JP4361045B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4361045B2
JP4361045B2 JP2005297378A JP2005297378A JP4361045B2 JP 4361045 B2 JP4361045 B2 JP 4361045B2 JP 2005297378 A JP2005297378 A JP 2005297378A JP 2005297378 A JP2005297378 A JP 2005297378A JP 4361045 B2 JP4361045 B2 JP 4361045B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
tray
support portion
placement
outer peripheral
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2005297378A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2007109770A5 (enExample
JP2007109770A (ja
Inventor
尚吾 置田
浩海 朝倉
彰三 渡邉
隆三 宝珍
宏之 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2005297378A priority Critical patent/JP4361045B2/ja
Priority to US12/090,214 priority patent/US7736528B2/en
Priority to KR1020087008556A priority patent/KR100964775B1/ko
Priority to PCT/JP2006/320216 priority patent/WO2007043528A1/ja
Priority to KR1020097025501A priority patent/KR101153118B1/ko
Priority to TW098136303A priority patent/TW201015638A/zh
Priority to TW095137303A priority patent/TWI326468B/zh
Publication of JP2007109770A publication Critical patent/JP2007109770A/ja
Publication of JP2007109770A5 publication Critical patent/JP2007109770A5/ja
Priority to US12/578,844 priority patent/US8231798B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4361045B2 publication Critical patent/JP4361045B2/ja
Priority to US13/527,807 priority patent/US8591754B2/en
Priority to US14/061,984 priority patent/US20140048527A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
JP2005297378A 2005-10-12 2005-10-12 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Expired - Lifetime JP4361045B2 (ja)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005297378A JP4361045B2 (ja) 2005-10-12 2005-10-12 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR1020087008556A KR100964775B1 (ko) 2005-10-12 2006-10-10 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
PCT/JP2006/320216 WO2007043528A1 (ja) 2005-10-12 2006-10-10 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及びトレイ
KR1020097025501A KR101153118B1 (ko) 2005-10-12 2006-10-10 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
US12/090,214 US7736528B2 (en) 2005-10-12 2006-10-10 Plasma processing apparatus and plasma processing method
TW095137303A TWI326468B (en) 2005-10-12 2006-10-11 Plasma processing apparatus, plasma processing method, and tray
TW098136303A TW201015638A (en) 2005-10-12 2006-10-11 Plasma processing apparatus, plasma processing method, and tray
US12/578,844 US8231798B2 (en) 2005-10-12 2009-10-14 Plasma processing apparatus and plasma processing method
US13/527,807 US8591754B2 (en) 2005-10-12 2012-06-20 Plasma processing apparatus and plasma processing method
US14/061,984 US20140048527A1 (en) 2005-10-12 2013-10-24 Plasma processing apparatus and plasma processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005297378A JP4361045B2 (ja) 2005-10-12 2005-10-12 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009019862A Division JP4969595B2 (ja) 2009-01-30 2009-01-30 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2009019867A Division JP4783440B2 (ja) 2009-01-30 2009-01-30 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2009070046A Division JP4781445B2 (ja) 2009-03-23 2009-03-23 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007109770A JP2007109770A (ja) 2007-04-26
JP2007109770A5 JP2007109770A5 (enExample) 2008-11-27
JP4361045B2 true JP4361045B2 (ja) 2009-11-11

