のアルキル基を表し；及びｓ²が３の時、Ｒ⁹は好ましくは炭素原子数８〜２０の無置換のアルキル基又は水素原子の６０％以上がフッ素原子で置換された末端に−ＣＨＦ₂又は−ＣＦ₃を有する炭素原子数４〜１２のアルキル基を表す。Ｓ²が１又は２であり、且つＲ⁹が水素原子の６０％以上、さらに好ましくは６５％以上、がフッ素原子で置換された末端に−ＣＨＦ₂又は−ＣＦ₃を有する炭素原子数４〜１２のアルキル基を表すのがより好ましい。

式中、ｔ¹及びｓ²が２以上の時、複数のＺ¹及びＲ⁹−Ｘ¹⁰はそれぞれ、同一でも異なっていてもよい。
液晶性化合物を配向状態に固定するために、前記一般式（Ｉ）、（II）及び（III）で表される化合物は、重合性基を有しているのが好ましい。

前記一般式（Ｉ）、（II）及び（III）で表される化合物の具体例を以下に示す。しかし、本発明に使用可能な化合物はこれらに限定されるものではない。以下の具体例中、Ｎｏ．Ｉ−１〜３７は一般式（Ｉ）及び（III）で表される化合物の具体例であり；Ｎｏ．ＩＩ−１〜４６は一般式（II）及び（III）で表される化合物の具体例であり；Ｎｏ．ＩＩＩ−１〜３６は一般式（III）で表される化合物の具体例である。

一般式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で表される化合物は、アルキル化、エステル化、及びアミノ化等のヒドロキシ基の一般的反応の組み合わせによって調製することができる。

本発明において、一般式（Ｉ）、（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表される化合物の量は、液晶性化合物の重量に対して、好ましくは０．０１〜２０重量％、より好ましくは０．０５〜１０重量％、さらに好ましくは０．１〜５重量％である。本発明には、前記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表される２種以上の化合物を用いてもよい。前記一般式（Ｉ）と（ＩＩ），（ＩＩ）と（ＩＩＩ）、（Ｉ）と（ＩＩＩ）、又は（Ｉ）と（ＩＩ）と（ＩＩＩ）が併用されてもよい。

［光学異方性層の製造方法］
本発明は、液晶性化合物をハイブリッド配向状態に固定してなる光学異方性層の製造方法であって、液晶性化合物を水平配向させる第一の配向工程と、水平配向した液晶性化合物をハイブリッド配向させる第二の配向工程と、ハイブリッド配向した液晶性化合物をその配向状態に固定する固定化工程とを含む光学異方性層の製造方法に関する。本発明によれば、液晶性化合物を一旦水平配向させた後、ハイブリッド配向に転移させることにより、シュリーレン欠陥などの欠陥の少ないハイブリッド配向の光学異方性層を迅速に製造することができる。

実際の状態ではないが、イメージで表現すれば、「ハイブリッド配向」とは、液晶化合物の長軸と該化合物からなる層の水平面との間の角（以下「チルト角」という）が、層の深さ方向に連続的に変化している配向を意味する。もし、化合物がディスコティック液晶化合物であり、前記層が支持体上にある場合は、チルト角は分子の円盤面と支持体の表面との間の角である。また、「水平配向（ホモジーナスアライメント）」は、液晶性化合物の長軸が該化合物からなる層の水平面に平行である配向を意味するが、しかし、本明細書では、それらが互いに正確に平行であることを要求するものではない。本明細書では、「水平配向（ホモジーナスアライメント）」は、チルト角が１０°未満の配向をいうものとする。本発明では、第一の工程における水平配向（ホモジーナスアライメント）のチルト角は５°以下であるのが好ましく、３°以下であるのがより好ましく、２°以下であるのがさらにより好ましく、１°以下であるのが最も好ましい。チルト角が０°であってもいいことはいうまでもない。

前記第一および／または第二の配向工程において、液晶性化合物に電場、磁場、放射線および熱のいずれか少なくとも一種を供与することによって、液晶性化合物を水平配向および／またはハイブリッド配向させることができる。例えば、第一と第二の配向工程において、外部から供与するエネルギーの大きさを変化させる（例えば、加熱により配向させる場合は、加熱温度を変化させる）ことによって、液晶性化合物の配向状態を調整することができる。製造適性の観点から、前記第一および第二の配向工程において、液晶性化合物の加熱温度を変化させることによって、水平配向からハイブリッド配向に転移させるのが好ましい。
本発明では、前述した様に、外部からのエネルギーの供与によって、液晶性化合物を所望の配向状態に配向させることができるが、光学異方性層を配向膜上に形成することによって、または液晶性化合物の配向状態を制御し得る化合物を光学異方性層に添加することによっても、所望の配向状態を達成することができる。特に、後述する１，３，５−トリアジン環を有する化合物をはじめとする、水平配向を促進する添加剤を用いると、より迅速に、欠陥の少ないハイブリッド配向の光学異方性層を製造できるので好ましい。

次に、本発明の２つの好ましい態様について説明する。本発明の第一の態様は、前記第一の工程における水平配向のための温度が、前記第二の工程におけるハイブリッド配向のための温度より高い前記方法であり；本発明の第二の態様は、前記第一の工程における水平配向のための温度が、前記第二の工程におけるハイブリッド配向のための温度より低い前記方法である。

（１）第一の態様（Ｔ¹＞Ｔ²）
本態様では、まず、ディスコティック液晶性化合物、および所望により１，３，５−トリアジン環を有する化合物等の添加剤を溶剤に溶解した溶液を、配向膜上に塗布した後、乾燥する。次いで、ディスコティックネマチック相形成温度まで加熱し、さらに液晶相状態において水平配向状態をとる温度、Ｔ₁℃、まで昇温する。その後、該液晶相状態を呈する温度範囲の低温度領域、Ｔ₂（＜Ｔ₁）℃、まで冷却して、ハイブリッド配向状態にする。次に、ＵＶ光の照射等により、液晶性化合物および／または所望により添加される添加剤を重合し、ハイブリッド配向状態に固定する。この製造方法によれば、シュリーレン欠陥が少なく、液晶性化合物がハイブリッド配向した光学異方性層を迅速に製造できる。

本態様では、液晶性化合物の配向過程における温度制御が重要である。水平配向状態を呈する温度（Ｔ₁℃）としては、５０〜２００℃が好ましく、７０〜２００℃がより好ましく、９０〜１５０℃が特に好ましい。

本態様では、水平配向状態を呈する温度（Ｔ₁℃）は、ハイブリッド配向状態を呈する温度（Ｔ₂℃）よりも高温であることが好ましい。その温度差（Ｔ₁−Ｔ₂）は１０℃以上であるのが好ましく、２０℃以上であるのがより好ましい。さらに、水平配向からハイブリッド配向へ配向を変化させるときのハイブリッド配向化温度（Ｔ₂℃）は、５０℃〜２００℃が好ましく、７０℃〜１５０℃がより好ましく、９０℃〜１３０℃が特に好ましい。
なお、Ｔ₁およびＴ₂℃は、光学異方性層の膜面温度として測定される温度である。

液晶性化合物が水平配向化状態を呈する温度は、液晶性化合物、または後述する添加剤の種類や添加量によって任意に制御することができ、それに応じて、Ｔ₁℃およびＴ₂℃を設定することができる。また、Ｔ₁℃およびＴ₂℃の各温度に維持する時間、ならびにＴ₁℃からＴ₂℃に変化させる時間については、液晶性化合物の種類等に応じて、適宜設定することができる。

次に、本態様に使用可能な水平配向化剤について詳細に説明する。
本態様では、１，３，５−トリアジン環化合物が液晶性化合物とともに好ましく用いられる。１，３，５−トリアジン環を有する化合物は、前記第一の配向工程において、液晶性化合物の水平配向を促進する機能を有するとともに、前記第二の配向工程において、液晶性化合物が水平配向状態からハイブリッド配向状態に変化する際に、分子間相互作用により共同的にハイブリッド配向に変化するのを促進する機能を有すると推測される。また、前記１，３，５−トリアジン環を有する化合物を添加することにより、液晶層と支持体との濡れ性が改善されるなどの効果も得られる。

前記１，３，５−トリアジン環を有する化合物としては、前記機能を有するものであれば特に制限はないが、下記一般式（ＩＶ）で表される１，３，５−トリアジン環を有する化合物を用いるのが好ましい。

式中、Ｘ¹²、Ｘ¹³及びＸ¹⁴はそれぞれ、単結合又は二価の連結基を表し；Ｒ¹²、Ｒ¹³又はＲ¹⁴はそれぞれ、水素原子又は置換基を表す。

Ｘ¹²、Ｘ¹³及びＸ¹⁴でそれぞれ表される二価の連結基は、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、二価のヘテロ環基、−ＣＯ−、―ＮＲ^a−（Ｒ^aは炭素原子数１〜５のアルキル基又は水素原子を表す）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−及びそれらの組み合わせからなる群から選ばれるのが好ましく；アルキレン基、アルケニレン基、−ＣＯ−、−ＮＲ^a−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるのがより好ましく；アルキレン基、−ＣＯ−、−ＮＲ^a−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−及びこれらの２又は３の組み合わせからなる群より選ばれるのがさらに好ましい。前記アルキレン基に含まれる炭素原子の数は、１〜１２であるのが好ましい。前記アルケニレン基に含まれる炭素原子の数は、２〜１２であるのが好ましい。前記アリーレン基に含まれる炭素原子の数は、６〜１０であるのが好ましい。前記アルキレン基、前記アルケニレン基及び前記アリーレン基は、Ｒ¹²、Ｒ¹³およびＲ¹⁴の置換基として後に例示される基（例、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ、アルコキシ基、アシルオキシ基）によって置換されていてもよい。

Ｒ¹²、Ｒ¹³およびＲ¹⁴で各々表される置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルキニル基であり、例えば、プロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基であり、例えば、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる）、置換もしくは無置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６のアミノ基であり、例えば、無置換アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、アニリノ基などが挙げられる）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８のアルコキシ基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールオキシ基であり、例えば、フェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２アシル基であり、例えば、アセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０のアリールオキシカルボニル基であり、例えば、フェニルオキシカルボニル基などが挙げられる）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０のアシルオキシ基であり、例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０のアシルアミノ基であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２のアルコキシカルボニルアミノ基であり、例えば、メトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２のアリールオキシカルボニルアミノ基であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルホニルアミノ基であり、例えば、メタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２のスルファモイル基であり、例えば、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のカルバモイル基であり、例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基などが挙げられる）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルホニル基であり、例えば、メシル基、トシル基などが挙げられる）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のスルフィニル基であり、例えば、メタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のウレイド基であり、例えば、無置換のウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のリン酸アミド基であり、例えば、ジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２のヘテロ環基であり、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有するヘテロ環基であり、例えば、イミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４のシリル基であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）が含まれる。これらの置換基はさらにこれらの置換基によって置換されていてもよい。また、置換基が二つ以上有する場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ¹²、Ｒ¹³およびＲ¹⁴で各々表される置換基としては、好ましくはアルキル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アリールチオ基、スルホニル基、ウレイド基、ヘテロ環基であり、より好ましくはアリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アリールオキシ基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アリールチオ基、ヘテロ環基である。

