JP4504402B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
この図1に示すように、フラッシュメモリ装置1は、多数のメモリセルをマトリクス状に配設して構成されたメモリセルアレイArと、このメモリセルアレイArの各メモリセルの読出/書込/消去を行う周辺回路PCとを備えており、その他図示しない入出力インタフェース回路などを備えて構成される。尚、メモリセルアレイArはメモリセル領域M内に構成され、周辺回路PCは周辺回路領域P内に構成される。
各転送ゲートトランジスタWTGD、WTGS、WT0〜WTm−1は、そのゲート電極が転送ゲート線TGによって互いに共通接続されており、昇圧回路BSの昇圧電圧供給端子に接続されている。センスアンプSAは、ビット線BL0〜BLn−1に接続されており、データの読出時に当該データを一時的に保存するラッチ回路を接続している。
書込/読出/消去時において、周辺回路PCは書込/読出/消去時のそれぞれに応じて選択ゲートドライバ線SG1、SG2、ワード線駆動信号線WDL0〜WDLm−1やpウェル2b、ビット線BL0〜BLn−1に対して必要に応じて適切な所定電圧を与えると共に、アドレスデコーダADCがブロックBを選択するための選択信号を昇圧回路BSに与え、昇圧回路BSが転送ゲート線TGを介してブロック選択された転送トランジスタ部WTBの各転送ゲートトランジスタWTGD、WTGS、WT0〜WTm−1のゲートに電圧を印加することで、ドライバ線SG1、SG2、WDL0〜WDLm−1から選択ブロックB内の選択ゲート線SGLD、SGLSやワード線WL0〜WLm−1に信号を転送する。
図7は、本発明の第2の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、複数の配線構造を互いに同一長で形成すると共に、その端部を別工程で除去処理するところにある。前述実施形態と同一部分については同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分についてのみ説明する。
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
NAND型フラッシュメモリ装置1に適用した実施形態を示したが、NOR型のフラッシュメモリ装置に適用しても良いし、多数のメモリセルトランジスタMTをマトリクス状に配設した構造であれば、EEPROMなどにも適用できる。
Claims (2)
- 電気的に書込可能なメモリセルトランジスタが形成されるセル形成領域と、前記セル形成領域の両側に配置された第1および第2の領域とを備えた半導体基板と、
前記セル形成領域内を渡って前記第1および第2の領域に延設され、前記第1の領域に第1の端部および電圧印加用の第1のコンタクト領域が設けられ、前記第2の領域に第2の端部が設けられた第1のワード線構造と、
前記第1のワード線構造と平行に、前記セル形成領域内を渡って前記第1および前記第2の領域に延設され、前記第2の領域に電圧印加用の第2のコンタクト領域および前記第2の端部より前記セル形成領域から離れた位置に配置された第3の端部が設けられ、前記第1の領域に前記第1の端部より前記セル形成領域に近い位置に配置された第4の端部が設けられた第2のワード線構造と、
前記第1のワード線構造とは離間して、前記第2の領域の前記第2の端部と前記第3の端部との間の前記第1のワード線構造の延設方向の延長線上に配置された第1のダミー配線構造と、
前記第2のワード線構造とは離間して、前記第1の領域の前記第1の端部と前記第4の端部との間の前記第2のワード線構造の延設方向の延長線上に配置された第2のダミー配線構造とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1のコンタクト領域は前記第2のワード線構造の第4の端部より前記セル形成領域から離れた前記第1のワード線構造上に配置され、前記第2のコンタクト領域は前記第1のワード線構造の第2の端部より前記セル形成領域から離れた前記第2のワード線構造上に配置されたことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
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