Family

ID=38035418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005297378A Expired - Lifetime JP4361045B2 (ja) 2005-10-12 2005-10-12 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4361045B2 (enExample)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013014860A1 (ja) * 2011-07-26 2013-01-31 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR20190005750A (ko) 2017-07-06 2019-01-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100964775B1 (ko) 2005-10-12 2010-06-21 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
TW201005825A (en) 2008-05-30 2010-02-01 Panasonic Corp Plasma processing apparatus and method
JP5352777B2 (ja) * 2009-01-30 2013-11-27 パナソニック株式会社 水晶デバイスの製造方法
JP4969595B2 (ja) * 2009-01-30 2012-07-04 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5406067B2 (ja) 2009-02-16 2014-02-05 キヤノンアネルバ株式会社 トレイ及び真空処理装置
JP4781445B2 (ja) * 2009-03-23 2011-09-28 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2010225775A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Panasonic Corp プラズマ処理装置
JP2010232250A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Panasonic Corp プラズマ処理装置
WO2010109848A1 (ja) * 2009-03-26 2010-09-30 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5324975B2 (ja) * 2009-03-26 2013-10-23 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
JP4709945B2 (ja) * 2009-04-13 2011-06-29 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5071437B2 (ja) * 2009-05-18 2012-11-14 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法
JP5378902B2 (ja) * 2009-08-04 2013-12-25 株式会社アルバック プラズマ処理装置のプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP5243465B2 (ja) * 2010-01-28 2013-07-24 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
JP5291644B2 (ja) * 2010-02-17 2013-09-18 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置用のトレイ
CN102859645B (zh) 2010-02-24 2016-05-04 威科仪器有限公司 带温度分布控制的加工方法和装置
US20130068726A1 (en) * 2010-05-27 2013-03-21 Shogo Okita Plasma processing apparatus
JP5631755B2 (ja) * 2011-01-14 2014-11-26 パナソニック株式会社 プラズマ処理システム
JP5550602B2 (ja) * 2011-04-28 2014-07-16 パナソニック株式会社 静電チャックおよびこれを備えるドライエッチング装置
JP5567531B2 (ja) * 2011-08-25 2014-08-06 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5539436B2 (ja) * 2012-04-26 2014-07-02 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6029049B2 (ja) * 2012-06-08 2016-11-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 トレイ、プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、およびカバー部材
KR101228484B1 (ko) * 2012-07-03 2013-01-31 주식회사 기가레인 플라즈마 처리장치의 기판 재치대
JP2013153171A (ja) * 2013-02-15 2013-08-08 Panasonic Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9273413B2 (en) 2013-03-14 2016-03-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with temperature distribution control
JP5595549B2 (ja) * 2013-03-28 2014-09-24 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置用トレイ、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法
JP6348321B2 (ja) * 2013-05-17 2018-06-27 キヤノンアネルバ株式会社 エッチング装置
US20170002465A1 (en) 2015-06-30 2017-01-05 Lam Research Corporation Separation of Plasma Suppression and Wafer Edge to Improve Edge Film Thickness Uniformity
NZ785529A (en) * 2016-07-29 2023-03-31 Molecular Imprints Inc Substrate loading in microlithography
CN109923658B (zh) * 2016-11-03 2022-11-04 分子印记公司 基板装载系统
JP6858035B2 (ja) * 2017-02-27 2021-04-14 新光電気工業株式会社 基板固定具及び基板固定装置
KR102330944B1 (ko) * 2018-01-29 2021-12-01 가부시키가이샤 알박 반응성 이온 에칭 장치
KR102543933B1 (ko) 2018-04-05 2023-06-14 램 리써치 코포레이션 냉각제 가스 존들 및 대응하는 그루브 및 단극성 정전 클램핑 전극 패턴들을 갖는 정전 척들
KR102649714B1 (ko) * 2020-10-27 2024-03-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
CN114141683A (zh) * 2021-11-26 2022-03-04 北京北方华创微电子装备有限公司 静电托盘及基座

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04313220A (ja) * 1991-04-10 1992-11-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機金属気相成長装置
JPH0642331Y2 (ja) * 1993-02-09 1994-11-02 日電アネルバ株式会社 ドライエッチング装置
JPH07335616A (ja) * 1994-06-06 1995-12-22 Hitachi Ltd ウエハ処理装置
JPH11121600A (ja) * 1997-10-20 1999-04-30 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP4463363B2 (ja) * 1998-12-28 2010-05-19 東京エレクトロン株式会社 下部電極構造およびそれを用いたプラズマ処理装置
JP2001230234A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及び方法
JP3960929B2 (ja) * 2003-02-25 2007-08-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP3950806B2 (ja) * 2003-03-05 2007-08-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP4547182B2 (ja) * 2003-04-24 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013014860A1 (ja) * 2011-07-26 2013-01-31 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5613837B2 (ja) * 2011-07-26 2014-10-29 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPWO2013014860A1 (ja) * 2011-07-26 2015-02-23 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR20190005750A (ko) 2017-07-06 2019-01-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007109770A (ja) 2007-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4361045B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101153118B1 (ko) 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
JP2007109771A (ja) プラズマ処理装置用のトレイ
KR20110137775A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP5243465B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4841686B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2020017590A (ja) 基板支持装置およびプラズマ処理装置
JP5595549B2 (ja) プラズマ処理装置用トレイ、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法
JP2019149422A (ja) プラズマ処理装置及び載置台の製造方法
US11948790B2 (en) Heater support kit for bevel etch chamber
JP2013153171A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2010232250A (ja) プラズマ処理装置
JP2010225775A (ja) プラズマ処理装置
JP4781445B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP4969595B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5539436B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5324975B2 (ja) プラズマ処理装置
KR102689924B1 (ko) 경사면 에칭 챔버를 위한 가열기 지지 키트
KR102504269B1 (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP4783440B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR102895921B1 (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
KR102865275B1 (ko) 기판 지지 유닛과 이를 가지는 기판 처리 장치 및 링 반송 방법
JP2017220591A (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置用トレイ

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081009

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081009

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20081009

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20081023

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090224

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090526

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090624

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090714

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090811

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4361045

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120821

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130821

Year of fee payment: 4