前記一般式（ＩＶ）で表される化合物の中でも、下記一般式（ＩＶａ）で表される化合物が好ましい。

Ｘ¹⁵、Ｘ¹⁶およびＸ¹⁷は、各々独立して−ＣＯ−、―ＮＲ^a−（Ｒ^aは炭素原子数が１〜５のアルキル基または水素原子）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−およびそれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基を表す。Ｘ¹⁵、Ｘ¹⁶およびＸ¹⁷はそれぞれ、−ＮＲ^a−、−Ｎ（Ｒ^a）ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ^a）ＳＯ₂−、−Ｏ−または−Ｓ−を表すのが好ましい。Ｒ^aは好ましくは水素原子を表す。

前記一般式（ＩＶａ）中、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶およびＲ¹⁷は各々独立して、置換もしくは無置換のアルコキシ基を表し；ｍ⁵、ｍ⁶及びｍ⁷は各々独立して１〜５のいずれかの整数を表す。ｍ⁵、ｍ⁶及びｍ⁷はそれぞれ、２または３が好ましい。ｍ⁵、ｍ⁶及びｍ⁷が各々２以上の整数の場合、複数個のＲ¹⁵、Ｒ¹⁶およびＲ¹⁷はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。

前記一般式（ＩＶ）で表される化合物の中でも、下記一般式（ＩＶｂ）で表される化合物が特に好ましい。

前記式中、Ｘ⁷、Ｘ⁸およびＸ⁹は各々独立して、−ＮＨ-、−ＮＨＣＯ-、−ＮＨＳＯ₂-、−Ｏ−または−Ｓ−を表し；Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴、Ｌ⁵およびＬ⁶は各々独立して、下記一般式（IVｃ）または（ＩVｄ）で表される基を表す。

式（IVｃ）および（IVｄ）中、Ｒ⁷およびＲ⁸は各々独立して、置換もしくは無置換のアルキル基を表す。前記アルキル基は直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。前記アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基であり、さらに好ましくは４〜１６のアルキル基であり、特に好ましくは８〜１６のアルキル基である。前記置換アルキル基の置換基としては、前述のＲ¹²、Ｒ¹³およびＲ¹⁴で表される置換基として例示した置換基のいずれかを適用できる。置換基として好ましくはハロゲン原子であり、特に好ましくはフッ素原子である。ｎ¹は１〜１２のいずれかの整数を表し、好ましくは１〜８であり、より好ましくは２〜６である。

なお、上記一般式（ＩV）、（IVａ）、および（IVｂ）で表される化合物は、配向状態を固定化するために置換基として１以上の重合性基を有してもよい。

前記式（IV）で表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明に使用可能な化合物はこれらに限定されるものではない。

１，３，５−トリアジン環を有する化合物は、単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよい。前記化合物の添加量としては、液晶性化合物の量の０．０１〜２０重量％が好ましく、０．０５〜１０重量％がより好ましく、０．１〜５重量％がさらに好ましい。

本態様の製造方法において、１，３，５−トリアジン環を有する化合物以外の、液晶性化合物の水平配向を促進する種々の水平配向化剤を用いることもできる。水平配向化剤は、前記１，３，５−トリアジン環を有する化合物と同様の機能により、迅速かつ欠陥なく、液晶性化合物をハイブリッド配向させるのに寄与する。使用可能な水平配向化剤としては、ベンゼン環に、２以上の長鎖アルコキシ基が結合した化合物等が挙げられる。

（２）第二の態様（Ｔ₁ ＜ Ｔ₂）
本態様は、水素結合性基を有する少なくとも二種の化合物の存在下で、温度Ｔ₁℃で前記液晶性化合物を水平配向させる第一の配向工程と、前記二種の化合物の存在下で温度Ｔ₂℃（但し、Ｔ₁＜Ｔ₂）で前記液晶性化合物をハイブリッド配向させる第二の配向工程と、前記固定化工程を含む、ハイブリッド配向した液晶性化合物からなる光学異方性層の製造方法に関する。
本態様では、水素結合性基を有する少なくとも二種の化合物の存在下で、液晶性化合物を一旦水平配向させた後、温度を上昇させてハイブリッド配向へ転移させることによって、シュリーレン欠陥などの欠陥の発生を抑制しつつ、ハイブリッド配向の光学異方性層の迅速な製造を可能にしている。

本態様では、まず、例えば、ディスコティック液晶、水素結合性基を有する異なる二種の化合物、および適宜光学異方性層の形成に必要な化合物を溶剤に溶解した溶液を配向膜上に塗布した後、乾燥し、水平配向状態をとる温度（Ｔ₁℃）まで昇温する（第一の配向工程）。温度Ｔ₁℃において、前記ディスコティック液晶は水平配向状態になる。その後、ハイブリッド配向状態をとる温度（Ｔ₂℃）まで昇温して、前記ディスコティック液晶をハイブリッド配向に転移させる（第二の配向工程）。最後に、ＵＶ光の照射等により重合し配向状態を固定化する。この製造方法によれば、ディスコティック液晶がハイブリッド配向してなる光学異方性層をシュリーレン欠陥の発生を抑制しつつ、迅速に製造できる。

本態様では、液晶性化合物の配向過程における温度制御が前記第一の態様と同様に、重要である。水平配向状態を呈する温度Ｔ₁℃としては、５０〜２００℃が好ましく、７０〜２００℃が特に好ましく、９０〜１５０℃がより好ましい。
前記第二の態様では、水平配向状態を呈する温度Ｔ₁℃は、ハイブリッド配向状態を呈する温度Ｔ₂℃よりも低温である。その温度差（Ｔ₂−Ｔ₁）は１０℃以上であるのが好ましく、２０℃以上であるのがより好ましい。なお、Ｔ₁およびＴ₂℃は、光学異方性層の膜面温度として測定される温度である。

本態様において、液晶性化合物が水平配向化状態を呈する温度は、液晶性化合物および後述する添加剤の種類や添加量によって任意に制御することができ、それに応じて、Ｔ₁℃およびＴ₂℃を設定することができる。また、Ｔ₁℃およびＴ₂℃の各温度に維持する時間、ならびにＴ₁℃からＴ₂℃に変化させる時間については、液晶性化合物の種類等に応じて、適宜設定できる。

次に、前記第二の態様に使用される水素結合性基を有する化合物について詳細に説明する。
前記第二の態様では、水素結合性基を有する化合物の少なくとも二種類を、液晶性化合物とともに用いる。水素結合は、電気的に陰性な原子（例えば、Ｏ，Ｎ，Ｆ，Ｃｌ）と結合した水素原子を有する分子で生じる。水素結合の理論的な解釈としては、例えば、H.Uneyama and K.Morokuma、Jouｒnal of American Chemical Society、第99巻、第1316〜1332頁、1977年に報告がある。具体的な水素結合の様式としては、例えば、J.N.イスラエスアチヴィリ著、近藤保、大島広行訳、分子間力と表面力、マグロウヒル社、１９９１年の第98頁、図17に記載の様式が挙げられる。具体的な水素結合の例としては、例えば、G.R.Desiraju、Angewante Chemistry International Edition English、第34巻、第2311頁、1995年に記載のものが挙げられる。水素結合性基を有する二種の化合物は、前記第一の配向工程において、水素結合により錯体構造を形成することによって、液晶性化合物の水平配向を促進する機能を有するとともに、前記第二の配向工程において加熱の際に与えられる熱エネルギーで水素結合を開裂することによって、液晶性化合物の配向状態を水平配向状態からハイブリッド配向状態に転移させる機能を有するものと推測される。また、これらの水素結合性基を有する化合物を添加することによって、液晶層と支持体の濡れ性が改善されるなどの効果も得られる。

前記水素結合性基を有する二種類の化合物は、構造が異なる二種の化合物であることが好ましく、この二種で水素結合して錯体構造を形成し、前記機能を発現するものが好ましい。好ましい水素結合性基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、酸アミド基、ウレイド基、アシル基、カルバモイル基、カルボキシル基、スルホ基、含窒素複素環基（例えば、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、１，３，５−トリアジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、キノリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基、コハクイミド基、フタルイミド基、マレイミド基、ウラシル基、チオウラシル基、バルビツール酸基、ヒダントイン基、マレイン酸ヒドラジド基、イサチン基、ウラミル基などが挙げられる）を挙げることができる。更に好ましい水素結合性基としては、アミノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、酸アミド基、ウレイド基、アシル基、カルバモイル基、カルボキシル基、スルホ基、ピリジル基、１，３，５−トリアジル基、ピリミジル基、フタルイミド基、マレイミド基、ウラシル基、バルビツール酸基を挙げることができる。

前記第二の態様において、前記水素結合性基を有する化合物としては、下記一般式（Ｖ）〜（XXI）で表される化合物が特に好ましい。

式中、Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰およびＲ²¹は各々独立して、水素原子または置換基を表し、Ｌ⁸は水素原子またはｍ⁸価の基を表し、Ｘ¹⁸、Ｘ¹⁹およびＸ²⁰は単結合または二価の連結基を表し、ｍ⁸は１〜６の整数を表し、ｎ²は０〜６の整数を表す。ｍ⁸またはｎ²が２以上の場合、複数の−ＮＨＲ¹⁸、−ＣＯＮＨＲ¹⁸、−ＣＯＮＨＣＯＲ¹⁸、−ＮＨＣＯＮＨＲ¹⁸、−ＮＨＣＯＲ¹⁸、Ｒ¹⁸およびＲ¹⁹は同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰およびＲ²¹で各々表される置換基は、上記一般式（IV）中のＲ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴によって表される置換基と同義である。

Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰およびＲ²¹で各々表される置換基としては、好ましくはアルキル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、ウレイド基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、ヘテロ環基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、カルバモイル基、アルキルチオ基、ウレイド基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基である。

Ｌ⁸は水素原子またはｍ⁸価の基である。Ｌ⁸で表されるｍ⁸価の基としては、好ましくはｍ⁸価のアルキル基、ｍ⁸価のアルケニル基、ｍ⁸価のアルキニル基、ｍ⁸価のアリール基、ｍ⁸価のヘテロ環基である。Ｌ⁸は特に好ましくは、ｍ⁸価のアルキル基、ｍ⁸価のアリール基である。上記アリール基の炭素原子数は、６〜３０であることが好ましく、６〜２０であることが特に好ましく、６〜１２であることが最も好ましい。上記アルキル基又は上記アルケニル基の炭素原子数は、１〜４０であることが好ましく、１〜３０であることがより好ましく、１〜２０であることがさらに好ましく、１〜１５であることがさらにまた好ましく、１〜１２であることがさらによりまた好ましい。上記アルキニル基の炭素原子数は、２〜４０であることが好ましく、２〜３０であることがより好ましく、２〜２０であることがさらに好ましく、２〜１５であることがさらにまた好ましく、２〜１２であることがよりさたにまた好ましい。

ｍ⁸は１〜６の整数を表し、１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることがさらにより好ましい。

Ｘ¹⁸、Ｘ¹⁹およびＸ²⁰で表される二価の連結基は、アルキレン基、アルケニレン基、二価の芳香族基、二価のヘテロ環残基、−ＣＯ−、―ＮＲ^a−（Ｒ^aは炭素原子数が１〜５のアルキル基または水素原子）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−およびそれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基であることが好ましい。二価の連結基は、アルキレン基、アルケニレン基、−ＣＯ−、−ＮＲ^a−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−およびそれらの群より選ばれる二価の連結基を少なくとも二つ組み合わせ基であることがより好ましい。アルキレン基の炭素原子数は、１〜１２であることが好ましい。アルケニレン基の炭素原子数は、２〜１２であることが好ましい。アリーレン基の炭素原子数は、６〜１０であることが好ましい。アルキレン基、アルケニレン基およびアリーレン基は、可能であれば前述のＲ¹²、Ｒ¹³及びＲ¹⁴として例示された基（例、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ、アルコキシ基、アシルオキシ基）によって置換されていてもよい。

