JP4227808B2 - メモリカード及びその製造方法 - Google Patents

Description

技術分野
本発明は電子装置及びその製造方法に関し、例えば、カード内にＩＣ（集積回路）を組み込んだ半導体素子（半導体チップ）を内蔵したメモリーカードの製造に適用して有効な技術に関する。
背景技術
デジタルカメラやオーディオプレーヤ等における記憶媒体として、ＳＤ（セキュアデジタル）メモリーカード，メモリー・スティック（商標），マルチメディアカード（Ｍｕｌｔｉ Ｍｅｄｉａ Ｃａｒｄ：商標）等と呼称されるメモリーカードが使用されている。これらのメモリーカードのうち、マルチメディアカードはその厚さが１．４ｍｍ程度と薄いカードであることが特徴である。
なお、出願番号２０００−２２８０２号の日本出願には、従来技術のマルチメディアカードの構造について記載されている。
なお、特開平８−１５６４７０号公報には、ＩＣモジュールの主面上を被うカード基板を有するＩＣカードについて記載されている。
ＳＤメモリーカードやメモリー・スティックといったメモリーカードが、半導体チップを搭載した配線基板の全体を含むケースを有する構造を採用するのに比較して、マルチメディアカードでは、非常に薄い構造を実現するために、半導体チップを搭載した配線基板（ＣＯＢパッケージ）の主面を被うキャップ形状のプラスチックケースを有する構造に採用している。
ここで、図４３、図４４に示すマルチメディアカード（メモリーカード）におけるＣＯＢパッケージについて簡単に説明する。図４４に示すように、メモリーカード１は一面に半導体素子５を複数搭載する配線基板（基板）２と、前記半導体素子５等を被うプラスチックのケース６０を有する。
半導体素子５としては、メモリーチップ５ａや、このメモリーチップ５ａを制御するコントロールチップ５ｂが基板２に固定されている。基板２の配線は一部しか図示しないが、半導体素子５の電極と配線は導電性のワイヤ６によって電気的に接続されている。基板２の一面の前記半導体素子５やワイヤ６等はモールドによって形成される絶縁性樹脂からなる封止部３で被われている。
ケース６０の一面には窪み７０が設けられている。この窪み７０は、基板２が収容できる浅い窪み７０ａと、前記封止部３が収容できる深い窪み７０ｂとからなっている。そして、窪み底と基板２との間には接着剤７１が介在されて基板２がケース６０に接着される構造になっている。なお、図において４ａは外部電極端子である。
しかし、従来のマルチメディアカードにおけるＣＯＢパッケージは、図４３、図４４にあるようにその主面上に、半導体チップを封止する封止部が形成されて盛り上がった部分と、その周囲に広がる薄い基板部分とを有する構造であるために、ＣＯＢパッケージの主面を被うケースも、前記封止部が入る深い窪みと、封止部の周囲に広がる基板部分を入れる浅い窪みを有する構造となり、ケースとＣＯＢパッケージとの組立工程における問題や、完成したメモリーカードにおける構造上の問題などを発生する要因となっていた。
本発明の目的は、安価な電子装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、安価なメモリーカード及びその製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
発明の開示
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）第１の面及び前記第１の面の裏面となる第２の面を有するメモリーカードであって、
主面及び裏面を有する配線基板と、
前記配線基板の裏面上に形成された複数の外部電極端子と、
前記配線基板の主面上に形成された複数の配線と、
前記配線基板の主面上に配置されており、前記複数の配線を介して前記複数の外部電極端子と電気的に接続した半導体素子と、
前記配線基板の裏面上に形成されており、前記半導体素子を被う絶縁性樹脂からなる封止部とを有しており、
前記複数の外部電極端子及び前記配線基板の裏面は前記メモリーカードの第１の面に露出しており、
前記封止部は前記メモリーカードの第２の面に露出していることを特徴とする。
このようなメモリーカードは、
（ａ）主面上に単位基板領域を有し、かつ裏面上に複数の外部電極端子を有する配線基板を準備する工程と、
（ｂ）前記単位基板領域に半導体チップを配置し、前記半導体チップを前記複数の外部電極端子と電気的に接続する工程と、
（ｃ）前記単位基板領域、及びその周囲の配線基板の主面上に、前記半導体チップを封止する封止体を形成する工程と、
（ｄ）前記封止体及び前記配線基板を、前記単位基板領域とその周囲との間で同時に切断し、前記単位基板領域の配線基板、単位基板領域上の封止部、半導体チップ及び複数の外部電極端子によって構成される個片部を形成する工程と、
（ｅ）窪みを有するケースを準備する工程と、
（ｆ）前記窪みの底部に、前記封止部を接着し、前記個片部を前記窪みの内部に固定する工程とを有する製造方法によって製造される。
発明を実施するための最良の形態
本発明をより詳細に説明するために、添付の図面に従ってこれを説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
（実施形態１）
本実施形態１は、電子装置として、メモリーチップを構成する１乃至複数の半導体素子を基板に搭載するとともに、前記メモリーチップを制御するコントロールチップを搭載するメモリーカードに本発明を適用した例について説明する。メモリーチップとしての半導体素子は、例えば、フラッシュメモリ〔Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎ Ｍｅｍｏｒｙ）〕を搭載し、例えば、３２ＭＢあるいは６４ＭＢの大容量のマルチメディアカードを構成する。
図１乃至図１０は本発明の一実施形態（実施形態１）であるメモリーカードに係わる図である。図１乃至図４はメモリーカードの外観及びその断面構造に関する図であり、図５乃至図１０はメモリーカードの製造に関する図である。
本実施形態１のメモリーカード１は、外観的には、図３及び図４に示すように、四角形の基板２と、この基板２の一面（例えば、第２の面２ｂに張り合わせるように形成される封止部３とからなっている。封止部３はトランスファモールドによって形成され、基板２の第２の面２ｂ全域に均一の厚さで形成されている。封止部３は、例えば、エポキシ樹脂によって形成されている。
基板２のサイズは、例えば、長さ３２ｍｍ、幅２４ｍｍ、厚さ１．４ｍｍとなり、基板２の厚さは０．６ｍｍとなる。従って、封止部３の厚さは０．８ｍｍに形成されている。
基板２は、例えばガラスエポキシ樹脂配線板からなり、表裏面は勿論のこととして内部にも配線４が形成されている。第２の面の裏側となる第１の面２ａには配線４によって電極４ａが設けられている。この外部電極端子４ａは基板２の一辺に沿って並んで配置され、メモリーカード１の外部電極端子４ａとなる。即ち、メモリーカード１を、例えば、デジタルカメラのスロットに挿入した場合、前記外部電極端子４ａはスロット内の電極端子と接触するようになる。
この外部電極端子４ａは基板２を貫通するスルーホール内に充填された配線からなる導体４ｂを介して第２の面の配線４に電気的に繋がっている。
基板２の第１の面２ａには、半導体素子５が固定されている。この半導体素子５は図示しないが接着剤を介して基板２に固定されている。また、基板２の第２の面２ｂ上に前記配線を形成する際、この配線材料で素子搭載パッドを形成し、この素子搭載パッド上に接着剤を介して半導体素子５を形成してもよい。
半導体素子５として、例えば、メモリーチップ５ａと、このメモリーチップ５ａを制御するコントロールチップ５ｂが基板２に固定される。半導体素子５の上面には電極（図示せず）が設けられている。この電極と半導体素子５の周囲に延在する所定の配線４は導電性のワイヤ６で電気的に接続されている。ワイヤ６は例えば、金線が使用されている。
メモリーカード１は、基板２の第２の面２ｂに半導体素子５を搭載し、第２の面２ｂを封止部３で被う構造からなり、いわゆるＣＯＢパッケージ構造となっている。
また、封止部３はトランスファモールドによって形成されるが、このトランスファモールド時、図３に示すように、円弧断面の溝７が外部電極端子４ａが設けられる端とは反対側となる短辺に沿って設けられている。この溝７はメモリーカード１をスロットに挿入した後のメモリーカード１を引き出す際に使用される引出し用溝となる。即ち、メモリーカード１の使用後、使用者はこの溝７の縁に指先や爪を引っかけて容易にメモリーカード１をスロットから抜き出すことができる。
また、スロットに挿入する先端の１端は斜めに切り欠かれて方向性認識部８が形成されている。さらに、封止部３の平坦な表面にはメモリーカード１の機能や製品内容等が記載されたシール９が貼り付けられている。
