JP4440453B2 - ジヒドロピリドン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
ジヒドロピリドン誘導体及びその製造方法 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ジヒドロピリドン誘導体及びその製造方法に関し、特にハロゲン化された５，６−ジヒドロピリド−２−オン誘導体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
ジヒドロピリドン誘導体は、医薬、農薬、ファインケミカル等で幅広く用いられいる中間体である。そして、これらの用途では、ピリドン環に様々な置換基を導入することが求められている。
【０００３】
従来、ピリドン環に置換基を導入する際には、置換基による配向性の相違を利用して、目標化合物ごとに最適な合成スキームを検討していた。たとえば、オルト、パラ配向性、又は、メタ配向性という置換基に依存する配向性の相違を考慮し、二置換ジヒドロピリドン、三置換ジヒドロピリドン等を合成していた。
【０００４】
しかし、このような伝統的な有機合成の手法では、ピリドン環に導入する置換基が多くなればなるほど、合成経路が長くなり、収率が低下した。
【０００５】
従って、多置換５，６−ジヒドロピリド−２−オン誘導体を選択的、かつ、高収率で得ることが所望された。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明では、下記式（Ｉ）で示されるジヒドロピリドン誘導体を製造する方法であって、
【０００７】
【化６】
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基、又は水酸基であり、ただし、Ｒ1及びＲ2は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ20飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ4）−で示される基（式中、Ｒ4は水素原子又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルアリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルオキシカルボニル基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；ニトロ基（−ＮＯ2）；イソシアノ基（−ＮＣ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ、式中、Ｂはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアナト基（−ＮＣＯ）、チオシアナト基（−ＳＣＮ）又はイソチオシアナト基（−ＮＣＳ）であり、Ｙは、ハロゲン原子である。）下記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンと、
【０００８】
【化７】
（式中、Ｒ1及びＲ2は、上記の意味を有する。Ｍは、周期表の第３族〜第５族またはランタニド系列の金属を示し；Ｌ1及びＬ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、アニオン性配位子を示し、ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよい。）下記式（ＩＩＩ）で示されるイソシアネートとを反応させ、反応混合物を得る工程と、
【０００９】
【化８】
（式中、Ｒ3は、上記の意味を有する。）周期表第４〜１５族の金属を含む金属化合物の存在下、前記反応混合物と、下記式（ＩＶ）で示されるアリル誘導体と、
【００１０】
【化９】
（式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5は、上記の意味を有する。Ｅは、脱離基である。）下記式（Ｖ）で示されるハロゲンとを
【００１１】
Ｙ2 （Ｖ）
（式中、Ｙは、上記の意味を有する。）反応させる工程とを含むことを特徴とするジヒドロピリドン誘導体の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体の製造方法において、前記金属化合物が、銅イオン、ニッケルイオン、ビスマスイオン、パラジウムイオンを含む塩、又は、ニッケル錯体若しくはパラジウム錯体であって、前記ニッケル錯体及び前記パラジウム錯体には、低級アルキルカルボニルオキシ基、ホスフィン、ホスファイト若しくはハロゲン原子の少なくとも一つが配位子として、それぞれ、ニッケル金属及びパラジウム金属に結合していることが好ましい。
【００１３】
また、前記金属化合物が、ＣｕＸ、ＮｉＸ2、若しくは、ＢｉＸ3（式中、Ｘは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子、シアノ基（−ＣＮ）又は水酸基を示す。）、又は、ＮｉＸ2Ｐ1Ｐ2（式中、Ｘは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子を示し、Ｐ1及びＰ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ホスフィン配位子を示し、ただし、Ｐ1及びＰ2は、互いに架橋していてもよい。）、若しくは、Ｐｄ（Ｑ1）（Ｑ2）（Ｑ3）（Ｑ4）（式中、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3及びＱ4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ホスフィン、ホスファイト、Ｃ1−Ｃ40アシル基、又は、ハロゲン原子を示し、ただし、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3及びＱ4の任意の２つ、３つ及び４つが、互いに架橋していてもよい。）であってもよい。
【００１４】
また、本発明において、Ｍが、周期表第４族もしくは第５族またはランタニド系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子であることが好ましい。また、前記非局在化環状η5−配位系配位子が、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基であることが更に好ましい。
【００１５】
また、本発明において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、Ｃ4〜Ｃ20ポリエニル基、Ｃ6〜Ｃ20アリール基、Ｃ6〜Ｃ20アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ20アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基、又は、（Ｃ5〜Ｃ10シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ10アルキル基であることが好ましい。ただし、Ｒ1及びＲ2は、互いに架橋して、酸素原子で中断されていてもよいＣ4〜Ｃ20飽和又は不飽和環を形成してもよい。
【００１６】
また、本発明では、下記式（Ｉ）で示されるジヒドロピリドン誘導体が提供される。
【００１７】
【化１０】
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基又は水酸基であり、ただし、Ｒ1及びＲ2は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ20飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ4）−で示される基（式中、Ｒ4は水素原子又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルアリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルオキシカルボニル基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；ニトロ基（−ＮＯ2）；イソシアノ基（−ＮＣ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ、式中、Ｂはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアナト基（−ＮＣＯ）、チオシアナト基（−ＳＣＮ）又はイソチオシアナト基（−ＮＣＳ）であり、Ｙは、ハロゲン原子である。）
【００１８】
本発明において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、Ｃ4〜Ｃ20ポリエニル基、Ｃ6〜Ｃ20アリール基、Ｃ6〜Ｃ20アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ20アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基、又は、（Ｃ5〜Ｃ10シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ10アルキル基であることが好ましい。ただし、Ｒ1及びＲ2は、互いに架橋して、酸素原子で中断されていてもよいＣ4〜Ｃ20飽和又は不飽和環を形成してもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明では、下記式（Ｉ）で示されるジヒドロピリドン誘導体が提供される。
【００２０】
【化１１】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4、Ａ5及びＹは、上記の意味を有する。）
【００２１】
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基又は水酸基である。
【００２２】
本明細書では、Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基は、飽和若しくは不飽和の非環式であってもよいし、飽和若しくは不飽和の環式であってもよい。Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基が非環式の場合には、線状でもよいし、枝分かれでもよい。Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基には、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、Ｃ4〜Ｃ20ポリエニル基、Ｃ6〜Ｃ18アリール基、Ｃ6〜Ｃ20アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ20アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基、（Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ10アルキル基などが含まれる。
【００２３】
Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ20ポリエニル基は、それぞれ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ2〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ10アリル基、Ｃ4〜Ｃ10アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ1 0ポリエニル基であることが好ましい。
【００２４】
Ｃ6〜Ｃ18アリール基、Ｃ6〜Ｃ20アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ20アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、及び、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基は、それぞれ、Ｃ6〜Ｃ10アリール基、Ｃ6〜Ｃ12アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ12アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ10シクロアルキル基、及び、Ｃ4〜Ｃ10シクロアルケニル基が好ましい。
【００２５】
本発明の実施において有用なアルキル基の例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ドデカニル、トリフルオロメチル、ペルフルオロ−ｎ−ブチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ベンジル、２−フェノキシエチル等がある。
【００２６】
本発明の実施において有用なアリール基の例としては、制限するわけではないが、フェニル、２−トリル、３−トリル、４−トリル、ナフチル、ビフェニル、４−フェノキシフェニル、４−フルオロフェニル、３−カルボメトキシフェニル、４−カルボメトキシフェニル等がある。
【００２７】
本発明の実施において有用なアルコキシ基の例としては、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、２−メトキシエトキシ、ｔ−ブトキシ等がある。
【００２８】
本発明の実施において有用なアリールオキシ基の例としては、制限するわけではないが、フェノキシ、ナフトキシ、フェニルフェノキシ、４−メチルフェノキシ、２−トリルオキシ、３−トリルオキシ、４−トリルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ、４−フェノキシフェニルオキシ、４−フルオロフェニルオキシ、３−カルボメトキシフェニルオキシ、４−カルボメトキシフェニルオキシ等がある。
【００２９】
Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基、アミノ基、シリル基には、置換基が導入されていてもよく、この置換基としては、例えば、Ｃ1〜Ｃ10炭化水素基、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基などが挙げられる。
【００３０】
本発明の実施において有用なアミノ基の例としては、制限するわけではないが、アミノ、ジメチルアミノ、メチルアミノ、メチルフェニルアミノ、フェニルアミノ等がある。
【００３１】
本発明の実施において有用なシリル基としては、制限するわけではないが、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、ジフェニルメチルシリル、トリフェニルシリル、トリフェノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフェノキシシリル、メチルメトキシフェニル等がある。
【００３２】
ただし、Ｒ1及びＲ2は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ20飽和環又は不飽和環を形成してもよい。これらの置換基が形成する環は、４員環〜１６員環であることが好ましく、４員環〜１２員環であることが更に好ましい。この環は、ベンゼン環等の芳香族環あってもよいし、脂肪族環であってもよい。また、これらの置換基が形成する環に、更に単数又は複数の環が形成されていてもよい。
【００３３】
前記飽和環または不飽和環は、酸素原子、硫黄原子または式―Ｎ（Ｒ4）―で示される基（式中、Ｒ4は水素原子またはＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）で中断されていてもよい。即ち、前記飽和環または不飽和環はヘテロ環であってもよい。かつ、置換基を有していてもよい。不飽和環は、ベンゼン環等の芳香族環であってもよい。
【００３４】
Ｒ4は水素原子またはＣ1〜Ｃ10炭化水素基であることが好ましく、水素原子またはＣ1〜Ｃ7炭化水素基であることが更に好ましく、Ｒ4は水素原子、Ｃ1〜Ｃ3アルキル基、フェニル基またはベンジル基であることが更になお好ましい。
