JP4425727B2 - 電源回路 - Google Patents
電源回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4425727B2 JP4425727B2 JP2004190575A JP2004190575A JP4425727B2 JP 4425727 B2 JP4425727 B2 JP 4425727B2 JP 2004190575 A JP2004190575 A JP 2004190575A JP 2004190575 A JP2004190575 A JP 2004190575A JP 4425727 B2 JP4425727 B2 JP 4425727B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- comparator
- voltage
- output
- mos transistor
- bias current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
- H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
- H02M1/0041—Control circuits in which a clock signal is selectively enabled or disabled
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
(2)本発明の電源回路は、上記(1)項の電源回路において、前記コンパレータは、オペアンプと、オペアンプの出力波形を整形して2値電圧を出力するインバータと、オペアンプにバイアス電流を供給するバイアス電流源と、バイアス電流を制御するバイアス電流制御回路とを有し、オペアンプがバイアス電流制御回路により、前記コンパレータの速度を速くするとき高バイアスに制御され、前記コンパレータの速度を遅くするとき低バイアスに制御されることを特徴する。
(3)本発明の電源回路は、上記(2)項の電源回路において、前記オペアンプは、前記バイアス電流が供給されるMOSトランジスタを有し、前記バイアス電流制御回路は、前記オペアンプのMOSトランジスタにミラー接続された第1MOSトランジスタと、前記低バイアスのとき前記オペアンプのMOSトランジスタにミラー接続される第2MOSトランジスタと、前記第2MOSトランジスタの前記オペアンプのMOSトランジスタへのミラー接続のオン/オフ制御をするスイッチ素子とを有することを特徴とする。
(4)本発明の電源回路は、上記(3)項の電源回路において、前記スイッチ素子は、前記インバータの出力により制御されることを特徴とする。
(1)時刻t1において、コンパレータ32の−入力は+入力より電位が低いため、接続点P1の電位V1は"H"レベル、接続点P2の電位V2は"L"レベル、および出力電圧Vcは"H"レベルである。このとき、バイアス電流制御回路39において、MOSトランジスタM10,M11はオフ状態、MOSトランジスタM12はオン状態であり、各MOSトランジスタM5,M7はMOSトランジスタM8がミラー接続されてバイアス電流が供給される。従って、MOSトランジスタM8と各MOSトランジスタM5,M7とのミラー比は1:2となり、バイアス電流源38から供給される電流をI1とすると、MOSトランジスタM5,M7に流れる電流I2はI2=2×I1となる。
ドレインがバイアス電流源38に接続されておりソースが接地端子に接続されることによってMOSトランジスタM5,M7にミラー接続されるダイオード接続のNチャネルMOSトランジスタM9と、MOSトランジスタM9のソースを接地端子に接続するNチャネルMOSトランジスタM13とを有している。MOSトランジスタM13のゲートはインバータ36とインバータ37との接続点P2に接続されている。
(1)時刻t1において、コンパレータ42の+入力は−入力より電位が低いため、接続点P1の電位V1は"L"レベル、接続点P2の電位V2は"H"レベル、および出力電圧Vcは"L"レベルである。このとき、バイアス電流制御回路49において、MOSトランジスタM10,M11はオフ状態、MOSトランジスタM12はオン状態であり、各MOSトランジスタM5,M7はMOSトランジスタM8がミラー接続されてバイアス電流が供給される。従って、MOSトランジスタM8と各MOSトランジスタM5,M7とのミラー比は1:2となり、バイアス電流源48から供給される電流をI1とすると、MOSトランジスタM5,M7に流れる電流I2はI2=2×I1となる。
ドレインがバイアス電流源48に接続されておりソースが接地端子に接続されることによってMOSトランジスタM5,M7にミラー接続されるダイオード接続のNチャネルMOSトランジスタM9と、MOSトランジスタM9のソースを接地端子に接続するNチャネルMOSトランジスタM13とを有している。MOSトランジスタM13のゲートはインバータ47の出力端に接続されている。
30,40 レギュレータ
31,41 分圧回路
32,32a,42,42a コンパレータ
33,43 基準電圧源
34 NAND回路
44 OR回路
35,45 オペアンプ
36,37,46,47 インバータ
38,48 定電流源
39,39a,49,49a バイアス電流制御回路
200,300 電源回路
TG トランスファ−ゲート
M5,M7,M8,M9,M13 NチャネルMOSトランジスタ
Claims (4)
- クロック信号により昇圧動作するチャージポンプの出力に応じた電圧をコンパレータで基準電圧と比較し、基準電圧を上回ったときのコンパレータ出力によりクロック信号のパルスをスキップさせて昇圧動作を停止させるとともに、基準電圧を下回ったときのコンパレータ出力によりクロック信号のパルスのスキップを停止させて昇圧動作を復帰させることによりチャージポンプからレギュレート電圧を出力する電源回路において、
前記コンパレータの速度が、チャージポンプの出力に応じた電圧が基準電圧を上回った時点からコンパレータ出力が反転するまでは速く、チャージポンプの出力に応じた電圧が基準電圧を下回った時点からコンパレータ出力が反転するまでは遅くなるように制御されることを特徴とする電源回路。 - 前記コンパレータは、オペアンプと、オペアンプの出力波形を整形して2値電圧を出力するインバータと、オペアンプにバイアス電流を供給するバイアス電流源と、バイアス電流を制御するバイアス電流制御回路とを有し、オペアンプがバイアス電流制御回路により、前記コンパレータの速度を速くするとき高バイアスに制御され、前記コンパレータの速度を遅くするとき低バイアスに制御されることを特徴とする請求項1記載の電源回路。
- 前記オペアンプは、前記バイアス電流が供給されるMOSトランジスタを有し、
前記バイアス電流制御回路は、前記オペアンプのMOSトランジスタにミラー接続された第1MOSトランジスタと、前記低バイアスのとき前記オペアンプのMOSトランジスタにミラー接続される第2MOSトランジスタと、前記第2MOSトランジスタのミラー接続のオン/オフ制御をするスイッチ素子とを有することを特徴とする請求項2記載の電源回路。 - 前記スイッチ素子は、前記インバータの出力により制御されることを特徴とする請求項3記載の電源回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004190575A JP4425727B2 (ja) | 2004-02-27 | 2004-06-29 | 電源回路 |
US11/045,374 US7358794B2 (en) | 2004-02-27 | 2005-01-31 | Power supply circuit |
CNB2005100521298A CN100448144C (zh) | 2004-02-27 | 2005-02-25 | 电源电路 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004053109 | 2004-02-27 | ||