前記一般式（Ｖ）〜（XXI）で表される化合物の中でも、一般式（Ｖ）、（VＩ）、（IX）、（XI）、（XIII）、（XIV）、（XV）、（XVIII）又は（XXI）で表される化合物が好ましく；一般式（VI）、（XI）、（XIII）、（XIV）、（XV）又は（XXI）で表される化合物がより好ましい。
一般式（XIIIa）または（XXII）で表される化合物も好ましい。

式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は各々独立して、水素原子または置換基を表し、Ｘ⁴、Ｘ⁵およびＸ⁶は各々独立して、−ＣＯ−、―ＮＲ^a−（Ｒ^aは炭素原子数が１〜５のアルキル基または水素原子）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−およびそれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基を表し、ｍ¹、ｍ²及びｍ³はそれぞれ１〜５の整数であり、ｍ¹、ｍ²及びｍ³が２以上の時、複数のＲ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｘ⁴、Ｘ⁵及びＸ⁶はそれぞれ、互いに同一でも異なっていてもよい。

一般式（XXII）
Ａｒ³（−Ｌ⁷−Ｙ²）_m4
式中、Ａｒ³は芳香族炭素環または芳香族ヘテロ環を表し、Ｙ²はスルホニル又はカルボキシルを表し、Ｌ⁷は単結合または２価の連結基を表し、ｍ⁴は１〜１０の整数を表す。

まず、前記一般式（XIIIa）で表される化合物について詳細に説明する。
式中、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶で表される置換基は、一般式（Ｖ）〜（XXI）中、Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰およびＲ²¹で表される置換基と同義でありその好ましい範囲も同一である。Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は、好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、カルバモイル基、アルキルチオ基、ウレイド基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基であり、特に好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子である。
式中、Ｘ⁴、Ｘ⁵およびＸ⁶は、好ましくは−ＮＲ^a−、−Ｎ（Ｒ^a）ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ^a）ＳＯ₂−、−Ｏ−、−Ｓ−である。Ｒ^aは水素原子が好ましい。
ｍ¹、ｍ²及びｍ³は、１、２または３が好ましい。

次に、前記一般式（XXII）で表される化合物について詳細に説明する。
式中、Ａｒ³で表される芳香族炭素環は、好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭素環であり、ベンゼン環またはナフタレン環がより好ましい。Ａｒ³で表される芳香族へテロ環は、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２の芳香族ヘテロ環であり、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有するヘテロ環基であり、ピリジン環、ピリミジン環または１，３，５−トリアジン環が最も好ましい。Ａｒ³は、芳香族炭化水素環が好ましい。

Ａｒ³で表される芳香族炭素環または芳香族へテロ環は置換基を有していてもよく、置換基としては、Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰およびＲ²¹で表される置換基と同義でありその好ましい範囲も同一である。置換基としては、好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基であり、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基である。

Ｌ⁷で表される２価の連結基は、前記一般式（Ｖ）〜（XXI）中、Ｘ¹⁸、Ｘ¹⁹およびＸ²⁰で表される２価の連結基と同義でありその好ましい範囲も同一である。Ｌ⁷は、好ましくは単結合またはアルケニレン基である。
ｍ⁴は１が好ましい。

前記式（XXI）で表される化合物の中でも、式（VIａ）又は式（XXIａ）で表される化合物が好ましい。
一般式（VIa）
（Ｒ¹¹¹−Ｘ¹¹¹）_m111−（Ａｒ¹¹¹）−ＣＯＯＨ
式中、Ａｒ¹¹¹はベンゼン環又はナフタレン環であり；Ｘ¹¹¹は−Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n− （ｎは１〜４の整数）、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−を表し；Ｒ¹¹¹は置換もしくは無置換の炭素原子数８〜２０のアルキル基又は水素原子の６０％以上がフッ素原子で置換された末端に−ＣＨＦ₂又は−ＣＦ₃を有する炭素原子数４〜１２のアルキル基を表し；ｍ¹¹¹は１〜３の整数である。
一般式（XXIａ）
（Ｒ²²²−Ｘ²²²）_m222−（Ａｒ²²²）−ＳＯ₃Ｈ
式中、Ａｒ²²²、Ｘ²²²、Ｒ²²²及びｍ²²²は前記式（VIａ）中のＡｒ¹¹¹、Ｘ¹¹¹、Ｒ¹¹¹及びｍ¹¹¹とそれぞれ同義であり、好ましい範囲もそれぞれ同一である。

なお、前記水素結合性基を有する化合物は、液晶性化合物の配向状態を固定化するために置換基として重合性基を有していてもよい。

前記水素結合性基を有する化合物の具体例を以下に示すが、本態様に用いられる化合物はこれらに限定されるものではない。下記の具体例中、Ｎｏ．XIII−１〜１７は前記一般式（XIII）、Ｎｏ．VI−１〜１０は前記一般式（VI）、Ｎｏ．XI−１〜３は前記一般式（XI）、Ｎｏ．XII−１〜３は前記一般式（XII）、Ｎｏ．XIV−１、２は前記一般式（XIV）、Ｎｏ．XV−１〜４は前記一般式（XV）、Ｎｏ．XVIII−１、２は前記一般式（XVIII）、Ｎｏ．XIX−１、２は前記一般式（XIX）；及びＮｏ．XXI−１〜２３は前記一般式（XXI）で表される化合物の例である。

XIII-1 IV-1と同一(上記参照のこと)。
XIII-2 IV-2と同一(上記参照のこと)。
XIII-3 IV-3と同一(上記参照のこと)。
XIII-4 IV-4と同一(上記参照のこと)。
XIII-5 IV-6と同一(上記参照のこと)。

XIII-7 IV-20と同一(上記参照のこと)。
XIII-8 IV-21と同一(上記参照のこと)。
XIII-9 IV-23と同一(上記参照のこと)。
XIII-10 IV-24と同一(上記参照のこと)。

VI-1 III-15と同一(上記参照のこと)。

VI-3 III-18と同一(上記参照のこと)。
VI-4 III-13と同一(上記参照のこと)。

VI-6 I-1と同一(上記参照のこと)。
VI-7 I-2と同一(上記参照のこと)。

VI-11 III-7と同一(上記参照のこと)。

XXI-1 II-1と同一(上記参照のこと)。
XXI-2 II-2と同一(上記参照のこと)。
XXI-3 II-3と同一(上記参照のこと)。
XXI-4 II-4と同一(上記参照のこと)。
XXI-5 II-9と同一(上記参照のこと)。
XXI-6 II-27と同一(上記参照のこと)。
XXI-7 II-28と同一(上記参照のこと)。
XXI-8 II-29と同一(上記参照のこと)。
XXI-9 II-30と同一(上記参照のこと)。
XXI-10 II-31と同一(上記参照のこと)。
XXI-11 II-32と同一(上記参照のこと)。
XXI-12 II-33と同一(上記参照のこと)。
XXI-13 II-34と同一(上記参照のこと)。
XXI-14 II-35と同一(上記参照のこと)。
XXI-15 II-36と同一(上記参照のこと)。
XXI-16 II-37と同一(上記参照のこと)。
XXI-17 II-38と同一(上記参照のこと)。
XXI-18 II-39と同一(上記参照のこと)。
XXI-19 II-40と同一(上記参照のこと)。
XXI-20 II-41と同一(上記参照のこと)。
XXI-21 II-42と同一(上記参照のこと)。
XXI-22 II-43と同一(上記参照のこと)。
XXI-23 II-44と同一(上記参照のこと)。

本態様では、前述した様に、水素結合により錯体を形成可能な組み合わせで、前記水素結合性基を有する二種の化合物を選択するのが好ましい。好ましい組み合わせを以下に示すが、これらに限定されるものではない。
前記一般式 (V)と前記一般式(VI)との組み合わせ
前記一般式 (VI)と前記一般式(VI)との組み合わせ
前記一般式 (VI)と前記一般式(XI)との組み合わせ
前記一般式 (VI)と前記一般式(XIII)との組み合わせ
前記一般式 (VI)と前記一般式(XIX)との組み合わせ
前記一般式 (IX)と前記一般式(XIII)との組み合わせ
前記一般式 (XI)と前記一般式(XVI)との組み合わせ
前記一般式 (XII)と前記一般式(XIV)との組み合わせ
前記一般式 (XIII)と前記一般式(XIV)との組み合わせ
前記一般式 (XIII)と前記一般式(XV)との組み合わせ
前記一般式 (XIII)と前記一般式(XVIII)との組み合わせ
前記一般式 (XIII)と前記一般式(XX)との組み合わせ
前記一般式 (XIII)と前記一般式(XXI)との組み合わせ
前記一般式 (XIV)と前記一般式(XIV)との組み合わせ
前記一般式 (XV)と前記一般式(XV)との組み合わせ。

より好ましい組み合わせは、(VI)と(XIII)、(XIII)と(XIV)、(XIII)と(XV)、(XIII)と(XX)、及び(XIII)と(XXI); さらにより好ましい組み合わせは、(VI)と(XIII)、(XIII)と(XX)、(XIII)と(XXI); 特にさらにより好ましい組み合わせは(XIII)と(XXII); 最も好ましい組み合わせは(XIIIa)と(VIa)、及び(XIIIa)と(XXIa)である。

本態様において、各々の水素結合性基を有する化合物の添加量としては、液晶性化合物（好ましくはディスコティック液晶性化合物）の量の０．０１〜２０重量％が好ましく、０．０５〜１０重量％がより好ましく、０．１〜５重量％がさらに好ましい。

［光学異方性層］
次に、本発明の光学異方性層に用いられる種々の材料について説明する。
（１）液晶性化合物
本発明において、光学異方性層の作製に用いる液晶性化合物は、棒状液晶性化合物およびディスコティック液晶性化合物のいずれでもよく、また、高分子液晶および低分子液晶のいずれでもよい。さらに光学異方性層中で、低分子液晶が架橋され液晶性を示さなくなったものも含まれる。本発明に用いる液晶性化合物としては、ディスコティック液晶性化合物が好ましい。

棒状液晶性化合物としては、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が好ましく用いられる。なお、棒状液晶性化合物には、金属錯体の液晶性化合物も含まれる。また、棒状液晶性化合物を繰り返し単位中に含む液晶ポリマーも、棒状液晶性化合物として用いることができる。言い換えると、棒状液晶性化合物は、（液晶）ポリマーと結合していてもよい。棒状液晶性化合物については、季刊化学総説第２２巻液晶の化学（１９９４）日本化学会編の第４章、第７章および第１１章、および液晶デバイスハンドブック日本学術振興会第１４２委員会編の第３章に記載がある。棒状液晶性化合物の複屈折率は、０．００１〜０．７の範囲にあることが好ましい。棒状液晶性化合物は、その配向状態を固定するために、重合性基を有することが好ましい。棒状液晶性化合物についてはＷＯ０１／８８５７４Ａ１号５０頁７行〜５７頁末行に記載されている。