【００３５】
この飽和環又は不飽和環は、置換基を有していてもよく、たとえば、Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基、アミノ基、水酸基又は式シリル基などの置換基が導入されていてもよい。
【００３６】
Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルアリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルオキシカルボニル基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；ニトロ基（−ＮＯ2）；イソシアノ基（−ＮＣ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ、式中、Ｂはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアナト基（−ＮＣＯ）、チオシアナト基（−ＳＣＮ）又はイソチオシアナト基（−ＮＣＳ）である。
【００３７】
本発明の実施において有用なアルキルオキシカルボニル基の例としては、制限するわけではないが、メチルオキシカルボニル、エチルオキシカルボニル、プロピルオキシカルボニル、ｎ−ブチルオキシカルボニル、ｔ−ブチルオキシカルボニル、ドデカニルオキシカルボニル、トリフルオロメチルオキシカルボニル、ペルフルオロ−ｎ−ブチルオキシカルボニル、２，２，２−トリフルオロエチルオキシカルボニル等がある。
【００３８】
本発明の実施において有用なアリールオキシカルボニル基の例としては、制限するわけではないが、フェニルオキシカルボニル、２−トリルオキシカルボニル、３−トリルオキシカルボニル、４−トリルオキシカルボニル、ナフチルオキシカルボニル、ビフェニルオキシカルボニル、４−フェノキシフェニルオキシカルボニル、４−フルオロフェニルオキシカルボニル、３−カルボメトキシフェニルオキシカルボニル等がある。
【００３９】
Ｙは、ハロゲン原子である。ハロゲン原子としては、Ｂｒ、Ｉ、Ｃｌ等を挙げることができ、Ｉを好ましく挙げることができる。
【００４０】
本発明では、また、下記式（Ｉ）で示されるジヒドロピリドン誘導体を製造する方法であって、下記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンと、下記式（ＩＩＩ）で示されるイソシアネートとを反応させ、反応混合物を得る工程と、周期表第４〜１５族の金属を含む金属化合物の存在下、前記反応混合物と、下記式（ＩＶ）で示されるアリル誘導体と、下記式（Ｖ）で示されるハロゲンとを反応させる工程とを含むことを特徴とするジヒドロピリドン誘導体の製造方法が提供される。
【００４１】
【化１２】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｍ、Ｌ1，Ｌ2、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4，Ａ5、Ｅ及びＹは、上記の意味を有する。）
【００４２】
本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体の製造方法において、下記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンが用いられる。
【００４３】
【化１３】
（式中、Ｒ1及びＲ2は、上記の意味を有する。）
【００４４】
Ｍは、周期表の第３族〜第５族又はランタニド系列の金属を示す。Ｍとしては、周期表第４族又はランタニド系列の金属が好ましく、周期表第４族の金属、即ち、チタン、ジルコニウム及びハフニウムが更に好ましい。
【００４５】
Ｌ1及びＬ2は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示す。ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよい。前記アニオン性配位子は、非局在化環状η5−配位系配位子、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基又はジアルキルアミド基であることが好ましい。
【００４６】
Ｌ1及びＬ2は、非局在化環状η5−配位系配位子であることが好ましい。非局在化環状η5−配位系配位子の例は、無置換のシクロペンタジエニル基、及び置換シクロペンタジエニル基である。この置換シクロペンタジエニル基は例えば、メチルシクロペンタジエニル、エチルシクロペンタジエニル、イソプロピルシクロペンタジエニル、ｎ−ブチルシクロペンタジエニル、ｔ−ブチルシクロペンタジエニル、ジメチルシクロペンタジエニル、ジエチルシクロペンタジエニル、ジイソプロピルシクロペンタジエニル、ジ−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル、テトラメチルシクロペンタジエニル、インデニル基、２−メチルインデニル基、２−メチル−４−フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基、オクタヒドロフルオレニル基及びアズレニル基である。
【００４７】
非局在化環状η5−配位系配位子は、非局在化環状π系の１個以上の原子がヘテロ原子に置換されていてもよい。水素の他に、周期表第１４族の元素及び／又は周期表第１５、１６及び１７族の元素のような１個以上のヘテロ原子を含むことができる。
【００４８】
非局在化環状η5−配位系配位子、例えば、シクロペンタジエニル基は、中心金属と、環状であってもよい、一つの又は複数の架橋配位子により架橋されていてもよい。架橋配位子としては、例えば、ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2、ＣＨ（Ｃ4Ｈ9）Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＨ3）2、（ＣＨ3）2Ｓｉ、（ＣＨ3）2Ｇｅ、（ＣＨ3）2Ｓｎ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）（ＣＨ3）Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｇｅ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｎ、（ＣＨ2）4Ｓｉ、ＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）2、ｏ−Ｃ6Ｈ4又は２、２'−（Ｃ6Ｈ4）2が挙げられる。
【００４９】
上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンは、二つ以上のメタロセン部分 (moiety)を有する化合物も含む。このような化合物は多核メタロセンとして知られている。前記多核メタロセンは、いかなる置換様式及びいかなる架橋形態を有していてもよい。前記多核メタロセンの独立したメタロセン部分は、各々が同一種でも、異種でもよい。前記多核メタロセンの例は、例えばＥＰ−Ａ−６３２０６３、特開平４−８０２１４号、特開平４−８５３１０、ＥＰ−Ａ−６５４４７６に記載されている。
【００５０】
本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体の製造方法において、下記式（ＩＩＩ）で示されるイソシアネートが用いられる。
【００５１】
【化１４】
（式中、Ｒ3は、上記の意味を有する。）
【００５２】
上記式（ＩＩＩ）で示されるイソシアネートの量は、メタラシクロペンテン（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、０．９モル〜３モルである。
【００５３】
本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体の製造方法において、下記式（ＩＶ）で示されるアリル誘導体が用いられる。
【００５４】
【化１５】
（式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5は、上記の意味を有する。）
【００５５】
Ｅは、脱離基である。脱離基としては、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン原子、トシラート基（―Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）2−Ｃ6Ｈ4−ＣＨ3）、トリフルオロメタンスルホン酸エステル（トリフラート）、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基（好ましくは、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基であり、更に好ましくは、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基）、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基、トリ低級アルキルシリルオキシ基等が挙げられる。脱離基としては、Ｃｌ、Ｂｒ、トシラート基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、及びトリ低級アルキルシリルオキシ基を挙げることができ、ハロゲン原子を好ましく挙げることができる。
【００５６】
上記式（ＩＶ）で示されるアリル誘導体の量は、メタラシクロペンテン（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、０．９モル〜３モルである。
【００５７】
また、本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体の製造方法において、下記式（Ｖ）で示されるハロゲンが用いられる。
【００５８】
Ｙ2 （Ｖ）
（式中、Ｙは、上記の意味を有する。）
【００５９】
上記式（Ｖ）で示されるハロゲンの量は、メタラシクロペンテン（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、１モル〜３モルである。
【００６０】
本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体の製造方法は、周期表第４〜１５族の金属を含む金属化合物存在下で行われる。
【００６１】
金属化合物は、塩であっても、錯体であってもよく、銅イオン、ニッケルイオン、ビスマスイオン、パラジウムイオンを含む塩、又は、ニッケル錯体若しくはパラジウム錯体であることが好ましい。
【００６２】
塩の場合には、銅、ニッケル、ビスマス、パラジウムと、塩酸、硫酸等の無機酸又はカルボン酸のような有機酸との塩であってもよい。金属化合物は、ＣｕＸ、ＮｉＸ2、ＰｄＸ2、若しくは、ＢｉＸ3（式中、Ｘは、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、シアノ基（−ＣＮ）又は水酸基を示す。）であることが好ましく、更に、ハロゲン化銅（Ｉ）、ハロゲン化パラジウム（ＩＩ）、ハロゲン化ビスマス（ＩＩＩ）のような金属塩が好ましく、特に、CuClのようなハロゲン化銅（Ｉ）が好ましく用いられる。
【００６３】
ニッケル錯体及びパラジウム錯体である場合は、４配位又は６配位であることが好ましく、４配位子が更に好ましい。これらの錯体には、低級アルキルカルボニルオキシ基、ホスフィン、ホスファイト若しくはハロゲン原子の少なくとも一つが配位子として、それぞれ、ニッケル金属及びパラジウム金属に結合していることが好ましい。
【００６４】
ニッケル錯体は、たとえば、ＮｉＸ2Ｐ1Ｐ2（式中、Ｘは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子を示し、Ｐ1及びＰ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ホスフィン、ホスファイト又はアミンを示し、好ましくは、ホスフィン又はアミンを示し、更に好ましくはホスフィンを示す。ただし、Ｐ1及びＰ2は、互いに架橋していてもよい。）であってもよい。
【００６５】
ホスフィンは、ジフェニルホスフィンのようなジアリールホスフィン、トリフェニルホスフィンのようなトリアリールホスフィン、トリエチルホスフィンのようなトリアルキルホスフィン、アルキルジアリールホスフィン、ジアルキルアリールホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタンのようなα，ω−ビス（ジアリールホスフィノ）アルカン、Ｐ，Ｐ，Ｐ'，Ｐ'，Ｐ"，Ｐ"−ヘキサフェニル−トリスエチレンテトラホスフィンのようなＰ，Ｐ，Ｐ'，Ｐ'，Ｐ"，Ｐ"−六置換−トリスアルキレンテトラホスフィン等であってもよい。ホスファイトは、ホスフィンと同様である。
【００６６】
アミンは、配位子としては、ピリジン、ビピリジン、キノリン等の芳香族アミンであってもよいし、エチレンジアミンのようなアルキレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラアルキルエチレンジアミンのようなＮ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−四置換アルキレンジアミン、トリスエチレンジアミンのようなトリスアルキレンジアミン等の脂肪族アミンであってもよい。
【００６７】
ニッケル錯体としては、たとえば、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロニッケル、ジクロロ（２，２'−ビピリジン）ニッケルが挙げられる。ＮｉＸ2Ｐ1Ｐ2で示されるニッケル錯体は、ＮｉＸ2で示されるニッケル塩と比べて、有機溶媒中での溶解度が向上するので、用途によっては、好ましい。たとえば、ＮｉＸ2で示されるニッケル塩を反応系が含まれている溶媒に添加し、所望により、更にホスフィンを溶媒に添加して in situで、ニッケルホスフィン錯体を形成してもよい。
【００６８】
パラジウム錯体は、Ｐｄ（Ｑ1）（Ｑ2）（Ｑ3）（Ｑ4）（式中、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3及びＱ4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ホスフィン、ホスファイト、Ｃ1−Ｃ20アシル基、ハロゲン原子を含む置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子を含む置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アリールカルボニルオキシ基、ニトリル、又は、ハロゲン原子を示し、好ましくは、ホスフィン、ホスファイト、Ｃ1−Ｃ20アシル基、アミン、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を示し、ただし、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3及びＱ4の任意の２つ、３つ及び４つが、互いに架橋していてもよい。）であってもよい。ホスフィン、ホスファイト又はアミンについては、上述の通りである。パラジウム錯体としては、たとえば、Ｐｄ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ）4（式中、Ｒはアルキル基又はアリール基であり、互いに架橋していてもよい。）、［ＰｄＸ4］2-（Ｘはハロゲン原子である。）、テトラキス（トリアリールホスフィン）、PdCl2(2,2'-ビピリジン)等が挙げられる。
【００６９】
本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体は、典型的には、上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンの溶液にイソシアネート（ＩＩＩ）を添加して攪拌する。次いで、金属化合物及びアリル誘導体（ＩＶ）を添加して攪拌し、ハロゲン（Ｖ）を添加して攪拌して製造する。メタラシクロペンテン（ＩＩ）は単離されたものを用いる必要はなく、溶液中で調製されたメタラシクロペンテンをそのまま用いても良い。アリル誘導体（ＩＶ）及び金属化合物を添加する順序には、制限がない。アリル誘導体（ＩＶ）及び金属化合物を同時に添加してもよいし、アリル誘導体（ＩＶ）を添加した後に金属化合物を添加してもよいし、金属化合物を添加した後にアリル誘導体（ＩＶ）を添加してもよい。
