JP4508743B2 - パターン露光方法およびパターン露光装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明に係る2次光源形成光学系の構成図であり、(a)は平面図、(b)は(a)におけるA矢視図である。
光源系1は、2方向に整列させて配置された複数の半導体レーザ11と、レンズ12と、ファイバ14とから構成されている。半導体レーザ11は波長405nm、出力60mWのレーザ光1aを出射する。出射されたレーザ光1aは発散光であるので、焦点距離の短いレンズ12により収束され、ファイバ14の入射端13に垂直に最大入射角が数度以下の高い指向性で入射する。このようにすることにより、レーザ光1aは90%以上の効率でファイバ14内に導入される。なお、レンズ12およびファイバ14は、それぞれ半導体レーザ11毎に設けられている。
集光レンズ21は、ポリゴンミラー27の表面から集光レンズ21の焦点距離f離れた位置に配置されている。
同図において、1511、1521、1531……1581はポリゴンミラーの走査方向に並ぶスポットであり、1511,1512,1513……1518は走査方向にない方向のスポット配列を表している。図示の場合、走査方向に並ぶスポットは絵素ピッチPすなわち分解能の16倍のピッチ16Pで配列され、スポットの走査方向と直角な方向の配列ピッチは絵素ピヅチPになっている。
半導体レーザ11は描画の情報に基づきON−OFF駆動されるが、一般に半導体レーザは自体の温度により発光強度が変わる。このため描画の直前までOFFの状態にして、いきなり描画を始める時点の発光強度と、描画後しばらく経過した時点での発光強度が異なってしまう。
すなわち、描画を始めるしばらく前から半導体レーザ11を描画時の平均的なONとOFFの比率で点滅させておく。この光は被露光物を照射してしまう可能性があるため、描画時でないときにシヤッタ29をOFFの状態、すなわち遮光状態にしておく。このようにすることにより、実際に描画するタイミングになった時に半導体レーザ11は所望の安定した温度状態になり、安定な露光強度を実現することが可能になる。
図7は本発明の第2の実施形態を表す図であり、図中のグリッドは最終的に被露光物体に投影され描画するときの絵素ピッチを表している。
半導体レーザ11011,11012、11013、11014は同図の走査方向yに相当する方向に並べて配置されている。また、半導体レーザ11011,11051,1 1091,11131は図5におけるステージ4の移動方向zに並べて配置されている。
図9は本発明の第3の実施形態図であり、図5と同じものまたは同一機能のものは同一符号を付して説明を省略する。
半導体レーザ11を数十個〜数百個使用する場合、1つでも半導体レーザ11が寿命になり出力が出なくなると、露光強度のばらつきを発生し、正しいパターンが露光できなくなる。そこで図示しない半導体レーザ11に内蔵されたレーザ光強度検出素子、または半導体レーザ11の外部にあり、各半導体レーザ11を個別にその強度を検出する図示しないレーザ強度検出素子の検出信号強度を取り込む。この検出信号を個々の半導体レーザ11に対し求め、この信号に基づき個々の半導体レーザの駆動電流を制御し、どの半導体レーザ11からのレーザ出力も同じ一定値になるようにする。このようにすると図10のaに示すように数千時間稼動していくうちに、各レーザの上記駆動電流値ILDが大きくなってきて、一定の閥値ILD0に達するようになる。この閥値に達する時刻tFに図9に示すモニター31に半導体レーザ11の寿命を知らせる表示をする。
図11はファイバ14に入射するレーザ光1aの指向性と出射光の指向性を説明する図である。
すなわち、スクリーン121をレンズ12の背後に配置し、半導体レーザ11の直後に配置されている焦点距離の短いレンズ12を透過したレーザ光1aの像1211から広がりf(x、y)を調べ、スクリーン121から入射端13までの距離L1を用いて、ファイバ14に入射するレーザ光1aの指向性C(θx、θy)を求める。
