JP4326614B2 - ビスホスフィンオキシド化合物及びビスホスフィン配位子の製造用の中間体としてのビスホスホナートの製造方法 - Google Patents

ビスホスフィンオキシド化合物及びビスホスフィン配位子の製造用の中間体としてのビスホスホナートの製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ビスホスフィンオキシド化合物及びビスホスフィン配位子の製造用の中間体としてのビスホスホナートの新規な製造方法に関する。
【0002】
特に、本発明は、式(I)又は(II):
【0003】
【化7】
Figure 0004326614
【0004】
(式中、
Xは、O又はSを表し;R1及びR2は、互いに独立して、水素、C1-8−アルキル、フェニル、置換フェニル、C1-8−アルコキシ、フェニルオキシ、置換フェニルオキシ、ベンジルオキシ、置換ベンジルオキシ、ハロゲン又はジ−C1-8−アルキルアミノを表すか;あるいはR1及びR2は、一緒になって、縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、トリメチレン、テトラメチレン、メチレンジオキシ若しくはエチレンジオキシ基又は式(a):
【0005】
【化8】
Figure 0004326614
【0006】
の系を表し;R3、R5、R6は、互いに独立して、水素、C1-8−アルキル、フェニル、置換フェニル、C1-8−アルコキシ、フェニルオキシ、置換フェニルオキシ、ベンジルオキシ、置換ベンジルオキシ、ハロゲン又はジ−C1-8−アルキルアミノを表し;R4は、C1-8−アルコキシ、フェニルオキシ、置換フェニルオキシ、C1-8−アルキル、C3-7−シクロアルキル、フェニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチル、ヘテロアリール又は置換ヘテロアリールを表し;Yは、CR78、O、S又はN−C1-8−アルキルを表し;Zは、O、S、SO又はSO2を表し;nは、0又は1を表し;R7、R8は、互いに独立して、水素又はC1-8−アルキルを表す)の化合物の製造方法に関する。
【0007】
【従来の技術】
一般式(I)及び(II)のビスホスホナート又はビスホスフィンオキシド化合物の既知の製造方法は、2工程方法である。第1工程において、以下に示す式(Ia)及び(IIa)の化合物は、約−70℃でリチウムジアルキルアミドの存在下にて、ヨウ素又は臭素を用いて対応するヨウ化物又は臭化物に変換される。例えば、N−ヨード−又はブロモ−スクシン−アミド、1−ヨード−2−クロロエタン、1,2−ジブロモメタンなどのようなヨウ素又は臭素を生ずる試薬を、ヨウ素又は臭素の代わりに使用もできる。
【0008】
式(Ia)及び(IIa)(式中、R4は、C1-8−アルキル又はフェノキシを表す)の出発物質は、触媒量のアミン、例えば、ジイソプロピルアミンの存在下にて、アルキルリチウム溶液、好ましくはブチルリチウム又はsec−ブチルリチウム溶液と反応させることもできる。所望ならば、N,N,N′,N′−テトラメチルエチレンジアミンのような付加的なtert−アミンを加える。
【0009】
式(Ia)及び(IIa)(式中、R4は、フェニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチル、ヘテロアリール又は置換ヘテロアリールを表す)の出発物質は、アリールリチウム溶液、好ましくはフェニルリチウム、又はアルキルリチウム溶液、好ましくはtert−ブチルリチウム溶液と反応させることもできる。
【0010】
第2工程において、ハロゲン化物アリールは、110℃〜200℃で銅(0)の存在下にてビアリール化合物に変換される(ウルマンカップリング)。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
この2工程方法は、工業的規模で実行するにはあまり適切ではない。第1工程は、低温で行わなければならずかつ約70%の収率でハロゲン化アリールを生成する。生じる副生成物の沈殿は、困難を生じさせる。他方、第2工程は、高温で行わなければならずかつ化学量論量の銅を必要とし、ウルマンカップリングは生態学的観点からも好ましくない。
【0012】
本発明の目的は、ビスホスフィンオキシド化合物及びビスホスホナートの改良された製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
その目的は、一段階方法で、一般式(Ia)又は(IIa):
【0014】
【化9】
Figure 0004326614
【0015】
(式中、
1、R2、R3、R5及びXは、上記意味を有し、及び、R4は、C1-8−アルコキシ、フェニルオキシ、置換フェニルオキシ、フェニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチル、ヘテロアリール、置換ヘテロアリールを表す)の化合物を、a)有機溶媒中において、−70℃〜20℃で、好ましくは−30℃〜0℃で、
a−1)式(b1)又は(b2):
【0016】
【化10】
Figure 0004326614
【0017】
〔式中、R9は、C1-8−アルキル、C3-6−シクロアルキル又はフェニルを表し;R10は、C1-8−アルキル又はC3-6−シクロアルキルを表し;R11及びR12は、同一の又は異なったC1-8−アルキル基を表し;R13及びR14は、互いに独立して水素又はC1-8−アルコキシを表すか;あるいはR13は、水素又はC1-8−アルキル及びR14は、OWを表すか;あるいはR13及びR14は、一緒になって、式(c)〜(e):
【0018】
【化11】
Figure 0004326614
【0019】
(式中、R15は、C1-8−アルキルを表し;R16及びR17は、水素又は同じか若しくは異なったC1-8−アルキルを表し;及びWは、リチウム、Mgクロリド基、Mgブロミド基若しくはMgヨーデイド基、又はマグネシウムアミド基を表す)のケタール基を表す〕の化合物0.5〜3当量、好ましくは0.9〜1.2当量と反応させるか;又は
a−2)C1-8−アルキルリチウム又はアリールリチウム溶液の存在下にて、場合により補助剤のアミンの添加と共に、触媒量の式(b1)又は(b2)の上記定義の化合物の1つと反応させるか;あるいは、
a−3)式(Ia)又は(IIa)(式中、R4は、フェニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチル、ヘテロアリール又は置換ヘテロアリールを表す)の化合物を、C1-8−アルキルリチウム又はアリールリチウム溶液と、好ましくはtert−ブチルリチウム又はフェニルリチウム溶液と反応させ;
b)酸化力のある金属塩又は金属塩錯体0.5〜3当量、好ましくは1〜1.5当量を、−70℃〜20℃、好ましくは−30℃〜20℃の温度範囲内で、工程aで得られた混合物に加え、式(I)又は(II)の化合物のラセミ体を得;
c)所望ならば、ラセミ化合物の分割を行い、及び
d)工程b)又はc)で得られたビスホスホナートをビスホスフィンオキシドに変換させる方法により達成される。