【００７０】
たとえば、反応機構としては、下記のスキームが提案される。
【化１６】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｍ、Ｌ1，Ｌ2、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4，Ａ5、Ｅ及びＹは、上記の意味を有する。Ｍ1は周期表第４〜１５族の金属であり、Ｘはハロゲン原子、シアノ基（−ＣＮ）又は水酸基である。）
【００７１】
メタラシクロペンテン（ＩＩ）は、イソシアネート（ＩＩＩ）と反応し、中間体（ＶＩａ）を生成する。この中間体（ＶＩａ）にアリル誘導体（ＩＶ）と金属化合物Ｍ1Ｘとを添加し、中間体（ＶＩＩａ）を生成し、次いで、ハロゲン（Ｖ）を添加し、ジヒドロピリドン誘導体（Ｉ）を生成する。
【００７２】
そのほかに、例えば、下記のスキームが提案される。
【化１７】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｍ、Ｌ1，Ｌ2、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4，Ａ5、Ｅ及びＹは、上記の意味を有する。Ｍ1は周期表第４〜１５族の金属であり、Ｘはハロゲン原子、シアノ基（−ＣＮ）又は水酸基である。）
【００７３】
メタラシクロペンテン（ＩＩ）は、イソシアネート（ＩＩＩ）と反応し、中間体（ＶＩｂ）を生成する。この中間体（ＶＩｂ）にアリル誘導体（ＩＶ）と金属化合物Ｍ1Ｘとを添加し、中間体（ＶＩＩｂ）を生成し、次いで、ハロゲン（Ｖ）を添加し、ジヒドロピリドン誘導体（Ｉ）を生成する。
【００７４】
なお、これらの反応機構は仮説に過ぎず、本発明はこれらの反応機構に限定されるものではない。
【００７５】
反応は、好ましくは−１００℃〜３００℃の温度範囲で行われ、特に好ましくは−８０℃〜１００℃の温度範囲、更に好ましくは−５０℃〜５０℃の温度範囲で行われる。圧力は、例えば、０．１バール〜２５００バールの範囲内で、好ましくは０．５バール〜１０バールの範囲内である。
【００７６】
溶媒としては、上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンを溶解することができる溶媒が好ましい。溶媒は、脂肪族又は芳香族の有機溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒドロフラン又はジエチルエーテル；塩化メチレンのようなハロゲン化炭化水素；ｏ−ジクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族炭化水素；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が用いられる。
【００７７】
上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンは、例えば、下記のスキームで生成することができる。
【化１８】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｍ、Ｌ1及びＬ2は、上記意味を有する。）
【００７８】
式（Ｘ）で示されるジエチル体は、対応する有機金属化合物、特にジクロロ体等のジハロゲノ体にエチルグリニャールを−１００℃〜０℃、好ましくは、―１００℃〜−５０℃で作用させて得られる。
【００７９】
本発明において、式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンは、例えば、下記のメタロセンを用いて合成することができる。
【００８０】
なお、ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；ビス（フルオレニル）ジクロロジルコニウム；（インデニル）（フルオレニル）ジクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロチタン；（ジメチルシランジイル）ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（テトラヒドロインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）（インデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジクロロジルコニウムなどのジクロロ体については、ナトリウム等のアルカリ金属、マグネシウム等のアルカリ土類金属のような強塩基で還元するか、又は、ジアルキル体に変換してから、メタラシクロペンテンを生成させる。
【００８１】
ビス（シクロペンタジエニル）ジエチルジルコニウム；
ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジエチルジルコニウム；
ビス（ブチルシクロペンタジエニル）ジエチルジルコニウム；
ビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
ビス（フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
（インデニル）（フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
（３−メチル−５−ナフチルインデニル）（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
（３−メチル−５−ナフチルインデニル）（３，４，７−トリメトキシフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
（シクロペンタジエニル）（１−オクテン−８−イルシクロペンタジエニル）ジエチルジルコニウム；
（インデニル）（１−ブテン−４−イルシクロペンタジエニル）ジエチルジルコニウム；
［１，３−ビス（トリメチルシリル）シクロペンタジエニル］（３，４−ベンゾフルオレニル）ジエチルジルコニウム；。
【００８２】
ビス（シクロペンタジエニル）ジエチルチタン；
ジメチルシランジイルビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−エチルインデニル）（２−エチル−４−フェニルナフチル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−メチルインデニル）（４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；。
【００８３】
メチルフェニルシランジイルビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−エチルインデニル）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−インデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−メチルインデニル）（４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；。
【００８４】
メチルフェニルシランジイルビス（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビスジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−４ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−メチルインデニル）（４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−エチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；。
【００８５】
ジフェニルシランジイルビ；ス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム
ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（２−メチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−メチルインデニル）−１−（４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ビス（シクロペンタジエニル）ジエチルチタン；
エチレン−１，２−ビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（シクロペンタジエニル）−２−（１−インデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（シクロペンタジエニル）−２−（２−インデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（シクロペンタジエニル）−２−（２−メチル−１−インデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；。
【００８６】
エチレン−１，２−ビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−メチルインデニル）−２−（４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（１−インデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（４−フェニル−１−インデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジメトキシ−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジブロモ−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジフェニル−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジメチル−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（３−メチルシクロペンタジエニル）−２−（２，７−ジエチル９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）−２−（２，７−ジブチル−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（３−トリメチルシリルシクロペンタジエニル）−２−（３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−［２，７−ビス（３−ブテン−１−イル）−９−フルオレニル］ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−メチルインデニル）−２−（４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；。
【００８７】
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリル（２−メチル−４フェニルインデニル）（４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１−［メチルシリルビス（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム］−６−［エチルスタニル（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ジシラ−１，１，６，６−テトラメチル−１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，４−ジシラ１，４−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム］シクロヘキサン；
［１，４−ビス（１−インデニル）−１，１，４，４−テトラメチル−１，４−ジシラブタン］ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニルジエチルジルコニウム）；
［１，４−ビス（９−フルオレニル）−１，１，４，４−テトラメチル−１，４−ジシラブタン］ビス（シクロペンタジエニルジエチルジルコニウム）；
［１，４−ビス（１−インデニル）−１，１，４，４−テトラメチル−１，４−ジシラブタン］ビス（シクロペンタジエニルジエチルジルコニウム）；
［１−（１−インデニル）−６−（２−フェニル−１−インデニル）−１，１，６，６−テトラエチル−１，６−ジシラ−４−オキサヘキサン］ビス（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニルジエチルジルコニウム）；
［１，１０−ビス（２，３−ジメチル−１−インデニル）−１，１，１０，１０−テトラメチル−１，１０−ジゲルマデカン］ビス（２−メチル−４−フェニルインデニルジエチルジルコニウム）；
（１−メチル−３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（１−フェニル−４−メトキシ−７−クロロフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
（４，７−ジクロロインデニル）（３，６−ジメシチルフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
ビス（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９−シクロへキシルフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
（２，７−ジメシチルフルオレニル）［２，７−ビス（１−ナフチル）フルオレニル］ジエチルジルコニウム；
ジメチルシリルビス（フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
ジブチルスタニルビス（２−メチルフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
１，１，２，２−テトラエチルジシランジイル（２−メチルインデニル）（４−フェニルフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−１−（２−インデニル）−２−（９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
１，１−ジメチル−１−シラエチレンビス（フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
［４−（シクロペンタジエニル）４，７，７−トリメチル（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
［４−（シクロペンタジエニル）４，７−ジメチル−７−フェニル（５，６−ジメチルテトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
［４−（シクロペンタジエニル）−４，７−ジメチル−７−（１−ナフチル）（７−フェニルテトラヒドロインデニル）］ジエチルジルコニウム；
［４−（シクロペンタジエニル）−４，７−ジメチル−７−ブチル（６，６−ジエチルテトラヒドロインデニル）］ジエチルジルコニウム；
［４−（３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）−４，７，７−トリメチル（テトラヒドロインデニル）］ジエチルジルコニウム；
［４−（１−インデニル）−４，７，７−トリメチル（テトラヒドロインデニル）］ジエチルジルコニウム；
ビス（シクロペンタジエニル）ジエチルハフニウム；
ビス（インデニル）ジエチルバナジウム；
ビス（フルオレニル）ジエチルスカンジウム；
