JP4220966B2 - シリコンウエハの２次研磨用スラリー組成物 - Google Patents
シリコンウエハの２次研磨用スラリー組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4220966B2 JP4220966B2 JP2004558503A JP2004558503A JP4220966B2 JP 4220966 B2 JP4220966 B2 JP 4220966B2 JP 2004558503 A JP2004558503 A JP 2004558503A JP 2004558503 A JP2004558503 A JP 2004558503A JP 4220966 B2 JP4220966 B2 JP 4220966B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- slurry composition
- slurry
- secondary polishing
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 46
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 29
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 claims description 12
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 claims description 11
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 10
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 9
- 229920013821 hydroxy alkyl cellulose Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 claims description 5
- 229920003063 hydroxymethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 5
- 229940031574 hydroxymethyl cellulose Drugs 0.000 claims description 5
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 claims description 5
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- RPZANUYHRMRTTE-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trimethoxy-6-(methoxymethyl)-5-[3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxyoxane;1-[[3,4,5-tris(2-hydroxybutoxy)-6-[4,5,6-tris(2-hydroxybutoxy)-2-(2-hydroxybutoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methoxy]butan-2-ol Chemical compound COC1C(OC)C(OC)C(COC)OC1OC1C(OC)C(OC)C(OC)OC1COC.CCC(O)COC1C(OCC(O)CC)C(OCC(O)CC)C(COCC(O)CC)OC1OC1C(OCC(O)CC)C(OCC(O)CC)C(OCC(O)CC)OC1COCC(O)CC RPZANUYHRMRTTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YFOJIPYRRZIXNM-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)CON.O Chemical compound CC(C)(C)CON.O YFOJIPYRRZIXNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XQKOQVGSLKQXQG-UHFFFAOYSA-N CC1(C)CCNCC1.O Chemical compound CC1(C)CCNCC1.O XQKOQVGSLKQXQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims description 2
- 239000001866 hydroxypropyl methyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 229920003088 hydroxypropyl methyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 235000010979 hydroxypropyl methyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N hydroxypropyl methyl cellulose Chemical compound OC1C(O)C(OC)OC(CO)C1OC1C(O)C(O)C(OC2C(C(O)C(OC3C(C(O)C(O)C(CO)O3)O)C(CO)O2)O)C(CO)O1 UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 claims description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims description 2
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 2
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 26
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 abstract description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 24
