JP4420370B2 - 安息香酸エステル誘導体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、安息香酸エステル誘導体に関し、特に、オルト位に官能基がついた安息香酸エステル誘導体に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
多置換安息香酸エステル誘導体、特に、オルト位が官能化された安息香酸エステル誘導体は、ポリマー、医薬、農薬、ファインケミカルなどの分野において、中間体、添加剤等に極めて有用な化合物である。しかしながら、選択的に官能基を有する安息香酸エステルを得るのは困難であった。
【０００３】
従って、安息香酸エステルのオルト位に様々な置換基を簡易な方法で高収率で導入することが所望された。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面では、下記式（Ｉ）で示されることを特徴とする安息香酸エステル誘導体が提供される。
【０００５】
【化６】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、ただし、Ｒ2及びＲ3は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ10飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ6）−で示される基（式中、Ｒ6は水素原子、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基又はハロゲン原子である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、Ｍは、周期表の第３族〜第５族又はランタニド系列の金属を示し、Ｌ1及びＬ2は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示し、ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよく、Ｘは、脱離基である。）
【０００６】
本発明において、前記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5が、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基、又は置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基であり、前記Ｘが、ハロゲン原子であることが好ましい。
【０００７】
また、前記Ｍが、周期表第４族又はランタニド系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子であることが好ましい。前記非局在化環状η5−配位系配位子が、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基であることが更に好ましい。
【０００８】
本発明の他の側面では、下記式（Ｉ）で示される安息香酸エステル誘導体の製造方法であって、
【０００９】
【化７】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、ただし、Ｒ2及びＲ3は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ10飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ6）−で示される基（式中、Ｒ6は水素原子、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基又はハロゲン原子である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、Ｍは、周期表の第３族〜第５族又はランタニド系列の金属を示し、Ｌ1及びＬ2は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示し、ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよく、Ｘは、脱離基である。）、下記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体と、
【００１０】
【化８】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｍ、Ｌ1及びＬ2は、上記意味を有する。）、下記式（ＩＩＩ）で示されるエステルと
Ｘ−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ5 （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ5及びＸは、上記意味を有する。）を反応させることを特徴とする安息香酸エステル誘導体の製造方法が提供される。
【００１１】
本発明において、前記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5が、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基、又は置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基であり、前記Ｘが、ハロゲン原子であることが好ましい。
【００１２】
また、本発明において、前記Ｍが、周期表第４族又はランタニド系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子であることが好ましい。また、前記非局在化環状η5−配位系配位子が、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基であることが更に好ましい。
【００１３】
本発明の他の側面では、下記式（ＩＶ）で示される安息香酸エステル誘導体の製造方法であって、
【００１４】
【化９】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、ただし、Ｒ2及びＲ3は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ10飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ6）−で示される基（式中、Ｒ6は水素原子、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基又はハロゲン原子である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、Ｅは、求電子基である。）、下記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体と、
【００１５】
【化１０】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、上記意味を有する。Ｍは、周期表の第３族〜第５族又はランタニド系列の金属を示し、Ｌ1及びＬ2は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示す。ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよい。）、下記式（ＩＩＩ）で示されるエステルと
Ｘ−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ5 （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ5は、上記意味を有する。Ｘは、脱離基である。）を反応させ、反応混合物を得る工程と、次いで、前記反応混合物と、下記式（Ｖ）で示される求電子試薬とを反応させる工程と
Ｅ−Ｙ （Ｖ）
（式中、Ｅは、上記意味を有する。Ｙは、脱離基である。）を含むことを特徴とするエステル誘導体の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明において、前記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5が、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基、又は置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基であり、前記Ｘが、ハロゲン原子であることが好ましい。
【００１７】
また、本発明において、上記反応が、周期表第４〜１５族の金属化合物の存在下で行われることが好ましい。
【００１８】
また、本発明において、前記Ｍが、周期表第４族又はランタニド系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子であることが好ましい。また、前記非局在化環状η5−配位系配位子が、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基であることが更に好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の一側面では、下記式（Ｉ）で示されることを特徴とする安息香酸エステル誘導体が提供される。
【００２０】
【化１１】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｍ、Ｌ1、Ｌ2及びＸは、前記の意味を有する。）
【００２１】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基である。
【００２２】
本明細書では、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基は、飽和若しくは不飽和の非環式であってもよいし、飽和若しくは不飽和の環式であってもよい。Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基が非環式の場合には、線状でもよいし、枝分かれでもよい。Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基には、Ｃ1〜Ｃ40アルキル基、Ｃ2〜Ｃ40アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ40アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ40アリル基、Ｃ4〜Ｃ40アルキルジエニル基、Ｃ4〜Ｃ40ポリエニル基、Ｃ6〜Ｃ40アリール基、Ｃ6〜Ｃ40アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ40アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルケニル基、（Ｃ3〜Ｃ20シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ20アルキル基などが含まれる。
【００２３】
Ｃ1〜Ｃ40アルキル基、Ｃ2〜Ｃ40アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ40アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ40アリル基、Ｃ4〜Ｃ40アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ40ポリエニル基は、それぞれ、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ20ポリエニル基であることが好ましく、それぞれ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ2〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ10アリル基、Ｃ4〜Ｃ10アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ10ポリエニル基であることが更に好ましい。
【００２４】
Ｃ6〜Ｃ40アリール基、Ｃ6〜Ｃ40アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ40アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルケニル基、及び、（Ｃ3〜Ｃ20シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ20アルキル基は、それぞれ、Ｃ6〜Ｃ20アリール基、Ｃ6〜Ｃ20アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ20アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基、及び、（Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ10アルキル基が好ましく、それぞれ、Ｃ6〜Ｃ10アリール基、Ｃ6〜Ｃ12アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ12アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ10シクロアルキル基、及び、Ｃ4〜Ｃ10シクロアルケニル基が更に好ましい。
【００２５】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアルキル基の例には、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ドデカニル、トリフルオロメチル、ペルフルオロ−ｎ−ブチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ベンジル、２−フェノキシエチル等がある。
【００２６】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアリール基の例には、制限するわけではないが、フェニル、２−トリル、３−トリル、４−トリル、ナフチル、ビフェニル、４−フェノキシフェニル、４−フルオロフェニル、３−カルボメトキシフェニル、４−カルボメトキシフェニル等がある。