（インデニル）（フルオレニル）ジエチルニオブ；
（２−メチル−７−ナフチルインデニル）（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニル）ジエチルチタン；
臭化（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（テトラヒドロインデニル）ブチルハフニウム；
（シクロペンタジエニル）（１−オクテン−８−イルシクロペンタジエニル）ジエチルハフニウム。
【００８８】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。ただし、本発明は、下記の実施例に制限されるものではない。
【００８９】
有機金属化合物を含め、すべての反応は、窒素雰囲気下で標準的なシュレンク技術を用いて行われた。溶媒として用いたＴＨＦ（テトラヒドロフラン）は、ナトリウム金属、ベンゾフェノンで蒸留して無水とした。ジルコノセンジクロライドは、アルドリッチ（Aldrich Chemical Company, Inc）から、ｎ―ブチルリチウム (1.6M ヘキサン溶液) は、関東化学から購入したものを用い、３―ヘキシン及び５−デシンのようなアルキンは、東京化成（TCI Co. Ltd）から、購入した。塩化銅は、和光純薬工業（Wako Pure Chemical Industries Ltd）から購入した。
【００９０】
1H-NMRおよび13C-NMRスペクトルは、２５℃にて重水素化クロロホルム溶液（ＴＭＳ１％含有）を内部標準として、Bruker ARX-400を用いて測定した。ガスクロマトグラフ分析は、シリカガラスキャピラリカラムSHIMADZU CBP1-M25-O25 及び SHIMADZU C-R6A-Chromatopac integrator を備えたSHIMADZU GC-14A ガスクロマトグラフで測定した。
【００９１】
実施例１
1-フェニル -3,4-ジエチル-6-ヨードメチル-5,6-ジヒドロピリド-2-オン
【００９２】
ビス（η5−シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム (0.365 g, 1.25 mmol) のTHF溶液 (5 ml)に、エチルマグネシウムブロミド(1.0 M, 2.5 mmol) を−78℃にて加えた。同じ温度にて１時間攪拌し、3-ヘキシン (1.0 mmol)を加え、反応混合物を0℃まで昇温させた。３時間攪拌した後、フェニルイソシアネート (1.5 mmol)を反応混合物に加え、50℃にて、３時間攪拌した。続いて、室温まで冷却し、塩化アリル (1.5 mmol)及び10mol%の塩化銅 (0.1 mmol)を反応混合物に加え、50℃にて１時間攪拌した。続いて、ヨウ素2.5 mmol を反応混合物に加え、50℃にて１２時間攪拌した。20%の炭酸水素ナトリウムを加えて反応を終了させ、エーテルで抽出した (3x30 ml)。抽出物は水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で濃縮した後、残渣について、シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、精製した。
【００９３】
GC 収率91%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/9)を行い、黄色液体の表題化合物を288 mg (単離収率78 %)にて得た。
【００９４】
1H NMR (CDCl3, Me4Si)δ1.05(t, J = 7.2Hz, 3H), 1.16(t, J = 7.2Hz, 3H), 2.00-2.50(m, 4H), 2.85-2.90(m, 2H), 3.20-3.40(m, 2H), 3.95-4.10(m, 1H), 7.20-7.50(m, 5H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ4.90, 12.15, 14.47, 19.61, 26.62, 30.77, 59.11, 126.80, 127.29(2C), 129.12(2C), 130.49, 141.35, 145.27, 163.85; 高分解能質量分析計計算値C16H20INO 369.0590, 実測値369.0573。
【００９５】
実施例２
1-フェニル-3,4-ジプロピル-6-ヨードメチル-5,6-ジヒドロピリド-2-オン
【００９６】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、３−ヘキシンの代わりに、４−オクチンを用いた。GC 収率 73%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/10)を行い、黄色液体の表題化合物を230 mg (単離収率58 %)にて得た。
【００９７】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ0.94(t, J = 7.2Hz, 3H), 1.02(t, J = 7.2Hz, 3H), 1.35-1.70(m, 4H), 2.10-2.55(m, 4H), 2.84(d, J = 4.0Hz, 2H), 3.20-3.45(m, 2H), 4.00-4.10(m, 1H), 7.20-7.50(m, 5H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ4.90, 14.20, 14.25, 20.82, 23.04, 28.43, 31.08, 35.78, 59.07, 126.77, 127.27(2C), 129.08(2C), 129.72, 141.30, 144.21, 163.92; 高分解能質量分析計計算値 C18H24INO 397.0903, 実測値 397.0917。
【００９８】
実施例３
1-フェニル-3,4-ジブチル -6-ヨードメチル-5,6-ジヒドロピリド -2-オン
【００９９】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、３−ヘキシンの代わりに、５−デシンを用いた。GC 収率 82%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/10)を行い、白色固体の表題化合物を298 mg (単離収率70 %)にて得た。
【０１００】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ0.92(t, J = 6.9Hz, 3H), 0.98(t, J = 6.9Hz, 3H), 1.10-1.30(m, 8H), 2.00-2.30(m, 4H), 2.84(d, J = 3.6Hz, 2H), 3.10-3.22(m, 2H), 4.00-4.10(m, 1H), 7.10-7.25(m, 5H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ5.04, 13.99(2C), 22.90, 23.02, 26.33, 29.76, 31.24, 32.15, 33.52, 59.21, 126.85, 127.36(2C), 129.18(2C), 129.85, 141.44, 144.31, 164.02; 高分解能質量分析計計算値 C20H18INO 425.1216, 実測値 425.1205。
【０１０１】
実施例４
1-フェニル-3,4-ジプロピル -6-(1'-ヨードエチル)- 5,6-ジヒドロピリド -2-オン
【０１０２】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、３−ヘキシンの代わりに、４−オクチンを用いた。また、塩化アリルの代わりに、1-メチル-1-クロロ-2-プロペンを用いた。GC 収率 67%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/10)を行い、黄色液体の表題化合物を200 mg (単離収率49 %)にて得た。
【０１０３】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ0.95(t, J = 7.3Hz, 3H), 1.02(t, J = 7.2Hz, 3H), 1.4 0-1.50(m, 2H), 1.55-1.65(m, 2H), 1.82(d, J = 7.2Hz, 3H), 2.20-2.30(m, 3H), 2.40-2.50(m, 1H), 2.80-2.95(m, 2H), 3.90-3.96(m, 1H), 4.20-4.45(m, 1H), 7.20-7.40(m, 5H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ14.27, 14.31, 20.77, 22.99, 25.98, 28.55, 30.09, 32.70, 35.94, 63.52, 126.33, 127.39(2C), 128.74(2C), 129.63, 142.13, 144.69, 164.41; 高分解能質量分析計計算値 C19H26INO 411.1059, 実測値 411.1044。
【０１０４】
実施例５
1-フェニル-3,4-ジプロピル -6-ヨードメチル -6-メチル-5-ヒドロピリド-2-オン
【０１０５】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、３−ヘキシンの代わりに、４−オクチンを用いた。また、塩化アリルの代わりに、1-クロロ-2-メチル-2-プロペンを用いた。GC 収率 94%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/7)を行い、黄色液体の表題化合物を312 mg (単離収率76 %)にて得た。
【０１０６】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ0.93(t, J = 7.3Hz, 3H), 1.01(t, J = 7.3Hz, 3H), 1.22(s, 3H), 1.35-1.50(m, 2H), 1.50-1.70(m, 2H), 2.15-2.45(m, 4H), 2.53(d, J = 17.2Hz, 1H), 2.84(d, J = 17.2Hz, 1H), 3.35(d, J = 9.7Hz, 1H), 3.68(d, J = 9.8Hz, 1H), 7.05-7.15(m, 2H), 7.30-7.45(m, 3H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ13.46, 14.23, 14.27, 20.80, 23.00, 26.66, 28.57, 35.72, 40.22, 57.51, 127.69(2C), 129.04(2C), 129.64, 130.41, 138.52, 144.57, 165.89; 高分解能質量分析計計算値 C19H26INO 411.1509, 実測値 411.1507。
【０１０７】
実施例６
1-フェニル-3-ブチル-4-トリメチルシリル -6-ヨードメチル -5,6-ジヒドロピリド-2-オン
【０１０８】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、３−ヘキシンの代わりに、１−トリメチルシリル−１−オクチンを用いた。GC 収率 71%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/1)を行い、黄色液体の表題化合物を233 mg (単離収率53 %)にて得た。
【０１０９】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ0.29(s, 9H), 0.93(t, J = 7.1Hz, 3H), 1.30-1.50(m, 4H), 2.20-2.35(m, 1H), 2.60-2.70(m, 1H), 2.79(dd, J = 17.5Hz, 6.0Hz, 1H), 3.02(dd, J = 17.5Hz, 1.9Hz, 1H), 3.20-3.30(m, 1H), 3.35-3.50(m, 1H), 4.00-4.10(m, 1H), 7.20-7.35(m, 3H), 7.38-7.50(m, 2H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ-0.48(3C), 4.24, 14.00, 23.09, 30.64, 31.14, 32.85, 59.88, 126.92, 127.02(2C), 129.22(2C), 141.29, 142.30, 144.26, 162.66; 高分解能質量分析計計算値 C19H28INO 441.0985, 実測値 441.0984。
【０１１０】
実施例７
1-(4'-フルオロフェニル)-3,4-ジフェニル -6-ヨードメチル -5,6-ジヒドロピリド -2-オン
【０１１１】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、３−ヘキシンの代わりに、１，２−ジフェニルアセチレンを用いた。また、フェニルイソシアネートの代わりに、ｐ−フルオロフェニルイソシアネートを用いた。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/5)を行い、白色固体の表題化合物を308 mg (単離収率64 %)にて得た。図１に表題化合物の単結晶Ｘ線構造解析の図を示す。
【０１１２】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ3.40-3.45(m, 2H), 3.46-3.50(m, 1H), 3.72(t, J = 10.4Hz, 1H), 4.25-4.30(m, 1H), 7.10-7.30(m, 12H), 7.33-7.40(m, 2H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ4.67, 34.20, 59.36, 116.05(d, JFC = 23Hz, 2C), 127.04, 127.40(2C), 127.95, 128.03(2C), 128.69(2C), 129.27(d, JFC = 8.5Hz, 2C), 131.10(2C), 131.36, 134.79, 136.82(d, JFC = 3.2Hz), 139.17, 144.96, 161.20(d, JFC= 245Hz), 163.41。
【０１１３】
実施例１〜７の結果を表１に示す。
【０１１４】
【表１】
なお、収率は、NMR収率を示す。単離収率はかっこ内に記載する。
【０１１５】
【発明の効果】
本発明の方法により、簡易にジヒドロピリドン誘導体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 1-(4'-フルオロフェニル)-3,4-ジフェニル -6-ヨードメチル -5,6-ジヒドロピリド -2-オンの単結晶Ｘ線構造解析の図である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、ジヒドロピリドン誘導体及びその製造方法に関し、特にハロゲン化された５，６−ジヒドロピリド−２−オン誘導体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
ジヒドロピリドン誘導体は、医薬、農薬、ファインケミカル等で幅広く用いられいる中間体である。そして、これらの用途では、ピリドン環に様々な置換基を導入することが求められている。
【０００３】
従来、ピリドン環に置換基を導入する際には、置換基による配向性の相違を利用して、目標化合物ごとに最適な合成スキームを検討していた。たとえば、オルト、パラ配向性、又は、メタ配向性という置換基に依存する配向性の相違を考慮し、二置換ジヒドロピリドン、三置換ジヒドロピリドン等を合成していた。
【０００４】
しかし、このような伝統的な有機合成の手法では、ピリドン環に導入する置換基が多くなればなるほど、合成経路が長くなり、収率が低下した。
【０００５】
