JPH11246576A - ビスホスフィンオキシド化合物及びビスホスフィン配位子の製造用の中間体としてのビスホスホナートの製造方法 - Google Patents
ビスホスフィンオキシド化合物及びビスホスフィン配位子の製造用の中間体としてのビスホスホナートの製造方法Info
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Abstract
フィン配位子の製造用の中間体としてのビスホスホナー
トの新規な製造方法。 【解決手段】 a)ホスフィンオキシド化合物を、−7
0〜20℃でリチウム又はマグネシウムアミド化合物
0.5〜3当量と反応させ、b)酸化力のある金属塩又
は金属塩錯体0.5〜3当量を−70〜20℃の温度範
囲で、工程a)で得られた懸濁液に添加し、ビスホスフ
ィンオキシド化合物のラセミ体を得、c)所望ならばラ
セミ分割を行い、そしてd)工程b)またはc)で得ら
れたビスホスホネートをビスホスフィンオキシドに変換
する方法。
Description
キシド化合物及びビスホスフィン配位子の製造用の中間
体としてのビスホスホナートの新規な製造方法に関す
る。
R2は、互いに独立して、水素、C1 - 8−アルキル、フェ
ニル、置換フェニル、C1 - 8−アルコキシ、フェニルオ
キシ、置換フェニルオキシ、ベンジルオキシ、置換ベン
ジルオキシ、ハロゲン又はジ−C1 - 8−アルキルアミノ
を表すか;あるいはR1及びR2は、一緒になって、縮合
ベンゼン環、縮合置換ベンゼン環、トリメチレン、テト
ラメチレン、メチレンジオキシ若しくはエチレンジオキ
シ基又は式(a):
立して、水素、C1 - 8−アルキル、フェニル、置換フェ
ニル、C1 - 8−アルコキシ、フェニルオキシ、置換フェ
ニルオキシ、ベンジルオキシ、置換ベンジルオキシ、ハ
ロゲン又はジ−C1 - 8−アルキルアミノを表し;R4は、
C1 - 8−アルコキシ、フェニルオキシ、置換フェニルオ
キシ、C1 - 8−アルキル、C3 - 7−シクロアルキル、フェ
ニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチル、ヘテロ
アリール又は置換ヘテロアリールを表し;Yは、CR7
R8、O、S又はN−C1 - 8−アルキルを表し;Zは、
O、S、SO又はSO2を表し;nは、0又は1を表
し;R7、R8は、互いに独立して、水素又はC1 - 8−ア
ルキルを表す)の化合物の製造方法に関する。
ート又はビスホスフィンオキシド化合物の既知の製造方
法は、2工程方法である。第1工程において、以下に示
す式(Ia)及び(IIa)の化合物は、約−70℃でリ
チウムジアルキルアミドの存在下にて、ヨウ素又は臭素
を用いて対応するヨウ化物又は臭化物に変換される。例
えば、N−ヨード−又はブロモ−スクシン−アミド、1
−ヨード−2−クロロエタン、1,2−ジブロモメタン
などのようなヨウ素又は臭素を生ずる試薬を、ヨウ素又
は臭素の代わりに使用もできる。
C1 - 8−アルキル又はフェノキシを表す)の出発物質
は、触媒量のアミン、例えば、ジイソプロピルアミンの
存在下にて、アルキルリチウム溶液、好ましくはブチル
リチウム又はsec−ブチルリチウム溶液と反応させるこ
ともできる。所望ならば、N,N,N′,N′−テトラ
メチルエチレンジアミンのような付加的なtert−アミン
を加える。
フェニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチル、ヘ
テロアリール又は置換ヘテロアリールを表す)の出発物
質は、アリールリチウム溶液、好ましくはフェニルリチ
ウム、又はアルキルリチウム溶液、好ましくはtert−ブ
チルリチウム溶液と反応させることもできる。
は、110℃〜200℃で銅(0)の存在下にてビアリ
ール化合物に変換される(ウルマンカップリング)。
業的規模で実行するにはあまり適切ではない。第1工程
は、低温で行わなければならずかつ約70%の収率でハ
ロゲン化アリールを生成する。生じる副生成物の沈殿
は、困難を生じさせる。他方、第2工程は、高温で行わ
なければならずかつ化学量論量の銅を必要とし、ウルマ
ンカップリングは生態学的観点からも好ましくない。
化合物及びビスホスホナートの改良された製造方法を提
供することである。
で、一般式(Ia)又は(IIa):
記意味を有し、及び、R4は、C1 - 8−アルコキシ、フェ
ニルオキシ、置換フェニルオキシ、フェニル、置換フェ
ニル、ナフチル、置換ナフチル、ヘテロアリール、置換
ヘテロアリールを表す)の化合物を、 a)有機溶媒中において、−70℃〜20℃で、好まし
くは−30℃〜0℃で、 a−1)式(b1)又は(b2):
−シクロアルキル又はフェニルを表し;R1 0は、C1 - 8
−アルキル又はC3 - 6−シクロアルキルを表し;R1 1及
びR1 2は、同一の又は異なったC1 - 8−アルキル基を表
し;R1 3及びR1 4は、互いに独立して水素又はC1 - 8−
アルコキシを表すか;あるいはR1 3は、水素又はC1 - 8
−アルキル及びR1 4は、OWを表すか;あるいはR1 3及
びR1 4は、一緒になって、式(c)〜(e):
し;R1 6及びR1 7は、水素又は同じか若しくは異なった
C1 - 8−アルキルを表し;及びWは、リチウム、Mgク
ロリド基、Mgブロミド基若しくはMgヨーデイド基、
又はマグネシウムアミド基を表す)のケタール基を表
す〕の化合物0.5〜3当量、好ましくは0.9〜1.