ここで、角座標(θx、θy)を、ファイバ14の中心軸に対する角度θと中心軸周りの角度φからなる角座標(θ、φ)座標に変換し(すなわち、θx=sinθcosφ、またθy=sinθsinφ)、C(θx、θy)とD(θx、θy)をθとφで表したものをC′(θ、φ)及びD′(θ、φ)とすると、ファイバ14内部におけるロスが無視できる場合、下記の式がほぼ成り立つ。
∫D′(θ、φ)dφ=∫C′(θ、φ)dφ、
図14は本発明の第4の実施形態を示す2次光源形成光学系の構成図であり、(a)はレーザ光1aの進む方向から見た図、(b)はレーザ光1aの進む方向が紙面と平行になる方向から見た図である。なお、図1と同じものまたは同一機能のものは同一の符号を付して重複する説明を省略する。
図15は、半導体レーザ11の配置と、レーザ光1aの位置関係を説明する図である。
同図(a)に示すように、半導体レーザ11は、半導体レーザホルダ基板110上にxy方向とも12mmピッチで並んでいる。したがって、レンズ12でコリメートされたレーザ光1aは、xy方向とも12mmピッチで並んだ状態でビーム径不変ビームピッチ縮小手段54に入射する。なお、レンズ12でコリメートされたレーザ光1aは、x方向の径約4mm、y方向の径約1.5mmの楕円状強度分布を有している。 そして、同図(b)に示すように、ビーム径不変ビームピッチ縮小手段54を通過後することによりビーム形状は変わらずにx方向に1mmピッチで並ぶことになる。すなわち、半導体レーザ11の間隔が12mmであるのに対し、ビーム径不変ビームピッチ縮小手段54を通過したレーザ光1aの間隔は1mmになる。
長焦点レンズ系30は長い焦点距離f1の正のパワーを有する第1のレンズ群301(図では1枚のレンズ)と、短い焦点距離f2の第2のレンズ群302と、正のパワーを有する長い焦点距離f3の第3レンズ群303と、正のパワーを有するシリンドリカルレンズ34と、から構成されている。
ビーム径不変ビームピッチ縮小手段54から出射された互いに平行なレーザ光1aはミラー1001で反射された後、長焦点レンズ系30を通過し、ピエゾ偏向ミラー22に入射する。そして、ピエゾ偏向ミラー22で反射されたレーザ光1aはポリゴンミラー27で反射され、fθレンズを通過後、ミラー28により光路を90度折り曲げられ、x方向にパワーを有するシリンドリカルレンズ26により基板5上を走査照明される。
ΔθB=6.4/4/100=0.016radとなる。したがって、Δθは
Δθy=0.016rad/63=52秒(y方向)
Δθx=0.016rad/160=20秒(x方向)
になる。
そして、このような平行性を実現するためには各レーザ光1aの光軸の向きを揃える必要が生じる。
図18は、本発明に係るビーム方向微調整手段の構成を示す図であり、(a)は平面図、(b)は動作説明図である。
長焦点レンズ系30を構成する3群の球面(厳密には回転対称面)レンズ(焦点距離f1、f2、f3)の焦点が隣接する群間で共有するようにすと、トータルの焦点距離fは次式で与えられる。
f=−f1・f3/f2
図21は本発明の第5の実施形態を示す2次光源形成光学系の構成図、図22は、レーザ光の位置関係を表す図であり、図16と同じものまたは同一機能のものは同一の符号を付して重複する説明を省略する。
半導体レーザ11を多数保持する半導体レーザホルダ基板110とビーム方向調整手段200とビーム径不変ビームピッチ縮小手段54とからなる光源系1と同じ構成の第2の光源系1´を互いに直角に配置する。光源系1´から得られる平行マルチビームを1/2波長板102を通して偏光ビームスプリッタ101に入射させる。
光源系1から出射したレーザ光1aは偏光ビームスプリッタ101にP偏光で入射し、ほぼ100%透過する。また、光源系1´から出射したレーザ光1aは1/2波長板102により偏光ビームスプリッタ101にS偏光で入射し、ほぼ100%反射する。この結果、両光源系から出射したレーザ光1aを損失なく利用できる。