つぎに、本実施形態１のメモリーカード１の製造方法について、図５乃至図１０を参照しながら説明する。図５（ａ）〜（ｆ）はメモリーカードの製造各工程の状態を示す断面図等であり、マトリックス状の基板（以下マトリックス基板と呼称）用意（ａ）、チップボンディング（ｂ）、モールド（ｃ）、マトリックス基板分離（ｄ），（ｅ）、方向性認識部形成（ｆ）の図である。
最初に、図６及び図７に示すように、マトリックス基板２ｆを用意する。図６はマトリックス基板２ｆを裏返しにした図、即ちマトリックス基板２ｆの底面図であり、図７はマトリックス基板の模式的正面図である。
マトリックス基板２ｆは、ガラスエポキシ樹脂配線板からなるとともに、縦横に単位基板領域１５が形成されている。図において示す点線枠で示す各部が単位基板領域１５であり、基板２の構造になっている。このマトリックス基板２ｆの各単位基板領域１５には半導体素子が搭載され、かつ所定部分のワイヤボンディングが行われ、トランスファモールドによってモールド体が全ての単位基板領域１５を被うように形成された後、点線に沿ってマトリックス基板２ｆとモールド体を切断して各単位基板領域１５ごとに分離することによって多数のメモリーカード１が製造される。
本実施形態１では、３列５行、合計で１５の単位基板領域１５が用意されたマトリックス基板２ｆが使用される。各単位基板領域１５の構造は、既に説明した基板２の構造である。従って、マトリックス基板２ｆの厚さは０．８ｍｍであり、単位基板領域１５の大きさは長さ３２ｍｍ、幅２４ｍｍの長方形である。図６には、第１の面２ａが現れていることから、各単位基板領域１５の外部電極端子４ａが現れている。
また、単位基板領域１５の一隅には打ち抜きによる貫通孔１６が設けられている。この貫通孔１６は直角三角形となり、その斜面部分がメモリーカード１の方向性認識部８を形成することになる。
マトリックス基板２ｆは、特に限定はされないが、多層構造のガラスエポキシ樹脂配線板である。単位基板領域１５は前述の基板２であることから、表裏面は勿論のこととして内部にも配線が形成されているが、ここでは各配線は省略してある。
このようなマトリックス基板２ｆに対して、図５（ｂ）及び図８に示すように、チップボンディングが行われ、半導体素子５が固定される。半導体素子５として、メモリーチップ５ａと、このメモリーチップ５ａを制御するコントロールチップ５ｂを固定する。半導体素子５は図示しないが接着剤を介してマトリックス基板２ｆに固定される。また、マトリックス基板２ｆの第２の面２ｂ上に配線を形成する際、この配線材料で素子搭載パッドを形成し、この素子搭載パッド上に接着剤を介して半導体素子を形成してもよい。搭載された半導体素子５の表面には、図示はしないが電極が設けられている。なお、半導体素子５の厚さは、０．２８ｍｍ程度である。
つぎに、図８に示すように、各半導体素子５の電極１８とマトリックス基板２ｆの表面の配線部分であるワイヤボンディングパッド４ｃを導電性のワイヤ６で接続する。ワイヤ６は、例えば、直径２７μｍ程度の金線からなっている。半導体素子５と配線を結ぶワイヤ６の高さは低く制御され、つぎの工程で形成されるモールド体で確実に被われるようにする。半導体素子５の電極１８と配線を接続する接続手段は他の構成でもよい。
つぎに、図５（ｃ）に示すように、トランスファモールドによってマトリックス基板２ｆの第２の面２ｂに一定厚さのモールド体３ａ（封止部３）を形成する。モールド体３ａは、例えば、エポキシ樹脂によって形成され、厚さ（高さ）０．６μｍに形成される。図９はマトリックス基板の一面にモールド体を形成する状態を示す模式的断面図であり、図１０はモールド時の樹脂の供給状態を示す下面側から見た模式図である。
図９に示すように、モールド金型２０の下型２１と上型２２との間にワイヤボンディングが終了したマトリックス基板２ｆを型締めし、下型２１に設けたポット２３内に樹脂タブレットを入れ、下型２１や上型２２に組み込まれた図示しないヒータによる熱によって溶けだした樹脂２４を、プランジャ２５の突き上げによって上型２２に設けたカル２６内に送りだす。カル２６からは、図１０に示すようにランナー２７が延在している。このランナー２７は、下型２１と上型２２による型締めによって形成されたキャビティ２８にゲート２９を介して繋がっている。キャビティ２８はマトリックス基板２ｆの全ての単位基板領域１５を含む大きさに形成されている。
本実施形態１によるモールド金型２０では、ポット２３は２本設けられ、カル２６からはそれぞれ２本のランナー２７が延在して単一なキャビティ２８に連通している。また、キャビティ２８にはキャビティ２８内に注入される樹脂２４によって押し出される空気をキャビティ外に案内するエアーベント３０が設けられている。また、上型２２にはメモリーカード１の溝７を形成するための突条３１が設けられている。
従って、図９に示すように、モールド金型２０の型締めによってマトリックス基板２ｆを保持した後、ポット２３内に予備加熱された樹脂タブレットをそれぞれ入れるとともに、プランジャ２５で突き上げて溶けた樹脂２４をキャビティ２８内に注入して、図５（ｃ）に示すようなモールド体３ａ（封止部３）を形成する。図５（ｃ）はモールド金型２０から取り出したマトリックス基板２ｆを示す断面図である。
つぎに、図５（ｄ），（ｅ）に示すように、図示しないダイシング装置のステージ３５上に後に容易に除去できる接着剤３３を用いて固定し、その後回転するダイシングブレード３６（例えば、厚さ２００μｍ）でマトリックス基板２ｆを縦横に切断する。図５（ｄ），（ｅ）はマトリックス基板２ｆを横方向（メモリーカード１の幅方向）に切断する状態を示す。横方向の切断が終了した後、ステージ３５を９０度回転させた後、縦方向（メモリーカード１の長さ方向）の切断を行う。これにより、基板２の第２の面２ｂに封止部３を張りつけた構造のメモリーカード１が略形成される。切断は図に示すような１枚のダイシングブレード３６を用いて行う方法、または所定間隔に設定された複数枚のダイシングブレード３６を用いて所定領域または全領域を切断する方法によって行う。
つぎに、長方形となったものの１隅、即ち、マトリックス基板２ｆの状態で貫通孔１６が設けられていた封止部部分を方向性認識部８に沿うように切断し、図５（ｆ）に示す方向性認識部（インデックス）８が付いたメモリーカード１を製造する。このメモリーカード１の基板２の第２の面２ｂにはシール９が張りつけられて使用可能なメモリーカード１が製造されることになる。
モールド体３ａ（封止部３）の切断、即ち、単位基板領域１５ごとの分離は、ダイシングブレードによる切断以外の方法でもよい。例えば、ルータ（エンドミル）の回転する剪断刃を、図１１の矢印３７に示すように製品であるメモリーカードの輪郭線に沿うように移動してモールド体３ａ及びマトリックス基板２ｆを切断する。
この際、ルータによる切断によって、メモリーカード１の方向性認識部（インデックス）８を形成することもできる。またルータでの切断によれば、ダイシングによって切断する場合と比較して、例えば方向性認識部（インデックス）８の加工など、隣接するメモリーカード１のパターンと直線でつながらない部分でもメモリーカード１の個片化工程で同時に切断することができる。
本実施形態１によれば以下の効果を有する。
（１）マトリックス基板２ｆの一面の各単位基板領域１５に所定の半導体素子５を搭載した後、一括してモールドを行い、その後、モールド体３ａと共にマトリックス基板２ｆを縦横に切断することによって電子装置（メモリーカード）を製造できるため、従来のこの種製品の製造工数に比較して工数が少なくなり、電子装置（メモリーカード）のコスト低減が達成できる。
（２）ケースを有さない構造のメモリーカード１においては、基板上に半導体素子を搭載することが可能な領域が広くなり、またモールド樹脂の厚さも大きくなる。従って、より大きなサイズの半導体素子５の搭載が可能になるとともに、半導体素子５の積層化が容易になる。従って、メモリーカード１の高機能化，大容量化が可能となる。
（３）配線を有する基板２をパッケージを構成する一部材とし、かつ露出する基板２の一面に設けた電極４ａをそのまま電子装置（メモリーカード）の外部電極端子４ａとすることができる。
（実施形態２）
図１２は本発明の他の実施形態（実施形態２）であるメモリーカードの模式的断面図である。本実施形態２では、前記実施形態１において、図１２に示すように、基板２の半導体素子５が固定される素子固定領域を一段窪んだ窪み４０とするとともに、この窪み底に固定した半導体素子５の上にさらに半導体素子５を固定した構造となっている。
上段の半導体素子５においても、その電極は基板２の配線に接続する必要があることから、下段の半導体素子の電極が露出するようにずらして上段の半導体素子を重ねて固定する。チップボンディング後には、各半導体素子５の電極は、ワイヤ６によって基板２の配線４に接続される。ワイヤ６を接続する配線４（ワイヤボンディングパッド）は、図１２の場合と異なり、半導体素子５を固定する窪み４０の底に配置することも可能である。