2当量と反応させるか;又は a−2)C1 - 8−アルキルリチウム又はアリールリチウ
ム溶液の存在下にて、場合により補助剤のアミンの添加
と共に、触媒量の式(b1)又は(b2)の上記定義の
化合物の1つと反応させるか;あるいは、 a−3)式(Ia)又は(IIa)(式中、R4は、フェ
ニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチル、ヘテロ
アリール又は置換ヘテロアリールを表す)の化合物を、
C1 - 8−アルキルリチウム又はアリールリチウム溶液
と、好ましくはtert−ブチルリチウム又はフェニルリチ
ウム溶液と反応させ; b)酸化力のある金属塩又は金属塩錯体0.5〜3当
量、好ましくは1〜1.5当量を、−70℃〜20℃、
好ましくは−30℃〜20℃の温度範囲内で、工程aで
得られた混合物に加え、式(I)又は(II)の化合物の
ラセミ体を得; c)所望ならば、ラセミ化合物の分割を行い、及び d)工程b)又はc)で得られたビスホスホナートをビ
スホスフィンオキシドに変換させる方法により達成され
る。
としてフッ素、臭素、塩素及びヨウ素を含み、塩素、臭
素又はヨウ素が好ましい。
の範囲においては、1〜8個の炭素原子を有する炭化水
素、即ち直鎖状又は分岐状アルキル基、例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、tert−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペ
ンチル、ヘキシル、イソヘキシル、tert−ヘキシル、ヘ
プチル及びオクチルを表す。
原子を介して結合された上記定義のC1 - 8−アルキルを
表す。メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロ
ポキシ、n−ブトキシなどを、例として挙げることがで
きる。
語は、同一か若しくは異なっているか又はピロリジン、
ピペリジン若しくはモルホリンのような環を形成できる
2個のC1−C8アルキル基で置換されたアミンを表す。
シ」又は「置換ナフチル」なる用語は、本発明の範囲に
おいては、モノ−又は多−置換フェニル、フェノキシ若
しくはナフチルをも表す。
フェニルメチルオキシを表す。
上の置換基を有していてもよい縮合ベンゼン環を表す。
ジルオキシ残基と同様に縮合ベンゼン環に適切な置換基
は、ハロゲン、C1 - 8−アルキル、好ましくはメチル、
C1 - 8−アルコキシ、好ましくはメトキシ、ジ−C1 - 8−
アルキルアミノ、好ましくはジメチルアミノ、トリアル
キルシリル、好ましくはトリメチルシリル、スルファモ
イル、N,N−ジメチルアミノスルファモイルなどであ
る。
範囲においては、窒素、酸素及び硫黄の群から選ばれた
1又は2個のヘテロ原子を有する5−及び/又は6−員
芳香族の残基を表す。縮合ベンゼン環を有するヘテロ芳
香族は、同様に含まれる。ピリジン、ピリミジン、キノ
リン、フラン、ベンゾフラン、チオフェン、ピロールな
どを例として挙げることができる。
明の範囲においては、C1 - 8−アルキル又はC1 - 8−アル
コキシでモノ−又は多−置換されたヘテロアリールを表
す。
テトラヒドロフランである。
は、好ましくはブチルリチウム即ちsec−ブチルリチウ
ムを表す。
くはフェニルリチウムを表す。
る用語は、本発明の範囲においては、例えば、バナジウ
ム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、
銀、金、ルテニウム若しくはモリブデンなどの遷移金属
の塩、又は、例えば、錯体配位子との該金属の錯体を表
す(例えば、溶媒と共に)。塩としては、通常の塩、例
えば、塩化物、臭化物及びヨウ化物のようなハロゲン化
物;例えば、酢酸塩、アセチルアセトナートのようなカ
ルボン酸塩が考慮される。Fe(III)アセチルアセトナ
ート、FeCl3 XTHF、FeCl3 X2DMSO、〔F
e(DMF)6〕Cl2、〔FeCl4 -〕NEt4 +、Cu
Cl2、Li2CuCl4を例として挙げることができ
る。Fe(III)塩及びCu(II)塩は、好ましい金属塩で
ある。FeCl3は、特に好ましい。
既知の方法、例えば、テトラヒドロフランのような有機
溶媒中のジアルキルアミン又はテトラアルキルピペリジ
ンを、保護ガス雰囲気(例えば、アルゴン中)下の適切
な反応管中に入れ、0℃未満の温度に冷却しながら、ア
ルキルリチウム溶液、例えば、ヘキサン中のブチルリチ
ウムを滴下することにより製造できる。このようにして
得られたリチウムジアルキルアミド又はリチウムテトラ
アルキルピペリジド溶液は、本発明に従う方法の工程
a)で使用される。
アルキルリチウム溶液を用いる代わりに、アルキルマグ
ネシウムハロゲン化物溶液、例えば、臭化メチル−又は
臭化エチル−マグネシウム溶液を用いて同様に製造でき
る。反応は、0〜65℃で行われる。
ネシウムを用いてLi−有機化合物の金属交換反応によ
って製造もできる。Wがマグネシウムアミドを表すMg
−有機化合物は、約0〜65℃で、ジアルキルマグネシ
ウム溶液、例えば、テトラヒドロフランのような有機溶
媒中のジブチルマグネシウムと反応させることによりジ
アルキルアミン又はテトラアルキルピペリジンから製造
できる。
に従って、例えば、式(Iaa):
有する)の化合物をテトラヒドロフラン中に溶解し、保
護ガス雰囲気(例えば、アルゴン)下でその溶液をテト
ラヒドロフラン中のマグネシウム懸濁液に加えるか又は
それをヘキサン中のリチウム溶液と反応させることによ
り製造できる。Cl−P(−R4)2(式中、R4は、上記
意味を有する)の添加及び次のH2O2を用いた酸化後、
式(Ia)の化合物が得られる。
(O)(−R4)2を使用することもでき、この場合に酸
化は不必要である。R4がC1 - 8−アルコキシ又はフェノ
キシの場合には、Cl−P(O)(−R4)2を用いる反
応を行うことが好ましい。
化合物を製造するために、式(Iaa)の化合物は、触
媒量のPd若しくはNi塩又はそれらの錯体の存在下に
て、例えば、PdCl3又はNiCl2の存在下にて、P
(O−C1 - 8−アルキル)3と直接反応させることもでき
る。
て、例えば、−70℃〜−10℃で、テトラヒドロフラ
ン中のベンゾチオフェン又は置換ベンゾチオフェンを、
ヘキサン中のブチルリチウム溶液に滴下することにより
製造することもできる。Cl−P(−R4)2を用いる反
応及びH2O2を用いる酸化により、式(Ib)の化合物
を生成する。また式(Ib)の化合物は、式(Ia)の
化合物の製造と同様にしてCl−P(O)(−R4)2又
はP(O−C1 - 8−アルキル)3と反応させることにより
製造できる。
ミ形態ばかりでなく、光学活性形態でも存在できる。
I)の化合物のラセミ化合物の分割は、既知の方法、例
えば、(−)−若しくは(+)−O,O′−ジベンゾイ