【0020】
【発明の実施の態様】
「ハロゲン」なる用語は、置換基としてフッ素、臭素、塩素及びヨウ素を含み、塩素、臭素又はヨウ素が好ましい。
【0021】
「C1-8−アルキル」なる用語は、本発明の範囲においては、1〜8個の炭素原子を有する炭化水素、即ち直鎖状又は分岐状アルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、tert−ヘキシル、ヘプチル及びオクチルを表す。
【0022】
「C1-8−アルコキシ」なる用語は、酸素原子を介して結合された上記定義のC1-8−アルキルを表す。メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキシなどを、例として挙げることができる。
【0023】
「ジ−C1−C8−アルキルアミノ」なる用語は、同一か若しくは異なっているか又はピロリジン、ピペリジン若しくはモルホリンのような環を形成できる2個のC1−C8アルキル基で置換されたアミンを表す。
【0024】
「置換フェニル」、「置換フェニルオキシ」又は「置換ナフチル」なる用語は、本発明の範囲においては、モノ−又は多−置換フェニル、フェノキシ若しくはナフチルをも表す。
【0025】
「置換ベンジルオキシ」なる用語は、置換フェニルメチルオキシを表す。
【0026】
「縮合置換ベンゼン環」なる用語は、1以上の置換基を有していてもよい縮合ベンゼン環を表す。
【0027】
フェニル、フェノキシ、ナフチル又はベンジルオキシ残基と同様に縮合ベンゼン環に適切な置換基は、ハロゲン、C1-8−アルキル、好ましくはメチル、C1-8−アルコキシ、好ましくはメトキシ、ジ−C1-8−アルキルアミノ、好ましくはジメチルアミノ、トリアルキルシリル、好ましくはトリメチルシリル、スルファモイル、N,N−ジメチルアミノスルファモイルなどである。
【0028】
「ヘテロアリール」なる用語は、本発明の範囲においては、窒素、酸素及び硫黄の群から選ばれた1又は2個のヘテロ原子を有する5−及び/又は6−員芳香族の残基を表す。縮合ベンゼン環を有するヘテロ芳香族は、同様に含まれる。ピリジン、ピリミジン、キノリン、フラン、ベンゾフラン、チオフェン、ピロールなどを例として挙げることができる。
【0029】
「置換ヘテロアリール」なる用語は、本発明の範囲においては、C1-8−アルキル又はC1-8−アルコキシでモノ−又は多−置換されたヘテロアリールを表す。
【0030】
適切な有機溶媒は、エーテル、好ましくはテトラヒドロフランである。
【0031】
「C1-8−アルキルリチウム」なる用語は、好ましくはブチルリチウム即ちsec−ブチルリチウムを表す。
【0032】
「アリールリチウム」なる用語は、好ましくはフェニルリチウムを表す。
【0033】
「酸化力のある金属塩又は金属塩錯体」なる用語は、本発明の範囲においては、例えば、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、銀、金、ルテニウム若しくはモリブデンなどの遷移金属の塩、又は、例えば、錯体配位子との該金属の錯体を表す(例えば、溶媒と共に)。塩としては、通常の塩、例えば、塩化物、臭化物及びヨウ化物のようなハロゲン化物;例えば、酢酸塩、アセチルアセトナートのようなカルボン酸塩が考慮される。Fe(III)アセチルアセトナート、FeCl3XTHF、FeCl3X2DMSO、〔Fe(DMF)6〕Cl2、〔FeCl4 -〕NEt4 +、CuCl2、Li2CuCl4を例として挙げることができる。Fe(III)塩及びCu(II)塩は、好ましい金属塩である。FeCl3は、特に好ましい。
【0034】
式(b1)又は(b2)のLi化合物は、既知の方法、例えば、テトラヒドロフランのような有機溶媒中のジアルキルアミン又はテトラアルキルピペリジンを、保護ガス雰囲気(例えば、アルゴン中)下の適切な反応管中に入れ、0℃未満の温度に冷却しながら、アルキルリチウム溶液、例えば、ヘキサン中のブチルリチウムを滴下することにより製造できる。このようにして得られたリチウムジアルキルアミド又はリチウムテトラアルキルピペリジド溶液は、本発明に従う方法の工程a)で使用される。
【0035】
式(b1)又は(b2)のMg化合物は、アルキルリチウム溶液を用いる代わりに、アルキルマグネシウムハロゲン化物溶液、例えば、臭化メチル−又は臭化エチル−マグネシウム溶液を用いて同様に製造できる。反応は、0〜65℃で行われる。
【0036】
Mg−有機化合物は、例えば、二臭化マグネシウムを用いてLi−有機化合物の金属交換反応によって製造もできる。Wがマグネシウムアミドを表すMg−有機化合物は、約0〜65℃で、ジアルキルマグネシウム溶液、例えば、テトラヒドロフランのような有機溶媒中のジブチルマグネシウムと反応させることによりジアルキルアミン又はテトラアルキルピペリジンから製造できる。
【0037】
式(Ia)の化合物は、一般に既知の方法に従って、例えば、式(Iaa):
【0038】
【化12】
Figure 0004326614
【0039】
(式中、R1、R2及びR3は、上記意味を有する)の化合物をテトラヒドロフラン中に溶解し、保護ガス雰囲気(例えば、アルゴン)下でその溶液をテトラヒドロフラン中のマグネシウム懸濁液に加えるか又はそれをヘキサン中のリチウム溶液と反応させることにより製造できる。Cl−P(−R4)2(式中、R4は、上記意味を有する)の添加及び次のH22を用いた酸化後、式(Ia)の化合物が得られる。
【0040】
Cl−P(−R4)2の代わりに、Cl−P(O)(−R4)2を使用することもでき、この場合に酸化は不必要である。R4がC1-8−アルコキシ又はフェノキシの場合には、Cl−P(O)(−R4)2を用いる反応を行うことが好ましい。
【0041】
4がC1-8−アルコキシである式(I)の化合物を製造するために、式(Iaa)の化合物は、触媒量のPd若しくはNi塩又はそれらの錯体の存在下にて、例えば、PdCl3又はNiCl2の存在下にて、P(O−C1-8−アルキル)3と直接反応させることもできる。
【0042】
式(Ib)の化合物は、既知の方法に従って、例えば、−70℃〜−10℃で、テトラヒドロフラン中のベンゾチオフェン又は置換ベンゾチオフェンを、ヘキサン中のブチルリチウム溶液に滴下することにより製造することもできる。Cl−P(−R4)2を用いる反応及びH22を用いる酸化により、式(Ib)の化合物を生成する。また式(Ib)の化合物は、式(Ia)の化合物の製造と同様にしてCl−P(O)(−R4)2又はP(O−C1-8−アルキル)3と反応させることにより製造できる。
【0043】
式(I)及び(II)のリン化合物は、ラセミ形態ばかりでなく、光学活性形態でも存在できる。
【0044】
(RS)形態で表される式(I)及び(II)の化合物のラセミ化合物の分割は、既知の方法、例えば、(−)−若しくは(+)−O,O′−ジベンゾイル酒石酸(DBT)又は(−)−若しくは(+)−O,O′−ジ−p−トリル酒石酸(DTT)を用いて行うことができる。これは、不活性有機溶媒中において約0℃〜約60℃の温度で好都合に行われる。ここで溶媒としては、特にクロロホルム、塩化メチレン、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、アセトン、メタノール又はエタノールのようなアルコールなどばかりでなくそれらの混合物も挙げることができる。