【００２７】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアルコキシ基の例には、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、２−メトキシエトキシ、ｔ−ブトキシ等がある。
【００２８】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアリールオキシ基の例には、制限するわけではないが、フェノキシ、ナフトキシ、フェニルフェノキシ、４−メチルフェノキシ、２−トリルオキシ、３−トリルオキシ、４−トリルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ、４−フェノキシフェニルオキシ、４−フルオロフェニルオキシ、３−カルボメトキシフェニルオキシ、４−カルボメトキシフェニルオキシ等がある。
【００２９】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアミノ基の例には、制限するわけではないが、アミノ、ジメチルアミノ、メチルアミノ、メチルフェニルアミノ、フェニルアミノ等がある。
【００３０】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいシリル基の例には、制限するわけではないが、トリメチルシリル、ジメチルフェニルシリル、メチルジフェニルシリル、トリフェニルシリル、ジメチルエチルシリル、メチルメトキシフェニルシリル、メチルエチルフェノキシシリル等が挙げられる。
【００３１】
Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ40アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40アリールオキシ基、アミノ基、シリル基には、置換基が導入されていてもよく、この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アミノ基、水酸基、シリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基などが挙げられる。
【００３２】
Ｒ2及びＲ3は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ10飽和又は不飽和環を形成してもよい。これらの置換基が形成する環は、４員環〜１０員環であることが好ましく、４員環〜６員環であることが更に好ましい。この環は、ベンゼン環等の芳香族環であってもよいし、脂肪族環であってもよい。
【００３３】
前記飽和または不飽和環は、酸素原子、硫黄原子または式―Ｎ（Ｒ6）―で示される基（式中、Ｒ6は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基又はハロゲン原子である。）で中断されていてもよい。即ち、前記飽和または不飽和環はヘテロ環であってもよい。
【００３４】
Ｒ6は、水素原子またはＣ1〜Ｃ20炭化水素基であることが好ましく、水素原子またはＣ1〜Ｃ14炭化水素基であることが更に好ましく、Ｒ6は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、ナフチルメチル基であることが更になお好ましい。
【００３５】
この飽和又は不飽和環は、置換基を有していてもよく、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ40アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40アリールオキシ基、アミン基、水酸基又はシリル基などの置換基が導入されていてもよい。
【００３６】
Ｍは、周期表の第３族〜第５族又はランタニド系列の金属を示す。Ｍとしては、周期表第４族又はランタニド系列の金属が好ましく、周期表第４族の金属、即ち、チタン、ジルコニウム及びハフニウムが更に好ましい。
【００３７】
Ｌ1及びＬ2は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示す。ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよい。前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基又はジアルキルアミド基であることが好ましい。
【００３８】
非局在化環状η5−配位系配位子の例は、無置換のシクロペンタジエニル基、及び置換シクロペンタジエニル基である。この置換シクロペンタジエニル基は例えば、メチルシクロペンタジエニル、エチルシクロペンタジエニル、イソプロピルシクロペンタジエニル、ｎ−ブチルシクロペンタジエニル、ｔ−ブチルシクロペンタジエニル、ジメチルシクロペンタジエニル、ジエチルシクロペンタジエニル、ジイソプロピルシクロペンタジエニル、ジ−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル、テトラメチルシクロペンタジエニル、インデニル基、２−メチルインデニル基、２−メチル−４−フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基、及びオクタヒドロフルオレニル基である。
【００３９】
非局在化環状η5−配位系配位子は、非局在化環状π系の１個以上の原子がヘテロ原子に置換されていてもよい。水素の他に、周期表第１４族の元素及び／又は周期表第１５、１６及び１７族の元素のような１個以上のヘテロ原子を含むことができる。
【００４０】
非局在化環状η5−配位系配位子、例えば、シクロペンタジエニル基は、中心金属と、環状であってもよい、一つの又は複数の架橋配位子により架橋されていてもよい。架橋配位子としては、例えば、ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2、ＣＨ（Ｃ4Ｈ9）Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＨ3）2、（ＣＨ3）2Ｓｉ、（ＣＨ3）2Ｇｅ、（ＣＨ3）2Ｓｎ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）（ＣＨ3）Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｇｅ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｎ、（ＣＨ2）4Ｓｉ、ＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）2、ｏ−Ｃ6Ｈ4又は２、２'−（Ｃ6Ｈ4）2が挙げられる。
【００４１】
２以上の非局在化環状η5−配位系配位子、例えば、シクロペンタジエニル基は、互いに、環状であってもよい、一つの又は複数の架橋基により架橋されていてもよい。架橋基としては、例えば、ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2、ＣＨ（Ｃ4Ｈ9）Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＨ3）2、（ＣＨ3）2Ｓｉ、（ＣＨ3）2Ｇｅ、（ＣＨ3）2Ｓｎ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）（ＣＨ3）Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｇｅ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｎ、（ＣＨ2）4Ｓｉ、ＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）2、ｏ−Ｃ6Ｈ4又は２、２'−（Ｃ6Ｈ4）2が挙げられる。
【００４２】
上記式（Ｉ）で示される安息香酸エステル誘導体は、二つ以上のメタラシクロペンテン部分 (moiety)を有する化合物も含む。このような化合物は多核メタロセンとして知られている。前記多核メタロセンは、いかなる置換様式及びいかなる架橋形態を有していてもよい。前記多核メタロセンの独立したメタロセン部分は、各々が同一種でも、異種でもよい。前記多核メタロセンの例は、例えばＥＰ−Ａ−６３２０６３、特開平４−８０２１４号、特開平４−８５３１０、ＥＰ−Ａ−６５４４７６に記載されている。
【００４３】
Ｘは、脱離基である。脱離基としては、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン原子、ｐ−トルエンスルホニル基、トシラート基（―Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）2−Ｃ6Ｈ4−ＣＨ3）、トリフルオロメタンスルホン酸エステル（トリフラート）、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基（好ましくは、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基であり、更に好ましくは、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基）、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基、トリ低級アルキルシリルオキシ基等が挙げられる。脱離基としては、Ｃｌ、Ｂｒ、トシラート基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、及びトリ低級アルキルシリルオキシ基が好ましい。
【００４４】
本発明の他の側面では、下記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体と、下記式（ＩＩＩ）で示されるエステルとを反応させることを特徴とする、下記式（Ｉ）で示される安息香酸エステル誘導体の製造方法が提供される。この反応式を下記に示す。
【００４５】
【化１２】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｍ、Ｌ1、Ｌ2、Ｒ5及びＸは、上記意味を有する。）
【００４６】
本発明の安息香酸エステル誘導体の製造方法において、下記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体が用いられる。
【００４７】
【化１３】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｍ、Ｌ1及びＬ2は、上記意味を有する。）
【００４８】
上記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体は、例えば、メタロセンジクロリドにフェニルリチウムを２当量反応させて加熱するか、又は、メタロセンモノアルキルモノクロリドにフェニルリチウムを１当量反応させて加熱することによって得られる。
【００４９】
なお、ベンザインとは、ベンゼンの隣り合った炭素から水素原子２個を除去され、炭素原子環が三重結合となったものをいう。
【００５０】
また、本発明の安息香酸エステル誘導体の製造方法において、下記式（ＩＩＩ）で示されるエステルが用いられる。
Ｘ−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ5 （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ5及びＸは、上記意味を有する。）
【００５１】
上記式（ＩＩＩ）で示されるエステルの量は、ベンザイン錯体（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、０．９モル〜３モルである。
【００５２】
例えば、反応機構としては、以下のスキームが提案される。まず、ベンザイン錯体と、エステルのカルボニル基とがカップリング反応をおこし、５員環のオキサメタラサイクルを形成する。続いて、Ｍ−Ｏ結合が開裂し、同時にＸが脱離して、o-メタラベンゾエートが生成される。なお、この反応機構は仮説に過ぎず、本発明はこの反応機構に限定されるものではない。
【００５３】
本発明の安息香酸エステル誘導体の製造方法において、典型的には、上記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体の溶液に、上記式（ＩＩＩ）で示されるエステルを添加し、攪拌する。
【００５４】
反応は、好ましくは−１００℃〜３００℃の温度範囲で行われ、特に好ましくは−８０℃〜１００℃の温度範囲、更に好ましくは０℃〜８０℃の温度範囲で行われる。圧力は、例えば、０．１バール〜２５００バールの範囲内で、好ましくは０．５バール〜１０バールの範囲内である。
【００５５】
溶媒としては、上記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体を溶解することができる溶媒が好ましい。溶媒は、脂肪族又は芳香族の有機溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒドロフラン又はジエチルエーテル；塩化メチレンのようなハロゲン化炭化水素；ｏ−ジクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族炭化水素；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が用いられる。
【００５６】
本発明の他の側面においては、下記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体と、下記式（ＩＩＩ）で示されるエステルとを反応させ、反応混合物を得る工程と、次いで、前記反応混合物と、下記式（Ｖ）で示される求電子試薬とを反応させる工程とを含むことを特徴とする、下記式（ＩＶ）で示される安息香酸エステル誘導体の製造方法が提供される。この反応式を下記に示す。
【００５７】
【化１４】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｍ、Ｌ1、Ｌ2、Ｅ、Ｘ及びＹは、上記意味を有する。）
【００５８】
本発明の安息香酸エステル誘導体において、下記式（Ｖ）で示される求電子試薬を用いる。
Ｅ−Ｙ （Ｖ）
（式中、Ｅは、求電子基であり、Ｙは、脱離基である。）
【００５９】
Ｅは、求電子基である。求電子基としては、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルキルカルボニル基、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アリールカルボニル基、シアノ基等を挙げることができる。