ル酒石酸(DBT)又は(−)−若しくは(+)−O,
O′−ジ−p−トリル酒石酸(DTT)を用いて行うこ
とができる。これは、不活性有機溶媒中において約0℃
〜約60℃の温度で好都合に行われる。ここで溶媒とし
ては、特にクロロホルム、塩化メチレン、酢酸エチル、
酢酸イソプロピル、アセトン、メタノール又はエタノー
ルのようなアルコールなどばかりでなくそれらの混合物
も挙げることができる。
は(+)−DBT又はDTTを有する式(I)又は(I
I)の化合物の付加物は、無機塩基を用いて処理でき、
それぞれ式(I)又は(II)の化合物の(R)又は
(S)形態に遊離される。
a Chimica Acta Vol.74(1991) p.370以下に記載されて
いる。
る式(I)又は(II)のビスホスホナート化合物は、最
初に、例えば、SOCl2と反応させることにより対応
するビス(ホスホン酸ジクロリド)に変換し、次いでフ
ェニル−、置換フェニル−、ナフチル−、置換ナフチル
−、ヘテロアリール−、置換ヘテロアリール−、C1 - 8
−アルキル−若しくはC3 - 7−シクロアルキル−グリニ
ャール化合物、例えば、塩化フェニルマグネシウム、又
はリチウム化合物と反応させて、対応するビスホスフィ
ンオキシドを得る。反応は、ラセミ化合物の分割の前後
に行うことができるが、しかし、ラセミ化合物の分割後
に行うことが好ましい。
ィン配位子の製造において重要な中間体である。これら
は、とりわけ不斉水素化における触媒として有用である
遷移金属、特にルテニウム、ロジウム又はイリジウムの
ようなVIII族の金属を有する錯体の重要な構成要素でも
ある。遷移金属を有するジホスフィン配位子の錯体と同
様に不斉水素化のためのそれらの使用は、既知であり、
例えば、米国特許第5,430,191号に記載されて
いる。
で存在し、R4がC1 - 8−アルキル、C3 - 7−シクロアル
キル、フェニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチ
ル、ヘテロアリール、置換ヘテロアリールを表す式
(I)又は(II)のビスホスフィンオキシド化合物の還
元は、それ自体既知の方法、例えば、Helvetica Chimic
aActa Vol.74(1991) p.370以下に記載されたような方法
で行うことができる。これは、例えば、沸騰キシレンの
ような芳香族炭化水素中で、又はアセトニトリル中など
でも、シラン、例えば、トリクロロシランを使用して、
好都合には、例えば、トリエチルアミン、又は好ましく
はトリブチルアミンのような補助剤の塩基の存在下にて
行うことができる。所望ならば、この還元は、加圧下の
オートクレーブ中で行うことができる。
限定されるものではない。これらの例において、用いら
れる略語は、以下の意味を有する: TLC 薄層クロマトグラフィー HPLC 高速液体クロマトグラフィー NMR 核磁気共鳴分光学 RV 回転エバポレータ RT 室温 HV 高真空:0.1ミリバール GC 毛管ガスクロマトグラフィー e.e. エナンチオマー過剰率 MeOBIPHEP (6,6′−ジメトキシ
ビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジフェニルホス
フィン) MeOBIPHEPO (6,6′−ジメトキシ
ビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジフェニルホス
フィンオキシド) DiMeOBIPHEPO (5,5′,6,6′−
テトラメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス
(ジフェニルホスフィンオキシド) TriMeOBIPHEPO (4,4′,5,5′,
6,6′−ヘキサメトキシ−ビフェニル−2,2′−ジ
イル)ビス(ジフェニルホスフィンオキシド) all−MeOBIPHEPO (4,4′,5,5′,
6,6′−ヘキサメトキシ−ビフェニル−2,2′−ジ
イル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニ
ル)ホスフィンオキシド) BITIANPO 2,2′−ビス(ジフェ
ニルホスフィノイル)−3,3′−ビベンゾ〔b〕チオ
フェン Fe(acac) 鉄(III)アセチルアセ
トナート すべて温度は、摂氏温度で示される。
水素を表し及びR4はフェニルを表す)の化合物(ME
OBIPHEPO)の製造 a)冷却器、温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能
を有する滴下漏斗を備えた4.5Lの4つ口フラスコ中
において、アルゴン下にて、マグネシウム36.8g
(1.596mol)をテトラヒドロフラン200ml中に
懸濁した。激しく撹拌しながら、温度を45〜55℃に
保持したまま、テトラヒドロフラン400ml中に3−ブ
ロモアニソール298.0g(1.593mol)を含む
溶液を、1.75時間かけて懸濁液に滴下した。滴下完
了後、得られた灰色の溶液を40〜45℃でさらに1時
間撹拌した。反応溶液を氷浴を用いて約10℃に冷却
し、テトラヒドロフラン400ml中にp−クロロジフェ
ニルホスフィン362g(1.641mol)を含む溶液
を用いて1時間かけて滴下して処理した。その間、氷−
水浴を用いて温度を25〜30℃に保持した。約25℃
でさらに1時間撹拌した後、反応混合物を氷浴を用いて
10℃に冷却した。続いて、激しく撹拌しながら、温度
を最大35℃に上げて、脱イオン水400mlを滴下漏斗
からそこへ迅速に加えた。冷却により反応温度を25〜
30℃に保持したまま、30%過酸化水素溶液180.
0g(1.587mol)を、濁った黄色がかった溶液に
45分かけて滴下した。過酸化水素の滴下完了後直ち
に、反応をTLCによって終了した。得られた澄んだ黄
色の溶液を、飽和NaSO3溶液100mlを用いて25
℃で処理することにより、過酸化物は反応混合物中にも
はや検出されなくなった。反応混合物の水性相を分離
し、ヘプタン300mlを用いて逆抽出した。組み合せた
有機相を、飽和NaCl溶液500mlを用いて洗浄し、
硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、RVで蒸発させ
た。残留物(459.6g、93.6%)を70℃でト
ルエン800mlに溶解し、ヘプタン800mlを用いて処
理し、RTまで徐冷した。その間、結晶化が始まり、そ
の後0℃にて1時間で完了した。母液をデカンテーショ
ンにより除去した。結晶をヘプタン300ml中を用いて
50℃で短時間に再度熟成し、0℃で1時間放置した。
次いで白色結晶を吸引しながら濾別し、3回ともヘプタ
ン100mlを用いて洗浄し、80℃でHV下にて3時間
乾燥した。収量は、(3−メトキシフェニル)ジフェニ
ルホスフィンオキシド448.3g(88.8%)であ
った。