【0045】
次いでこのようにして得られた(−)−又は(+)−DBT又はDTTを有する式(I)又は(II)の化合物の付加物は、無機塩基を用いて処理でき、それぞれ式(I)又は(II)の化合物の(R)又は(S)形態に遊離される。
【0046】
ラセミ化合物の分割は、例えば、Helvetica Chimica Acta Vol.74(1991) p.370以下に記載されている。
【0047】
4がC1-8−アルコキシを表す化合物である式(I)又は(II)のビスホスホナート化合物は、最初に、例えば、SOCl2と反応させることにより対応するビス(ホスホン酸ジクロリド)に変換し、次いでフェニル−、置換フェニル−、ナフチル−、置換ナフチル−、ヘテロアリール−、置換ヘテロアリール−、C1-8−アルキル−若しくはC3-7−シクロアルキル−グリニャール化合物、例えば、塩化フェニルマグネシウム、又はリチウム化合物と反応させて、対応するビスホスフィンオキシドを得る。反応は、ラセミ化合物の分割の前後に行うことができるが、しかし、ラセミ化合物の分割後に行うことが好ましい。
【0048】
式(I)又は(II)の化合物は、ジホスフィン配位子の製造において重要な中間体である。これらは、とりわけ不斉水素化における触媒として有用である遷移金属、特にルテニウム、ロジウム又はイリジウムのようなVIII族の金属を有する錯体の重要な構成要素でもある。遷移金属を有するジホスフィン配位子の錯体と同様に不斉水素化のためのそれらの使用は、既知であり、例えば、米国特許第5,430,191号に記載されている。
【0049】
ラセミ形態又は(R)若しくは(S)形態で存在し、R4がC1-8−アルキル、C3-7−シクロアルキル、フェニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチル、ヘテロアリール、置換ヘテロアリールを表す式(I)又は(II)のビスホスフィンオキシド化合物の還元は、それ自体既知の方法、例えば、Helvetica Chimica Acta Vol.74(1991) p.370以下に記載されたような方法で行うことができる。これは、例えば、沸騰キシレンのような芳香族炭化水素中で、又はアセトニトリル中などでも、シラン、例えば、トリクロロシランを使用して、好都合には、例えば、トリエチルアミン、又は好ましくはトリブチルアミンのような補助剤の塩基の存在下にて行うことができる。所望ならば、この還元は、加圧下のオートクレーブ中で行うことができる。
【0050】
以下の例は、本発明を説明するが、それに限定されるものではない。これらの例において、用いられる略語は、以下の意味を有する:
TLC 薄層クロマトグラフィー
HPLC 高速液体クロマトグラフィー
NMR 核磁気共鳴分光学
RV 回転エバポレータ
RT 室温
HV 高真空:0.1ミリバール
GC 毛管ガスクロマトグラフィー
e.e. エナンチオマー過剰率
MeOBIPHEP (6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジフェニルホスフィン)
MeOBIPHEPO (6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジフェニルホスフィンオキシド)
DiMeOBIPHEPO (5,5′,6,6′−テトラメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジフェニルホスフィンオキシド)
TriMeOBIPHEPO (4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシ−ビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジフェニルホスフィンオキシド)
all−MeOBIPHEPO (4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシ−ビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)ホスフィンオキシド)
BITIANPO 2,2′−ビス(ジフェニルホスフィノイル)−3,3′−ビベンゾ〔b〕チオフェン
Fe(acac) 鉄(III)アセチルアセトナート
すべて温度は、摂氏温度で示される。
【0051】
【実施例】
実施例1
式(I)(式中、R1はメトキシを表し、R2及びR3は水素を表し及びR4はフェニルを表す)の化合物(MEOBIPHEPO)の製造
a)冷却器、温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能を有する滴下漏斗を備えた4.5Lの4つ口フラスコ中において、アルゴン下にて、マグネシウム36.8g(1.596mol)をテトラヒドロフラン200ml中に懸濁した。激しく撹拌しながら、温度を45〜55℃に保持したまま、テトラヒドロフラン400ml中に3−ブロモアニソール298.0g(1.593mol)を含む溶液を、1.75時間かけて懸濁液に滴下した。滴下完了後、得られた灰色の溶液を40〜45℃でさらに1時間撹拌した。反応溶液を氷浴を用いて約10℃に冷却し、テトラヒドロフラン400ml中にp−クロロジフェニルホスフィン362g(1.641mol)を含む溶液を用いて1時間かけて滴下して処理した。その間、氷−水浴を用いて温度を25〜30℃に保持した。約25℃でさらに1時間撹拌した後、反応混合物を氷浴を用いて10℃に冷却した。続いて、激しく撹拌しながら、温度を最大35℃に上げて、脱イオン水400mlを滴下漏斗からそこへ迅速に加えた。冷却により反応温度を25〜30℃に保持したまま、30%過酸化水素溶液180.0g(1.587mol)を、濁った黄色がかった溶液に45分かけて滴下した。過酸化水素の滴下完了後直ちに、反応をTLCによって終了した。得られた澄んだ黄色の溶液を、飽和NaSO3溶液100mlを用いて25℃で処理することにより、過酸化物は反応混合物中にもはや検出されなくなった。反応混合物の水性相を分離し、ヘプタン300mlを用いて逆抽出した。組み合せた有機相を、飽和NaCl溶液500mlを用いて洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、RVで蒸発させた。残留物(459.6g、93.6%)を70℃でトルエン800mlに溶解し、ヘプタン800mlを用いて処理し、RTまで徐冷した。その間、結晶化が始まり、その後0℃にて1時間で完了した。母液をデカンテーションにより除去した。結晶をヘプタン300ml中を用いて50℃で短時間に再度熟成し、0℃で1時間放置した。次いで白色結晶を吸引しながら濾別し、3回ともヘプタン100mlを用いて洗浄し、80℃でHV下にて3時間乾燥した。
収量は、(3−メトキシフェニル)ジフェニルホスフィンオキシド448.3g(88.8%)であった。
【0052】