【００６０】
Ｙは、脱離基である。脱離基としては、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン原子、ｐ−トルエンスルホニル基、トシラート基（―Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）2−Ｃ6Ｈ4−ＣＨ3）、トリフルオロメタンスルホン酸エステル（トリフラート）、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、置換基を有していてもよいシリルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、下記式に示される基等を挙げることができる。
【００６１】
【化１５】
【００６２】
上記式（ＩＩＩ）で示されるエステルの量は、ベンザイン錯体（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、０．９モル〜３モルである。
【００６３】
上記式（Ｖ）で示される求電子試薬の量は、ベンザイン錯体（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、０．９モル〜３モルである。
【００６４】
本発明の安息香酸エステル誘導体の製造方法において、典型的には、上記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体の溶液に、上記式（ＩＩＩ）で示されるエステルを添加し、攪拌する。次いで、上記式（Ｖ）で示される求電子試薬を添加して攪拌する。
【００６５】
反応は、周期表第４〜１５族の金属化合物の存在下で行ってもよい。
【００６６】
金属化合物は、塩であっても、錯体であってもよく、銅イオン、ニッケルイオン、ビスマスイオン、パラジウムイオン、亜鉛イオン、クロムイオン、コバルトイオンを含む塩、又は、ニッケル錯体若しくはパラジウム錯体であることが好ましい。
【００６７】
塩の場合には、銅、ニッケル、ビスマス、パラジウム、亜鉛、クロム、コバルトと、塩酸、硫酸等の無機酸又はカルボン酸のような有機酸との塩であってもよい。金属化合物は、ＣｕＸ、ＮｉＸ2、ＰｄＸ2、ＺｎＸ２、ＣｒＸ２、ＣｒＸ３、ＣｏＸ２、若しくは、ＢｉＸ3（式中、Ｘは、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、シアノ基（−ＣＮ）又は水酸基を示す。）であることが好ましく、更に、ハロゲン化銅（Ｉ）、ハロゲン化パラジウム（ＩＩ）、ハロゲン化ビスマス（ＩＩＩ）、ハロゲン化亜鉛（ＩＩ）、ハロゲン化クロム（ＩＩ）、ハロゲン化クロム（ＩＩＩ）、ハロゲン化コバルト（ＩＩ）のような金属塩が好ましく、特に、CuClのようなハロゲン化銅（Ｉ）が好ましく用いられる。
【００６８】
ニッケル錯体及びパラジウム錯体である場合は、４配位又は６配位であることが好ましく、４配位子が更に好ましい。これらの錯体には、低級アルキルカルボニルオキシ基、ホスフィン、ホスファイト若しくはハロゲン原子の少なくとも一つが配位子として、それぞれ、ニッケル金属及びパラジウム金属に結合していることが好ましい。
【００６９】
ニッケル錯体は、たとえば、ＮｉＸ2Ｐ1Ｐ2（式中、Ｘは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子を示し、Ｐ1及びＰ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ホスフィン、ホスファイト又はアミンを示し、好ましくは、ホスフィン又はアミンを示し、更に好ましくはホスフィンを示す。ただし、Ｐ1及びＰ2は、互いに架橋していてもよい。）であってもよい。
【００７０】
ホスフィンは、ジフェニルホスフィンのようなジアリールホスフィン、トリフェニルホスフィンのようなトリアリールホスフィン、トリエチルホスフィンのようなトリアルキルホスフィン、アルキルジアリールホスフィン、ジアルキルアリールホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタンのようなα，ω−ビス（ジアリールホスフィノ）アルカン、Ｐ，Ｐ，Ｐ'，Ｐ'，Ｐ"，Ｐ"−ヘキサフェニル−トリスエチレンテトラホスフィンのようなＰ，Ｐ，Ｐ'，Ｐ'，Ｐ"，Ｐ"−六置換−トリスアルキレンテトラホスフィン等であってもよい。ホスファイトは、ホスフィンと同様である。
【００７１】
アミンは、配位子としては、ピリジン、ビピリジン、キノリン等の芳香族アミンであってもよいし、エチレンジアミンのようなアルキレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラアルキルエチレンジアミンのようなＮ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−四置換アルキレンジアミン、トリスエチレンジアミンのようなトリスアルキレンジアミン等の脂肪族アミンであってもよい。
【００７２】
ニッケル錯体としては、たとえば、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロニッケル、ジクロロ（２，２'−ビピリジン）ニッケルが挙げられる。ＮｉＸ2Ｐ1Ｐ2で示されるニッケル錯体は、ＮｉＸ2で示されるニッケル塩と比べて、有機溶媒中での溶解度が向上するので、用途によっては、好ましい。たとえば、ＮｉＸ2で示されるニッケル塩を反応系が含まれている溶媒に添加し、所望により、更にホスフィンを溶媒に添加して in situで、ニッケルホスフィン錯体を形成してもよい。
【００７３】
パラジウム錯体は、Ｐｄ（Ｑ1）（Ｑ2）（Ｑ3）（Ｑ4）（式中、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3及びＱ4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ホスフィン、ホスファイト、Ｃ1−Ｃ20アシル基、ハロゲン原子を含む置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子を含む置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アリールカルボニルオキシ基、ニトリル、又は、ハロゲン原子を示し、好ましくは、ホスフィン、ホスファイト、Ｃ1−Ｃ20アシル基、アミン、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を示し、ただし、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3及びＱ4の任意の２つ、３つ及び４つが、互いに架橋していてもよい。）であってもよい。ホスフィン、ホスファイト又はアミンについては、上述の通りである。パラジウム錯体としては、たとえば、Ｐｄ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ）4（式中、Ｒはアルキル基又はアリール基であり、互いに架橋していてもよい。）、［ＰｄＸ4］2-（Ｘはハロゲン原子である。）、テトラキス（トリアリールホスフィン）、PdCl2(2,2'-ビピリジン)等が挙げられる。
【００７４】
反応は、好ましくは−１００℃〜３００℃の温度範囲で行われ、特に好ましくは−８０℃〜１００℃の温度範囲、更に好ましくは−８０℃〜８０℃の温度範囲で行われる。圧力は、例えば、０．１バール〜２５００バールの範囲内で、好ましくは０．５バール〜１０バールの範囲内である。
【００７５】
溶媒としては、上記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体を溶解することができる溶媒が好ましい。溶媒は、脂肪族又は芳香族の有機溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒドロフラン又はジエチルエーテル；塩化メチレンのようなハロゲン化炭化水素；ｏ−ジクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族炭化水素；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が用いられる。
【００７６】
本発明の一側面で用いるベンザイン錯体の原料として、例えば、メタロセンジクロリド、β位の水素を持たないメタロセンモノアルキルモノクロリドを用いることができる。
【００７７】
メタロセンジクロリドとしては、例えば、ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；ビス（フルオレニル）ジクロロジルコニウム；（インデニル）（フルオレニル）ジクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロチタン；（ジメチルシランジイル）ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（テトラヒドロインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）（インデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジクロロジルコニウム等を挙げることができる。
【００７８】
また、β位の水素を持たないメタロセンモノアルキルモノクロリドとしては、例えば、ビス（インデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；ビス（フルオレニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（インデニル）（フルオレニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）モノメチルモノクロロチタン；（ジメチルシランジイル）ビス（インデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（テトラヒドロインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）（インデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチルインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチルインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム等を挙げることができる。
【００７９】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。ただし、本発明は、下記の実施例に制限されるものではない。
【００８０】
すべての反応は、窒素雰囲気下のもとで行われた。溶媒として用いたTHF、ベンゼンは窒素気流下、ナトリウム金属、ベンゾフェノンで蒸留して無水とした。ジルコノセンジクロリドは日亜化学工業から購入したものを用いた。ブチルリチウム及びフェニルリチウムは、関東化学から購入したものを用いた。その他の試薬は、アルドリッチ（Aldrich Chemical Company, Inc）から購入したものを用いた。
【００８１】
1H-NMRおよび13C-NMRスペクトルは、２５℃にて重水素化クロロホルム溶液（ＴＭＳ１％含有）を内部標準として、Bruker ARX-400を用いて測定した。ガスクロマトグラフ分析は、シリカガラスキャピラリカラムSHIMADZU CBP1-M25-O25 及び SHIMADZU C-R6A-Chromatopac integrator を備えたSHIMADZU GC-14A ガスクロマトグラフで測定した。
【００８２】
参考例１
【００８３】
ジルコノセン(イソブチル)クロライドの形成
365 mg(1.25 mmol) のCp2ZrCl2 5 mL THF溶液に、1.25当量のt-BuLi (1.25 mmol, 1.51 M, 0.83 mL)を-78℃にて加え、15分攪拌し、室温まで昇温させた。室温にて1時間攪拌した後、溶液を再度-78℃まで冷却し、直ちに使用した。
【００８４】
実施例１
【００８５】
【化１６】
【００８６】
Cp2ZrCl2 292 mg (1 mmol)の5 mLベンゼン溶液に、2当量のPhLi (2 mmol, 0.88 M, 2.27 mL)を0℃にて加え、１時間攪拌した。室温まで昇温させ、３時間攪拌した。これに、2当量のクロロギ酸エチル (190 μL, 2.0 mmol)を加え、１８時間、75℃にて攪拌した。
【００８７】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 1.05 (t, J = 7.1Hz, 3H), 4.23 (q, J = 7.1Hz, 2H), 5.97(s, 10H), 7.03-7.78(m, 4H). 13C-NMR (CDCl3, Me4Si): 14.47, 65.26, 112.33, 124.27, 127.66, 132.53, 133.24, 140.99, 179.68, 200.74。
【００８８】
o-ジルコナベンゾエートがNMRスペクトロスコピーによって確認された。1H-NMRスペクトルにて、Cpシグナルが5.97 ppmで、CH3及びCH2基及びベンゼン環の4つの水素が、それぞれ、1.05 ppm, 4.23 ppm及び 7.03-7.78 ppmで見られた。13C-NMRにて、Cp、CH3、CH2及びカルボニル炭素が、それぞれ、112.33、14.47、65.26及び179.68 ppmで見られた。
【００８９】
実施例２
【００９０】
【化１７】
【００９１】
実施例１で得られた混合物に2.0mmol I2を加えて、室温にて１時間かけて反応を終了させた。無色液体、ＧＣ収率 50%、単離収率37%。
【００９２】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 1.41 (t, J = 7.1Hz, 3H), 4.39 (q, J = 5.3Hz, 2H), 7.13-7.98(m, 4H). 13C-NMR (CDCl3, Me4Si): 14.11, 61.57, 93.87, 127.76, 130.69, 132.37, 135.33, 141.08, 166.45. 高分解能質量分析計 計算値 C9H9O2I: 275.9647, 実測値: 275.9656。
【００９３】