円盤状（ディスコティック）液晶性化合物の例としては、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．７１巻、１１１頁（１９８１年）に記載されているベンゼン誘導体、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．１２２巻、１４１頁（１９８５年）、Ｐｈｙｓｉｃｓ ｌｅｔｔ，Ａ，７８巻、８２頁（１９９０）に記載されているトルキセン誘導体、Ｂ．Ｋｏｈｎｅらの研究報告、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．９６巻、７０頁（１９８４年）に記載されたシクロヘキサン誘導体およびＪ．Ｍ．Ｌｅｈｎらの研究報告、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１７９４頁（１９８５年）、Ｊ．Ｚｈａｎｇらの研究報告、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１６巻、２６５５頁（１９９４年）に記載されているアザクラウン系やフェニルアセチレン系マクロサイクルなどを挙げることができる。さらに、ディスコティック液晶性化合物としては、一般的にこれらを分子中心の母核とし、直鎖のアルキル基やアルコキシ基、置換ベンゾイルオキシ基等がその直鎖として放射線状に置換された構造のものも含まれ、液晶性を示す。ディスコティック液晶性化合物の好ましい例は、特開平８−５０２０６号公報に記載されている。

本発明において、トリフェニレン液晶類を用いるのが好ましい。トリフェニレン液晶類の例には、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．７１巻、１１１頁（１９８１年）、またはＢ．Ｍｏｕｒｅｙらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．８４巻、１９３頁（１９８２年）に記載されているトリフェニレン誘導体等を挙げることができる。特に好ましいトリフェニレン液晶としては、特開平７−３０６３１７号公報記載の一般式（１）〜（３）にて表されるトリフェニレン誘導体、特開平７−３０９８１３号公報記載の一般式（Ｉ）で表されるトリフェニレン誘導体、および特開２００１−１０００２８号公報記載の一般式（Ｉ）で表されるトリフェニレン誘導体を挙げることができる。

また、光学異方性層が最終的に形成された際に、液晶性化合物はもはや液晶性化合物である必要はない。例えば、低分子のディスコティック液晶性化合物が熱、光等で反応する基を有しており、結果的に熱、光等で反応により重合または架橋し、高分子量化して、液晶性を失ってもよい。ディスコティック液晶性化合物の重合については、特開平８−２７２８４号公報に記載がある。

ディスコティック液晶性化合物を重合により固定する方法の一例として、ディスコティック液晶性化合物として、ディスコティックコアに置換基として重合性基が結合した液晶性化合物を用い、ハイブリッド配向させた後、前記液晶性化合物を重合させて固定する方法がある。但し、ディスコティックコアに重合性基を直結させると、重合反応において配向状態を保つことが困難になる傾向にある。そこで、ディスコティックコアと重合性基との間に、連結基を導入することが好ましい。即ち、ディスコティック液晶性化合物としては、下記式（XXIII)で表わされる化合物が好ましい。
一般式（XXIII）
Ｄ（−Ｌ−Ｐ）_n
式中、Ｄはディスコティックコアを表し、Ｌは二価の連結基を表し、Ｐは重合性基を表し、ｎは２〜１２のいずれかの整数を表す。前記ディスコティック液晶性化合物の具体例としては、ＷＯ０１／８８５７４Ａ１号公報の５８頁６行〜６５頁８行に記載されている。

従って、前記特開平７−３０６３１７号公報記載の一般式（１）〜（３）にて表されるトリフェニレン誘導体、特開平７−３０９８１３号公報記載の一般式（Ｉ）で表されるトリフェニレン誘導体、および特開２００１−１０００２８号公報記載の一般式（Ｉ）で表されるトリフェニレン誘導体の中でも、トリフェニレンコアと重合性基との間に連結基を有する化合物が特に好ましい。

本発明では、２種類以上のディスコティック液晶性分子を併用して用いてもよい。また、例えば、上記の重合性ディスコティック液晶性分子と非重合性ディスコティック液晶性分子とを併用することも可能である。非重合性ディスコティック液晶性分子は、前述した重合性ディスコティック液晶性分子の重合性基（Ｑ）を、水素原子またはアルキル基に変更した化合物であることが好ましい。すなわち、非重合性ディスコティック液晶性分子は、下記式（XXIV）で表される化合物であることが好ましい。
式（XXIV）
Ｄ（−Ｌ−Ｒ）_n
式中、Ｄは円盤状コアを、Ｌは二価の連結基を、Ｒは水素原子またはアルキル基を表し、ｎは４〜１２の整数である。

（２） 光学異方性層の添加剤
本発明では、前記光学異方性層中に、液晶性化合物、および前記式（Ｉ）、（II）又は（III）で表される化合物もしくは水平配向化剤とともに、添加剤を含有していてもよい。添加剤の例には、ハジキ防止剤、配向膜のプレチルト角（光学異方性層／配向膜界面での液晶性分子の傾斜角）を制御するための添加剤、重合開始剤、配向温度を低下させる添加剤（可塑剤）、重合性モノマー等である。

（２）−１ ハジキ防止剤
一般式には高分子が、層中のハジキを軽減するために、ディスコティック液晶性化合物からなる層に添加される。使用するポリマーとしては、ディスコティック液晶性化合物と相溶性を有し、液晶性化合物の傾斜角変化や配向を著しく阻害しない限り、特に制限はない。
ポリマーの例としては、特開平８−９５０３０号公報に記載があり、特に好ましい具体的ポリマー例としてはセルロースエステル類を挙げることができる。セルロースエステルの例としては、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、ヒドロキシプロピルセルロースおよびセルロースアセテートブチレートを挙げることができる。ディスコティック液晶性化合物の配向を阻害しないように、ハジキ防止目的で使用されるポリマーの添加量は、液晶性化合物に対して一般に０．１〜１０重量％の範囲にあり、０．１〜８重量％の範囲にあることがより好ましく、０．１〜５重量％の範囲にあることがさらに好ましい。

（２）−２ 配向膜プレチルト角制御剤
配向膜のプレチルト角を制御する添加剤として、分子内に極性基と非極性基の両方を有する化合物を添加することができる。
極性基としては、Ｒ−ＯＨ、Ｒ−ＣＯＯＨ、Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ｒ−ＮＨ₂、Ｒ−ＮＨ−Ｒ、Ｒ−ＳＨ、Ｒ−Ｓ−Ｒ、Ｒ−ＣＯ−Ｒ、Ｒ−ＣＯＯ−Ｒ、Ｒ−ＣＯＮＨ−Ｒ、Ｒ−ＣＯＮＨＣＯ−Ｒ、Ｒ−ＳＯ₃Ｈ、Ｒ−ＳＯ₃−Ｒ、Ｒ−ＳＯ₂ＮＨ−Ｒ、Ｒ−ＳＯ₂ＮＨＳＯ₂−Ｒ、Ｒ−Ｃ＝Ｎ−Ｒ、ＨＯ−Ｐ（−Ｒ）₂、（ＨＯ−）₂Ｐ−Ｒ、Ｐ（−Ｒ）₃、ＨＯ−ＰＯ（−Ｒ）₂、（ＨＯ−）₂ＰＯ−Ｒ、ＰＯ（−Ｒ）₃、Ｒ−ＮＯ₂、Ｒ−ＣＮ、等が例として挙げられる。また、有機塩（例えば、アンモニウム塩、ピリジニウム塩、カルボン酸塩、スルホン酸塩、リン酸塩）でもかまわない。極性基で好ましい基は、Ｒ−ＯＨ、Ｒ−ＣＯＯＨ、Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ｒ−ＮＨ₂、Ｒ−ＳＯ₃Ｈ、ＨＯ−ＰＯ（−Ｒ）₂、（ＨＯ−）₂ＰＯ−Ｒ、ＰＯ（−Ｒ）₃もしくは有機塩である。

ここで、上記各Ｒとしては下記の非極性基が挙げられる。
非極性基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０の直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基）、アルケニル基（好ましくは炭素数１〜３０の直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基）、アルキニル基（好ましくは炭素数１〜３０の直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシリル基）が例として挙げられる。

この非極性基はさらに置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールアゾ基、ヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が例として挙げられる。

配向膜プレチルト制御剤を加えることで配向膜のプレチルト角は変えることができるが、その時の変化量はラビング密度に関係がある。ラビング密度が高い配向膜とラビング密度の低い配向膜を比較すれば、ラビング密度の低い配向膜の方が、同じ添加量であっても、プレチルト角は変わりやすい。
したがって、配向膜プレチルト制御剤の添加量は、配向膜のラビング密度および所望のプレチルト角の大きさ等によって変わるが、液晶性化合物に対して、０．００１重量％〜２０重量％が好ましく、０．００１重量％〜２０重量％がより好ましく、更に０．００５重量％〜１０重量％がよりさらに好ましい。
配向膜プレチルト制御剤の具体例を以下に示すが、本発明に用いられる化合物はこれらに限定されるものではない。

（２）−３ 重合開始剤
本発明では、液晶性分子を配向状態に固定されていることが好ましく、そのため重合反応により液晶性分子を固定することが好ましい。光重合開始剤の例には、α−カルボニル化合物（米国特許２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許２４４８８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許３５４９３６７号明細書記載）、アクリジンおよびフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許４２３９８５０号明細書記載）およびオキサジアゾール化合物（米国特許４２１２９７０号明細書記載）が挙げられる。光重合開始剤の使用量は、塗布液の固形分の０．０１〜２０重量％であることが好ましく、０．５〜５重量％であることがさらに好ましい。ディスコティック液晶性分子の重合のための光照射は、紫外線を用いることが好ましい。照射エネルギーは、２０ｍJ／ｃｍ²〜５０J／ｃｍ²であることが好ましく、１００ｍJ／ｃｍ²〜８００ｍJ／ｃｍ²であることがさらに好ましい。光重合反応を促進するため、加熱条件下で光照射を実施してもよい。

（２）−４ 重合性モノマー
液晶性化合物とともに使用する重合性モノマーとしては、液晶性化合物と相溶性を有し、液晶性化合物の傾斜角変化や配向阻害を著しく引き起こさない限り、特に限定はない。これらの中では重合活性なエチレン性不飽和基、例えばビニル基、ビニルオキシ基、アクリロイル基およびメタクリロイル基などを有する化合物が好ましく用いられる。上記重合性モノマーの添加量は、液晶性化合物に対して一般に１〜５０重量％の範囲にあり、５〜３０重量％の範囲にあることが好ましい。また反応性官能基数が２以上のモノマーを用いると、配向膜と光学異方性層間の密着性を高める効果が期待できるため、特に好ましい。

（４） 光学異方性層用の塗布液の溶媒
光学異方性層用の塗布液の調製に使用する溶媒としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒の例には、アミド（例、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例、ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例、ピリジン）、炭化水素（例、ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例、クロロホルム、ジクロロメタン、テトラクロロエタン）、エステル（例、酢酸メチル、酢酸ブチル）、ケトン（例、アセトン、メチルエチルケトン）、エーテル（例、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）が含まれる。中でも、アルキルハライドおよびケトンが好ましい。２種類以上の有機溶媒を併用してもよい。

（５） 塗布工程
本発明では、光学異方性層は、液晶性化合物を前記溶媒に溶解して調製した塗布液を、配向膜等の上に塗布して、液晶性化合物を配向膜上で配向させることで作製されるであろう。塗布液の塗布は、公知の方法（例、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法）により実施できる。塗布液は、液晶性化合物を１０〜５０重量％含有しているのが好ましく、２０〜４０重量％含有しているのがより好ましい。