従って、多置換５，６−ジヒドロピリド−２−オン誘導体を選択的、かつ、高収率で得ることが所望された。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明では、下記式（Ｉ）で示されるジヒドロピリドン誘導体を製造する方法であって、
【０００７】
【化６】
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基、又は水酸基であり、ただし、Ｒ1及びＲ2は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ20飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ4）−で示される基（式中、Ｒ4は水素原子又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルアリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルオキシカルボニル基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；ニトロ基（−ＮＯ2）；イソシアノ基（−ＮＣ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ、式中、Ｂはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアナト基（−ＮＣＯ）、チオシアナト基（−ＳＣＮ）又はイソチオシアナト基（−ＮＣＳ）であり、Ｙは、ハロゲン原子である。）下記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンと、
【０００８】
【化７】
（式中、Ｒ1及びＲ2は、上記の意味を有する。Ｍは、周期表の第３族〜第５族またはランタニド系列の金属を示し；Ｌ1及びＬ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、アニオン性配位子を示し、ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよい。）下記式（ＩＩＩ）で示されるイソシアネートとを反応させ、反応混合物を得る工程と、
【０００９】
【化８】
（式中、Ｒ3は、上記の意味を有する。）周期表第４〜１５族の金属を含む金属化合物の存在下、前記反応混合物と、下記式（ＩＶ）で示されるアリル誘導体と、
【００１０】
【化９】
（式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5は、上記の意味を有する。Ｅは、脱離基である。）下記式（Ｖ）で示されるハロゲンとを
【００１１】
Ｙ2 （Ｖ）
（式中、Ｙは、上記の意味を有する。）反応させる工程とを含むことを特徴とするジヒドロピリドン誘導体の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体の製造方法において、前記金属化合物が、銅イオン、ニッケルイオン、ビスマスイオン、パラジウムイオンを含む塩、又は、ニッケル錯体若しくはパラジウム錯体であって、前記ニッケル錯体及び前記パラジウム錯体には、低級アルキルカルボニルオキシ基、ホスフィン、ホスファイト若しくはハロゲン原子の少なくとも一つが配位子として、それぞれ、ニッケル金属及びパラジウム金属に結合していることが好ましい。
【００１３】
また、前記金属化合物が、ＣｕＸ、ＮｉＸ2、若しくは、ＢｉＸ3（式中、Ｘは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子、シアノ基（−ＣＮ）又は水酸基を示す。）、又は、ＮｉＸ2Ｐ1Ｐ2（式中、Ｘは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子を示し、Ｐ1及びＰ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ホスフィン配位子を示し、ただし、Ｐ1及びＰ2は、互いに架橋していてもよい。）、若しくは、Ｐｄ（Ｑ1）（Ｑ2）（Ｑ3）（Ｑ4）（式中、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3及びＱ4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ホスフィン、ホスファイト、Ｃ1−Ｃ40アシル基、又は、ハロゲン原子を示し、ただし、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3及びＱ4の任意の２つ、３つ及び４つが、互いに架橋していてもよい。）であってもよい。
【００１４】
また、本発明において、Ｍが、周期表第４族もしくは第５族またはランタニド系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子であることが好ましい。また、前記非局在化環状η5−配位系配位子が、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基であることが更に好ましい。
【００１５】
また、本発明において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、Ｃ4〜Ｃ20ポリエニル基、Ｃ6〜Ｃ20アリール基、Ｃ6〜Ｃ20アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ20アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基、又は、（Ｃ5〜Ｃ10シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ10アルキル基であることが好ましい。ただし、Ｒ1及びＲ2は、互いに架橋して、酸素原子で中断されていてもよいＣ4〜Ｃ20飽和又は不飽和環を形成してもよい。
【００１６】
また、本発明では、下記式（Ｉ）で示されるジヒドロピリドン誘導体が提供される。
【００１７】
【化１０】
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基又は水酸基であり、ただし、Ｒ1及びＲ2は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ20飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、又は式−Ｎ（Ｒ4）−で示される基（式中、Ｒ4は水素原子又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルアリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルオキシカルボニル基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；ニトロ基（−ＮＯ2）；イソシアノ基（−ＮＣ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ、式中、Ｂはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアナト基（−ＮＣＯ）、チオシアナト基（−ＳＣＮ）又はイソチオシアナト基（−ＮＣＳ）であり、Ｙは、ハロゲン原子である。）
【００１８】
本発明において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、Ｃ4〜Ｃ20ポリエニル基、Ｃ6〜Ｃ20アリール基、Ｃ6〜Ｃ20アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ20アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基、又は、（Ｃ5〜Ｃ10シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ10アルキル基であることが好ましい。ただし、Ｒ1及びＲ2は、互いに架橋して、酸素原子で中断されていてもよいＣ4〜Ｃ20飽和又は不飽和環を形成してもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明では、下記式（Ｉ）で示されるジヒドロピリドン誘導体が提供される。
【００２０】
【化１１】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4、Ａ5及びＹは、上記の意味を有する。）
【００２１】
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基又は水酸基である。
【００２２】
本明細書では、Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基は、飽和若しくは不飽和の非環式であってもよいし、飽和若しくは不飽和の環式であってもよい。Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基が非環式の場合には、線状でもよいし、枝分かれでもよい。Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基には、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、Ｃ4〜Ｃ20ポリエニル基、Ｃ6〜Ｃ18アリール基、Ｃ6〜Ｃ20アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ20アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基、（Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ10アルキル基などが含まれる。
【００２３】
Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ20ポリエニル基は、それぞれ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ2〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ10アリル基、Ｃ4〜Ｃ10アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ1 0ポリエニル基であることが好ましい。
【００２４】
Ｃ6〜Ｃ18アリール基、Ｃ6〜Ｃ20アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ20アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、及び、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基は、それぞれ、Ｃ6〜Ｃ10アリール基、Ｃ6〜Ｃ12アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ12アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ10シクロアルキル基、及び、Ｃ4〜Ｃ10シクロアルケニル基が好ましい。
【００２５】
本発明の実施において有用なアルキル基の例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ドデカニル、トリフルオロメチル、ペルフルオロ−ｎ−ブチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ベンジル、２−フェノキシエチル等がある。
【００２６】
本発明の実施において有用なアリール基の例としては、制限するわけではないが、フェニル、２−トリル、３−トリル、４−トリル、ナフチル、ビフェニル、４−フェノキシフェニル、４−フルオロフェニル、３−カルボメトキシフェニル、４−カルボメトキシフェニル等がある。
【００２７】
本発明の実施において有用なアルコキシ基の例としては、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、２−メトキシエトキシ、ｔ−ブトキシ等がある。
【００２８】
本発明の実施において有用なアリールオキシ基の例としては、制限するわけではないが、フェノキシ、ナフトキシ、フェニルフェノキシ、４−メチルフェノキシ、２−トリルオキシ、３−トリルオキシ、４−トリルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ、４−フェノキシフェニルオキシ、４−フルオロフェニルオキシ、３−カルボメトキシフェニルオキシ、４−カルボメトキシフェニルオキシ等がある。
【００２９】
Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基、アミノ基、シリル基には、置換基が導入されていてもよく、この置換基としては、例えば、Ｃ1〜Ｃ10炭化水素基、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基などが挙げられる。
【００３０】
本発明の実施において有用なアミノ基の例としては、制限するわけではないが、アミノ、ジメチルアミノ、メチルアミノ、メチルフェニルアミノ、フェニルアミノ等がある。
【００３１】
本発明の実施において有用なシリル基としては、制限するわけではないが、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、ジフェニルメチルシリル、トリフェニルシリル、トリフェノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフェノキシシリル、メチルメトキシフェニル等がある。
【００３２】
ただし、Ｒ1及びＲ2は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ20飽和環又は不飽和環を形成してもよい。これらの置換基が形成する環は、４員環〜１６員環であることが好ましく、４員環〜１２員環であることが更に好ましい。この環は、ベンゼン環等の芳香族環あってもよいし、脂肪族環であってもよい。また、これらの置換基が形成する環に、更に単数又は複数の環が形成されていてもよい。
【００３３】
前記飽和環または不飽和環は、酸素原子、硫黄原子または式―Ｎ（Ｒ4）―で示される基（式中、Ｒ4は水素原子またはＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）で中断されていてもよい。即ち、前記飽和環または不飽和環はヘテロ環であってもよい。かつ、置換基を有していてもよい。不飽和環は、ベンゼン環等の芳香族環であってもよい。
【００３４】
Ｒ4は水素原子またはＣ1〜Ｃ10炭化水素基であることが好ましく、水素原子またはＣ1〜Ｃ7炭化水素基であることが更に好ましく、Ｒ4は水素原子、Ｃ1〜Ｃ3アルキル基、フェニル基またはベンジル基であることが更になお好ましい。
【００３５】
この飽和環又は不飽和環は、置換基を有していてもよく、たとえば、Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基、アミノ基、水酸基又は式シリル基などの置換基が導入されていてもよい。
【００３６】
Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルアリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルオキシカルボニル基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；ニトロ基（−ＮＯ2）；イソシアノ基（−ＮＣ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ、式中、Ｂはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアナト基（−ＮＣＯ）、チオシアナト基（−ＳＣＮ）又はイソチオシアナト基（−ＮＣＳ）である。
【００３７】
本発明の実施において有用なアルキルオキシカルボニル基の例としては、制限するわけではないが、メチルオキシカルボニル、エチルオキシカルボニル、プロピルオキシカルボニル、ｎ−ブチルオキシカルボニル、ｔ−ブチルオキシカルボニル、ドデカニルオキシカルボニル、トリフルオロメチルオキシカルボニル、ペルフルオロ−ｎ−ブチルオキシカルボニル、２，２，２−トリフルオロエチルオキシカルボニル等がある。