b)冷却器、温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能を有する滴下漏斗を備えた2.5Lの4つ口フラスコ中に、アルゴン下にて、ジイソプロピルアミン40g(0.395mol)及びテトラヒドロフラン250mlを入れた。−18℃に冷却後、撹拌しながら、温度を−15℃以下に保持したまま、ヘキサン中にブチルリチウムを含む溶液220ml(0.352mol)を30分かけて滴下した。反応混合物を−20℃でさらに1時間撹拌した。温度を−15℃以下に保持したまま、得られたリチウムジイソプロピルアミド溶液に、テトラヒドロフラン350ml中に(3−メトキシフェニル)ジフェニルホスフィンオキシド100g(0.316mol)を含む溶液を30分間かけて滴下した。−20℃にさらに1時間保持後、−15℃に予冷した、テトラヒドロフラン400ml中に塩化鉄(III)(無水)72.5g(0.447mol)からなる懸濁液を直接加えた。さらに1時間撹拌後、冷却せずに反応混合物を70℃/15ミリバールで濃縮した。暗褐色の油状残留物を塩化メチレン1,000mlに溶解した。溶液を氷浴中で冷却し、激しく撹拌しながら、温度を15℃以下に保持したまま、25%水酸化アンモニウム溶液75ml(1.0mol)を用いて滴下して処理した。RTでさらに1時間撹拌後、得られた鉄塩の懸濁液を16時間そのまま放置した。次いで、それを濾過し、濾過残渣を塩化メチレン1,000mlを用いてすすいだ。褐色がかった濾液を50℃、600ミリバールで元の体積の約10%に濃縮し、メタノール150mlを用いて処理した。RVで塩化メチレンを蒸発させる間、結晶化が生起しRTで16時間で完了した。結晶を吸引濾過で濾別し、メタノール50mlを用いて3回洗浄し、HV下にて140℃で1時間乾燥した。収量:白色粉末として(RS)−MeOBIPHEPO82.8g(85.3%);HPLC含量100%。
【0053】
c)冷却器、温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能を有する滴下漏斗を備えた1.5Lの4つ口フラスコ中に、アルゴン下にて、ジイソプロピルアミン7.87g(77.7mmol)及びテトラヒドロフラン50mlを入れた。−60℃に冷却後、撹拌しながら、ヘキサンの1.6Mブチルリチウム溶液43ml(30.9mmol)を5分かけて滴下した。反応混合物を−55℃でさらに15分間撹拌した。温度を−70℃以下に保持したまま、得られたリチウムジイソプロピルアミド溶液に、テトラヒドロフラン80ml中に(3−メトキシフェニル)ジフェニルホスフィンオキシド20g(64.2mmol)を含む溶液を滴下した。−70℃でさらに2時間撹拌後、温度を−60℃に上げたままで、鉄(III)アセチルアセトナート31.7g(89.8mmol)の溶液を一度に加えた。RTでさらに16時間撹拌後、反応混合物をRVで濃縮し、残留物を塩化メチレン1000mlに溶解した。得られた溶液を、2N塩酸40ml、25%水酸化アンモニウム溶液50ml、3N水酸化ナトリウム溶液50mlを用いてこの順序で5回及び最後に脱イオン水200mlを用いて2回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、乾燥するまで蒸発させた。油状残留物(26g)は、(RS)−MeOBIPHEPO35%及び出発物質31%を含んでいた。収率:46%。
【0054】
d)1c)と同様にして、Fe(acac)3の代わりに固体形態の塩化銅(II)12.5g(93mmol)を酸化剤として使用した。15%の(RS)−MeOBIPHEPOを含有した褐色の油21gを単離した。
【0055】
実施例2
式(I)(式中、R1及びR2はメトキシを表し、R3は水素を表し、R4はフェニルを表す)の化合物(DiMeOBIPHEPO)の製造
温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能を有する250mlの滴下漏斗を備えた500mlの4つ口フラスコ中に、アルゴン下にて、ジイソプロピルアミン3.5g(34.6mmol)及びテトラヒドロフラン23mlを入れた。−16℃に冷却後、ヘキサンの1.6Mブチルリチウム溶液19ml(30.4mmol)を2分間かけて滴下した。反応混合物を−18℃でさらに15分間撹拌した。温度を−15℃以下に保持したまま、得られたリチウムジイソプロピルアミド溶液に、テトラヒドロフラン100ml中に(3,4−ジメトキシフェニル)ジフェニルホスフィンオキシド10g(28.8mmol)を含む溶液を滴下した。−17℃でさらに1.5時間撹拌後、温度を11℃に上げて、塩化鉄(III)(無水)6.5g(40.1mmol)をベージュ色の懸濁液に一度に加えた。RTでさらに16時間撹拌後、反応混合物をRVによって真空中にて60℃で濃縮した。残留物を塩化メチレン200ml及び2N塩酸40ml中に溶解した。抽出後、有機相を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、次いでRVで乾燥するまで蒸発させた。暗褐色の残留物(11.1g)を、塩化メチレン/メタノール(5〜15%メタノール)を用いてシリカゲル300g上で濾過した。溶離液(第1画分)をRVで蒸発させ、65〜70℃で残留物(9.8g)をメタノール100ml中に溶解した。RTで脱イオン水100mlをこの溶液に滴下して、結晶化を生起させた。結晶化を4℃で一晩で完了させた。結晶を濾別し、水/エタノール(2:1)10mlを用いて3回洗浄し、90℃でHV下にて6時間乾燥した。収量は、(RS)−(5,5′,6,6′−テトラメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジフェニルホスフィンオキシド)7.5g(77%)であった。
【0056】
実施例3
式(I)(式中、R1、R2及びR3はメトキシを表し、R4はフェニルを表す)の化合物(TriMeOBIPHEPO)の製造
温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能を有する100mlの滴下漏斗を備えた250mlの4つ口スルホネーションフラスコ中に、アルゴン下にジイソプロピルアミン3.4g(33.8mmol)及びテトラヒドロフラン22mlを入れた。−20℃に冷却後、ヘキサンの1.6Mブチルリチウム溶液18ml(28.8mmol)を5分かけて滴下した。反応混合物を−20℃でさらに15分間撹拌した。温度を−15℃以下に保持したまま、このリチウムジイソプロピルアミド溶液に、テトラヒドロフラン60ml中に(3,4,5−トリメトキシフェニル)ジフェニルホスフィンオキシド10g(27mmol)を含む溶液を滴下した。−20℃でさらに1時間撹拌後、温度を20℃に上げて、塩化鉄(III)(無水)6.3g(38.9mmol)を暗褐色の懸濁液に加えた。RTでさらに16時間撹拌後、反応混合物をRVで真空中にて60℃で濃縮した。残留物を塩化メチレン100ml中に溶解した。激しく撹拌しながら、25%水酸化アンモニウム溶液6ml及び硫酸マグネシウム6gを得られた溶液に加えた。さらに15分間撹拌後、褐色の沈殿物を濾別し、塩化メチレン約50mlを用いて洗浄した。濾液をRVで乾燥するまで蒸発させ、トルエン/ジエチルエーテル/メタノール(7/2/1)を用いてシリカゲル50g上で濾過した。溶媒を蒸発後、残留物を塩化メチレンに溶解し、トルエンを用いて処理した。溶液をRVで濃縮して、結晶化を生起させた。結晶を吸引しながら濾別し、トルエンを用いて処理し、HV下で乾燥した。収量は、(RS)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジフェニルホスフィンオキシド)6.5g(65%)であった。