実施例３
【００９４】
【化１８】
【００９５】
実施例１で得られた混合物に、2.0mmolのNBS(N-ブロモスクシンイミド)を加えて室温にて反応を終了させ、３時間保持した。混合物は、3N HClを加えて反応を終了させた。通常の処理を行い、カラムクロマトグラフィで精製した。無色液体、ＧＣ収率68%、単離収率49%。
【００９６】
1H-NMR ( CDCl3, Me4Si ): 1.40 (t, J = 7.1Hz, 3H), 4.4 (q, J = 5.3Hz, 2H), 7.30-7.78 (m, 4H). 13C-NMR (CDCl3, Me4Si): 14.06, 61.48, 121.36, 127.00, 130.01, 132.26, 132.39, 134.10, 166.08. 元素分析 計算値 C9H9O2Br: C, 47.19; H, 3.96; Br, 34.88 . 実測値: C,47.40; H, 4.04; Br, 34.86。
【００９７】
実施例４
【００９８】
【化１９】
【００９９】
実施例１で得た混合物に、1.2 mmolヨードベンゼン、1.2 mmol CuCl及び0.05mol Pd(PPh3)4.を加え、混合物を6時間50℃にて攪拌し、3N HClを加えて反応を終了させた。淡黄色液体、ＧＣ収率47%、単離収率41%。
【０１００】
1H-NMR ( CDCl3, Me4Si ):0.97 (t, J = 7.1Hz, 3H), 4.07 (q, J = 5.3Hz, 2H), 7.29-7.83 (m, 4H). 13C-NMR ( CDCl3, Me4Si): 133.53, 60.79, 127.03, 127.05, 127.88, 128.27, 129.60, 130.48, 131.00, 131.22, 141.40, 142.28, 168.73. 元素分析 計算値 C15H14O2: C, 79.62; H, 6.24 . 実測値: C,79.59; H, 6.20。
【０１０１】
実施例５
【０１０２】
【化２０】
【０１０３】
実施例１で得られた混合物に、1.2 mmol塩化ベンゾイル、1.2 mmol CuClを加え、室温にて６時間攪拌し、3N HClを加えて反応を終了させた。白色固体、ＧＣ収率60%、単離収率52%。
【０１０４】
1H-NMR ( CDCl3, Me4Si ):1.05 ( t, J = 7.1Hz, 3H), 4.07 (q, J = 5.3Hz, 2H), 7.38-8.07 (m, 4H). 13C-NMR (CDCl3, Me4Si ): 13.47, 61.35, 115.20, 127.51, 128.35, 129.22, 129.43, 129.97, 132.23, 132.98, 137.02, 141.41, 165.76, 196.87. 元素分析 計算値 C16H14O3: C, 75.57; H, 5.55 . 実測値: C,75.36; H, 5.70。
【０１０５】
実施例６
【０１０６】
【化２１】
【０１０７】
実施例１で得られた混合物に、2.0 mmolの3-クロロ-1-プロペン及び2.0 mmolのCuClを室温にて加え、混合物を３時間５０℃にて攪拌し、3N HClを加えて反応を終了させた。無色液体、ＧＣ収率63%、単離収率54%。
【０１０８】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 1.37 (t, J = 7.1Hz, 3H), 3.74-3.76 (m, 2H), 4.34 (q, J = 7.2Hz, 2H), 4.97-5.05 (m, 2H), 5.96-6.05 (m, H), 7.24-7.88 (m, 4H). 13C-NMR (CDCl3, Me4Si): 14.29, 38.40, 60.82, 115.53, 126.16, 130.17, 130.52, 130.90, 131.89, 137.48, 141.39, 167.65. 高分解能質量分析計 計算値 C12H14O2: 190.0994, 実測値: 190.0999。
【０１０９】
実施例１〜６の反応機構を以下に示す。
【０１１０】
【化２２】
【０１１１】
実施例７
【０１１２】
【化２３】
【０１１３】
窒素下で、25 mLシュレンクフラスコに、THF(5 mL)及び2-ブロモアニソール (124.5 mL, 1.0 mmol)を加えた。-78℃まで冷却した後、得られた溶液をn-ブチルリチウム (0.63 mL, 1.0 mmol)で処理し、1時間攪拌した。次いで、得られた溶液を、カニューラーを用いて、参考例１で合成されたジルコノセン(イソブチル)クロライドに、-78℃で加えた。温度を、-50℃まで昇温させ、クロロギ酸エチル (190 μL, 2.0 mmol) を添加する前に、溶液を、1時間攪拌した。溶液混合物は、室温まで昇温させ、70℃で18時間加熱した。混合物は、3N HClで反応を終了させ、酢酸エチルによって、有機相を抽出した。ＧＣ収率 76%。無色液体、単離収率62%。
【０１１４】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 1.38 (t, J = 7.2Hz, 3H), 3.83 (s, 3H), 4.47(q, J = 7.2Hz, 2H), 7.06-7.64 (m, 4H). 13C-NMR( CDCl3, Me4Si): 14.20, 55.27, 60.90, 113.96, 119.15, 121.82, 129.21, 131.74, 159.46, 166.35. 元素分析計算値 C10H12O3: C, 66.65; H, 6.71 . 実測値: C, 66.45; H, 6.84。
【０１１５】
実施例８
【０１１６】
【化２４】
【０１１７】
実施例７で得られた混合物に、2.0 mmolのI2を室温にて加え、３時間で反応を終了させた。無色液体、ＧＣ収率60%、単離収率51%。
【０１１８】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 1.40 (t, J = 7.1Hz, 3H), 3.86 (s, 3H), 4.38 (q, J = 7.2Hz, 2H), 6.86-7.32 (m, 3H). 13C-NMR ( CDCl3, Me4Si): 14.3, 56.62, 61.61, 86.20, 112.70, 121.94, 129.15, 139.07, 158.36, 167.46. 高分解能質量分析計 計算値 C10H11O3I: 305.9753, 実測値: 305.9762。
【０１１９】
実施例９
【０１２０】
【化２５】
【０１２１】
実施例７で得られた反応混合物に、2.0 mmol 3-クロロ-1-プロペン及び2.0 mmol CuClを、室温にて加え、混合物は、3時間、50℃にて攪拌し、3N HClを加えて反応を終了させた。無色液体、ＧＣ収率 70%、単離収率52%。
【０１２２】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 1.36(t, J = 7.1Hz, 3H), 3.72-3.75 (m, 2H), 3.81 (s, 3H), 4.33 (q, J = 7.1Hz, 2H), 4.94-5.0 (m, 2H), 5.94-5.99 (m, 1H), 6.96-7.40 (m, 3H). 13C-NMR(CDCl3, Me4Si): 14.14, 30.33, 55.76, 60.79, 113.56, 114.50, 121.94, 126.70, 129.41, 131.98, 136.85, 157,75, 167.85. 高分解能質量分析計 計算値 C13H16O3: 220.1099, 実測値: 220.1092。
【０１２３】
実施例１０
【０１２４】
【化２６】
【０１２５】
実施例７と同様の手順で行った。但し、クロロギ酸エチルの代わりに、クロロギ酸ブチルを用いた。無色液体、ＧＣ収率75%、単離収率68%。
【０１２６】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 0.98 (t, J = 7.2Hz, 3H), 1.43-1.51 (m, 2H), 1.72-1.77 (m, 2H), 3.83 (s, 3H), 4.32 (t, J = 6.6Hz, 2H), 7.06-7.64 (m, 4H). 13C-NMR( CDCl3, Me4Si): 13.64, 19.17, 30.67, 55.26, 64.79, 114.01, 119.06, 121.80, 129.22, 131.76, 159.45, 166.41. 高分解能質量分析計 計算値 C12H16O3: 208.1099, 実測値: 208.1097。
【０１２７】
実施例１１
【０１２８】
【化２７】
【０１２９】
実施例８と同様の手順で行った。但し、実施例７で得られた混合物の代わりに、実施例１０で得られた混合物を用いた。無色液体、ＧＣ収率64%、単離収率52%。
【０１３０】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 0.97 (t, J = 7.2Hz, 3H), 1.46-1.49 (m, 2H), 1.73-1.78 (m, 2H), 3.89 (s, 3H), 4.34 (t, J = 6.6Hz, 2H), 6.88-7.32 (m, 3H). 13C-NMR(CDCl3, Me4Si): 13.61, 19.15, 30.48, 56.68, 65.51, 86.28, 112.74, 122.02, 129.18, 139.28, 158.48, 167.62. 高分解能質量分析計 計算値 C12H15O3I: 334.0066, 実測値: 334.0073。
【０１３１】
実施例１２
【０１３２】
【化２８】
【０１３３】
実施例９と同様の手順で行った。但し、実施例７で得られた反応混合物の代わりに実施例１０で得られた混合物を用いた。無色液体、ＧＣ収率74%、単離収率70%。
【０１３４】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 0.96(t, J = 7.4Hz, 3H), 1.43-1.50 (m, 2H), 1.69-1.76 (m, 2H), 3.73-3.75 (m,2H), 3.82 (s, 3H), 4.28 (t, J = 5.0Hz, 2H), 4.94-5.0 (m, 2H), 5.95-6.02 (m, H), 6.98-7.41 (m, 3H). 13C-NMR(CDCl3, Me4Si): 13.65, 19.21, 30.35, 30.63, 55.80, 64.77, 113.58, 114.52, 121.99, 126.72, 129.48, 132.02, 136.88, 157.78, 167.96. 高分解能質量分析計 計算値 C15H20O3: 248.1412, 実測値: 248.1406。
【０１３５】
実施例７〜１２の反応機構を以下に示す。
【０１３６】
【化２９】
【０１３７】
【発明の効果】
本発明により、様々な安息香酸エステル誘導体を選択的に得ることができる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、安息香酸エステル誘導体に関し、特に、オルト位に官能基がついた安息香酸エステル誘導体に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
多置換安息香酸エステル誘導体、特に、オルト位が官能化された安息香酸エステル誘導体は、ポリマー、医薬、農薬、ファインケミカルなどの分野において、中間体、添加剤等に極めて有用な化合物である。しかしながら、選択的に官能基を有する安息香酸エステルを得るのは困難であった。
【０００３】
従って、安息香酸エステルのオルト位に様々な置換基を簡易な方法で高収率で導入することが所望された。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面では、下記式（Ｉ）で示されることを特徴とする安息香酸エステル誘導体が提供される。
【０００５】
【化６】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、ただし、Ｒ2及びＲ3は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ10飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ6）−で示される基（式中、Ｒ6は水素原子、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基又はハロゲン原子である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、Ｍは、周期表の第３族〜第５族又はランタニド系列の金属を示し、Ｌ1及びＬ2は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示し、ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよく、Ｘは、脱離基である。）
【０００６】
本発明において、前記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5が、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基、又は置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基であり、前記Ｘが、ハロゲン原子であることが好ましい。
【０００７】
また、前記Ｍが、周期表第４族又はランタニド系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子であることが好ましい。前記非局在化環状η5−配位系配位子が、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基であることが更に好ましい。
【０００８】
本発明の他の側面では、下記式（Ｉ）で示される安息香酸エステル誘導体の製造方法であって、
【０００９】