JP2004190575A JP4425727B2 (ja) | 2004-02-27 | 2004-06-29 | 電源回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005278383A JP2005278383A (ja) | 2005-10-06 |
JP4425727B2 true JP4425727B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=34889397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004190575A Expired - Fee Related JP4425727B2 (ja) | 2004-02-27 | 2004-06-29 | 電源回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7358794B2 (ja) |
JP (1) | JP4425727B2 (ja) |
CN (1) | CN100448144C (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060227626A1 (en) * | 2005-04-11 | 2006-10-12 | Hynix Semiconductor Inc. | Input buffer circuit of semiconductor memory device |
US20070103124A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | United Memories, Inc. | System and method for controlling the drive strength of output drivers in integrated circuit devices |
BRPI0601093A (pt) * | 2006-02-17 | 2007-11-06 | Eduardo Pedrosa Santos | sistema para regulação de tensão, controle, proteção e monitoração de estado de comutadores sob carga de transformadores de potência, reguladores de tensão, bancos de capacitores e congêneres |
JP2007304698A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Nec Electronics Corp | 電源回路及び液晶表示装置 |
KR100791072B1 (ko) * | 2006-07-18 | 2008-01-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 승압 전압 발생기 및 이를 이용한 반도체메모리 장치 |
JP4968904B2 (ja) | 2006-12-08 | 2012-07-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 表示パネル駆動装置、表示パネル駆動方法および表示装置 |
JP5160820B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2013-03-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 昇圧電源回路および昇圧電圧制御方法 |
US8456404B2 (en) | 2007-03-01 | 2013-06-04 | Renesas Electronics Corporation | Voltage boosting power supply circuit for monitoring charging voltage with predetermined voltage to detect boosted voltage, and boosted voltage control method |
CN101291108B (zh) * | 2007-04-19 | 2010-11-17 | 立锜科技股份有限公司 | 电荷泵启动电路与方法 |
JP2009038850A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Panasonic Corp | 負電源装置 |
TWI358884B (en) * | 2008-06-13 | 2012-02-21 | Green Solution Tech Co Ltd | Dc/dc converter circuit and charge pump controller |
EP2166655B1 (en) * | 2008-09-23 | 2016-08-31 | ams AG | Controlled charge pump arrangement and method for controlling a clocked charge pump |
JP5448477B2 (ja) | 2009-02-04 | 2014-03-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 昇圧回路、この昇圧回路を用いた表示装置、この昇圧回路を用いた昇圧方法およびこの昇圧方法を用いた表示装置への電力供給方法 |
JP4791560B2 (ja) * | 2009-04-13 | 2011-10-12 | 力晶科技股▲ふん▼有限公司 | 昇圧回路の制御回路 |
EP2362532A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-08-31 | Dialog Semiconductor GmbH | DC-DC converter efficiency improvement and area reduction using a novel switching technique |
CN101888178B (zh) * | 2010-06-13 | 2012-10-03 | 浙江大学 | 用于锁相环中极低电压工作下降低电流失配的电荷泵电路 |
JP2012070573A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Fuji Electric Co Ltd | インバータ装置の過電圧保護方法 |
US8643734B2 (en) * | 2010-11-10 | 2014-02-04 | Apple Inc. | Automatic engagement of image stabilization |
CN102064696A (zh) * | 2010-12-24 | 2011-05-18 | 苏州华芯微电子股份有限公司 | 一种滞环电流控制电路 |
TWI456874B (zh) * | 2011-04-27 | 2014-10-11 | Realtek Semiconductor Corp | 電荷幫浦回授控制裝置及其方法 |
CN102290984A (zh) * | 2011-08-26 | 2011-12-21 | 北京兆易创新科技有限公司 | 电荷泵稳压电路、提高其输出精度的方法及存储器芯片 |
US9729145B2 (en) | 2012-06-12 | 2017-08-08 | Infineon Technologies Ag | Circuit and a method for selecting a power supply |
CN102946193B (zh) * | 2012-10-26 | 2015-02-25 | 华为技术有限公司 | 一种提高比较器电路比较速度的方法及比较器电路 |
EP2843818B1 (en) * | 2013-08-27 | 2020-04-22 | EM Microelectronic-Marin SA | Regulation circuit for a charge pump and method of regulation |
