JP4240933B2

JP4240933B2 - 積層体形成方法

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Publication number: JP4240933B2
Application number: JP2002209720A
Authority: JP
Inventors: 隆治近藤; 上遠山; 雄一園田; 益光岩田; 祐介宮本; 篤司保野; 秀男田村; 明哉中山
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2002-07-18
Filing date: 2002-07-18
Publication date: 2009-03-18
Anticipated expiration: 2022-07-18
Also published as: CN100389478C; JP2004055745A; CN1476052A; US20040067321A1; EP1385214A2; EP1385214A3; US6951771B2; US7445952B2; US20050287791A1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、中間層、金属層を積層した積層体の形成方法及び該積層体上に半導体層を形成する工程を有する光起電力素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、シリコン、シリコンゲルマニウム、シリコンカーバイドの非晶質半導体層、あるいはそれらの微結晶、多結晶などからなる結晶相を含む半導体層を有する光起電力素子では、長波長における収集効率を改善するために、半導体層の裏面に反射層を設けたものが利用されてきた。かかる反射層は、半導体材料のバンド端に近くその吸収の小さくなる波長、即ち８００ｎｍから１２００ｎｍで有効な反射特性を示すのが望ましい。この条件を十分に満たす材料は、金・銀・銅・アルミニウムといった金属やそれらの合金などである。
【０００３】
また、所定の波長範囲で、光学的に透明な凹凸層を設け、光閉じ込めを行なうこともなされていて、一般的には前記反射層と半導体層の間に凹凸を有する金属酸化物層を設けて積層体とすることによって、反射光を有効に利用し、短絡電流密度Ｊｓｃを改善することが試みられている。このような金属酸化物層を設けることにより、シャントパスによる特性低下を防止する。また、入射光を有効に利用して短絡電流を改善するために、半導体の光入射側に凹凸を有する金属酸化物層を設けることで、入射光の半導体層中の光路長を増大させることが試みられている。
【０００４】
例えば、”Ｐ−ＩＡ−１５ａ−ＳｉＣ／ａ−Ｓｉ／ａ−ＳｉＧｅＭｕｌｔｉ−ＢａｎｄｇａｐＳｔａｃｋｅｄＳｏｌａｒＣｅｌｌｓＷｉｔｈＢａｎｄｇａｐＰｒｏｆｉｌｉｎｇ”Ｓａｎｎｎｏｍｉｙａｅｔａｌ．，ＴｅｃｈｎｉｃａｌＤｉｇｅｓｔｏｆｔｈｅＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＰＶＳＥＣ−５，Ｋｙｏｔｏ，Ｊａｐａｎ，ｐ３８７，１９９０などに、銀原子から構成される凹凸のある反射層と酸化亜鉛層のコンビネーションによって、光閉じ込め効果による短絡電流の増大を達成したことが記載されている。また、特開平８−２１７４４３号公報には、亜鉛イオン及び硝酸イオンを含有する水溶液からの電解によって透過率の優れた酸化亜鉛薄膜を均一に作成する方法が開示されている。
【０００５】
また、特開平６−２０４５１５中には、ステンレス基板／Ｔｉ／Ａｇ／ＺｎＯ／Ｓｉの構成が記載されており、Ｔｉ層を「基板との密着性を改善するために用いている」と開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
光起電力素子の特性を従来よりも向上させるために、反射層や金属酸化物層などの特性のさらなる改善が求められている。さらに、光起電力素子を高温下、多湿下、あるいは長期間にわたって使用した場合、これらの光起電力素子を直列化して使用し、その一部にのみ光照射された状態が長時間続いた場合、光の照射されていない部分に通常の光電変換で発生する電位とは逆極性の電位が印加された場合などにおいて、金属層の反射率が低下する、透明導電層の透過率が低下する、あるいは隣接する層との密着力が低下するなどの要因により、光電変換特性及び耐久性を低下させるという問題点があった。
【０００７】
そこで、本発明は上記した課題を解決し、さらなる高い特性をもち、高温下、多湿下、あるいは長期間にわたる使用下などにおいても優れた反射特性と密着性を有する積層体の形成方法及び該積層体上に半導体層を形成する工程を有する光起電力素子の製造方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基体上に１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さの中間層を形成する第１の工程と、前記中間層上に前記基体との密着力が前記中間層よりも小さく、反射率が前記中間層よりも大きい金属層を形成する第２の工程を有し、前記第２の工程の開始時点の前記金属層の形成速度を０．３ｎｍ／ｓ以上５．０ｎｍ／ｓ以下とし、前記第２の工程の途中で前記金属層の形成速度を増加させることを特徴とする積層体形成方法である。
【０００９】
前記金属層上に金属酸化物層を形成する第３の工程を有することを特徴とすることが好ましい。
【００１０】
前記第２の工程の途中で前記金属層の形成速度を増加させた後に前記金属層の形成速度を０．３ｎｍ／ｓ以上５．０ｎｍ／ｓ以下に減少させ、前記第３の工程の開始時点での前記金属酸化物層の形成速度を０．０３ｎｍ／ｓ以上５．０ｎｍ／ｓ以下とし、前記第３の工程の途中で前記金属酸化物層の形成速度を増加させることが好ましい。
【００１１】
前記中間層の厚さを３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが好ましい。前記金属層の形成速度を増加させる前、その形成速度を０．５ｎｍ／ｓ以上４．０ｎｍ／ｓ以下とすることが好ましい。前記中間層上に前記金属層を１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成した時点で、前記金属層の形成速度を増加させることが好ましい。前記金属層の形成速度を減少させることにより、その形成速度を０．５ｎｍ／ｓ以上４．０ｎｍ／ｓ以下とすることが好ましい。前記金属層の形成速度を減少させた後に、前記金属層を１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成して、その上に前記金属酸化物層を形成することが好ましい。前記金属酸化物層の形成速度を増加させる前、その形成速度を０．０５ｎｍ／ｓ以上３．０ｎｍ／ｓ以下とすることが好ましい。前記金属層上に前記金属酸化物層を５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さに形成した時点で、前記金属酸化物層の形成速度を増加させることが好ましい。少なくとも前記金属層の形成終了直前及び前記金属酸化物層の形成開始直後、形成雰囲気中に酸素を含有させることが好ましい。前記金属層の形成速度を減少させた後から前記金属酸化物層の形成速度を増加させるまで、形成雰囲気中に酸素を含有させることが好ましい。