（６） 光学異方性層の性質
本発明では、前記光学異方性層の厚さは、０１．〜２０μｍであることが好ましく、０．５〜１５μｍであることがさらに好ましく、１〜１０μｍであることが最も好ましい。
光学異方性層用液晶性組成物が配向膜上に塗布されると、液晶性分子は配向膜との界面では配向膜のプレチルト角で配向し、空気との界面では空気界面のプレチルト角で配向することとなる。したがって、塗布後、液晶性分子を均一配向（モノドメイン配向）させることで、空気界面から配向膜界面に向けて、つまり光学異方性層の深さ方向に液晶性分子の傾斜角（ディスコティック液晶性分子およびトリフェニレン液晶性分子の場合は、その円盤面の法線と透明支持体の配向膜を設ける面の法線とがなす角）が連続的に変化するハイブリッド配向を実現することができる。ハイブリッド配向させた光学補償シートにより、視野角を拡大させ、並びに視角変化に対するコントラスト低下、階調または黒白反転、および色相変化等を防止することができる。

ディスコティック液晶性分子およびトリフェニレン液晶性分子の場合、空気界面のプレチルト角は５０°以上であり、光学補償シートとして好ましい性能を発揮できる状態のハイブリッド配向を実現するために、本発明では、配向膜のプレチルト角を３°〜３０°とするのが好ましい。この配向膜のプレチルト角は前記した方法（配向膜のラビング密度、配向膜プレチルト角制御剤等）により制御することで、本発明の光学補償シートを適用する液晶表示装置の表示モードに応じて、好ましいハイブリッド配向状態を実現することができる。

（７） プレチルト角
プレチルト角とは、液晶性分子の長軸方向と界面（配向膜界面あるいは空気界面）の法線がなす角度を意味する。配向膜のプレチルト角は３°〜３０°、空気界面側のプレチルト角は４０〜８０°であるのが好ましい。
プレチルト角が小さすぎると、液晶性分子のモノドメイン配向に要する時間が長くなるため大きい方が好ましいが、プレチルト角が大きくなりすぎると、光学補償シートとして好ましい光学性能が得られなくなるため逆に好ましくない。したがって、モノドメイン化時間の短縮と光学補償シートとしての好ましい光学性能の両立の観点から、好ましい配向膜のプレチルト角は５°〜３０°、より好ましくは７〜２０°、さらにより好ましいのは９〜２０°である。また、好ましい空気界面側のプレチルト角は４０〜８０°、より好ましくは５０〜８０°、さらにより好ましいのは５０〜７０°である。
配向膜側のプレチルト角は、後述する配向膜のラビング密度を変える方法、あるいは前述の配向膜プレチルト角制御剤の添加などにより、数度〜数十度の範囲で制御可能である。

［配向膜］
配向膜は、有機化合物（好ましくはポリマー）のラビング処理、無機化合物の斜方蒸着、マイクログルーブを有する層の形成、あるいはラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ膜）による有機化合物（例、ω−トリコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウムクロライド、ステアリル酸メチル）の累積のような手段で、設けることができる。さらに、電場の付与、磁場の付与あるいは光照射により、配向機能が生じる配向膜も知られている。本発明においては、配向膜のプレチルト角の制御し易さの点から、特にポリマーのラビング処理により形成する配向膜が特に好ましい。ラビング処理は、一般にはポリマー層の表面を、紙や布で一定方向に数回擦ることにより実施することができるが、特に本発明では「液晶便覧」（丸善（株））に記載されている方法により行うことが好ましい。
配向膜の厚さは、０．０１〜１０μｍであることが好ましく、０．０５〜１μｍであることがさらに好ましい。

配向膜に用いられるポリマーは、多数の文献に記載があり、多数の市販品を入手することができる。本発明の光学補償フイルム用の配向膜ではポリビニルアルコール及びその誘導体が好ましく用いられる。特に好ましくは、疎水性基が結合している変性ポリビニルアルコールが特に好ましい。配向膜についてはＷＯ０１／８８５７４Ａ１号公報の４３頁２４行〜４９頁８行の記載を参照することができる。

［配向膜のラビング密度］
配向膜のラビング密度を変える方法としては、「液晶便覧」（丸善（株））に記載されている方法を用いることができる。ラビング密度（L）は式（A）で定量化されている。
式（Ａ） Ｌ＝Ｎ×ｌ×（１＋２πｒｎ／６０ｖ）
式（Ａ）中、Ｎはラビング回数、ｌはラビングローラーの接触長、ｒはローラーの半径、ｎはローラーの回転数（ｒｐｍ）、ｖはステージ移動速度（秒速）である。
ラビング密度を高くするためには、ラビング回数を増やす、ラビングローラーの接触長を長く、ローラーの半径を大きく、ローラーの回転数を大きく、ステージ移動速度を遅くすればよく、一方、ラビング密度を低くするためには、この逆にすればよい。
ラビング密度と配向膜のプレチルト角との間には、ラビング密度を高くするとプレチルト角は小さくなり、ラビング密度を低くするとプレチルト角は大きくなる関係がある。

［透明支持体］
本発明には、光学的に等方性のポリマーフイルムを透明支持体に用いるのが好ましい。支持体についていうときは、「透明」とは光透過性が８０％以上であることを意味する。
透明支持体に用いる材料の例に特に制限はく、セルロースエステル（例、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート）、ノルボルネン系ポリマー、ポリメチルメタクリレートのフイルムが含まれる。種々の市販のポリマーを用いることができる。光学特性の観点から、セルロースエステルが好ましく、セルロースの低級脂肪酸エステルがさらに好ましい。低級脂肪酸とは、炭素原子数が６以下の脂肪酸を意味する。脂肪酸の炭素原子数は、２（セルロースアセテート）、３（セルロースプロピオネート）または４（セルロースブチレート）であることが好ましい。セルローストリアセテートが特に好ましい。セルロースアセテートプロピオネートやセルロースアセテートブチレートのような混合脂肪酸エステルを用いてもよい。また、従来知られているポリカーボネートやポリスルホンのような複屈折の発現しやすいポリマーであってもＷＯ００／２６７０５号明細書に記載の分子を修飾することで該発現性を低下させたものを用いることもできる。

ポリマーフイルムとしては、酢化度が５５．０〜６３．５％であるセルロースアセテートを使用することが好ましい。特に酢化度が５７．０〜６２．０％であることが好ましい。酢化度とは、セルロース単位質量当たりの結合酢酸量を意味する。酢化度は、ＡＳＴＭ：Ｄ−８１７−９１（セルロースアセテート等の試験法）におけるアセチル化度の測定および計算に従う。セルロースエステルの粘度平均重合度（ＤＰ）は、２５０以上であることが好ましく、２９０以上であることがさらに好ましい。また、本発明に使用するセルロースエステルは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるＭｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）の分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜１．７であることが好ましく、１．３〜１．６５であることがさらに好ましく、１．４〜１．６であることが最も好ましい。

セルロースエステルでは、一般的に、セルロースの２位、３位、６位の水酸基が全体の置換度の１／３ずつに均等に分配されるわけではなく、６位水酸基の置換度が小さくなる傾向がある。セルロースの６位水酸基の置換度が、２位、３位に比べて多いほうが好ましい。全体の置換度に対して６位の水酸基が３０％以上４０％以下でアシル基で置換されていることが好ましく、さらには３１％以上、特に３２％以上であることが好ましい。６位の置換度は、０．８８以上であることが好ましい。６位水酸基は、アセチル基以外に炭素数３以上のアシル基（例、プロピオニル、ブチリル、バレロイル、ベンゾイル、アクリロイル）で置換されていてもよい。各位置の置換度の測定は、ＮＭＲによって求める事ができる。６位水酸基の置換度が高いセルロースエステルは、特開平１１−５８５１号公報の段落番号００４３〜００４４に記載の合成例１、段落番号００４８〜００４９に記載の合成例２、そして段落番号００５１〜００５２に記載の合成例３の方法を参照して合成することができる。

透明支持体として用いるセルロースエステルフイルムの厚み方向のレターデーション値は、厚み方向の複屈折率にフイルムの厚みを乗じた値である。具体的には、測定光の入射方向をフイルム膜面に対して鉛直方向として、遅相軸を基準とする面内レターデーションの測定結果と、入射方向をフイルム膜面に対する鉛直方向に対して傾斜させた測定結果から外挿して求める。測定は、エリプソメーター（例えば、Ｍ−１５０：日本分光（株）製）を用いて実施できる。厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ）と面内レターデーション値（Ｒｅ）とは、それぞれ下記式に従って算出する。
Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ
Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
式中、ｎｘはフイルム平面内のｘ方向の屈折率であり、ｎｙはフイルム平面内のｙ方向の屈折率であり、ｎｚはフイルム面に垂直な方向の屈折率であり、そしてｄはフイルムの厚み（ｎｍ）である。

本発明では、ポリマー基材のＲｅレターデーション値を２０〜７０ｎｍの範囲に、そして、Ｒｔｈレターデーション値を７０〜４００ｎｍの範囲に調節することが好ましい。液晶表示装置に二枚の光学的異方性層を使用する場合、基材のＲｔｈレターデーション値は７０〜２５０ｎｍの範囲にあることが好ましい。また、液晶表示装置に一枚の光学的異方性層を使用する場合、基材のＲｔｈレターデーション値は１５０〜４００ｎｍの範囲にあることが好ましい。
なお、基材フイルムの複屈折率（Δｎ：ｎｘ−ｎｙ）は、０．０００２８〜０．０２０の範囲にあることが好ましい。また、厚み方向の複屈折率｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝は、０．００１〜０．０４の範囲にあることが好ましい。

透明支持体として用いるポリマーフイルム、特にセルロースアセテートフイルムのレターデーションを調整するために、少なくとも二つの芳香族環を有する芳香族化合物をレターデーション上昇剤として使用することが好ましい。芳香族化合物は、セルロースアセテート１００重量部に対して、０．０１〜２０重量部の範囲で使用する。芳香族化合物は、セルロースアセテート１００重量部に対して、０．０５〜１５重量部の範囲で使用することが好ましく、０．１〜１０重量部の範囲で使用することがさらに好ましい。２種類以上の芳香族化合物を併用してもよい。

芳香族化合物の芳香族環には、芳香族炭化水素環に加えて、芳香族性ヘテロ環を含む。
芳香族炭化水素環は、６員環（すなわち、ベンゼン環）であることが特に好ましい。
芳香族性ヘテロ環は一般に、不飽和ヘテロ環である。芳香族性ヘテロ環は、５員環、６員環または７員環であることが好ましく、５員環または６員環であることがさらに好ましい。芳香族性ヘテロ環は一般に、最多の二重結合を有する。ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子および硫黄原子が好ましく、窒素原子が特に好ましい。芳香族性ヘテロ環の例には、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、フラザン環、トリアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環および１，３，５−トリアジン環が含まれる。
芳香族環としては、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環および１，３，５−トリアジン環が好ましく、ベンゼン環および１，３，５−トリアジン環がさらに好ましい。
芳香族化合物は、少なくとも一つの１，３，５−トリアジン環を有することが好ましい。

芳香族化合物が有する芳香族環の数は、２〜２０であることが好ましく、２〜１２であることがより好ましく、２〜８であることがさらに好ましく、２〜６であることがさらにより好ましい。

二つの芳香族環の結合関係は、（ａ）縮合環を形成する場合、（ｂ）単結合で直結する場合および（ｃ）連結基を介して結合する場合に分類できる（芳香族環のため、スピロ結合は形成できない）。結合関係は、（ａ）〜（ｃ）のいずれでもよい。このようなレターデーション上昇剤についてはＷＯ０１／８８５７４Ａ１、ＷＯ００／２６１９Ａ１、特開２０００−１１１９１４号公報、同２０００−２７５４３４号公報、特開２００２−３６３３４３号公報に記載されている。