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- XXMBEHIWODXDTR-UHFFFAOYSA-N 1,2-diaminoethanol Chemical compound NCC(N)O XXMBEHIWODXDTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 239000013538 functional additive Substances 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- KNHNLCHRGUQAAO-UHFFFAOYSA-M tetramethoxyazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CO[N+](OC)(OC)OC KNHNLCHRGUQAAO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
本発明は、シリコンウエハの２次研磨用スラリー組成物に関する。より詳しくは、本発明は、ヒドロキシアルキルセルロース基の水溶性ポリマー増粘剤（thickener）およびポリオキシエチレンアルキルアミン・エーテル基の非イオン性界面活性剤を含むスラリー組成物であって これにより、シリカの分散安定性を向上させてスラリー中の粗大粒子（たとえば、数ミクロンを越える粒径）の数をかなり減少させるスラリー組成物に関する。本発明によるスラリー組成物を用いてＣＭＰプロセスを実行すると、マイクロスクラッチ（微小な引っ掻き傷）の発生を軽減できる。
ＣＭＰ（化学的機械的研磨）プロセスは、ウエハ表面の微小な粗さを低下させてこのウエハ表面を平坦化するために、また、マイクロスクラッチおよびピットマークなどのような物理的表面欠陥を除去するために、シリコンウエハ製造における最終プロセスである。ウエハは、ＣＭＰプロセスで研磨された後に、表面欠陥が低減した鏡面（反射面）を持つ。ウエア表面上に残っているマイクロスクラッチは、回路を実現するためのフォトリソグラフィプロセス中に問題を引き起こす欠陥である。したがって、ＣＭＰプロセス中においてマイクロスラッチの数を減少させることが重要である。
ウエハ研磨用のＣＭＰプロセスは、通常、２つ以上のステップで実行される。１次の研磨ステップは、ウエハ表面の深いスクラッチ（引っ掻き傷）を除去するために、高い研磨速度を必要とする研磨ステップである。２次（最終）の研磨ステップは、１次の研磨ステップの後で残っているマイクロスクラッチを除去し表面の微小粗さを数Åのレベルにまで低下させることによって、鏡面を達成するために必要とされる。
ポリッシャおよび脱イオン水に加えて、ウエハ表面の研磨には次の２つの要素が必要とされる：ソフトまたはハードなウレタン研磨パッドと、研磨溶液としてのシリカスラリーである。ウエハ表面の研磨プロセスを化学的機械的研磨反応に基づいて説明する。研磨パッドは機械的研磨をもたらし、一方、研磨溶液（スラリー）は化学的研磨をもたらす。また、研磨溶液は、研磨パッドによる機械的研磨を支援する役割を果たす。より大きい直径を持つウエハと高品質なウエハとを要求するには、研磨パッドとスラリーとの性能を向上させることが必要である。特に、スラリーが高品質なウエハにとって最終的な調整剤であると考えられているため、さまざまな物理化学的特性を有するスラリー製品が市場で現在利用可能であり、それらの研究が活発に進行中である。
ＣＭＰプロセスで用いられるスラリーは、研削剤と、ｐＨ調整剤としてのベースと、脱イオン水とから一般に成る。加えて、スラリーは、意図される特殊な研磨品質に依存して有機または無機の添加物をさらに含有しても良い。
シリカは主として研削剤として用いられ、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、またはアンモニア水がｐＨ調整剤として通常用いられる。研磨速度、研磨される表面の清浄さ、および研削剤の分散性を増すための添加物の例には、非イオン性界面活性剤、アミンなどのような研磨速度エンハンサー（enhancer）がある。
それぞれのＣＭＰプロセスの特徴により、さまざまなスラリーを用いるのが普通である。それぞれのステップの特徴を増大させるために、１次の研磨用スラリーと２次の研磨用スラリーとは物理的特性を異にしている。研磨速度を増大するための第１の研磨用スラリーは、大きい粒径（８０〜１２０ｎｍ）と高濃度（２〜３０重量％）とを有する研削剤から成り、ｐＨ１１〜１２に調整され、それにより機械的および化学的な研磨力を向上させる。他方、研磨速度を増大する代わりに、表面欠陥を除去するための第２の研磨用スラリーは、小さい粒径（１０〜８０ｎｍ）と低密度（０．２〜１０重量％）とを有する研削剤から成り、それにより機械的研磨の効果を減少させるが、化学的研磨の効果は向上させる。さまざまな機能的な添加物が、平滑な鏡面を実現するために、２次の研磨用スラリーにさらに付加されても良い。
Trednnickら（米国特許第３，７１５，８４２号）は、粒径１００ｎｍ未満のシリカ粒子を水の中に分散させるステップと、０．０５重量％以上のアンモニアを分散液に添加してｐＨを７以上に調整するステップと、０．０５〜２．５重量％のヒドロキシメチルセルロース（ＨＭＣ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、およびヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）をそれらに添加してシリカ粒子の析出を防止するとともにスクラッチを減少させるステップとから成る最終研磨用スラリーの生成方法を開示している。
Payneら（米国特許第４，１６９，３３７号、第４，４６２，１８８号、および第４，５８８，４２１号）は、粒径４〜１００ｎｍのシリカ粒子と、アミノエタノールアミンまたはエチレンジアミンから選択された２〜４重量％のアミン、または、塩化テトラメチルアンモニウムまたは水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）から選択された２〜４重量％の第４アンモニウム塩とから成り研磨速度を増加させる組成物を記載している。
Sasakiら（米国特許第５，３５２，２７７号）は、コロイド状シリカ、水溶性ポリマー、および水溶性塩から成る研磨用スラリーを提案している。このコロイド状シリカは、粒径５〜５００ｎｍで２０〜５０重量％のシリカから成り、水溶性ポリマーは約１００ｐｐｍの濃度で存在しており、水溶性塩は約２０〜１００ｐｐｍの濃度で存在しＮａ、Ｋ、およびＮＨ４から選択された陽イオン(cation)とＣｌ、Ｆ、ＮＯ３、およびＣｌＯ４から選択された陰イオン(anion)とから成る。このスラリーは、５ｎｍ未満の低表面粗を有するソフトな表面を実現することが可能である。
Lonckiら（ＷＯ９６／３８２６２）は、粒径数百ナノメートル以下で０．２〜０．５重量％のシリカと、０．０１〜０．１重量％のアミンと、０．０２〜０．０５重量％のＰＶＡ（ポリビニルアルコール）とから成るシリコンウエハを最終研磨するためのスラリー組成物を提案している。このアミンは、スラリーのｐＨをｐＨ８〜１１に調整するために用いられる。１５０ｍｍウエハがこのスラリーを用いて研磨されると、ヘイズ(haze)が０．０６ｐｐｍであり、０．１〜０．３ミクロンのサイズのＬＰＤ（線点欠陥）が９０未満であることが観察されている。しかしながら、この国際公開公報では他の欠陥については何も教示していない。