【化７】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、ただし、Ｒ2及びＲ3は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ10飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ6）−で示される基（式中、Ｒ6は水素原子、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基又はハロゲン原子である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、Ｍは、周期表の第３族〜第５族又はランタニド系列の金属を示し、Ｌ1及びＬ2は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示し、ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよく、Ｘは、脱離基である。）、下記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体と、
【００１０】
【化８】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｍ、Ｌ1及びＬ2は、上記意味を有する。）、下記式（ＩＩＩ）で示されるエステルと
Ｘ−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ5 （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ5及びＸは、上記意味を有する。）を反応させることを特徴とする安息香酸エステル誘導体の製造方法が提供される。
【００１１】
本発明において、前記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5が、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基、又は置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基であり、前記Ｘが、ハロゲン原子であることが好ましい。
【００１２】
また、本発明において、前記Ｍが、周期表第４族又はランタニド系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子であることが好ましい。また、前記非局在化環状η5−配位系配位子が、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基であることが更に好ましい。
【００１３】
本発明の他の側面では、下記式（ＩＶ）で示される安息香酸エステル誘導体の製造方法であって、
【００１４】
【化９】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、ただし、Ｒ2及びＲ3は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ10飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ6）−で示される基（式中、Ｒ6は水素原子、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基又はハロゲン原子である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、Ｅは、求電子基である。）、下記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体と、
【００１５】
【化１０】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4は、上記意味を有する。Ｍは、周期表の第３族〜第５族又はランタニド系列の金属を示し、Ｌ1及びＬ2は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示す。ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよい。）、下記式（ＩＩＩ）で示されるエステルと
Ｘ−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ5 （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ5は、上記意味を有する。Ｘは、脱離基である。）を反応させ、反応混合物を得る工程と、次いで、前記反応混合物と、下記式（Ｖ）で示される求電子試薬とを反応させる工程と
Ｅ−Ｙ （Ｖ）
（式中、Ｅは、上記意味を有する。Ｙは、脱離基である。）を含むことを特徴とするエステル誘導体の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明において、前記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5が、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基、又は置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基であり、前記Ｘが、ハロゲン原子であることが好ましい。
【００１７】
また、本発明において、上記反応が、周期表第４〜１５族の金属化合物の存在下で行われることが好ましい。
【００１８】
また、本発明において、前記Ｍが、周期表第４族又はランタニド系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子であることが好ましい。また、前記非局在化環状η5−配位系配位子が、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基であることが更に好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の一側面では、下記式（Ｉ）で示されることを特徴とする安息香酸エステル誘導体が提供される。
【００２０】
【化１１】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｍ、Ｌ1、Ｌ2及びＸは、前記の意味を有する。）
【００２１】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基である。
【００２２】
本明細書では、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基は、飽和若しくは不飽和の非環式であってもよいし、飽和若しくは不飽和の環式であってもよい。Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基が非環式の場合には、線状でもよいし、枝分かれでもよい。Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基には、Ｃ1〜Ｃ40アルキル基、Ｃ2〜Ｃ40アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ40アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ40アリル基、Ｃ4〜Ｃ40アルキルジエニル基、Ｃ4〜Ｃ40ポリエニル基、Ｃ6〜Ｃ40アリール基、Ｃ6〜Ｃ40アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ40アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルケニル基、（Ｃ3〜Ｃ20シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ20アルキル基などが含まれる。
【００２３】
Ｃ1〜Ｃ40アルキル基、Ｃ2〜Ｃ40アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ40アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ40アリル基、Ｃ4〜Ｃ40アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ40ポリエニル基は、それぞれ、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ20ポリエニル基であることが好ましく、それぞれ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ2〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ10アリル基、Ｃ4〜Ｃ10アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ10ポリエニル基であることが更に好ましい。
【００２４】
Ｃ6〜Ｃ40アリール基、Ｃ6〜Ｃ40アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ40アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルケニル基、及び、（Ｃ3〜Ｃ20シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ20アルキル基は、それぞれ、Ｃ6〜Ｃ20アリール基、Ｃ6〜Ｃ20アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ20アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基、及び、（Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ10アルキル基が好ましく、それぞれ、Ｃ6〜Ｃ10アリール基、Ｃ6〜Ｃ12アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ12アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ10シクロアルキル基、及び、Ｃ4〜Ｃ10シクロアルケニル基が更に好ましい。
【００２５】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアルキル基の例には、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ドデカニル、トリフルオロメチル、ペルフルオロ−ｎ−ブチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ベンジル、２−フェノキシエチル等がある。
【００２６】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアリール基の例には、制限するわけではないが、フェニル、２−トリル、３−トリル、４−トリル、ナフチル、ビフェニル、４−フェノキシフェニル、４−フルオロフェニル、３−カルボメトキシフェニル、４−カルボメトキシフェニル等がある。
【００２７】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアルコキシ基の例には、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、２−メトキシエトキシ、ｔ−ブトキシ等がある。
【００２８】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアリールオキシ基の例には、制限するわけではないが、フェノキシ、ナフトキシ、フェニルフェノキシ、４−メチルフェノキシ、２−トリルオキシ、３−トリルオキシ、４−トリルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ、４−フェノキシフェニルオキシ、４−フルオロフェニルオキシ、３−カルボメトキシフェニルオキシ、４−カルボメトキシフェニルオキシ等がある。
【００２９】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアミノ基の例には、制限するわけではないが、アミノ、ジメチルアミノ、メチルアミノ、メチルフェニルアミノ、フェニルアミノ等がある。
【００３０】
本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいシリル基の例には、制限するわけではないが、トリメチルシリル、ジメチルフェニルシリル、メチルジフェニルシリル、トリフェニルシリル、ジメチルエチルシリル、メチルメトキシフェニルシリル、メチルエチルフェノキシシリル等が挙げられる。
【００３１】
Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ40アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40アリールオキシ基、アミノ基、シリル基には、置換基が導入されていてもよく、この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アミノ基、水酸基、シリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基などが挙げられる。
【００３２】
Ｒ2及びＲ3は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ10飽和又は不飽和環を形成してもよい。これらの置換基が形成する環は、４員環〜１０員環であることが好ましく、４員環〜６員環であることが更に好ましい。この環は、ベンゼン環等の芳香族環であってもよいし、脂肪族環であってもよい。
【００３３】
前記飽和または不飽和環は、酸素原子、硫黄原子または式―Ｎ（Ｒ6）―で示される基（式中、Ｒ6は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基又はハロゲン原子である。）で中断されていてもよい。即ち、前記飽和または不飽和環はヘテロ環であってもよい。
【００３４】
Ｒ6は、水素原子またはＣ1〜Ｃ20炭化水素基であることが好ましく、水素原子またはＣ1〜Ｃ14炭化水素基であることが更に好ましく、Ｒ6は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、ナフチルメチル基であることが更になお好ましい。
【００３５】