【００３８】
本発明の実施において有用なアリールオキシカルボニル基の例としては、制限するわけではないが、フェニルオキシカルボニル、２−トリルオキシカルボニル、３−トリルオキシカルボニル、４−トリルオキシカルボニル、ナフチルオキシカルボニル、ビフェニルオキシカルボニル、４−フェノキシフェニルオキシカルボニル、４−フルオロフェニルオキシカルボニル、３−カルボメトキシフェニルオキシカルボニル等がある。
【００３９】
Ｙは、ハロゲン原子である。ハロゲン原子としては、Ｂｒ、Ｉ、Ｃｌ等を挙げることができ、Ｉを好ましく挙げることができる。
【００４０】
本発明では、また、下記式（Ｉ）で示されるジヒドロピリドン誘導体を製造する方法であって、下記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンと、下記式（ＩＩＩ）で示されるイソシアネートとを反応させ、反応混合物を得る工程と、周期表第４〜１５族の金属を含む金属化合物の存在下、前記反応混合物と、下記式（ＩＶ）で示されるアリル誘導体と、下記式（Ｖ）で示されるハロゲンとを反応させる工程とを含むことを特徴とするジヒドロピリドン誘導体の製造方法が提供される。
【００４１】
【化１２】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｍ、Ｌ1，Ｌ2、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4，Ａ5、Ｅ及びＹは、上記の意味を有する。）
【００４２】
本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体の製造方法において、下記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンが用いられる。
【００４３】
【化１３】
（式中、Ｒ1及びＲ2は、上記の意味を有する。）
【００４４】
Ｍは、周期表の第３族〜第５族又はランタニド系列の金属を示す。Ｍとしては、周期表第４族又はランタニド系列の金属が好ましく、周期表第４族の金属、即ち、チタン、ジルコニウム及びハフニウムが更に好ましい。
【００４５】
Ｌ1及びＬ2は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示す。ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよい。前記アニオン性配位子は、非局在化環状η5−配位系配位子、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基又はジアルキルアミド基であることが好ましい。
【００４６】
Ｌ1及びＬ2は、非局在化環状η5−配位系配位子であることが好ましい。非局在化環状η5−配位系配位子の例は、無置換のシクロペンタジエニル基、及び置換シクロペンタジエニル基である。この置換シクロペンタジエニル基は例えば、メチルシクロペンタジエニル、エチルシクロペンタジエニル、イソプロピルシクロペンタジエニル、ｎ−ブチルシクロペンタジエニル、ｔ−ブチルシクロペンタジエニル、ジメチルシクロペンタジエニル、ジエチルシクロペンタジエニル、ジイソプロピルシクロペンタジエニル、ジ−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル、テトラメチルシクロペンタジエニル、インデニル基、２−メチルインデニル基、２−メチル−４−フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基、オクタヒドロフルオレニル基及びアズレニル基である。
【００４７】
非局在化環状η5−配位系配位子は、非局在化環状π系の１個以上の原子がヘテロ原子に置換されていてもよい。水素の他に、周期表第１４族の元素及び／又は周期表第１５、１６及び１７族の元素のような１個以上のヘテロ原子を含むことができる。
【００４８】
非局在化環状η5−配位系配位子、例えば、シクロペンタジエニル基は、中心金属と、環状であってもよい、一つの又は複数の架橋配位子により架橋されていてもよい。架橋配位子としては、例えば、ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2、ＣＨ（Ｃ4Ｈ9）Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＨ3）2、（ＣＨ3）2Ｓｉ、（ＣＨ3）2Ｇｅ、（ＣＨ3）2Ｓｎ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）（ＣＨ3）Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｇｅ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｎ、（ＣＨ2）4Ｓｉ、ＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）2、ｏ−Ｃ6Ｈ4又は２、２'−（Ｃ6Ｈ4）2が挙げられる。
【００４９】
上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンは、二つ以上のメタロセン部分 (moiety)を有する化合物も含む。このような化合物は多核メタロセンとして知られている。前記多核メタロセンは、いかなる置換様式及びいかなる架橋形態を有していてもよい。前記多核メタロセンの独立したメタロセン部分は、各々が同一種でも、異種でもよい。前記多核メタロセンの例は、例えばＥＰ−Ａ−６３２０６３、特開平４−８０２１４号、特開平４−８５３１０、ＥＰ−Ａ−６５４４７６に記載されている。
【００５０】
本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体の製造方法において、下記式（ＩＩＩ）で示されるイソシアネートが用いられる。
【００５１】
【化１４】
（式中、Ｒ3は、上記の意味を有する。）
【００５２】
上記式（ＩＩＩ）で示されるイソシアネートの量は、メタラシクロペンテン（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、０．９モル〜３モルである。
【００５３】
本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体の製造方法において、下記式（ＩＶ）で示されるアリル誘導体が用いられる。
【００５４】
【化１５】
（式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5は、上記の意味を有する。）
【００５５】
Ｅは、脱離基である。脱離基としては、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン原子、トシラート基（―Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）2−Ｃ6Ｈ4−ＣＨ3）、トリフルオロメタンスルホン酸エステル（トリフラート）、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基（好ましくは、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基であり、更に好ましくは、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基）、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基、トリ低級アルキルシリルオキシ基等が挙げられる。脱離基としては、Ｃｌ、Ｂｒ、トシラート基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、及びトリ低級アルキルシリルオキシ基を挙げることができ、ハロゲン原子を好ましく挙げることができる。
【００５６】
上記式（ＩＶ）で示されるアリル誘導体の量は、メタラシクロペンテン（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、０．９モル〜３モルである。
【００５７】
また、本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体の製造方法において、下記式（Ｖ）で示されるハロゲンが用いられる。
【００５８】
Ｙ2 （Ｖ）
（式中、Ｙは、上記の意味を有する。）
【００５９】
上記式（Ｖ）で示されるハロゲンの量は、メタラシクロペンテン（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、１モル〜３モルである。
【００６０】
本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体の製造方法は、周期表第４〜１５族の金属を含む金属化合物存在下で行われる。
【００６１】
金属化合物は、塩であっても、錯体であってもよく、銅イオン、ニッケルイオン、ビスマスイオン、パラジウムイオンを含む塩、又は、ニッケル錯体若しくはパラジウム錯体であることが好ましい。
【００６２】
塩の場合には、銅、ニッケル、ビスマス、パラジウムと、塩酸、硫酸等の無機酸又はカルボン酸のような有機酸との塩であってもよい。金属化合物は、ＣｕＸ、ＮｉＸ2、ＰｄＸ2、若しくは、ＢｉＸ3（式中、Ｘは、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、シアノ基（−ＣＮ）又は水酸基を示す。）であることが好ましく、更に、ハロゲン化銅（Ｉ）、ハロゲン化パラジウム（ＩＩ）、ハロゲン化ビスマス（ＩＩＩ）のような金属塩が好ましく、特に、CuClのようなハロゲン化銅（Ｉ）が好ましく用いられる。
【００６３】
ニッケル錯体及びパラジウム錯体である場合は、４配位又は６配位であることが好ましく、４配位子が更に好ましい。これらの錯体には、低級アルキルカルボニルオキシ基、ホスフィン、ホスファイト若しくはハロゲン原子の少なくとも一つが配位子として、それぞれ、ニッケル金属及びパラジウム金属に結合していることが好ましい。
【００６４】
ニッケル錯体は、たとえば、ＮｉＸ2Ｐ1Ｐ2（式中、Ｘは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子を示し、Ｐ1及びＰ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ホスフィン、ホスファイト又はアミンを示し、好ましくは、ホスフィン又はアミンを示し、更に好ましくはホスフィンを示す。ただし、Ｐ1及びＰ2は、互いに架橋していてもよい。）であってもよい。
【００６５】
ホスフィンは、ジフェニルホスフィンのようなジアリールホスフィン、トリフェニルホスフィンのようなトリアリールホスフィン、トリエチルホスフィンのようなトリアルキルホスフィン、アルキルジアリールホスフィン、ジアルキルアリールホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタンのようなα，ω−ビス（ジアリールホスフィノ）アルカン、Ｐ，Ｐ，Ｐ'，Ｐ'，Ｐ"，Ｐ"−ヘキサフェニル−トリスエチレンテトラホスフィンのようなＰ，Ｐ，Ｐ'，Ｐ'，Ｐ"，Ｐ"−六置換−トリスアルキレンテトラホスフィン等であってもよい。ホスファイトは、ホスフィンと同様である。
【００６６】
アミンは、配位子としては、ピリジン、ビピリジン、キノリン等の芳香族アミンであってもよいし、エチレンジアミンのようなアルキレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラアルキルエチレンジアミンのようなＮ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−四置換アルキレンジアミン、トリスエチレンジアミンのようなトリスアルキレンジアミン等の脂肪族アミンであってもよい。
【００６７】
ニッケル錯体としては、たとえば、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロニッケル、ジクロロ（２，２'−ビピリジン）ニッケルが挙げられる。ＮｉＸ2Ｐ1Ｐ2で示されるニッケル錯体は、ＮｉＸ2で示されるニッケル塩と比べて、有機溶媒中での溶解度が向上するので、用途によっては、好ましい。たとえば、ＮｉＸ2で示されるニッケル塩を反応系が含まれている溶媒に添加し、所望により、更にホスフィンを溶媒に添加して in situで、ニッケルホスフィン錯体を形成してもよい。
【００６８】
パラジウム錯体は、Ｐｄ（Ｑ1）（Ｑ2）（Ｑ3）（Ｑ4）（式中、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3及びＱ4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ホスフィン、ホスファイト、Ｃ1−Ｃ20アシル基、ハロゲン原子を含む置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子を含む置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アリールカルボニルオキシ基、ニトリル、又は、ハロゲン原子を示し、好ましくは、ホスフィン、ホスファイト、Ｃ1−Ｃ20アシル基、アミン、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を示し、ただし、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3及びＱ4の任意の２つ、３つ及び４つが、互いに架橋していてもよい。）であってもよい。ホスフィン、ホスファイト又はアミンについては、上述の通りである。パラジウム錯体としては、たとえば、Ｐｄ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ）4（式中、Ｒはアルキル基又はアリール基であり、互いに架橋していてもよい。）、［ＰｄＸ4］2-（Ｘはハロゲン原子である。）、テトラキス（トリアリールホスフィン）、PdCl2(2,2'-ビピリジン)等が挙げられる。
【００６９】
本発明にかかるジヒドロピリドン誘導体は、典型的には、上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンの溶液にイソシアネート（ＩＩＩ）を添加して攪拌する。次いで、金属化合物及びアリル誘導体（ＩＶ）を添加して攪拌し、ハロゲン（Ｖ）を添加して攪拌して製造する。メタラシクロペンテン（ＩＩ）は単離されたものを用いる必要はなく、溶液中で調製されたメタラシクロペンテンをそのまま用いても良い。アリル誘導体（ＩＶ）及び金属化合物を添加する順序には、制限がない。アリル誘導体（ＩＶ）及び金属化合物を同時に添加してもよいし、アリル誘導体（ＩＶ）を添加した後に金属化合物を添加してもよいし、金属化合物を添加した後にアリル誘導体（ＩＶ）を添加してもよい。
【００７０】
たとえば、反応機構としては、下記のスキームが提案される。
【化１６】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｍ、Ｌ1，Ｌ2、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4，Ａ5、Ｅ及びＹは、上記の意味を有する。Ｍ1は周期表第４〜１５族の金属であり、Ｘはハロゲン原子、シアノ基（−ＣＮ）又は水酸基である。）
【００７１】
メタラシクロペンテン（ＩＩ）は、イソシアネート（ＩＩＩ）と反応し、中間体（ＶＩａ）を生成する。この中間体（ＶＩａ）にアリル誘導体（ＩＶ）と金属化合物Ｍ1Ｘとを添加し、中間体（ＶＩＩａ）を生成し、次いで、ハロゲン（Ｖ）を添加し、ジヒドロピリドン誘導体（Ｉ）を生成する。
【００７２】
そのほかに、例えば、下記のスキームが提案される。
【化１７】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｍ、Ｌ1，Ｌ2、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4，Ａ5、Ｅ及びＹは、上記の意味を有する。Ｍ1は周期表第４〜１５族の金属であり、Ｘはハロゲン原子、シアノ基（−ＣＮ）又は水酸基である。）
【００７３】
メタラシクロペンテン（ＩＩ）は、イソシアネート（ＩＩＩ）と反応し、中間体（ＶＩｂ）を生成する。この中間体（ＶＩｂ）にアリル誘導体（ＩＶ）と金属化合物Ｍ1Ｘとを添加し、中間体（ＶＩＩｂ）を生成し、次いで、ハロゲン（Ｖ）を添加し、ジヒドロピリドン誘導体（Ｉ）を生成する。
【００７４】
なお、これらの反応機構は仮説に過ぎず、本発明はこれらの反応機構に限定されるものではない。
【００７５】
反応は、好ましくは−１００℃〜３００℃の温度範囲で行われ、特に好ましくは−８０℃〜１００℃の温度範囲、更に好ましくは−５０℃〜５０℃の温度範囲で行われる。圧力は、例えば、０．１バール〜２５００バールの範囲内で、好ましくは０．５バール〜１０バールの範囲内である。
【００７６】
溶媒としては、上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンを溶解することができる溶媒が好ましい。溶媒は、脂肪族又は芳香族の有機溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒドロフラン又はジエチルエーテル；塩化メチレンのようなハロゲン化炭化水素；ｏ−ジクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族炭化水素；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が用いられる。
【００７７】
上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンは、例えば、下記のスキームで生成することができる。
【化１８】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｍ、Ｌ1及びＬ2は、上記意味を有する。）
【００７８】
式（Ｘ）で示されるジエチル体は、対応する有機金属化合物、特にジクロロ体等のジハロゲノ体にエチルグリニャールを−１００℃〜０℃、好ましくは、―１００℃〜−５０℃で作用させて得られる。
【００７９】
本発明において、式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンは、例えば、下記のメタロセンを用いて合成することができる。
【００８０】
なお、ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；ビス（フルオレニル）ジクロロジルコニウム；（インデニル）（フルオレニル）ジクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロチタン；（ジメチルシランジイル）ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（テトラヒドロインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）（インデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジクロロジルコニウムなどのジクロロ体については、ナトリウム等のアルカリ金属、マグネシウム等のアルカリ土類金属のような強塩基で還元するか、又は、ジアルキル体に変換してから、メタラシクロペンテンを生成させる。
【００８１】
ビス（シクロペンタジエニル）ジエチルジルコニウム；
ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジエチルジルコニウム；
ビス（ブチルシクロペンタジエニル）ジエチルジルコニウム；
ビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
ビス（フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
（インデニル）（フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
（３−メチル−５−ナフチルインデニル）（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
（３−メチル−５−ナフチルインデニル）（３，４，７−トリメトキシフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
（シクロペンタジエニル）（１−オクテン−８−イルシクロペンタジエニル）ジエチルジルコニウム；
（インデニル）（１−ブテン−４−イルシクロペンタジエニル）ジエチルジルコニウム；
［１，３−ビス（トリメチルシリル）シクロペンタジエニル］（３，４−ベンゾフルオレニル）ジエチルジルコニウム；。
【００８２】
ビス（シクロペンタジエニル）ジエチルチタン；
ジメチルシランジイルビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−エチルインデニル）（２−エチル−４−フェニルナフチル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−メチルインデニル）（４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；。
【００８３】
メチルフェニルシランジイルビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−エチルインデニル）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−インデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−メチルインデニル）（４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；。
【００８４】
メチルフェニルシランジイルビス（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビスジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−４ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−メチルインデニル）（４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−エチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；。
【００８５】
ジフェニルシランジイルビ；ス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム
ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（２−メチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−メチルインデニル）−１−（４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
ビス（シクロペンタジエニル）ジエチルチタン；
エチレン−１，２−ビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（シクロペンタジエニル）−２−（１−インデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（シクロペンタジエニル）−２−（２−インデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（シクロペンタジエニル）−２−（２−メチル−１−インデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；。
【００８６】
エチレン−１，２−ビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−メチルインデニル）−２−（４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（インデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（１−インデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（４−フェニル−１−インデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジメトキシ−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジブロモ−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジフェニル−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジメチル−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（３−メチルシクロペンタジエニル）−２−（２，７−ジエチル９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）−２−（２，７−ジブチル−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（３−トリメチルシリルシクロペンタジエニル）−２−（３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−［２，７−ビス（３−ブテン−１−イル）−９−フルオレニル］ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−メチルインデニル）−２−（４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム；。
【００８７】
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリル（２−メチル−４フェニルインデニル）（４，５−ベンゾインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１−［メチルシリルビス（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム］−６−［エチルスタニル（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ジシラ−１，１，６，６−テトラメチル−１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム］ヘキサン；
１，４−ジシラ１，４−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４フェニルインデニル）ジエチルジルコニウム］シクロヘキサン；
［１，４−ビス（１−インデニル）−１，１，４，４−テトラメチル−１，４−ジシラブタン］ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニルジエチルジルコニウム）；
［１，４−ビス（９−フルオレニル）−１，１，４，４−テトラメチル−１，４−ジシラブタン］ビス（シクロペンタジエニルジエチルジルコニウム）；
［１，４−ビス（１−インデニル）−１，１，４，４−テトラメチル−１，４−ジシラブタン］ビス（シクロペンタジエニルジエチルジルコニウム）；
［１−（１−インデニル）−６−（２−フェニル−１−インデニル）−１，１，６，６−テトラエチル−１，６−ジシラ−４−オキサヘキサン］ビス（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニルジエチルジルコニウム）；
［１，１０−ビス（２，３−ジメチル−１−インデニル）−１，１，１０，１０−テトラメチル−１，１０−ジゲルマデカン］ビス（２−メチル−４−フェニルインデニルジエチルジルコニウム）；
（１−メチル−３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（１−フェニル−４−メトキシ−７−クロロフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
（４，７−ジクロロインデニル）（３，６−ジメシチルフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
ビス（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９−シクロへキシルフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
（２，７−ジメシチルフルオレニル）［２，７−ビス（１−ナフチル）フルオレニル］ジエチルジルコニウム；
ジメチルシリルビス（フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
ジブチルスタニルビス（２−メチルフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
１，１，２，２−テトラエチルジシランジイル（２−メチルインデニル）（４−フェニルフルオレニル）ジエチルジルコニウム；
プロピレン−１−（２−インデニル）−２−（９−フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
１，１−ジメチル−１−シラエチレンビス（フルオレニル）ジエチルジルコニウム；
［４−（シクロペンタジエニル）４，７，７−トリメチル（テトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
［４−（シクロペンタジエニル）４，７−ジメチル−７−フェニル（５，６−ジメチルテトラヒドロインデニル）ジエチルジルコニウム；
［４−（シクロペンタジエニル）−４，７−ジメチル−７−（１−ナフチル）（７−フェニルテトラヒドロインデニル）］ジエチルジルコニウム；
［４−（シクロペンタジエニル）−４，７−ジメチル−７−ブチル（６，６−ジエチルテトラヒドロインデニル）］ジエチルジルコニウム；
［４−（３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）−４，７，７−トリメチル（テトラヒドロインデニル）］ジエチルジルコニウム；
［４−（１−インデニル）−４，７，７−トリメチル（テトラヒドロインデニル）］ジエチルジルコニウム；
ビス（シクロペンタジエニル）ジエチルハフニウム；
ビス（インデニル）ジエチルバナジウム；
ビス（フルオレニル）ジエチルスカンジウム；
（インデニル）（フルオレニル）ジエチルニオブ；
（２−メチル−７−ナフチルインデニル）（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニル）ジエチルチタン；
臭化（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（テトラヒドロインデニル）ブチルハフニウム；
（シクロペンタジエニル）（１−オクテン−８−イルシクロペンタジエニル）ジエチルハフニウム。
【００８８】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。ただし、本発明は、下記の実施例に制限されるものではない。
【００８９】
有機金属化合物を含め、すべての反応は、窒素雰囲気下で標準的なシュレンク技術を用いて行われた。溶媒として用いたＴＨＦ（テトラヒドロフラン）は、ナトリウム金属、ベンゾフェノンで蒸留して無水とした。ジルコノセンジクロライドは、アルドリッチ（Aldrich Chemical Company, Inc）から、ｎ―ブチルリチウム (1.6M ヘキサン溶液) は、関東化学から購入したものを用い、３―ヘキシン及び５−デシンのようなアルキンは、東京化成（TCI Co. Ltd）から、購入した。塩化銅は、和光純薬工業（Wako Pure Chemical Industries Ltd）から購入した。
【００９０】