Inoueらの日本国特許出願第２０００−６３２７号は、２次の研磨すなわち最終研磨用の組成物を開示している。その組成物中では、粒径２０〜３００ｎｍのシリカが研削剤として使用され、０．００１〜０．３重量％のＴＭＡＨがベースとして使用されている。加えて、その特許出願は、研磨されたウエハの表面親水性を向上させるために、分子量１３０００００以上のヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）を添加することを開示している。しかしながら、得られる組成物は、通常の研磨用スラリーの場合と比較して満足すべきものではない。
最近、微小粗さおよび凹んだマイクロスクラッチ、さらにヘイズやＬＰＤ（低点欠陥）などのような表面欠陥を考慮すると、高品質スラリーの必要性がある。特に、凹んだマイクロスクラッチは、研磨用スラリーによるアンバランスな化学的研磨により発生する傾向があるため、スラリーを混合している際にはかなりの注意が必要である。
本発明者は、熱心に研究し、研削剤としてのシリカの分散安定性を増大させて凹んだマイクロスクラッチに対する研磨品質を向上させることができるとともに、組成物中のシリカ粒子の量を減少させて製造コストを軽減させることができるスラリー組成物を見出した。その結果、本発明者は、低濃度のシリカと高分散性とを持つスラリー組成物を発見した。
本発明によれば、研削剤として平均粒径３０〜８０ｎｍで２〜１０重量％のコロイド状シリカと、０．５〜１．５重量％のアンモニアと、０．２〜1重量％のヒドロキシアルキルセルロース基の水溶性ポリマー増粘剤と、０．０３〜０．５重量％のポリオキシエチレンアルキルアミン・エーテル基の非イオン性界面活性剤と、０．０１〜１重量％の第４アンモニウムベースと、脱イオン水のバランスとから成る半導体ウエハの２次研磨用のスラリー組成物が提供される。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明によるスラリー組成物は、脱イオン水と、シリカ研削剤と、アンモニアと、ヒドロキシアルキルセルロース基の水溶性ポリマー増粘剤と、ポリオキシエチンアルキルアミン・エーテル基の非イオン性界面活性剤と、第４アンモニウムベースとから成る。
機械的研磨の効果を軽減するために、平均粒子直径３０〜８０ｎｍのコロイド状シリカがシリカ研削剤として用いられる。平均粒子直径が３０ｎｍ未満である場合には、十分な機械的研磨の効果が得られず、また、研磨中にシリキサン置換基などのような研磨残留物により粒子が不安定になる危険がある。研磨残留物によるシリカ粒子の不安定さが、ウエハの表面上にＬＰＤ（低点欠陥）を残すことになり、それがウエハの品質を下げる原因となる。平均粒子直径が８０ｎｍを超える場合には、研磨速度は高くなるが、ウエハの表面または表面下への損傷が発生し、これは最終研磨用スラリーにとって不適切である。
特に、高い研磨品質の点から見ると、コロイド状シリカの第１の粒子直径が３５〜５０ｎｍの範囲内であり、コロイド状シリカの第２の粒子直径が６０〜８０ｎｍの範囲内であることが好ましい。アグロメレート比(agglomerate ratio)、すなわち、第２の粒子直径に対する第１の粒子直径の比が１．６〜１．８の間にあると、上記の効果を得ることが可能になる。
組成物中のシリカの濃度は、２〜１０重量％の範囲内であれば好ましく、４〜６重量％の範囲内であればより好ましい。比較的大きい直径の第２の粒子が研磨速度を増大させるので、シリカは低濃度に保たれて最終研磨速度が０．５〜１μｍ／分に調整される。加えて、シリカの低濃度によりシリカの分散安定性と保管安定性とが向上される。このシリカの分散安定性によってスラリー内部での粗い不純物の形成が防止され、それにより、スクラッチ、特にサブミロンのスクラッチの発生が低減され、従って、研磨品質が向上される。
弱いベースであるアンモニアがｐＨ調整剤として用いられている。加えて、アンモニアは、シリカの化学的分散性を増加させるように、および、ＣＭＰプロセス中に化学的研磨作用を支援するように機能する。このアンモニアは、０．５〜１．５重量％のアンモニアに添加されて、スラリーのｐＨを１０．４〜１０．７に調整する。
水溶性ポリマー増粘剤は、シリカ粒子の分散安定性をさらに増加させるために添加される。水溶性ポリマー増粘剤として、水溶性のヒドロキシアルキルセルロース基の化合物が用いられる。ヒドロキシアルキルセルロース基の化合物の例には、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシブチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、親油変性された(lipophilically-modified)ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、およびメチルセルロースなどが含まれる。
ヒドロキシアルキルセルロース基の化合物は、高温でも安定であり、５０℃以上の曇り点(clouding point)を有することが好ましい。上記を考慮して、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、およびヒドロキシメチルセルロースを用いるのが望ましい。このようなヒドロキシアルキルセルロース基の化合物は、層流を形成しスラリーの粘性を７〜８０ｃＰ、望ましくは２０〜８０ｃＰ、より望ましくは３０〜７０ｃＰに保つように、１０００００〜１５０００００の重量平均分子量を有する。添加されるポリマー増粘剤の量は０．２〜１重量％の範囲内である。
ヒドロキシアルキルセルロース基の化合物は、３次元網目状を形成し、シリカのアグロメレーションまたは沈殿を遅らせるので、シリカの分散安定性が向上される。加えて、ヒドロキシアルキルセルロース基の化合物は、シリカ研削剤が正規の方位でウエハ表面と接触するのを可能にしているので、ソフトなウエハ鏡面を実現するのに重要な役割を果たしている。
シリカと増粘剤との間の分散相中で増粘剤の網目状分散相とシリカの均一分散相とを実現し長時間に渡ってそのような分散相を維持するために、特殊な物理的または化学的処理が必要とされる。この目的のため、ポリオキシエチレンアルキルアミン・エーテル基の非イオン性界面活性剤が添加され、次に、得られた混合物が高いせん断応力下で機械的均一化され、それにより、シリカスラリー組成物の分散安定性がかなり向上される。
ポリオキシエチレンアルキルアミン・エーテル基の非イオン性界面活性剤は次の式１で表される：
ＲＮ（Ｒ′Ｏ）ｍ（Ｒ″Ｏ）ｎ （１）
ここに、Ｒは１〜３個の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｒ′とＲ″はそれぞれ独立してエチレン基またはイソプロピレン基であり、ｍとｎはそれぞれ独立して１０〜８０の整数であり、ｍ＋ｎは２０〜９０の範囲内である。
ＲＮ（Ｒ′Ｏ）ｍ（Ｒ″Ｏ）ｎ （１）
ここに、Ｒは１〜３個の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｒ′とＲ″はそれぞれ独立してエチレン基またはイソプロピレン基であり、ｍとｎはそれぞれ独立して１０〜８０の整数であり、ｍ＋ｎは２０〜９０の範囲内である。