この飽和又は不飽和環は、置換基を有していてもよく、Ｃ1〜Ｃ40炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ40アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ40アリールオキシ基、アミン基、水酸基又はシリル基などの置換基が導入されていてもよい。
【００３６】
Ｍは、周期表の第３族〜第５族又はランタニド系列の金属を示す。Ｍとしては、周期表第４族又はランタニド系列の金属が好ましく、周期表第４族の金属、即ち、チタン、ジルコニウム及びハフニウムが更に好ましい。
【００３７】
Ｌ1及びＬ2は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示す。ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよい。前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基又はジアルキルアミド基であることが好ましい。
【００３８】
非局在化環状η5−配位系配位子の例は、無置換のシクロペンタジエニル基、及び置換シクロペンタジエニル基である。この置換シクロペンタジエニル基は例えば、メチルシクロペンタジエニル、エチルシクロペンタジエニル、イソプロピルシクロペンタジエニル、ｎ−ブチルシクロペンタジエニル、ｔ−ブチルシクロペンタジエニル、ジメチルシクロペンタジエニル、ジエチルシクロペンタジエニル、ジイソプロピルシクロペンタジエニル、ジ−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル、テトラメチルシクロペンタジエニル、インデニル基、２−メチルインデニル基、２−メチル−４−フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基、及びオクタヒドロフルオレニル基である。
【００３９】
非局在化環状η5−配位系配位子は、非局在化環状π系の１個以上の原子がヘテロ原子に置換されていてもよい。水素の他に、周期表第１４族の元素及び／又は周期表第１５、１６及び１７族の元素のような１個以上のヘテロ原子を含むことができる。
【００４０】
非局在化環状η5−配位系配位子、例えば、シクロペンタジエニル基は、中心金属と、環状であってもよい、一つの又は複数の架橋配位子により架橋されていてもよい。架橋配位子としては、例えば、ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2、ＣＨ（Ｃ4Ｈ9）Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＨ3）2、（ＣＨ3）2Ｓｉ、（ＣＨ3）2Ｇｅ、（ＣＨ3）2Ｓｎ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）（ＣＨ3）Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｇｅ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｎ、（ＣＨ2）4Ｓｉ、ＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）2、ｏ−Ｃ6Ｈ4又は２、２'−（Ｃ6Ｈ4）2が挙げられる。
【００４１】
２以上の非局在化環状η5−配位系配位子、例えば、シクロペンタジエニル基は、互いに、環状であってもよい、一つの又は複数の架橋基により架橋されていてもよい。架橋基としては、例えば、ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2、ＣＨ（Ｃ4Ｈ9）Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＨ3）2、（ＣＨ3）2Ｓｉ、（ＣＨ3）2Ｇｅ、（ＣＨ3）2Ｓｎ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）（ＣＨ3）Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｇｅ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｎ、（ＣＨ2）4Ｓｉ、ＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）2、ｏ−Ｃ6Ｈ4又は２、２'−（Ｃ6Ｈ4）2が挙げられる。
【００４２】
上記式（Ｉ）で示される安息香酸エステル誘導体は、二つ以上のメタラシクロペンテン部分 (moiety)を有する化合物も含む。このような化合物は多核メタロセンとして知られている。前記多核メタロセンは、いかなる置換様式及びいかなる架橋形態を有していてもよい。前記多核メタロセンの独立したメタロセン部分は、各々が同一種でも、異種でもよい。前記多核メタロセンの例は、例えばＥＰ−Ａ−６３２０６３、特開平４−８０２１４号、特開平４−８５３１０、ＥＰ−Ａ−６５４４７６に記載されている。
【００４３】
Ｘは、脱離基である。脱離基としては、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン原子、ｐ−トルエンスルホニル基、トシラート基（―Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）2−Ｃ6Ｈ4−ＣＨ3）、トリフルオロメタンスルホン酸エステル（トリフラート）、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基（好ましくは、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基であり、更に好ましくは、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基）、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基、トリ低級アルキルシリルオキシ基等が挙げられる。脱離基としては、Ｃｌ、Ｂｒ、トシラート基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、及びトリ低級アルキルシリルオキシ基が好ましい。
【００４４】
本発明の他の側面では、下記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体と、下記式（ＩＩＩ）で示されるエステルとを反応させることを特徴とする、下記式（Ｉ）で示される安息香酸エステル誘導体の製造方法が提供される。この反応式を下記に示す。
【００４５】
【化１２】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｍ、Ｌ1、Ｌ2、Ｒ5及びＸは、上記意味を有する。）
【００４６】
本発明の安息香酸エステル誘導体の製造方法において、下記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体が用いられる。
【００４７】
【化１３】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｍ、Ｌ1及びＬ2は、上記意味を有する。）
【００４８】
上記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体は、例えば、メタロセンジクロリドにフェニルリチウムを２当量反応させて加熱するか、又は、メタロセンモノアルキルモノクロリドにフェニルリチウムを１当量反応させて加熱することによって得られる。
【００４９】
なお、ベンザインとは、ベンゼンの隣り合った炭素から水素原子２個を除去され、炭素原子環が三重結合となったものをいう。
【００５０】
また、本発明の安息香酸エステル誘導体の製造方法において、下記式（ＩＩＩ）で示されるエステルが用いられる。
Ｘ−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ5 （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ5及びＸは、上記意味を有する。）
【００５１】
上記式（ＩＩＩ）で示されるエステルの量は、ベンザイン錯体（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、０．９モル〜３モルである。
【００５２】
例えば、反応機構としては、以下のスキームが提案される。まず、ベンザイン錯体と、エステルのカルボニル基とがカップリング反応をおこし、５員環のオキサメタラサイクルを形成する。続いて、Ｍ−Ｏ結合が開裂し、同時にＸが脱離して、o-メタラベンゾエートが生成される。なお、この反応機構は仮説に過ぎず、本発明はこの反応機構に限定されるものではない。
【００５３】
本発明の安息香酸エステル誘導体の製造方法において、典型的には、上記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体の溶液に、上記式（ＩＩＩ）で示されるエステルを添加し、攪拌する。
【００５４】
反応は、好ましくは−１００℃〜３００℃の温度範囲で行われ、特に好ましくは−８０℃〜１００℃の温度範囲、更に好ましくは０℃〜８０℃の温度範囲で行われる。圧力は、例えば、０．１バール〜２５００バールの範囲内で、好ましくは０．５バール〜１０バールの範囲内である。
【００５５】
溶媒としては、上記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体を溶解することができる溶媒が好ましい。溶媒は、脂肪族又は芳香族の有機溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒドロフラン又はジエチルエーテル；塩化メチレンのようなハロゲン化炭化水素；ｏ−ジクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族炭化水素；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が用いられる。
【００５６】
本発明の他の側面においては、下記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体と、下記式（ＩＩＩ）で示されるエステルとを反応させ、反応混合物を得る工程と、次いで、前記反応混合物と、下記式（Ｖ）で示される求電子試薬とを反応させる工程とを含むことを特徴とする、下記式（ＩＶ）で示される安息香酸エステル誘導体の製造方法が提供される。この反応式を下記に示す。
【００５７】
【化１４】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｍ、Ｌ1、Ｌ2、Ｅ、Ｘ及びＹは、上記意味を有する。）
【００５８】
本発明の安息香酸エステル誘導体において、下記式（Ｖ）で示される求電子試薬を用いる。
Ｅ−Ｙ （Ｖ）
（式中、Ｅは、求電子基であり、Ｙは、脱離基である。）
【００５９】
Ｅは、求電子基である。求電子基としては、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルキルカルボニル基、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アリールカルボニル基、シアノ基等を挙げることができる。
【００６０】
Ｙは、脱離基である。脱離基としては、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン原子、ｐ−トルエンスルホニル基、トシラート基（―Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）2−Ｃ6Ｈ4−ＣＨ3）、トリフルオロメタンスルホン酸エステル（トリフラート）、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、置換基を有していてもよいシリルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、下記式に示される基等を挙げることができる。
【００６１】
【化１５】
【００６２】
上記式（ＩＩＩ）で示されるエステルの量は、ベンザイン錯体（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、０．９モル〜３モルである。
【００６３】
上記式（Ｖ）で示される求電子試薬の量は、ベンザイン錯体（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、０．９モル〜３モルである。
【００６４】
本発明の安息香酸エステル誘導体の製造方法において、典型的には、上記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体の溶液に、上記式（ＩＩＩ）で示されるエステルを添加し、攪拌する。次いで、上記式（Ｖ）で示される求電子試薬を添加して攪拌する。
【００６５】
反応は、周期表第４〜１５族の金属化合物の存在下で行ってもよい。
【００６６】
金属化合物は、塩であっても、錯体であってもよく、銅イオン、ニッケルイオン、ビスマスイオン、パラジウムイオン、亜鉛イオン、クロムイオン、コバルトイオンを含む塩、又は、ニッケル錯体若しくはパラジウム錯体であることが好ましい。
【００６７】
塩の場合には、銅、ニッケル、ビスマス、パラジウム、亜鉛、クロム、コバルトと、塩酸、硫酸等の無機酸又はカルボン酸のような有機酸との塩であってもよい。金属化合物は、ＣｕＸ、ＮｉＸ2、ＰｄＸ2、ＺｎＸ２、ＣｒＸ２、ＣｒＸ３、ＣｏＸ２、若しくは、ＢｉＸ3（式中、Ｘは、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、シアノ基（−ＣＮ）又は水酸基を示す。）であることが好ましく、更に、ハロゲン化銅（Ｉ）、ハロゲン化パラジウム（ＩＩ）、ハロゲン化ビスマス（ＩＩＩ）、ハロゲン化亜鉛（ＩＩ）、ハロゲン化クロム（ＩＩ）、ハロゲン化クロム（ＩＩＩ）、ハロゲン化コバルト（ＩＩ）のような金属塩が好ましく、特に、CuClのようなハロゲン化銅（Ｉ）が好ましく用いられる。
【００６８】
ニッケル錯体及びパラジウム錯体である場合は、４配位又は６配位であることが好ましく、４配位子が更に好ましい。これらの錯体には、低級アルキルカルボニルオキシ基、ホスフィン、ホスファイト若しくはハロゲン原子の少なくとも一つが配位子として、それぞれ、ニッケル金属及びパラジウム金属に結合していることが好ましい。
【００６９】