1H-NMRおよび13C-NMRスペクトルは、２５℃にて重水素化クロロホルム溶液（ＴＭＳ１％含有）を内部標準として、Bruker ARX-400を用いて測定した。ガスクロマトグラフ分析は、シリカガラスキャピラリカラムSHIMADZU CBP1-M25-O25 及び SHIMADZU C-R6A-Chromatopac integrator を備えたSHIMADZU GC-14A ガスクロマトグラフで測定した。
【００９１】
実施例１
1-フェニル -3,4-ジエチル-6-ヨードメチル-5,6-ジヒドロピリド-2-オン
【００９２】
ビス（η5−シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム (0.365 g, 1.25 mmol) のTHF溶液 (5 ml)に、エチルマグネシウムブロミド(1.0 M, 2.5 mmol) を−78℃にて加えた。同じ温度にて１時間攪拌し、3-ヘキシン (1.0 mmol)を加え、反応混合物を0℃まで昇温させた。３時間攪拌した後、フェニルイソシアネート (1.5 mmol)を反応混合物に加え、50℃にて、３時間攪拌した。続いて、室温まで冷却し、塩化アリル (1.5 mmol)及び10mol%の塩化銅 (0.1 mmol)を反応混合物に加え、50℃にて１時間攪拌した。続いて、ヨウ素2.5 mmol を反応混合物に加え、50℃にて１２時間攪拌した。20%の炭酸水素ナトリウムを加えて反応を終了させ、エーテルで抽出した (3x30 ml)。抽出物は水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で濃縮した後、残渣について、シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、精製した。
【００９３】
GC 収率91%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/9)を行い、黄色液体の表題化合物を288 mg (単離収率78 %)にて得た。
【００９４】
1H NMR (CDCl3, Me4Si)δ1.05(t, J = 7.2Hz, 3H), 1.16(t, J = 7.2Hz, 3H), 2.00-2.50(m, 4H), 2.85-2.90(m, 2H), 3.20-3.40(m, 2H), 3.95-4.10(m, 1H), 7.20-7.50(m, 5H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ4.90, 12.15, 14.47, 19.61, 26.62, 30.77, 59.11, 126.80, 127.29(2C), 129.12(2C), 130.49, 141.35, 145.27, 163.85; 高分解能質量分析計計算値C16H20INO 369.0590, 実測値369.0573。
【００９５】
実施例２
1-フェニル-3,4-ジプロピル-6-ヨードメチル-5,6-ジヒドロピリド-2-オン
【００９６】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、３−ヘキシンの代わりに、４−オクチンを用いた。GC 収率 73%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/10)を行い、黄色液体の表題化合物を230 mg (単離収率58 %)にて得た。
【００９７】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ0.94(t, J = 7.2Hz, 3H), 1.02(t, J = 7.2Hz, 3H), 1.35-1.70(m, 4H), 2.10-2.55(m, 4H), 2.84(d, J = 4.0Hz, 2H), 3.20-3.45(m, 2H), 4.00-4.10(m, 1H), 7.20-7.50(m, 5H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ4.90, 14.20, 14.25, 20.82, 23.04, 28.43, 31.08, 35.78, 59.07, 126.77, 127.27(2C), 129.08(2C), 129.72, 141.30, 144.21, 163.92; 高分解能質量分析計計算値 C18H24INO 397.0903, 実測値 397.0917。
【００９８】
実施例３
1-フェニル-3,4-ジブチル -6-ヨードメチル-5,6-ジヒドロピリド -2-オン
【００９９】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、３−ヘキシンの代わりに、５−デシンを用いた。GC 収率 82%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/10)を行い、白色固体の表題化合物を298 mg (単離収率70 %)にて得た。
【０１００】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ0.92(t, J = 6.9Hz, 3H), 0.98(t, J = 6.9Hz, 3H), 1.10-1.30(m, 8H), 2.00-2.30(m, 4H), 2.84(d, J = 3.6Hz, 2H), 3.10-3.22(m, 2H), 4.00-4.10(m, 1H), 7.10-7.25(m, 5H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ5.04, 13.99(2C), 22.90, 23.02, 26.33, 29.76, 31.24, 32.15, 33.52, 59.21, 126.85, 127.36(2C), 129.18(2C), 129.85, 141.44, 144.31, 164.02; 高分解能質量分析計計算値 C20H18INO 425.1216, 実測値 425.1205。
【０１０１】
実施例４
1-フェニル-3,4-ジプロピル -6-(1'-ヨードエチル)- 5,6-ジヒドロピリド -2-オン
【０１０２】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、３−ヘキシンの代わりに、４−オクチンを用いた。また、塩化アリルの代わりに、1-メチル-1-クロロ-2-プロペンを用いた。GC 収率 67%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/10)を行い、黄色液体の表題化合物を200 mg (単離収率49 %)にて得た。
【０１０３】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ0.95(t, J = 7.3Hz, 3H), 1.02(t, J = 7.2Hz, 3H), 1.4 0-1.50(m, 2H), 1.55-1.65(m, 2H), 1.82(d, J = 7.2Hz, 3H), 2.20-2.30(m, 3H), 2.40-2.50(m, 1H), 2.80-2.95(m, 2H), 3.90-3.96(m, 1H), 4.20-4.45(m, 1H), 7.20-7.40(m, 5H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ14.27, 14.31, 20.77, 22.99, 25.98, 28.55, 30.09, 32.70, 35.94, 63.52, 126.33, 127.39(2C), 128.74(2C), 129.63, 142.13, 144.69, 164.41; 高分解能質量分析計計算値 C19H26INO 411.1059, 実測値 411.1044。
【０１０４】
実施例５
1-フェニル-3,4-ジプロピル -6-ヨードメチル -6-メチル-5-ヒドロピリド-2-オン
【０１０５】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、３−ヘキシンの代わりに、４−オクチンを用いた。また、塩化アリルの代わりに、1-クロロ-2-メチル-2-プロペンを用いた。GC 収率 94%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/7)を行い、黄色液体の表題化合物を312 mg (単離収率76 %)にて得た。
【０１０６】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ0.93(t, J = 7.3Hz, 3H), 1.01(t, J = 7.3Hz, 3H), 1.22(s, 3H), 1.35-1.50(m, 2H), 1.50-1.70(m, 2H), 2.15-2.45(m, 4H), 2.53(d, J = 17.2Hz, 1H), 2.84(d, J = 17.2Hz, 1H), 3.35(d, J = 9.7Hz, 1H), 3.68(d, J = 9.8Hz, 1H), 7.05-7.15(m, 2H), 7.30-7.45(m, 3H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ13.46, 14.23, 14.27, 20.80, 23.00, 26.66, 28.57, 35.72, 40.22, 57.51, 127.69(2C), 129.04(2C), 129.64, 130.41, 138.52, 144.57, 165.89; 高分解能質量分析計計算値 C19H26INO 411.1509, 実測値 411.1507。
【０１０７】
実施例６
1-フェニル-3-ブチル-4-トリメチルシリル -6-ヨードメチル -5,6-ジヒドロピリド-2-オン
【０１０８】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、３−ヘキシンの代わりに、１−トリメチルシリル−１−オクチンを用いた。GC 収率 71%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/1)を行い、黄色液体の表題化合物を233 mg (単離収率53 %)にて得た。
【０１０９】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ0.29(s, 9H), 0.93(t, J = 7.1Hz, 3H), 1.30-1.50(m, 4H), 2.20-2.35(m, 1H), 2.60-2.70(m, 1H), 2.79(dd, J = 17.5Hz, 6.0Hz, 1H), 3.02(dd, J = 17.5Hz, 1.9Hz, 1H), 3.20-3.30(m, 1H), 3.35-3.50(m, 1H), 4.00-4.10(m, 1H), 7.20-7.35(m, 3H), 7.38-7.50(m, 2H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ-0.48(3C), 4.24, 14.00, 23.09, 30.64, 31.14, 32.85, 59.88, 126.92, 127.02(2C), 129.22(2C), 141.29, 142.30, 144.26, 162.66; 高分解能質量分析計計算値 C19H28INO 441.0985, 実測値 441.0984。
【０１１０】
実施例７
1-(4'-フルオロフェニル)-3,4-ジフェニル -6-ヨードメチル -5,6-ジヒドロピリド -2-オン
【０１１１】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、３−ヘキシンの代わりに、１，２−ジフェニルアセチレンを用いた。また、フェニルイソシアネートの代わりに、ｐ−フルオロフェニルイソシアネートを用いた。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/5)を行い、白色固体の表題化合物を308 mg (単離収率64 %)にて得た。図１に表題化合物の単結晶Ｘ線構造解析の図を示す。
【０１１２】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ3.40-3.45(m, 2H), 3.46-3.50(m, 1H), 3.72(t, J = 10.4Hz, 1H), 4.25-4.30(m, 1H), 7.10-7.30(m, 12H), 7.33-7.40(m, 2H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ4.67, 34.20, 59.36, 116.05(d, JFC = 23Hz, 2C), 127.04, 127.40(2C), 127.95, 128.03(2C), 128.69(2C), 129.27(d, JFC = 8.5Hz, 2C), 131.10(2C), 131.36, 134.79, 136.82(d, JFC = 3.2Hz), 139.17, 144.96, 161.20(d, JFC= 245Hz), 163.41。
【０１１３】
実施例１〜７の結果を表１に示す。
【０１１４】
【表１】
なお、収率は、NMR収率を示す。単離収率はかっこ内に記載する。
【０１１５】
【発明の効果】
本発明の方法により、簡易にジヒドロピリドン誘導体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 1-(4'-フルオロフェニル)-3,4-ジフェニル -6-ヨードメチル -5,6-ジヒドロピリド -2-オンの単結晶Ｘ線構造解析の図である。
Claims (5)
- 下記式（Ｉ）で示されるジヒドロピリドン誘導体を製造する方法であって、
下記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンテンと、
下記式（ＩＩＩ）で示されるイソシアネートとを反応させ、反応混合物を得る工程と、
ハロゲン化銅（Ｉ）、ハロゲン化パラジウム（ＩＩ）及びハロゲン化ビスマス（ＩＩＩ）からなる群から選ばれる金属化合物の存在下、前記反応混合物と、下記式（ＩＶ）で示されるアリル誘導体と、
下記式（Ｖ）で示されるハロゲンとを
Ｙ2 （Ｖ）
（式中、Ｙは、上記の意味を有する。）
反応させる工程とを含むことを特徴とするジヒドロピリドン誘導体の製造方法。 - 前記金属化合物が、ハロゲン化銅（Ｉ）である、請求項１に記載のジヒドロピリドン誘導体の製造方法。
- 前記アニオン性配位子が、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基及びアズレニル基からなる群から選ばれる非局在化環状η5−配位系配位子である、請求項１又は２に記載のジヒドロピリドン誘導体の製造方法。
- 前記アニオン性配位子が、シクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、イソプロピルシクロペンタジエニル基、ｎ−ブチルシクロペンタジエニル基、ｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、ジエチルシクロペンタジエニル基、ジイソプロピルシクロペンタジエニル基、ジ−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、インデニル基、２−メチルインデニル基、２−メチル−４−フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基、オクタヒドロフルオレニル基及びアズレニル基からなる群から選ばれる非局在化環状η 5 −配位系配位子である、請求項１又は２に記載のジヒドロピリドン誘導体の製造方法。
- 下記式（Ｉ）で示されるジヒドロピリドン誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2002161083A JP2002161083A (ja) | 2002-06-04 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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