EP2849326A1 (en) * | 2013-09-11 | 2015-03-18 | ST-Ericsson SA | Suspend mode in charge pump |
CN105632547B (zh) * | 2014-11-05 | 2019-01-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 电荷泵电路以及存储器 |
CN104953988B (zh) * | 2015-06-19 | 2019-05-17 | 西安紫光国芯半导体有限公司 | 高精度抗干扰比较器及方法和应用该比较器的存储器结构 |
CN105049007B (zh) * | 2015-06-19 | 2019-05-14 | 西安紫光国芯半导体有限公司 | 高精度抗干扰比较器及方法和应用该比较器的存储结构 |
CN106253665B (zh) * | 2016-08-29 | 2019-06-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 增加升降压幅度的电荷泵 |
JP7003003B2 (ja) | 2018-06-21 | 2022-01-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電源回路 |
CN111312313B (zh) * | 2018-12-12 | 2022-02-22 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种电荷泵电压快切的电路 |
US10539973B1 (en) * | 2018-12-17 | 2020-01-21 | Micron Technology, Inc. | Low-voltage bias generator based on high-voltage supply |
CN109639135B (zh) * | 2019-01-22 | 2024-03-01 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 一种电荷泵电路 |
CN114915164B (zh) * | 2022-04-07 | 2024-09-03 | 北京中电华大电子设计有限责任公司 | 一种电荷泵启动功耗平滑控制的电路和方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW423162B (en) * | 1997-02-27 | 2001-02-21 | Toshiba Corp | Power voltage supplying circuit and semiconductor memory including the same |
FR2782421B1 (fr) * | 1998-08-11 | 2000-09-15 | St Microelectronics Sa | Dispositif de generation d'une haute tension |
JP3487581B2 (ja) | 1998-09-22 | 2004-01-19 | シャープ株式会社 | 電源回路それを用いた表示装置及び電子機器 |
KR100348221B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2002-09-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고전압 발생기 |
JP2001238435A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-31 | Nec Corp | 電圧変換回路 |
JP2003168293A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP4032066B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2008-01-16 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路 |
JP4257196B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2009-04-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
-
2004
- 2004-06-29 JP JP2004190575A patent/JP4425727B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-01-31 US US11/045,374 patent/US7358794B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-02-25 CN CNB2005100521298A patent/CN100448144C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1661894A (zh) | 2005-08-31 |
US7358794B2 (en) | 2008-04-15 |
US20050189984A1 (en) | 2005-09-01 |
CN100448144C (zh) | 2008-12-31 |
JP2005278383A (ja) | 2005-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4425727B2 (ja) | 電源回路 | |
JP4791094B2 (ja) | 電源回路 | |
KR100259784B1 (ko) | 승압 회로 | |
JP4288434B2 (ja) | 高電圧発生回路 | |
US9013229B2 (en) | Charge pump circuit | |
JP4853003B2 (ja) | ソフトスタート回路及びこれを用いたスイッチング電源 | |
JP2000236657A (ja) | 昇圧回路 | |
JPH06153493A (ja) | チャージポンプ回路 | |
JP2006050778A (ja) | チャージポンプ回路 | |
JP4377274B2 (ja) | 電源回路及び該電源回路を備えた半導体記憶装置 | |
US7545128B2 (en) | Regulator circuit | |
US20050180227A1 (en) | Booster circuit | |
JP5426357B2 (ja) | 昇圧回路、昇圧方法、半導体装置 | |
JP2005020971A (ja) | 電源回路 | |
JP2004063019A (ja) | 内部電圧発生回路 | |
JP7216846B1 (ja) | 電力変換装置の制御回路 | |
JP2005044203A (ja) | 電源回路 | |
JP2005092401A (ja) | 電源回路 | |
JP4425622B2 (ja) | チャージポンプ回路 | |
JP2005018677A (ja) | 電源回路 | |
JP4694410B2 (ja) | 昇圧回路装置 | |
JP4865367B2 (ja) | 半導体集積回路、表示装置、及び電子機器 | |
JPH1198821A (ja) | 電圧供給回路 | |
JP4645009B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JP5112034B2 (ja) | チャージポンプ回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070214 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070704 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121218 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131218 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |