JP4359500B2 - ジルコニウム触媒によるβ−ジカルボニルのヒドロキシル化 - Google Patents

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Description

本発明は、β−ジカルボニル化合物のヒドロキシル化方法に関する。
ある種のβ−ジカルボニル化合物(すなわち、β−ケトエステルおよびそれらのヒドロキシル化誘導体)は、精密化学製品、医薬品および殺節足動物性オキサジアジンのような植物保護製品の製造のための中間体として有用である。殺節足動物性オキサジアジンについては、PCT公報(特許文献1および特許文献2)に開示されている。またβ−ケトエステルのヒドロキシル化に関与する製造工程を含む、これらの化合物を製造する方法については、特許文献3に報告されている。しかしながら、より経済的な商業的業務を行うために、これらの化合物を製造する方法の改善が望まれている。従って、本発明は、殺節足動物性オキサジアジンの製造において有用であるものを含むヒドロキシル化β−ジカルボニル化合物を製造するための改善方法を提供する。
WO 92/11249号パンフレット WO 93/19045号パンフレット WO 95/29171号パンフレット
本発明は、*により示されるヒドロキシル化中心においてアキラル、ラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている、式I
Figure 0004359500
(式中、
はH;あるいはそれぞれ場合により置換されていてもよいアルコキシ、アルキル、シクロアルキル、シクロアルコキシ、フェニル環、フェノキシ環または5員もしくは6員芳香族複素環であり、
はH;あるいはそれぞれ場合により置換されていてもよいアルキル、シクロアルキル、フェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環であり、
はH;あるいはそれぞれ場合により置換されていてもよいアルコキシ、アルキル、シクロアルキル、シクロアルコキシ、フェニル環、フェノキシ環または5員もしくは6員芳香族複素環であるか、あるいは
およびRは一緒になって、炭素員を少なくとも1員含み、場合により2員以下の炭素員をC(=O)として含んでいてもよく、場合により窒素および酸素から選択される1員を含んでいてもよく、かつそれぞれ場合により置換されていてもよい場合によりフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環に縮合されていてもよい、場合により置換されていてもよい3員〜6員の連結鎖を形成することができるか、あるいは
およびRは一緒になって、炭素員を少なくとも1員含み、場合により1員以下の炭素員をC(=O)として含んでいてもよく、かつそれぞれ場合により置換されていてもよい場合によりフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環に縮合されていてもよい、場合により置換されていてもよい2員〜5員の連結鎖を形成することができる)
の化合物を製造する方法であって、
式II
Figure 0004359500
(式中、R、RおよびRは上記に定義された通りである)
の化合物をジルコニウム錯体および酸化剤と接触させることを含んでなる方法に関する。
また本発明は、ジルコニウムと式III
Figure 0004359500
(式中、
Jは炭素原子員を少なくとも1員ならびに場合により窒素および酸素から選択されてもよい1員からなり、そのうち2員以下の炭素原子員がC(=O)として置換されている、場合により置換されていてもよい2員〜4員の連結鎖であり;該連結鎖は、隣接連結鎖員を通して、各環または環系が場合により置換されていてもよいC〜Cシクロアルキル環、C〜C非芳香族複素環式環、フェニル環または1,2−ナフタレニル環系からなる群より選択される1つもしくは2つの環または環系に場合により縮合されていてもよく;結合された窒素原子は、示された通り、Jおよび互いに関して立体特異的配向で保持されており;
各Rは独立してハロゲン;NO;シアノ;C〜Cアルコキシカルボニル;N(C〜Cアルキル);CON(C〜Cアルキル);C〜Cアルコキシ;C〜Cアルキルカルボニルオキシ;C〜Cアルコキシカルボニルオキシ;場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ;(C〜Cアルキル)シリル;トリ(C〜Cアルキル)シロキシ;場合により1つ〜3つのフェニル環により置換されていてもよいC〜Cアルキル;場合によりC〜Cアルキルにより置換されていてもよいC〜Cシクロアルキル;アダマンチル;各環が場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環からなる群より選択され、そして
2つのRが隣接フェニル環炭素原子に結合している場合、該2つのRは、フェニル環と一緒になって、場合によりナフタレン環系のいずれかの環において置換されていてもよい該ナフタレン環系を形成することができ、そして
各nは独立して0〜4の整数である)
のキラル配位子とを含んでなるキラルジルコニウム錯体にも関する。
また本発明は、ジルコニウムと式IIIの鏡像異性体である配位子とを含んでなるキラルジルコニウム錯体にも関し、前記鏡像異性体は式ent−IIIと示される。
また本発明は、(a)Jが隣接炭素原子を介して式IIIの残りの部分に連結しているCシクロアルキル環である場合、少なくとも1つのnは1〜4の整数であり;(b)Jが隣接炭素原子を介して式IIIの残りの部分に連結しているCシクロアルキル環である場合、1つのフェニル環上において、nは2であり、かつ(Rは3−t−ブチル−5−メチルであり、他のフェニル環上における(Rは3−t−ブチル−5−メチル以外であり;そして(c)Jが2位および2’位を介して式IIIの残りの部分に連結している1,1’−ビナフタレニル環系である場合、少なくとも1つのnは1〜4の整数であるという条件で、前記で定義された式IIIの化合物にも関する。
また本発明は、(a)Jが隣接炭素原子を介して式ent−IIIの残りの部分に連結しているCシクロアルキル環である場合、少なくとも1つのnは1〜4の整数であり;(b)Jが隣接炭素原子を介して式ent−IIIの残りの部分に連結しているCシクロアルキル環である場合、1つのフェニル環上において、nは2であり、かつ(Rは3−t−ブチル−5−メチルであり、他のフェニル環上における(Rは3−t−ブチル−5−メチル以外であり;(c)Jが隣接炭素原子を介して式ent−IIIの残りの部分に連結しているCシクロアルキル環である場合、1つのフェニル環において、nは2であり、かつ(Rは3−t−ブチル−5−t−ブチルであり、他のフェニル環における(Rは3−t−ブチル−5−t−ブチル以外であり;そして(d)Jが、2位および2’位を介して式ent−IIIの残りの部分に連結している1,1’−ビナフタレニル環系である場合、少なくとも1つのnは1〜4の整数であるという条件で、式IIIの化合物の鏡像異性体(式ent−IIIと示される)にも関する。
また本発明は、式Ia
Figure 0004359500
の化合物を使用して、式V
Figure 0004359500
(式中、
はC〜Cアルコキシであり、そして
はF、ClまたはC〜Cフルオロアルコキシである)
の化合物を製造する方法であって、
式VおよびIaは、*により示されるキラル中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されており、
前記方法によって前記式Iaの化合物を製造することを特徴とする方法にも関する。
発明の詳細な記述
本明細書における記述において、単独または「アルキルチオ」もしくは「ハロアルキル」のような組み合わせられた単語のいずれかで使用される用語「アルキル」としては、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピルまたは種々のブチル、ペンチルもしくはヘキシル異性体のような直鎖または分枝鎖アルキルが挙げられる。「アルケニル」としては、エテニル、1−プロペニル、2−プロペニル、ならびに種々のブテニル、ペンテニルおよびヘキセニル異性体のような直鎖または分枝鎖アルケンが挙げられる。「アルケニル」としては、1,2−プロパジエニルおよび2,4−ヘキサジエニルのようなポリエンも挙げられる。「アルキニル」としては、エチニル、1−プロピニル、2−プロピニル、ならびに種々のブチニル、ペンチニルおよびヘキシニル異性体のような直鎖または分枝鎖アルキンが挙げられる。「アルキニル」としては、2,5−ヘキサジイニルのような複数の三重結合から構成される部分も挙げることができる。「アルコキシ」としては、例えば、メトキシ、エトキシ、n−プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ならびに種々のブトキシ、ペントキシおよびヘキシルオキシ異性体が挙げられる。「アルキルアミノ」、「アルケニルチオ」、「アルケニルスルフィニル」、「アルケニルスルホニル」、「アルキニルチオ」、「アルキニルスルフィニル」、「アルキニルスルホニル」等は、前記例と同様に定義される。「シクロアルキル」としては、例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルが挙げられる。用語「シクロアルコキシ」としては、シクロペンチルオキシおよびシクロヘキシルオキシのような、酸素原子を通して連結した同一の基が挙げられる。「シクロアルケニル」としては、シクロペンテニルおよびシクロヘキセニルのような基、ならびに1,3−および1,4−シクロヘキサジエニルのような1より多い二重結合を有する基が挙げられる。「アルキルカルボニル」の例としては、C(O)CH、C(O)CHCHCHおよびC(O)CH(CHが挙げられる。「アルコキシカルボニル」の例としては、CHOC(=O)、CHCHOC(=O)、CHCHCHOC(=O)、(CHCHOC(=O)および種々のブトキシ−またはペントキシカルボニル異性体が挙げられる。他の基は同様に定義される。
用語「ハロゲン」としては、単独または「ハロアルキル」のような組み合わせられた単語のいずれかで、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素が挙げられる。更に「ハロアルキル」のような組み合わせられた単語で使用される場合、前記アルキルは、同一であっても、または異なっていてもよいハロゲン原子により部分的または完全に置換されていてよい。「ハロアルキル」の例としては、FC、ClCH、CFCHおよびCFCClが挙げられる。用語「ハロアルケニル」、「ハロアルコキシ」等は、用語「ハロアルキル」と同様に定義される。「ハロアルケニル」の例としては、(Cl)C=CHCHおよびCFCHCH=CHCHが挙げられる。「ハロアルコキシ」の例としては、CFO、CClCHO、HCFCHCHOおよびCFCHOが挙げられる。
置換基中の全炭素原子数を接頭辞「C〜C」で示すことができ、ここで、例えば、iおよびjは1〜8の数である。例えば、C〜Cアルキルは、メチルからプロピルまでを示す。置換基の数が1超であり得ることを示す下付き文字を有する置換基により化合物が置換されている場合、前記置換基は(1超である場合)、定義された置換基の群より独立して選択される。
鎖または環の説明における用語「員」は、前記鎖または環の骨格構造の一部を形成する原子を指す。前記鎖または環が場合により置換されていてもよいと記載される場合、原子員は、鎖または環を形成するための原子員の結合後に残る原子員の自由原子価と調和して、場合により1以上の置換基により置換されていてもよい。
用語「場合により置換されていてもよい」は、未置換であるか、または少なくとも1つの水素以外の部分により、前記水素と交換することにより置換された鎖、環または他の基を指す。
用語「炭素環」は、環骨格を形成する原子が炭素からのみ選択される環を示す。用語「複素環式環」は、環骨格を形成する少なくとも1つの原子が炭素であり、かつ環骨格を形成する少なくとも1つの他の原子が炭素以外である環を示す。用語「アリール」は、1以上の芳香族または非芳香族環が場合により縮合していてもよい芳香族炭素環または複素環式環を指す。芳香族は、環原子のそれぞれが本質的に同一平面に存在し、かつ環平面に対して垂直なp−軌道を有し、かつ(4n+2)π電子は、nが0または正の整数である場合、環に関連してヒュッケル則に従うことを表す。「環系」は、2以上の縮合環を指す。芳香族炭素環および環系の例としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等が挙げられる。用語「芳香族複素環」は、芳香族複素環式環を意味する。芳香族複素環式環の例としては、チオフェン、ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、ピロール、チアジン、チアゾールおよびフランが挙げられる。「非芳香族複素環式環」は一般的に、少なくとも1つの炭素原子、ならびに窒素、酸素およびイオウの群から独立して選択される1〜4のヘテロ原子を含有する骨格を有するが、ただし各環が4以下の窒素、2以下の酸素および2以下のイオウを含有する単環である。前記環は、環によって芳香族性に関するヒュッケル則が満たされない、完全飽和のヘテロ環ならびに部分的不飽和または完全不飽和のヘテロ環であることが可能である。非芳香族複素環式環の例としては、テトラヒドロフラン、チオラン、ピロリジン、1,3−ジオキソラン、1,3−ジチオラン、1,3−および1,4−ジオキサン、4,5,6,7−テトラヒドロ−1,3−ジオキセピン等が挙げられる。いずれかの利用可能な炭素または窒素を通して、前記炭素または窒素上の水素を置換することにより、複素環式環系を他の基に結合させることができる。
当業者は、窒素がオキシドへの酸化に利用可能な孤立電子対を必要とすることから、全ての窒素含有複素環がN−オキシドを形成できないことを認識するだろう。すなわち、当業者は、N−オキシドを形成できるそれらの窒素含有複素環を認識するだろう。当業者は、第三級アミンがN−オキシドを形成できることも認識するだろう。複素環および第三級アミンのN−オキシドの製造に関する合成法は当業者に周知であり、過酢酸およびm−クロロ過安息香酸(MCPBA)のようなペルオキシ酸、過酸化水素、t−ブチルヒドロペルオキシドのようなアルキルヒドロペルオキシド、過ホウ酸ナトリウム、ならびにジメチジオキシランのようなジオキシランによる複素環および第三級アミンの酸化が挙げられる。これらのN−オキシドを製造する方法は文献に広く記載され、概説されている。例えば、T.L.ギルクリスト(T.L.Gilchrist)著、総合有機合成(Comprehensive Organic Synthesis)、第7巻、第748〜750頁、S.V.レイ(S.V.Ley)編、ペルガモン・プレス(Pergamon Press);M.ティスラー(M.Tisler)およびB.スタノウニコ(B.Stanovnik)著、総合複素環化学(Comprehensive Heterocyclic Chemistry)、第3巻、第18〜20頁、A.J.ボウルトン(A.J.Boulton)およびA.マクキロップ(A.McKillop)編、ペルガモン・プレス(Pergamon Press);M.R.グリムメット(M.R.Grimmett)およびB.R.T.ケーン(B.R.T.Keene)著、複素環化学の進展(Advances in Heterocyclic Chemistry)第43巻、第149〜161頁、A.R.カトリッキー(A.R.Katritzky)編、アカデミック・プレス(Academic Press);M.ティスラー(M.Tisler)およびB.スタノウニコ(B.Stanovnik)著、複素環化学の進展(Advances in Heterocyclic Chemistry)第9巻、第285〜291頁、A.R.カトリッキー(A.R.Katritzky)およびA.J.ボウルトン(A.J.Boulton)編、アカデミック・プレス(Academic Press);ならびにG.W.H.チーズマン(G.W.H.Cheeseman)およびE.S.G.ウェルスティク(E.S.G.Werstiuk)著、複素環化学の進展(Advances in Heterocyclic Chemistry)第22巻、第390〜392頁、A.R.カトリッキー(A.R.Katritzky)およびA.J.ボウルトン(A.J.Boulton)編、アカデミック・プレス(Academic Press)を参照のこと。
本明細書において描写される分子描写は、立体化学を描写するための標準的な規則に従う。立体配置を示すために、図平面から観察者のほうに上昇する結合は、実線のくさび型により示され、ここではくさび型の線の幅広い末端が、図平面から観察者のほうに上昇する原子に結合している。観察者から図平面の下のほうに向かう結合は、破線のくさび型により示され、ここではくさび型の線の狭い末端が、観察者から離れる原子に結合している。一定幅の線は、実線または破線のくさび型により示される結合と関連して、反対側または中立の方向との結合を示し、すなわち、一定幅の線は、特定の立体配置が明示されるように意図されていない分子または分子の一部における結合も描写する。
本発明の方法により導入されたヒドロキシ基を含んでなる式Iのヒドロキシル化中心を示すために、星印(*)を使用する。ヒドロキシル化中心に結合した2つの基が同一である場合、ヒドロキシル化中心を通って対称鏡面が存在する。この状態で、ヒドロキシル化中心はアキラルである。対称鏡面がヒドロキシル化中心を通って存在しない場合、ヒドロキシル化中心はキラル中心であり、キラル中心における2つの可能な配置に相当して2つの可能な鏡像異性体が得られる。鏡像異性体が当量で存在する場合、式Iの化合物はヒドロキシル化中心においてラセミであり、あるいは、1つの鏡像異性体が過剰量で存在する場合、式Iの化合物はヒドロキシル化中心において鏡像異性的に濃縮されているものとして記載される。
更に式IおよびIIのR、RおよびRは、1以上の追加のキラル中心を場合により含んでなっていてもよい。式IIIおよびIVのRも、1以上の追加のキラル中心を場合により含んでなっていてもよい。式Iは、*により示されるヒドロキシル化中心においてアキラル、ラセミまたは鏡像異性的に濃縮されているという記載は、その中心のみに関連する。例えば、*により示されるキラル中心においてラセミである式Iの化合物は、同時に、他のキラル中心において鏡像異性的に濃縮されていることが可能である。
鏡像異性体および鏡像選択的方法に関する一般的な参照のために、E.L.エリエール(E.L.Eliel)、S.H.ウィレン(S.H.Wilen)およびL.N.マンダー(L.N.Mander)著、有機化合物の立体化学(Stereochemistry of Organic Compounds)、ウィリー−インターサイエンス(Wiley−Interscience)、ニューヨーク(New York)、1994を参照のこと。
本発明は、場合により不活性溶媒の存在下で、式IIの化合物を酸化剤およびジルコニウム錯体と接触させることによる、式Iの化合物を製造する方法に関する。
Figure 0004359500
(式中、*はヒドロキシル化中心を示し、そしてR、RおよびRは発明の概要において定義された通りである)
この方法において、特に、約0.001当量から1.5当量のジルコニウム錯体および場合により不活性溶媒の存在下で、式IIの化合物を一般的に約0.9当量から10.0当量またはそれ以上の酸化剤と接触させることにより、式Iの化合物を製造する。典型的な反応条件としては、約−5℃〜100℃の範囲の反応温度と約2時間〜8日の反応時間が挙げられる。適切な酸化剤としては、酸素(例えば、空気)、過酸化水素、第三級ブチルヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシドおよびそれらの組み合わせのような過酸化水素のモノエーテル、過酢酸またはm−クロロ過安息香酸のような過酸、次亜塩素酸ナトリウムのような次亜塩素酸塩、モノ過硫酸カリウム(例えば、オキソン(Oxone)(登録商標))のようなモノ過硫酸塩、ならびにジメチルジオキシランのようなジオキシランが挙げられる。この方法のために特に有用な酸化剤は、過酸化水素または過酸化水素のモノエーテルである。好ましい酸化剤は、第三級ブチルヒドロペルオキシドである。適切な溶媒としては、シクロヘキサンのような脂肪族炭化水素、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メシチレンおよびクメンのような芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタンおよびオルト−ジクロロベンゼンのようなハロゲン化炭化水素、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンおよびメチルイソプロピルケトンのようなケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピルのようなエステル、メタノールおよび2−メチル−2−プロパノールのようなアルコール、またはジエチルエーテルおよびテトラヒドロフランのようなエーテルが挙げられる。芳香族炭化水素溶媒が好ましい。
本発明の1つの実施形態において、アキラルまたはラセミジルコニウム触媒を使用して、ラセミ形態の式Iの化合物を製造する。適切なアキラルまたはラセミジルコニウム錯体としては、ジルコニウム(IV)イソプロポキシド、ジルコニウム(IV)ブトキシド、ジルコニウム(IV)第三級−ブトキシドおよびジルコニウム(IV)プロポキシドのようなジルコニウムアルコキシド錯体、ジルコニウム(IV)アセチルアセトネートのようなジルコニウム(IV)β−ジカルボニル錯体、ジルコニウム(IV)アリールオキシド錯体、ジルコニウム(IV)アミン錯体、またはジルコニウム(IV)アミド錯体が挙げられる。ジルコニウム(IV)C〜Cアルコキシドおよびジルコニウム(IV)アセチルアセトネートが好ましく、ジルコニウム(IV)イソプロポキシドおよびジルコニウム(IV)アセチルアセトネートが特に有用である。ジルコニウム(IV)アセチルアセトネートはジルコニウム(IV)アルコキシド錯体より吸湿性が低いため、最も好ましい。このラセミの実施形態に関して、過酸化水素または過酸化水素のモノエーテルが酸化剤として好ましく、そして水酸化第三級ブチルが酸化剤として特に好ましい。
本発明のもう1つの実施形態において、鏡像選択的手順により、鏡像異性的に濃縮された式Iの化合物を製造する。「鏡像異性的に濃縮された」とは、化合物の大部分の試料が、(+)または(−)鏡像異性体のいずれかの過剰量を含有し、そして鏡像異性体の1対1(ラセミ)より多い混合物はいずれも含まれることを意味し、これには、100%純粋な鏡像異性体も含まれる。定義により、試料の鏡像体過剰率(ee)を百分率で表し、これは次の等式により与えられる。
鏡像体過剰率(ee)=[(En1−En2)・100%]/(En1+En2)
式中、En1およびEn2は2つの鏡像異性体の量である。従って、例えば、25%(−)鏡像異性体と75%(+)鏡像異性体とを有する濃縮された化合物は、(+)鏡像異性体の50%鏡像体過剰率を有するものとして称される。例えば、標準的方法に従って、ラセミ混合物の鏡像異性体を物理的に分離することにより、式Iの鏡像異性的に濃縮された化合物を製造することができる。しかしながら、かかる方法は、大規模に操作することが困難であり、望ましくない鏡像異性体をラセミ化できない場合、それを処分しなければならないため、しばしば不経済である。「鏡像選択」とは、排他的に必ずというわけではないが、キラル生成物の所望の鏡像異性体が好ましく形成されることを意味する。「鏡像体純度」は鏡像体過剰率と同一の方法により計算され、100%鏡像体純度の生成物は、1つの鏡像異性体を100%過剰率で有し、かつ他の鏡像異性体を含まず、0%鏡像体純度の生成物は、いずれも過剰量ではないように当量の鏡像異性体を有し、従って生成物はラセミである。
式IIの化合物を酸化剤およびキラルジルコニウム錯体と接触させることによる、鏡像異性的に濃縮された式Iの化合物を製造する方法に関する本発明の実施形態に関して、約20℃〜75℃の反応温度および酸化剤としての第三級ブチルヒドロペルオキシドが好ましい。ジルコニウムと、式IIIの配位子またはその鏡像異性体(ent−III)とを含んでなる好ましいキラル錯体を含む、この方法に適切なキラルジルコニウム錯体を、以下に更に詳細に記載する。
Figure 0004359500
(式中、J、Rおよびnは発明の概要において定義された通りである)
式IおよびIIのR、RおよびRは、ヒドロキシル化反応中心に直接的に関与しない付加物である。本発明のヒドロキシル化方法の反応条件は非常に穏和であるため、R、RおよびRに関して広範囲の分子構造特徴が可能であり、酸化条件に最も反応性である官能基のみが影響を受ける可能性がある。従って、発明の概要においてR、RおよびRに関して列挙された置換基は、本発明の方法の広範囲の適用性の実例となる亜属をただ記載するものとしてみなされるべきである。式IおよびIIのR、RおよびRに関して発明の概要において明示された基の多くは、場合により置換されていてもよい。広範囲の任意の置換基が可能であり、実例となる任意の置換基としては、それぞれ更に場合により置換されていてもよい、アルキル、アルケニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、アルキルカルボニル、アルケニルカルボニル、アルキニルカルボニル、アルコキシカルボニル、ヒドロキシ、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキニルオキシ、シクロアルコキシ、アリールオキシ、アルキルチオ、アルケニルチオ、アルキニルチオ、シクロアルキルチオ、アリールチオ、アルキルスルフィニル、アルケニルスルフィニル、アルキニルスルフィニル、シクロアルキルスルフィニル、アリールスルフィニル、アルキルスルホニル、アルケニルスルホニル、アルキニルスルホニル、シクロアルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミノ、アルキルアミノ、アルケニルアミノ、アルキニルアミノ、アリールアミノ、アミノカルボニル、アルキルアミノカルボニル、アルケニルアミノカルボニル、アルキニルアミノカルボニル、アリールアミノカルボニル、アルキルアミノカルボニル、アルケニルアミノカルボニル、アルキニルアミノカルボニル、アリールアミノカルボニルオキシ、アルコキシカルボニルアミノ、アルケニルオキシカルボニルアミノ、アルキニルオキシカルボニルアミノおよびアリールオキシカルボニルアミノ、ならびにハロゲン、シアノおよびニトロが挙げられる。任意の更なる置換基は、前記において説明されたもののような群から独立して選択されて、ハロアルキル、ハロアルケニルおよびハロアルコキシのような基が得られる。更なる例として、アルキルによりアルキルアミノを更に置換することができ、ジアルキルアミノが得られる。また、2つの置換基のそれぞれまたは1つの置換基、および支持分子構造から、1または2の水素原子を比喩的に除去し、基を連結して、置換基を支持する分子構造に縮合または付加された環式または多環式構造を製造することによって、置換基を一緒に結合することもできる。例えば、フェニル環に結合している隣接ヒドロキシ基およびメトキシ基を結合することにより、連結基−O−CH−O−を含有する縮合ジオキソラン構造が得られる。ヒドロキシ基と、ヒドロキシル基が結合された分子構造とを一緒に結合することにより、エポキシドを含む環式エーテルを得ることができる。実例となる置換基は酸素も含み、これは、炭素に結合された場合、カルボニル官能性を形成する。本発明の好ましい方法は、式IおよびIIにおいて、*により示される中心に連結されたRの炭素原子は、メチル、メチレンまたはカルボニル単位の形態である。カルボニル単位の形態でRの炭素を連結した場合、それは式IIの他の2つのカルボニルと一緒にトリカルボニル系を形成する。トリカルボニル系の高められた酸性度は、式Iを与えるための式IIのヒドロキシル化を容易にすることができる。
本発明の方法に適切な式IおよびIIの大きさに関して明確な制限はないが、典型的に式IIは、5〜100、より一般的に5〜50、そして最も一般的に5〜25の炭素原子、および2〜25、より一般的に2〜15、そして最も一般的に2〜10のヘテロ原子を含んでなる。複素原子は一般的に、ハロゲン、酸素、イオウ、窒素およびリンから、より一般的にはハロゲン、酸素および窒素から選択される。式IIの2つのヘテロ原子は、β−ジカルボニル酸素原子である。式Iにおいて一般的である原子数は、ヒドロキシル化の結果として、式Iが1以上のヘテロ原子を有することを除いて、式IIにより記載されるものと同一である。また、R、RおよびRに関して列挙された実例となる基の大きさに関して明確な制限はないが、アルコキシのような誘導体を含むアルキルは、一般的にC〜Cであり、アルケニルおよびアルキニルは一般的にC〜C、そしてより一般的にはC〜Cであり、かつシクロアルキルは一般的にC〜Cである。
当業者は、スルフィニルおよび特にチオ部分(例えば、アルキルチオ、アルケニルチオ、アルキニルチオ、シクロアルキルチオ、アリールチオ、アルキルスルフィニル、アルケニルスルフィニル、アルキニルスルフィニル、シクロアルキルスルフィニルおよびアリールスルフィニル置換基において)は、酸化を受けやすい。式IIのチオ−およびスルフィニル−含有置換基は、本発明のヒドロキシル化反応を妨害しないが、式Iの生成物において、チオはスルフィニルおよびスルホニルに変換され得、そしてスルフィニルはスルホニルに変換され得る。
注目すべきは、式IおよびIIにおいて、RがH、アルキル、シクロアルキル、場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環であり、かつRおよびRが一緒になっていない本発明の方法である。式IおよびIIにおいて、RがH、アルコキシ、アルキル、シクロアルキル、場合により置換されていてもよいフェニル環、フェノキシ環または5員もしくは6員芳香族複素環であり、かつRがアルコキシ、アルキル、シクロアルキル、場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環である本発明の方法も注目すべきである。
本発明の好ましい方法は、式IおよびIIにおいて、Rはアルキルまたはアルコキシ、好ましくはアルコキシ、より詳細にはC〜Cアルコキシ、そしてより好ましくはC〜Cアルコキシであり、Rは好ましくはアルキルまたはアルキルカルボニル(連結炭素において酸素により置換されたアルキル)、より好ましくはアルキル、そしてより詳細にはC〜Cアルキルであり、Rが場合により置換されていてもよいフェニルであるか、またはRおよびRが一緒になって、場合により置換されていてもよい場合によりフェニル環に縮合されていてもよい、場合により置換されていてもよい3員〜4員の炭素員の連結鎖を形成することができるものである。好ましくは、フェニル上の任意の置換基は、ハロゲン、シアノおよびニトロ、ならびにアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ホルミル、アルキルカルボニル、アルケニルカルボニル、アルキニルカルボニル、アルコキシカルボニル、ヒドロキシ、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキニルオキシ、アリールオキシ、アルキルスルホニル、アルケニルスルホニル、アルキニルスルホニル、アリールスルホニル、アミノ、アルキルアミノ、アルケニルアミノ、アルキニルアミノ、アリールアミノ、アミノカルボニル、アルキルアミノカルボニル、アルケニルアミノカルボニル、アルキニルアミノカルボニル、アリールアミノカルボニル、アルキルアミノカルボニルオキシ、アルケニルアミノカルボニルオキシ、アルキニルアミノカルボニルオキシ、アリールアミノカルボニルオキシ、アルコキシカルボニルアミノからも選択され、前記置換基は、場合により一緒に結合してもよく、前記置換基は、場合によりハロゲンにより置換されていてもよい。本発明の特に好ましい方法は、式Iが式Iaであり、かつ式IIが式IIaであるものである。
Figure 0004359500
(式中、*は、キラル中心であるヒドロキシル化中心を示し、そして式Iaはラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている)
式IaおよびIIaは、それぞれ式IおよびIIのサブセットであり、式中、RおよびRは一緒になって、Rにより置換されたフェニル環に縮合された3員の炭素員の連結鎖を形成する。式IaおよびIIaにおいて、Rは好ましくはアルコキシ、より詳細にはC〜Cアルコキシ、そしてより好ましくはC〜Cアルコキシであり、Rは好ましくはハロゲンまたはハロアルコキシ、より詳細にはF、ClまたはC〜Cフルオロアルコキシ、そして最も特にClである。
好ましいR、RおよびRの組み合わせの説明は、*により示されるキラル中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている式Iの化合物を製造する方法であって、式IIの化合物をジルコニウム錯体および酸化剤と接触させることを含んでなり、式Iおよび式IIにおいて、
がアルコキシであり、
がアルキルであり、
が場合により置換されていてもよいフェニルであるか、または
およびRが一緒になって、場合により置換されていてもよい場合によりフェニル環に縮合されていてもよい、場合により置換されていてもよい3員〜4員の炭素員の連結鎖を形成することができる方法である。
この好ましい実施形態がβ−ケトエステルのヒドロキシル化を提供することに注目すべきである。
本発明のより好ましい方法は、RがC〜Cアルコキシであり、そしてRがF、ClまたはC〜Cフルオロアルコキシである式IIaの化合物を酸化剤およびジルコニウム錯体と接触させて、*により示されるキラル中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている式Iaの化合物を製造するものである。
最も好ましくは、式IIaの化合物を、酸化剤、およびジルコニウムと、式IIIの配位子またはその鏡像異性体とを含んでなるジルコニウム錯体と接触させる方法である。式IIaの化合物からの式Iaの化合物の製造については、以前に、様々な方法を使用してWO 95/29171号に報告されている。本発明の方法は、以前に報告された方法と比較して、より高い収率の式Iaを提供し、都合良く実行される。また本発明の方法は、WO 95/29171号に報告された鏡像選択的方法以上に、改善された鏡像選択性を提供する。
すでに記載された通り、本発明のヒドロキシル化方法は、一般的に、合成有機化学の分野において既知の方法論を通して得ることができる広範囲の式IIの出発化合物に適用可能である。例えば、R.シャピロ(R.Shapiro)ら、「インドキサカルボの製造に向けて(Toward the Manufacture of Indoxacarb)」、第17章(シンテシス・アンド・ケミストリー・オブ・アグロケミカルズ VI(Synthesis and Chemistry of Agrochemicals VI)(ACS シンポジウム・シリーズ800(ACS Symposium Series 800))の第178〜185頁)、アメリカン・ケミカル・ソサエティー(American Chemical Society)、ワシントン,DC(Washington,DC)、2002、および特に、PCT公報WO 96/20151号により記載された方法により、式IIaの化合物を製造することができる。
本発明のもう1つの実施形態は、ジルコニウムと、式IIIまたはその鏡像異性体(ent−III)のキラル配位子とを含んでなるキラルジルコニウム錯体に関する。式IIIのキラル配位子のキラル中心は、記載されたNH連結基の配置による全体的掌性を提供しなければならず、それによって、鏡像異性体を形成しないメソ配置は排除される。キラルジルコニウム錯体は、式IIから式Iの鏡像異性的に濃縮された化合物を製造する方法に適切である。発明の概要において、環(例えば、フェニル)および環系は、式IIIおよびent−IIIにおいて場合により置換されていてもよいJおよびRに関して記載される。ジルコニウム(IV)に錯体形成している式IIIおよびent−IIIの領域から、これらの任意の置換基が空間的に分離している場合、広範囲の置換基が可能であるが、同時に、本発明のヒドロキシル化方法のためのジルコニウム錯体の有用性は一般的に増加しない。式IIIおよびent−IIIに最も容易に含まれる任意の置換基は、アルキル、ハロアルキル、アルコキシ、ハロアルコキシ、ハロゲンおよびニトロであり、より詳細には、C〜Cアルキル、C〜Cハロアルキル、C〜Cアルコキシ、C〜Cハロアルコキシ、ハロゲンおよびニトロであり、そしてより好ましくは、C〜Cアルキル、C〜Cアルコキシ、ハロゲンおよびニトロである。好ましくは、JおよびRに関して記載される環および環系の任意の置換基は、式IIIおよびent−IIIがC軸対称を有するように選択されて配置される。より好ましくは、JおよびRにおける環および環系は任意の置換基を有さない。注目すべきは、Rが、アダマンチル、場合によりC〜Cアルキルにより置換されていてもよいC〜Cシクロアルキル、C〜Cアルキルカルボニルオキシ、C〜Cアルコキシカルボニルオキシおよび場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ以外である式IIIおよびent−IIIの化合物である。
Jの連結鎖が縮合してC〜C非芳香族複素環式環を形成する場合、好ましくは、前記非芳香族複素環式環は完全飽和であり、また好ましくは、前記環は、前記環の炭素原子を通して、式IIIおよびent−IIIの残りの部分に連結しているアミノメチル部分に連結している。Jの実例としては以下のものが挙げられる。
Figure 0004359500
(式中、
各Rは独立してC〜Cアルキル、C〜Cアルコキシおよびハロゲンから選択され、
各Rは独立してC〜Cアルキル、C〜Cアルコキシ、ハロゲンおよびニトロから選択され、
pは0〜4の整数であり、そして
各qは独立して、0〜3の整数である)
好ましくは、各qは同一であり、各Rおよび各Rは、JがC軸対称を有するように選択されて配置される。より好ましくは、pおよびqはそれぞれ0である。
本明細書で使用される表現「隣接炭素原子を介して式III(またはent−III)の残りの部分に連結しているCシクロアルキル環」は、pが0であるJ−1(またはJ−2)を指す。本明細書で使用される表現「2位および2’位を介して式III(またはent−III)の残りの部分に連結している1,1’−ビナフタレニル環系」は、qが0であるJ−9(またはJ−10)を指す。
従って、本発明のこの実施形態に関して、キラルジルコニウム錯体は、式IIIのキラル配位子またはその鏡像異性体およびジルコニウム錯体から製造された錯体を含んでなる。キラル配位子の鏡像異性的純度が減少するほど、一般的に、ヒドロキシル化反応の鏡像選択性が減少するであろうことを、当業者は認識するだろう。同じ理由により、当業者は、0%より高い鏡像異性的純度を有するキラル配位子(すなわち、鏡像異性的に濃縮されたキラル配位子)を使用することにより、鏡像異性的に濃縮されたヒドロキシル化生成物が製造されることも認識するだろう。好ましくは、キラル配位子の鏡像異性的純度は、少なくとも約50%、より好ましくは少なくとも90%、更により好ましくは少なくとも95%、更により好ましくは少なくとも98%、そして最も好ましくは少なくとも99%である。
場合により溶媒の存在下で、ジルコニウム錯体を0.1当量から5当量の式IIIまたはent−IIIの化合物と接触させることにより、キラルジルコニウム錯体を製造することができる。典型的な反応条件としては、−5℃〜100℃の範囲の反応温度と、約30分〜3日間の反応時間が挙げられる。好ましいキラルジルコニウム錯体は、C軸対称を有するキラル配位子を含んでなる。式III(およびent−III)の各フェニル環上の−OH官能基に隣接する置換基は方法の立体選択性を促進することができるので、各フェニル環が−OH官能基のオルト位のR置換基を有する式IIIまたはent−IIIの配位子を含んでなるキラルジルコニウム錯体が好ましい。−OH官能基のオルト位の各R置換基が第三級ブチルである式IIIまたはent−IIIの配位子を含んでなるキラルジルコニウム錯体がより好ましい。特に適切な式IIIまたはent−IIIの配位子としては、HN−J−NH基が(1S,2S)−または(1R,2R)−1,2−シクロヘキサンジアミン、(1S,2S)−または(1R,2R)−1,2−ジフェニル−1,2−エタンジアミン((S,S)−または(R,R)−1,2−ジフェニルエチレンジアミンとしても既知)、(1S)−または(1R)−[1,1’−ビナフタレン]−2,2’−ジアミン((S)−または(R)−1,1’−ビナフチル−2,2’−ジアミンとしても既知)、および(2S,3S)−または(2R,3R)−2,3−ジヒドロキシブタンジアミド((S,S)−または(R,R)−酒石酸ジアミドとしても既知)のジラジカルである構造が挙げられる。(S,S)−または(R,R)−1,2−シクロヘキサンジアミン、および(S,S)−または(R,R)−1,2−ジフェニルエチレンジアミンからなる群より独立して選択されるジラジカルを含んでなる配位子を含んでなるキラルジルコニウム錯体が好ましい。
ジルコニウムと、式IIIまたはent−IIIの配位子とを含んでなるキラルジルコニウム錯体の製造のために適切なジルコニウム錯体としては、ジルコニウム(IV)イソプロポキシド、ジルコニウム(IV)ブトキシド、ジルコニウム(IV)第三級ブトキシドおよびジルコニウム(IV)プロポキシドのようなジルコニウムアルコキシド錯体、ジルコニウム(IV)アセチルアセトネートのようなジルコニウム(IV)β−ジカルボニル錯体、ジルコニウム(IV)アリールオキシド錯体、ジルコニウム(IV)アミン錯体、またはジルコニウム(IV)アミド錯体が挙げられる。ジルコニウム(IV)イソプロポキシドおよびジルコニウム(IV)アセチルアセトネートが好ましい。キラルジルコニウム錯体を製造するために適切な溶媒としては、シクロヘキサンのような脂肪族炭化水素、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メシチレンおよびクメンのような芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタンおよびオルト−ジクロロベンゼンのようなハロゲン化炭化水素、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンおよびメチルイソプロピルケトンのようなケトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピルのようなエステル、およびジエチルエーテルまたはテトラヒドロフランのようなエーテルが挙げられる。芳香族炭化水素溶媒が好ましい。
当業者は、本発明の方法が、制限されないが、酸化剤、式IIの化合物および式Iの化合物のような追加の配位子を含んでなるものを含む、ジルコニウムと、式IIIまたはent−IIIのキラル配位子とを含んでなる幾つかの異なるキラル錯体に関与することを認識するだろう。本発明の方法に関与するかかる錯体の全ては、本発明のこの実施形態により包括される。
特に好ましい錯体は、ジルコニウムと式IIIa
Figure 0004359500
(式中、各Rは同一であり、かつHおよびC(CHから選択される)
の配位子とを含んでなる錯体である。
がC(CHである式IIIaの化合物は、2,2’−[(1S,2S)−1,2−シクロヘキサンジイルビス(イミノメチレン)]ビス[4,6−ビス(1,1−ジメチルエチル)フェノール]と称され、そしてRがHである式IIIaの配位子は、2,2’−[(1S,2S)−1,2−シクロヘキサンジイルビス(イミノメチレン)]ビス[6−(1,1−ジメチルエチル)フェノール]と称される。
第2の特に好ましい錯体は、ジルコニウムと式IIIb
Figure 0004359500
(式中、各Rは同一であり、かつHおよびC(CHから選択される)
の配位子とを含んでなる錯体である。
がHである式IIIbの配位子は、2,2’−[[(1S,2S)−1,2−ジフェニル−1,2−エタンジイル]ビス(イミノメチレン)]ビス[6−(1,1−ジメチルエチル)フェノール]と称され、そしてRがC(CHである式IIIbの配位子は、2,2’−[[(1S,2S)−1,2−ジフェニル−1,2−エタンジイル]ビス(イミノメチレン)]ビス[4,6−ビス(1,1−ジメチルエチル)フェノール]と称される。
他の好ましい錯体は、ジルコニウムと式ent−IIIa(式IIIaの鏡像異性体である)
Figure 0004359500
(式中、各Rは同一であり、かつHおよびC(CHから選択される)
の配位子とを含んでなる錯体である。
がC(CHである式ent−IIIaの配位子は、2,2’−[(1R,2R)−1,2−シクロヘキサンジイルビス(イミノメチレン)]ビス[4,6−ビス(1,1−ジメチルエチル)フェノール]と称され、そしてRがHである式ent−IIIaの配位子は、2,2’−[(1R,2R)−1,2−シクロヘキサンジイルビス(イミノメチレン)]ビス[6−(1,1−ジメチルエチル)フェノール]と称される。
他の好ましい錯体は、ジルコニウムと式ent−IIIb(式IIIbの鏡像異性体である)
Figure 0004359500
(式中、各Rは同一であり、かつHおよびC(CHから選択される)
の配位子とを含んでなる錯体である。
がHである式ent−IIIbの配位子は、2,2’−[[(1R,2R)−1,2−ジフェニル−1,2−エタンジイル]ビス(イミノメチレン)]ビス[6−(1,1−ジメチルエチル)フェノール]と称され、そしてRがC(CHである式IIIbの配位子は、2,2’−[[(1R,2R)−1,2−ジフェニル−1,2−エタンジイル]ビス(イミノメチレン)]ビス[4,6−ビス(1,1−ジメチルエチル)フェノール]と称される。
本発明のもう1つの実施形態は、式IIIの配位子またはその鏡像異性体ent−IIIに関する。式IIIまたは式ent−IIIの好ましい配位子は、好ましいキラルジルコニウム錯体のものである。特に好ましくは、式IIIa、ent−IIIa、IIIbおよびent−IIIbの配位子である。より有効な、式V(以下に記載される)の殺節足動物性オキサジアミンのS配置を鏡像選択的に製造するために、式IIIaおよびIIIbから選択される配位子を含んでなるジルコニウム錯体に関与する本発明のヒドロキシル化反応が特に有用であるため、最も好ましくは、式IIIaおよびIIIbの配位子である。
スキーム1に記載されるもののような当該分野において既知の一般的方法により、式IIIまたはent−IIIの配位子を製造することができる。スキーム1においては、式IIIが図示されているが、図示された合成において、式1の化合物の鏡像異性体を使用することにより、ent−IIIの製造を達成することができることに注目すべきである。
Figure 0004359500
第1の方法は、スキーム1に示される、Jが式IIIに関して前記の通り定義されている式1のキラルジアミンと、2当量の式2の適切に置換されたサリチルアルデヒド誘導体との縮合に関与し、これにより式3のシッフ塩基(イミン)付加物を生成せしめる。過剰量の式2の化合物を使用して、この縮合を促進することができる。水素化ホウ素ナトリウムまたはシアノ水素化ホウ素ナトリウムのような試薬によるか、あるいは触媒水素化によるシッフ塩基のその後の還元により、式IIIの所望の配位子が得られる。シアノ水素化ホウ素ナトリウムを使用する還元は、塩酸のような酸の存在下で、エタノールとトルエンとの混合物のような適切な溶媒中で行われる。
相当する式IIIの配位子を得るための式3の化合物の触媒水素化は、支持貴金属触媒を使用して実行することができる。パラジウムおよびプラチナをベースとする触媒が好ましく、プラチナが最も好ましい。典型的な触媒支持体としては、炭素、アルミナおよび炭酸カルシウムが挙げられる。チャコールのような非晶質炭素支持体が好ましい。反応条件と適合性を有するいずれの溶媒も使用することができ、好ましくは、溶媒は非プロトン性である。特に適切な溶媒としては、トルエンのような芳香族炭化水素溶媒が挙げられる。カルボン酸(例えば、酢酸)または鉱酸(例えば、硫酸)の添加によって、反応を促進することができる。その低い腐食性および生成物溶液からの除去の容易さのため、酢酸が特に有用である。反応混合物が本質的に水を含まない場合に最良の結果が得られ、さもなければシッフ塩基の開始材料の加水分解が引き起こされ得るだろう。従って、溶媒および触媒は両方とも無水であるべきである。
式2のサリチルアルデヒド誘導体は市販品として入手可能であるか、または当該分野で周知の方法によって製造することができる。式IIIの配位子のもう1つの製造方法は、式1のキラルジアミンと、2当量の式4のベンジルハライドまたはベンジルスルホネートとの反応に関与する。場合により、トリエチルアミンのような有機塩基、あるいは炭酸ナトリウムもしくは炭酸カリウムまたは水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウムのような無機塩基のような追加の塩基を使用して、この反応を促進してもよい。また、過剰量の式4の化合物を使用して、この反応を促進することもできる。
また、式IIIの配位子は、水素化アルミニウムリチウムのような還元剤を使用するC(=O)NH部分の還元によって、式IVの化合物から製造することもできる(スキーム2)。式IVの鏡像異性体の還元によって、式IIIの鏡像異性体を製造することができる。アミンへのアミドの還元は当該分野で周知であり、例えば、J.マーチ(J.March)、先端有機化学;反応、機構および構造(Advanced Organic Chemistry:Reactions,Mechanisms and Structure)、第三版、1985、ウィリー(Wiley)、ニューヨーク、第1099頁;およびR.C.ラロック(R.C.Larock)、包括有機変換:官能基変換へのガイド(Comprehensive Organic Transformations:A Guide to Functional Group Transformations)、1989、VCH パブリッシャーズ・インコーポレイテッド(VCH Publishers,Inc.)、第432〜434頁、ならびにそれらで引用された参考文献を参照のこと。
Figure 0004359500
(式中、J、nおよびRは発明の概要において式IIIに関して定義された通りである)
がC(CHである式IIIaの配位子の合成については実施例1に記載されており、そしてRがHである式IIIbの配位子の合成については実施例2および3に記載されている。
スキーム3に示されるように、当業者に既知の方法を使用して、式1のキラルジアミンを、適切なカルボン酸、または酸塩化物およびアミド(式5)もしくはニトリル(式6)のようなカルボン酸誘導体と縮合することによって、式IVの化合物を製造することができる。例えば、リチャード C.ラロック(Richard C.Larock)、包括有機変換:官能基変換へのガイド(Comprehensive Organic Transformations:A Guide to Functional Group Transformations)、1989、VCH パブリッシャーズ・インコーポレイテッド(VCH Publishers,Inc.)、第963〜994頁、およびそこで引用された参考文献を参照のこと。
Figure 0004359500
式IVの化合物の製造については、実施例4に説明する。
当業者に既知の方法に従って、式IIIの相当するアミン化合物を酸化することにより、式IVのカルボキサミド化合物を製造することもできる。例えば、DE 871755号、ルーアヒェミー A.G.(Ruhrchemie A.G.)、1950;A.A.フライマー(A.A.Frimer)ら、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー(J.Org.Chem.)1983,48(10),1700;K.タナカら、ケミカル・アンド・ファーマシューティカル・ブリティン(Chem.Pharm.Bull.)1987,35(1),364;およびG.ベットニー(G.Bettoni)ら、テトラヘドロン(Tetrahedron)1981,37(24),4159を参照のこと。
注目すべきは、ジルコニウムと、式IVの配位子およびそれらの鏡像異性体とを含んでなる錯体である。特に注目すべきは、式IVaおよびIVbの化合物ならびにそれらの鏡像異性体、ならびにそれらを含んでなる錯体である。
Figure 0004359500
(式中、nおよびRは発明の概要において式IIIに関して定義された通りである)
注目すべきは、スルフィドからキラルスルホキシドへの酸化、オレフィンからキラルエポキシド、ジヒドロキシ化合物またはアミノアルコキシ化合物への酸化、およびアリル系アルコールからエポキシアルコールへの酸化を含む、他の鏡像選択的方法における式IIIまたはent−IIIの化合物の使用である。また、式IIIまたはent−IIIの化合物を含んでなる錯体を、鏡像選択的水素化または還元において使用してもよい。
また、当業者は、本明細書に記載の式IIIの化合物およびその中間体に様々な求電子、求核、ラジカル、有機金属系、酸化および還元反応を受けさせて、置換基を付加するか、または存在する置換基を変性することができることも認識するだろう。
式IIIの化合物の製造に関する前記いくつかの試薬および反応条件が、中間体に存在するある種の官能性と適合性がないだろうことが認識される。これらの例において、合成物への保護/脱保護配列または官能基相互転換の組み入れによって、所望の生成物を得ることが助けられる。保護基の使用および選択は、化学合成の当業者に明白であろう(例えば、T.W.グリーン(T.W.Greene);P.G.M.ワッツ(P.G.M.Wuts)、有機合成における保護基(Protective Groups in Organic Synthesis)第二版;ウィリー(Wiley):ニューヨーク、1991を参照のこと)。当業者は、いくつかの場合には、いずれかの個々のスキームに記載されるように、与えられた試薬の導入後、式IIIの化合物の合成を完了するために、詳細には記載されていない追加の慣例の合成工程を実行することが必須であることを認識するであろう。また当業者は、式IIIの化合物を製造するために提供される特性の配列により含まれるもの以外、順番で前記スキームに図示された工程の組み合わせを実行することが必須であることも認識するだろう。
本発明のヒドロキシル化方法は、プロセス中間体として、前記ヒドロキシル化方法によって製造された式Iaの化合物に関与する、式Vの殺節足動物性オキサジアジンの製造のために有用である。
Figure 0004359500
(式中、式VおよびIaは*により示されるキラル中心において、ラセミまたは鏡像異性的に濃縮されており、RはC〜Cアルコキシであり、そしてRはF、ClまたはC〜Cフルオロアルコキシである)式Vのオキサジアジン生成物の優れた殺節足動物有効性のため、RがOCHであり、そしてRがClである前記製造が好ましい。S配置を有する式Vの鏡像異性体は、R配置を有する鏡像体よりも大きい殺節足動物有効性を有するため、式VおよびIaが、キラルジルコニウム触媒を使用するヒドロキシル化により得られるS異性体で鏡像異性的に濃縮されている製造が好ましい。
すでに論じられた通り、本発明のヒドロキシル化方法を使用して、相当する式IIaの化合物から式Iaの化合物を製造することができる。式Iaから式Vの化合物の製造へと導く更なる工程については、R.シャピロ(R.Shapiro)ら、「インドキサカルボの製造に向けて(Toward the Manufacture of Indoxacarb)」、第17章(シンテシス・アンド・ケミストリー・オブ・アグロケミカルズ VI(Synthesis and Chemistry of Agrochemicals VI)(ACS シンポジウム・シリーズ800(ACS Symposium Series 800))の第178〜185頁)、アメリカン・ケミカル・ソサエティー(American Chemical Society)、ワシントン,DC(Washington,DC)、2002、ならびにPCT公報WO 92/11249号、WO 95/29171号、WO 96/31467号およびWO 98/05656号に開示されており、スキーム4および5に示される。これらのスキームの反応工程は、*により示されるキラル中心における配置の保持により実質的に進行する。
スキーム4に示される合成ルートにおいて、式Iaの化合物を式7の保護されたヒドラジン化合物と接触させ、式8のヒドラゾンを得る。次いで、このヒドラゾンをホルムアルデヒド当量(式9)と接触させ、式10の環化化合物を生成せしめる。式10の化合物から保護基を除去して式11の化合物を得、それを式12のアシル化剤と接触させて、式Vの化合物を得る。
Figure 0004359500
(式中、RおよびRは前記で定義された通りであり、Rは保護基であり、そしてXは脱離基である)
式7のヒドラジン誘導体は、保護基Rにより保護された一端を有する。様々なアミノ保護基が既知である(T.W.グリーン(T.W.Greene)およびP.G.M.ワッツ(P.G.M.Wuts)、有機合成における保護基(Protective Groups in Organic Synthesis)第二版;ウィリー(Wiley):ニューヨーク、1991を参照のこと)。この製造において特に都合が良い保護基は、ベンジルオキシカルボニル(RはC(O)OCHPhである)である。一般的に、式Iaのケトンに関して、少なくともモル当量の式7のヒドラジンを使用する。式7のヒドラジンと式Iaのケトンとの縮合は、触媒の存在によって著しく促進される。この縮合に関して有用な触媒は、酸性の性質を有する。かかる触媒としては、分子篩のようなゼオライト、ならびにルイス酸、および最も一般的にはプロトン性酸が挙げられる。例えば、有用なプロトン性酸としては、混合されたトルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、硫酸または酢酸が挙げられる。約10〜12モル%程度の低さのトルエンスルホン酸のような強プロトン性酸により、高転化を提供することができる。式7のヒドラジン誘導体を強酸によってプロトン化することができるので、一般的に、式7のモル量は、式Iaのモル量と酸触媒のモル当量との合計に少なくとも等しくならなければならない。溶媒を用いずに、またはメタノール、イソプロパノール、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、1,2−ジクロロメタン、トルエン等のような不活性溶媒の存在下で、縮合を行うことができる。典型的な反応条件としては、約0.5時間〜25時間で、約40℃〜120℃、好ましくは約65℃〜85℃の温度が挙げられる。場合により水による反応混合物の希釈後に、濾過のような標準方法によって、式8のヒドラゾンを回収していもよい。あるいは、次の反応工程で式8のヒドラゾンを含有する反応混合物を直接的に使用することができるか、または次の反応工程で使用される溶媒および溶媒抽出物により、式8のヒドラゾンを抽出することができる。
次の工程において、ホルムアルデヒド当量(9)を使用して式8のヒドラゾンを環化し、式10の化合物を得る。ホルムアルデヒド当量はホルムアルデヒド自体を含むが、それは容易に重合し、かつ使用するためには不都合である。他のホルムアルデヒド当量は、ハロメチルアルキルエーテルを含む。最も都合が良いホルムアルデヒド当量は、ジアルコキシメタン、好ましくは、ジメトキシメタンまたはジエトキシメタンのようなジ(C〜Cアルコキシ)メタンである。ジアルコキシメタンは、好ましくは、式8と比較してモル過剰で使用され、そして溶媒としても役立つことができる。助溶媒として、ジクロロメタン、トリクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、クロロベンゼン、α,α,α−トリフルオロトルエン、トルエン、ヘプタン、キシレン、アセトニトリル等のような不活性溶媒を使用して、場合により反応を実行してもよい。ホルムアルデヒド当量がジアルコキシメタンである場合、反応はルイス酸またはプロトン性酸の存在下で実行される。有用なルイス酸としては、五酸化リン、三フッ化ホウ素または三酸化硫黄が挙げられ、最良の結果のために、その0.9〜4.0モル当量(8と比較して)が一般的に要求される。他の有用なルイス酸としては、トリフルオロメタンスルホン酸の金属(特に、スカンジウム、イッテルビウム、イットリウムおよび亜鉛)塩が挙げられ、式8の化合物と比較して、それを0.1〜0.5モル当量の量で使用することができる。この工程に関して最も好ましいルイス酸は、五酸化リンおよび三酸化硫黄であり、三酸化硫黄はSO・DMF(DMFは、N,N−ジメチルホルムアミドである)のような錯体の形態であり得、そして通常、アミン錯体(例えばSO・ピリジン)のようなプロトン性酸捕捉剤も存在する。五酸化リンを利用する反応に、セライト(Celite)(登録商標)(珪藻土)のような濾過助剤を有利に添加することができる。ルイス酸が使用される場合、ハロゲン化溶媒が最も適切である。有用なプロトン性酸としては、硫酸のような鉱酸、ならびに芳香族、脂肪族および重合スルホン酸のようなスルホン酸が挙げられ、好ましいプロトン性酸としては、p−トルエンスルホン酸、その異性体スルホン酸の混合物、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、キシレンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸およびカンファースルホン酸が挙げられ、最も好ましくは、p−トルエンスルホン酸およびその異性体トルエンスルホン酸の混合物である。プロトン性酸の化学量論的量以上を使用することができるが、触媒量以下が必要とされる。好ましくは、式8の化合物と比較して、プロトン性酸の量は、約0.01モル当量から0.20モル当量、より好ましくは約0.05モル当量と0.10モル当量との間である。
環化工程に関して、典型的な反応条件としては、約0.5時間〜48時間で、ルイス酸による場合、約0℃〜150℃、好ましくは約40℃〜70℃、より好ましくは約50℃〜60℃、トルエンスルホン酸のようなプロトン性酸による場合、好ましくは約100℃〜130℃、より好ましくは約110℃〜115℃の温度、およびほぼ周囲圧力から周囲圧力より600kPa上の圧力、好ましくは周囲圧力から周囲圧力より200kPa上の圧力、そして最も都合良くは周囲圧力付近の圧力が挙げられる。トリフルオロメタンスルホン酸の希土類塩のような非犠牲的ルイス酸またはプロトン性酸を利用する場合、反応の間、好ましくは蒸留によって副生物アルコールを除去する。水性塩基によるクエンチングおよび有機材料の抽出、ならびにプロトン性酸または液体状もしくは気体状ルイス酸、例えば三酸化イオウに関与する反応物のためのエタノールのような適切な溶媒からの結晶化、あるいは濾過、水性塩基による洗浄、五酸化リン反応物のための濃縮および結晶化を場合により先に実行して、濃縮のような標準方法によって、式10の環化生成物を回収してもよい。また、次の反応工程で更なる精製を行わずに、反応混合物を濾過することができ、かつ使用することができる。ルイス酸としてトリフルオロメタンスルホン酸の金属塩を利用する場合、反応物質を濃縮し、場合により酢酸エチルのような不活性非混合性溶媒によって希釈し、水で洗浄してトリフルオロメタンスルホン酸の金属塩を除去し、有機相を濃縮し、水性メタノール、エタノール、ヘキサン等のような適切な溶媒を場合により添加して式10の生成物の結晶化を誘導することにより、環化生成物を回収してもよい。
次の工程において、式10の化合物から保護基Rを除去し、式11の化合物を得る。アミノ保護基を開裂する条件は周知である(T.W.グリーン(T.W.Greene)およびP.G.M.ワッツ(P.G.M.Wuts)、有機合成における保護基(Protective Groups in Organic Synthesis)第二版;ウィリー(Wiley):ニューヨーク、1991を参照のこと)。好ましいベンジルオキシカルボニル保護基は、水素化分解によって最も都合良く開裂する。この反応は、好ましくはチャコールのような物質上に支持されたパラジウムのような水素化分解金属触媒の存在下で、酢酸メチル、酢酸エチル、トルエンまたはジエトキシメタンのような不活性溶媒において、RがC(O)OCHPhである式11の化合物を、水素源からの水素または好ましくは分子水素自体と接触させることに関与する。典型的な反応条件としては、約0℃から溶媒沸点、好ましくは約15℃〜55℃、より好ましくは約20℃〜40℃、および周囲圧力付近から周囲圧力より350kPa上の圧力が挙げられるが、より高い圧力も実施可能である。水素化分解は、周囲圧力付近で都合良く実施することができる。完全な転化のために必要とされる反応時間は、温度、水素圧、触媒そして反応物濃度の通常のパラメータ次第であり、そして典型的に0.5時間〜25時間を必要とする。アリコートの分析によって、または水素の消費によって反応の進行をモニターすることができ、例えば、圧力変化によって決定することができる。次のバッチへの再生のための金属触媒の濾過および収集、有機相の分離、溶媒除去による濃縮、および水性C〜Cアルコール、アセトニトリルまたはヘキサンのような脂肪族炭化水素を場合により添加することによる式11の結晶化の誘導のような標準方法によって、式11の生成物を溶液から回収していもよい。好ましくは、有機相溶液から単離せずに、次の工程で式11の化合物を使用する。
スキーム4の最後の工程において、式11の化合物を式12のアシル化剤の約1モル当量と接触させて、式Vのオキサジアジンを得る。求核置換反応における脱離基として有用な基から、基Xを選択する。合成の容易さおよびコストを考慮して、Xは、好ましくはハライドであり、そして最も好ましくはClである。式11の化合物と式12のアシル化剤との反応は、好ましくは、(式11と比較して)1.0当量から1.5モル当量のトリアルキルアミン(例えば、トリエチルアミン)、N,N−ジメチルアニリン、ピリジン、または好ましくは水性炭酸ナトリウムもしくは重炭酸ナトリウムのような酸捕捉剤の存在下で、トルエン、キシレン、酢酸メチル、酢酸エチル、ジクロロメタン、トリクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、ジエトキシメタン等のような不活性溶媒中で行われる。この反応は容易であり、そして広範囲の温度、例えば、約−10℃〜60℃で実行することができる。典型的な反応条件としては、約0℃〜30℃の温度が挙げられる。都合が良いように、周囲温度(例えば、約15℃〜35℃)で反応を実行することができる。反応は通常、数時間以内で完了し、そして1時間〜2時間が典型的である。水性酸または水性塩化ナトリウムによる反応混合物の洗浄、有機相の濃縮、およびC〜Cアルコール、水、アルコール−水混合物またはヘキサンのような脂肪族炭化水素を場合により添加することによる式Vの結晶化の誘導のような標準方法によって、式Vの生成物を回収してもよい。
式10の化合物の水素化分解の間、単一反応ポットにおいて式12のアシル化剤と任意の酸捕捉剤とを添加することにより、スキーム4の最後の2工程を組み合わせることができる。この方法において、式11の化合物は生成されると直ちにアシル化されて、式Vの生成物が得られる。組み合わされた工程のための典型的な溶媒は、酢酸メチル、酢酸エチル、トルエン、キシレン、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン等である。酸捕捉剤は、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジエチルアニリン等のような第三級アミン、または重炭酸ナトリウム、酸化カルシウム、ピロリン酸ナトリウム、クエン酸三ナトリウム塩等のような固体イオンの化合物であり得る。
以下のスキーム5により図示されるように、式Iaの化合物を式Vの化合物に転化する縮合およびアシル化工程の連続を、他の順序で行うこともできる。この代替経路においては、式Iaの化合物をヒドラジン(13)と接触させて、式14のヒドラゾンを得る。次いで、このヒドラゾンを式12のアシル化剤と接触させて、式15の化合物を得、次いでこれをホルムアルデヒド当量(9)と接触させて、式Vの化合物を得る。
Figure 0004359500
(式中、置換基はスキーム4に関して定義された通りである)
式14のヒドラゾンを製造するために、式Iaのケトンを、好ましくは過剰な当量のヒドラジン、ヒドラジン一水和物、酢酸ヒドラジン、塩酸ヒドラジン等(例えば、Iaと比較して1.1当量から10当量)と接触させる。一般的にメタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール等または酢酸を含んでなる溶媒中でこの反応を実行し、そして一般的に反応混合物を溶媒の還流温度まで加熱する。反応は、一般的に24時間以内で完了する。WO 92/11249号の実施例2の工程Bは、この工程の例を記載する。
次いで、式14のヒドラゾンを式12のアシル化剤と接触させる。式Vの化合物への式11の化合物の転化に関してスキーム4にすでに記載されたものと類似の反応条件を使用して、この工程を実行する。水性仕上げ、濃縮および適切な溶媒からの結晶化のような標準方法によって、式15の生成物を単離する。WO 96/31467号の実施例1は、この工程の例を提供する。
スキーム5の最終工程において、式9のホルムアルデヒド当量によって式15の化合物を処理する。式10の化合物への式8の化合物の転化に関してスキーム4にすでに記載されたものと類似の反応条件を使用して、この工程を実行する。WO 96/31467号の実施例2は、この工程の例を提供する。
ベンゼン、トルエン等および1,2−ジメトキシエタンのようなエーテル性溶媒のような芳香族溶媒を含んでなる溶媒中で、カルバミン酸メチル[4−(トリフルオロメトキシ)フェニル]を水素化ナトリウム、ナトリウムメトキシド等のような塩基と接触させて、相当する塩を生成せしめることにより、式12のアシル化剤を製造することができる。次いで、式XC(O)Xを有する適切な化合物で塩を処理して、式12を生成せしめる。XがClである式12の好ましいアシル化剤のために、適切な化合物はホスゲン(ClC(O)Cl)であるか、またはトリホスゲン(ビス(トリクロロメチル)カルボネートとも称される)のようなホスゲン置換である。最も都合良くは、過剰量のホスゲンが使用される。この反応のための適切な温度は、約−10℃〜100℃、好ましくは約−10℃〜30℃の範囲である。通常、反応は数時間以内で完了する。求核置換により、XがClである式12からXがCl以外である式12のアシル化剤を製造することができる。例えば、フッ化銀による処理により、XがFである式12を得ることができ、そしてヨウ化ナトリウムによる処理により、XがIである式12を得ることができる。N,N−ジエチルアニリン、トリエチルアミン、水性炭酸カリウム等のような酸捕捉剤の存在下で、場合によりジエチルエーテル、ジクロロメタン等のような溶媒中で、4−(トリフルオロメトキシ)ベンゼンアミンをクロロ炭酸メチルと接触させることのような標準方法により、4−(トリフルオロメトキシ)ベンゼンアミンからカルバミン酸メチル[4−(トリフルオロメトキシ)フェニル]を製造することができる。この反応のための適切な温度は典型的に約0℃〜100℃の範囲内であり、約20℃〜70℃の温度が好ましい。通常、反応は数時間以内で完了する。WO 96/31467号の実施例1は、XがClである式12の好ましいアシル化剤の製造の例を提供する。
更なる詳細がなくても、前記されたものを使用する当業者は、本発明をその最も十分な範囲まで利用することができると考えられる。従って、以下の実施例は単なる実例として解釈され、かついずれかの様式に本開示を制限するものではない。クロマトグラフィー溶媒混合物を除いて、または特記されない限り、パーセントは重量によるものである。特記されない限り、クロマトグラフィー溶媒混合物に関する部およびパーセントは体積によるものである。H NMRスペクトルは、テトラメチルシランからのppm低磁場で報告される。「s」は一重項を意味し、「d」は二重項であり、「t」は三重項を意味し、「q」は四重項を意味し、「m」は多重項を意味し、「dd」は二重項の二重項を意味し、「dt」は三重項の二重項を意味し、「br s」は広域一重項を意味し、そして「br m」は広域多重項を意味する。化学選択性は、生成物に転換される、消費された制限試薬(すなわち、実施例5〜11のIIa)のパーセントである。
実施例において、定量HPLC分析を使用して、反応混合物に存在するメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートおよびメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートの量を測定した。キラルジルコニウム錯体が使用された実施例においては、キラルHPLC法を使用して、メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートの鏡像異性的過剰を決定した。
スペルコ(Supelco)(米国、16823−0048 ペンシルバニア州、ベルフォンテ、ノースハリソンロード595(595 North Harrison Road,Bellefonte,PA 16823−0048 USA))ディスカバリー(Discovery)C8(シリカに結合したオクチルシラン)カラム(25cm×4.6mm,5μm)を使用し、かつ1.5mL/分の流速で、40℃で定量HPLC分析を実行した。溶出溶媒は、30分で32%〜75%にアセトニトリル濃度が増加して溶媒勾配が生じる、水とアセトニトリルとの混合物(pH6.5)であった。260nmで光吸収を利用して検出を行った。メチル5−クロロ−1,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−2H−インデン−2−カルボキシレートおよびメチル5−クロロ−1−オキソ−2,3−ジヒドロインデン−2−カルボキシレートに関する3点検量線による外部標準を使用して、検出器をキャリブレーションした。
アステック(Astec)(米国、07981 ニュージャージ州、ウィッパニー、レスライ コート 37のアドバンスド・セパレーション・テクノロジーズ・インコーポレイテッド(Advanced Separation Technologies,Inc.,37 Leslie Court,Whippany,NJ 07981 USA))キロバイオチック(Chirobiotic)T(商標)(5μmシリカゲルに共有結合されたタイコプラニングリコペプチド)カラムを使用し、かつ1.0mL/分の流速で、40℃でキラルHPLC分析を実行した。溶出溶媒は、ヘキサンおよびエタノールのアイソクラチック80:20の混合物であった。254nmおよび230nmで光吸収を利用して検出を行った。2つの鏡像異性体のピーク領域を直接的に比較して、検出器感度が鏡像異性体の間で異ならないため、キャリブレーションは不必要であった。
実施例1
2,2’−[(1S,2S)−1,2−シクロヘキサンジイルビス(イミノメチレン)]ビス[4,6−ビス(1,1−ジメチルエチル)フェノール](RがC(CHである式IIIa)の製造
エタノール(15mL)に市販の濃塩酸(1.596g、37重量%、16.2mmol)を溶解することによって、エタノール系塩酸溶液を製造した。65℃で、固体のシアノ水素化ホウ素ナトリウム(1.850g、29.4mmol)およびエタノール系塩酸を、エタノール(50mL)およびトルエン(15mL)中の2,2’−[[1S,2S]−1,2−シクロヘキサンジイルビス(ニトリロメチリジン)]ビス[4,6−ビス(1,1−ジメチルエチル)フェノール]((1S,2S)−(+)−1,2−シクロヘキサンジアミノ−N,N’−ビス(3,5−ジ−t−ブチルサリチリデンとしても既知)(ストレム(Strem)、4.026g、7.362mmol)のスラリーに1.5時間かけて数部分にわけて添加した。この間に、反応混合物は濁黄色懸濁液から白濁溶液へと変化した。65℃で更に30分間、反応混合物を撹拌し、次いで、酢酸エチルおよび重炭酸ナトリウム水溶液の混合物中に注入した。水層を分離し、そして更なる酢酸エチルで抽出した。組み合わせた有機抽出物を乾燥し(MgSO)、濾過し、そして真空下でエバポレーションした。シリカゲル上でのフラッシュクロマトグラフィ(90:10のヘキサン−酢酸エチル)によって、残りの粗生成物を精製した。真空乾燥後、128〜132℃で融解する白色固体(3.262g、収率80%)として、精製された生成物を得た。H NMR(CDCl)δ1.279(s,18H、広域共鳴1.20−1.30ppmと重複、ほぼ6H積分)、1.42(m,2H)、1.375(s,18H)、1.70(br m,2H)、2.46(br m,2H)、2.17(br m,2H)、3.898(ABパターンのd,J=13.3Hz,2H)、4.039(ABパターンのd)、J=13.3Hz,2H)、6.863(d,J=2.3Hz,2H)、7.208(d,J=2.5Hz,2H)。LC/MS AP:8.33分、551(M +1);AP:8.35分、549(M−1)。
実施例2
シアノ水素化ホウ素ナトリウムを使用する2,2’−[[(1S,2S)−1,2−ジフェニル−1,2−エタンジイル]ビス(イミノメチレン)]ビス[6−(1,1−ジメチルエチル)フェノール](RがHであるIIIb)の製造
メタノール(50ml)中、還流下で1時間、(1S,2S)−1,2−ジフェニル−1,2−エタンジアミン((1S,2S)−(−)−1,2−ジフェニルエチレンジアミンとしても既知)(2.04g、9.40mmol)および3−(1,1−ジメチルエチル)−2−ヒドロキシベンズアルデヒド(3−第三級ブチル−2−ヒドロキシ−ベンズアルデヒドとしても既知)(3.36g、18.8mmol、2当量)を加熱した。次いで、混合物を65℃まで冷却し、そしてエタノール(10mL)に溶解されたシアノ水素化ホウ素ナトリウム(1.50g、23.9mmol、出発原料ジアミン1モルにつき2.5モル)および濃塩酸(36.5%、2.07g、20.7mmol、出発原料ジアミン1モルにつき2.2モル)を10〜15分かけて数部分にわけて添加した。添加後、混合物を30分間、65℃で保持した。次いで、混合物を冷却し、飽和重炭酸ナトリウム水溶液(40mL)および酢酸エチル(50mL)の混合物上へ注入した。塩を溶解するために、約40mLの水を添加した。有機層を分離し、そして水層を酢酸エチル(3×50mL)で抽出した。組み合わせた有機層を乾燥させ(MgSO)、そして溶媒をエバポレーションしてガラス質残渣を得、これを無水エタノールで倍散させて、第1の生成物として表題の化合物を得た(2.98g)。濾液の濃縮により第2の生成物(0.45g)を得た。表題の生成物の総量は3.43g(収率68.6%)であり、これは143〜145℃で融解する。H NMR(CDCl)δ1.35(s,18H)、2.2(br m,2H)、3.52(d,J=13.5Hz,2H)、3.76(d,J=13.5Hz,2H)、3.92(s,2H)、6.5(m,4H)、6.8(m,4H)、7.0−7.2(m,8H)、10.4(br s,2H)。
実施例3
水素化を使用する2,2’−[[(1S,2S)−1,2−ジフェニル−1,2−エタンジイル]ビス(イミノメチレン)]ビス[6−(1,1−ジメチルエチル)フェノール](RがHであるIIIb)の製造
工程A 2,2’−[[(1S,2S)−1,2−ジフェニル−1,2−エタンジイル]ビス(ニトリロメチリジン)]ビス[6−(1,1−ジメチルエチル)フェノール]の製造
メタノール(150mL)中で(1S,2S)−1,2−ジフェニル−1,2−エタンジアミン((1S,2S)−(−)−1,2−ジフェニルエチレンジアミンとしても既知)(20.8g、98mmol)および3−(1,1−ジメチルエチル)−2−ヒドロキシベンズアルデヒド(3−第三級ブチル−2−ヒドロキシ−ベンズアルデヒドとしても既知)(35.0g、196mmol、2当量)を加熱した。混合物が還流温度に近づいた時、ガムが分離した。メタノール(50g)およびヘプタン(10g)を添加し、スパチュラによりゴム状固体を粉砕した。還流下で2時間にわたって混合物を加熱し、次いで、室温まで冷却した。濾過によって生成物を回収し、そしてメタノールで洗浄して、明黄色固体として表題の生成物を得た。濾液の濃縮により、第2の生成物(8.20g)を提供した。
工程B 2,2’−[[(1S,2S)−1,2−ジフェニル−1,2−エタンジイル]ビス(イミノメチレン)]ビス[6−(1,1−ジメチルエチル)フェノール]の製造
100mLのステンレス鋼オートクレーブに、2,2’−[[(1S,2S)−1,2−ジフェニル−1,2−エタンジイル]ビス(ニトリロメチリジン)]ビス[6−(1,1−ジメチルエチル)フェノール](すなわち工程Aの生成物、5.0g)、炭素上プラチナ触媒(エンゲルハード・コーポレイション(Engelhard Corporation)CP97 Lot#6729−36−02、3重量%、2.5g)、トルエン(45.0g)および氷酢酸(1.0g)を充填した。窒素によるフラッシング後、水素により容器を周囲より100psig(690kPa)上まで加圧し、75℃まで加熱した。75℃に到達後、水素圧を約400psig(2760kPa)に調整し、反応混合物を5時間、75℃および約400psig(2760kPa)に保持した。混合物を20℃まで冷却し、水素を排気し、生成物のいくらかの損失が生じた。濾過によって触媒を除去し、反応物および触媒をトルエン(300グラム)で洗浄した。飽和水性重炭酸ナトリウム(2×100mL)および水(150mL)で連続して生成物溶液を洗浄し、これを無水硫酸マグネシウム上で乾燥させた。減圧下で有機相を濃縮すると、暗色油(5.0g)が残った。メタノール(12g)を添加して、油を溶解し、そして結晶化を誘導した。結晶物を回収し、メタノール(5g)で洗浄し、45℃で真空オーブンにおいて乾燥させて143〜144℃で融解する表題の生成物(3.0g)を得た。
実施例4
N,N’−(1S,2S)−1,2−シクロヘキサンジイルビス[3,5−ビス(1,1−ジメチルエチル)−2−ヒドロキシベンゼンカルボキサミド((Rが3,5−ジ−第三級ブチルであるIVa)の製造
60℃で、乾燥トルエン(50mL)中3,5−ビス(1,1−ジメチルエチル)−2−ヒドロキシ安息香酸(あるいは、3,5−ジ−第三級ブチルサリチル酸と称される)(2.50g、10mmol)およびN,N−ジメチルホルムアミド(10滴)の混合物に、塩化チオニル(5.95g、50mmol)を添加した。60℃で1時間後、明黄色溶液を真空下でエバポレーションすると濃厚油が残り、次いで乾燥テトラヒドロフラン(THF)(40mL)で希釈した。50℃まで加熱後、(1S,2S)−(+)−1,2−シクロヘキサンジアミン(0.560、4.90mmol)の10mL乾燥THF中溶液を添加し、続いてトリエチルアミン(1.01g、10mmol)を添加した。50℃で1時間後、反応混合物を水(25mL)で急冷し、次いで酢酸エチル/水中に注入した。有機相を分離し、追加の酢酸エチル(35mL)で水相を抽出した。組み合わせられた有機相を水でもう一度洗浄し、次いでシリカゲル上へエバポレーションした。フラッシュクロマトグラフィ(ヘキサン−酢酸エチル(1時間かけて0〜20%酢酸エチル))および真空下でのクロマトグラフィー溶媒のエバポレーションによる精製により、発泡体オフホワイト固体(1.18g)として生成物を得た。メタノール(5mL)中で白色固体を撹拌し、次いで少量の不溶性ゴム状固体から母液をデカントすることによって、生成物をさらに精製した。メタノール母液のエバポレーションにより、オフホワイト固体(1.15g)として表題の生成物を得た。H NMR(CDCl)δ1.29(s,18H)、1.38(s,18H)、1.82(s,2H)、2.22(br s,2H)、3.96(br s,2H)、6.95(br s,2H)、7.16(d,J=2Hz,2H)、7.41(d,J=2Hz,2H)、12.70(s,2H)。MS ESIポジティブ:579(M+1)、ESIネガティブ:577(M−1)。
実施例5
ラセミメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(RがOCHであり、そしてRがClである式Ia)の製造
30℃で、トルエン(1.34g、1.56mL)中メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(メチル5−クロロ−1−オキソ−2,3−ジヒドロインデン−2−カルボキシレート)(0.500g、2.23mmol)(RがOCHであり、そしてRがClである式IIa)およびジルコニウム(IV)イソプロポキシド(0.0086g、0.022mmol)の溶液に、第三級ブチルヒドロペルオキシド(70%、0.316g、2.46mmol)の水溶液を添加した。反応混合物を24時間30℃で撹拌し、次いでアセトニトリル(約6mL)で希釈した。定量HPLC分析によりメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートの92%転化が示され、収率89%でラセミメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートが生成された(化学選択性97%)。
実施例6
ラセミメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(RがOCHであり、そしてRがClである式Ia)の製造
ジルコニウム(IV)アセチルアセトネート(0.0544g、0.112mmol)を使用して、実施例1に記載の反応を実行した。定量HPLC分析によりメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートの97%転化が示され、収率93%でラセミメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートが生成された(化学選択性96%)。
実施例7
ラセミメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(RがOCHであり、そしてRがClである式Ia)の製造
ジルコニウム(IV)第三級ブトキシド(0.0428g、0.112mmol)を使用して、実施例5に記載の反応を実行した。定量HPLC分析によりメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートの94%転化が示され、収率82%でラセミメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートが生成された(化学選択性87%)。
実施例8
メチル(2S)−5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート((+)−メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートとしても既知)(RがOCHであり、そしてRがClである式Ia)の製造
周囲温度でトルエン(2mL)において、ジルコニウム(IV)イソプロポキシド(0.0345g、0.089mmol)を2,2’−[(1S,2S)−1,2−シクロヘキサンジイルビス(イミノメチレン)]ビス[4,6−ビス(1,1−ジメチルエチル)フェノール](RがC(CHである式IIIa、0.0613g、0.11mmol)と撹拌することによって、キラルジルコニウム錯体を製造した。一晩撹拌後、均一溶液を真空下でエバポレーションして乾燥させ、そして残渣をトルエン(1.34g)に再溶解した。メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(0.250g、1.11mmol)(RがOCHであり、そしてRがClである式IIa)をトルエン溶液に添加し、溶液を55℃まで加熱し、次いで第三級ブチルヒドロペルオキシド(70%、0.316g、2.46mmol)の水溶液を添加した。55℃で2時間後、溶液をアセトニトリル(11.5mL)で希釈した。定量およびキラルHPLC分析によりメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートの100%転化が示され、収率84%でメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートが生成され(化学選択性84%)、S鏡像異性体の84%鏡像体過剰率であった。
実施例9
メチル(2S)−5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(RがOCHであり、そしてRがClである式Ia)の製造
メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(0.100g、0.445mmol)(RがOCHであり、そしてRがClである式IIa)を使用して、実施例8に記載の反応を実行した。定量およびキラルHPLC分析によりメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートの100%転化が示され、収率66%でメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートが生成され(化学選択性66%)、S鏡像異性体の90%鏡像体過剰率であった。
実施例10
メチル(2S)−5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(RがOCHであり、そしてRがClである式Ia)の製造
周囲温度でトルエン(25mL)において30分間、ジルコニウム(IV)イソプロポキシド(0.560g、1.44mmol)を2,2’−[(1S,2S)−1,2−シクロヘキサンジイルビス(イミノメチレン)]ビス[4,6−ビス(1,1−ジメチルエチル)フェノール](RがC(CHである式IIIa、1.00g、1.82mmol)と撹拌することによって、キラルジルコニウム錯体を製造した。均一溶液を真空下でエバポレーションして乾燥させ、そして残渣をトルエン(8.70g、10mL)に再溶解した。メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートのトルエン溶液(21.55重量%のトルエン溶液1.53g、1.47mmolのメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート)をキラルジルコニウム錯体のトルエン溶液に添加し、反応混合物を55℃まで加熱した。次いで47分にわたって、55℃で、メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートのトルエン溶液(21.55重量%のトルエン溶液36.71g、35.2mmolのメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート)および、同時に、第三級ブチルヒドロペルオキシド(70%、4.69g、36.4mmol)の水溶液を反応混合物に供給した。2つの溶液を添加した後、反応混合物を55℃で追加の6時間加熱し、25℃まで冷却し、次いで濾過した。乾燥後、白色固体として、98%以上の鏡像体過剰率でメチル−5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートのS鏡像異性体4.64g(52.5%)を得た。濾液および固体の定量HPLC分析によりメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートの85%転化により全反応が進行することが示され、収率74%でメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートが生成され(化学選択性87%)、S鏡像異性体の75%鏡像体過剰率であった。
実施例11
メチル(2S)−5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(RがOCHであり、そしてRがClである式Ia)の製造
50℃でトルエン(1.00mL)において1時間、ジルコニウム(IV)アセチルアセトネート(43.5mg、0.089mmol)および2,2’−[[(1S,2S)−1,2−ジフェニル−1,2−エタンジイル]ビス(イミノメチレン)]ビス[6−(1,1−ジメチルエチル)フェノール](RがHである式IIIb、0.096g、0.18mmol)の混合物を迅速に撹拌する(渦流を形成すること)ことによって、キラルジルコニウム錯体を製造した。次いで、得られた溶液を真空下でエバポレーションして乾燥させ、次いで、メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(0.500g、2.23mmol)(RがOCHおよびRはClである式IIa)のトルエン溶液(2.00mL)を添加した。反応混合物を65℃まで加熱後、次いで、第三級ブチルヒドロペルオキシド(70%、0.316g、0.340mL、2.46mmol)の水溶液を添加した。65℃で3.5時間後、HPLC内部標準としてビフェニル(0.125g)を含有するアセトニトリル溶液(7.00mL)を添加することによって反応を急冷し、周囲温度まで冷却した。定量およびキラルHPLC分析によりメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートの100%転化が示され、収率85%でメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートが生成され(化学選択性85%)、S鏡像異性体の94%鏡像体過剰率であった。
実施例12
触媒の再利用を伴うメチル(2S)−5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(RがOCHであり、そしてRがClである式Ia)の製造
50℃でトルエン(5mL)において1時間、ジルコニウム(IV)アセチルアセトネート(0.73g、1.5mmol)およびRがHである式IIIb(1.61g、3.0mmol)を撹拌することによって、キラルジルコニウム錯体を製造した。得られた溶液に、メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(4.5g、20mmol)および追加のトルエン(4mL)を添加した。温度は65℃まで増加し、次いで、メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(17.96g、トルエン53g中80mmol)および第三級ブチルヒドロペルオキシドの70重量%水溶液(11.59g、90mmol)の2つの別々の溶液を同時に反応混合物に供給した。第三級ブチルヒドロペルオキシドの供給が30分で完了し、メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートの供給が2.25時間で完了するように、添加速度を制御した。両供給の完了後に、反応混合物を65℃で追加の2時間撹拌し、10℃まで冷却し、そして濾過した。式Iaの単離固体生成物をトルエン(2×8g)で洗浄し、次いで真空下45℃で乾燥させた。
前記反応からの濾液を真空下30℃でエバポレーションし、そしてトルエン(約7g)で希釈して総重量20gを得た。この溶液にメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(2.25g、10mmol)およびトルエン(6.65g)を充填して65℃まで加熱し、そして前記の通り、メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(20.21g、90mmol、トルエン55.35g中)および第三級ブチルヒドロペルオキシド(12.88g、100mmol)の溶液を同時供給した。両供給の完了後に、反応混合物を65℃で追加の1.5時間撹拌し、10℃まで冷却し、そして濾過した。式Iaの単離固体生成物を前記の通り洗浄し、乾燥させた。
前実行からの濾液を使用して、13.52g(105mmol)の第三級ブチルヒドロペルオキシドを使用したことを除き前段落に記載の通り、2回目の再利用プロセスを繰り返した。
19.31g(150mmol)の第三級ブチルヒドロペルオキシドを使用し、両供給を完了後、反応混合物を65℃で3時間保持したことを除き前段落に記載の通り、3回目の再利用プロセスを繰り返した。
以下の表E12に報告されるこれらの反応からの結果を、各反応からの単離固体および濾液のHPLC分析によって決定した。全体的な反応鏡像体過剰率(ee)は、実行の間に生じたIaの正味の鏡像体過剰率を指し、そして固体および濾液相におけるIaの鏡像体過剰率の加重平均である。反応混合物からのIaの結晶化により優勢な鏡像異性体を有する固体を濃縮することができるため、固体の単離Iaの鏡像体過剰率は反応鏡像体過剰率より高くてもよい。
Figure 0004359500
実施例13
触媒の再利用および補充を伴うメチル(2S)−5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(RがOCHであり、そしてRがClである式Ia)の製造
65℃でトルエン(4.7g)において40分間、ジルコニウム(IV)アセチルアセトネート(0.73g、1.5mmol)をRがHである式IIIb(1.61g、3.0mmol)と撹拌することによって、キラルジルコニウム錯体を製造した。得られた溶液に、メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(4.55g、20mmol)および追加のトルエン(8.7g)を添加した。反応温度を65℃に保持しながら、メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(18.38g、トルエン54g中82mmol)および第三級ブチルヒドロペルオキシドの70重量%水溶液(18.02g、140mmol)の2つの別々の溶液を同時に反応混合物に供給した。第三級ブチルヒドロペルオキシドの供給が30分で完了し、メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートの供給が2.5時間で完了するように、添加速度を制御した。両供給の完了後に、反応混合物を65℃で追加の2時間撹拌し、10℃まで冷却し、そして濾過した。得られた式Iaの単離固体生成物をトルエン(2×8g)で洗浄し、次いで真空下45℃で乾燥させた。濾液(反応濾液およびトルエン洗浄)を水性亜硫酸水素ナトリウム(炭酸ナトリウムによりpHを8.8まで調整したもの)で洗浄し、水相から分離し、次いで真空下30℃で濃縮して、重量10.4gの液体を提供した。
50℃でトルエン(2.73g)において1時間、RがHである式IIIb(1.07g、2mmol)およびジルコニウム(IV)アセチルアセトネート(0.195g、0.4mmol)を加熱することによって、触媒補充溶液を製造した。前記実行からの濃縮された濾液に、1.0gの触媒補充溶液(0.5mmolのRがHである式IIIb、0.1mmolのジルコニウム(IV)アセチルアセトネート)を充填した。混合物を65℃まで加熱後、メチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(2.29g、10mmol)を添加し、次いで、前記の通りメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(20.64g、トルエン61g中92mmol)および第三級ブチルヒドロペルオキシド(18.02g、140mmol)の溶液を同時供給した。両供給の完了後に、反応混合物を65℃で追加の1時間撹拌し、10℃まで冷却した。反応混合物に水(10mL)を添加後、これを前記の通り濾過し、そして単離固体を乾燥させた。濾液を前記の通り洗浄、分離し、そして濃縮して、重量9.85gの液体を提供した。
前実行からの濃縮濾液を使用して、第三級ブチルヒドロペルオキシドを1.75時間かけて供給し、そしてメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレートを3時間かけて供給したことを除き前段落に記載の通り、2回目の再利用プロセス(触媒補充を含む)を繰り返した。固体および濾液を前記の通り処理した。濾液を濃縮して、重量10.77gの液体を提供した。
前実行からの濃縮濾液を使用して、第三級ブチルヒドロペルオキシドを2時間かけて供給したことを除き前段落に記載の通り、3回目の再利用プロセス(触媒補充を含む)を繰り返した。固体および濾液を前記の通り処理した。
以下の表E13に報告されるこれらの反応からの結果を、各反応からのIaの単離固体および濾液の両方のHPLC分析によって決定した。全体的な反応鏡像体過剰率(ee)は、実行の間に生じたIaの正味の鏡像体過剰率を指し、そして固体および濾液相におけるIaの鏡像体過剰率の加重平均である。反応混合物からのIaの結晶化により優勢な鏡像異性体を有する固体を濃縮することができるため、固体の単離Iaの鏡像体過剰率は反応鏡像体過剰率より高くてもよい。
Figure 0004359500
実施例14
式IIIまたはIVの他の配位子を使用するメチル(2S)−5−クロロ−2,3−ジヒドロ−2−ヒドロキシ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(RがOCHであり、そしてRがClである式Ia)の製造
以下の実施例の反応条件、試薬、および試薬量を表E14AおよびE14Bに示す。IIa(RはOCHであり、RはClである)の転化およびIa(RはOCHであり、RはClである)の収率は、これらの反応に使用された制限試薬IIaの量を基準とする。
一般的手順:50℃でトルエン(1〜2mL)において1時間、ジルコニウム(IV)イソプロポキシドまたはジルコニウム(IV)アセチルアセトネートのいずれかをキラル配位子と撹拌することにより、キラルジルコニウム錯体を製造した。反応混合物を真空下でエバポレーションして乾燥させ、次いでメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート(0.250g/mL;0.500g、2.23mmolのメチル5−クロロ−2,3−ジヒドロ−1−オキソ−1H−インデン−2−カルボキシレート)のトルエン溶液(2.00mL)に添加した。得られた反応混合物を表E14AおよびE14Bに示される温度まで加熱し、次いで、第三級ブチルヒドロペルオキシドの70重量%水溶液(0.316g、0.340mL、2.46mmol(1.10当量)または0.359g、0.386mL、2.79mmol(1.25当量))を添加した。示された時間後、反応混合物をアセトニトリル(7.0mL)で希釈した。定量およびキラルHPLC分析の結果を表E14AおよびE14Bに示す。表E14AおよびE14Bで指定される(Rは、各フェニル環上で同一である。
Figure 0004359500
Figure 0004359500
Figure 0004359500
Figure 0004359500
当該分野で既知の方法とともに本明細書に記載の手順により、表1−3に確認される配位子およびそれらのジルコニウム錯体を製造することができる。本発明の方法に従って、式IIの相当するβ−ジカルボニル化合物から製造可能な式Iのヒドロキシル化化合物の例を表4に示す。以下の表において、以下の略号を使用する:「t」は第三級を意味し、「s」は第二級を意味し、「n」は第一級を意味し、「i」はイソを意味し、「c」はシクロを意味し、「Me」はメチルを意味し、「Et」はエチルを意味し、「Pr」はプロピルを意味し、「i−Pr」はイソプロピルを意味し、「Bu」はブチルを意味し、「Ph」はフェニルを意味し、「OMe」はメトキシを意味し、「OEt」はエトキシを意味し、「SMe」はメチルチオを意味し、「SEt」はエチルチオを意味し、「CN」はシアノを意味し、「NO」はニトロを意味し、「TMS」はトリメチルシリルを意味し、「S(O)Me」はメチルスルフィニルを意味し、そして「S(O)Me」はメチルスルホニルを意味する。明瞭にするために、式IIIの化合物(またはそれらの鏡像異性体)の例を表2Aおよび2Bに示し、そして式IVの化合物(またはそれらの鏡像異性体)の例を表3Aおよび3Bに示す。L−1からL−12として具体的に記載されるLに含まれるJと、連結している窒素含有連結との間の立体化学的関係を表1に示す。Lの窒素含有連結に接続している式IIIまたは式IVあるいはそれらの鏡像異性体の部分は、開示されたAおよびAである。
Figure 0004359500
Figure 0004359500
Figure 0004359500
Figure 0004359500
Figure 0004359500
Figure 0004359500
表4
本発明の方法に従って、式IIの相当するβ−ジカルボニル化合物から製造可能な式Iのヒドロキシル化化合物の実例(*は、本発明の方法により導入されたヒドロキシ基を含んでなるヒドロキシル化中心を示す。分子がヒドロキシル化中心を通して対称鏡面を持たない場合、ヒドロキシル化中心はキラル中心である。)
Figure 0004359500
Figure 0004359500
Figure 0004359500
Figure 0004359500
Figure 0004359500
なお、本発明の主たる特徴及び態様を述べれば以下のとおりである。
1. *により示されるヒドロキシル化中心においてアキラル、ラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている式I
Figure 0004359500
[式中、
1はH;あるいはそれぞれ場合により置換されていてもよいアルコキシ、アルキル、シクロアルキル、シクロアルコキシ、フェニル環、フェノキシ環または5員もしくは6員芳香族複素環であり、
2はH;あるいはそれぞれ場合により置換されていてもよいアルキル、シクロアルキル、フェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環であり、
3はH;あるいはそれぞれ場合により置換されていてもよいアルコキシ、アルキル、シクロアルキル、シクロアルコキシ、フェニル環、フェノキシ環または5員もしくは6員芳香族複素環であるか、あるいは
2およびR3は一緒になって、炭素員を少なくとも1員含み、場合により2員以下の炭素員をC(=O)として含んでいてもよく、場合により窒素および酸素から選択される1員を含んでいてもよく、かつそれぞれ場合により置換されていてもよい場合によりフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環に縮合されていてもよい、場合により置換されていてもよい3員〜6員の連結鎖を形成することができるか、あるいは
1およびR3は一緒になって、炭素員を少なくとも1員含み、場合により1員以下の炭素員をC(=O)として含んでいてもよく、かつ場合により置換されていてもよい場合によりフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環に縮合されていてもよい、場合により置換されていてもよい2員〜5員の連結鎖を形成することができる]
の化合物を製造する方法であって、
式II
Figure 0004359500
[式中、
1、R2およびR3は上記に定義された通りである]
の化合物をジルコニウム錯体および酸化剤と接触させることを含んでなる方法。
2. 式Iおよび式IIにおいて、
1がアルコキシであり、
2がアルキルであり、
3が場合により置換されていてもよいフェニルであるか、または
2およびR3が一緒になって、場合により置換されていてもよい場合によりフェニル環に縮合されていてもよい、場合により置換されていてもよい3員〜4員の炭素員の連結鎖を形成することができる
上記1に記載の方法。
3. 式IIの化合物が式IIa
Figure 0004359500
[式中、R1はC1〜C3アルコキシであり、そしてR4はF、ClまたはC1〜C3フルオロアルコキシである]
の化合物であり、
そして式Iの化合物が*により示されるヒドロキシル化中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている式Ia
Figure 0004359500
の化合物である上記2に記載の方法。
4. 酸化剤が過酸化水素または過酸化水素のモノエーテルから選択される上記1に記載の方法。
5. 酸化剤が第三級ブチルヒドロペルオキシドである上記4に記載の方法。
6. ジルコニウム錯体がジルコニウム(IV)C1〜C4アルコキシドまたはジルコニウム(IV)アセチルアセトネートから選択される上記1に記載の方法。
7. ジルコニウム錯体がジルコニウム(IV)アセチルアセトネートである上記6に記載の方法。
8. ジルコニウム錯体がジルコニウムと式III
Figure 0004359500
[式中、
Jは炭素原子員を少なくとも1員ならびに場合により窒素および酸素から選択されてもよい1員からなり、そのうち2員以下の炭素原子員がC(=O)として置換されている、場合により置換されていてもよい2員〜4員の連結鎖であり;該連結鎖は、隣接連結鎖員を通して、各環または環系が場合により置換されていてもよいC3〜C8シクロアルキル環、C3〜C8非芳香族複素環式環、フェニル環または1,2−ナフタレニル環系からなる群より選択される1つもしくは2つの環または環系に場合により縮合されていてもよく;結合された窒素原子は、示された通り、Jおよび互いに関して立体特異的配向で保持されており、
各R6は独立してハロゲン;NO2;シアノ;C2〜C5アルコキシカルボニル;N(C1〜C4アルキル)2;CON(C1〜C4アルキル)2;C1〜C4アルコキシ;C2〜C5アルキルカルボニルオキシ;C2〜C5アルコキシカルボニルオキシ;場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ;(C1〜C4アルキル)シリル;トリ(C1〜C4アルキル)シロキシ;場合により1つ〜3つのフェニル環により置換されていてもよいC1〜C4アルキル;場合によりC1〜C2アルキルにより置換されていてもよいC3〜C6シクロアルキル;アダマンチル;各環が場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環からなる群より選択され、そして
2つのR6が隣接フェニル環炭素原子に結合している場合、該2つのR6は、フェニル環と一緒になって、場合によりナフタレン環系のいずれかの環において置換されていてもよい該ナフタレン環系を形成することができ、そして
各nは独立して0〜4の整数である]
のキラル配位子とを含んでなる上記1に記載の方法。
9. 式IIIにおける各フェニル環が−OH官能基に対してオルト位であるR6置換基を有する上記8に記載の方法。
10. 式IIIのキラル配位子が式IIIa
Figure 0004359500
[式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
の配位子である上記9に記載の方法。
11. 式IIIのキラル配位子が式IIIb
Figure 0004359500
[式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
の配位子である上記9に記載の方法。
12. ジルコニウム錯体がジルコニウムと式ent−III
Figure 0004359500
[式中、
Jは炭素原子員を少なくとも1員ならびに場合により窒素および酸素から選択されてもよい1員からなり、そのうち2員以下の炭素原子員がC(=O)として置換されている、場合により置換されていてもよい2員〜4員の連結鎖であり;該連結鎖は、隣接連結鎖員を通して、各環または環系が場合により置換されていてもよいC3〜C8シクロアルキル環、C3〜C8非芳香族複素環式環、フェニル環または1,2−ナフタレニル環系からなる群より選択される1つもしくは2つの環または環系に場合により縮合されていてもよく;結合された窒素原子は、示された通り、Jおよび互いに関して立体特異的配向で保持されており、
各R6は独立してハロゲン;NO2;シアノ;C2〜C5アルコキシカルボニル;N(C1〜C4アルキル)2;CON(C1〜C4アルキル)2;C1〜C4アルコキシ;C2〜C5アルキルカルボニルオキシ;C2〜C5アルコキシカルボニルオキシ;場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ;(C1〜C4アルキル)シリル;トリ(C1〜C4アルキル)シロキシ;場合により1つ〜3つのフェニル環により置換されていてもよいC1〜C4アルキル;場合によりC1〜C2アルキルにより置換されていてもよいC3〜C6シクロアルキル;アダマンチル;各環が場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環からなる群より選択され、そして
2つのR6が隣接フェニル環炭素原子に結合している場合、該2つのR6は、フェニル環と一緒になって、場合によりナフタレン環系のいずれかの環において置換されていてもよい該ナフタレン環系を形成することができ、そして
各nは独立して0〜4の整数である]
のキラル配位子とを含んでなる上記1に記載の方法。
13. 式ent−IIIにおける各フェニル環が−OH官能基に対してオルト位であるR6置換基を有する上記12に記載の方法。
14. 式ent−IIIのキラル配位子が式ent−IIIa
Figure 0004359500
[式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
の配位子である上記13に記載の方法。
15. 式ent−IIIのキラル配位子が式ent−IIIb
Figure 0004359500
[式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
の配位子である上記13に記載の方法。
16. ジルコニウムと式III
Figure 0004359500
[式中、
Jは炭素原子員を少なくとも1員ならびに場合により窒素および酸素から選択されてもよい1員からなり、そのうち2員以下の炭素原子員がC(=O)として置換されている、場合により置換されていてもよい2員〜4員の連結鎖であり;該連結鎖は、隣接連結鎖員を通して、各環または環系が場合により置換されていてもよいC3〜C8シクロアルキル環、C3〜C8非芳香族複素環式環、フェニル環または1,2−ナフタレニル環系からなる群より選択される1つもしくは2つの環または環系に場合により縮合されていてもよく;結合された窒素原子は、示された通り、Jおよび互いに関して立体特異的配向で保持されており、
各R6は独立してハロゲン;NO2;シアノ;C2〜C5アルコキシカルボニル;N(C1〜C4アルキル)2;CON(C1〜C4アルキル)2;C1〜C4アルコキシ;C2〜C5アルキルカルボニルオキシ;C2〜C5アルコキシカルボニルオキシ;場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ;(C1〜C4アルキル)シリル;トリ(C1〜C4アルキル)シロキシ;場合により1つ〜3つのフェニル環により置換されていてもよいC1〜C4アルキル;場合によりC1〜C2アルキルにより置換されていてもよいC3〜C6シクロアルキル;アダマンチル;各環が場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環からなる群より選択され、そして
2つのR6が隣接フェニル環炭素原子に結合している場合、該2つのR6は、フェニル環と一緒になって、場合によりナフタレン環系のいずれかの環において置換されていてもよい該ナフタレン環系を形成することができ、そして
各nは独立して0〜4の整数である]
のキラル配位子とを含んでなるジルコニウム錯体。
17. 式IIIにおける各フェニル環が−OH官能基に対してオルト位であるR6置換基を有する上記16に記載のジルコニウム錯体。
18. 式IIIのキラル配位子が式IIIa
Figure 0004359500
[式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
の配位子である上記17に記載のジルコニウム錯体。
19. 式IIIのキラル配位子が式IIIb
Figure 0004359500
[式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
の配位子である上記17に記載のジルコニウム錯体。
20. ジルコニウムと式ent−III
Figure 0004359500
[式中、
Jは炭素原子員を少なくとも1員ならびに場合により窒素および酸素から選択されてもよい1員からなり、そのうち2員以下の炭素原子員がC(=O)として置換されている、場合により置換されていてもよい2員〜4員の連結鎖であり;該連結鎖は、隣接連結鎖員を通して、各環または環系が場合により置換されていてもよいC3〜C8シクロアルキル環、C3〜C8非芳香族複素環式環、フェニル環または1,2−ナフタレニル環系からなる群より選択される1つもしくは2つの環または環系に場合により縮合されていてもよく;結合された窒素原子は、示された通り、Jおよび互いに関して立体特異的配向で保持されており、
各R6は独立してハロゲン;NO2;シアノ;C2〜C5アルコキシカルボニル;N(C1〜C4アルキル)2;CON(C1〜C4アルキル)2;C1〜C4アルコキシ;C2〜C5アルキルカルボニルオキシ;C2〜C5アルコキシカルボニルオキシ;場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ;(C1〜C4アルキル)シリル;トリ(C1〜C4アルキル)シロキシ;場合により1つ〜3つのフェニル環により置換されていてもよいC1〜C4アルキル;場合によりC1〜C2アルキルにより置換されていてもよいC3〜C6シクロアルキル;アダマンチル;各環が場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環からなる群より選択され、そして
2つのR6が隣接フェニル環炭素原子に結合している場合、該2つのR6は、フェニル環と一緒になって、場合によりナフタレン環系のいずれかの環において置換されていてもよい該ナフタレン環系を形成することができ、そして
各nは独立して0〜4の整数である]
のキラル配位子とを含んでなるジルコニウム錯体。
21. 式ent−IIIにおける各フェニル環が−OH官能基に対してオルト位であるR6置換基を有する上記20に記載のジルコニウム錯体。
22. 式ent−IIIのキラル配位子が式ent−IIIa
Figure 0004359500
[式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
の配位子である上記21に記載のジルコニウム錯体。
23. 式ent−IIIのキラル配位子が式ent−IIIb
Figure 0004359500
[式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
の配位子である上記21に記載のジルコニウム錯体。
24. 式III
Figure 0004359500
[式中、
Jは炭素原子員を少なくとも1員ならびに場合により窒素および酸素から選択されてもよい1員からなり、そのうち2員以下の炭素原子員がC(=O)として置換されている、場合により置換されていてもよい2員〜4員の連結鎖であり;該連結鎖は、隣接連結鎖員を通して、各環または環系が場合により置換されていてもよいC3〜C8シクロアルキル環、C3〜C8非芳香族複素環式環、フェニル環または1,2−ナフタレニル環系からなる群より選択される1つもしくは2つの環または環系に場合により縮合されていてもよく;結合された窒素原子は、示された通り、Jおよび互いに関して立体特異的配向で保持されており、
各R6は独立してハロゲン;NO2;シアノ;C2〜C5アルコキシカルボニル;N(C1〜C4アルキル)2;CON(C1〜C4アルキル)2;C1〜C4アルコキシ;C2〜C5アルキルカルボニルオキシ;C2〜C5アルコキシカルボニルオキシ;場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ;(C1〜C4アルキル)シリル;トリ(C1〜C4アルキル)シロキシ;場合により1つ〜3つのフェニル環により置換されていてもよいC1〜C4アルキル;場合によりC1〜C2アルキルにより置換されていてもよいC3〜C6シクロアルキル;アダマンチル;各環が場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環からなる群より選択され、そして
2つのR6が隣接フェニル環炭素原子に結合している場合、該2つのR6は、フェニル環と一緒になって、場合によりナフタレン環系のいずれかの環において置換されていてもよい該ナフタレン環系を形成することができ、そして
各nは独立して0〜4の整数であり、
ただし、(a)Jが隣接炭素原子を介して式IIIの残りの部分に連結しているC6シクロアルキル環である場合、少なくとも1つのnは1〜4の整数であり;(b)Jが隣接炭素原子を介して式IIIの残りの部分に連結しているC6シクロアルキル環である場合、1つのフェニル環上において、nは2であり、かつ(R6nは3−t−ブチル−5−メチルであり、他のフェニル環上における(R6nは3−t−ブチル−5−メチル以外であり;そして(c)Jが2位および2'位を介して式IIIの残りの部分に連結している1,1'−ビナフタレニル環系である場合、少なくとも1つのnは1〜4の整数である]
のキラル化合物。
25. 式IIIa
Figure 0004359500
[式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
である上記24に記載のキラル化合物。
26. 式IIIb
Figure 0004359500
[式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
である上記24に記載のキラル化合物。
27. 式ent−III
Figure 0004359500
[式中、
Jは炭素原子員を少なくとも1員ならびに場合により窒素および酸素から選択されてもよい1員からなり、そのうち2員以下の炭素原子員がC(=O)として置換されている、場合により置換されていてもよい2員〜4員の連結鎖であり;該連結鎖は、隣接連結鎖員を通して、各環または環系が場合により置換されていてもよいC3〜C8シクロアルキル環、C3〜C8非芳香族複素環式環、フェニル環または1,2−ナフタレニル環系からなる群より選択される1つもしくは2つの環または環系に場合により縮合されていてもよく;結合された窒素原子は、示された通り、Jおよび互いに関して立体特異的配向で保持されており、
各R6は独立してハロゲン;NO2;シアノ;C2〜C5アルコキシカルボニル;N(C1〜C4アルキル)2;CON(C1〜C4アルキル)2;C1〜C4アルコキシ;C2〜C5アルキルカルボニルオキシ;C2〜C5アルコキシカルボニルオキシ;場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ;(C1〜C4アルキル)シリル;トリ(C1〜C4アルキル)シロキシ;場合により1つ〜3つのフェニル環により置換されていてもよいC1〜C4アルキル;場合によりC1〜C2アルキルにより置換されていてもよいC3〜C6シクロアルキル;アダマンチル;各環が場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環からなる群より選択され、そして
2つのR6が隣接フェニル環炭素原子に結合している場合、該2つのR6は、フェニル環と一緒になって、ナフタレン環系のいずれかの環において場合により置換されていてもよい該ナフタレン環系を形成することができ、そして
各nは独立して0〜4の整数であり、
ただし、(a)Jが隣接炭素原子を介して式ent−IIIの残りの部分に連結しているC6シクロアルキル環である場合、少なくとも1つのnは1〜4の整数であり;(b)Jが隣接炭素原子を介して式ent−IIIの残りの部分に連結しているC6シクロアルキル環である場合、1つのフェニル環上において、nは2であり、かつ(R6nは3−t−ブチル−5−メチルであり、他のフェニル環上における(R6nは3−t−ブチル−5−メチル以外であり;(c)Jが隣接炭素原子を介して式ent−IIIの残りの部分に連結しているC6シクロアルキル環である場合、1つのフェニル環上において、nは2であり、かつ(R6nは3−t−ブチル−5−t−ブチルであり、他のフェニル環上における(R6nは3−t−ブチル−5−t−ブチル以外であり;そして(d)Jが、2位および2'位を介して式ent−IIIの残りの部分に連結している1,1'−ビナフタレニル環系である場合、少なくとも1つのnは1〜4の整数である]
のキラル化合物。
28. 式ent−IIIa
Figure 0004359500
[式中、R6はHである]
である上記27に記載のキラル化合物。
29. 式ent−IIIb
Figure 0004359500
[式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
である上記27に記載のキラル化合物。
30. 式Ia
Figure 0004359500
の化合物を使用して、式V
Figure 0004359500
[式中、
1はC1〜C3アルコキシであり、そして
4はF、ClまたはC1〜C3フルオロアルコキシである]
ここで、式VおよびIaは*により示されるキラル中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている、
の化合物を製造する方法であって、
上記3に記載の方法によって前記式Iaの化合物を製造することを特徴とする方法。
31. R1がOCH3であり;そしてR4がClである上記30に記載の方法。
32. 式VおよびIaがS異性体で鏡像異性的に濃縮されている上記30に記載の方法。
33. 式V
Figure 0004359500
[式中、
1はC1〜C3アルコキシであり、
4はF、ClまたはC1〜C3フルオロアルコキシであり、そして
式Vは*により示されるキラル中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている]
の化合物を製造する方法であって、
(a)式IIa
Figure 0004359500
[式中、R1はC1〜C3アルコキシであり、そしてR4はF、ClまたはC1〜C3フルオロアルコキシである]
の化合物をジルコニウム錯体および酸化剤と接触させて、*により示されるキラル中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている式Ia
Figure 0004359500
の化合物を製造し、
(b)式Iaの化合物をH2NNHR9(式中、R9は保護基である)と接触させて、式8
Figure 0004359500
の化合物を生成せしめ、
(c)式8の化合物をホルムアルデヒド当量と接触させて、式10
Figure 0004359500
の化合物を生成せしめ、
(d)式10の化合物から保護基を除去して、式11
Figure 0004359500
の化合物を生成せしめ、
(e)式11の化合物を式12
Figure 0004359500
[式中、X1は脱離基である]
の化合物と接触させて、式Vの化合物を生成せしめる
工程を含んでなる方法。
34. R1がOCH3であり、そしてR4がClである上記33に記載の方法。
35. 式VおよびIaがS異性体で鏡像異性的に濃縮されている上記33に記載の方法。
36. 式V
Figure 0004359500
[式中、
1はC1〜C3アルコキシであり、
4はF、ClまたはC1〜C3フルオロアルコキシであり、そして
式Vは*により示されるキラル中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている]
の化合物を製造する方法であって、
(a)式IIa
Figure 0004359500
[式中、R1はC1〜C3アルコキシであり、そしてR4はF、ClまたはC1〜C3フルオロアルコキシである]
の化合物をジルコニウム錯体および酸化剤と接触させて、*により示されるキラル中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている式Ia
Figure 0004359500
の化合物を製造し、
(b)式Iaの化合物をH2NNH2と接触させて、式14
Figure 0004359500
の化合物を生成せしめ、
(c)式14の化合物を式12
Figure 0004359500
[式中、X1は脱離基である]
の化合物と接触させて、式15
Figure 0004359500
の化合物を生成せしめ、
(d)式15の化合物をホルムアルデヒド当量と接触させて、式Vの化合物を生成せしめる
工程を含んでなる方法。
37. R1がOCH3であり、そしてR4がClである上記36に記載の方法。
38. 式VおよびIaがS異性体で鏡像異性的に濃縮されている上記36に記載の方法。

Claims (23)

  1. *により示されるヒドロキシル化中心においてアキラル、ラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている式I
    Figure 0004359500
    [式中、
    1はH;あるいはそれぞれ場合により置換されていてもよいアルコキシ、アルキル、シクロアルキル、シクロアルコキシ、フェニル環、フェノキシ環または5員もしくは6員芳香族複素環であり、
    2はH;あるいはそれぞれ場合により置換されていてもよいアルキル、シクロアルキル、フェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環であり、
    3はH;あるいはそれぞれ場合により置換されていてもよいアルコキシ、アルキル、シクロアルキル、シクロアルコキシ、フェニル環、フェノキシ環または5員もしくは6員芳香族複素環であるか、あるいは
    2およびR3は一緒になって、炭素員を少なくとも1員含み、場合により2員以下の炭素員をC(=O)として含んでいてもよく、場合により窒素および酸素から選択される1員を含んでいてもよく、かつそれぞれ場合により置換されていてもよい場合によりフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環に縮合されていてもよい、場合により置換されていてもよい3員〜6員の連結鎖を形成することができるか、あるいは
    1およびR3は一緒になって、炭素員を少なくとも1員含み、場合により1員以下の炭素員をC(=O)として含んでいてもよく、かつ場合により置換されていてもよい場合によりフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環に縮合されていてもよい、場合により置換されていてもよい2員〜5員の連結鎖を形成することができる]
    の化合物を製造する方法であって、
    式II
    Figure 0004359500
    [式中、
    1、R2およびR3は上記に定義された通りである]
    の化合物をアキラル、ラセミまたはキラルジルコニウム錯体および酸化剤と接触させることを含んでなる方法。
  2. 式IIの化合物が式IIa
    Figure 0004359500
    [式中、R1はC1〜C3アルコキシであり、そしてR4はF、ClまたはC1〜C3フルオロアルコキシである]
    の化合物であり、
    そして式Iの化合物が*により示されるヒドロキシル化中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている式Ia
    Figure 0004359500
    の化合物である請求項1に記載の方法。
  3. ジルコニウム錯体がジルコニウムと式III
    Figure 0004359500
    [式中、
    Jは炭素原子員を少なくとも1員ならびに場合により窒素および酸素から選択されてもよい1員からなり、そのうち2員以下の炭素原子員がC(=O)として置換されている、場合により置換されていてもよい2員〜4員の連結鎖であり;該連結鎖は、隣接する連結鎖員を通して、各環が場合により置換されていてもよいC3〜C8シクロアルキル環、C3〜C8非芳香族複素環式環、フェニル環または1,2−ナフタレニル環からなる群より選択される1つもしくは2つの環に場合により縮合されていてもよく;結合された窒素原子は、示された通り、Jおよび互いに関して立体特異的配向で保持されており、
    各R6は独立してハロゲン;NO2;シアノ;C2〜C5アルコキシカルボニル;N(C1〜C4アルキル)2;CON(C1〜C4アルキル)2;C1〜C4アルコキシ;C2〜C5アルキルカルボニルオキシ;C2〜C5アルコキシカルボニルオキシ;場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ;(C1〜C4アルキル)シリル;トリ(C1〜C4アルキル)シロキシ;場合により1つ〜3つのフェニル環により置換されていてもよいC1〜C4アルキル;場合によりC1〜C2アルキルにより置換されていてもよいC3〜C6シクロアルキル;アダマンチル;各環が場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環からなる群より選択され、そして
    2つのR6が隣接フェニル環炭素原子に結合している場合、該2つのR6は、フェニル環と一緒になって、場合によりナフタレン環のいずれかの環において置換されていてもよい該ナフタレン環を形成することができ、そして
    各nは独立して0〜4の整数である]
    のキラル配位子とを含んでなる請求項1に記載の方法。
  4. 式IIIのキラル配位子が式IIIa
    Figure 0004359500
    [式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
    の配位子である請求項3に記載の方法。
  5. 式IIIのキラル配位子が式IIIb
    Figure 0004359500
    [式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
    の配位子である請求項3に記載の方法。
  6. ジルコニウム錯体がジルコニウムと式ent−III
    Figure 0004359500
    [式中、
    Jは炭素原子員を少なくとも1員ならびに場合により窒素および酸素から選択されてもよい1員からなり、そのうち2員以下の炭素原子員がC(=O)として置換されている、場合により置換されていてもよい2員〜4員の連結鎖であり;該連結鎖は、隣接する連結鎖員を通して、各環が場合により置換されていてもよいC3〜C8シクロアルキル環、C3〜C8非芳香族複素環式環、フェニル環または1,2−ナフタレニル環からなる群より選択される1つもしくは2つの環に場合により縮合されていてもよく;結合された窒素原子は、示された通り、Jおよび互いに関して立体特異的配向で保持されており、
    各R6は独立してハロゲン;NO2;シアノ;C2〜C5アルコキシカルボニル;N(C1〜C4アルキル)2;CON(C1〜C4アルキル)2;C1〜C4アルコキシ;C2〜C5アルキルカルボニルオキシ;C2〜C5アルコキシカルボニルオキシ;場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ;(C1〜C4アルキル)シリル;トリ(C1〜C4アルキル)シロキシ;場合により1つ〜3つのフェニル環により置換されていてもよいC1〜C4アルキル;場合によりC1〜C2アルキルにより置換されていてもよいC3〜C6シクロアルキル;アダマンチル;各環が場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環からなる群より選択され、そして
    2つのR6が隣接フェニル環炭素原子に結合している場合、該2つのR6は、フェニル環と一緒になって、場合によりナフタレン環のいずれかの環において置換されていてもよい該ナフタレン環を形成することができ、そして
    各nは独立して0〜4の整数である]
    のキラル配位子とを含んでなる請求項1に記載の方法。
  7. ジルコニウムと式III
    Figure 0004359500
    [式中、
    Jは炭素原子員を少なくとも1員ならびに場合により窒素および酸素から選択されてもよい1員からなり、そのうち2員以下の炭素原子員がC(=O)として置換されている、場合により置換されていてもよい2員〜4員の連結鎖であり;該連結鎖は、隣接する連結鎖員を通して、各環が場合により置換されていてもよいC3〜C8シクロアルキル環、C3〜C8非芳香族複素環式環、フェニル環または1,2−ナフタレニル環からなる群より選択される1つもしくは2つの環に場合により縮合されていてもよく;結合された窒素原子は、示された通り、Jおよび互いに関して立体特異的配向で保持されており、
    各R6は独立してハロゲン;NO2;シアノ;C2〜C5アルコキシカルボニル;N(C1〜C4アルキル)2;CON(C1〜C4アルキル)2;C1〜C4アルコキシ;C2〜C5アルキルカルボニルオキシ;C2〜C5アルコキシカルボニルオキシ;場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ;(C1〜C4アルキル)シリル;トリ(C1〜C4アルキル)シロキシ;場合により1つ〜3つのフェニル環により置換されていてもよいC1〜C4アルキル;場合によりC1〜C2アルキルにより置換されていてもよいC3〜C6シクロアルキル;アダマンチル;各環が場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環からなる群より選択され、そして
    2つのR6が隣接フェニル環炭素原子に結合している場合、該2つのR6は、フェニル環と一緒になって、場合によりナフタレン環のいずれかの環において置換されていてもよい該ナフタレン環を形成することができ、そして
    各nは独立して0〜4の整数である]
    のキラル配位子とを含んでなるジルコニウム錯体。
  8. 式IIIのキラル配位子が式IIIa
    Figure 0004359500
    [式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
    の配位子である請求項7に記載のジルコニウム錯体。
  9. 式IIIのキラル配位子が式IIIb
    Figure 0004359500
    [式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
    の配位子である請求項7に記載のジルコニウム錯体。
  10. ジルコニウムと式ent−III
    Figure 0004359500
    [式中、
    Jは炭素原子員を少なくとも1員ならびに場合により窒素および酸素から選択されてもよい1員からなり、そのうち2員以下の炭素原子員がC(=O)として置換されている、場合により置換されていてもよい2員〜4員の連結鎖であり;該連結鎖は、隣接する連結鎖員を通して、各環が場合により置換されていてもよいC3〜C8シクロアルキル環、C3〜C8非芳香族複素環式環、フェニル環または1,2−ナフタレニル環からなる群より選択される1つもしくは2つの環に場合により縮合されていてもよく;結合された窒素原子は、示された通り、Jおよび互いに関して立体特異的配向で保持されており、
    各R6は独立してハロゲン;NO2;シアノ;C2〜C5アルコキシカルボニル;N(C1〜C4アルキル)2;CON(C1〜C4アルキル)2;C1〜C4アルコキシ;C2〜C5アルキルカルボニルオキシ;C2〜C5アルコキシカルボニルオキシ;場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ;(C1〜C4アルキル)シリル;トリ(C1〜C4アルキル)シロキシ;場合により1つ〜3つのフェニル環により置換されていてもよいC1〜C4アルキル;場合によりC1〜C2アルキルにより置換されていてもよいC3〜C6シクロアルキル;アダマンチル;各環が場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環からなる群より選択され、そして
    2つのR6が隣接フェニル環炭素原子に結合している場合、該2つのR6は、フェニル環と一緒になって、場合によりナフタレン環のいずれかの環において置換されていてもよい該ナフタレン環を形成することができ、そして
    各nは独立して0〜4の整数である]
    のキラル配位子とを含んでなるジルコニウム錯体。
  11. 式III
    Figure 0004359500
    [式中、
    Jは炭素原子員を少なくとも1員ならびに場合により窒素および酸素から選択されてもよい1員からなり、そのうち2員以下の炭素原子員がC(=O)として置換されている、場合により置換されていてもよい2員〜4員の連結鎖であり;該連結鎖は、隣接する連結鎖員を通して、各環が場合により置換されていてもよいC3〜C8シクロアルキル環、C3〜C8非芳香族複素環式環、フェニル環または1,2−ナフタレニル環からなる群より選択される1つもしくは2つの環に場合により縮合されていてもよく;結合された窒素原子は、示された通り、Jおよび互いに関して立体特異的配向で保持されており、
    各R6は独立してハロゲン;NO2;シアノ;C2〜C5アルコキシカルボニル;N(C1〜C4アルキル)2;CON(C1〜C4アルキル)2;C1〜C4アルコキシ;C2〜C5アルキルカルボニルオキシ;C2〜C5アルコキシカルボニルオキシ;場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ;(C1〜C4アルキル)シリル;トリ(C1〜C4アルキル)シロキシ;場合により1つ〜3つのフェニル環により置換されていてもよいC1〜C4アルキル;場合によりC1〜C2アルキルにより置換されていてもよいC3〜C6シクロアルキル;アダマンチル;各環が場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環からなる群より選択され、そして
    2つのR6が隣接フェニル環炭素原子に結合している場合、該2つのR6は、フェニル環と一緒になって、場合によりナフタレン環のいずれかの環において置換されていてもよい該ナフタレン環を形成することができ、そして
    各nは独立して0〜4の整数であり、
    ただし、(a)Jが隣接炭素原子を介して式IIIの残りの部分に連結しているC6シクロアルキル環である場合、少なくとも1つのnは1〜4の整数であり;(b)Jが隣接炭素原子を介して式IIIの残りの部分に連結しているC6シクロアルキル環である場合、1つのフェニル環上において、nは2であり、かつ(R6nは3−t−ブチル−5−メチルであり、他のフェニル環上における(R6nは3−t−ブチル−5−メチル以外であり;そして(c)Jが2位および2'位を介して式IIIの残りの部分に連結している1,1'−ビナフタレニル環である場合、少なくとも1つのnは1〜4の整数である]
    のキラル化合物。
  12. 式IIIa
    Figure 0004359500
    [式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
    である請求項11に記載のキラル化合物。
  13. 式IIIb
    Figure 0004359500
    [式中、各R6は同一でありかつHおよびC(CH33から選択される]
    である請求項11に記載のキラル化合物。
  14. 式ent−III
    Figure 0004359500
    [式中、
    Jは炭素原子員を少なくとも1員ならびに場合により窒素および酸素から選択されてもよい1員からなり、そのうち2員以下の炭素原子員がC(=O)として置換されている、場合により置換されていてもよい2員〜4員の連結鎖であり;該連結鎖は、隣接する連結鎖員を通して、各環が場合により置換されていてもよいC3〜C8シクロアルキル環、C3〜C8非芳香族複素環式環、フェニル環または1,2−ナフタレニル環からなる群より選択される1つもしくは2つの環に場合により縮合されていてもよく;結合された窒素原子は、示された通り、Jおよび互いに関して立体特異的配向で保持されており、
    各R6は独立してハロゲン;NO2;シアノ;C2〜C5アルコキシカルボニル;N(C1〜C4アルキル)2;CON(C1〜C4アルキル)2;C1〜C4アルコキシ;C2〜C5アルキルカルボニルオキシ;C2〜C5アルコキシカルボニルオキシ;場合により置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ;(C1〜C4アルキル)シリル;トリ(C1〜C4アルキル)シロキシ;場合により1つ〜3つのフェニル環により置換されていてもよいC1〜C4アルキル;場合によりC1〜C2アルキルにより置換されていてもよいC3〜C6シクロアルキル;アダマンチル;各環が場合により置換されていてもよいフェニル環または5員もしくは6員芳香族複素環からなる群より選択され、そして
    2つのR6が隣接フェニル環炭素原子に結合している場合、該2つのR6は、フェニル環と一緒になって、ナフタレン環のいずれかの環において場合により置換されていてもよい該ナフタレン環を形成することができ、そして
    各nは独立して0〜4の整数であり、
    ただし、(a)Jが隣接炭素原子を介して式ent−IIIの残りの部分に連結しているC6シクロアルキル環である場合、少なくとも1つのnは1〜4の整数であり;(b)Jが隣接炭素原子を介して式ent−IIIの残りの部分に連結しているC6シクロアルキル環である場合、1つのフェニル環上において、nは2であり、かつ(R6nは3−t−ブチル−5−メチルであり、他のフェニル環上における(R6nは3−t−ブチル−5−メチル以外であり;(c)Jが隣接炭素原子を介して式ent−IIIの残りの部分に連結しているC6シクロアルキル環である場合、1つのフェニル環上において、nは2であり、かつ(R6nは3−t−ブチル−5−t−ブチルであり、他のフェニル環上における(R6nは3−t−ブチル−5−t−ブチル以外であり;そして(d)Jが、2位および2'位を介して式ent−IIIの残りの部分に連結している1,1'−ビナフタレニル環である場合、少なくとも1つのnは1〜4の整数である]
    のキラル化合物。
  15. 請求項3に記載の方法によって前記式Iaの化合物を製造することを特徴とする、式Ia
    Figure 0004359500
    の化合物を使用して式V
    Figure 0004359500
    [式中、
    1はC1〜C3アルコキシであり、そして
    4はF、ClまたはC1〜C3フルオロアルコキシである]
    ここで、式VおよびIaは*により示されるキラル中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている、
    の化合物の製造方法。
  16. 1がOCH3であり、そしてR4がClである請求項15に記載の方法。
  17. 式VおよびIaがS異性体で鏡像異性的に濃縮されている請求項15に記載の方法。
  18. 式V
    Figure 0004359500
    [式中、
    1はC1〜C3アルコキシであり、
    4はF、ClまたはC1〜C3フルオロアルコキシであり、そして
    式Vは*により示されるキラル中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている]
    の化合物を製造する方法であって、
    (a)式IIa
    Figure 0004359500
    [式中、R1はC1〜C3アルコキシであり、そしてR4はF、ClまたはC1〜C3フルオロアルコキシである]
    の化合物をジルコニウム錯体および酸化剤と接触させて、*により示されるキラル中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている式Ia
    Figure 0004359500
    の化合物を製造し、
    (b)式Iaの化合物をH2NNHR9[式中、R9は保護基である]と接触させて、式8
    Figure 0004359500
    の化合物を生成せしめ、
    (c)式8の化合物をホルムアルデヒド当量と接触させて、式10
    Figure 0004359500
    の化合物を生成せしめ、
    (d)式10の化合物から保護基を除去して、式11
    Figure 0004359500
    の化合物を生成せしめ、
    (e)式11の化合物を式12
    Figure 0004359500
    [式中、X1は脱離基である]
    の化合物と接触させて、式Vの化合物を生成せしめる工程を含んでなる方法。
  19. 1がOCH3であり、そしてR4がClである請求項18に記載の方法。
  20. 式VおよびIaがS異性体で鏡像異性的に濃縮されている請求項18に記載の方法。
  21. 式V
    Figure 0004359500
    [式中、
    1はC1〜C3アルコキシであり、
    4はF、ClまたはC1〜C3フルオロアルコキシであり、そして
    式Vは*により示されるキラル中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている]
    の化合物を製造する方法であって、
    (a)式IIa
    Figure 0004359500
    [式中、R1はC1〜C3アルコキシであり、そしてR4はF、ClまたはC1〜C3フルオロアルコキシである]
    の化合物をジルコニウム錯体および酸化剤と接触させて、*により示されるキラル中心においてラセミまたは鏡像異性的に濃縮されている式Ia
    Figure 0004359500
    の化合物を製造し、
    (b)式Iaの化合物をH2NNH2と接触させて、式14
    Figure 0004359500
    の化合物を生成せしめ、
    (c)式14の化合物を式12
    Figure 0004359500
    [式中、X1は脱離基である]
    の化合物と接触させて、式15
    Figure 0004359500
    の化合物を生成せしめ、
    (d)式15の化合物をホルムアルデヒド当量と接触させて、式Vの化合物を生成せしめる
    工程を含んでなる方法。
  22. 1がOCH3であり、そしてR4がClである請求項21に記載の方法。
  23. 式VおよびIaがS異性体で鏡像異性的に濃縮されている請求項21に記載の方法。
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