ｍ＋ｎは、オキシエチレン・モノマーとオキシイソプロピレン・モノマーとの添加モル数のことであり、２５〜５０モルの範囲内であることが望ましく、３０〜４０モルの範囲内にあればより望ましい。ｍ＋ｎが２０未満であると、非イオン性界面活性剤は、増粘剤および組成物の分散性を向上させる効果はない。ｍ＋ｎが９０を超えると、発泡性が増し、組成物の加工性の劣化をもたらし、組成物の高い粘性をもたらす。
ポリオキシエチレンアルキルアミン・エーテル基の非イオン性界面活性剤が、組成物の総重量に基づいて、総量０．０３〜０．５重量％の中で用いられる。ポリオキシエチレンアルキルアミン・エーテルの量が０．０３重量％未満であると、十分な分散効果が得られない。ポリオキシエチレンアルキルアミン・エーテルの量が０．５重量％を超えると、分散安定性が劣化する。
研磨速度を増大するために、１〜４個のアルキル基を持つ第４アンモニウムベースを研磨構成要素に添加することは有利である。第４アンモニウムベースの具体的な例には、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化トリメチルエトキシルアンモニウム、および水酸化Ｎ、Ｎジメチルピペリジンがある。
添加された第４アンモニウムベースの量は０．０１〜１重量％の範囲内であり、好適には最終組成物のｐＨ値を１０．４〜１０．７に調整できるように０．０５〜０．７重量％の範囲内である。
本発明のスラリー組成物では、シリカ粒子の分散安定性が向上され、粗い粒子の形成が防止される。したがって、ウエハ表面が本発明によるスラリー組成物によって最終研磨されると、凹んだマイクロスクラッチとエリアスクラッチとが減少される。
本発明は以下の例を参照して以下にさらに詳しく説明される。しかしながら、この例は本発明の範囲を制限するものと見なすべきではない。
以下の例では、Ｒｏｄｅｌ２３７１が１次の研磨用に用いられ、本発明のスラリーは２次の研磨および３次の研磨のために用いられた。それぞれの研磨後に、研磨された表面が比較された。研磨された表面はSURFSCAN SP-1（KLA-TENCOR）を使って分析された。０．１ミクロン以上のサイズの凹んだマイクロスクラッチとエリアスクラッチ(area scratch)とが、研磨された表面上のＬＰＤ数とエリア欠陥数とによってそれぞれ測定された。
［研磨条件］
ポリッシャ：STRAUGHBAUGH MARK9K
テーブル速度：５０ｒｐｍ
ヘッド速度：３０ｒｐｍ
スラリーの流量：０．５Ｌ／分
圧力：５ｐｓｉ
実施例１
第１の平均粒子直径４０ｎｍと第２の平均粒子直径７０ｎｍとを有するコロイド状シリカが脱イオン水中で希釈され、（最終組成物に基づいて）６重量％のシリカ含有量が獲得され、次に、それにアンモニアが、（最終組成物に基づいて）総量１重量％中で添加されｐＨ値が１０．３〜１０．５に調整された。水酸化テトラメトキシアンモニウムが、第４アンモニウムベースとして、（最終組成物に基づいて）総量０．０８重量％中で用いられ、ｐＨ値が１０．５〜１０．６に調整された。平均分子量５０００００のヒドロキシエチルセルロースが、増粘剤として、（最終組成物に基づいて）総量０．６重量％中で添加され、３０モルのオキシエチレン・モノマーを含有するトリポリオキシエチレンアミン・エーテルが総量０．１重量％中で混合された。結果として得られた混合物は、ホモジナイザ（IKA製）を用いて２０００ｒｐｍで攪拌され、粘性７０ｃＰのスラリー組成物が調製された。
ポリッシャ：STRAUGHBAUGH MARK9K
テーブル速度：５０ｒｐｍ
ヘッド速度：３０ｒｐｍ
スラリーの流量：０．５Ｌ／分
圧力：５ｐｓｉ
実施例１
第１の平均粒子直径４０ｎｍと第２の平均粒子直径７０ｎｍとを有するコロイド状シリカが脱イオン水中で希釈され、（最終組成物に基づいて）６重量％のシリカ含有量が獲得され、次に、それにアンモニアが、（最終組成物に基づいて）総量１重量％中で添加されｐＨ値が１０．３〜１０．５に調整された。水酸化テトラメトキシアンモニウムが、第４アンモニウムベースとして、（最終組成物に基づいて）総量０．０８重量％中で用いられ、ｐＨ値が１０．５〜１０．６に調整された。平均分子量５０００００のヒドロキシエチルセルロースが、増粘剤として、（最終組成物に基づいて）総量０．６重量％中で添加され、３０モルのオキシエチレン・モノマーを含有するトリポリオキシエチレンアミン・エーテルが総量０．１重量％中で混合された。結果として得られた混合物は、ホモジナイザ（IKA製）を用いて２０００ｒｐｍで攪拌され、粘性７０ｃＰのスラリー組成物が調製された。
結果として得られたスラリー組成物は脱イオン水で１０倍に希釈され、次に、２次の研磨用スラリーおよび最終研磨用スラリーとして用いられた。その希釈されたスラリーは、ハードなウレタン研磨パッドを備えたマルチヘッドポリッシャ（Speedfam社製）を用いて（１００）方位を有するｐ型の２００ｍｍの平坦ウエハを研磨するために、利用された。２０枚のウエハの表面上のスクラッチがＳＰ１（KLA-Tencor社）を用いて分析された。０．１ミクロン以上のサイズの凹んだマイクロスクラッチとエリアスクラッチとが、研磨されたウエハの表面上のＬＰＤ数とエリア欠陥数とによってそれぞれ測定された。平均で３個のＬＰＤと２個のエリア欠陥とが観察された。
比較例１
比較例１のスラリー組成物は、トリポリオキシエチレンアミン・エーテルが添加されないことを除いて、実施例１と同じように調製された。得られたスラリー組成物の凹んだマイクロスクラッチとエリアスクラッチとが実施例１と同様に測定された。平均で１０個のＬＰＤと１０個のエリア欠陥とが観察された。
比較例１のスラリー組成物は、トリポリオキシエチレンアミン・エーテルが添加されないことを除いて、実施例１と同じように調製された。得られたスラリー組成物の凹んだマイクロスクラッチとエリアスクラッチとが実施例１と同様に測定された。平均で１０個のＬＰＤと１０個のエリア欠陥とが観察された。
実施例２
スラリー組成物は、コロイド状シリカの第１および第２の粒子直径が表１に示すように変更されたことを除いて、実施例１と同じように調製され評価された。その結果が表１に示されている。
スラリー組成物は、コロイド状シリカの第１および第２の粒子直径が表１に示すように変更されたことを除いて、実施例１と同じように調製され評価された。その結果が表１に示されている。
実施例３
スラリー組成物は、ポリオキシエチレンアルキルアミン・エーテルに添加されるオキシエチレン・モノマーの量が表２に示すように変更されたことを除いて、実施例１と同様に調製され評価された。その結果が表2に示されている。
比較例２
表３に示すさまざまな第１の粒子直径、第２の粒子直径、および粘性を有するが、シリカ含有量（６重量％）とｐＨ（１０．７）とが同じである市販のスラリーは、脱イオン水で１０倍に希釈された。スラリーの研磨手順は実施例１と同様に実行された。その結果が下の表３に示されている。