ニッケル錯体は、たとえば、ＮｉＸ2Ｐ1Ｐ2（式中、Ｘは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子を示し、Ｐ1及びＰ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ホスフィン、ホスファイト又はアミンを示し、好ましくは、ホスフィン又はアミンを示し、更に好ましくはホスフィンを示す。ただし、Ｐ1及びＰ2は、互いに架橋していてもよい。）であってもよい。
【００７０】
ホスフィンは、ジフェニルホスフィンのようなジアリールホスフィン、トリフェニルホスフィンのようなトリアリールホスフィン、トリエチルホスフィンのようなトリアルキルホスフィン、アルキルジアリールホスフィン、ジアルキルアリールホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタンのようなα，ω−ビス（ジアリールホスフィノ）アルカン、Ｐ，Ｐ，Ｐ'，Ｐ'，Ｐ"，Ｐ"−ヘキサフェニル−トリスエチレンテトラホスフィンのようなＰ，Ｐ，Ｐ'，Ｐ'，Ｐ"，Ｐ"−六置換−トリスアルキレンテトラホスフィン等であってもよい。ホスファイトは、ホスフィンと同様である。
【００７１】
アミンは、配位子としては、ピリジン、ビピリジン、キノリン等の芳香族アミンであってもよいし、エチレンジアミンのようなアルキレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラアルキルエチレンジアミンのようなＮ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−四置換アルキレンジアミン、トリスエチレンジアミンのようなトリスアルキレンジアミン等の脂肪族アミンであってもよい。
【００７２】
ニッケル錯体としては、たとえば、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロニッケル、ジクロロ（２，２'−ビピリジン）ニッケルが挙げられる。ＮｉＸ2Ｐ1Ｐ2で示されるニッケル錯体は、ＮｉＸ2で示されるニッケル塩と比べて、有機溶媒中での溶解度が向上するので、用途によっては、好ましい。たとえば、ＮｉＸ2で示されるニッケル塩を反応系が含まれている溶媒に添加し、所望により、更にホスフィンを溶媒に添加して in situで、ニッケルホスフィン錯体を形成してもよい。
【００７３】
パラジウム錯体は、Ｐｄ（Ｑ1）（Ｑ2）（Ｑ3）（Ｑ4）（式中、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3及びＱ4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ホスフィン、ホスファイト、Ｃ1−Ｃ20アシル基、ハロゲン原子を含む置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子を含む置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アリールカルボニルオキシ基、ニトリル、又は、ハロゲン原子を示し、好ましくは、ホスフィン、ホスファイト、Ｃ1−Ｃ20アシル基、アミン、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を示し、ただし、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3及びＱ4の任意の２つ、３つ及び４つが、互いに架橋していてもよい。）であってもよい。ホスフィン、ホスファイト又はアミンについては、上述の通りである。パラジウム錯体としては、たとえば、Ｐｄ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ）4（式中、Ｒはアルキル基又はアリール基であり、互いに架橋していてもよい。）、［ＰｄＸ4］2-（Ｘはハロゲン原子である。）、テトラキス（トリアリールホスフィン）、PdCl2(2,2'-ビピリジン)等が挙げられる。
【００７４】
反応は、好ましくは−１００℃〜３００℃の温度範囲で行われ、特に好ましくは−８０℃〜１００℃の温度範囲、更に好ましくは−８０℃〜８０℃の温度範囲で行われる。圧力は、例えば、０．１バール〜２５００バールの範囲内で、好ましくは０．５バール〜１０バールの範囲内である。
【００７５】
溶媒としては、上記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体を溶解することができる溶媒が好ましい。溶媒は、脂肪族又は芳香族の有機溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒドロフラン又はジエチルエーテル；塩化メチレンのようなハロゲン化炭化水素；ｏ−ジクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族炭化水素；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が用いられる。
【００７６】
本発明の一側面で用いるベンザイン錯体の原料として、例えば、メタロセンジクロリド、β位の水素を持たないメタロセンモノアルキルモノクロリドを用いることができる。
【００７７】
メタロセンジクロリドとしては、例えば、ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；ビス（フルオレニル）ジクロロジルコニウム；（インデニル）（フルオレニル）ジクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロチタン；（ジメチルシランジイル）ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（テトラヒドロインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）（インデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジクロロジルコニウム等を挙げることができる。
【００７８】
また、β位の水素を持たないメタロセンモノアルキルモノクロリドとしては、例えば、ビス（インデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；ビス（フルオレニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（インデニル）（フルオレニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）モノメチルモノクロロチタン；（ジメチルシランジイル）ビス（インデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（テトラヒドロインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）（インデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチルインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチルインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）モノメチルモノクロロジルコニウム等を挙げることができる。
【００７９】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。ただし、本発明は、下記の実施例に制限されるものではない。
【００８０】
すべての反応は、窒素雰囲気下のもとで行われた。溶媒として用いたTHF、ベンゼンは窒素気流下、ナトリウム金属、ベンゾフェノンで蒸留して無水とした。ジルコノセンジクロリドは日亜化学工業から購入したものを用いた。ブチルリチウム及びフェニルリチウムは、関東化学から購入したものを用いた。その他の試薬は、アルドリッチ（Aldrich Chemical Company, Inc）から購入したものを用いた。
【００８１】
1H-NMRおよび13C-NMRスペクトルは、２５℃にて重水素化クロロホルム溶液（ＴＭＳ１％含有）を内部標準として、Bruker ARX-400を用いて測定した。ガスクロマトグラフ分析は、シリカガラスキャピラリカラムSHIMADZU CBP1-M25-O25 及び SHIMADZU C-R6A-Chromatopac integrator を備えたSHIMADZU GC-14A ガスクロマトグラフで測定した。
【００８２】
参考例１
【００８３】
ジルコノセン(イソブチル)クロライドの形成
365 mg(1.25 mmol) のCp2ZrCl2 5 mL THF溶液に、1.25当量のt-BuLi (1.25 mmol, 1.51 M, 0.83 mL)を-78℃にて加え、15分攪拌し、室温まで昇温させた。室温にて1時間攪拌した後、溶液を再度-78℃まで冷却し、直ちに使用した。
【００８４】
実施例１
【００８５】
【化１６】
【００８６】
Cp2ZrCl2 292 mg (1 mmol)の5 mLベンゼン溶液に、2当量のPhLi (2 mmol, 0.88 M, 2.27 mL)を0℃にて加え、１時間攪拌した。室温まで昇温させ、３時間攪拌した。これに、2当量のクロロギ酸エチル (190 μL, 2.0 mmol)を加え、１８時間、75℃にて攪拌した。
【００８７】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 1.05 (t, J = 7.1Hz, 3H), 4.23 (q, J = 7.1Hz, 2H), 5.97(s, 10H), 7.03-7.78(m, 4H). 13C-NMR (CDCl3, Me4Si): 14.47, 65.26, 112.33, 124.27, 127.66, 132.53, 133.24, 140.99, 179.68, 200.74。
【００８８】
o-ジルコナベンゾエートがNMRスペクトロスコピーによって確認された。1H-NMRスペクトルにて、Cpシグナルが5.97 ppmで、CH3及びCH2基及びベンゼン環の4つの水素が、それぞれ、1.05 ppm, 4.23 ppm及び 7.03-7.78 ppmで見られた。13C-NMRにて、Cp、CH3、CH2及びカルボニル炭素が、それぞれ、112.33、14.47、65.26及び179.68 ppmで見られた。
【００８９】
実施例２
【００９０】
【化１７】
【００９１】
実施例１で得られた混合物に2.0mmol I2を加えて、室温にて１時間かけて反応を終了させた。無色液体、ＧＣ収率 50%、単離収率37%。
【００９２】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 1.41 (t, J = 7.1Hz, 3H), 4.39 (q, J = 5.3Hz, 2H), 7.13-7.98(m, 4H). 13C-NMR (CDCl3, Me4Si): 14.11, 61.57, 93.87, 127.76, 130.69, 132.37, 135.33, 141.08, 166.45. 高分解能質量分析計 計算値 C9H9O2I: 275.9647, 実測値: 275.9656。
【００９３】
実施例３
【００９４】
【化１８】
【００９５】
実施例１で得られた混合物に、2.0mmolのNBS(N-ブロモスクシンイミド)を加えて室温にて反応を終了させ、３時間保持した。混合物は、3N HClを加えて反応を終了させた。通常の処理を行い、カラムクロマトグラフィで精製した。無色液体、ＧＣ収率68%、単離収率49%。
【００９６】
1H-NMR ( CDCl3, Me4Si ): 1.40 (t, J = 7.1Hz, 3H), 4.4 (q, J = 5.3Hz, 2H), 7.30-7.78 (m, 4H). 13C-NMR (CDCl3, Me4Si): 14.06, 61.48, 121.36, 127.00, 130.01, 132.26, 132.39, 134.10, 166.08. 元素分析 計算値 C9H9O2Br: C, 47.19; H, 3.96; Br, 34.88 . 実測値: C,47.40; H, 4.04; Br, 34.86。
【００９７】
実施例４
【００９８】
【化１９】
【００９９】
実施例１で得た混合物に、1.2 mmolヨードベンゼン、1.2 mmol CuCl及び0.05mol Pd(PPh3)4.を加え、混合物を6時間50℃にて攪拌し、3N HClを加えて反応を終了させた。淡黄色液体、ＧＣ収率47%、単離収率41%。
【０１００】
1H-NMR ( CDCl3, Me4Si ):0.97 (t, J = 7.1Hz, 3H), 4.07 (q, J = 5.3Hz, 2H), 7.29-7.83 (m, 4H). 13C-NMR ( CDCl3, Me4Si): 133.53, 60.79, 127.03, 127.05, 127.88, 128.27, 129.60, 130.48, 131.00, 131.22, 141.40, 142.28, 168.73. 元素分析 計算値 C15H14O2: C, 79.62; H, 6.24 . 実測値: C,79.59; H, 6.20。
【０１０１】
実施例５
【０１０２】
【化２０】
【０１０３】
実施例１で得られた混合物に、1.2 mmol塩化ベンゾイル、1.2 mmol CuClを加え、室温にて６時間攪拌し、3N HClを加えて反応を終了させた。白色固体、ＧＣ収率60%、単離収率52%。
【０１０４】
1H-NMR ( CDCl3, Me4Si ):1.05 ( t, J = 7.1Hz, 3H), 4.07 (q, J = 5.3Hz, 2H), 7.38-8.07 (m, 4H). 13C-NMR (CDCl3, Me4Si ): 13.47, 61.35, 115.20, 127.51, 128.35, 129.22, 129.43, 129.97, 132.23, 132.98, 137.02, 141.41, 165.76, 196.87. 元素分析 計算値 C16H14O3: C, 75.57; H, 5.55 . 実測値: C,75.36; H, 5.70。
【０１０５】
実施例６
【０１０６】
【化２１】
【０１０７】
実施例１で得られた混合物に、2.0 mmolの3-クロロ-1-プロペン及び2.0 mmolのCuClを室温にて加え、混合物を３時間５０℃にて攪拌し、3N HClを加えて反応を終了させた。無色液体、ＧＣ収率63%、単離収率54%。