本実施形態２では、基板２に固定した半導体素子５の上にさらに一段以上重ねて半導体素子５を固定するものである。半導体素子５を多段に搭載することによって、メモリーカード１（電子装置）の高機能化が達成できる。また、半導体素子５としてメモリーチップを多段に搭載して増加させることによって、メモリーの大容量化が達成できる。
（実施形態３）
図１３乃至図１６は本発明の他の実施形態（実施形態３）であるメモリーカードに係わる図である。図１３はメモリーカードの裏返し状態の斜視図であり、図１４はメモリーカードの裏返し状態の模式的断面図である。
本実施形態３は基板の表面または裏面、即ち、第１の面または第２の面に端から端に亘って幅広の溝を設け、この溝底に半導体素子を固定するとともに、半導体素子の電極と配線とをワイヤで接続し、かつ溝を埋め戻すように絶縁性樹脂で塞ぐ構成である。溝は基板の第１の面に配列される外部電極端子の配列方向に沿って設けられる。溝を埋める絶縁性樹脂による封止部はトランスファモールドによって形成され、その形成においては溝の一端から他端に流れるようにして形成される。これは、実施形態１の場合と同様に、１枚のマトリックス基板を縦横に分割して同時に複数のメモリーカードを製造するためである。半導体素子の電極に一端が接続されるワイヤが接続される配線は、第１の面または第２の面だけでなく溝底に配置してもよい。なお、これ以降の図においては、ワイヤボンディング用の配線等、一部を省略した図を用いて説明する場合がある。
本実施形態３のメモリーカード１は、図１３及び図１４に示すように、実施形態１のメモリーカード１と異なり、第２の面２ｂには封止部が設けられず、外部電極端子４ａが設けられる第１の面２ａ側に封止部３ｃが設けられている。封止部３ｃは第１の面２ａに設けられる溝４５を埋め戻すように形成される絶縁性樹脂によって形成されている。溝４５は外部電極端子４ａの配列方向に沿い、かつ基板２の全長（全幅）に亘って設けられている。
封止部３ｃはトランスファモールドによって形成されるとともに、後述するようにマトリックス基板の切断と共に切断されて形成される。封止部３ｃの上面はモールド金型の平坦面に規定されて平坦となるとともに、前記モールド金型の平坦面は溝４５を塞ぐとともに、溝４５の両側の第１の面２ａに接触するため、封止部３ｃの平坦な表面と第１の面２ａは略同一平面上とに位置するようになる。また、封止部３ｃの溝４５の端に現れる側面は、マトリックス基板を切断する時にダイシングブレードで同時に切断されて形成されるため、基板２の側面と封止部３ｃの側面も同じ平面上に位置する。
封止部３ｃ内には、実施形態１と同様に半導体素子５としてメモリーチップ５ａやコントロールチップ５ｂが固定され、かつ半導体素子５の電極と基板２の配線がワイヤ６を介して電気的に接続されている。
本実施形態１のメモリーカード１はその外形は実施形態１と同じ寸法であるが、基板２の第１の面２ａに溝４５を設け、この溝４５の溝底に半導体素子５を固定し、封止部３ｃで被う構造となることから、基板２の厚さは実施形態１の場合に比較して厚くなるが、基板２の第２の面２ｂに封止部を設けないことから、全体の厚さは薄くできる特長がある。基板２の厚さは、例えば０．８ｍｍと薄くなる。溝４５の深さは例えば０．６ｍｍとなる。従って、メモリーカード１の薄型化を図ることができる。
本実施形態３の場合も実施形態２と同様に、基板２の素子固定領域を一段窪ませてその窪み底に半導体素子を固定する構造の採用も、また半導体素子の上に半導体素子を一段以上重ねて搭載する多段搭載構造も同様に適用でき、実施形態１と同様の高機能化，大容量化及び薄型化を図ることができる。また、この構造は以下の各実施形態でも採用できる。
本実施形態３のメモリーカード１は、以下の方法によって製造される。図１５はメモリーカードの製造において使用するマトリックス基板の底面図であり、図１６はメモリーカードの製造各工程の状態を示す断面図である。
本実施形態３のメモリーカードの製造においては、実施形態１と同様にマトリックス基板を使用するが、このマトリックス基板２ｇは図１５及び図１６（ａ）に示すように第１の面２ａに溝４５を設けた点が異なる。マトリックス基板２ｇは３行５列の配置で単位基板領域１５が設けられているが、前記溝４５は列方向、即ち、一列に並ぶ外部電極端子４ａの配列方向に沿って各単位基板領域１５を横切るように３本設けられている。従って、各単位基板領域１５において溝４５の両側に第１の面２ａが存在する構造になる。マトリックス基板２ｇはその厚さが０．８ｍｍとなり、溝４５の深さは０．６ｍｍになっている。
メモリーカード１を製造する場合、図１６（ａ）に示すように、溝４５を有するマトリックス基板２ｇを用意し、その後、図１６（ｂ）に示すように、各単位基板領域１５の溝４５の底に図示しない接着剤（銀ペースト等）を用いて半導体素子５を固定する。半導体素子５として、メモリーチップ５ａと、このメモリーチップ５ａを制御するコントロールチップ５ｂを固定する。
つぎに、図１６（ｂ）に示すように、各半導体素子５の図示しない電極とマトリックス基板２ｆの表面の図示しない配線（ワイヤボンディングパッド）を導電性のワイヤ６で接続する。
つぎに、図１６（ｃ）に示すように、トランスファモールドによってマトリックス基板２ｇの第１の面２ａに設けられた溝４５部分のみを絶縁性樹脂からなるモールド体３ａで塞ぐ。このモールド体３ａにより半導体素子５やワイヤ６は被われる。このトランスファモールドでは、実施形態１と同様にトランスファモールドで封止（モールド）が行われるが、モールド型の一方、例えば、上型のパーティング面は平坦な面となり、この平坦な面が溝４５を塞ぐようにしてマトリックス基板２ｆの第１の面２ａに接触する。そして、３本の各溝４５の一端側から樹脂が送りこまれる。樹脂は溝４５に沿って流れ、５個の単位基板領域１５の溝４５部分を全て塞ぐようになる。この結果、封止部３ｃは均一の厚さ（高さ）となるとともに、その平坦な表面と第１の面２ａは略同一平面上に位置することになる。
つぎに、図１６（ｄ）に示すように、図示しないダイシング装置のステージ３５上に接着剤３３を用いてマトリックス基板２ｇを固定した後、回転するダイシングブレード３６でマトリックス基板２ｇを縦横に切断する。図１６（ｄ）はマトリックス基板２ｇを横方向（メモリーカード１の幅方向）に切断する状態を示す。横方向の切断が終了した後、ステージ３５を９０度回転させた後、図１６（ｅ）に示すように、縦方向（メモリーカード１の長さ方向）の切断を行う。切断は一枚のダイシングブレードによって順次行われるか、複数枚のダイシングブレードによる一回または数回の切断で行われる。
これにより、基板２の第１の面２ａの溝４５部分に封止部３ｃを形成したメモリーカード１が略形成される。
つぎに、長方形となったものの１隅、即ち、マトリックス基板２ｇの状態で貫通孔１６が設けられていた封止部部分を方向性認識部８に沿うように切断し、図１３に示す方向性認識部（インデックス）８が付いたメモリーカード１を製造する。このメモリーカード１の基板２の第２の面２ｂにはシールが張りつけられて使用可能なメモリーカード１が製造されることになる。
本実施形態３では、基板２の一部に溝４５を設け、この溝底に半導体素子５を搭載し、溝４５を絶縁性の樹脂で埋めることから、樹脂の使用量の削減ができ、メモリーカード１のコストの低減が達成できる。
また、本実施形態３では、マトリックス基板の切断において、外部電極端子４ａの配列方向の切断はマトリックス基板のみの切断となり、相互に異なる材質である基板と樹脂の切断に比較して切削性能が上がり、品質向上や切断コストの低減を図ることができる。
（実施形態４）
図１７乃至図２１は本発明の他の実施形態（実施形態４）であるメモリーカードに係わる図である。図１７はメモリーカードの裏返し状態の断面図、図１８はメモリーカードの底面図、図１９はメモリーカードの製造における半導体素子の取り付け状態を示す斜視図、図２０は半導体素子の取り付け状態の一例を示す部分的断面図、図２１は半導体素子の取り付け状態の他の例を示す部分的断面図である。
本実施形態４は実施形態３において、図１９に示すように、溝４５を埋める封止部３ｃを部分的とし、封止部３ｃが形成されない空間領域５０に露出する溝底にフェイスダウンボンディングで半導体素子５を固定する構成である。例えば、図２０に示すように、半導体素子５の電極５１を有する面を溝底に対面させ、溝底に設けられたボンディングパッド５２に半田等の接合材５３を介して各電極５１を電気的かつ機械的に接続したり、あるいは図２１に示すように、溝底と半導体素子５との間に異方導電性接着剤５５を介して半導体素子５の電極５１を溝底のボンディングパッド５２に電気的かつ機械的に固定するものである。
図２０に示すボンディングパッド５２に接合材５３を介して電極５１を固定する構造では、溝底と半導体素子５との間に絶縁性樹脂（アンダーフィル樹脂）を充填してアンダーフィル５４を形成し、水分や異物が溝底と半導体素子５との間に入らないように配慮されている。図２１に示す異方導電性接着剤５５を使用するものでは、異方導電性接着剤５５を半導体素子５の電極５１とボンディングパッド５２との間に圧縮させることによって異方導電性接着剤５５の中の導電性粒子が相互に接触して電極５１とボンディングパッド５２とが電気的に接続される。
図１７〜図１９は異方導電性接着剤５５を用いる場合を示してある。また、特に限定はされないが、本実施形態では、封止部３ｃによって被われる半導体素子５はコントロールチップ５ｂとし、フェイスダウンボンディングによって搭載される半導体素子５はメモリーチップ５ａとしたものである。
また、本実施形態では、空間領域５０の外側に露出する半導体素子５の表面は溝４５の縁の面、即ち第１の面２ａから外側に突出しないようにするものである。例えば、半導体素子５の表面は基板２の表面（第１の面２ａ）と同一の平面上に位置するようにする。これは、メモリーカード１をスロットに挿入する際、引っ掛からないようにするためである。
本実施形態のメモリーカード１の製造は、マトリックス基板を使用する実施形態３の製造において、溝４５の一部に封止部３ｃを形成し、残りの部分は封止部３ｃで被わないことから、溝底の一部に半導体素子５を固定する。例えば、半導体素子５としてコントロールチップ５ｂを固定する。その後、この半導体素子５の電極と配線をワイヤ６で電気的に接続し、ついで前記半導体素子５及びワイヤ６を被うように封止部３ｃを溝底に部分的に接続する。
つぎに、封止部３ｃで被われない溝底に半導体素子５をフェイスダウンボンディングによって固定する。半導体素子５は、例えば、メモリーチップ５ａを固定する。この場合、図２０に示す接合材５３を用いてメモリーチップ５ａの電極５１と溝底のボンディングパッド５２を接続する方法や、図２１に示すように、異方導電性接着剤５５でメモリーチップ５ａの電極５１と溝底のボンディングパッド５２を電気的に接続する。接合材５３を使用する方法では、半導体素子５の固定後、絶縁性のアンダーフィル樹脂を半導体素子５と溝底との間に流し込み、その後このアンダーフィル樹脂を硬化処理してアンダーフィル５４を形成する。
つぎに、マトリックス基板を単位基板領域ごとに分離するようにマトリックス基板を縦横に切断し、かつ一隅を斜めに切断して方向性認識部８を形成して図１７及び図１８に示すようなメモリーカード１を複数製造する。
本実施形態４では、溝４５の一部を封止部３ｃで被い、封止部３ｃで被われない空間領域５０の溝底にフェイスダウンボンディングによって半導体素子５を搭載することから、高速動作するチップのインダクタンス低減が図れる。
（実施形態５）
図２２及び図２３は本発明の他の実施形態（実施形態４）であるメモリーカードに係わる図である。図２２はメモリーカードの裏返し状態の断面図、図２３はメモリーカードの底面図である。
本実施形態５のメモリーカード１は、図２２に示すように、基板２の表裏面、即ち、第１の面２ａ及び第２の面２ｂにそれぞれ半導体素子５を搭載するとともに封止部３ｃ，３で被った構造である。また、第１の面２ａ及び第２の面２ｂにおいて、半導体素子５の上にこの半導体素子５よりもサイズが小さい半導体素子５を固定し、いずれも図示しない各電極と各配線をワイヤ６で電気的に接続する構造になっている。即ち、本実施形態５は実施形態１と実施形態３を一緒にした構成になっている。
本実施形態５のメモリーカード１の製造においては、実施形態３の図１５で示すように溝４５を有するマトリックス基板２ｇを使用するが、溝底に２段に重ねて半導体素子５を搭載することから、溝４５の深さは深くなり、その分マトリックス基板２ｇの厚さも厚くなっている。
このような図示しないマトリックス基板において、最初に、各単位基板領域の溝底に所定の数の半導体素子５を固定する。また、各単位基板領域のマトリックス基板の第２の面２ｂにも所定の数の半導体素子５を固定する。この例ではマトリックス基板に半導体素子５を固定した後、この半導体素子５上にサイズの小さい半導体素子５を重ねて固定する。この固定時、下段の半導体素子５の電極が露出するように半導体素子５の固定を行う。
つぎに、各半導体素子５の電極と配線をワイヤ６で電気的に接続する。
つぎに、溝４５を塞ぐように絶縁性樹脂を埋め込んで半導体素子５及びワイヤ６を被うモールド体を形成するとともに、第２の面２ｂ上の半導体素子５及びワイヤ６を被うように第２の面２ｂの全域に絶縁性樹脂でモールド体を形成する。これら両モールド体はモールド型を使用したトランスファモールドによって同時に形成する。
つぎに、マトリックス基板を単位基板領域ごとに分離するようにマトリックス基板を縦横に切断し、かつ一隅を斜めに切断して方向性認識部８を形成して図２３及び図２２に示すようなメモリーカード１を複数製造する。
本実施形態５によれば、基板２表裏面にそれぞれ半導体素子を搭載する構造であることから、メモリーカード１の高機能化及び大容量化を図ることができる。また、本実施形態５では半導体素子５の上に半導体素子を固定する多段搭載構造であることから、さらに高機能化及び大容量化を図ることができる。
（実施形態６）
本実施形態６から実施形態９に至る実施形態のメモリーカードは、実施形態１及び実施形態３乃至５のメモリーカードの製造において、マトリックス基板を縦横に分断し、方向性認識部を形成する切断を行う前のＣＯＢパッケージを、プラスチックケースに嵌め込み接着固定した構成のものである。ＣＯＢパッケージを構成する基板の一面に設けられる外部電極端子は露出する状態でケースに収容され、前記外部電極端子はメモリーカードの外部電極端子として使用される。また、長方形のプラスチックケースの１隅には斜めに延在する方向性認識部が設けられている。この方向性認識部は他の形状（構造）でもよいことは勿論である。
図２４乃至図２７は本発明の他の実施形態（実施形態６）であるメモリーカードに係わる図である。図２４はメモリーカードの裏返し状態の斜視図、図２５はメモリーカードの裏返し状態の断面図、図２６はメモリーカードの製造各工程の状態を示す断面図、図２７はメモリーカードの製造においてケースにＣＯＢパッケージを取り付ける状態を示す斜視図である。
本実施形態６のメモリーカード１は、図２７に示すように、プラスチックで形成されるケース６０の収容窪み６２にＣＯＢパッケージ６１ａを嵌め込み、図２５に示すように、ＣＯＢパッケージ６１ａを接着剤６３で接着した構造になっている。メモリーカード１は、ＣＯＢパッケージ６１ａを構成する基板２の一面に設けられる外部電極端子４ａが露出する状態でＣＯＢパッケージ６１ａがケース６０に収容される構造になり、前記外部電極端子４ａがメモリーカード１の外部電極端子として使用される構造になる（図２４参照）。
即ち、本実施形態６のメモリーカード１は、プラスチックケースに実施形態１で形成するＣＯＢパッケージ品を収容した構造になっている。実施形態１ではモールド後マトリックス基板を縦横に切断し、その後方向性認識部を形成する切断を行ってメモリーカード１を製造するが、本実施形態ではマトリックス基板を縦横に切断して四角形のＣＯＢパッケージを製造した後、このＣＯＢパッケージをケース６０に嵌め合い接着してメモリーカード１を製造する。また、ケース６０の角には斜めに切断した方向性認識部８が設けられている。
ケース６０は、樹脂（例えば、ＰＰＥ：ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌ ｅｔｈｅｒ）で形成され、一面にＣＯＢパッケージ６１ａを嵌め込む収容窪み６２を有する単純な構造となっている。従って、成形コストも安価となる。
ケース６０の外形寸法は、例えば、縦（長さ）３２ｍｍ、横（幅）２４ｍｍ、厚さ１．４ｍｍとなっている。従って、ＣＯＢパッケージ６１ａの外形寸法は、前記ケース６０の収容窪み６２に嵌め込むため、縦（長さ）２８ｍｍ、横（幅）１９ｍｍ、厚さ０．８ｍｍとなっている。ケース６０の窪み底の板厚は０．５ｍｍとなっている。ＣＯＢパッケージ６１ａを構成する基板２の厚さは０．２１ｍｍである。
つぎに、図２６（ａ）〜（ｄ）を参照しながらＣＯＢパッケージ６１ａの製造について説明する。製造工程としては、その多くが実施形態１の場合と同様であることから簡単に説明する。図２６（ａ）〜（ｄ）はＣＯＢパッケージの製造各工程の状態を示す断面図であり、マトリックス基板用意（ａ）、チップボンディング及びワイヤボンディング（ｂ）、モールド（ｃ）、マトリックス基板分離（ｄ）を示す図である。
図２６（ａ）に示すように、本実施形態６のメモリーカード１の製造においても実施形態１の場合と同様なマトリックス基板２ｆを使用する。しかし、本実施形態６のマトリックス基板における単位基板領域１５の寸法は、例えば、長さ２８ｍｍ、幅１９ｍｍ、厚さ０．２１ｍｍと、ケース６０に嵌め込む構造となることから、実施形態１の場合よりも小さくなる。