セルロースアセテートフイルムは、調製されたセルロースアセテート溶液（ドープ）から、ソルベントキャスト法により製造することが好ましい。ドープには、前記のレターデーション上昇剤を添加することが好ましい。
ドープは、ドラムまたはバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフイルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１８〜３５％となるように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたはバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。ソルベントキャスト法における流延および乾燥方法については、米国特許２３３６３１０号、同２３６７６０３号、同２４９２０７８号、同２４９２９７７号、同２４９２９７８号、同２６０７７０４号、同２７３９０６９号、同２７３９０７０号、英国特許６４０７３１号、同７３６８９２号の各明細書、特公昭４５−４５５４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４号、同６０−２０３４３０号、同６２−１１５０３５号の各公報に記載がある。

ドープは、表面温度が１０℃以下のドラムまたはバンド上に流延することが好ましい。流延してから２秒以上風に当てて乾燥することが好ましい。得られたフイルムをドラムまたはバンドから剥ぎ取り、さらに１００から１６０℃まで逐次温度を変えた高温風で乾燥して残留溶剤を蒸発させることもできる。以上の方法は、特公平５−１７８４４号公報に記載がある。この方法によると、流延から剥ぎ取りまでの時間を短縮することが可能である。この方法を実施するためには、流延時のドラムまたはバンドの表面温度においてドープがゲル化することが必要である。

調製したセルロースアセテート溶液（ドープ）を用いて、ドープを２層以上流延することによりフイルム化することもできる。ドープは、ドラムまたはバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフイルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１０〜４０％となるように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたはバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。
複数のセルロースアセテート溶液を流延する場合、支持体の進行方向に間隔をおいて設けた複数の流延口からセルロースアセテートを含む溶液をそれぞれ流延させて、それらを積層させながらフイルムを作製してもよい。例えば、特開昭６１−１５８４１４号、特開平１−１２２４１９号、および特開平１１−１９８２８５号の各公報に記載の方法を用いることができる。また、２つの流延口からセルロースアセテート溶液を流延することによりフイルム化してもよい。例えば、特公昭６０−２７５６２号、特開昭６１−９４７２４号、特開昭６１−９４７２４５号、特開昭６１−１０４８１３号、特開昭６１−１５８４１３号、および特開平６−１３４９３３号の各公報に記載の方法を用いることができる。また、特開昭５６−１６２６１７号公報に記載の、高粘度セルロースアセテート溶液の流れを低粘度のセルロースアセテート溶液で包み込み、高粘度および低粘度のセルロースアセテート溶液を同時に押出すセルロースアセテートフイルムの流延方法を用いてもよい。
セルロースアセテートフイルムは、さらに延伸処理によりレターデーションを調整することができる。延伸倍率は、３〜１００％の範囲にあることが好ましい。本発明のセルロースアセテートフイルムを延伸する場合には、テンター延伸が好ましく使用され、遅相軸を高精度に制御するために、左右のテンタークリップ速度、離脱タイミング等の差をできる限り小さくすることが好ましい。
セルロースエステルフイルムには、機械的物性を改良するため、または乾燥速度を向上するために、可塑剤を添加することができる。可塑剤としては、リン酸エステルまたはカルボン酸エステルが用いられる。リン酸エステルの例には、トリフェニルフォスフェート（ＴＰＰ）およびトリクレジルホスフェート（ＴＣＰ）が含まれる。カルボン酸エステルとしては、フタル酸エステルおよびクエン酸エステルが代表的である。フタル酸エステルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭＰ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジフェニルフタレート（ＤＰＰ）およびジエチルヘキシルフタレート（ＤＥＨＰ）が含まれる。クエン酸エステルの例には、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴＥ）およびＯ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴＢ）が含まれる。その他のカルボン酸エステルの例には、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが含まれる。フタル酸エステル系可塑剤（ＤＭＰ、ＤＥＰ、ＤＢＰ、ＤＯＰ、ＤＰＰ、ＤＥＨＰ）が好ましく用いられる。ＤＥＰおよびＤＰＰが特に好ましい。可塑剤の添加量は、セルロースエステルの量の０．１〜２５重量％であることが好ましく、１〜２０重量％であることがさらに好ましく、３〜１５重量％であることが最も好ましい。

セルロースエステルフイルムには、劣化防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）や紫外線防止剤を添加してもよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各公報に記載がある。劣化防止剤の添加量は、調製する溶液（ドープ）の０．０１〜１重量％であることが好ましく、０．０１〜０．２重量％であることがさらに好ましい。添加量が０．０１重量％未満であると、劣化防止剤の効果がほとんど認められない。添加量が１重量％を越えると、フイルム表面への劣化防止剤のブリードアウト（滲み出し）が認められる場合がある。
特に好ましい劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）を挙げることができる。紫外線防止剤については、特開平７−１１０５６号公報に記載がある。

セルロースアセテートフイルムは、表面処理を施すことが好ましい。具体的方法としては、コロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、酸処理、アルカリ処理または紫外線照射処理が挙げられる。また、特開平７−３３３４３３号公報に記載のように、下塗り層を設けることも好ましく利用される。
フイルムの平面性を保持する観点から、これら処理においてセルロースアセテートフイルムの温度をＴｇ（ガラス転移温度）以下、具体的には１７０℃以下とすることが好ましい。
セルロースアセテートフイルムの表面処理は、偏光膜との接着性の観点から、酸処理またはアルカリ処理、すなわちセルロースアセテートに対するケン化処理を実施することが特に好ましい。
表面エネルギーは５５ｍＮ／ｍ以上であることが好ましく、６０〜７５ｍＮ／ｍの範囲にあることがさらに好ましい。

以下、アルカリ鹸化処理を例に、具体的に説明する。アルカリ溶液としては、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液が挙げられる。水酸化イオンの規定濃度は、０．１〜３．０Ｎの範囲にあることが好ましく、０．５〜２．０Ｎの範囲にあることがさらに好ましい。アルカリ溶液温度は、室温〜９０℃の範囲にあることが好ましく、４０〜７０℃の範囲にあることがさらに好ましい。
固体の表面エネルギーは、「ぬれの基礎と応用」（リアライズ社 １９８９．１２．１０発行）に記載のように接触角法、湿潤熱法、および吸着法により求めることができる。本発明のポリマーフイルムの場合、接触角法を用いることが好ましい。具体的には、表面エネルギーが既知である２種の溶液をセルロースアセテートフイルムに滴下し、液滴の表面とフイルム表面との交点において、液滴に引いた接線とフイルム表面のなす角で、液滴を含む方の角を接触角と定義し、計算によりフイルムの表面エネルギーを算出できる。
セルロースアセテートフイルムの厚さは、使用目的によって異なるが、通常５〜５００μｍの範囲であり、２０〜２５０μｍの範囲が好ましく、３０〜１８０μｍの範囲がより好ましく、３０〜１１０μｍの範囲がよりさらに好ましい。

［光学補償シート］
本発明の好ましい態様は、透明支持体と、その上に配向層と光学異方性層とを有する光学補償シートである。
本発明の光学補償シートは、偏光膜と組合わせて楕円偏光板の用途に供することができる。さらに、透過型液晶表示装置に、偏光膜と組合わせて適用することにより、視野角の拡大に寄与する。
以下に、本発明の光学補償シートを利用した楕円偏光板および液晶表示装置について説明する。

［楕円偏光板］
本発明の光学補償シートと偏光膜を積層することによって楕円偏光板を作製することができる。本発明の光学補償シートを利用することにより、液晶表示装置の視野角を拡大しうる楕円偏光板を提供することができる。

前記偏光膜には、ヨウ素系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン系偏光膜がある。ヨウ素系偏光膜および染料系偏光膜は、一般にポリビニルアルコール系フイルムを用いて製造する。偏光膜の偏光軸は、フイルムの延伸方向に垂直な方向に相当する。

偏光膜は前記光学補償シートの光学異方性層側に積層する。偏光膜の光学補償シートを積層した側と反対側の面に透明保護膜を形成することが好ましい。透明保護膜は、光透過率が８０％以上であるのが好ましい。透明保護膜としては、一般にセルロースエステルフイルム、好ましくはトリアセチルセルロースフイルムが用いられる。セルロースエステルフイルムは、ソルベントキャスト法により形成することが好ましい。透明保護膜の厚さは、２０〜５００μｍであることが好ましく、５０〜２００μｍであることがさらに好ましい。

［液晶表示装置］
本発明の光学補償シートの利用により、視野角が拡大された液晶表示装置を提供することができる。ＴＮモードの液晶セル用光学補償シートは、特開平６−２１４１１６号公報、米国特許５５８３６７９号、同５６４６７０３号、ドイツ特許公報３９１１６２０Ａ１号の各明細書に記載がある。また、ＩＰＳモードまたはＦＬＣモードの液晶セル用光学補償シートは、特開平１０−５４９８２号公報に記載がある。さらに、ＯＣＢモードまたはＨＡＮモードの液晶セル用光学補償シートは、米国特許５８０５２５３号明細書および国際公開ＷＯ９６／３７８０４号公報に記載がある。さらにまた、ＳＴＮモードの液晶セル用光学補償シートは、特開平９−２６５７２号公報に記載がある。そして、ＶＡモードの液晶セル用光学補償シートは、特許番号第２８６６３７２号公報に記載がある。

本発明において、前記記載の公報を参考にして各種のモードの液晶セル用光学補償シートを作製することができる。本発明の光学補償シートは、ＴＮ（Twisted Nematic）、ＩＰＳ（In−Plane Switching）、ＦＬＣ（Ferroelectric Liquid Crystal）、ＯＣＢ（Optically Compensatory Bend）、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）、ＶＡ（Vertically Aligned）およびＨＡＮ（Hybrid Aligned Nematic）モードなど、種々のモードで駆動される液晶セルと組合わせて液晶表示装置に適用できる。本発明の光学補償シートは、ＴＮモード又はＯＣＢモードの液晶表示装置において特に効果がある。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、割合、操作等は本発明の精神から逸脱しない限り適宜変更することができ、本発明の範囲は以下に示す具体例に制限されるものではない。
［実施例１］
厚さ１００μｍ、サイズ２７０ｍｍ×１００ｍｍのトリアセチルセルロースフイルム（フジタック、富士写真フイルム（株）製）を透明支持体として用いた。透明支持体上にアルキル変性ポリビニルアルコール（ＭＰ−２０３、クラレ（株）製）を０．５μｍの厚さに塗布、乾燥し、その表面をラビング処理して、配向膜を形成した。配向膜の上に、以下の組成の塗布液をバーコーターを用いて塗布した。
光学異方性層塗布液
一般式（Ｉ）で表される例示化合物Ｎｏ．Ｉ−１ ０．６重量部
トリフェニレン液晶（Ｉ） １００重量部
（特開平７−３０６３１７号公報に化合物Ｎｏ.ＴＰ−５３として開示されている）

エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート
（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製） ９．９重量部
重合開始剤
（イルガキュア９０７、日本チバガイギー（株）製 ３．３重量部
増感剤 １．１重量部
メチルエチルケトン ２２０重量部
次に、上記塗布層を約１５０秒間で膜面温度１２５℃まで加熱し、液晶の配向を熟成させ、次いで約２０秒間で８０℃まで冷却した。次に、同温度にて０．４Ｊの紫外線を照射して、配向を固定した。形成した光学異方性層の厚さは１．８μｍであった。以上の如く光学異方性層を形成し、光学補償シートを作製した。