【0057】
実施例4
式(I)(式中、R1はメトキシを表し、R2及びR3は水素を表し、R4はエトキシを表す)の化合物の製造
a)温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能を有する100mlの滴下漏斗を備えた250mlの4つ口スルホネーションフラスコ中に、アルゴン下にて、2,2,6,6−テトラメチルピペリジン6.6g(47mmol)及びテトラヒドロフラン30mlを入れた。−17℃に冷却後、ヘキサンの1.6Mブチルリチウム溶液27ml(43.2mmol)を2分間かけて滴下した。反応混合物を−17℃でさらに15分間撹拌した。温度を−15℃以下に保持したまま、このリチウムテトラメチルピペリジン溶液に、テトラヒドロフラン40ml中にジエチル3−メトキシフェニルホスホナート10g(40.8mmol)を含む溶液を滴下した。−20℃でさらに1.5時間撹拌後、温度を10℃に上げて、塩化鉄(III)(無水)8.6g(53mmol)を暗褐色の反応溶液に一度に加えた。RTでさらに16時間撹拌後、反応混合物をRVで真空中にて60℃で濃縮した。残留物を塩化メチレン100ml中に溶解し、2N塩酸50mlを用いて3回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、次いでRVで乾燥するまで蒸発させた。残留物(7.8g)をtert−ブチルメチルエーテル30mlに溶解し、ヘキサン20mlを用いて希釈して、結晶化を生起させた。結晶を吸引しながら濾別し、ヘキサンを用いて洗浄し、HV下で乾燥した。収量は、(RS)−(6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)4.1g(41%)であった。融点:146.8℃。
【0058】
b)温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能を有する100mlの滴下漏斗を備えた250mlの4つ口スルホネーションフラスコ中で、温度を−65℃に保持したまま、シクロヘキサンの1.3Msec−ブチルリチウム溶液36ml(46.8mmol)を、N,N,N′,N′−テトラメチルジアミン17.6ml(117mmol)中にジエチル3−メトキシフェニルホスホナート10g(40.8mmol)及びテトラヒドロフラン50ml中にジイソプロピルアミン0.06ml(0.42mmol)を含む溶液に滴下した。さらに1.5時間撹拌後、温度を5℃に上げて、塩化鉄(III)(無水)8.6g(53mmol)をオレンジ色に乳濁した反応溶液に一度に加えた。RTでさらに16時間撹拌後、反応混合物を4a)の条件のもとで処理した。収量は、(RS)−(6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)5.5g(55%)であった。融点:146℃。
【0059】
実施例5
式(I)(式中、R1、R2及びR3はメトキシを表し、R4はメトキシで3置換されたフェニルを表す)の化合物の製造及び次のラセミ化合物の分割(all−MEOBIPHEPO)
a)温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能を有する250mlの滴下漏斗を備えた750mlの4つ口スルホネーションフラスコ中で、温度を35℃以上に上げないようにして、3,4,5−トリメトキシブロモベンゼン85g(0.344mmol)を、テトラヒドロフラン50ml中にマグネシウム9.2g(0.378mol)からなる懸濁液に、40分間かけてアルゴン下に滴下した。得られた灰色の溶液を35℃でさらに1時間撹拌した。10℃に冷却後、温度が15℃を超えないようにして、テトラヒドロフラン50ml中の三塩化リン14.2g(0.115mol)を、50分間かけて滴下した。灰色の懸濁液をRTで一晩撹拌し、次いで温度を最大40℃に上げて、飽和塩化アンモニウム溶液100mlを用いて処理した。相を分離し、有機相を脱イオン水400mlで2回洗浄した。水性相を合わせ、酢酸エチル300mlを用いて再抽出した。組み合せた有機相を、飽和塩化ナトリウム溶液300mlを用いて洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、RVによって50℃で蒸発させた。撹拌しながら、RTで黄色がかった油状の残留物をエタノール150mlを用いて処理して、結晶化を生起させた。0℃で30分間撹拌後、結晶性物質を吸引しながら濾別し、エタノール30mlを用いて3回洗浄し、HV下にて80℃で2時間乾燥した。収量は、トリス(3,4,5−トリメトキシフェニルホスフィン)31.6g(52%)であった。融点:130〜135℃。
【0060】
b)温度計、機械かき混ぜ機、100mlの滴下漏斗及び冷却器を備えた500mlの4つ口スルホネーションフラスコ中で、トリス(3,4,5−トリメトキシフェニルホスフィン)31.6g(59.3mmol)を、塩化メチレン100ml及びエタノール150mlの混合物中に溶解した。温度を15〜20℃に保持したまま、30%過酸化水素6.8g(60mmol)を、得られた溶液に15分間かけて滴下した。過酸化水素の滴下完了後直ちに、反応をTLCによって終了させた。得られた反応溶液を飽和亜硫酸ナトリウム溶液5mlを用いて処理することにより、過酸化物は反応混合物中からもはや検出されなくなった。反応混合物を塩化メチレン200mlを用いて処理し、脱イオン水300mlを用いて2回抽出した。組み合せた相を塩化メチレン300mlを用いて再抽出し、飽和塩化ナトリウム溶液300mlを用いて洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾過し、ヘキサン200mlを用いて処理した。得られた溶液をRVによって50℃/600ミリバールで濃縮し、結晶化を生起させた。0℃で2時間撹拌後、結晶性物質を吸引しながら濾別し、ヘキサン50mlを用いて2回洗浄し、HV下にて100℃で2時間乾燥した。トリス(3,4,5−トリメトキシフェニル)ホスフィンオキシド13.0gを第1の結晶として単離した。さらにトリス(3,4,5−トリメトキシフェニル)ホスフィンオキシド12.7gを母液から第2の結晶として得た。両結晶は同一であり均質であった。トリス(3,4,5−トリメトキシフェニル)ホスフィンオキシドの全収量は、25.7g(79%)であった。
【0061】