表３に示すさまざまな第１の粒子直径、第２の粒子直径、および粘性を有するが、シリカ含有量（６重量％）とｐＨ（１０．７）とが同じである市販のスラリーは、脱イオン水で１０倍に希釈された。スラリーの研磨手順は実施例１と同様に実行された。その結果が下の表３に示されている。
本発明の好適な実施の形態が説明のために開示されたが、添付された請求項で開示された本発明の範囲および趣旨から逸脱することなくさまざまな変更、追加、および置換が可能であることが当業者には理解される。
Claims (4)
- 研削剤としての第１の粒子直径３５〜５０ｎｍと第２の粒子直径６０〜８０ｎｍとを有する２〜１０重量％のコロイド状シリカと、０．５〜１．５重量％のアンモニアと、０．２〜１重量％のヒドロキシアルキルセルロース基の水溶性ポリマー増粘剤と、０．０３〜０．５重量％の次の式（１）によって示されるポリオキシエチレンアルキルアミン・エーテル基の非イオン性界面活性剤と、０．０１〜１重量％の第４アンモニウムベースと、残量として脱イオン水とを含有することを特徴とする半導体ウエハの２次研磨用スラリー組成物。
ＲＮ（Ｒ′Ｏ） ｍ （Ｒ″Ｏ） ｎ （１）
ここに、Ｒは１〜３個の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｒ′とＲ″はそれぞれ独立してエチレン基またはイソプロピレン基であり、ｍとｎはそれぞれ独立して１０〜８０の整数であり、ｍ＋ｎは２０〜９０の範囲内である。 - 請求項１に記載の半導体ウエハの２次研磨用スラリー組成物において、
前記水溶性ポリマー増粘剤は、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシブチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、親油変性されたヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、およびメチルセルロースから成るグループから選択された材料であり、重量平均分子量１０００００〜１５０００００を有することを特徴とする半導体ウエハの２次研磨用スラリー組成物。 - 請求項１に記載の半導体ウエハの２次研磨用スラリー組成物において、
前記水溶性ポリマー増粘剤が、前記スラリーの粘性を７〜８０ｃＰに調整するために含有されていることを特徴とする半導体ウエハの２次研磨用スラリー組成物。 - 請求項１に記載の半導体ウエハの２次研磨用スラリー組成物において、
前記第４アンモニウムベースが、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化トリメチルエトキシルアンモニウム、および水酸化Ｎ、Ｎジメチルピペリジンから成るグループから選択された材料であることを特徴とする半導体ウエハの２次研磨用スラリー組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0077860A KR100516886B1 (ko) | 2002-12-09 | 2002-12-09 | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 |
| PCT/KR2003/001532 WO2004053968A1 (en) | 2002-12-09 | 2003-07-30 | Slurry composition for secondary polishing of silicon wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006509364A JP2006509364A (ja) | 2006-03-16 |
| JP4220966B2 true JP4220966B2 (ja) | 2009-02-04 |
Family
ID=36165413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004558503A Expired - Lifetime JP4220966B2 (ja) | 2002-12-09 | 2003-07-30 | シリコンウエハの２次研磨用スラリー組成物 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7534277B2 (ja) |
| EP (1) | EP1570512B1 (ja) |
| JP (1) | JP4220966B2 (ja) |
| KR (1) | KR100516886B1 (ja) |
| CN (1) | CN100490082C (ja) |
| AT (1) | ATE455160T1 (ja) |
| DE (1) | DE60330994D1 (ja) |
| TW (1) | TWI243849B (ja) |
| WO (1) | WO2004053968A1 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100516884B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-09-23 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 |
| KR100497412B1 (ko) * | 2002-12-12 | 2005-06-28 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 |
| US7799141B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-09-21 | Lam Research Corporation | Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound |
| KR100645307B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2006-11-14 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼용 경면 연마 슬러리 조성물 |
| TWI324797B (en) | 2005-04-05 | 2010-05-11 | Lam Res Corp | Method for removing particles from a surface |
| KR100643628B1 (ko) * | 2005-11-04 | 2006-11-10 | 제일모직주식회사 | 다결정 실리콘 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이의 제조방법 |
| KR100754807B1 (ko) | 2005-12-23 | 2007-09-03 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한연마방법 |