【０１０８】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 1.37 (t, J = 7.1Hz, 3H), 3.74-3.76 (m, 2H), 4.34 (q, J = 7.2Hz, 2H), 4.97-5.05 (m, 2H), 5.96-6.05 (m, H), 7.24-7.88 (m, 4H). 13C-NMR (CDCl3, Me4Si): 14.29, 38.40, 60.82, 115.53, 126.16, 130.17, 130.52, 130.90, 131.89, 137.48, 141.39, 167.65. 高分解能質量分析計 計算値 C12H14O2: 190.0994, 実測値: 190.0999。
【０１０９】
実施例１〜６の反応機構を以下に示す。
【０１１０】
【化２２】
【０１１１】
実施例７
【０１１２】
【化２３】
【０１１３】
窒素下で、25 mLシュレンクフラスコに、THF(5 mL)及び2-ブロモアニソール (124.5 mL, 1.0 mmol)を加えた。-78℃まで冷却した後、得られた溶液をn-ブチルリチウム (0.63 mL, 1.0 mmol)で処理し、1時間攪拌した。次いで、得られた溶液を、カニューラーを用いて、参考例１で合成されたジルコノセン(イソブチル)クロライドに、-78℃で加えた。温度を、-50℃まで昇温させ、クロロギ酸エチル (190 μL, 2.0 mmol) を添加する前に、溶液を、1時間攪拌した。溶液混合物は、室温まで昇温させ、70℃で18時間加熱した。混合物は、3N HClで反応を終了させ、酢酸エチルによって、有機相を抽出した。ＧＣ収率 76%。無色液体、単離収率62%。
【０１１４】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 1.38 (t, J = 7.2Hz, 3H), 3.83 (s, 3H), 4.47(q, J = 7.2Hz, 2H), 7.06-7.64 (m, 4H). 13C-NMR( CDCl3, Me4Si): 14.20, 55.27, 60.90, 113.96, 119.15, 121.82, 129.21, 131.74, 159.46, 166.35. 元素分析計算値 C10H12O3: C, 66.65; H, 6.71 . 実測値: C, 66.45; H, 6.84。
【０１１５】
実施例８
【０１１６】
【化２４】
【０１１７】
実施例７で得られた混合物に、2.0 mmolのI2を室温にて加え、３時間で反応を終了させた。無色液体、ＧＣ収率60%、単離収率51%。
【０１１８】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 1.40 (t, J = 7.1Hz, 3H), 3.86 (s, 3H), 4.38 (q, J = 7.2Hz, 2H), 6.86-7.32 (m, 3H). 13C-NMR ( CDCl3, Me4Si): 14.3, 56.62, 61.61, 86.20, 112.70, 121.94, 129.15, 139.07, 158.36, 167.46. 高分解能質量分析計 計算値 C10H11O3I: 305.9753, 実測値: 305.9762。
【０１１９】
実施例９
【０１２０】
【化２５】
【０１２１】
実施例７で得られた反応混合物に、2.0 mmol 3-クロロ-1-プロペン及び2.0 mmol CuClを、室温にて加え、混合物は、3時間、50℃にて攪拌し、3N HClを加えて反応を終了させた。無色液体、ＧＣ収率 70%、単離収率52%。
【０１２２】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 1.36(t, J = 7.1Hz, 3H), 3.72-3.75 (m, 2H), 3.81 (s, 3H), 4.33 (q, J = 7.1Hz, 2H), 4.94-5.0 (m, 2H), 5.94-5.99 (m, 1H), 6.96-7.40 (m, 3H). 13C-NMR(CDCl3, Me4Si): 14.14, 30.33, 55.76, 60.79, 113.56, 114.50, 121.94, 126.70, 129.41, 131.98, 136.85, 157,75, 167.85. 高分解能質量分析計 計算値 C13H16O3: 220.1099, 実測値: 220.1092。
【０１２３】
実施例１０
【０１２４】
【化２６】
【０１２５】
実施例７と同様の手順で行った。但し、クロロギ酸エチルの代わりに、クロロギ酸ブチルを用いた。無色液体、ＧＣ収率75%、単離収率68%。
【０１２６】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 0.98 (t, J = 7.2Hz, 3H), 1.43-1.51 (m, 2H), 1.72-1.77 (m, 2H), 3.83 (s, 3H), 4.32 (t, J = 6.6Hz, 2H), 7.06-7.64 (m, 4H). 13C-NMR( CDCl3, Me4Si): 13.64, 19.17, 30.67, 55.26, 64.79, 114.01, 119.06, 121.80, 129.22, 131.76, 159.45, 166.41. 高分解能質量分析計 計算値 C12H16O3: 208.1099, 実測値: 208.1097。
【０１２７】
実施例１１
【０１２８】
【化２７】
【０１２９】
実施例８と同様の手順で行った。但し、実施例７で得られた混合物の代わりに、実施例１０で得られた混合物を用いた。無色液体、ＧＣ収率64%、単離収率52%。
【０１３０】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 0.97 (t, J = 7.2Hz, 3H), 1.46-1.49 (m, 2H), 1.73-1.78 (m, 2H), 3.89 (s, 3H), 4.34 (t, J = 6.6Hz, 2H), 6.88-7.32 (m, 3H). 13C-NMR(CDCl3, Me4Si): 13.61, 19.15, 30.48, 56.68, 65.51, 86.28, 112.74, 122.02, 129.18, 139.28, 158.48, 167.62. 高分解能質量分析計 計算値 C12H15O3I: 334.0066, 実測値: 334.0073。
【０１３１】
実施例１２
【０１３２】
【化２８】
【０１３３】
実施例９と同様の手順で行った。但し、実施例７で得られた反応混合物の代わりに実施例１０で得られた混合物を用いた。無色液体、ＧＣ収率74%、単離収率70%。
【０１３４】
1H-NMR (CDCl3, Me4Si): 0.96(t, J = 7.4Hz, 3H), 1.43-1.50 (m, 2H), 1.69-1.76 (m, 2H), 3.73-3.75 (m,2H), 3.82 (s, 3H), 4.28 (t, J = 5.0Hz, 2H), 4.94-5.0 (m, 2H), 5.95-6.02 (m, H), 6.98-7.41 (m, 3H). 13C-NMR(CDCl3, Me4Si): 13.65, 19.21, 30.35, 30.63, 55.80, 64.77, 113.58, 114.52, 121.99, 126.72, 129.48, 132.02, 136.88, 157.78, 167.96. 高分解能質量分析計 計算値 C15H20O3: 248.1412, 実測値: 248.1406。
【０１３５】
実施例７〜１２の反応機構を以下に示す。
【０１３６】
【化２９】
【０１３７】
【発明の効果】
本発明により、様々な安息香酸エステル誘導体を選択的に得ることができる。
Claims (13)
- 下記式（Ｉ）で示されることを特徴とする安息香酸エステル誘導体。
- 前記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5が、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基、又は置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基であり、前記Ｘが、ハロゲン原子である請求項１に記載の安息香酸エステル誘導体。
- 前記Ｍが、周期表第４族又はランタニド系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子である請求項１又は２に記載の安息香酸エステル誘導体。
- 前記非局在化環状η5−配位系配位子が、シクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、イソプロピルシクロペンタジエニル基、ｎ−ブチルシクロペンタジエニル基、ｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、ジエチルシクロペンタジエニル基、ジイソプロピルシクロペンタジエニル基、ジ−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、インデニル基、２−メチルインデニル基、２−メチル−４−フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基及びオクタヒドロフルオレニル基からなる群から選ばれる請求項３に記載の安息香酸エステル誘導体。
- 下記式（Ｉ）で示される安息香酸エステル誘導体の製造方法であって、
下記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体と、
下記式（ＩＩＩ）で示されるエステルと
Ｘ−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ5 （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ5及びＸは、上記意味を有する。）
を反応させることを特徴とする安息香酸エステル誘導体の製造方法。 - 前記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5が、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基、又は置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基であり、前記Ｘが、ハロゲン原子である請求項５に記載の安息香酸エステル誘導体の製造方法。
- 前記Ｍが、周期表第４族又はランタニド系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子である請求項５又は６に記載の安息香酸エステル誘導体の製造方法。
- 前記非局在化環状η5−配位系配位子が、シクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、イソプロピルシクロペンタジエニル基、ｎ−ブチルシクロペンタジエニル基、ｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、ジエチルシクロペンタジエニル基、ジイソプロピルシクロペンタジエニル基、ジ−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、インデニル基、２−メチルインデニル基、２−メチル−４−フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基及びオクタヒドロフルオレニル基からなる群から選ばれる請求項７に記載の安息香酸エステル誘導体の製造方法。
- 下記式（ＩＶ）で示される安息香酸エステル誘導体の製造方法であって、
Ｅは、ハロゲン原子；Ｃ 1 〜Ｃ20炭化水素基；Ｃ1〜Ｃ20アルコキシカルボニル基；Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基；Ｃ1〜Ｃ20アルキルカルボニル基；Ｃ6〜Ｃ20アリールカルボニル基又はシアノ基である。）
下記式（ＩＩ）で示されるベンザイン錯体と、
下記式（ＩＩＩ）で示されるエステルと
Ｘ−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ5 （ＩＩＩ）
（式中、Ｒ5は、上記意味を有する。Ｘは、脱離基である。）
を反応させ、反応混合物を得る工程と、次いで、前記反応混合物と、下記式（Ｖ）で示される求電子試薬とを反応させる工程と
Ｅ−Ｙ （Ｖ）
（式中、Ｅは、上記意味を有する。Ｙは、脱離基である。）
を含むことを特徴とするエステル誘導体の製造方法。 - 前記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5が、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40炭化水素基、又は置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基であり、前記Ｘが、ハロゲン原子である請求項９に記載の安息香酸エステル誘導体の製造方法。
- 上記反応が、周期表第４〜１５族の金属化合物の存在下で行われる請求項９又は１０に記載の安息香酸エステル誘導体の製造方法。
- 前記Ｍが、周期表第４族又はランタニド系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子である請求項９〜１１の何れかに記載の安息香酸エステル誘導体の製造方法。
- 前記非局在化環状η5−配位系配位子が、シクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、イソプロピルシクロペンタジエニル基、ｎ−ブチルシクロペンタジエニル基、ｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、ジエチルシクロペンタジエニル基、ジイソプロピルシクロペンタジエニル基、ジ−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、インデニル基、２−メチルインデニル基、２−メチル−４−フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基及びオクタヒドロフルオレニル基からなる群から選ばれる請求項１２に記載の安息香酸エステル誘導体の製造方法。
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