また、(b1)、(b2)はビーム径不変ビームピッチ縮小手段54を光軸に直交する2方向から見た図であり、ミラー系541、542、543、544を用いて、レーザ光1aの形状を変えずに、配列ピッチを走査方向yは1/4、走査方向xは約1/2に縮小している。
また、(c)は、ビーム径不変ビームピッチ縮小手段54から出射されたレーザ光1aの配列を示している。
また、(d)は、ビーム径不変ビームピッチ縮小手段54から出射されたレーザ光1aが、図16に示す長焦点レンズ30とfθレンズを通過することにより、基板5上に照射される位置を示している。
例えば、偏向角の範囲が34.4°の場合、6面体では光の利用効率が29%であるのに対し、8面体では38%、10面体では48%、12面体では57%になり、効率を大幅に向上させることができる。
15 出射端
27 ポリゴンミラー
Claims (13)
- 光源から出射された複数の出射光とワークとを相対的に移動させ、前記出射光によりパターンを露光するパターン露光方法において、
複数の前記光源を規則的な2次元配列にし、前記各光源から出射された複数の前記出射光を互いに平行な平行ビームにした後、
前記平行ビームをビーム径は変化させずに前記平行ビームの走査方向と直角の副走査方向に縮小し、
任意の露光箇所を互いに異なる前記出射光で複数回露光することを特徴とするパターン露光方法。 - 前記露光回数を4以上とすることを特徴とする請求項1に記載のパターン露光方法。
- 前記光源が、半導体レーザであることを特徴とする請求項1に記載のパターン露光方法。
- 前記半導体レーザを前記光源のそれぞれに対して設けることを特徴とする請求項3に記載のパターン露光方法。
- 前記出射光の広がり角の大きい方向を前記副走査方向にすることを特徴とする請求項4に記載のパターン露光方法。
- 前記走査方向に対応する前記半導体レーザの配列ピッチに対する前記露光箇所におけるビーム配列ピッチの縮小比率rLDPと、前記副走査方向に対応する前記半導体レーザの配列ピッチに対する前記露光箇所におけるビーム配列ピッチの縮小比率rBDとは、rLDP>rBDの関係があることを特徴とする請求項5に記載のパターン露光方法。
- 短径と長径が異なる前記平行ビームを、前記露光箇所において略円になるように、前記縮小比率rLDPと縮小比率rBDを定めることを特徴とする請求項6に記載のパターン露光方法。
- 前記半導体レーザの波長が410nm以下であることを特徴とする請求項3〜請求項7に記載のパターン露光方法。
- 光源から出射された複数の出射光とワークとを相対的に移動させ、前記出射光によりパターンを露光するパターン露光装置において、
前記光源を直交する2軸方向に配置すると共に、ポリゴンミラーを設け、前記光源の配列方向の一方を前記ポリゴンミラーによる走査方向と同じ方向に配置し、
前記ポリゴンミラーの走査方向と異なる方向に配列する前記光源の配列ピッチを露光パターンの分解能に等しくすることを特徴とするパターン露光装置。 - 前記光源の出射端または前記光源の二次光源の出射端と露光面を共役関係とすることを特徴とする請求項9に記載のパターン露光装置。
- シャッタ手段を設け、このシャッタ手段により前記出射光を遮断可能に構成することを特徴とする請求項9、10に記載のパターン露光装置。
- 導光性のファイバと平面ガラスを設け、前記ファイバの入射端又は/及び出射端の前面に前記平面ガラスを配置し、前記ファイバの端面と前記平面ガラスの間に光学接着剤を充填することを特徴とする請求項9〜11に記載のパターン露光装置。
- 前記平面ガラスは前記出射光透過2面が平行でない楔状の平面ガラスであることを特徴とする請求項12に記載のパターン露光装置。
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