【００１２】
また、本発明は、前記いずれかの方法によって積層体を形成した後に、該積層体上に半導体層を形成する工程を有することを特徴とする光起電力素子の製造方法である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
前述した課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、本発明者は、基体上に中間層を形成する第１の工程と、前記中間層上に前記基体との密着力が前記中間層よりも小さく、反射率が前記中間層よりも大きい金属層を形成する第２の工程を有し、前記第２の工程の途中で前記金属層の形成速度を増加させることを特徴とする積層体形成方法、処理基体上に金属層を形成する第一の工程と、前記金属層上に金属酸化物層を形成する第二の工程を有し、前記第一の工程の途中で前記金属層の形成速度を減少させ、前記第二の工程の途中で前記金属酸化物層の形成速度を増加させることを特徴とする積層体形成方法によって形成された積層体、及び前記積層体を基板として用いた光起電力素子は、高い特性をもち、高温下、多湿下、あるいは長期間にわたる使用下などにおいても優れた反射特性と密着性を有することを見出した。
【００１４】
上記の構成にすることにより、以下の作用がある。
【００１５】
中間層を形成することによって、基体上に直接金属層を形成する構成よりも、層間の密着力が向上する。これにより、長時間にわたって使用された場合や、高温多湿下でも、積層体としての機能の低下を抑制することが可能になる。また、前記積層体を光起電力素子の基板として用いた場合に、光起電力素子を直列化し、その一部にのみ光照射された状態が長時間続いた場合などに、光の照射されていない部分に通常の光電変換で発生する電位とは逆極性の電位が印加されるが、このような条件下でも特性の劣化を抑制することが可能になる。
【００１６】
中間層を入れることの別の作用としては、金属層や金属酸化物層の表面形状に影響を与えることがあげられる。この効果が発現する原因の詳細は不明であるが、各層間の濡れ性の関係や、界面自由エネルギーの差異などの要因によって、金属層の成長核の発生頻度、発生密度及び成長核からの任意の方向における金属層の成長速度などが変化することなどが関係あるのではないかと思われる。金属層を有する積層体を光起電力素子の基板として用いた場合には、積層体は到達した光を反射して半導体層で再利用させる反射層としての役割を有している。その役割を効果的に発揮するためには、金属層や金属酸化物層の表面に凹凸を有する構成にすることにより、反射光の半導体層内での光路長を伸ばし、再利用できる光の量を増やすことが有効である。ここで、中間層の厚さが不足すると、中間層を入れることに伴う効果が不完全のものとなり、中間層が厚すぎると、金属層や金属酸化物層の表面の凹凸形状の均一性が低下するなどして、光学的に有効な凹凸形状を発達させることが難しくなる。この現象の原因は明らかになっていないが、中間層表面に転移などの不均一領域が発生するためでないかと考えられている。これらを考慮して、中間層の厚さを適切なものとすることによって、金属層や金属酸化物層の表面の凹凸形状を均一で好ましいものにすることが可能になるものと思われる。また、密着性を向上させ、金属層や金属酸化物層の表面の凹凸形状を発達させるための下地とするためには、中間層形成時に形成面の温度を一定温度以上に保ち、表面反応を活発に行なうことが重要であると思われる。
【００１７】
以上の点に鑑み、本発明者が鋭意検討を重ねた結果、中間層の厚さは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが好ましく、中間層の形成面の温度は３００℃以上とすることが好ましいことを見出した。
【００１８】
中間層上に金属層を形成する途中でその形成速度を増加させることにより、金属層と中間層の密着性を向上し、さらに金属層、金属酸化物層の表面の改善をも可能とする。また、前記中間層上に前記金属層を１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成した時点で、前記金属層の形成速度を増加させることが好ましい。
【００１９】
前記金属層と中間層の密着性を向上させるという効果の発現のためには、中間層に１ｎｍ以上の厚さに金属層を形成した時点で、形成速度を増加させることが好ましい。また、金属層表面の凹凸形状を発達させるという効果の発現および、生産性の観点から考えると、形成速度を増加させる前に形成する金属層の厚さは１００ｎｍ以下であることが好ましい範囲としてあげられる。
【００２０】
前記金属層の増加させる前の形成速度は、４．０ｎｍ／ｓ以下とすることが好ましく、生産性を考慮すると０．５ｎｍ／ｓ以上が好ましい範囲としてあげられ、前記金属層の形成面の温度は３００℃以上であることが好ましい。
【００２１】
中間層上に金属層を形成する工程の途中でその形成速度を減少させ、その上に金属酸化物層を形成するのは、金属層と金属酸化物層との密着性が向上するために好ましいものである。特に、形成速度を減少させた後、金属層を形成する雰囲気中に酸素が含有されている場合には、金属層の少なくとも一部が酸化され、金属酸化物層中からの金属原子の拡散の防止などの効果により、界面構造の安定化、ひいては界面での密着性が向上するものと思われる。前記金属層の形成速度を減少させた後、前記金属層を１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成し、その上に金属酸化物層を形成するのがさらに好ましい。上記の改善の効果を発揮するためには、前記金属層の形成速度を減少させた後、４．０ｎｍ／ｓ以下とすることが好ましく、生産性を考慮すると０．５ｎｍ／ｓ以上であることが好ましい範囲としてあげられ、金属層の形成面の温度は３００℃以上であることが好ましい。
【００２２】
前記金属層と金属酸化物層の密着性を向上させるという効果の発現のためには、形成速度を減少させた後に形成する金属層の厚さは１ｎｍ以上であることが好ましい。また、金属層表面の凹凸形状を発達させるという効果の発現および、生産性の観点から考えると、形成速度を減少させた後に形成する金属層の厚さは１００ｎｍ以下であることが好ましい範囲としてあげられる。
【００２３】
金属層上に金属酸化物層を形成する工程の途中でその形成速度を増加させることは、金属層と金属酸化物層との密着性が向上するために好ましいものである。形成速度を増加させる前、金属酸化物層を形成する雰囲気中に酸素を含有させるのは、特に好ましい。金属酸化物層の一例として酸化亜鉛を取り上げて考えてみると、酸化亜鉛は、そのバンドギャップは約３．３ｅＶであるので、可視領域で透明であり、格子間への亜鉛原子の侵入、格子中の酸素原子の空孔などによって亜鉛過剰型の組成を持つように形成した場合は、過剰な亜鉛がドナー準位を形成することにより、適度な導電性をもった透明導電層として機能する。ここで、金属層上に金属酸化物層を形成する途中でその形成速度を増加させることにより、金属層上に金属酸化物層を一定の形成速度で形成する場合と比較して、金属層と金属酸化物層の密着性の向上に寄与するものと思われる。これは、最密構造及びそれに類する構造をとる金属層と、最密構造をとらない金属酸化物層との間の構造の違いによる界面の不整合領域の形成が抑制されるためでないかと思われる。特に、形成速度を増加させる前、金属酸化物層の形成雰囲気中に酸素を含有させた場合には、酸化亜鉛中の酸素量と亜鉛量の比が化学量論比に近づき、酸化亜鉛中の過剰亜鉛、特に格子間に存在する亜鉛イオンが減少するために、金属層との接合領域における酸化亜鉛内の格子のストレスが低減されるためではないかと考えられる。上記効果を発現し、かつ透明導電層としての機能を低下させないという観点から考えると、形成速度を増加させる前に形成された金属酸化物層の厚さとしては、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましい範囲としてあげられる。
【００２４】
金属層と金属酸化物層の不整合領域の形成の抑制という効果の発現のためには、形成速度を増加させる前に形成された金属酸化物層の厚さとしては５ｎｍ以上あることが好ましい。生産性の観点から、形成速度を増加させる前に形成する金属酸化物層の厚さは小さい方が好ましい。また、形成速度を増加させる前に酸素を含有した条件下で金属酸化物層を形成した場合には、酸素含有率が大きくなることから、金属酸化物層の抵抗率が大きくなり、形成速度を増加させる前に形成された金属酸化物層が厚くなりすぎると、抵抗率としても無視できないものとなる。以上のことを鑑みると、形成速度を増加させる前に形成された金属酸化物層の厚さとしては５０ｎｍ以下が好ましい範囲としてあげられる。
【００２５】
増加させる前の金属酸化物層の形成速度は、上記の改善の効果を発揮するためには、３．０ｎｍ／ｓ以下が好ましく、生産性を考慮すると０．０５ｎｍ／ｓ以上が好ましい範囲としてあげられ、金属酸化物層の形成面の温度は、２００℃以上であることが好ましい。特に、金属酸化物層の形成を、金属層の形成面の温度よりも低い形成面の温度で行なった場合には、積層体形成後の内部ストレスがより軽減されるので、好ましいものである。
【００２６】
次に本発明の積層体を基板として用いた光起電力素子の構成要素について説明する。
【００２７】
図１、図２は本発明の基板及び光起電力素子の一例を示す模式的な断面図である。図中１０１は基板、１０２は半導体層、１０３は透明導電層、１０４は集電電極である。また、１０１−１は基体、１０１−２は中間層、１０１−３は金属層、１０１−４は金属酸化物層である。これらは基板１０１の構成部材である。
【００２８】
（基体）
基体１０１−１としては、金属、樹脂、ガラス、セラミックス、半導体等からなる板状部材やシート状部材が好適に用いられる。その表面には微細な凸凹を有していてもよい。また、基体を長尺の形状とすることによってロール・ツー・ロール法を用いた連続成膜を行うことができる。特にステンレス、ポリイミド等の可撓性を有する材料は基体１０１−１の材料として好適である。
【００２９】
（中間層）
本発明の構成要素である中間層１０１−２は、基体との密着力が、基体と金属層との密着力よりも大きく、中間層と金属層との密着力も良好である材質が選ばれる。また、中間層は、この上に形成される金属層の表面形状に影響を与えることが可能である。上記条件を満たす適切な材料と厚さをもつ中間層を選ぶことで、反射率を維持し、金属層や金属酸化物層の表面に、適度な凹凸形状を均一に形成することが可能になる。中間層の材料としては、遷移金属、金属酸化物から上記条件を満たすものが選ばれ、ニッケル、クロム、チタン、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）などが好適に用いられる。その形成方法としては、蒸着、スパッタ、電析の方法が好適である。
【００３０】
（金属層）
金属層１０１−３は電極としての役割と、半導体層１０２で吸収されなかった光を反射して半導体層１０２で再利用させる反射層としての役割とを有する。その材料としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕＭｇ、ＡｌＳｉ等を好適に用いることができる。その形成方法としては、蒸着、スパッタ、電析等の方法が好適である。金属層１０１−３は、その表面に凹凸を有することが好ましい。それにより反射光の半導体層１０２内での光路長を伸ばし、短絡電流を増大させることができる。金属層を形成する場合には、中間層および／または金属酸化物層と接する領域では、金属層の形成速度を小さくする方法が好ましいものである。また、金属酸化物層と接する領域では、形成雰囲気中に酸素を含有させることも好ましいものである。
【００３１】
（金属酸化物層）
金属酸化物層１０１−４は、入射光及び反射光の乱反射を増大し、半導体層１０２内での光路長を伸ばす役割を有する。また、中間層１０１−２、金属層１０１−３の元素が半導体層１０２へ拡散あるいはマイグレーションを起こし、光起電力素子がシャントすることを防止する役割を有する。さらに、適度な抵抗をもつことにより、半導体層のピンホール等の欠陥によるショートを防止する役割を有する。さらに、金属酸化物層１０１−４は、金属層１０１−３と同様にその表面に凹凸を有していることが望ましい。金属酸化物層１０１−４は、ＺｎＯ、ＩＴＯ等の導電性酸化物からなることが好ましく、蒸着、スパッタ、ＣＶＤ、電析等の方法を用いて形成されることが好ましい。またこれらの形成方法を組み合わせて行なうことも適宜行なわれる。これらの導電性酸化物に導電率を変化させる物質を添加してもよい。金属酸化物層を形成する場合には、金属層と接する領域では、金属酸化物層の形成速度を小さくする方法が好ましいものである。また、金属層と接する領域では、形成雰囲気中に酸素を含有させることも好ましいものである。
【００３２】
スパッタ法によって金属層、金属酸化物層を形成する条件は、方法やガスの種類と流量、内圧、投入電力、形成速度、形成面の温度等が大きく影響を及ぼす。例えばＤＣマグネトロンスパッタ法で、酸化亜鉛ターゲットを用いて酸化亜鉛膜を形成する場合には、ガスの種類としてはＡｒ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｈｇ、Ｏ_２などがあげられ、流量は、装置の大きさと排気速度によって異なるが、例えば成膜空間の容積が２０リットルの場合、１ｃｍ^３／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）から１００ｃｍ^３／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）が望ましい。また成膜時の内圧は１０ｍＰａから１０Ｐａが望ましい。
【００３３】
また電析法によって酸化亜鉛からなる金属酸化物層を形成する条件は、耐腐食性容器内に、硝酸イオン、亜鉛イオンを含んだ水溶液を用いるのが好ましい。硝酸イオン、亜鉛イオンの濃度は、０．００１ｍｏｌ／ｌから１．０ｍｏｌ／ｌの範囲にあるのが望ましく、０．０１ｍｏｌ／ｌから０．５ｍｏｌ／ｌの範囲にあるのがより望ましく、０．１ｍｏｌ／ｌから０．２５ｍｏｌ／ｌの範囲にあるのがさらに望ましい。硝酸イオン、亜鉛イオンの供給源としては特に限定するものではなく、両方のイオンの供給源である硝酸亜鉛でもよいし、硝酸イオンの供給源である硝酸アンモニウムなどの水溶性の硝酸塩と、亜鉛イオンの供給源である硫酸亜鉛などの亜鉛塩の混合物であってもよい。さらに、これらの水溶液に、異常成長を抑制したり密着性を向上させるために、炭水化物を加えることも好ましいものである。炭水化物の種類は特に限定されるものではないが、グルコース（ブドウ糖）、フルクトース（果糖）などの単糖類、マルトース（麦芽糖）、サッカロース（ショ糖）などの二糖類、デキストリン、デンプンなどの多糖類などや、これらを混合したものを用いることができる。水溶液中の炭水化物の量は、炭水化物の種類にもよるが概ね、０．００１ｇ／ｌから３００ｇ／ｌの範囲にあるのが望ましく、０．００５ｇ／ｌから１００ｇ／ｌの範囲にあるのがより望ましく、０．０１ｇ／ｌから６０ｇ／ｌの範囲にあることがさらに望ましい。電析法により酸化亜鉛からなる金属酸化物層を形成する場合には、前記の水溶液中に金属酸化物層を形成する基体を陰極にし、亜鉛、白金、炭素などを陽極とするのが好ましい。このとき負荷抵抗を通して流れる電流密度は、１０ｍＡ／ｄｍ^２から１０Ａ／ｄｍ^２であることが好ましい。
【００３４】
（基板）
以上の方法により、基体１０１−１上に必要に応じて、中間層１０１−２、金属層１０１−３、金属酸化物層１０１−４を積層して基板１０１を形成する。また、素子の集積化を容易にするために、基板１０１に絶縁層を設けてもよい。
【００３５】
（半導体層）
本発明のシリコン系半導体及び半導体層１０２の主たる材料としては、非晶質相あるいは結晶相、さらにはこれらの混相系のＳｉが用いられる。Ｓｉに代えて、ＳｉとＣ又はＧｅとの合金を用いても構わない。半導体層１０２には同時に、水素及び／又はハロゲン原子が含有される。その好ましい含有量は０．１〜４０原子％である。さらに半導体層１０２は、酸素、窒素などを含有してもよい。半導体層をｐ型半導体層とするにはＩＩＩ属元素、ｎ型半導体層とするにはＶ属元素を含有する。ｐ型層及びｎ型層の電気特性としては、活性化エネルギーが０．２ｅＶ以下のものが好ましく、０．１ｅＶ以下のものが最適である。また比抵抗としては１００Ωｃｍ以下が好ましく、１Ωｃｍ以下が最適である。スタックセル（ｐｉｎ接合を複数有する光起電力素子）の場合、光入射側に近いｐｉｎ接合のｉ型半導体層はバンドギャップが広く、遠いｐｉｎ接合になるに随いバンドギャップが狭くなるのが好ましい。また、ｉ層内部ではその膜厚方向の中心よりもｐ層寄りにバンドギャップの極小値があるのが好ましい。光入射側のドープ層（ｐ型層もしくはｎ型層）は光吸収の少ない結晶性の半導体か、又はバンドギャップの広い半導体が適している。ｐｉｎ接合を２組積層したスタックセルの例としては、ｉ型シリコン系半導体層の組み合わせとして、光入射側から（アモルファス半導体層、結晶相を含む半導体層）、（結晶相を含む半導体層、結晶相を含む半導体層）となるものがあげられる。また、ｐｉｎ接合を３組積層した光起電力素子の例としてはｉ型シリコン系半導体層の組み合わせとして、光入射側から（アモルファス半導体層、アモルファス半導体層、結晶相を含む半導体層）、（アモルファス、結晶相を含む半導体層、結晶相を含む半導体層）、（結晶相を含む半導体層、結晶相を含む半導体層、結晶相を含む半導体層）となるものがあげられる。ｉ型半導体層としては光（６３０ｎｍ）の吸収係数（α）が５０００ｃｍ^−１以上、ソーラーシミュレーター（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ^２）による擬似太陽光照射下の光伝導度（σｐ）が１０×１０^−５Ｓ／ｃｍ以上、暗伝導度（σｄ）が１０×１０^−６Ｓ／ｃｍ以下、コンスタントフォトカレントメソッド（ＣＰＭ）によるアーバックエナジーが５５ｍｅＶ以下であるのが好ましい。ｉ型半導体層としては、わずかにｐ型、ｎ型になっているものでも使用することができる。
【００３６】
本発明の構成要素である半導体層１０２についてさらに説明を加えると、図５は本発明の半導体層の一例として、一組のｐｉｎ接合をもつ半導体層１０２を示す模式的な断面図である。図中１０２−１は非晶質ｎ型半導体層であり、さらに、結晶相を含むｉ型半導体層１０２−２、結晶相を含むｐ型半導体層１０２−３を積層する。ｐｉｎ接合を複数持つ半導体層においては、そのなかのうちの少なくとも一つが前記の構成であることが好ましい。
【００３７】
（半導体層の形成方法）
本発明のシリコン系半導体、及び上述の半導体層１０２を形成するには、高周波プラズマＣＶＤ法が適している。以下、高周波プラズマＣＶＤ法によって半導体層１０２を形成する手順の好適な例を示す。
（１）減圧状態にできる形成室（真空チャンバー）内を所定の圧力に減圧する。
（２）形成室内に原料ガス、希釈ガス等の材料ガスを導入し、形成室内を真空ポンプによって排気しつつ、形成室内を所定の圧力に設定する。
（３）基板１０１をヒーターによって所定の温度に設定する。
（４）高周波電源によって発振された高周波を前記形成室に導入する。前記形成室への導入方法は、高周波を導波管によって導き、アルミナセラミックスなどの誘電体窓を介して形成室内に導入したり、高周波を同軸ケーブルによって導き、金属電極を介して形成室内に導入したりする方法がある。
（５）形成室内にプラズマを生起させて原料ガスを分解し、形成室内に配置された基板１０１上に半導体層を形成する。この手順を必要に応じて複数回繰り返して半導体層１０２を形成する。
【００３８】
本発明のシリコン系半導体、及び上述の半導体層１０２の形成条件としては、形成室内の形成面の温度は１００〜４５０℃、圧力は５０ｍＰａ〜１５００Ｐａ、高周波パワーは０．００１〜１Ｗ／ｃｍ^３が好適な条件としてあげられる。
【００３９】
本発明のシリコン系半導体、及び上述の半導体層１０２の形成に適した原料ガスとしては、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＳｉＦ_４等のシリコン原子を含有したガス化しうる化合物があげられる。合金系にする場合にはさらに、ＧｅＨ_４やＣＨ_４などのようにＧｅやＣを含有したガス化しうる化合物を原料ガスに添加することが望ましい。原料ガスは、希釈ガスで希釈して形成室内に導入することが望ましい。希釈ガスとしては、Ｈ_２やＨｅなどがあげられる。さらに窒素、酸素等を含有したガス化しうる化合物を原料ガス乃至希釈ガスとして添加してもよい。半導体層をｐ型層とするためのドーパントガスとしてはＢ_２Ｈ_６、ＢＦ_３等が用いられる。また、半導体層をｎ型層とするためのドーパントガスとしては、ＰＨ_３、ＰＦ_３等が用いられる。結晶相の薄膜や、ＳｉＣ等の光吸収が少ないかバンドギャップの広い層を形成する場合には、原料ガスに対する希釈ガスの割合を増やし、比較的高いパワーの高周波を導入するのが好ましい。
【００４０】
（透明導電層）
透明導電層１０３は、光入射側の電極であるとともに、その厚さを適当に設定することにより反射防止膜の役割をかねることができる。透明導電層１０３は、半導体層１０２の吸収可能な波長領域において高い透過率を有することと、抵抗率が低いことが要求される。好ましくは５５０ｎｍにおける透過率が８０％以上、より好ましくは８５％以上であることが望ましい透明導電層１０３の材料としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３等を好適に用いることができる。その形成方法としては、蒸着、ＣＶＤ、スプレー、スピンオン、浸漬などの方法が好適である。これらの材料に導電率を変化させる物質を添加してもよい。
【００４１】
（集電電極）
集電電極１０４は集電効率を向上するために透明電極１０３上に設けられる。その形成方法として、マスクを用いてスパッタによって電極パターンの金属を形成する方法や、導電性ペーストあるいは半田ペーストを印刷する方法、金属線を導電性ペーストで固着する方法などが好適である。
【００４２】
なお、必要に応じて光起電力素子の両面に保護層を形成することがある。同時に光起電力素子の裏面（光入射側と反射側）などに鋼板等の補教材を併用してもよい。
【００４３】
【実施例】
以下の実施例では、光起電力素子として太陽電池を例に挙げて本発明を具体的に説明するが、これらの実施例は本発明の内容を何ら限定するものではない。
【００４４】
（実施例１）
ステンレス（ＳＵＳ４３０ＢＡ）からなる帯状の基体３０４（幅４０ｃｍ、長さ２００ｍ、厚さ０．１２５ｍｍ）を十分に脱脂、洗浄した後、図３の金属・金属酸化物層形成装置３０１を用いて、中間層１０１−２、金属層（Ａ）１０１−３Ａ、金属層（Ｂ）１０１−３Ｂ、金属層（Ｃ）１０１−３Ｃ、金属酸化物層（Ａ）１０１−４Ａ、金属酸化物層（Ｂ）１０１−４Ｂからなる基板を形成した。
【００４５】
図３は、本発明の光起電力素子の基板を製造する金属・金属酸化物層形成装置の一例を示す模式的な断面図である。図３に示す金属・金属酸化物層形成装置３０１は、基板送り出し容器３０２、中間層形成用真空容器３１１、金属層（Ａ）形成用真空容器３１２、金属層（Ｂ）形成用真空容器３１３、金属層（Ｃ）形成用真空容器３１４、金属酸化物層（Ａ）形成用真空容器３１５、金属酸化物層（Ｂ）形成用真空容器３１６、基板巻き取り容器３０３がガスゲートを介して結合することによって構成されている。この半導体層形成装置３０１には、各形成用真空容器を貫いて帯状の基体３０４がセットされる。帯状の基体３０４は、基板送り出し容器３０２に設置されたボビンから巻き出され、基板巻き取り容器３０３で別のボビンに巻き取られる。
【００４６】
各形成用真空容器には、ターゲットがカソード電極３４１〜３４６として設置されていて、直流電源３５１〜３５６にてスパッタして、基体上に中間層１０１−２、金属層（Ａ）１０１−３Ａ、金属層（Ｂ）１０１−３Ｂ、金属層（Ｃ）１０１−３Ｃ、金属酸化物層（Ａ）１０１−４Ａ、金属酸化物層（Ｂ）１０１−４Ｂを形成できるようになっている。また各形成用真空容器には、スパッタガスを導入するためのガス導入管３３１〜３３６が接続されている。
【００４７】
図３に示した金属・金属酸化物層形成装置３０１は、形成用真空容器を６個具備しているが、以下の実施例においては、すべての形成用真空容器で成膜を行なう必要はなく、製造する基板の層構成にあわせて各形成用真空容器での形成の有無を選択することができる。また、各形成用真空容器には、基体３０４と放電空間との接触面積を調整するための、不図示の成膜領域調整板が設けられており、これを調整することによって各形成用真空容器で形成される半導体層の厚さを調整することができるようになっている。
【００４８】
基体３０４を金属・金属酸化物層形成装置３０１に設置し、各形成用器内の圧力が１．０ｍＰａ以下になるまで排気した。
【００４９】
次に、真空排気系を作動させつつ、ガス導入管３３１〜３３６からスパッタガスを供給した。同時に不図示の各ゲートガス供給管から、各ガスゲートにゲートガスとして５０ｃｍ^３／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）のＡｒガスを供給した。この状態で真空排気系の排気能力を調整して、各形成用真空容器内の圧力を所定の圧力に調整した。形成条件は表１に示す通りである。
【００５０】
各形成用真空容器内の圧力が安定したところで、基板送り出し容器３０２から基板巻き取り容器３０３の方向に、基体３０４の移動を開始した。基体３０４を移動させながら、各形成用真空容器内の赤外線ランプヒーターを作動させ、基体３０４の形成面の温度が、表１に示す値になるように調整した。カソード電極３４１には、純度９９．９９重量％のチタンのターゲットを使用し、カソード電極３４２〜３４４には純度９９．９９重量％の銀のターゲットを使用し、カソード電極３４５、３４６には純度９９．９９重量％の酸化亜鉛のターゲットを使用し、各カソード電極に表１に示すスパッタ電力を投入して、基体３０４上にチタンからなる中間層１０１−２（厚さ５０ｎｍ、形成速度１．５ｎｍ／ｓ）、銀からなる金属層（Ａ）１０１−３Ａ（厚さ５０ｎｍ、形成速度１．５ｎｍ／ｓ）、金属層（Ｂ）１０１−３Ｂ（厚さ７５０ｎｍ、形成速度８．０ｎｍ／ｓ）、金属層（Ｃ）１０１−３Ｃ（厚さ５０ｎｍ、形成速度１．５ｎｍ／ｓ）、酸化亜鉛からなる金属酸化物層（Ａ）１０１−４Ａ（厚さ１０ｎｍ、形成速度１．０ｎｍ／ｓ）、金属酸化物層（Ｂ）１０１−４Ｂ（厚さ２０００ｎｍ、形成速度１０．０ｎｍ／ｓ）を形成し、帯状の基板を形成した（実施例１−１）。
【００５１】
次に図４に示した半導体層形成装置２０１を用い、以下の手順で図５に示したｐｉｎ型光起電力素子を形成した。図５は本発明のシリコン系半導体を有する光起電力素子の一例を示す模式的な断面図である。図中、図１と同様の部材には同じ符号を付して説明を省略する。この光起電力素子の半導体層は、非晶質ｎ型半導体層１０２−１と、結晶相を含むｉ型半導体層１０２−２と結晶相を含むｐ型半導体層１０２−３とからなっている。すなわち、この光起電力素子はいわゆるｐｉｎ型シングルセル光起電力素子である。
【００５２】
図４は、本発明のシリコン系半導体及び光起電力素子を製造する半導体層形成装置の一例を示す模式的な断面図である。図４に示す半導体層形成装置２０１は、基板送り出し容器２０２、半導体形成用真空容器２１１〜２１８、基板巻き取り容器２０３が、ガスゲートを介して結合することによって構成されている。この半導体層形成装置２０１には、各容器及び各ガスゲートを貫いて帯状の基板２０４がセットされる。帯状の基板２０４は、基板送り出し容器２０２に設置されたボビンから巻き出され、基板巻き取り容器２０３で別のボビンに巻き取られる。
【００５３】
半導体形成用真空容器２１１〜２１８は、それぞれ形成室を有しており、該放電室内の放電電極２４１〜２４８に高周波電源２５１〜２５８から高周波電力を印加することによってグロー放電を生起させ、それによって原料ガスを分解し基板２０４上に半導体層を形成させる。また、各半導体形成用真空容器２１１〜２１８には、原料ガスや希釈ガスを導入するためのガス導入管２３１〜２３８が接続されている。
【００５４】
図４に示した半導体層形成装置２０１は、半導体形成用真空装置を８個具備しているが、以下の実施例においては、すべての半導体形成用真空容器でグロー放電を生起させる必要はなく、製造する光起電力素子の層構成にあわせて各容器でのグロー放電の有無を選択することができる。また、各半導体形成装置には、各形成室内での基板２０４と放電空間との接触面積を調整するための、不図示の成膜領域調整板が設けられており、これを調整することによって各容器で形成される各半導体層の厚さを調整することができるようになっている。
【００５５】
次に基板送り出し容器２０２に、基板２０４を巻いたボビンを装着し、基板２０４を搬入側のガスゲート、半導層形成用真空容器２１１〜２１８、搬出側のガスゲートを介し、基板巻き取り容器２０３まで通し、帯状の基板２０４がたるまないように張力調整を行った。そして、基板送り出し容器２０２、半導体層形成用真空容器２１１〜２１８、基板巻き取り容器２０３を不図示の真空ポンプからなる真空排気系により、１．０ｍＰａ以下まで真空排気した。
【００５６】
次に、真空排気系を作動させつつ、半導体層形成用真空容器２１１〜２１５へガス導入管２３１〜２３５から原料ガス及び希釈ガスを供給した。
【００５７】
また、半導体層形成用真空容器２１１〜２１５以外の半導体層形成用真空容器にはガス導入管から２００ｃｍ^３／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）のＨ_２ガスを供給し、同時に不図示の各ゲートガス供給管から、各ガスゲートにゲートガスとして５００ｃｍ^３／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）のＨ_２ガスを供給した。この状態で真空排気系の排気能力を調整して、半導体層形成用真空容器２１１〜２１５内の圧力を所望の圧力に調整した。形成条件は表２に示す通りである。
【００５８】
半導体層形成用真空容器２１１〜２１５内の圧力が安定したところで、基板送り出し容器２０２から基板巻き取り容器２０３の方向に、基板２０４の移動を開始した。
【００５９】
次に、半導体層形成用真空容器２１１〜２１５内の放電電極２４１〜２４５に高周波電源２５１〜２５５より高周波を導入し、半導体層形成用真空容器２１１〜２１５内の形成室内にグロー放電を生起し、基板２０４上に非晶質ｎ型半導体層（厚さ５０ｎｍ）、結晶相を含むｉ型半導体層（厚さ１．５μｍ）、結晶相を含むｐ型半導体層（厚さ１０ｎｍ）を形成し光起電力素子を形成した（実施例１−２）。
【００６０】
ここで、半導体形成用真空容器２１１には周波数１３．５６ＭＨｚ、パワー密度５ｍＷ／ｃｍ^３の高周波電力を、半導体層形成用真空容器２１２〜２１４には周波数６０ＭＨＺ、パワー密度３００ｍＷ／ｃｍ^３の高周波電力を、半導体層形成用真空容器２１５には周波数１３．５６ＭＨｚ、パワー密度３０ｍＷ／ｃｍ^３の高周波電力を導入した。次に不図示の連続モジュール化装置を用いて、形成した帯状の光起電力素子を３６ｃｍ×２２ｃｍの太陽電池モジュールに加工した（実施例１−３）。
【００６１】
（実施例２）
次に、金属層（Ｃ）１０１−３Ｃ及び金属酸化物層（Ａ）１０１−４Ａを形成する際に、酸素を導入しなかったこと以外は実施例１と同様の手順により、基板、光起電力素子、太陽電池モジュールを作成した（実施例２−１、実施例２−２、実施例２−３）。
【００６２】
（参考実施例３）
次に、金属層（Ａ）１０１−３Ａを形成しなかったこと以外は実施例１と同様の手順により、基板、光起電力素子、太陽電池モジュールを作成した（参考実施例３−１、参考実施例３−２、参考実施例３−３）。
【００６３】
（実施例４）
次に、金属層（Ｃ）１０１−３Ｃを形成しなかったこと以外は実施例１と同様の手順により、基板、光起電力素子、太陽電池モジュールを作成した（実施例４−１、実施例４−２、実施例４−３）。
【００６４】
（実施例５）
次に、金属酸化物層（Ａ）１０１−４Ａを形成しなかったこと以外は実施例１と同様の手順により、基板、光起電力素子、太陽電池モジュールを作成した（実施例５−１、実施例５−２、実施例５−３）。
【００６５】
（比較例１）
次に、中間層１０１−２を形成しなかったこと以外は実施例１と同様の手順により、基板、光起電力素子、太陽電池モジュールを作成した（比較例１−１、比較例１−２、比較例１−３）。
【００６６】
（比較例２）
次に、金属層（Ａ）１０１−３Ａ及び金属層（Ｃ）１０１−３Ｃの形成速度を金属層（Ｂ）１０１−３Ｂと同一にし、さらに金属酸化物層（Ａ）１０１−４Ａの形成速度を金属酸化物層（Ｂ）１０１−４Ｂと同一にした以外は実施例１と同様の手順により、基板、光起電力素子、太陽電磁モジュールを作成した（比較例２−１、比較例２−２、比較例２−３）。
【００６７】
まず、実施例、参考実施例および比較例で作成した基板の反射率の測定を８００ｎｍの光に対して行ない、次に碁盤目テープ法（切り傷の隙間間隔１ｍｍ、ます目の数１００）を用いて基体と金属層、金属酸化物層との密着性を調べた。さらに、実施例、参考実施例および比較例で作成した光起電力素子上に、１ｃｍ^２の大きさの透明電極を１００個と、集電電極を作成してサブセルを形成し、それぞれのサブセルの光電変換効率をソーラーシミュレーター（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて測定し、光電変換効率の平均値と均一性を調べた。さらに、実施例、参考実施例および比較例で作成した太陽電池モジュールの光電変換効率をまず測定し、温度８５℃、湿度８５％の暗所に設置し、同時に逆方向バイアスを１０Ｖ印加させながら５００時間経過後に再度光電変換効率を測定し、高温多湿度下での逆バイアス印加による光電変換効率の変化を調べた。以上の結果を表３に示す。
【００６８】
表３に示すように、本発明の実施例１、２，４、５、参考実施例３の基板、光起電力素子及び太陽電池モジュールは、比較例のものと比較して、優れていることがわかる。また、比較例１の基板の碁盤目テープ法で剥がれた部分の様子のＳＥＭ観察を行なったところ、ステンレスの基体と、銀の金属層の間で剥離が起こっていることが確認できた。以上のことより本発明の積層体を用いた基板、光起電力素子、及びそれを含む太陽電池モジュールは優れた特質を持つことが分かる。特に、実施例１のものは、各項目において優れていた。
【００６９】
（実施例６）
中間層１０１−２の厚さを１０ｎｍ、３０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍと変化させた以外は、実施例１と同様に基板及び太陽電池モジュールを作成した（実施例６−１〜６−５）。作成した基板の８００ｎｍの光に対する反射率と、碁盤目テープ法によって密着性を確認し、太陽電池モジュールの光電変換効率をソーラーシミュレーター（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて測定した。以上の結果を中間層を形成していない条件で作成した比較例１のものとあわせて表４に示す。
【００７０】
表４に示すように、本発明の積層体を用いた基板、光起電力素子、及びそれを含む太陽電池モジュールは優れた特質を持つことが分かる。特に、中間層の厚さが、３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のものは、反射率、密着性、光電変換効率においても優れた特徴をもつことがわかる。
【００７１】
（実施例７）
金属層（Ａ）１０１−３Ａの形成速度を０．３ｎｍ／ｓ、０．５ｎｍ／ｓ、１．０ｎｍ／ｓ、２．０ｎｍ／ｓ、４．０ｎｍ／ｓ、５．０ｎｍ／ｓと変化させた以外は、実施例１と同様に基板及び太陽電池モジュールを作成した（実施例７−１〜７−６）。作成した基板の８００ｎｍの光に対する反射率を測定し、太陽電池モジュールの光電変換効率をソーラーシミュレーター（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて測定した。さらに、それぞれの太陽電池モジュールを温度８５℃、湿度８５％の暗所に設置し、同時に逆方向バイアスを１０Ｖ印加させながら５００時間経過後に再度光電変換効率を測定し、温湿度下での逆バイアス印加による光電変換効率の変化を調べた。以上の結果を表５に示す。
【００７２】
表５に示すように、本発明の積層体を用いた基板、光起電力素子、及びそれを含む太陽電池モジュールは優れた特質を持つことが分かる。特に、金属層（Ａ）の形成速度が、４．０ｎｍ／ｓ以下のものは、反射率、光電変換効率、高温多湿逆バイアス印加試験においても特にすぐれた特質をもつことがわかる。また金属層（Ａ）の形成速度が０．５ｎｍ／ｓ以上のものは、金属層（Ｂ）よりも形成時間を短くすることができるために、生産性の点からも特に優れていた。
【００７３】
（実施例８）
金属層（Ｃ）１０１−３Ｃの形成速度を０．３ｎｍ／ｓ、０．５ｎｍ／ｓ、１．０ｎｍ／ｓ、２．０ｎｍ／ｓ、４．０ｎｍ／ｓ、５．０ｎｍ／ｓと変化させた以外は、実施例１と同様に基板及び太陽電池モジュールを作成した（実施例８−１〜８−６）。作成した基板の８００ｎｍの光に対する反射率を測定し、太陽電池モジュールの光電変換効率をソーラーシミュレーター（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて測定した。さらに、それぞれの太陽電池モジュールを温度８５℃、湿度８５％の暗所に設置し、同時に逆方向バイアスを１０Ｖ印加させながら５００時間経過後に再度光電変換効率を測定し、高温多湿下での逆バイアス印加による光電変換効率の変化を調べた。以上の結果を表６に示す。
【００７４】
表６に示すように、本発明の積層体を用いた基板、光起電力素子、及びそれを含む太陽電池モジュールは優れた特質を持つことが分かる。特に、金属層（Ｃ）１０１−３Ｃの形成速度が、４．０ｎｍ／ｓ以下のものは、反射率、光電変換効率、高温多湿逆バイアス印加試験においても特にすぐれた特徴をもつことがわかる。また金属層（Ｃ）１０１−３Ｃの形成速度が０．５ｎｍ／ｓ以上のものは、金属層（Ｂ）１０１−３Ｂよりも形成時間を短くすることができるために、生産性の点からも特に優れていた。
【００７５】
（実施例９）
金属酸化物層（Ａ）１０１−４Ａの形成速度を０．０３ｎｍ／ｓ、０．０５ｎｍ／ｓ、３．０ｎｍ／ｓ、５．０ｎｍ／ｓと変化させた以外は、実施例１と同様に基板及び太陽電池モジュールを作成した（実施例９−１〜９−４）。作成した基板の８００ｎｍの光に対する反射率を測定し、太陽電池モジュールの光電変換効率をソーラーシミュレーター（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて測定した。さらに、それぞれの太陽電池モジュールを温度８５℃、湿度８５％の暗所に設置し、同時に逆方向バイアスを１０Ｖ印加させながら５００時間経過後に再度光電変換効率を測定し、温湿度下での逆バイアス印加による光電変換効率の変化を調べた。以上の結果を表７に示す。
【００７６】
表７に示すように、本発明の積層体を用いた基板、光起電力素子、及びそれを含む太陽電池モジュールは優れた特質を持つことが分かる。特に、金属酸化物層（Ａ）１０１−４Ａの形成速度が、３．０ｎｍ／ｓ以下のものは、反射率、光電変換効率、高温多湿逆バイアス印加試験においても特にすぐれた特質をもつことがわかる。また金属酸化物層（Ａ）１０１−４Ａの形成速度が０．０５ｎｍ／ｓ以上のものは、金属酸化物層（Ｂ）１０１−４Ｂよりも形成時間を短くすることができるために、生産性の点からも特に優れていた。
【００７７】
（実施例１０）
図２に示した半導体層形成装置２０１を用い、以下の手順で図６に示した光起電力素子を形成した。図６は本発明のシリコン系薄膜を有する光起電力素子の一例を示す模式的な断面図である。図中、図１と同様の部材には同じ符号を付して説明を省略する。この光起電力素子の半導体層は、非晶質ｎ型半導体層１０２−１、１０２−４、結晶相を含むｉ型半導体層１０２−２、非晶質ｉ型半導体層１０２−５と結晶相を含むｐ型半導体層１０２−３、１０２−６とからなっている。すなわち、この光起電力素子はいわゆるｐｉｎｐｉｎ型ダブルセル光起電力素子である。
【００７８】
実施例１と同様に、基板２０４を作成し、半導体層形成装置２０１に装着し、基板送り出し容器２０２、半導体形成用真空容器２１１〜２１８、基板巻き取り容器２０３を不図示の真空ポンプからなる真空排気系により、１．０ｍＰａ以下まで真空排気した。
【００７９】
次に、真空排気系を作動させつつ、半導体形成用真空容器２１１〜２１８へガス導入管２３１〜２３８から原料ガス及び希釈ガスを供給した。また不図示の各ゲートガス供給管から、各ガスゲートにゲートガスとして５００ｃｍ^３／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）のＨ_２ガスを供給した。この状態で真空排気系の排気能力を調整して、半導体形成用真空容器２１１〜２１８内の圧力を所定の圧力に調整した。形成条件は半導体形成用真空容器２１１〜２１５に関しては実施例１と同様の方法で行い、半導体形成用真空容器２１６〜２１８に関しては表８に示す通りである。
【００８０】
半導体形成用真空容器２１１〜２１８内の圧力が安定したところで、基板送り出し容器２０２から基板巻き取り容器２０３の方向に、導電性基板２０４の移動を開始した。
【００８１】
次に、半導体形成用真空容器２１１〜２１８内の高周波導入部２４１〜２４８に高周波電源２５１〜２５８より高周波を導入し、半導体形成用真空容器２１１〜２１８内の形成室内にグロー放電を生起し、導電性基板２０４上に、非晶質ｎ型半導体層（厚さ５０ｎｍ）、結晶相を含むｉ型半導体層（厚さ１．５μｍ）、結晶相を含むｐ型半導体層（厚さ１０ｎｍ）、非晶質ｎ型半導体層（厚さ３０ｎｍ）、非晶質ｉ型半導体層（厚さ３００ｎｍ）、結晶相を含むｐ型半導体層（厚さ１０ｎｍ）を形成し光起電力素子を形成した。
【００８２】
ここで、半導体形成用真空容器２１１、２１６には周波数１３．５６ＭＨｚ、パワー密度５ｍＷ／ｃｍ^３の高周波電力を、半導体形成用真空容器２１２〜２１４には、周波数６０ＭＨｚ、パワー密度３００ｍＷ／ｃｍ^３の高周波電力を、半導体形成用真空容器２１５、２１８には、周波数１３．５６ＭＨｚ、パワー密度３０ｍＷ／ｃｍ^３の高周波電力を、半導体形成用真空容器２１７には、周波数６０ＭＨｚ、パワー密度５０ｍＷ／ｃｍ^３の高周波電力を導入した。次に不図示の連続モジュール化装置を用いて、形成した帯状の光起電力素子を３６ｃｍ×２２ｃｍの太陽電池モジュールに加工した（実施例１０）。
【００８３】
以上のようにして作成した太陽電池モジュールの光電変換効率をソーラーシミュレーター（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ^２）を用いて測定したところ、実施例１におけるシングルの太陽電池モジュールに比べて光電変換効率の値は１．１５倍を示した。またはがれ試験、温湿度試験においても良好な結果を示した。以上のことより本発明の積層体を用いた基板、光起電力素子、及びそれを含む太陽電池モジュールは優れた特質を持つことが分かる。
【００８４】
（実施例１１）
まず、図３の金属・金属酸化物層形成装置を用い、実施例１と同様に中間層１０１−２、金属層（Ａ）１０１−３Ａ、金属層（Ｂ）１０１−３Ｂ、金属層（Ｃ）１０１−３Ｃ、金属酸化物層（Ａ）１０１−４Ａを形成し、そのあとで図７の金属酸化物層形成装置を用いて、金属酸化物層（Ｂ）１０１−４Ｂを形成し、基板を作成した。
【００８５】
図７は、本発明の光起電力素子の基板を製造する金属酸化物層形成装置の一例を示す模式的な断面図である。図７に示す金属酸化物層形成装置７０１には、送り出しローラー７０２、金属酸化物層形成容器７１１、水洗容器７１３、乾燥容器７１５、巻き取りローラー７０３から構成されている。この金属酸化物層形成装置７０１には、各容器を貫いて帯状の基体７０４がセットされる。帯状の基体７０４は、送り出しローラー７０２に設置されたボビンから巻き出され、巻き取りローラー７０３で別のボビンに巻き取られる。金属酸化物層形成容器７１１内には亜鉛の対向電極７２１が備えられており、この対向電極７２１は不図示の負荷抵抗および電源７３１と接続されている。また不図示のヒーターと熱電対を用いて、温度をモニターしながら金属酸化物層形成容器７１１内の水溶液の温度調整を行なえるようになっている。また水洗容器７１３で基板表面の水溶液を、不図示の超音波装置を用いながら洗い流し、水洗容器の出口側では純水シャワー７１４により純水洗浄を行ない、乾燥容器７１５では、赤外線ヒーター７１６を用いて基板表面を乾燥できるようになっている。
【００８６】
金属酸化物層形成容器７１１内の水溶液を、亜鉛イオン濃度０．２ｍｏｌ／ｌ、ＰＨ＝５．０、水溶液温度８０℃、デキストリン濃度０．０５ｇ／ｌにしたところで基体の搬送を開始し、酸化亜鉛からなる金属酸化物層（Ｂ）の形成を行なった。このとき、対向電極７２１に流れる電流密度は２００ｍＡ／ｄｍ^２であり、酸化亜鉛の形成速度は、１０ｎｍ／ｓであった。
【００８７】
形成した帯状の基板を用いて、実施例１０と同様にｐｉｎｐｉｎ型ダブルセルの太陽電池モジュールを作成した（実施例１１）。
【００８８】
実施例１１で作成した太陽電池モジュールは、密着性、初期変換効率、温湿度試験や高温多湿逆バイアス印加試験に対する耐久性に優れていた。以上のことより本発明の積層体を用いた基板、光起電力素子、及びそれを含む太陽電池モジュールは優れた特質を持つことが分かる。
【００８９】
【表１】

【００９０】
【表２】

【００９１】
【表３】

【００９２】
【表４】

【００９３】
【表５】

【００９４】
【表６】

【００９５】
【表７】

【００９６】
【表８】

【００９７】
【発明の効果】
以上のように、基体上に１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さの中間層を形成する第１の工程と、前記中間層上に前記基体との密着力が前記中間層よりも小さく、反射率が前記中間層よりも大きい金属層を形成する第２の工程を有し、前記第２の工程の開始時点の前記金属層の形成速度を０．３ｎｍ／ｓ以上５．０ｎｍ／ｓ以下とし、前記第２の工程の途中で前記金属層の形成速度を増加させることを特徴とする積層体形成方法によって形成された積層体、及び前記積層体を基板として用いた光起電力素子は、高い特性をもち、高温下、多湿下、あるいは長期間にわたる使用下などにおいても優れた反射特性と密着性を有することを見出した。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板の一例を示す模式的な断面図
【図２】発明の光起電力素子の一例を示す模式的な断面図
【図３】本発明の基板を製造する金属・金属酸化物層形成装置の一例を示す模式的な断面図
【図４】本発明の光起電力素子を製造する半導体層形成装置の一例を示す模式的な断面図
【図５】本発明の光起電力素子の一例を示す模式的な断面図
【図６】本発明の光起電力素子の一例を示す模式的な断面図
【図７】本発明の光起電力素子の基板を製造する金属酸化物層形成装置の一例を示す模式的な断面図
【符号の説明】
１０１基板
１０１−１基体
１０１−２中間層
１０１−３金属層
１０１−３Ａ金属層（Ａ）
１０１−３Ｂ金属層（Ｂ）
１０１−３Ｃ金属層（Ｃ）
１０１−４金属酸化物層
１０１−４Ａ金属酸化物層（Ａ）
１０１−４Ｂ金属酸化物層（Ｂ）
１０２半導体層
１０２−１非晶質ｎ型半導体層
１０２−２結晶相を含むｉ型半導体層
１０２−３結晶相を含むｐ型半導体層
１０２−４非晶質ｎ型半導体層
１０２−５非晶質ｉ型半導体層
１０２−６結晶相を含むｐ型半導体層
１０３透明導電層
１０４集電電極
２０１金属・金属酸化物層形成装置
２０２基板送り出し容器
２０３基板巻き取り容器
２０４基板
２１１〜２１８半導体層形成用真空容器
２３１〜２３８ガス導入管
２４１〜２４８放電電極
２５１〜２５８高周波電源
３０１半導体層形成装置
３０２基板送り出し容器
３０３基板巻き取り容器
３０４基体
３１１中間層形成用真空容器
３１２金属層（Ａ）形成用真空容器
３１３金属層（Ｂ）形成用真空容器
３１４金属層（Ｃ）形成用真空容器
３１５金属酸化物層（Ａ）形成用真空容器
３１６金属酸化物層（Ｂ）形成用真空容器
３３１〜３３６ガス導入管
３４１〜３４６カソード電極
３５１〜３５６直流電源
７０１金属酸化物層形成装置
７０２送り出しローラー
７０３巻き取りローラー
７０４基体
７１１金属酸化物層形成用容器
７１３水洗容器
７１４純水シャワー
７１５乾燥容器
７１６赤外線ヒーター
７２１対向電極
７３１電源

Claims

基体上に１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さの中間層を形成する第１の工程と、前記中間層上に前記基体との密着力が前記中間層よりも小さく、反射率が前記中間層よりも大きい金属層を形成する第２の工程を有し、前記第２の工程の開始時点の前記金属層の形成速度を０．３ｎｍ／ｓ以上５．０ｎｍ／ｓ以下とし、前記第２の工程の途中で前記金属層の形成速度を増加させることを特徴とする積層体形成方法。
前記基体上に前記中間層を３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成することを特徴とする請求項１に記載の積層体形成方法。
前記金属層の形成速度を増加させる前、その形成速度を０．５ｎｍ／ｓ以上４．０ｎｍ／ｓ以下とすることを特徴とする請求項１または２に記載の積層体形成方法。
前記中間層上に前記金属層を１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成した時点で、前記金属層の形成速度を増加させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の積層体形成方法。
前記金属層上に金属酸化物層を形成する第３の工程を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の積層体形成方法。
前記第２の工程の途中で前記金属層の形成速度を増加させた後に前記金属層の形成速度を０．３ｎｍ／ｓ以上５．０ｎｍ／ｓ以下に減少させ、前記第３の工程の開始時点での前記金属酸化物層の形成速度を０．０３ｎｍ／ｓ以上５．０ｎｍ／ｓ以下とし、前記第３の工程の途中で前記金属酸化物層の形成速度を増加させることを特徴とする請求項５に記載の積層体形成方法。
請求項１〜６のいずれかに記載の方法によって積層体を形成した後に、該積層体上に半導体層を形成する工程を有することを特徴とする光起電力素子の製造方法。