圧力補償機能を有する滴下漏斗を備えた2.5Lの4つ
口フラスコ中に、アルゴン下にて、ジイソプロピルアミ
ン40g(0.395mol)及びテトラヒドロフラン2
50mlを入れた。−18℃に冷却後、撹拌しながら、温
度を−15℃以下に保持したまま、ヘキサン中にブチル
リチウムを含む溶液220ml(0.352mol)を30
分かけて滴下した。反応混合物を−20℃でさらに1時
間撹拌した。温度を−15℃以下に保持したまま、得ら
れたリチウムジイソプロピルアミド溶液に、テトラヒド
ロフラン350ml中に(3−メトキシフェニル)ジフェ
ニルホスフィンオキシド100g(0.316mol)を
含む溶液を30分間かけて滴下した。−20℃にさらに
1時間保持後、−15℃に予冷した、テトラヒドロフラ
ン400ml中に塩化鉄(III)(無水)72.5g
(0.447mol)からなる懸濁液を直接加えた。さら
に1時間撹拌後、冷却せずに反応混合物を70℃/15
ミリバールで濃縮した。暗褐色の油状残留物を塩化メチ
レン1,000mlに溶解した。溶液を氷浴中で冷却し、
激しく撹拌しながら、温度を15℃以下に保持したま
ま、25%水酸化アンモニウム溶液75ml(1.0mo
l)を用いて滴下して処理した。RTでさらに1時間撹
拌後、得られた鉄塩の懸濁液を16時間そのまま放置し
た。次いで、それを濾過し、濾過残渣を塩化メチレン
1,000mlを用いてすすいだ。褐色がかった濾液を5
0℃、600ミリバールで元の体積の約10%に濃縮
し、メタノール150mlを用いて処理した。RVで塩化
メチレンを蒸発させる間、結晶化が生起しRTで16時
間で完了した。結晶を吸引濾過で濾別し、メタノール5
0mlを用いて3回洗浄し、HV下にて140℃で1時間
乾燥した。収量:白色粉末として(RS)−MeOBI
PHEPO82.8g(85.3%);HPLC含量1
00%。
圧力補償機能を有する滴下漏斗を備えた1.5Lの4つ
口フラスコ中に、アルゴン下にて、ジイソプロピルアミ
ン7.87g(77.7mmol)及びテトラヒドロフラン
50mlを入れた。−60℃に冷却後、撹拌しながら、ヘ
キサンの1.6Mブチルリチウム溶液43ml(30.9m
mol)を5分かけて滴下した。反応混合物を−55℃で
さらに15分間撹拌した。温度を−70℃以下に保持し
たまま、得られたリチウムジイソプロピルアミド溶液
に、テトラヒドロフラン80ml中に(3−メトキシフェ
ニル)ジフェニルホスフィンオキシド20g(64.2
mmol)を含む溶液を滴下した。−70℃でさらに2時間
撹拌後、温度を−60℃に上げたままで、鉄(III)ア
セチルアセトナート31.7g(89.8mmol)の溶液
を一度に加えた。RTでさらに16時間撹拌後、反応混
合物をRVで濃縮し、残留物を塩化メチレン1000ml
に溶解した。得られた溶液を、2N塩酸40ml、25%
水酸化アンモニウム溶液50ml、3N水酸化ナトリウム
溶液50mlを用いてこの順序で5回及び最後に脱イオン
水200mlを用いて2回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥
し、濾過し、乾燥するまで蒸発させた。油状残留物(2
6g)は、(RS)−MeOBIPHEPO35%及び
出発物質31%を含んでいた。収率:46%。
c)3の代わりに固体形態の塩化銅(II)12.5g
(93mmol)を酸化剤として使用した。15%の(R
S)−MeOBIPHEPOを含有した褐色の油21g
を単離した。
水素を表し、R4はフェニルを表す)の化合物(DiM
eOBIPHEPO)の製造 温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能を有する25
0mlの滴下漏斗を備えた500mlの4つ口フラスコ中
に、アルゴン下にて、ジイソプロピルアミン3.5g
(34.6mmol)及びテトラヒドロフラン23mlを入れ
た。−16℃に冷却後、ヘキサンの1.6Mブチルリチウ
ム溶液19ml(30.4mmol)を2分間かけて滴下し
た。反応混合物を−18℃でさらに15分間撹拌した。
温度を−15℃以下に保持したまま、得られたリチウム
ジイソプロピルアミド溶液に、テトラヒドロフラン10
0ml中に(3,4−ジメトキシフェニル)ジフェニルホ
スフィンオキシド10g(28.8mmol)を含む溶液を
滴下した。−17℃でさらに1.5時間撹拌後、温度を
11℃に上げて、塩化鉄(III)(無水)6.5g(4
0.1mmol)をベージュ色の懸濁液に一度に加えた。R
Tでさらに16時間撹拌後、反応混合物をRVによって
真空中にて60℃で濃縮した。残留物を塩化メチレン2
00ml及び2N塩酸40ml中に溶解した。抽出後、有機
相を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、次い
でRVで乾燥するまで蒸発させた。暗褐色の残留物(1
1.1g)を、塩化メチレン/メタノール(5〜15%
メタノール)を用いてシリカゲル300g上で濾過し
た。溶離液(第1画分)をRVで蒸発させ、65〜70
℃で残留物(9.8g)をメタノール100ml中に溶解
した。RTで脱イオン水100mlをこの溶液に滴下し
て、結晶化を生起させた。結晶化を4℃で一晩で完了さ
せた。結晶を濾別し、水/エタノール(2:1)10ml
を用いて3回洗浄し、90℃でHV下にて6時間乾燥し
た。収量は、(RS)−(5,5′,6,6′−テトラ
メトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジフェ
ニルホスフィンオキシド)7.5g(77%)であっ
た。
R4はフェニルを表す)の化合物(TriMeOBIP
HEPO)の製造 温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能を有する10
0mlの滴下漏斗を備えた250mlの4つ口スルホネーシ
ョンフラスコ中に、アルゴン下にジイソプロピルアミン
3.4g(33.8mmol)及びテトラヒドロフラン22
mlを入れた。−20℃に冷却後、ヘキサンの1.6Mブ
チルリチウム溶液18ml(28.8mmol)を5分かけて
滴下した。反応混合物を−20℃でさらに15分間撹拌
した。温度を−15℃以下に保持したまま、このリチウ
ムジイソプロピルアミド溶液に、テトラヒドロフラン6
0ml中に(3,4,5−トリメトキシフェニル)ジフェ
ニルホスフィンオキシド10g(27mmol)を含む溶液
を滴下した。−20℃でさらに1時間撹拌後、温度を2
0℃に上げて、塩化鉄(III)(無水)6.3g(3
8.9mmol)を暗褐色の懸濁液に加えた。RTでさらに
16時間撹拌後、反応混合物をRVで真空中にて60℃
で濃縮した。残留物を塩化メチレン100ml中に溶解し
た。激しく撹拌しながら、25%水酸化アンモニウム溶
液6ml及び硫酸マグネシウム6gを得られた溶液に加え
た。さらに15分間撹拌後、褐色の沈殿物を濾別し、塩