| JP2007235036A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエハの親水化処理方法及びそれに用いる親水化処理剤 |
| CN100383209C (zh) * | 2006-05-31 | 2008-04-23 | 河北工业大学 | 用于硼酸锂铯晶体的化学机械无水抛光液及平整化方法 |
| JP5335183B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2013-11-06 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| JP5204960B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2013-06-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| KR100827591B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2008-05-07 | 제일모직주식회사 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 및 그 전구체 조성물 |
| CN101195729A (zh) * | 2006-12-08 | 2008-06-11 | 安集微电子（上海）有限公司 | 非离子型聚合物在自停止多晶硅抛光液制备及使用中的应用 |
| US20090001339A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Tae Young Lee | Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same |
| JP2009146998A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN102084465A (zh) * | 2008-02-01 | 2011-06-01 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物以及使用其的研磨方法 |
| JP5220428B2 (ja) | 2008-02-01 | 2013-06-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物を用いた研磨方法 |
| JP5474400B2 (ja) | 2008-07-03 | 2014-04-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
| US8974691B2 (en) * | 2010-09-24 | 2015-03-10 | Fujimi Incorporated | Composition for polishing and composition for rinsing |
| WO2012063757A1 (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-18 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた半導体基板の研磨方法 |
| TWI593864B (zh) * | 2011-11-11 | 2017-08-01 | Sumco Corp | Semiconductor manufacturing plant |
| TWI456013B (zh) * | 2012-04-10 | 2014-10-11 | Uwiz Technology Co Ltd | 研磨液組成物 |
| CN102766408B (zh) * | 2012-06-28 | 2014-05-28 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液及其制备方法 |
| JP5460827B2 (ja) * | 2012-11-14 | 2014-04-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウエハの製造方法 |
| US9281210B2 (en) * | 2013-10-10 | 2016-03-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Wet-process ceria compositions for polishing substrates, and methods related thereto |
| JP6314019B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-04-18 | ニッタ・ハース株式会社 | 半導体基板の研磨方法 |
| JP6259723B2 (ja) | 2014-06-18 | 2018-01-10 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウェーハの研磨方法、研磨用組成物および研磨用組成物セット |
| CN105448689B (zh) * | 2014-08-07 | 2018-09-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件的制造方法和电子装置 |
| JP6206360B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2017-10-04 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法 |
| TWI595081B (zh) * | 2016-04-29 | 2017-08-11 | 臺灣永光化學工業股份有限公司 | 用於拋光藍寶石基板之研磨組成物和拋光藍寶石基板之方法 |
| CN107398780B (zh) * | 2016-05-18 | 2020-03-31 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种晶圆的双面抛光方法 |
| CN109971358A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| EP4119292A4 (en) * | 2020-03-13 | 2024-02-07 | Fujimi Inc | POLISHING COMPOSITION AND POLISHING METHOD |
| CN115662877B (zh) * | 2022-09-08 | 2023-08-04 | 东海县太阳光新能源有限公司 | 一种单晶硅表面清洗方法 |