（光学補償シートの評価）
光学補償シートの光学異方性層における液晶性分子の配向膜近傍の傾斜角及び空気界面近傍の傾斜角は、エリプソメーター（ＡＰＥ−１００、島津製作所（株）製）を用いて観察角度を変えてレターデーションを測定し、屈折率楕円体モデルと仮想し、Designing Concepts of the Discotic Negative Birefringence Compensation Films，SID98 DIGEST に記載されている手法で算出した。測定波長は６３２．８ｎｍであった。
結果を表１に示す。

［実施例２〜１２と比較例１及び２］
実施例１で用いた例示化合物（Ｉ−１）を表１の如く変更した以外は、実施例１と同様にして光学補償シートを作製し、同様に傾斜角を算出した。結果を表１に示す。

上記表１に示した結果から判るように、本発明に係る前記一般式（Ｉ）、（II）又は（III）で表される化合物を含有する光学異方性層は、液晶性分子の傾斜角、特に空気界面側の傾斜角が大きいハイブリッド配向が実現されている。

次に、ハイブリッド配向を迅速に形成する方法に関する実施例を説明する。まず、第一の工程の水平配向温度が、第二の工程のハイブリッド配向温度より高い場合の例について説明する
［実施例１３］
実施例１で用いた化合物Ｉ−１ ０．６重量部に代えて、表２中に示した１，３，５−トリアジン化合物 ４．５重量部を使用し、且つ配向工程を以下に示す工程に代えた以外は、実施例１と同一の方法で光学補償シートを作製した。表２に示した傾斜角は、実施例１と同一の方法で算出した。
（配向工程）
上記塗布層を約２０秒間で１２０℃まで加熱した。次いで約２０秒間で８０℃まで冷却した後、同温度にて０．４Ｊの紫外線を照射して光学異方性層の配向状態を固定した。形成した光学異方性層の厚さは１．７５μｍであった。以上の如く光学異方性層を形成し、光学補償シートを作製した。

［比較例３］
上記配向工程に代えて、以下の配向工程を実施した以外は、実施例１３と同様にして光学補償シートを作製した。
上記塗布層を約２０秒間で１２０℃まで加熱し、その後、同温度にて０．４Ｊの紫外線を照射して光学異方性層の配向状態を固定した。表２に示した傾斜角は、実施例１と同一の方法で算出した。
［比較例４］
上記配向工程に代えて、以下の配向工程を実施した以外は、実施例１３と同様にして光学補償シートを作製した。
上記塗布層を約２０秒間で１２０℃まで加熱し、引き続き同温度で２０秒間維持した。その後、同温度にて０．４Ｊの紫外線を照射して光学異方性層の配向状態を固定した。表２に示した傾斜角は、実施例１と同一の方法で算出した。

［比較例５］
１，３，５−トリアジン系化合物を添加せず、上記配向工程に代えて、以下の配向工程を実施した以外は、実施例１と同様にして光学補償シートを作製した。
上記塗布層を約２０秒間で１２０℃まで加熱し、引き続き同温度で２０秒間維持した。その後、温度を、８０℃まで２０秒間で低下させ、同温度にて０．４Ｊの紫外線を照射して光学異方性層の配向状態を固定した。表２に示した傾斜角は、実施例１と同一の方法で算出した。
［比較例６］
１，３，５−トリアジン系化合物を添加せず、上記配向工程に代えて、以下の配向工程を実施した以外は、実施例１と同様にして光学補償シートを作製した。
上記塗布層（１，３，５−トリアジン系化合物不含）を約２０秒間で１２０℃まで加熱した。その後、温度を８０℃まで２０秒間で低下させ、同温度にて０．４Ｊの紫外線を照射して光学異方性層の配向状態を固定した。表２に示した傾斜角は、実施例１と同一の方法で算出した。

［実施例１４］
実施例１−１の１，３，５−トリアジン系化合物Ｎｏ．IＶ−１ ４．５重量部を、ＮｏIＶ−２ ０．３重量部に代えた以外は、実施例１３と同様にして光学補償シートを作製した。表２に示した傾斜角は、実施例１と同一の方法で算出した。
［比較例７］
配向方法を以下の如く変更した以外は、実施例１４と同様にして光学補償シートを作製した。
上記塗布層を約２０秒間で１２０℃まで加熱した後、同温度にて０．４Jの紫外線を照射して光学異方性層の配向状態を固定した。表２に示した傾斜角は、実施例１と同一の方法で算出した。

［実施例１５］
実施例１３の１，３，５−トリアジン系化合物Ｎｏ．IＶ−１ ４．５重量部をＮｏIＶ−６ ０．５重量部に代えた以外は、実施例１３と同様にして光学補償シートを作製した。表２に示した傾斜角は、実施例１と同一の方法で算出した。
［比較例８］
配向方法を以下の如く変更した以外は、実施例１５と同様にして光学補償シートを作製した。
上記塗布層を約２０秒間で１２０℃まで加熱した後、同温度にて０．４Jの紫外線を照射して光学異方性層の配向状態を固定した。表２に示した傾斜角は、実施例１と同一の方法で算出した。

［実施例１６］
実施例１の１，３，５−トリアジン系化合物Ｎｏ．IＶ−１ ４．５重量部をＮｏ．IＶ−４１ ０．３重量部に代えた以外は、実施例１３と同様にして光学補償シートを作製した。表２に示した傾斜角は、実施例１と同一の方法で算出した。
［比較例９］
配向方法を以下の如く変更した以外は、実施例１６と同様にして光学補償シートを作製した。
上記塗布層を約２０秒間で１２０℃まで加熱した後、同温度にて０．４Jの紫外線を照射して光学異方性層の配向状態を固定した。表２に示した傾斜角は、実施例１と同一の方法で算出した。

上記表に示した結果から、光学異方性層の形成において、高温度領域（１２０℃）から低温度領域（８０℃）へ変化させた、実施例１３，１４，１５及び１６の光学異方性層では、高温度領域において液晶性化合物が水平配向した後、低温度領域においてハイブリッド配向へ配向転移したことがわかる。また、実施例１３、１４及び１６の光学異方性層には、比較例５および６の光学異方性層に見られるようなシュリーレン欠陥がなかった。

［実施例１７］
化合物（Ｉ−１） ０．６重量部の代わりに、化合物（ＸＩＩＩ−２） ０．４重量部及び化合物（ＶＩ−７） ０．４重量部を用い、配向工程を以下の工程に代えた以外は、実施例１と同様にして光学補償シートを作製した。
上記塗布層を約１０秒間で７０℃まで加熱した。次いで約１０秒間で１２５℃まで加熱し、同温度にて更に約１０秒間熟成した後、０．４Ｊの紫外線を照射して光学異方性層の配向状態を固定した。形成した光学異方性層の厚さは１．９μｍであった。以上の如く光学異方性層を形成し光学補償シートを作製した。
［比較例１０］
加熱熟成方法を以下の表３の如く変更した以外は、実施例１７と同様にして光学補償シートを作製し、同一の手法で配向膜近傍の傾斜角、空気界面近傍の傾斜角および平均傾斜角を算出した。

上記表３の結果からわかるように、水素結合性基を有する化合物の二種を光学異方性層に含有する光学補償シートでは、低温度領域（７０℃）で初期配向が水平配向になった後、高温度領域（１２５℃）への昇温過程においてハイブリッドへ配向転移している。

［実施例１８〜２０及び比較例１１〜１７］
水素結合性基を有する化合物を表４の如く変更した以外は、実施例１７と同様にして光学補償シートを作製した。表４に示した傾斜角は実施例１と同一の方法で算出した。

上記表４における実施例１７〜２０の結果からわかるように、水素結合性基を有する化合物の二種を光学異方性層に含有する光学補償シートでは、傾斜角、特に空気界面側の傾斜角、の高いハイブリッド配向が実現できる。一方、比較例１１〜１７の結果からわかるように、水素結合性基を有する化合物を一種または全く含有しない光学補償シートでは、その様なハイブリッド配向は達成されなかった。比較例１２〜１７では、配向速度が遅いため多数のシュリーレン欠陥が存在し；比較例１１では、配向速度は速くても傾斜角が低い水平配向になってしまう。従って、本発明の水素結合性基を有する化合物を二種併用することによって初めて、シュリーレン欠陥なく迅速に傾斜角の高いハイブリッド配向が実現できる。

次に、液晶表示装置としての応用例を示す。まず、傾斜角の改善について説明する。
［実施例２１］
（透明支持体の作製）
下記の成分をミキシングタンクに投入し、加熱攪拌して、セルロースアセテート溶液（ドープ）を調製した。
セルロースアセテート溶液組成
アセチル化率６０．９％のセルロースアセテート １００重量部
トリフェニルホスフェート ６．５重量部
ビフェニルジフェニルホスフェート ５．２重量部
下記のレターデーション上昇剤（１） ０．１重量部
下記のレターデーション上昇剤（２） ０．２重量部
メチレンクロライド ３１０．２５重量部
メタノール ５４．７５重量部
１−ブタノール １０．９５重量部

得られたドープを流延口から０℃に冷却したドラム上に流延した。溶媒含有率７０重量％の状態で剥ぎ取り、フイルムの幅方向の両端をピンテンターで固定し、溶媒含有率が３〜５重量％の領域で、幅方向（機械方向に垂直な方向）の延伸率が３％となる間隔を保ちつつ乾燥した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、１２０℃を越える領域で機械方向の延伸率が実質０％、（剥ぎ取り時に機械方向に４％延伸することを考慮して）幅方向の延伸率と機械方向の延伸率との比が０．７５となるように調整して、厚さ１００μｍのセルロースアセテートフイルムを作製した。作製したフイルムのレターデーションを波長６３２．８ｎｍで測定したところ、厚み方向のレターデーションが４０ｎｍ、面内のレターデーションが４ｎｍであった。作製したセルロースアセテートフイルムを透明支持体として用いた。

（第１下塗り層の形成）
透明支持体の上に、下記の組成の塗布液を２８ｍｌ／ｍ²塗布し、乾燥して、第１下塗り層を形成した。
第１下塗り層塗布液組成
ゼラチン ５．４２重量部
ホルムアルデヒド １．３６重量部
サリチル酸 １．６０重量部
アセトン ３９１重量部
メタノール １５８重量部
メチレンクロライド ４０６重量部
水 １２重量部

（第２下塗り層の形成）
第１下塗り層の上に、下記の組成の塗布液を７ｍｌ／ｍ²塗布し、乾燥して、第２下塗り層を形成した。
第２下塗り層塗布液組成
下記のアニオン性ポリマー ０．７９重量部
クエン酸モノエチルエステル １０．１重量部
アセトン ２００重量部
メタノール ８７７重量部
水 ４０．５重量部

（バック層の形成）
透明支持体の反対側の面に、下記の組成の塗布液を２５ｍｌ／ｍ² 塗布し、乾燥して、バック層を形成した。
バック層塗布液組成
酢化度５５％のセルロースジアセテート ６．５６重量部
シリカ系マット剤（平均粒子サイズ：１μｍ） ０．６５重量部
アセトン ６７９重量部
メタノール １０４重量部

（配向膜の形成）
第２下塗り層の上に、長鎖アルキル変性ポリビニルアルコールの水溶液を塗布し、６０℃の温風で９０秒間乾燥した後、ラビング処理を行い配向膜を形成した。配向膜のラビング方向は、透明支持体の流延方向と平行であった。
（光学異方性層の形成）
配向膜の上に、前記実施例１で用いた光学異方性層塗布液を、＃４のワイヤーバーを用いて塗布した。形成した光学異方性層の厚さは１．７４μｍであった。
塗布層を１３０℃の恒温槽中で２０秒間かけて膜面温度１２０℃まで加熱した後、さらに１２０秒間同温度に維持した。２０秒間かけて温度を８０℃まで低下させ、引き続き、０．４Ｊの紫外線を照射して、配向状態を固定した。室温まで放冷して、光学補償シートを作製した。

（液晶表示装置の作製）
ＩＴＯ透明電極が設けられたガラス基板の上に、ポリイミド配向膜を設け、ラビング処理を行った。５μｍのスペーサーを介して、二枚の基板を配向膜が向き合うように重ねた。二枚の基板は、配向膜のラビング方向が直交するように配置した。基板の間隙に、棒状液晶性化合物（ＺＬ４７９２、メルク社製）を注入し、棒状液晶層を形成した。棒状液晶性化合物のΔｎは０．０９６９であった。以上のように作製したＴＮ液晶セルの両側に、作製した光学補償シート二枚を光学異方性層が液晶セルの基板と対面するように貼り付けた。さらにそれらの外側に、偏光板二枚を貼り付けて液晶表示装置を作製した。光学補償シートの配向膜のラビング方向と、それに隣接する液晶セルの配向膜のラビング方向とは、反平行になるように配置した。また、偏光板の吸収軸と、液晶セルのラビング方向とは平行になるように配置した。液晶表示装置の液晶セルに電圧を印加し、白表示２Ｖ、黒表示５Ｖにおける白表示と黒表示との透過率をコントラスト比として、上下左右でコントラスト比１０、かつ階調反転のない領域を視野角として測定した。結果を表５に示す。

［実施例２２〜２６及び比較例１８］
実施例２１で用いた例示化合物（Ｉ−１）を表５の如く変更した以外は、実施例２１と同様にして、光学補償シート及び液晶表示装置を作製した。液晶表示装置の視野角は、実施例２１と同一の方法で測定した。結果を表５に示す。

上記表５に示した結果から、本発明に係る前記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する光学異方性層を有する光学補償シートは、液晶表示装置の視野角の拡大に寄与した。この効果は、実施例２１〜２６の光学補償シートでは、光学異方性層中において液晶の傾斜角が増加していることによると推測される。

次に、配向速度の改善効果について説明する。まず、第一の工程の水平配向温度が、第二の工程のハイブリッド配向工程の温度より高い方法（方法（１））によってもたらされるかかる効果について説明する。
［実施例２７］
実施例２１で用いた塗布液を、実施例１３で用いた塗布液に代え、且つ配向工程を以下に示す工程に代えた以外は、実施例２１と同様にして、光学補償シート及び液晶表示装置を作製した。結果を表６に示す。
（配向工程）
塗布層が形成されたフイルムを、１３０℃の恒温槽中で２０秒間かけて膜面温度１２０℃まで加熱し、引き続き、同温度で２０秒間加熱した。その後、２０秒間かけて８０℃まで冷却しディスコティック液晶性化合物を配向させた。その後、同温度で０．４Ｊの紫外線を照射して、配向を固定した。室温まで放冷して、光学補償シートを作製した。
液晶表示装置の視野角を実施例２１と同一の方法で測定した。結果を表６に示した。

［比較例１９］
配向工程を以下に示す工程に代えた以外は、実施例２７と同一の方法で光学補償シートを作製した。
塗布層を、１３０℃の恒温槽中で３０秒間加熱してディスコティック液晶性化合物を配向させた。その後、同温度で０．４Ｊの紫外線を照射して、配向を固定した。液晶表示装置の視野角を実施例２１と同一の方法で測定した。結果を表６に示した。
［比較例２０］
１，３，５−トリアジン化合物を使用せず、且つ配向工程を以下に示す工程に代えた以外は、実施例２７と同一の方法で光学補償シートを作製した。
塗布層を、１３０℃の恒温槽中で３０秒間加熱してディスコティック液晶性化合物を配向させた。その後、同温度で０．４Ｊの紫外線を照射して、配向を固定した。液晶表示装置の視野角を実施例２１と同一の方法で測定した。結果を表６に示した。

［比較例２１］
１，３，５−トリアジン化合物を使用しなかった以外は、実施例２７と同一の方法で光学補償シートを作製した。
結果を表６に示した。
［参考例１］
１，３，５−トリアジン化合物を使用せず、且つ配向工程を以下に示す工程に代えた以外は、実施例２６と同一の方法で光学補償シートを作製した。
塗布層を、１３０℃の恒温槽中で１２０秒間加熱して、ディスコティック液晶性化合物を配向させた。８０℃まで冷却した後、ディスコティック液晶性化合物を配向させた。その後、同温度で０．４Ｊの紫外線を照射して、配向を固定した。
液晶表示装置の視野角を実施例２１と同一の方法で測定した。結果を表６に示した。

上記表６の結果から、ハイブリッド配向の光学異方性層を有する実施例２７の光学補償シートは、液晶表示装置の視野角を拡大させる効果を有し、その効果は、水平配向の光学異方性層を有する比較例１９の光学補償シートよりも格段に優れていることがわかる。さらに、実施例２７の光学補償シートの光学異方性層には、比較例２０及び２１にみられるシュリーレン欠陥がなく、モノドメインなハイブリッド配向が実現できたことがわかる。また、水平配向を経由せずにハイブリッド配向させた参考例１と比較して、迅速にハイブリッド配向が実現できたことがわかる。

次に、低温で水平配向させる第一の工程と、高温でハイブリッド配向させる第二の工程とを含む方法（方法（２））によってもたらされる、配向速度の改善効果について説明する。
［実施例２８］
実施例２１で用いた塗布液を、実施例１９で用いた塗布液に代え、且つ以下に示す配向工程を実施した以外は、実施例２１と同様にして、光学補償シート及び液晶表示装置を作製した。液晶表示装置の視野角を実施例２１と同一の方法で測定した。結果を表７に示す。
（配向工程）
塗布層が形成されたフイルムを、１３０℃の恒温槽中で２０秒間かけて膜面温度１２０℃まで加熱し、同温度に２０秒間維持した。その後、２０秒間かけて８０℃まで冷却しディスコティック液晶性化合物を配向させた。引き続き、同温度で０．４Ｊの紫外線を照射して、配向状態を固定した。室温まで放冷して、光学補償シートを作製した。
液晶表示装置の視野角を、実施例２１と同一の方法で測定した。結果を表７に示す。

［比較例２２〜２５］
表７に示す様に、水素結合性の基を有する化合物及び配向工程を代えた以外は、実施例２８と同様にして光学補償シートを作製した。液晶表示装置の視野角を、実施例２１と同一の方法で測定した。結果を表７に示す。

上記表７中の比較例２５の結果によって示されている様に、低温度（８０℃）で紫外線照射すると、水平配向状態に固定された化合物からなる層が形成され、その結果、視野角改善効果は小さい。一方、表７中の実施例２８の結果によって示されている様に、高温度（１２０℃）まで加熱した後、紫外線を照射すると、ハイブリッド配向状態に固定された化合物からなる層が形成され、その結果、視野角改善効果が大きい。比較例２３と２４では、配向速度が遅いため、多数のシュリーレン欠陥が層中に生じ、視野角を測定できず；比較例２２では、配向速度は速いが、傾斜角の低い水平配向となった。特に、比較例２４では、光学異方性層が、水素結合性の基を一種類も含有していないため、配向速度が遅く、多数のシュリーレン欠陥が層中に生じた。従って、本発明に係る水素結合性基を有する化合物を二種含有することによって初めて、迅速に広い視野角を実現した液晶表示装置を提供できる。前記二種の化合物の存在下、まず、液晶性化合物は低温（８０℃）で水平配向し、且つ該水平配向は、高温（１２０℃）で、ハイブリッド配向に転移した。シュリーレン欠陥のない、高傾斜角なハイブリッド配向を達成し、且つ視野角の改善に寄与する光学補償シートを提供するためには、水素結合性基を有する化合物を二種一緒に使用する必要がある。

本発明によれば、液晶性化合物が大きい傾斜角、特に空気界面側の傾斜角、でハイブリッド配向している光学異方性層を有する光学補償シートを、特定の化合物の１種又は２種以上と液晶性化合物とを組み合わせることで、作製することができる。本発明によれば、表示装置に用いた場合に、視野角の改善に寄与し得る光学補償シートを提供することができる。本発明によれば、液晶性化合物の配向に必要な時間を軽減できるので、高傾斜角でハイブリッド配向している化合物からなる光学異方性層を有する光学補償シートを、高生産性で且つシュリーレン欠陥なしに作製することができる。

Claims (7)

1. ハイブリッド配向したディスコティック液晶からなる光学異方性層を作製する方法であって、
   前記ディスコティック液晶を水平配向させる第一の工程と、
   前記第一の工程の後に、前記ディスコティック液晶をハイブリッド配向させる第二の工程とを含み、
   前記第一の工程において、水素結合性基を有する少なくとも二種の化合物の存在下で、温度Ｔ₁℃で前記ディスコティック液晶を水平配向させ、且つ前記二種の化合物の存在下で温度Ｔ₂℃（但し、Ｔ₁＜Ｔ₂）で前記ディスコティック液晶をハイブリッド配向させる光学異方性層の製造方法。
2. 前記水素結合性基を有する少なくとも二種の化合物が、１，３，５−トリアジン環を有する化合物である請求項１に記載の方法。
3. 前記水素結合性基を有する少なくとも二種の化合物の少なくとも一方が、カルボキシル基又はスルホ基を有する化合物である請求項１に記載の方法。
4. 前記水素結合性基を有する少なくとも二種の化合物の一方が、１，３，５−トリアジン環を有する化合物であり、他方がカルボキシル基又はスルホ基を有する化合物である請求項１に記載の方法。
5. 前記水素結合性基を有する少なくとも二種の化合物の一方が、一般式（XIIIa）で表される化合物であり、他方が一般式（XXII）で表される化合物である請求項１に記載の方法；
   

   

   Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は独立に水素原子又は置換基を表し；Ｘ⁴、Ｘ⁵及びＸ⁶は独立に−ＣＯ−、−ＮＲ^a−（Ｒ^aは炭素原子数１〜５のアルキル基又は水素原子を表し）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−及びこれらの組み合わせから選ばれる二価の連結基を表し；ｍ¹、ｍ²及びｍ³は独立に１〜５の整数であり；ｍ¹、ｍ²及びｍ³が２以上の時、複数のＲ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は同一でも異なっていてもよい；
   一般式（XXII）
   Ａｒ³（−Ｌ⁷−Ｙ²）_m4
   Ａｒ³は芳香族炭素環基又は芳香族へテロ環基を表し；Ｙ²はスルホ又はカルボキシルを表し；Ｌ⁷は単結合又は二価の連結基を表し；ｍ⁴は１〜１０の整数である。
6. 前記第二の工程の後に、前記ディスコティック液晶化合物をハイブリッド配向に固定する第三の工程をさらに含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
7. 前記ディスコティック液晶化合物がトリフェニレン液晶化合物である請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。