化メチレン約50mlを用いて洗浄した。濾液をRVで乾
燥するまで蒸発させ、トルエン/ジエチルエーテル/メ
タノール(7/2/1)を用いてシリカゲル50g上で
濾過した。溶媒を蒸発後、残留物を塩化メチレンに溶解
し、トルエンを用いて処理した。溶液をRVで濃縮し
て、結晶化を生起させた。結晶を吸引しながら濾別し、
トルエンを用いて処理し、HV下で乾燥した。収量は、
(RS)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメ
トキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジフェニ
ルホスフィンオキシド)6.5g(65%)であった。
水素を表し、R4はエトキシを表す)の化合物の製造 a)温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能を有する
100mlの滴下漏斗を備えた250mlの4つ口スルホネ
ーションフラスコ中に、アルゴン下にて、2,2,6,
6−テトラメチルピペリジン6.6g(47mmol)及び
テトラヒドロフラン30mlを入れた。−17℃に冷却
後、ヘキサンの1.6Mブチルリチウム溶液27ml(4
3.2mmol)を2分間かけて滴下した。反応混合物を−
17℃でさらに15分間撹拌した。温度を−15℃以下
に保持したまま、このリチウムテトラメチルピペリジン
溶液に、テトラヒドロフラン40ml中にジエチル3−メ
トキシフェニルホスホナート10g(40.8mmol)を
含む溶液を滴下した。−20℃でさらに1.5時間撹拌
後、温度を10℃に上げて、塩化鉄(III)(無水)
8.6g(53mmol)を暗褐色の反応溶液に一度に加え
た。RTでさらに16時間撹拌後、反応混合物をRVで
真空中にて60℃で濃縮した。残留物を塩化メチレン1
00ml中に溶解し、2N塩酸50mlを用いて3回洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、次いでRVで
乾燥するまで蒸発させた。残留物(7.8g)をtert−
ブチルメチルエーテル30mlに溶解し、ヘキサン20ml
を用いて希釈して、結晶化を生起させた。結晶を吸引し
ながら濾別し、ヘキサンを用いて洗浄し、HV下で乾燥
した。収量は、(RS)−(6,6′−ジメトキシビフ
ェニル−2,2′−ジイル)ビス(ホスホン酸ジエチル
エステル)4.1g(41%)であった。融点:14
6.8℃。
機能を有する100mlの滴下漏斗を備えた250mlの4
つ口スルホネーションフラスコ中で、温度を−65℃に
保持したまま、シクロヘキサンの1.3Msec−ブチルリ
チウム溶液36ml(46.8mmol)を、N,N,N′,
N′−テトラメチルジアミン17.6ml(117mmol)
中にジエチル3−メトキシフェニルホスホナート10g
(40.8mmol)及びテトラヒドロフラン50ml中にジ
イソプロピルアミン0.06ml(0.42mmol)を含む
溶液に滴下した。さらに1.5時間撹拌後、温度を5℃
に上げて、塩化鉄(III)(無水)8.6g(53mmo
l)をオレンジ色に乳濁した反応溶液に一度に加えた。
RTでさらに16時間撹拌後、反応混合物を4a)の条
件のもとで処理した。収量は、(RS)−(6,6′−
ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ホス
ホン酸ジエチルエステル)5.5g(55%)であっ
た。融点:146℃。
R4はメトキシで3置換されたフェニルを表す)の化合
物の製造及び次のラセミ化合物の分割(all−MEOB
IPHEPO) a)温度計、機械かき混ぜ機及び圧力補償機能を有する
250mlの滴下漏斗を備えた750mlの4つ口スルホネ
ーションフラスコ中で、温度を35℃以上に上げないよ
うにして、3,4,5−トリメトキシブロモベンゼン8
5g(0.344mmol)を、テトラヒドロフラン50ml
中にマグネシウム9.2g(0.378mol)からなる
懸濁液に、40分間かけてアルゴン下に滴下した。得ら
れた灰色の溶液を35℃でさらに1時間撹拌した。10
℃に冷却後、温度が15℃を超えないようにして、テト
ラヒドロフラン50ml中の三塩化リン14.2g(0.
115mol)を、50分間かけて滴下した。灰色の懸濁
液をRTで一晩撹拌し、次いで温度を最大40℃に上げ
て、飽和塩化アンモニウム溶液100mlを用いて処理し
た。相を分離し、有機相を脱イオン水400mlで2回洗
浄した。水性相を合わせ、酢酸エチル300mlを用いて
再抽出した。組み合せた有機相を、飽和塩化ナトリウム
溶液300mlを用いて洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
し、濾過し、RVによって50℃で蒸発させた。撹拌し
ながら、RTで黄色がかった油状の残留物をエタノール
150mlを用いて処理して、結晶化を生起させた。0℃
で30分間撹拌後、結晶性物質を吸引しながら濾別し、
エタノール30mlを用いて3回洗浄し、HV下にて80
℃で2時間乾燥した。収量は、トリス(3,4,5−ト
リメトキシフェニルホスフィン)31.6g(52%)
であった。融点:130〜135℃。
滴下漏斗及び冷却器を備えた500mlの4つ口スルホネ
ーションフラスコ中で、トリス(3,4,5−トリメト
キシフェニルホスフィン)31.6g(59.3mmol)
を、塩化メチレン100ml及びエタノール150mlの混
合物中に溶解した。温度を15〜20℃に保持したま
ま、30%過酸化水素6.8g(60mmol)を、得られ
た溶液に15分間かけて滴下した。過酸化水素の滴下完
了後直ちに、反応をTLCによって終了させた。得られ
た反応溶液を飽和亜硫酸ナトリウム溶液5mlを用いて処
理することにより、過酸化物は反応混合物中からもはや
検出されなくなった。反応混合物を塩化メチレン200
mlを用いて処理し、脱イオン水300mlを用いて2回抽
出した。組み合せた相を塩化メチレン300mlを用いて
再抽出し、飽和塩化ナトリウム溶液300mlを用いて洗
浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾過し、ヘキ
サン200mlを用いて処理した。得られた溶液をRVに
よって50℃/600ミリバールで濃縮し、結晶化を生
起させた。0℃で2時間撹拌後、結晶性物質を吸引しな
がら濾別し、ヘキサン50mlを用いて2回洗浄し、HV
下にて100℃で2時間乾燥した。トリス(3,4,5
−トリメトキシフェニル)ホスフィンオキシド13.0
gを第1の結晶として単離した。さらにトリス(3,
4,5−トリメトキシフェニル)ホスフィンオキシド1
2.7gを母液から第2の結晶として得た。両結晶は同
一であり均質であった。トリス(3,4,5−トリメト
キシフェニル)ホスフィンオキシドの全収量は、25.
7g(79%)であった。
能を有する100mlの滴下漏斗及びアルゴンガス用のヘ
ッドピースを備えた350mlの4つ口フラスコ中に、テ
トラヒドロフラン80mlのジイソプロピルアミン4.1
g(28.9mmol)を−20℃で入れた。撹拌しなが
ら、ヘキサン中1.6Mブチルリチウム溶液16ml(2
5.6mmol)を10分間かけて滴下した。反応混合物を
−20℃でさらに15分間撹拌した。得られたリチウム
ジイソプロピルアミド溶液に、トリス(3,4,5−ト
リメトキシフェニル)ホスフィンオキシド12.7g
(23.2mmol)を−20℃で一度に加えた。得られた
暗赤色の反応溶液に、トルエン20ml及びテトラヒドロ
フラン10ml中に塩化鉄(III)(無水)5.34g(3
2.9mmol)を含む溶液を加えた。添加後、撹拌しなが
ら反応溶液をRTに温めたままにした。次いで反応混合
物をRVにより60℃で蒸発させた。暗色の油状残留物
を塩化メチレン200mlに溶解し、0℃に冷却後、25
%水酸化アンモニウム溶液6ml(80mmol)を用いて処
理した。0℃で30分間撹拌後、鉄塩を濾別し、塩化メ
チレン100mlを用いてすすいだ。濾液を硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、濾過し、蒸発させた。粗生成物15.3
gを暗色の油として得た。同一の方法で同一の条件で第
2の反応を行うことにより、さらに粗生成物14.9g
を得た。両粗生成物を溶離剤として酢酸エチル/エタノ
ール(9/1〜1/1)を用いてシリカゲル200gの
クロマトグラフに一緒に付した。高真空における溶媒の
蒸発及び乾燥後、予備精製された生成物2.4gを無色
の樹脂として得た。NMRにより、原料は、(RS)−
(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフ
ェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−
トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド72%及
びトリス(3,4,5−トリメトキシフェニル)−ホス
フィンオキシド28%から成っていた。
スターラーを備えた250mlの丸底フラスコ中におい
て、トリス(3,4,5−トリメトキシフェニル)−ホ
スフィンオキシド28%を依然として含む(RS)−
(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフ
ェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−
トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド24g
(17.3mmol)及び(−)−O,O′−ジベンゾイル
−L−酒石酸11g(30.7mmol)を、酢酸エチル4
0ml中で還流しながら短時間一緒に加熱した。撹拌しな
がら、混合物を一晩RTに冷却したままにした。白色の
結晶を吸引しながら濾別し、酢酸エチル10mlを用いて
洗浄し、HV下にてRTで1時間乾燥した。(S)−
(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフ
ェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−
トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド/(−)
−DBT付加物9gを得た。
6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイ
ル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニ
ル)〕ホスフィンオキシド/(−)−DBT付加物9g
を、脱イオン水50ml中に炭酸ナトリウム1g(10mm
ol)を含む溶液を用いて、撹拌しながら酢酸エチル50
ml中で処理した。2相を分離し、水性相を酢酸エチル2
0mlを用いて抽出した。組み合せた有機相を脱イオン水
50mlを用いて洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾
過し、RVで乾燥するまで濃縮し、HV下にてRTで1
時間乾燥した。(S)−(4,4′,5,5′,6,
6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)
ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)〕ホ
スフィンオキシドの収量は、5.9g((RS)化合物
に基づいて理論量の68%)であった。
有する500mlの丸底フラスコ中で、(S)−(4,
4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル
−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメ
トキシフェニル)〕ホスフィンオキシド/(−)−DB
T付加物の母液を、脱イオン水50ml中に炭酸ナトリウ
ム5g(47mmol)を含む溶液を用いて処理した。2相
を分離し、水性相を酢酸メチル50mlを用いて抽出し
た。組み合せた有機相をさらに脱イオン水50mlを用い
て洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾別し、
RVで乾燥するまで濃縮した。残留物及び酢酸エチル4
0ml中の(+)−O,O′−ジベンゾイル−D−酒石酸
11g(30.7mmol)を還流しながら短時間加熱し
た。撹拌しながら、混合物を一晩RTに冷却したままに
した。白色結晶を吸引して濾別し、酢酸エチル10mlを
用いて2回洗浄し、HV下にてRTで1時間乾燥した。
(R)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメト
キシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,
4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド
/(+)−DBT付加物8gを得た。
6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイ
ル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニ
ル)〕ホスフィンオキシド/(+)−DBT付加物8g
を、脱イオン水50ml中に炭酸ナトリウム1g(10mm
ol)を含む溶液を用いて、撹拌しながら酢酸エチル50
ml中で処理した。2相を分離し、水性相を酢酸メチル2
0mlを用いて抽出した。組み合せた有機相を脱イオン水
50mlを用いて洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥
し、濾別し、RVによって乾燥するまで濃縮し、HV下
にてRTで1時間乾燥した。(R)−(4,4′,5,
5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′
−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェ
ニル)〕ホスフィンオキシドの収量は、5.6g((R
S)化合物に基づいて理論量の64%)であった。
4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル
−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメ
トキシフェニル)〕ホスフィンオキシド5.6g(5.
1mmol)、トリブチルアミン15ml(63mmol)及びト
リクロロシラン5.1ml(50mmol)を、RTでアルゴ
ン下にて、冷却器、温度計、マグネチックスターラー、
septum stopper及びアルゴンガス発生用のヘッドピース
を備えた100mlの4つ口スルホネーションフラスコ中
に撹拌しながら入れた。混合物を還流しながら8時間沸
騰させ、50℃に冷却し、30%水酸化ナトリウム溶液
50mlを用いて処理した。混合物をRTに冷却し、トル
エン100mlを用いて処理し、脱イオン水100mlを用
いて希釈した。有機相を分離し、2N水酸化ナトリウム
溶液100mlを用いて2回、飽和NaCl溶液50mlを
用いて3回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過
し、濃縮し、HV下にて100℃で2時間乾燥した。残
留物(6g)を、ヘキサン/酢酸エチル(1/1)を用
いてシリカゲル100g上で濾過した。溶媒の蒸発及び
HV下での乾燥後、(S)−(4,4′,5,5′,
6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイ
ル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)
ホスフィンを単離した。(S)−(4,4′,5,
5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′
−ジイル)ビス〔ビス(3,4,5−トリメトキシフェ
ニル)〕ホスフィンの収量は、無色の樹脂として4.8
g(88%)であった。
(R)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメト
キシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス〔ビス(3,
4,5−トリメトキシフェニル)〕ホスフィンオキシド
5.4g(4.9mmol)、トリブチルアミン15ml(6
3mmol)及びトリクロロシラン5.1ml(50mmol)
を、RTでアルゴン下にて、冷却器、温度計、マグネチ
ックスターラー、septum stopper及びアルゴンガス発生
用のヘッドピースを有する100mlの4つ口スルホン化
フラスコ中に撹拌しながら入れた。混合物を還流しなが
ら8時間沸騰させ、50℃に冷却し、30%水酸化ナト
リウム溶液50mlを用いて処理した。混合物をRTに冷
却し、トルエン100mlを用いて処理し、脱イオン水1
00mlを用いて希釈した。有機相を分離し、2N水酸化
ナトリウム溶液100mlを用いて2回、飽和NaCl溶
液50mlを用いて3回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
し、濾過し、濃縮し、HV下にて100℃で2時間乾燥
した。残留物を、ヘキサン/酢酸エチル(1/1)を用
いてシリカゲル100g上で濾過した。溶媒の蒸発及び
HV下での乾燥後、(R)−(4,4′,5,5′,
6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイ
ル)ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)ホスフ
ィンを単離した。(R)−(4,4′,5,5′,6,
6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)
ビス(3,4,5−トリメトキシフェニル)ホスフィン
の収量は、無色の樹脂として5g(96%)であった。
R4はフェニルを表す)の化合物(BITANPO)の
製造 a)冷却器、機械かき混ぜ機、温度計及び圧力補償機能
を有する500mlの滴下漏斗を備えた1.5Lの4つ口
フラスコ中に、ヘキサン50mlに対しヘキサン中1.6
Mブチルリチウム溶液300ml(0.48mol)を、RT
でアルゴン下にて−70℃で撹拌しながら入れた。温度
を最大−50℃まで上げて、テトラヒドロフラン200
ml中のベンゾチオフェン85g(0.633mol)を、
この混合物に滴下した。添加完了後、撹拌しながら、反
応溶液を−10℃に温めたままにした。そのうえ溶液を
−70℃に再度冷却し、温度が−55℃を超えないよう
にして、p−クロロジフェニルホスフィン103g
(0.467mol)を滴下した。次いで冷却しないでR
Tになるまで反応溶液を撹拌した。反応混合物を飽和塩
化アンモニウム溶液200mlを用いて処理した。脱イオ
ン水200ml及び塩化メチレン400mlの添加後、相を
分離した。有機相を飽和塩化ナトリウム溶液を用いて2
回洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾過し、
RVで濃縮した。加熱・還流しながら、残留物をエタノ
ール350ml中に溶解し、溶液を一晩冷却したままにし
た。白色の結晶を吸引しながら濾別し、エタノール50
mlを用いて洗浄し、HV下にてRTで1時間乾燥した。
3 1P−NMRにより、2−ベンゾ〔b〕チオフェニル−
ジフェニルホスフィン及び2−ベンゾ〔b〕チオフェニ
ル−ジフェニルホスフィンオキシドの約6/1混合物か
らなる粗生成物105gを得た。
ル200ml中に溶解し、温度が30℃超えないようにし
て、撹拌しながら、30%過酸化水素37.0g(0.
326mol)を用いて滴下処理した。得られた澄んだ反
応溶液を飽和亜硫酸ナトリウム溶液50mlを用いてRT
下で処理することにより、過酸化物は反応混合物中にも
はや検出されなくなった。メタノールをRVで蒸留除去
した。水性残留物を塩化メチレン200mlを用いて抽出
し、有機相を飽和塩化ナトリウム溶液50mlを用いて洗
浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾過し、RV
で蒸発させた。残留物をトルエン150ml中に70℃で
溶解し、ヘキサン150mlを用いて処理し、RTまで徐
冷した。結晶を吸引しながら濾別し、ヘキサン100ml
を用いて洗浄し、HV下にてRTで1時間乾燥した。収
量は、白色粉末として2−ベンゾ〔b〕チオフェニル−
ジフェニルホスフィンオキシド101g(63%)であ
り、融点144〜145℃であった。
機能を有する250mlの滴下漏斗を有する750mlの4
つ口スルホネーションフラスコ中に、ジイソプロピルア
ミン11.0g(0.108mol)及びテトラヒドロフ
ラン75mlを、アルゴンガス発生下で入れた。−18℃
に冷却後、温度が−15℃を超えないようにして、ヘキ
サン中1.6Mブチルリチウム溶液66ml(0.105m
ol)を滴下した。反応混合物を−20℃でさらに1時間
撹拌した。温度を−15℃に保持したまま、得られたリ
チウムジイソプロピルアミド溶液に、テトラヒドロフラ
ン150ml中の2−ベンゾ〔b〕チオフェニル−ジフェ
ニルホスフィンオキシド33.4g(0.1mol)から
なる溶液を滴下した。その混合物を−20℃でさらに1
時間撹拌した。この混合物に、−15℃に冷却した、テ
トラヒドロフラン150ml中に塩化鉄(III)(無水)
24g(0.145mol)を含む懸濁液を一度に加え
て、温度を5℃に上げた。さらに1時間撹拌後、冷却せ
ずに反応混合物をRVで濃縮した。暗褐色の残留物を塩
化メチレン250ml中に溶解した。溶液を氷浴によって
冷却し、25%水酸化アンモニウム溶液25ml(0.3
3mol)を用いて10分間かけて滴下処理した。得られ
た鉄塩の懸濁液を濾過し、塩化メチレン100mlを用い
て洗浄した。茶色がかった濾液を、RVで元の体積の約
10%に濃縮し、酢酸エチル200mlを用いて処理し
た。その間、結晶化が生起した。RVによる残留塩化メ
チレンの蒸発により、結晶化は完了した。黄色の結晶性
物質を吸引しながら濾別し、酢酸エチル50mlを用いて
洗浄し、HV下にて乾燥した。(RS)−ビス(ジフェ
ニルホスフィノイル)−3,3′−ビベンゾ〔b〕チオ
フェンの収量は、27g(82%)であった。
R4はエトキシを表す)の化合物の製造 a)ジエチルベンゾ〔b〕チオフェン−2−イル)ホス
ホナートの製造:10cmのVigreux蒸留ヘッドピース、
マグネチックスターラ、温度計、圧力補償機能を有する
50mlの滴下漏斗及びアルゴンガス発生用のヘッドピー
スを備えた50mlの4つ口スルホネーションフラスコ中
で、25℃でアルゴン下にて、2−ブロモベンゾチオフ
ェン65g(GC純度92%;0.280mol)を、塩
化パラジウム1.5g(0.084mol)によく撹拌し
ながら加えた。160℃に加熱後、亜リン酸トリエチル
61g(0.367mol)をこの混合物に2時間かけて
滴下した。生成した臭化エチルをドライアイスレシーバ
中で連続的に蒸留除去した。次に反応溶液を160℃で
1時間撹拌した。過剰の亜リン酸トリエチルを、水流バ
キューム内で蒸留除去した。次いで、ジエチル(ベンゾ
〔b〕チオフェン−2−イル)ホスホナートを、高真空
(浴160℃、ヘッド140℃)で蒸留除去した。収
量:無色油としてジエチル(ベンゾ〔b〕チオフェン−
2−イル)ホスホナート67.4g(89%)。
〔b〕チオフェン−2,2′−ジイル)ビス(ホスホン
酸ジエチルエステル)の製造 2,2,6,6−テトラメチル−ピペリジン71ml
(0.418mol)及びテトラヒドロフラン200ml
を、アルゴン下にa)に記載した装置内に入れた。−7
0℃に冷却後、温度を常に−50℃以下に保持して、ヘ
キサン中の1.6Mブチルリチウム溶液208ml(0.
334mol)を撹拌しながら滴下した。反応混合物を−
10℃でさらに15分間撹拌した。溶液を−70℃に再
度冷却し、温度を−60℃以下に保持したまま、ジエチ
ル(ベンゾ〔b〕チオフェン−2−イル)ホスホナート
84.4g(0.299mol)及びテトラヒドロフラン
200mlをよく撹拌しながら滴下した。−70℃でさら
に2時間撹拌後、温度を−45℃に上げて、−10℃に
予冷した、テトラヒドロフラン200ml中に無水塩化鉄
(III)68g(0.418mol)含む懸濁液を一度に流
し込んだ。さらに1時間撹拌後、冷却しないで反応混合
物を2N塩酸400ml及びトルエン600ml中に溶解し
た。分離した有機相を飽和NaHCO3溶液200mlを
用いて洗浄し、脱イオン水200mlを用いて2回洗浄
し、硫酸マグネシウム約50gで乾燥し、濾過し、RV
で濃縮した。残留物をトルエンを用いてKieselgel602
00gで濾過した。蒸発後、温めながら残留物を酢酸エ
チル100ml中に溶解し、溶液を4℃のまま2時間放置
した。得られた純粋な結晶を吸引しながら濾別し、ヘキ
サン約50mlを用いて洗浄し、HV下にて60℃で1時
間乾燥した。収量:白色粉末として(RS)−(3,
3′−ビベンゾ〔b〕チオフェン−2,2′−ジイル)
ビス(ホスホン酸ジエチルエステル)51.6g(6
4.1%)。
Claims (5)
- 【請求項1】 式(I)又は式(II): 【化1】 (式中、 Xは、O又はSを表し;R1及びR2は、互いに独立し
て、水素、C1 - 8−アルキル、フェニル、置換フェニ
ル、C1 - 8−アルコキシ、フェニルオキシ、置換フェニ
ルオキシ、ベンジルオキシ、置換ベンジルオキシ、ハロ
ゲン又はジ−C1 - 8−アルキルアミノを表すか;あるい
はR1及びR2は、一緒になって、縮合ベンゼン環、縮合
置換ベンゼン環、トリメチレン、テトラメチレン、メチ
レンジオキシ若しくはエチレンジオキシ基又は式
(a): 【化2】 の系を表し;R3、R5、R6は、互いに独立して、水
素、C1 - 8−アルキル、フェニル、置換フェニル、C1 - 8
−アルコキシ、フェニルオキシ、置換フェニルオキシ、
ベンジルオキシ、置換ベンジルオキシ、ハロゲン又はジ
−C1 - 8−アルキルアミノを表し;R4は、C1 - 8−アル
コキシ、フェニルオキシ、置換フェニルオキシ、C1 - 8
−アルキル、C3 - 7−シクロアルキル、フェニル、置換
フェニル、ナフチル、置換ナフチル、ヘテロアリール又
は置換ヘテロアリールを表し;Yは、CR7R8、O、S
又はN−C1 - 8−アルキルを表し;Zは、O、S、SO
又はSO2を表し;nは、0又は1を表し;R7、R
8は、互いに独立して、水素又はC1 - 8−アルキルを表
す)の化合物の製造方法であって、 一工程で、一般式(Ia)又は(IIa): 【化3】 (式中、R1、R2、R3、R5及びXは、上記意味を有
し、及びR4は、C1 - 8−アルコキシ、フェニルオキシ、
置換フェニルオキシ、フェニル、置換フェニル、ナフチ
ル、置換ナフチル、ヘテロアリール、置換ヘテロアリー
ルを表す)の化合物を; a)有機溶媒中において、−70℃〜20℃で、好まし
くは−30℃〜0℃で、 a−1)式(b1)又は(b2): 【化4】 〔式中、R9は、C1 - 8−アルキル、C3 - 6−シクロアル
キル又はフェニルを表し;R1 0は、C1 - 8−アルキル又
はC3 - 6−シクロアルキルを表し;R1 1及びR1 2は、同
一の又は異なったC1 - 8−アルキル基を表し;R1 3及び
R1 4は、互いに独立して、水素又はC1 - 8−アルコキシ
を表すか;あるいはR1 3は、水素又はC1 - 8−アルキル
を表し、かつ、R1 4は、OWを表すか;あるいはR1 3及
びR1 4は、一緒になって、式(c)〜(e): 【化5】 (式中、R1 5は、C1 - 8−アルキルを表し;R1 6及びR1
7は、水素又は同一の若しくは異なったC1 - 8−アルキル
を表し;及びWは、リチウム、Mgクロリド基、Mgブ
ロミド基若しくはMgヨーデイド基、又はマグネシウム
アミド基を表す)のケタール基を表す〕の化合物0.5
〜3当量、好ましくは0.9〜1.2当量と反応させる
か;又は a−2)C1 - 8−アルキルリチウム又はアリールリチウ
ム溶液の存在下にて、場合により補助剤(アジュバン
ト)のアミンを添加して、触媒量の上記定義の式(b
1)又は(b2)の化合物の1つと反応させるか;ある
いは、 a−3)式(Ia)又は(IIa)(式中、R4は、フェ
ニル、置換フェニル、ナフチル、置換ナフチル、ヘテロ
アリール又は置換ヘテロアリールを表す)の化合物を、
C1 - 8−アルキルリチウム又はアリールリチウム溶液
と、好ましくはtert−ブチルリチウム又はフェニルリチ
ウム溶液と反応させ; b)酸化力のある金属塩又は金属塩錯体0.5〜3当
量、好ましくは1〜1.5当量を、−70℃〜20℃、
好ましくは−30℃〜20℃の温度範囲内で、工程a)
で得られた混合物に加えて、式(I)又は(II)の化
合物のラセミ体を得; c)所望ならば、ラセミ化合物の分割を行い、及び d)工程b)又はc)で得られたビスホスホナートをビ
スホスフィンオキシドに変換させる方法。 - 【請求項2】 R1及びR2は、互いに独立して、水素、
C1 - 8−アルキル、フェニル、置換フェニル、C1 - 8−ア
ルコキシ、フェニルオキシ、置換フェニルオキシ、ベン
ジルオキシ、置換ベンジルオキシ、ハロゲン又はジ−C
1 - 8−アルキルアミノを表すか;あるいはR1及びR
2は、一緒になって、縮合ベンゼン環、縮合置換ベンゼ
ン環、テトラメチレン基又は式(a): 【化6】 (式中、R6、Y、Z及びnは、上記定義のとおり)の
系を表す、請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 テトラヒドロフラン中の式(Ia)の化
合物を、リチウムジイソプロピルアミド又はリチウムテ
トラメチルピぺリジド1〜1.5当量と−30℃〜0℃
で反応させ、FeCl31〜2当量を、得られた懸濁液
に−30℃〜20℃で加える、請求項1又は2記載の方
法。 - 【請求項4】 テトラヒドロフラン中の式(Ib)の化
合物を、リチウムジイソプロピルアミド又はリチウムテ
トラメチルピぺリジド1〜1.5当量と反応させ、Fe
Cl31〜2当量を、得られた懸濁液に−30℃で加え
る、請求項1記載の方法。 - 【請求項5】 不斉水素化における触媒として及びプロ
キラルであるアリル系においてエナンチオ選択水素置換
用にVIII族の金属を有する錯体の形態で使用されるビス
ホスフィンの製造のための請求項1〜4のいずれか一項
により製造された式(I)又は(II)の化合物の使用。
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