c)冷却器、機械かき混ぜ機、圧力補償機能を有する100mlの滴下漏斗及びアルゴンガス用のヘッドピースを備えた350mlの4つ口フラスコ中に、テトラヒドロフラン80mlのジイソプロピルアミン4.1g(28.9mmol)を−20℃で入れた。撹拌しながら、ヘキサン中1.6Mブチルリチウム溶液16ml(25.6mmol)を10分間かけて滴下した。反応混合物を−20℃でさらに15分間撹拌した。得られたリチウムジイソプロピルアミド溶液に、トリス(3,4,5−トリメトキシフェニル)ホスフィンオキシド12.7g(23.2mmol)を−20℃で一度に加えた。得られた暗赤色の反応溶液に、トルエン20ml及びテトラヒドロフラン10ml中に塩化鉄(III)(無水)5.34g(32.9mmol)を含む溶液を加えた。添加後、撹拌しながら反応溶液をRTに温めたままにした。次いで反応混合物をRVにより60℃で蒸発させた。暗色の油状残留物を塩化メチレン200mlに溶解し、0℃に冷却後、25%水酸化アンモニウム溶液6ml(80mmol)を用いて処理した。0℃で30分間撹拌後、鉄塩を濾別し、塩化メチレン100mlを用いてすすいだ。濾液を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、蒸発させた。粗生成物15.3gを暗色の油として得た。同一の方法で同一の条件で第2の反応を行うことにより、さらに粗生成物14.9gを得た。両粗生成物を溶離剤として酢酸エチル/エタノール(9/1〜1/1)を用いてシリカゲル200gのクロマトグラフに一緒に付した。高真空における溶媒の蒸発及び乾燥後、予備精製された生成物2.4gを無色の樹脂として得た。NMRにより、原料は、(RS)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド72%及びトリス(3,4,5−トリメトキシフェニル)−ホスフィンオキシド28%から成っていた。
【0062】
d)冷却器、2分液漏斗及びマグネチックスターラーを備えた250mlの丸底フラスコ中において、トリス(3,4,5−トリメトキシフェニル)−ホスフィンオキシド28%を依然として含む(RS)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド24g(17.3mmol)及び(−)−O,O′−ジベンゾイル−L−酒石酸11g(30.7mmol)を、酢酸エチル40ml中で還流しながら短時間一緒に加熱した。撹拌しながら、混合物を一晩RTに冷却したままにした。白色の結晶を吸引しながら濾別し、酢酸エチル10mlを用いて洗浄し、HV下にてRTで1時間乾燥した。(S)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド/(−)−DBT付加物9gを得た。
【0063】
da)(S)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド/(−)−DBT付加物9gを、脱イオン水50ml中に炭酸ナトリウム1g(10mmol)を含む溶液を用いて、撹拌しながら酢酸エチル50ml中で処理した。2相を分離し、水性相を酢酸エチル20mlを用いて抽出した。組み合せた有機相を脱イオン水50mlを用いて洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、RVで乾燥するまで濃縮し、HV下にてRTで1時間乾燥した。(S)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシドの収量は、5.9g((RS)化合物に基づいて理論量の68%)であった。
【0064】
e)冷却器及びマグネチックスターラーを有する500mlの丸底フラスコ中で、(S)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド/(−)−DBT付加物の母液を、脱イオン水50ml中に炭酸ナトリウム5g(47mmol)を含む溶液を用いて処理した。2相を分離し、水性相を酢酸メチル50mlを用いて抽出した。組み合せた有機相をさらに脱イオン水50mlを用いて洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾別し、RVで乾燥するまで濃縮した。残留物及び酢酸エチル40ml中の(+)−O,O′−ジベンゾイル−D−酒石酸11g(30.7mmol)を還流しながら短時間加熱した。撹拌しながら、混合物を一晩RTに冷却したままにした。白色結晶を吸引して濾別し、酢酸エチル10mlを用いて2回洗浄し、HV下にてRTで1時間乾燥した。(R)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド/(+)−DBT付加物8gを得た。
【0065】
ea)(R)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド/(+)−DBT付加物8gを、脱イオン水50ml中に炭酸ナトリウム1g(10mmol)を含む溶液を用いて、撹拌しながら酢酸エチル50ml中で処理した。2相を分離し、水性相を酢酸メチル20mlを用いて抽出した。組み合せた有機相を脱イオン水50mlを用いて洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾別し、RVによって乾燥するまで濃縮し、HV下にてRTで1時間乾燥した。(R)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシドの収量は、5.6g((RS)化合物に基づいて理論量の64%)であった。
【0066】
実施例6
実施例5に記載された化合物の還元
a)キシレン(異性体混合物)30ml、(S)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド5.6g(5.1mmol)、トリブチルアミン15ml(63mmol)及びトリクロロシラン5.1ml(50mmol)を、RTでアルゴン下にて、冷却器、温度計、マグネチックスターラー、septum stopper及びアルゴンガス発生用のヘッドピースを備えた100mlの4つ口スルホネーションフラスコ中に撹拌しながら入れた。混合物を還流しながら8時間沸騰させ、50℃に冷却し、30%水酸化ナトリウム溶液50mlを用いて処理した。混合物をRTに冷却し、トルエン100mlを用いて処理し、脱イオン水100mlを用いて希釈した。有機相を分離し、2N水酸化ナトリウム溶液100mlを用いて2回、飽和NaCl溶液50mlを用いて3回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、濃縮し、HV下にて100℃で2時間乾燥した。残留物(6g)を、ヘキサン/酢酸エチル(1/1)を用いてシリカゲル100g上で濾過した。溶媒の蒸発及びHV下での乾燥後、(S)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)ホスフィンを単離した。(S)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンの収量は、無色の樹脂として4.8g(88%)であった。
【0067】
b)キシレン(異性体混合物)30ml、(R)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド5.4g(4.9mmol)、トリブチルアミン15ml(63mmol)及びトリクロロシラン5.1ml(50mmol)を、RTでアルゴン下にて、冷却器、温度計、マグネチックスターラー、septum stopper及びアルゴンガス発生用のヘッドピースを有する100mlの4つ口スルホン化フラスコ中に撹拌しながら入れた。混合物を還流しながら8時間沸騰させ、50℃に冷却し、30%水酸化ナトリウム溶液50mlを用いて処理した。混合物をRTに冷却し、トルエン100mlを用いて処理し、脱イオン水100mlを用いて希釈した。有機相を分離し、2N水酸化ナトリウム溶液100mlを用いて2回、飽和NaCl溶液50mlを用いて3回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、濃縮し、HV下にて100℃で2時間乾燥した。残留物を、ヘキサン/酢酸エチル(1/1)を用いてシリカゲル100g上で濾過した。溶媒の蒸発及びHV下での乾燥後、(R)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)ホスフィンを単離した。(R)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)ホスフィンの収量は、無色の樹脂として5g(96%)であった。
【0068】
実施例7
式(II)(式中、R5は水素を表し、Xは硫黄を表し、R4はフェニルを表す)の化合物(BITANPO)の製造
a)冷却器、機械かき混ぜ機、温度計及び圧力補償機能を有する500mlの滴下漏斗を備えた1.5Lの4つ口フラスコ中に、ヘキサン50mlに対しヘキサン中1.6Mブチルリチウム溶液300ml(0.48mol)を、RTでアルゴン下にて−70℃で撹拌しながら入れた。温度を最大−50℃まで上げて、テトラヒドロフラン200ml中のベンゾチオフェン85g(0.633mol)を、この混合物に滴下した。添加完了後、撹拌しながら、反応溶液を−10℃に温めたままにした。そのうえ溶液を−70℃に再度冷却し、温度が−55℃を超えないようにして、p−クロロジフェニルホスフィン103g(0.467mol)を滴下した。次いで冷却しないでRTになるまで反応溶液を撹拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム溶液200mlを用いて処理した。脱イオン水200ml及び塩化メチレン400mlの添加後、相を分離した。有機相を飽和塩化ナトリウム溶液を用いて2回洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾過し、RVで濃縮した。加熱・還流しながら、残留物をエタノール350ml中に溶解し、溶液を一晩冷却したままにした。白色の結晶を吸引しながら濾別し、エタノール50mlを用いて洗浄し、HV下にてRTで1時間乾燥した。31P−NMRにより、2−ベンゾ〔b〕チオフェニル−ジフェニルホスフィン及び2−ベンゾ〔b〕チオフェニル−ジフェニルホスフィンオキシドの約6/1混合物からなる粗生成物105gを得た。
【0069】
b)7a)で得られた粗生成物をメタノール200ml中に溶解し、温度が30℃超えないようにして、撹拌しながら、30%過酸化水素37.0g(0.326mol)を用いて滴下処理した。得られた澄んだ反応溶液を飽和亜硫酸ナトリウム溶液50mlを用いてRT下で処理することにより、過酸化物は反応混合物中にもはや検出されなくなった。メタノールをRVで蒸留除去した。水性残留物を塩化メチレン200mlを用いて抽出し、有機相を飽和塩化ナトリウム溶液50mlを用いて洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾過し、RVで蒸発させた。残留物をトルエン150ml中に70℃で溶解し、ヘキサン150mlを用いて処理し、RTまで徐冷した。結晶を吸引しながら濾別し、ヘキサン100mlを用いて洗浄し、HV下にてRTで1時間乾燥した。収量は、白色粉末として2−ベンゾ〔b〕チオフェニル−ジフェニルホスフィンオキシド101g(63%)であり、融点144〜145℃であった。
【0070】
c)温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能を有する250mlの滴下漏斗を有する750mlの4つ口スルホネーションフラスコ中に、ジイソプロピルアミン11.0g(0.108mol)及びテトラヒドロフラン75mlを、アルゴンガス発生下で入れた。−18℃に冷却後、温度が−15℃を超えないようにして、ヘキサン中1.6Mブチルリチウム溶液66ml(0.105mol)を滴下した。反応混合物を−20℃でさらに1時間撹拌した。温度を−15℃に保持したまま、得られたリチウムジイソプロピルアミド溶液に、テトラヒドロフラン150ml中の2−ベンゾ〔b〕チオフェニル−ジフェニルホスフィンオキシド33.4g(0.1mol)からなる溶液を滴下した。その混合物を−20℃でさらに1時間撹拌した。この混合物に、−15℃に冷却した、テトラヒドロフラン150ml中に塩化鉄(III)(無水)24g(0.145mol)を含む懸濁液を一度に加えて、温度を5℃に上げた。さらに1時間撹拌後、冷却せずに反応混合物をRVで濃縮した。暗褐色の残留物を塩化メチレン250ml中に溶解した。溶液を氷浴によって冷却し、25%水酸化アンモニウム溶液25ml(0.33mol)を用いて10分間かけて滴下処理した。得られた鉄塩の懸濁液を濾過し、塩化メチレン100mlを用いて洗浄した。茶色がかった濾液を、RVで元の体積の約10%に濃縮し、酢酸エチル200mlを用いて処理した。その間、結晶化が生起した。RVによる残留塩化メチレンの蒸発により、結晶化は完了した。黄色の結晶性物質を吸引しながら濾別し、酢酸エチル50mlを用いて洗浄し、HV下にて乾燥した。(RS)−ビス(ジフェニルホスフィノイル)−3,3′−ビベンゾ〔b〕チオフェンの収量は、27g(82%)であった。
【0071】
実施例8
式(II)(式中、R5は水素を表し、Xは硫黄を表し、R4はエトキシを表す)の化合物の製造
a)ジエチルベンゾ〔b〕チオフェン−2−イル)ホスホナートの製造:
10cmのVigreux蒸留ヘッドピース、マグネチックスターラ、温度計、圧力補償機能を有する50mlの滴下漏斗及びアルゴンガス発生用のヘッドピースを備えた50mlの4つ口スルホネーションフラスコ中で、25℃でアルゴン下にて、2−ブロモベンゾチオフェン65g(GC純度92%;0.280mol)を、塩化パラジウム1.5g(0.084mol)によく撹拌しながら加えた。160℃に加熱後、亜リン酸トリエチル61g(0.367mol)をこの混合物に2時間かけて滴下した。生成した臭化エチルをドライアイスレシーバ中で連続的に蒸留除去した。次に反応溶液を160℃で1時間撹拌した。過剰の亜リン酸トリエチルを、水流バキューム内で蒸留除去した。次いで、ジエチル(ベンゾ〔b〕チオフェン−2−イル)ホスホナートを、高真空(浴160℃、ヘッド140℃)で蒸留除去した。収量:無色油としてジエチル(ベンゾ〔b〕チオフェン−2−イル)ホスホナート67.4g(89%)。
【0072】
b)(RS)−(3,3′−ビベンゾ〔b〕チオフェン−2,2′−ジイル)ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)の製造
2,2,6,6−テトラメチル−ピペリジン71ml(0.418mol)及びテトラヒドロフラン200mlを、アルゴン下にa)に記載した装置内に入れた。−70℃に冷却後、温度を常に−50℃以下に保持して、ヘキサン中の1.6Mブチルリチウム溶液208ml(0.334mol)を撹拌しながら滴下した。反応混合物を−10℃でさらに15分間撹拌した。溶液を−70℃に再度冷却し、温度を−60℃以下に保持したまま、ジエチル(ベンゾ〔b〕チオフェン−2−イル)ホスホナート84.4g(0.299mol)及びテトラヒドロフラン200mlをよく撹拌しながら滴下した。−70℃でさらに2時間撹拌後、温度を−45℃に上げて、−10℃に予冷した、テトラヒドロフラン200ml中に無水塩化鉄(III)68g(0.418mol)含む懸濁液を一度に流し込んだ。さらに1時間撹拌後、冷却しないで反応混合物を2N塩酸400ml及びトルエン600ml中に溶解した。分離した有機相を飽和NaHCO3溶液200mlを用いて洗浄し、脱イオン水200mlを用いて2回洗浄し、硫酸マグネシウム約50gで乾燥し、濾過し、RVで濃縮した。残留物をトルエンを用いてKieselgel60200gで濾過した。蒸発後、温めながら残留物を酢酸エチル100ml中に溶解し、溶液を4℃のまま2時間放置した。得られた純粋な結晶を吸引しながら濾別し、ヘキサン約50mlを用いて洗浄し、HV下にて60℃で1時間乾燥した。収量:白色粉末として(RS)−(3,3′−ビベンゾ〔b〕チオフェン−2,2′−ジイル)ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)51.6g(64.1%)。

Claims (4)

  1. 式(I)又は式(II):
    Figure 0004326614
    (式中、
    Xは、O又はSを表し;R1及びR2は、互いに独立して、水素、C1-8−アルキル、フェニル、置換フェニル、C1-8−アルコキシ、フェニルオキシ、置換フェニルオキシ、ベンジルオキシ、置換ベンジルオキシ、ハロゲン又はジ−C1-8−アルキルアミノを表すか;あるいはR1及びR2は、一緒になって、縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、トリメチレン、テトラメチレン、メチレンジオキシ若しくはエチレンジオキシ基又は式(a):
    Figure 0004326614
    の系を表し;R3、R5、R6は、互いに独立して、水素、C1-8−アルキル、フェニル、置換フェニル、C1-8−アルコキシ、フェニルオキシ、置換フェニルオキシ、ベンジルオキシ、置換ベンジルオキシ、ハロゲン又はジ−C1-8−アルキルアミノを表し;R4は、C1-8−アルコキシ、フェニルオキシ、置換フェニルオキシ、フェニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチル、ヘテロアリール又は置換ヘテロアリールを表し;Yは、CR78、O、S又はN−C1-8−アルキルを表し;Zは、O、S、SO又はSO2を表し;nは、0又は1を表し;R7、R8は、互いに独立して、水素又はC1-8−アルキルを表す)の化合物の製造方法であって、
    一工程で、一般式(Ia)又は(IIa):
    Figure 0004326614
    (式中、R1、R2、R3 4 5及びXは、上記意味を有する)の化合物を;
    a)有機溶媒中において、−70℃〜20℃で、
    a−1)式(b1)又は(b2):
    Figure 0004326614
    〔式中、R9は、C1-8−アルキル、C3-6−シクロアルキル又はフェニルを表し;R10は、C1-8−アルキル又はC3-6−シクロアルキルを表し;R11及びR12は、同一の又は異なったC1-8−アルキル基を表し;R13及びR14は、互いに独立して、水素又はC1-8−アルコキシを表すか;あるいはR13は、水素又はC1-8−アルキルを表し、かつ、R14は、OWを表すか;あるいはR13及びR14は、一緒になって、式(c)〜(e):
    Figure 0004326614
    (式中、R15は、C1-8−アルキルを表し;R16及びR17は、水素又は同一の若しくは異なったC1-8−アルキルを表し;及びWは、リチウム、Mgクロリド基、Mgブロミド基若しくはMgヨーデイド基、又はマグネシウムアミド基を表す)のケタール基を表す〕の化合物0.5〜3当量と反応させるか;又は
    a−2)C1-8−アルキルリチウム又はアリールリチウム溶液の存在下にて、触媒量の上記定義の式(b1)又は(b2)の化合物の1つと反応させるか;あるいは、
    a−3)C1-8−アルキルリチウム又はアリールリチウム溶液と反応させ(ただし、a−3)における式(Ia)又は(IIa)の化合物は、R 4 が、フェニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチル、ヘテロアリール又は置換ヘテロアリールである化合物とする)
    b)酸化力のある金属塩又は金属塩錯体0.5〜3当量を、−70℃〜20℃の温度範囲内で、工程a)で得られた混合物に加えて、式(I)又は(II)の化合物のラセミ体を得;
    c)所望ならば、ラセミ化合物の分割を行い、及び
    d)工程b)又はc)で得られたビスホスホナートをビスホスフィンオキシドに変換させる方法。
  2. 1及びR2は、互いに独立して、水素、C1-8−アルキル、フェニル、置換フェニル、C1-8−アルコキシ、フェニルオキシ、置換フェニルオキシ、ベンジルオキシ、置換ベンジルオキシ、ハロゲン又はジ−C1-8−アルキルアミノを表すか;あるいはR1及びR2は、一緒になって、縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、テトラメチレン基又は式(a):
    Figure 0004326614
    (式中、R6、Y、Z及びnは、上記定義のとおり)の系を表す、請求項1記載の方法。
  3. テトラヒドロフラン中の式(Ia)の化合物を、リチウムジイソプロピルアミド又はリチウムテトラメチルピぺリジド1〜1.5当量と−30℃〜0℃で反応させ、FeCl31〜2当量を、得られた懸濁液に−30℃〜20℃で加える、請求項1又は2記載の方法。
  4. テトラヒドロフラン中の式(Ib)の化合物を、リチウムジイソプロピルアミド又はリチウムテトラメチルピぺリジド1〜1.5当量と反応させ、FeCl31〜2当量を、得られた懸濁液に−30℃で加える、請求項1記載の方法。
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