つぎに、図２６（ｂ）に示すように、マトリックス基板２ｆの第２の面２ｂにチップボンディングが行われ、半導体素子５として、メモリーチップ５ａ及びコントロールチップ５ｂを固定する。
つぎに、図２６（ｂ）に示すように、各半導体素子５の電極とマトリックス基板２ｆの表面の配線（ワイヤボンディングパッド）を導電性のワイヤ６で接続する。
つぎに、図２６（ｃ）に示すように、常用のトランスファモールドによってマトリックス基板２ｆの第２の面２ｂに一定厚さのモールド体３ａを形成する。
つぎに、図２６（ｄ）に示すように、図示しないダイシング装置によってマトリックス基板２ｆを縦横に切断し、単位基板領域１５を含むＣＯＢパッケージ６１ａを形成する。
つぎに、図２７に示すように、外部電極端子４ａが露出する状態でＣＯＢパッケージ６１ａをケース６０に嵌め込み接着剤を介して固定し、図２４及び図２５に示すようなメモリーカード１を製造する。
図４３、図４４にあるような従来構造のＣＯＢパッケージでは、封止部３を形成する際に、封止樹脂の硬化時の体積変化によって、プラスチックケース６０とＣＯＢパッケージとの間の隙間部分（クリアランス）の体積が変化する可能性があった。このようにケース６０とＣＯＢパッケージとの隙間部分の変化は、ケース６０とＣＯＢパッケージとの接着不良の原因になり得る。またケース６０とＣＯＢパッケージとの接着を確実に確保するために、ケース６０とＣＯＢパッケージとの隙間部分を大きく取り、その分供給する接着剤の量をあらかじめ多く設定すると、接着剤はみ出しの原因になり得る。
これに比較して、本実施形態６のメモリーカード１においては、封止樹脂２４の硬化反応後にダイシングによって分割するために、配線基板２平面方向の寸法は封止樹脂２４の硬化反応による体積変化の影響を受けないため、寸法精度を向上することができる。従って、特に平面方向において、ケース６０の収容窪み６２とＣＯＢパッケージ６１ａとの間の隙間部分を減らすことができる。また、このように、ＣＯＢパッケージ６１ａの側面と、収容窪み６２の側面との隙間を狭くすることにより、低コストのペースト状接着剤を介してＣＯＢパッケージ６１ａとケース６０を接着する場合でも、接着剤のはみ出しを防ぐことができる。
また、図４３、図４４にあるような従来構造のＣＯＢパッケージでは、トランスファモールド法による個別封止によって封止部を形成する場合、封止部の周囲の基板上には、樹脂注入ゲートや、樹脂注入路となるランナー、または金型キャビティのエアーベントが各装置領域の配線基板上に配置されるために、その部分に不要な樹脂バリが残る場合がある。このようなバリは、ケースとＣＯＢパッケージとの接着不良や、基板の浮き／傾きの原因になり得る。さらに、このような樹脂バリによる不良を防ぐために、ケースとＣＯＢパッケージとの隙間部分を余裕を持って確保し、その分供給する接着剤の量をあらかじめ多く設定すると、接着剤はみ出しの原因になり得る。
これに比較して、本実施形態６のメモリーカード１においては、ゲート２９、ランナー２７、エアーベント３０といった部分は、ＣＯＢパッケージ６１ａとなる部分の外側に配置され、ダイシングによって分離されるので、樹脂バリの発生を塞ぐことができ、ケース６０との間の隙間部分を狭く設定することができる。
また、図４３、図４４にあるような従来構造のＣＯＢパッケージでは、封止部を形成する工程において、ポッティング法による個別封止を採用する場合、ポッティング法に起因する封止部形状のばらつきが発生する。このような形状ばらつきはキャップとＣＯＢパッケージとの間の接着不良の原因になり得る。またキャップとＣＯＢパッケージとの接着を確実に確保するために、その分供給する接着剤の量をあらかじめ多く設定すると、接着剤はみ出しの原因になり得る。
これに比較して、本実施形態６のメモリーカード１においては、モールド体３ａ周縁部の形状制御が困難なポッティング法を採用したとしても、複数の装置領域を一括で封止した後に周縁部とＣＯＢパッケージ６１ａとをダイシングによって分割することで、形状ばらつきを少なくすることができ、ケース６０とＣＯＢパッケージ６１ａとの接着を良好に行うことができる。
また、図４３、図４４にあるような従来構造のＣＯＢパッケージでは、封止部の周囲に広がる薄い基板部分は強度が低く、メモリーカード使用時に剥がれを発生する可能性が高い。こうした剥がれを防ぐためには、前記基板部分の接着が必須であったが、凹凸を有するケースの収容窪みの周縁部にまで接着剤または接着テープを供給することは困難であり、また、ペースト状接着剤の濡れ広がりを制御することが困難であった。
これに比較して、本実施形態６のメモリーカード１においては、ＣＯＢパッケージ６１ａを構成する基板２の第２の面２ｂ周縁部にも封止部３が形成されるため、ＣＯＢパッケージ６１ａの周縁部の強度が高く、メモリーカード１使用時の剥がれを防ぐことができる。
また、本実施形態６のメモリーカード１においては、ケース６０の収容窪み６２底部に大きな凹凸が無いために、接着剤、接着テープの供給が容易になり、また、ペースト状の接着剤の濡れ広がりの制御が容易になるという効果もある。
さらには、本実施形態６のメモリーカード１においては、使用時の剥がれ発生の可能性が低減されているので、ＣＯＢパッケージ６１ａの主に中央部のみペースト接着剤／接着テープを介してケース６０と接着し、ＣＯＢパッケージ６１ａ周縁部または側壁部はケース６０と接着しない構造を採用することができる。特にケース６０との接着にペースト接着剤を採用した場合には、ＣＯＢパッケージ６１ａ周縁部または側壁部を接着しないことにより、接着剤漏れ出しの可能性を更に低減することができる。
（実施形態７）
図２８乃至図３１は本発明の他の実施形態（実施形態７）であるメモリーカードに係わる図である。図２８はメモリーカードの裏返し状態の斜視図、図２９はメモリーカードの裏返し状態の断面図、図３０はメモリーカードの製造各工程の状態を示す断面図、図３１はメモリーカードの製造においてケースにＣＯＢパッケージを取り付ける状態を示す斜視図である。
本実施形態７のメモリーカード１は、図３１に示すように、プラスチックで形成されるケース６０の収容窪み６２にＣＯＢパッケージ６１ｂを嵌め込み、図２９に示すように、ＣＯＢパッケージ６１ｂを接着剤６３で接着した構造になっている。メモリーカード１は、ＣＯＢパッケージ６１ｂを構成する基板２の一面に設けられる外部電極端子４ａが露出する状態でＣＯＢパッケージ６１ｂがケース６０に収容される構造になり、前記外部電極端子４ａがメモリーカード１の外部電極端子として使用される構造になる（図２８参照）。
即ち、本実施形態７のメモリーカード１は、プラスチックケースに実施形態３で形成するＣＯＢパッケージ品を収容した構造になっている。実施形態３ではモールド後マトリックス基板を縦横に切断し、その後方向性認識部を形成する切断を行ってメモリーカード１を製造するが、本実施形態ではマトリックス基板を縦横に切断して四角形のＣＯＢパッケージ６１ｂを製造した後、このＣＯＢパッケージ６１ｂを実施形態６と同様のケース６０に嵌め合い接着してメモリーカード１を製造する。
従って、本実施形態７においても実施形態３による効果の一部を有するとともに、実施形態６と同様にＣＯＢパッケージ６１ｂの封止部３がケースに収容されているため、堅牢で安価なメモリーカード１を得ることができる。
つぎに、図３０（ａ）〜（ｅ）を参照しながらＣＯＢパッケージ６１ｂの製造について簡単に説明する。図３０（ａ）〜（ｅ）はＣＯＢパッケージの製造各工程の状態を示す断面図であり、マトリックス基板用意（ａ）、チップボンディング及びワイヤボンディング（ｂ）、モールド（ｃ）、マトリックス基板分離（ｄ），（ｅ）を示す図である。
図３０（ａ）に示すように、本実施形態６のメモリーカード１の製造においても実施形態３の場合と同様な溝４５を有するマトリックス基板２ｇを使用する。しかし、本実施形態７のマトリックス基板における単位基板領域１５の寸法は、例えば、長さ２８ｍｍ、幅１９ｍｍ、厚さ０．８ｍｍと、ケース６０に嵌め込む構造となることから、実施形態１の場合よりも小さくなる。
つぎに、図３０（ｂ）に示すように、マトリックス基板２ｇの第１の面２ａに設けられた溝４５の溝底にチップボンディングが行われ、半導体素子５として、メモリーチップ５ａ及びコントロールチップ５ｂを固定する。
つぎに、図３０（ｂ）に示すように、各半導体素子５の電極とマトリックス基板２ｇの表面の図示しない配線を導電性のワイヤ６で接続する。
つぎに、図３０（ｃ）に示すように、実施形態３と同様のトランスファモールドによってマトリックス基板２ｇの第１の面２ａに形成された溝４５を塞ぐようにモールド体３ａを形成する。
つぎに、図３０（ｄ）に示すように、図示しないダイシング装置のステージ３５上にマトリックス基板２ｇを接着剤３３を介して固定し、ダイシングブレード３６によってマトリックス基板２ｇを縦横に切断し、単位基板領域１５を含むＣＯＢパッケージ６１ｂを形成する（図３０（ｅ）参照）。
つぎに、図３１に示すように、外部電極端子４ａが露出する状態でＣＯＢパッケージ６１ｂをケース６０の収容窪み６２に嵌め込み、接着剤６３（図２９参照）を介して固定し、図２８及び図２９に示すようなメモリーカード１を製造する。
本実施形態７のメモリーカード１は、実施形態３のメモリーカードが有する効果の一部を有するばかりでなく、ＣＯＢパッケージ６１ｂの一面と周縁がケース６０によって被われて保護されるため、堅牢なメモリーカード１となる。
図３２は本実施形態７の変形例によるメモリーカードの裏返し状態の断面図であり、図３３は同じくメモリーカードの底面図である。この変形例はマトリックス基板の状態では溝４５が３本設けられてメモリーカード１が製造されるが、この溝４５は単位基板領域１５の一方の端まで延在する形状になっている。従って、図３２及び図３３の状態では、封止部３ｃの端はケース６０の内周縁まで延在するようになる。
この変形例では、溝４５の溝幅が広くなることから、より大型の半導体素子の搭載が可能になり、高機能化及び大容量化が可能になる。
（実施形態８）
図３４は本発明の他の実施形態（実施形態８）であるメモリーカードの裏面を示す底面図、図３５はメモリーカードの裏返し状態の断面図である。
本実施形態８のメモリーカード１は、ケース６０の収容窪み６２にＣＯＢパッケージ６１ｃを嵌め込み接着した構造である。ＣＯＢパッケージ６１ｃは、実施形態７のＣＯＢパッケージ６１ｂにおいて、溝４５に部分的に封止部３ｃを形成し、封止部３ｃが形成されない領域に半導体素子５をフェイスダウンボンディングによって搭載するものであり、この封止形態は実施形態４による構造のものである。
フェイスダウンボンディングによる半導体素子５の搭載形態は、実施形態４における図２０の接合材５３を用いて半導体素子５の電極５１と基板２のボンディングパッド５２を電気的に接続するもの、または図２１の異方導電性接着剤５５を用いて半導体素子５の電極５１と基板２のボンディングパッド５２を電気的に接続するもの等になる。図３４及び図３５は異方導電性接着剤５５によるものを示す。
本実施形態８のメモリーカード１は、実施形態７及び実施形態４が有する効果の一部を有するばかりでなく、ＣＯＢパッケージ６１ｃの一面と周縁がケース６０によって被われて保護されるため、堅牢なメモリーカード１となる。
（実施形態９）
図３６乃至図４２は本発明の他の実施形態（実施形態９）であるメモリーカード及びその製造に係わる図である。
本実施形態９のメモリーカード１は、図４２に示すように、プラスチックで形成されるケース６０の収容窪み６２にＣＯＢパッケージ６１ｄを嵌め込み、図３６に示すように、ＣＯＢパッケージ６１ｄを接着剤６３で接着した構造になっている。メモリーカード１は、ＣＯＢパッケージ６１ｄを構成する基板２の一面に設けられる外部電極端子４ａが露出する状態でＣＯＢパッケージ６１ｄがケース６０に収容される構造になり、前記外部電極端子４ａがメモリーカード１の外部電極端子として使用される構造になる（図３７参照）。
即ち、本実施形態９のメモリーカード１は、プラスチックケースに実施形態５のように基板２の表裏面に半導体素子５を搭載し、それぞれを封止部３，３ｃで被ったＣＯＢパッケージ６１ｄを収容した構造になっている。また、このＣＯＢパッケージ６１ｄは、実施形態７の変形例のように封止部３ｃの端はケース６０の内周縁まで延在する構造となり、より大型の半導体素子の搭載が可能になっている。
本実施形態９は、基板２の表裏面に半導体素子５を搭載する構造であること、半導体素子５を多段に搭載する構造であること、溝４５の幅を広くしてより大型の半導体素子５の搭載を可能にする構造であることによって、メモリーカード１の高機能化及び大容量化が達成できる。
また、ＣＯＢパッケージ６１ｄをケース６０の収容窪み６２に収容固定する構造であり、ＣＯＢパッケージ６１ｄの一面及び周縁はケース６０で保護されるため、より堅牢なメモリーカード１となる。
つぎに、図３８〜図４０及び図４１を参照しながらＣＯＢパッケージ６１ｄの製造について簡単に説明する。図３８（ａ）〜（ｅ）はＣＯＢパッケージの製造におけるチップボンディングからワイヤボンディングに至る各工程の状態を示す断面図である。図３９（ａ）〜（ｄ）はＣＯＢパッケージの製造におけるトランスファモールドの各段階での状態を示す断面図である。図４０（ａ）〜（ｃ）はＣＯＢパッケージの製造におけるマトリックス基板の分断に係わる各段階の状態を示す断面図である。
本実施形態９のメモリーカード１の製造においては、図４１及び図３８（ａ）に示すようなマトリックス基板２ｈが使用される。このマトリックス基板２ｈは、実施形態３の場合と同様に溝４５を有するマトリックス基板２ｈとなる。しかし、このマトリックス基板２ｈの溝４５は、隣接する単位基板領域１５の端にまで到達する幅広で、マトリックス基板２ｈを縦横に切断分離した状態では、一方の溝の端は切断代となり消滅して実施形態７の図３２のようになり、半導体素子５の搭載可能領域の拡大が図られている。
つぎに、図３８（ｂ）に示すように、マトリックス基板２ｈの第１の面２ａに設けられた溝４５の溝底にチップボンディングが行われる。
つぎに、図３８（ｃ）に示すように、マトリックス基板２ｈを裏返し、マトリックス基板２ｈの平坦な第２の面２ｂにチップボンディングが行われる。前記マトリックス基板２ｈの表裏面への半導体素子５の固定においては、メモリーカード１として所定の機能を果たすべく、複数のメモリーチップとこれらを制御するコントロールチップが固定される。
つぎに、図３８（ｄ）に示すように、マトリックス基板２ｈを裏返し、溝底に固定した半導体素子５の電極とマトリックス基板２ｈの表面の図示しない配線を導電性のワイヤ６で接続する。
つぎに、図３８（ｅ）に示すように、マトリックス基板２ｈを裏返し、平坦な第２の面２ｂに固定した半導体素子５の電極とマトリックス基板２ｈの表面の図示しない配線を導電性のワイヤ６で接続する。
つぎに、ワイヤボンディングが終了したマトリックス基板２ｈは、図３９（ａ）に示すように、トランスファモールド装置のモールド金型２０の下型２１と上型２２の間に型締めされる。図３９は溝４５の延在方向に沿う断面図である。
下型２１と上型２２による型締めによってマトリックス基板２ｈの表裏両面側にキャビティ２８が形成される。また、このキャビティ２８には、図９と同様にランナー２７が連なる。ランナー２７とキャビティ２８との境界部分がゲート２９となる。また、このゲート２９の反対側のキャビティ２８端には図示しないエアーベントが位置している。
図示しないプランジャの注入動作によって、図３９（ｂ）に示すように、ランナー２７内を流れる樹脂２４はゲート２９を通ってキャビティ２８内に流入する。キャビティ２８内全体に樹脂２４が充填されると、樹脂２４のキュアーが行われて図３９（ｃ）に示すように樹脂２４が硬化してモールド体３ａが形成される。
つぎに、図３９（ｄ）に示すように、モールド型からモールド体３ａが設けられたマトリックス基板２ｈを取り出す。
つぎに、モールドが終了したマトリックス基板２ｈを図４０（ａ）に示すように、図示しないダイシング装置のステージ３５上にマトリックス基板２ｈを接着剤３３で固定し、図４０（ｂ），（ｃ）に示すように、ダイシングブレード３６によってマトリックス基板２ｈを縦横に切断し、単位基板領域１５を含むＣＯＢパッケージ６１ｄを形成する（図４２参照）。
つぎに、図４２に示すように、外部電極端子４ａが露出する状態でＣＯＢパッケージ６１ｄをケース６０の収容窪み６２に嵌め込み、接着剤６３（図３６参照）を介して固定し、図３６及び図３７に示すようなメモリーカード１を製造する。
本実施形態９のメモリーカード１は、実施形態５のメモリーカードが有する効果の一部を有するばかりでなく、ＣＯＢパッケージ６１ｄの一面と周縁がケース６０によって被われて保護されるため、堅牢なメモリーカード１となる。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるメモリーカードの製造に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではない。
本発明は少なくともＣＯＢパッケージ構造の電子装置には適用できる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）安価なパッケージ構造の電子装置を提供することができる。
（２）高機能化でかつ大容量化が可能な安価なパッケージ構造の電子装置を提供することができる。
（３）高機能化でかつ大容量化が可能な安価なメモリーカードを提供することができる。
本明細書に記載された各々の発明は、本明細書に記載された全ての課題を解決する構成に限定されるものではなく、特定の１つまたは複数の課題のみを解決する構成も含むものである。
産業上の利用可能性
以上のように、本発明に係わる電子装置としてのメモリーカードは、デジタルカメラやオーディオプレーヤ等において、高機能，大容量化でかつ安価な記憶媒体として使用することができる。また、本発明によるメモリーカードの製造方法は、従来のこの種製品の製造工数に比較して工数を少なくすることができるため、メモリーカードの製造コストをさらに低減することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明の一実施形態（実施形態１）であるメモリーカードの模式的断面図である。
図２は本実施形態１のメモリーカードの裏面を示す底面図である。
図３は本実施形態１のメモリーカードの斜視図である。
図４は本実施形態１のメモリーカードを裏返した状態の斜視図である。
図５は本実施形態１のメモリーカードの製造各工程の状態を示す断面図等である。
図６は本実施形態１のメモリーカードの製造において使用するマトリックス基板の底面図である。
図７は前記マトリックス基板の模式的正面図である。
図８は本実施形態１のメモリーカードの製造において、単位配線領域に搭載された半導体素子の状態を示す模式的平面図である。
図９は本実施形態１のメモリーカードの製造において、マトリックス基板の一面にモールド体を形成する状態を示す模式的断面図である。
図１０は本実施形態１のメモリーカードの製造におけるモールド時の樹脂の供給状態を示す下面側から見た模式図である。
図１１は本実施形態１のメモリーカードの製造における他の基板切断方法を示す模式図である。
図１２は本発明の他の実施形態（実施形態２）であるメモリーカードの模式的断面図である。
図１３は本発明の他の実施形態（実施形態３）であるメモリーカードの裏返し状態の斜視図である。
図１４は本実施形態３のメモリーカードの裏返し状態の模式的断面図である。
図１５は本実施形態３のメモリーカードの製造において使用するマトリックス基板の底面図である。
図１６は本実施形態３のメモリーカードの製造各工程の状態を示す断面図である。
図１７は本発明の他の実施形態（実施形態４）であるメモリーカードの裏返し状態の断面図である。
図１８は本実施形態４のメモリーカードの底面図である。
図１９は本実施形態４のメモリーカードの製造における半導体素子の取り付け状態を示す斜視図である。
図２０は本実施形態４のメモリーカードの製造における半導体素子の取り付け状態の一例を示す部分的断面図である。
図２１は本実施形態４のメモリーカードの製造における半導体素子の取り付け状態の他の例を示す部分的断面図である。
図２２は本発明の他の実施形態（実施形態５）であるメモリーカードの裏返し状態の断面図である。
図２３は本実施形態４のメモリーカードの底面図である。
図２４は本発明の他の実施形態（実施形態６）であるメモリーカードの裏返し状態の斜視図である。
図２５は本実施形態６のメモリーカードの裏返し状態の断面図である。
図２６は本実施形態６のメモリーカードの製造各工程の状態を示す断面図である。
図２７は本実施形態６のメモリーカードの製造においてケースにＣＯＢパッケージを取り付ける状態を示す斜視図である。
図２８は本発明の他の実施形態（実施形態７）であるメモリーカードの裏返し状態の斜視図である。
図２９は本実施形態７のメモリーカードの裏返し状態の断面図である。
図３０は本実施形態７のメモリーカードの製造各工程の状態を示す断面図である。
図３１は本実施形態７のメモリーカードの製造においてケースにＣＯＢパッケージを取り付ける状態を示す斜視図である。
図３２は本実施形態７の変形例によるメモリーカードの裏返し状態の断面図である。
図３３は本実施形態７の変形例によるメモリーカードの底面図である。
図３４は本発明の他の実施形態（実施形態８）であるメモリーカードの裏面を示す底面図である。
図３５は本実施形態８のメモリーカードの裏返し状態の断面図である。
図３６は本発明の他の実施形態（実施形態９）であるメモリーカードの裏返し状態の断面図である。
図３７は本実施形態９のメモリーカードの底面図である。
図３８は本実施形態９のメモリーカードの構成部品であるＣＯＢパッケージの製造におけるチップボンディングからワイヤボンディングに至る各工程の状態を示す断面図である。
図３９は本実施形態９のメモリーカードの構成部品であるＣＯＢパッケージの製造におけるトランスファモールドの各段階での状態を示す断面図である。
図４０は本実施形態９のメモリーカードの構成部品であるＣＯＢパッケージの製造におけるマトリックス基板の分断に係わる各段階の状態を示す断面図である。
図４１は本実施形態９のメモリーカードの製造において使用するマトリックス基板の底面図である。
図４２は本実施形態９のメモリーカードの製造においてケースにＣＯＢパッケージを取り付ける状態を示す斜視図である。
図４３は本出願人の提案によるメモリーカードの平面図である。
図４４は図４３のＡ−Ａ線に沿う断面図である。

Claims (22)

1. 第１の面及び前記第１の面の裏面となる第２の面を有するメモリーカードであって、
   主面及び裏面を有する配線基板と、
   前記配線基板の裏面上に形成された複数の外部電極端子と、
   前記配線基板の主面上に形成された複数の配線と、
   前記配線基板の主面上に配置されており、前記複数の配線を介して前記複数の外部接続端子と電気的に接続した半導体素子と、
   前記配線基板の主面上に形成されており、前記半導体素子を被う絶縁性樹脂からなる封止部とを有しており、
   前記複数の外部電極端子及び前記配線基板の裏面は前記メモリーカードの第１の面を構成しており、
   前記封止部は前記メモリーカードの第２の面を構成していることを特徴とするメモリーカード。
2. 前記封止部は、前記複数の配線の上部を被うことを特徴とする請求項１に記載のメモリーカード。
3. 前記半導体素子はコントロールチップとメモリーチップによって構成されることを特徴とする請求項１または２に記載のメモリーカード。
4. 前記半導体素子は、前記配線基板の主面上に配置された第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップの上部に配置された第２の半導体チップとを有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のメモリーカード。
5. 前記配線基板の主面上において、前記半導体素子が固定される素子固定領域は一段窪み、前記窪み底に前記半導体素子が固定されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のメモリーカード。
6. 主面及び裏面を有する配線基板と、
   前記配線基板の裏面上に形成された複数の外部電極端子と、
   前記配線基板の主面上に形成された複数の配線と、
   前記配線基板の主面上に配置されており、前記複数の配線を介して前記複数の外部電極端子と電気的に接続した半導体素子と、
   前記配線基板の主面上に形成されており、前記半導体素子を被う絶縁性樹脂からなる封止部とを有しているメモリーカードであって、
   前記配線基板と前記封止部が接着する界面は、前記メモリーカードの側面に露出していることを特徴とするメモリーカード。
7. 第１の面及び前記第１の面の裏面となる第２の面を有するメモリーカードであって、
   主面及び平坦に形成された裏面を有する配線基板であって、前記配線基板の前記主面及び裏面のいずれか一方に形成された複数の外部電極端子と、前記配線基板の主面上に形成された複数の配線と、を備えた配線基板と、
   前記配線基板の主面上に配置されており、前記複数の配線を介して前記複数の外部電極端子と電気的に接続された半導体素子と、
   前記半導体素子を被い上面が平坦に形成された絶縁性樹脂からなる封止部と、
   を有してなり、
   前記複数の外部電極端子が前記メモリーカードの外部端子を構成し、前記配線基板の平坦に形成された裏面が前記メモリーカードの第１の面を構成し、前記封止部の前記平坦に形成された前記上面が前記メモリーカードの第２の面を構成していることを特徴とするメモリーカード。
8. 第１の面及び前記第１の面の裏面となる第２の面を有するメモリーカードであって、
   主面及び平坦に形成された裏面を有する配線基板であって、前記配線基板の前記主面及び裏面のいずれか一方に配置された複数の外部電極端子と、前記配線基板の主面上に形成 された複数の配線と、を備えた配線基板と、
   前記配線基板の主面側に配置され、半導体素子の電極と対応する前記外部電極端子とがそれぞれ電気的に接続された半導体素子と、
   前記半導体素子及び前記複数の配線を被い上面が平坦に形成された絶縁性樹脂からなる封止部と、
   を有してなり、
   前記配線基板の前記平坦に形成された前記裏面が前記メモリーカードの前記第１の面を構成し、前記封止部の前記平坦に形成された前記上面が前記メモリーカードの前記第２の面を構成し、前記配線基板に配置された前記複数の外部電極端子が前記メモリーカードの外部端子を構成することを特徴とするメモリーカード。
9. 前記配線基板に形成された前記複数の外部電極端子は前記メモリーカードの前記第１の面に露出するように形成されたことを特徴とする請求項７または８に記載のメモリーカード。
10. 前記複数の外部電極端子は前記主面に露出して配置され、前記配線基板には前記主面の前記外部電極端子が露出されていない位置に窪みが設けられ、前記半導体素子は前記窪み内に配置され、前記封止部は前記窪みを埋め該封止部の上面と前記外部電極端子が配置された前記主面部分とが前記第２の面を構成するように平坦に形成されてなることを特徴とする請求項７または８に記載のメモリーカード。
11. 前記配線基板及び封止部の縁には方向性認識部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のメモリーカード。
12. 前記メモリーカードは機器のスロットに着脱可能に挿入されるものであり、
    前記複数の外部電極端子は前記メモリーカードが前記機器のスロット内に挿入されたとき当該スロット内の対応する電極端子と接触するように配置されており、
    前記メモリーカードの前記第１の面及び前記第２の面となる面は前記スロット内に挿入されるとき引っ掛からないように平面に形成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のメモリーカード。
13. 第１の面及び前記第１の面の裏面となる第２の面を有し機器のスロットに着脱可能に挿入して使用されるメモリーカードであって、
    主面及び裏面を有する配線基板であって、前記配線基板の前記主面及び裏面のいずれか一方に形成された複数の外部電極端子と、前記配線基板の主面上に形成された複数の配線と、を備えた配線基板と、
    前記配線基板の主面上に配置されており、前記複数の配線を介して前記複数の外部電極端子と電気的に接続された半導体素子と、
    前記半導体素子を被って形成された絶縁性樹脂からなる封止部と、
    を有してなり、
    前記複数の外部電極端子が前記メモリーカードの外部端子を構成し、前記メモリーカードが前記機器のスロット内に挿入されたとき当該スロット内の電極端子と接触するように配置されており、
    前記配線基板の前記裏面が平面に形成されて前記メモリーカードの第１の面を構成し、前記封止部の前記上面を含む面が平面に形成されて前記メモリーカードの第２の面を構成してなることを特徴とするメモリーカード。
14. 第１の面及び前記第１の面の裏面となる第２の面を有する薄いカード形状のメモリーカードの製造方法であって、
    （ａ）単位基板領域が縦横に整列配置された母基板であって、前記単位基板領域のそれぞれに、主面及び平坦に形成された裏面を有する配線基板となる部材と、前記主面及び裏面のいずれか一方に配置された複数の外部電極端子と、前記主面に配置され対応する前記外部電極端子に電気的に接続された複数の配線と、が形成された母基板を準備する工程と、
    （ｂ）前記単位基板領域のそれぞれにおいて、前記配線基板の前記主面に半導体素子を 固定し、前記半導体素子の電極を対応する前記配線に電気的に接続する工程と、
    （ｃ）前記単位基板領域のそれぞれにおいて、前記半導体素子と前記配線とを覆い上面が平坦に形成された封止部を形成する工程と、
    （ｄ）前記複数の単位基板領域間で前記母基板を切断し、前記切断された単位基板領域のそれぞれに含まれる前記配線基板、前記封止部、前記半導体素子及び前記複数の外部電極端子によって構成される個片部を形成する工程と、
    を含み、
    前記切断された個片部のそれぞれにおいて、
    前記配線基板の前記平坦に形成された裏面が前記メモリーカードの前記第１面を構成し、前記封止部の前記平坦に形成された前記上面が前記メモリーカードの前記第２の面を構成し、前記配線基板に配置された前記複数の外部電極端子が前記メモリーカードの外部端子を構成することを特徴とするメモリーカードの製造方法。
15. 第１の面及び前記第１の面の裏面となる第２の面を有する薄いカード形状のメモリーカードの製造方法であって、
    （ａ）単位基板領域が縦横に整列配置形成された母基板であって、前記各単位基板領域のそれぞれには、主面及び平坦に形成された裏面を有する配線基板となる部材と、前記主面及び裏面のいずれか一方に配置された複数の外部電極端子と、前記主面に設けられた溝と、前記溝の底面に配置され対応する前記外部電極端子に電気的に接続された複数の配線と、を含み、前記溝は前記外部電極端子の配列方向に沿って前記母基板の全長に亘って設けられてなる母基板を用意する工程と、
    （ｂ）前記単位基板領域のそれぞれにおいて、前記溝の底面に１つ又は複数の半導体素子を固定し、前記半導体素子の複数の電極と対応する前記配線を電気的に接続する工程と、
    （ｃ）前記半導体素子及び前記配線を被い前記溝を塞ぐように絶縁性樹脂を埋め込んで平坦な上面を有する封止部を形成する工程と、
    （ｄ）前記単位基板領域間で前記配線基板部材と前記絶縁性樹脂部材を切断し、前記切断された単位基板領域のそれぞれに含まれる前記配線基板、前記封止部、前記半導体素子及び前記複数の外部電極端子によって構成される個片部を形成する工程と、
    を含み、
    前記切断された個片部のそれぞれにおいて、
    前記配線基板の前記平坦に形成された裏面が前記メモリーカードの前記第１面を構成し、前記封止部の前記平坦に形成された前記上面を含む前記配線基板の前記主面が前記メモリーカードの前記第２の面を構成し、前記配線基板に配置された前記複数の外部電極端子が前記メモリーカードの外部端子を構成することを特徴とするメモリーカードの製造方法。
16. 前記単位基板領域のそれぞれにおいて、前記配線基板に形成された前記複数の外部電極端子が前記配線基板の前記裏面に露出して形成されてなり、
    前記切断後の前記個片部のそれぞれにおいて、前記配線基板の裏面に露出して形成された前記複数の外部電極端子が前記メモリーカードの前記第１の面に露出する前記外部端子を構成することを特徴とする請求項１４に記載のメモリーカードの製造方法。
17. 前記単位基板領域のそれぞれにおいて、前記配線基板に形成された前記複数の外部電極端子が前記配線基板の前記主面に露出して形成されてなり、
    前記切断後の前記個片部のそれぞれにおいて、前記配線基板の主面に露出して形成された前記複数の外部電極端子が前記メモリーカードの前記第２の面に露出する前記外部端子を構成することを特徴とする請求項１４に記載のメモリーカードの製造方法。
18. 前記半導体素子は、メモリーチップと、前記メモリーチップを制御するコントロールチップを含むことを特徴とする請求項１４乃至１７のいずれか１項に記載のメモリーカードの製造方法。
19. 前記切断をダイシングで行ない矩形形状の前記個片部を形成することを特徴とする請求項１４乃至１８のいずれか１項に記載のメモリーカードの製造方法。
20. 前記単位基板領域のそれぞれにおいて、前記溝の底面に窪みを設け、この窪み底に前記半導体素子を固定することを特徴とする請求項１５に記載のメモリーカードの製造方法。
21. 前記半導体素子は重ねて固定された複数の半導体チップで構成されてなり、前記積層構造は下段の半導体チップの電極が露出するようにずらして上段の半導体チップを一段以上重ねて固定し、その後、各半導体チップの電極と前記配線を接続手段を介して電気的に接続することを特徴とする請求項１４乃至２０のいずれか１項に記載のメモリーカードの製造方法。
22. 前記メモリーカードは機器のスロットに着脱可能に挿入されるものであり、
    配線基板、前記配線基板の一方の面に配置された複数の外部電極端子、前記配線基板の他方の面に固定された半導体素子、及び前記半導体素子を被う封止部によって構成される個片部の前記複数の外部電極端子は、前記個片部が前記メモリーカードとして前記機器のスロット内に挿入されたとき、当該スロット内の対応する電極端子と接触するように配置されており、
    前記メモリーカードの前記第１の面及び前記第２の面となる前記個片部の面は、前記個片部が前記メモリーカードとして前記スロット内に挿入されるとき引っ掛からないように平面に形成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のメモリーカード。

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