| CN115851138A (zh) * | 2022-12-23 | 2023-03-28 | 博力思(天津)电子科技有限公司 | 一种可减少硅片表面颗粒沾污的硅精抛液 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3715842A (en) * | 1970-07-02 | 1973-02-13 | Tizon Chem Corp | Silica polishing compositions having a reduced tendency to scratch silicon and germanium surfaces |
| US4169337A (en) * | 1978-03-30 | 1979-10-02 | Nalco Chemical Company | Process for polishing semi-conductor materials |
| US4462188A (en) * | 1982-06-21 | 1984-07-31 | Nalco Chemical Company | Silica sol compositions for polishing silicon wafers |
| US4588421A (en) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Nalco Chemical Company | Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers |
| US4885565A (en) * | 1988-06-01 | 1989-12-05 | General Motors Corporation | Touchscreen CRT with tactile feedback |
| US5352277A (en) * | 1988-12-12 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Final polishing composition |
| DE4034112A1 (de) * | 1990-10-26 | 1992-04-30 | Bosch Gmbh Robert | Blockiergeschuetzte hydraulische mehrkreis-bremsanlage, insbesondere fuer kraftfahrzeuge |
| WO1996038262A1 (en) | 1995-06-01 | 1996-12-05 | Rodel, Inc. | Compositions for polishing silicon wafers and methods |
| US5887995A (en) * | 1997-09-23 | 1999-03-30 | Compaq Computer Corporation | Touchpad overlay with tactile response |
| JP3810588B2 (ja) * | 1998-06-22 | 2006-08-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US6429846B2 (en) * | 1998-06-23 | 2002-08-06 | Immersion Corporation | Haptic feedback for touchpads and other touch controls |
| JP2000006327A (ja) | 1998-06-23 | 2000-01-11 | Mitsubishi Chem Mkv Co | 積層体 |
| US6676492B2 (en) * | 1998-12-15 | 2004-01-13 | Chou H. Li | Chemical mechanical polishing |
| US6276996B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
| WO2000039843A1 (fr) * | 1998-12-25 | 2000-07-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasif cmp, additif liquide pour abrasif cmp et procede de polissage de substrat |
| KR100289150B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2001-05-02 | 이병구 | 실리콘웨이퍼의최종연마용슬러리 |
| KR100699735B1 (ko) | 1999-11-04 | 2007-03-27 | 세이미 케미칼 가부시끼가이샤 | 펩티드를 함유한 반도체용 연마제 |
| JP3768401B2 (ja) * | 2000-11-24 | 2006-04-19 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 化学的機械的研磨用スラリー |
| KR100363557B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2002-12-05 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 및 이를 이용한 경면연마 방법 |
| JP4025953B2 (ja) * | 2001-01-05 | 2007-12-26 | 荒川化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| US6685757B2 (en) * | 2002-02-21 | 2004-02-03 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing composition |
| CN1665902A (zh) * | 2002-06-07 | 2005-09-07 | 昭和电工株式会社 | 金属抛光组合物,使用组合物进行抛光的方法以及使用抛光方法来生产晶片的方法 |
| KR100516884B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-09-23 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 |
-
2002
- 2002-12-09 KR KR10-2002-0077860A patent/KR100516886B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-07-30 JP JP2004558503A patent/JP4220966B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-30 CN CNB038255340A patent/CN100490082C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-30 DE DE60330994T patent/DE60330994D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-30 WO PCT/KR2003/001532 patent/WO2004053968A1/en active Application Filing
