JP4359629B2 - 化学増幅型レジスト組成物の製造方法 - Google Patents
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Description
加速試験でこのような大きな経時劣化を示したものは、従来事故品として、使用した材料の同一ロットを廃棄する等の処置を取ってきたが、予め問題となる原因が明らかであれば、歩留まりを向上するとともに事故を事前に防止することができる。
本発明は上記問題を解決することにより、製造したレジスト組成物より得たレジスト膜の解像性能の安定化を可能とするレジスト組成物の製造方法、及びその製造方法によりロット間で経時劣化の差が小さいレジスト組成物を提供することを目的とする。
本発明の製造方法は、前記溶剤を選択する工程が、過酸化物含有量を測定するステップを含んでいてよく、また、過酸化物含有量が前記許容値以下である溶剤によって過酸化物含有量が前記許容値を超える溶剤を希釈するステップを含んでいてもよい。
本発明の製造方法は、前記溶剤が、分子内に炭素―炭素二重結合、エーテル結合、カルボニルオキシ基、および/または、水酸基を含有する場合にも好適に用いられる。
上記溶解性が変化する機能は、ポジ型であれば、通常、フェノール性水酸基やカルボキシル基、更に場合によっては近接位を複数のフッ素で置換されたアルコール性水酸基を、酸により脱保護される保護基でマスクした官能基を有する材料により得られることはよく知られている。この酸により脱保護される保護基も多数のものが知られており、一般的分類としては、3級炭素類、アセタール類が挙げられる。(例えば、特許文献2および3を参照。)
具体的には、第一級の脂肪族アミン類として、ブチルアミン、ペンチルアミン、tert−アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示され、
第二級の脂肪族アミン類として、ジ−n−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−n−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−sec−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N−ジメチルメチレンジアミン、N,N−ジメチルエチレンジアミン、N,N−ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示され、
第三級の脂肪族アミン類として、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−sec−ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルメチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。
また、混成アミン類としては、例えば、ジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が例示される。
芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体(例えば、アニリン、N−メチルアニリン、N−エチルアニリン、N−プロピルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、2−メチルアニリン、3−メルアニリン、4−メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、2−ニトロアニリン、3−ニトロアニリン、4−ニトロアニリン、2,4−ジニトロアニリン、2,6−ジニトロアニリン、3,5−ジニトロアニリン、N,N−ジメチルトルイジン等)、ジフェニル(p−トリル)アミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体(例えば、ピロール、2H−ピロール、1−メチルピロール、2,4−ジメチルピロール、2,5−ジメチルピロール、N−メチルピロール等)、オキサゾール誘導体(例えば、オキサゾール、イソオキサゾール等)、チアゾール誘導体(例えば、チアゾール、イソチアゾール等)、イミダゾール誘導体(例えば、イミダゾール、4−メチルイミダゾール、4−メチル−2−フェニルイミダゾール等)、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体(例えば、ピロリン、2−メチル−1−ピロリン等)、ピロリジン誘導体(例えば、ピロリジン、N−メチルピロリジン、ピロリジノン、N−メチルピロリドン等)、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体(例えば、ピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、4−(1−ブチルペンチル)ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、3−メチル−2−フェニルピリジン、4−tert−ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、1−メチル−2−ピリジン、4−ピロリジノピリジン、1−メチル−4−フェニルピリジン、2−(1−エチルプロピル)ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等)、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、1H−インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体(例えば、キノリン、3−キノリンカルボニトリル等)、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,10−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。
更に、カルボキシル基を有する含窒素化合物としては、例えば、アミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体(例えば、ニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、3−アミノピラジン−2−カルボン酸、メトキシアラニン等)などが例示され、
スルホニル基を有する含窒素化合物として、3−ピリジンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示され、
ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物としては、2−ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、2,4−キノリンジオール、3−インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、2,2’−イミノジエタノール、2−アミノエタノール、3−アミノ−1−プロパノール、4−アミノ−1−ブタノール、4−(2−ヒドロキシエチル)モルホリン、2−(2−ヒドロキシエチル)ピリジン、1−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン、1−[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エチル]ピペラジン、ピペリジンエタノール、1−(2−ヒドロキシエチル)ピロリジン、1−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリジノン、3−ピペリジノ−1,2−プロパンジオール、3−ピロリジノ−1,2−プロパンジオール、8−ヒドロキシユロリジン、3−クイヌクリジノール、3−トロパノール、1−メチル−2−ピロリジンエタノール、1−アジリジンエタノール、N−(2−ヒドロキシエチル)フタルイミド、N−(2−ヒドロキシエチル)イソニコチンアミド等が例示される。
アミド誘導体としては、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が例示される。
イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。
更に下記一般式(B)−1で示される塩基性化合物から選ばれる1種または2種以上を添加することもできる。
N(Z)n(Y)3-n (B)−1
式中、n=1、2、3である。側鎖Zは同一でも異なっていてもよく、下記一般式(Z)−1〜(Z)−3で表すことができる。側鎖Yは同一または異種の、水素原子もしくは直鎖状、分岐状、あるいは環状の炭素数1〜20のアルキル基を示し、エーテル基もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、Z同士が結合して環を形成してもよい。
一般式(B)−1で表される化合物は具体的には下記に例示される。
トリス[2−(メトキシメトキシ)エチル]アミン、トリス[2−(2−メトキシエトキシ)エチル]アミン、トリス[2−(2−メトキシエトキシメトキシ)エチル]アミン、トリス[2−(1−メトキシエトキシ)エチル]アミン、トリス[2−(1−エトキシエトキシ)エチル]アミン、トリス[2−(1−エトキシプロポキシ)エチル]アミン、トリス[2−{2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン、4,7,13,16,21,24−ヘキサオキサ−1,10−ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサン、4,7,13,18−テトラオキサ−1,10−ジアザビシクロ[8.5.5]エイコサン、1,4,10,13−テトラオキサ−7,16−ジアザビシクロオクタデカン、1−アザ−12−クラウン−4、1−アザ−15−クラウン−5、1−アザ−18−クラウン−6、トリス(2−ホルミルオキシエチル)アミン、トリス(2−ホルミルオキシエチル)アミン、トリス(2−アセトキシエチル)アミン、トリス(2−プロピオニルオキシエチル)アミン、トリス(2−ブチリルオキシエチル)アミン、トリス(2−イソブチリルオキシエチル)アミン、トリス(2−バレリルオキシエチル)アミン、トリス(2−ピバロイルオキシエチル)アミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(アセトキシアセトキシ)エチルアミン、トリス(2−メトキシカルボニルオキシエチル)アミン、トリス(2−tert−ブトキシカルボニルオキシエチル)アミン、トリス[2−(2−オキソプロポキシ)エチル]アミン、トリス[2−(メトキシカルボニルメチル)オキシエチル]アミン、トリス[2−(tert−ブトキシカルボニルメチルオキシ)エチル]アミン、トリス[2−(シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ)エチル]アミン、トリス(2−メトキシカルボニルエチル)アミン、トリス(2−エトキシカルボニルエチル)アミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(エトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(エトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2−ヒドロキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−アセトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2−オキソプロポキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−オキソプロポキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−[(2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル)オキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−[(2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル)オキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(4−ヒドロキシブトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ホルミルオキシエチル)2−(4−ホルミルオキシブトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ホルミルオキシエチル)2−(2−ホルミルオキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−メトキシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミン、N−(2−ヒドロキシエチル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−アセトキシエチル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−ヒドロキシエチル)ビス[2−(エトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−アセトキシエチル)ビス[2−(エトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(3−ヒドロキシ−1−プロピル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(3−アセトキシ−1−プロピル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−メトキシエチル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−ブチルビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−ブチルビス[2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチル]アミン、N−メチルビス(2−アセトキシエチル)アミン、N−エチルビス(2−アセトキシエチル)アミン、N−メチルビス(2−ピバロイルオキシエチル)アミン、N−エチルビス[2−(メトキシカルボニルオキシ)エチル]アミン、N−エチルビス[2−(tert−ブトキシカルボニルオキシ)エチル]アミン、トリス(メトキシカルボニルメチル)アミン、トリス(エトキシカルボニルメチル)アミン、N−ブチルビス(メトキシカルボニルメチル)アミン、N−ヘキシルビス(メトキシカルボニルメチル)アミン、β−(ジエチルアミノ)−δ−バレロラクトンを例示できる。これらは場合により2種以上が組み合わされて用いられる場合もある。
200ml共栓付フラスコに試料10mlを精密に採取し、酢酸:クロロホルム溶液(3:2)25mlを加えた。これに飽和ヨウ化カリウム溶液を1ml加えた混ぜた後、暗所に10分間放置した。これに蒸留水30mlとでんぷん溶液1mlを加え、0.01Nチオ硫酸ナトリウム溶液で無色になるまで滴定した。
次に試料を加えない状態で上記操作を行って空試験とした。
過酸化物量は下記式に基づいて算出した。
過酸化物(mmol/L)=(A−B)xF/試料量(ml)x100÷2
A:滴定に要した0.01Nチオ硫酸ナトリウムの消費量(ml)
B:空試験の滴定に要した0.01Nチオ硫酸ナトリウムの消費量(ml)
F:0.01Nチオ硫酸ナトリウムの力価
なお、本分析法による過酸化物の検出限界は0.01mmol/Lである。
[実験例1]乳酸エチルの空気酸化量の測定
日常実験室中で開封使用されている18Lのポリタンクに入った実験用乳酸エチルを、経時的に過酸化物含量の分析を行ったところ、下記表1に示したように、日数を追って、空気酸化がかなり進行していることが確認された。
上記試験法により過酸化物をそれぞれ5.0mmol/L、8.3mmol/L、15.0mmol/L含有することが確認された乳酸エチルを用いて、トリス(2−メトキシメトキシエチル)アミン2gの乳酸エチル1L溶液を調製した。窒素雰囲気下、これらをそれぞれ23℃及び0℃で160時間攪拌した後、1H−NMRを測定して、窒素酸化物の生成量(未酸化アミンに対するモル比)を求めた。
1H−NMRの測定は、日本電子製JNM−EPP−300(300MHz)を用いて行い、上記サンプル溶液にDMSO−d6を加えて測定した。得られたシグナルのアミン(4.574ppm)の積分強度に対するアミン酸化物(4.598ppm)の積分強度から、アミン酸化物の生成量を求めたところ、23℃では、37.1%、54.0%、62.8%のアミンが、0℃では20.3%、38.4%、45.2%が、それぞれアミン酸化物に酸化されていることが確認された。
下記組成の化学増幅型レジスト組成物を、過酸化物をそれぞれ(I)2.1mmol/L、(II)5.3mmol/L、(III)10.4mmol/L含有する乳酸エチル及び0.01mmol/L以下の過酸化物を含有するプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを使用して調整した。
レジスト組成
ポリマーとして、下記式で表されるポリマー 80質量部、
N(CH2CH2OCH2OCH3)3
乳酸エチルとして1100質量部、および、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとして470質量部、
以上の材料を混合して溶液とした後、0.03μmのフィルターで濾過し、レジスト塗布組成物とした。
それぞれのレジスト組成物は、遮光容器に空間が殆どないように充填し、室温で1ヶ月間保存したものを、それぞれサンプル(I)、サンプル(II)、サンプル(III)とした。
次に標準サンプル(I)として過酸化物を1.8mmol/Lに対して含有する過酸化物が0.01mmol/L以下であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを混合し、標準サンプル(II)として過酸化物を10.1mmol/L含有する乳酸エチルに対して含有する過酸化物が0.01mmol/L以下であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを混合し、上記組成のレジスト組成物を調製し、比較用標準サンプル(I)及び(II)とした。なお、比較用標準サンプルは調製後、直ちに下記処理に使用した。
上記3つの保存サンプル及び比較用サンプルをそれぞれ、表面にCrを積層したシリコンウエハー上にスピンコートし、次いで、このウエハーを110℃のホットプレート上で4分間加熱して、厚さ約300nmのレジストのレジスト膜を得た。
更に電子線露光装置(日立ハイテクノロジー社製、HL−800D、加速電圧50keV)を用いて露光し、110℃で4分間ベーク(PEB:post exposure bake)を行って、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行うと、ポジ型のレジストパターンを得た。
得られたパターンの評価は、ウエハーを割断した後、走査型電子顕微鏡(日立製作所製 S4700H)を用いてレジストパターン形状を観察した。
結果を下記表2に示す。
下記組成の化学増幅型レジスト組成物を、過酸化物をそれぞれ(IV)2.1mmol/L、(V)5.3mmol/L、(VI)10.4mmol/L含有する乳酸エチル及び0.01mmol/L以下の過酸化物を含有するプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを使用して調整した。
レジスト組成
ポリマー 下記式で表されるポリマー 80質量部、
N(CH2CH2OCH2OCH3)3
乳酸エチル 760質量部、および、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 320質量部、
以上の材料を混合して溶液とした後、0.03μmのフィルターで濾過し、レジスト塗布組成物とした。
それぞれのレジスト組成物は、遮光容器に空間が殆どないように充填し、室温で1ヶ月間保存したものを、それぞれサンプル(IV)、サンプル(V)、サンプル(VI)とした。
次に標準サンプル(III)として過酸化物を1.8mmol/L含有する乳酸エチルに対して過酸化物が0.01mmol/L以下であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを混合し、標準サンプル(IV)として過酸化物を10.1mmol/Lを含有する乳酸エチルに対して過酸化物が0.01mmol/L以下であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを混合し、上記組成のレジスト組成物を調製し、比較用標準サンプル(III)及び(IV)とした。なお、比較用標準サンプルは調製後、直ちに下記処理に使用した。
上記3つの保存サンプル及び比較用サンプルをそれぞれ、表面にCrを積層したシリコンウエハー上にスピンコートし、次いで、このウエハーを110℃のホットプレート上で4分間加熱して、厚さ約300nmのレジストのレジスト膜を得た。
更に電子線露光装置(日立ハイテクノロジー社製、HL−800D、加速電圧50keV)を用いて露光し、120℃で4分間ベーク(PEB:post exposure bake)を行って、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行うと、ポジ型のレジストパターンを得た。
得られたパターンの評価は、ウエハーを割断した後、走査型電子顕微鏡[SEM](日立製作所製 S4700H)を用いてレジストパターン形状を観察した。
結果を下記表3に示す。
そこで、レジストを調製する際、使用する溶剤に含有される過酸化物の濃度を測定しておくことにより、そのような不良品を生じさせる危険性が回避でき、製品の信頼性を確保することができる。
Claims (4)
- 結合剤、酸発生剤、窒素含有塩基性物質及び溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物の製造方法であって、
前記溶剤として、過酸化物含有量が許容値以下である溶剤を選択する工程と、前記選択された溶剤中でレジスト組成物構成用材料を混合する工程とを含んでなる化学増幅型レジスト組成物の製造方法。 - 前記溶剤を選択する工程が、過酸化物含有量を測定するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。
- 前記溶剤を選択する工程が、過酸化物含有量が前記許容値以下である溶剤によって過酸化物含有量が前記許容値を超える溶剤を希釈するステップを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。
- 前記溶剤が、分子内に炭素―炭素二重結合、エーテル結合、カルボニルオキシ基、および/または、水酸基を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。
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