JP4649645B2 - 光学活性アルコール化合物の製法 - Google Patents
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Description
また、エポキシドは歪みが大きく、種々の求核剤と容易に反応して開環体を与えることから、アミンを求核剤とした水溶液中でのエポキシドの開環反応によるβ−アミノアルコールの合成方法が知られていた。
さらに近年、本願発明者らは、光学活性なビピリジン化合物を不斉配位子とした触媒を用いて、水溶液中での芳香族アミンを求核剤としたメソエポキシドの触媒的不斉開環反応を見出している(非特許文献2)。
一方、インドール誘導体などのヘテロ芳香族化合物には興味深い生理活性を示すものが多く、光学活性ヘテロ芳香族化合物を触媒的不斉反応により合成した例として、クロミウムーサレン錯体を用いたメソエポキシドのインドールによる触媒的不斉開環反応が知られている(非特許文献3)。
R2は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基若しくはアルコキシ基、好ましくは水素原子を表す。
Xは−OH又は−SHを、好ましくは−OHを表す。
R3は、炭素数が6以上、好ましくは6〜20の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又はパーフルオロアルキル基を表し、より好ましくは炭素数が6〜20のアルキル基又はアルキルアリール基を表す。即ち、有機スルホン酸(−OSO2R3)としてアルカンスルホン酸基やアルキルアレーンスルホン酸基が好ましく、例えば、ドデカンスルホン酸基、オクチルベンゼンスルホン酸基又はドデシルベンゼンスルホン酸基などが挙げられる。スルホン酸モノエステル(−OSO3R3)としては、スルホン酸モノアルキルエステルが好ましく、例えば、スルホン酸ドデシルエステルが挙げられる。R3の炭素鎖が短い場合、水溶媒中では収率が大きく低下する。
溶媒は、水又は水と有機溶媒との混合溶媒、好ましくは水が用いられる。有機溶媒は基質が固体で水に分散または溶解しにくい場合などに使用しする。有機溶媒としては水と混合する有機溶媒が好ましく、ジメトキシエタン(DME)、テトラヒドロフラン(THF)、アセトニトリル、ジオキサン、炭素数が4以下のアルコールなどが挙げられる。また、水と有機溶媒との混合比(体積)は、一般的には水が50%以上、より好ましくは90%以上である。
この配位子とM(OSO2R3)3又はM(OSO3R3)3で表されるルイス酸とを溶媒中で混合すると、配位子がM3+に配位し、触媒を形成する。
反応に用いる触媒の量は、通常、エポキシドに対して0.3〜5モル%程度であるが、多くの場合1モル%で良好な結果を与える。
反応溶液中のエポキシドの濃度は、0.1〜5モル/リットル、好ましくは、0.2〜2.0モル/リットルであり、エポキシドと複素環化合物との比率は、1:(0.5〜2)程度である。
反応温度は溶媒に水を用いることから通常は0℃以上であり、好ましくは室温付近である。反応温度を下げ過ぎると反応速度が低下し、上げすぎると立体選択性が低下する。反応時間は一般的には数時間〜数十時間程度である。
R4は、それぞれ同じであって、置換基を有していてもよい芳香脂族炭化水素基、好ましくはアリール基又はアルキルアリール基、より好ましくはアリール基を表す。アリール基としてはフェニル基又ナフチル基が挙げられ、好ましくはフェニル基である。R4は、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、エステル基、エーテル基、チオエーテル基、アミド基等の置換基を有していてもよい。
このインドール誘導体は、置換基(R a 及びR b )として、水素原子のほか、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル低級アルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、水酸基、低級アルコキシカルボニル基等を有してもよい。但し、R a 及びR b の少なくとも一方は水素原子である。
同温下にて一時間撹拌後、シス-スチルベンオキシド(アルドリッチ、58.9 mg)及びインドール(アルドリッチ、38.7 mg)を順次に加えた。6時間撹拌した後、塩化メチレン20 mL)及び水(10 mL)を加えて反応系を希釈し、有機相を分離した。水相を塩化メチレンでさらに抽出し、有機相を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を濾別した後、減圧下で溶媒を留去し、残渣を酢酸エチル:ヘキサン:トリエチルアミン=100/100/6で事前に中和処理した分取薄層クロマトグラフィーにて精製し、(1R,2R)-2-(1H-indol-3-yl)-1,2-diphenylethanolを得た(79.6mg、収率 85%, 93% ee)。本反応を下式に示す。
Claims (7)
- 水溶液中又は水と有機溶媒との混合溶媒中で下式(化1)
- 前記Mがスカンジウムである請求項1に記載の製法。
- 前記、R1がt−ブチル基であり、R2が水素原子である請求項1又は2に記載の製法。
- R3がドデシル基または4−ドデシルフェニル基である請求項1〜3のいずれか一項に記載の製法。
- 前記ルイス酸がスカンジウムドデシルスルフェート(Sc(OSO3C12H25)3)である請求項4に記載の製法。
- 前記R4が置換基を有していてもよいフェニル基である請求項1〜5のいずれかに記載の製法。
- 反応溶媒として水を用いる請求項1〜6のいずれかに記載の製法。
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