- 2003-07-30 EP EP03812702A patent/EP1570512B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-30 AT AT03812702T patent/ATE455160T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-07-30 US US10/531,125 patent/US7534277B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-09 TW TW092134627A patent/TWI243849B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1714432A (zh) | 2005-12-28 |
| TW200415233A (en) | 2004-08-16 |
| EP1570512A1 (en) | 2005-09-07 |
| TWI243849B (en) | 2005-11-21 |
| ATE455160T1 (de) | 2010-01-15 |
| EP1570512B1 (en) | 2010-01-13 |
| CN100490082C (zh) | 2009-05-20 |
| US7534277B2 (en) | 2009-05-19 |
| DE60330994D1 (de) | 2010-03-04 |
| US20060242912A1 (en) | 2006-11-02 |
| WO2004053968A1 (en) | 2004-06-24 |
| KR100516886B1 (ko) | 2005-09-23 |
| EP1570512A4 (en) | 2007-05-09 |
| KR20040050726A (ko) | 2004-06-17 |
| JP2006509364A (ja) | 2006-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4220966B2 (ja) | シリコンウエハの２次研磨用スラリー組成物 | |
| KR100662546B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 표면 품질을 개선하는 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 | |
| TWI406917B (zh) | 用於最後拋光矽晶圓之漿體組成物以及使用該組成物最後拋光矽晶圓之方法 | |
| EP0962508B1 (en) | Use of a wafer edge polishing composition | |
| JP6360311B2 (ja) | 研磨用組成物およびその製造方法 | |
| TW201518488A (zh) | 研磨用組成物及其製造方法 | |
| JP2003347247A (ja) | 半導体絶縁膜用ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 | |
| KR100289150B1 (ko) | 실리콘웨이퍼의최종연마용슬러리 | |
| JP4430331B2 (ja) | 半導体ウェハ研磨用組成物 | |
| KR100516884B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 | |
| JPWO2005029563A1 (ja) | シリコンウエハ研磨用組成物および研磨方法 | |
| KR100645307B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼용 경면 연마 슬러리 조성물 | |
| JP2003158101A (ja) | Ｃｍｐ研磨剤及び製造方法 | |
| KR100558259B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 경면연마용 슬러리 조성물 | |
| KR20040057045A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 | |
| KR100754807B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한연마방법 | |
| JP2003347246A (ja) | 半導体絶縁膜用ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 | |
| JP2003347245A (ja) | 半導体絶縁膜用ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 | |
| Bae et al. | Performance of Polishing Slurries containing Silica Particles grown by Sol-Gel Method | |
| KR20170117276A (ko) | 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물과 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080226 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080523 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080530 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080625 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081028 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081114 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4220966 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111121 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121121 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131121 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |