CN100490082C - 用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物 - Google Patents
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Abstract
公开了一种用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物，它含有2～10wt%平均颗粒直径为30～80nm的胶态二氧化硅、0.5～1.5wt%的氨、0.2～1wt%的水合烷基纤维素基聚合物用于调节组合物的流变、0.03～0.5wt%的聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂、0.01～1wt%的季铵碱和余量为去离子水。
Description
技术领域
本发明涉及硅晶片二次抛光的淤浆组合物。特别地，本发明涉及这样一种淤浆组合物，它含有羟烷基纤维素基水溶聚合物增稠剂和聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂，从而改善二氧化硅的分散稳定性，并因而显著减少尺寸大小为数微米且存在于该淤浆中的粗颗粒数目。当CMP工艺是通过使用这种淤浆组合物实施时，微小划痕的发生就可得到降低。
背景技术
为了降低晶片表面的微小粗糙度使其表面平滑，并除去包括微小划痕在内的物理表面缺陷，CMP(化学机械抛光)工艺是硅晶片生产中的最后工艺。在晶片经CMP工艺抛光后，它们拥有低表面缺陷的镜面表面。留在晶片表面上的微小划痕是缺陷，它们在形成电路的光刻工艺过程中会引起问题。因此，减少在CMP工艺过程中的微小划痕数目是非常重要的。
用于抛光晶片的CMP工艺由下述两个步骤组成：要求很高抛光速度以除去晶片表面上深划痕的初级抛光步骤、和通过除去初级抛光步骤后留下的微小划痕并降低表面微小粗糙度到数
水平用于实现镜面表面的二次(最终)抛光步骤。
除了抛光机和去离子水之外，需要下述两种部件用来抛光晶片表面：软的或硬的聚氨酯抛光布、和作为抛光溶液的二氧化硅淤浆。晶片表面抛光工艺可基于化学机械抛光作用得到说明。抛光布负责机械抛光，而抛光溶液(淤浆)负责化学抛光。抛光溶液还起着辅助由抛光布进行的机械抛光的作用。对于很大直径晶片和很高质量晶片的需求，要求所述抛光布和所述淤浆具有改善的性能。特别地，由于所述淤浆被认为是高质量晶片的最终调节剂，所以，具有不同物理化学性能的淤浆产品现在在市场上是商业可得的，而且有关它们的研究正处于活跃进行之中。
CMP工艺中所用淤浆通常由研磨剂、作为pH调节剂的碱和去离子水组成。另外，所述淤浆还可含有一种有机或无机添加剂，视具体想要的抛光效率而定。
二氧化硅主要用作研磨剂，氢氧化钾、氢氧化钠、或氨水经常用作所述pH调节剂。用于提高抛光速度、改善待抛光表面的清洁度和更好地分散研磨剂的添加剂实例，包括非离子表面活性剂、抛光速度促进剂如胺等。
通常根据每种CMP工艺的特点，采用不同的淤浆。为了提高每个步骤的特点，所述初级抛光淤浆和二次抛光淤浆具有不同的物理性质。用于提高抛光速度的第一抛光淤浆含有一种具有大颗粒尺寸(80～120nm)和高浓度(2～30wt％)的研磨剂，并被调节到pH11～12，从而改善机械和化学抛光力。另一方面，用于除去表面缺陷而不是提高抛光速度的第二抛光淤浆，含有一种具有小颗粒尺寸(10～80nm)和高浓度(0.2～10wt％)的研磨剂，从而降低机械抛光作用但提高化学抛光作用。还可添加多种不同的功能添加剂，用于实现平滑的镜面表面。
Trednnick等人公开了一种用于制备最终抛光淤浆的方法，它包括在水中分散尺寸不大于100nm的二氧化硅颗粒、添加0.05wt％或更大浓度的氨到该分散液中以调节pH值到7或更高、和向其中添加0.05～2.5wt％羟甲基纤维素(HMC)、羟乙基纤维素(HEC)和羟丙基纤维素(HPC)，从而防止二氧化硅颗粒的沉淀并减少划痕(参见US3,715,842)。
Payne等人(US4,169,337、US4,462,188和US4,588,421)报导了一种用于提高抛光速度的组合物，它含有一种尺寸为4～100nm的颗粒、和2～4wt％选自氨基乙醇胺和乙二胺的胺或2～4wt％选自氯化四甲基铵或氢氧化四甲基铵(TMAH)的季铵盐。
Sasaki等人(US5,352,277)建议了一种淤浆，它含有胶态二氧化硅、水溶聚合物和水溶盐，该胶态二氧化硅含有20～50wt％颗粒尺寸为5～500nm的二氧化硅，该水溶聚合物以约100ppm浓度存在，且该水溶盐以约20～100ppm浓度存在并由一种选自Na、K和NH4的阳离子和一种选自Cl、F、NO3和ClO4的阴离子构成。这种淤浆可实现具有低于5nm的低表面粗糙度的软表面。
Loncki等人(WO96/38262)建议了一种用于硅晶片最终抛光的淤浆组合物，它含有0.2～0.5wt％颗粒尺寸为数百纳米或更低的二氧化硅、0.01～0.1wt％的胺、和0.02～0.05wt％的PVA(聚乙烯醇)。所述胺用来保持该淤浆pH值在pH8～11。已经观察到，当一个150mm晶片使用这种淤浆被抛光时，混浊度为0.06ppm，具有0.1～0.3微米尺寸的LPD(线点缺陷)平均数目不大于90。但是，在此出版物中没有对其它缺陷作详细描述。
Inoue等人的日本专利申请2000-6327公开了一种用于二次或最终抛光的组合物。在这种组合物中，使用颗粒尺寸为20～300nm的二氧化硅作为研磨剂，使用0.001～0.3wt％的TMAH作为碱。而且，这篇专利申请提及添加具有分子量为1,300,000或更大的羟乙基纤维素(HEC)，以改善被抛光晶片的表面亲水性。但是，该组合物几乎与常用的那些抛光淤浆是相同的。
最近，考虑到微小粗糙度和凹陷的微小划痕、以及如混浊度和LPD(低点缺陷)之类的表面缺陷，人们需要高质量的淤浆。特别地，由于凹陷的微小划痕易于因淤浆进行的不平衡化学抛光而出现，所以，在混合该淤浆过程中需要特别小心。
本发明人已经进行了细致的研究，以开发含有低浓度二氧化硅的淤浆组合物，它能提高作为研磨剂的二氧化硅分散稳定性，以改善对凹陷的微小划痕的抛光效率，并能减少二氧化硅颗粒的数量，以降低生产成本，从而实现本发明。
发明内容
按照本发明，提供一种用于半导体晶片二次抛光的淤浆组合物，它含有2～10wt％平均颗粒直径为30～80nm的胶态二氧化硅作为研磨剂、0.5～1.5wt％的氨、0.2～1wt％的羟烷基纤维素基水溶聚合物增稠剂、0.03～0.5wt％的聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂、0.01～1wt％的季铵碱和余量为去离子水。
下文将对本发明作详细的解释。
本发明的淤浆组合物含有去离子水、二氧化硅研磨剂、氨、羟烷基纤维素基水溶聚合物增稠剂、聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂和季铵碱。
为降低机械抛光作用，使用具有平均颗粒为30～80nm的胶态二氧化硅作为二氧化硅研磨剂。当平均颗粒直径小于30nm时，就不能获得充分的机械抛光作用，这可能会由于抛光过程中如硅氧烷取代物之类的抛光残余物而存在着不稳定的危险。由抛光残余物引起的二氧化硅颗粒不稳定性，将会导致保留LPD(光点缺陷)在该晶片表面上，而这是差的晶片质量的一个原因。当平均颗粒直径大于80nm时，抛光速度很高，但是，会损坏晶片表面或次表面，它不适合用于最终抛光淤浆。
特别地，就高抛光效率来说，该胶态二氧化硅的第一颗粒直径处于35～50nm范围内且该胶态二氧化硅的第二颗粒直径处于60～80nm范围内，是优选的。当凝块比例(即第一颗粒与第二颗粒之比)介于1.6～1.8之间时，就可获得上述提及的效果。
组合物中二氧化硅的浓度优选是处于2～10wt％范围之内，更优选为4～6wt％。由于具有相对大直径的第二颗粒能提高抛光速度，所以，二氧化硅保持在低浓度以调节最终抛光速度为0.5～1μm/min。而且，二氧化硅的低浓度能改善二氧化硅的分散稳定性，并能稳定地贮存二氧化硅。二氧化硅的这种分散稳定性能防止在淤浆内部形成粗的杂质，从而减少划痕特别是亚微划痕的发生，并从而改善抛光效率。
氨(它是一种弱碱)用作pH调节剂。而且，氨用来提高二氧化硅的化学可分散性，并在CMP工艺过程中有助于化学抛光。氨以0.5～1.5wt％的量进行添加，以调节淤浆pH至10.4～10.7。
添加水溶聚合物增稠剂以进一步提高二氧化硅颗粒的分散稳定性。至于水溶聚合物增稠剂，是使用水溶羟烷基纤维素基化合物。羟烷基纤维素基化合物的实例包括羟丙基纤维素、羟丁基甲基纤维素、羟丙基甲基纤维素、羟乙基纤维素、脂类改性的羟乙基纤维素、羟甲基纤维素、甲基纤维素等。
羟烷基纤维素基化合物在高温时是稳定的，优选具有50℃或更高的浊点。考虑到此前所述，优选使用羟丙基纤维素、羟乙基纤维素和羟甲基纤维素。这些羟烷基纤维素基化合物具有的重均分子量为100,000～1,500,000，以形成层流并保持淤浆粘度为7～80cP，优选粘度为20～80cP，更优选为30～70cP。添加的聚合物增稠剂的量在0.2～1wt％范围之内。
由于羟基烷基纤维素基化合物形成一个三维网络并延迟二氧化硅的凝聚或沉降，所以，二氧化硅的分散稳定性得到改善。而且，由于羟基烷基纤维素基化合物可允许二氧化硅研磨剂以规则取向与晶片表面进行接触，所以，它们在将晶片表面形成为软镜面表面过程中起着重要作用。
为了在二氧化硅与增稠剂之间的分散相中实现增稠剂的网络分散相和二氧化硅的均匀分散相，并长时间地保持该分散相，需要进行特定物理或化学处理。为此，添加聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂，接着所得混合物以高剪切应力进行机械均化，从而极大地改善二氧化硅淤浆组合物的分散稳定性。
聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂由下述通式(1)表示：
RN(R’O)m(R”O)n (1)
其中，R是具有1～3个碳原子的烷基，R’和R”每个独自是亚乙基或亚异丙基，m和n每个独自是10～80的一个整数，且m+n处于20～90范围之内。
m+n表示氧化乙烯或氧化异丙烯的摩尔数，且优选是处于25～50摩尔范围之内，更优选为30～40摩尔。当m+n小于20时，则会存在非离子表面活性剂不能对增稠剂和组合物的分散施加影响的问题。当m+n大于90时，发泡性提高，使得组合物具有差的可加工性和高的粘度。
聚氧乙烯烷基胺醚的用量占该组合物总重量的0.03～0.5wt％。当聚氧乙烯烷基胺醚数量小于0.03wt％时，则不能获得充分的分散效果。当聚氧乙烯烷基胺醚数量大于0.5wt％时，则其分散稳定性变差。
为增加淤浆抛光速度，有利地在抛光组合物中添加含有1～4个烷基的季铵碱。季铵碱的具体实例包括氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化三甲基乙氧基铵和氢氧化N，N-二甲基哌啶。
所添加季铵碱的量在0.01～1wt％的范围内，优选为0.05～0.7wt％，以调节最终组合物pH至10.4～10.7。
在本发明淤浆组合物中，二氧化硅颗粒的分散稳定性得到改善且防止粗颗粒的形成。因此，当晶片表面被淤浆组合物最后抛光时，凹陷的微小划痕和区域划痕就可降低。
优选实例的详细描述
借助于下述实施例，本发明将得到更详细的说明。但是，这些实施例不能理解为限制本发明范围。
在下述实施例中，Rodel 2371用于初级抛光，本发明淤浆用于二次和三次抛光。在每次抛光之后，对抛光表面进行比较。采用SURFSCAN SP-1(KLA-TENCOR)对抛光表面进行分析。通过抛光晶片表面上LPD和区域缺陷的数目测量具有尺寸为0.1微米或更大的凹陷的微小划痕以及区域划痕。
[抛光条件]
抛光剂：STRAUGHBAUGH MARK9K
台面速度：50rpm
磨头(Head)速度：30rpm
淤浆流量：0.5L/min
压力：5psi
实施例1
将具有第一平均颗粒直径40nm和第二平均颗粒直径70nm的胶态二氧化硅稀释在去离子水中，使得二氧化硅含量为6wt％(基于最终组合物)，接着，向其中添加数量为1wt％(基于最终组合物)的氨，以调节pH值为10.3～10.5。作为季铵碱的氢氧化四甲氧基铵，其用量为0.08wt％(基于最终组合物)，以调节pH值为10.5～10.6。添加0.6wt％(基于最终组合物)数量的平均分子量为500,000的羟乙基纤维素作为增稠剂，混合用量为0.1wt％的含30摩尔氧化乙烯单体的三聚氧乙烯胺醚。使用均化器(由IKA制造)以2000rpm搅拌所得混合物，以制备具有粘度为70cP的淤浆组合物。
这样制得的淤浆组合物采用去离子水稀释10倍，并被用于二次抛光和最后抛光淤浆。使用稀释的淤浆借助于配备有硬聚氨酯抛光布的多头抛光机(由Speedfam Corp.制造)用于一个具有(100)取向的p型200mm平板晶片的抛光。使用SPI(KLA-Tencor Corp.)对20个晶片表面上的划痕进行分析。通过抛光晶片表面上LPD和区域缺陷的数目测量具有尺寸为0.1微米或更大的凹陷的微小划痕以及区域划痕。平均观察到3个LPD和2个区域缺陷。
对比例1
对比例1的淤浆组合物按与实施例1相同的方式制备，不同之处在于不添加三聚氧乙烯胺醚。以与实施例1相同的方式测量所得淤浆组合物的凹陷的微小划痕和区域划痕。平均观察到10个LPD和10个区域缺陷。
实施例2
淤浆组合物按与实施例1相同的方式制备和评价，不同之处在于胶态二氧化硅的第一和第二颗粒直径变为如下表1所示那样。其结果如下表1所述。
表1 研磨剂的不同颗粒直径和凝块比例的抛光质量比较
| 第一颗粒直径 | 第二颗粒直径 | LPD数(ea) | 区域缺陷(ea) | 抛光速度(μm/min.) | |
| 实施例2-1 | 20 | 40 | 15 | 4 | 0.82 |
| 实施例2-2 | 40 | 70 | 5 | 2 | 0.98 |
| 实施例2-3 | 40 | 100 | 7 | 15 | 1.0 |
| 实施例2-4 | X | 120 | 7 | 16 | 1.2 |
由实施例2可以清楚地知道，当第一颗粒直径为40nm且凝块比例为1.75时，抛光质量是均匀且优异的。
实施例3
淤浆组合物按与实施例1相同的方式制备和评价，不同之处在于添加到该聚氧乙烯烷基胺醚中的氧化乙烯单体数量变为如下表2所示那样。其结果如下表2所述。
表2 由非离子表面活性剂引起的物理性质和抛光质量的比较
| 表面活性剂 | 沉降比<sup>1)</sup>(％) | 粗颗粒数量<sup>2)</sup>(ppm) | LPD数(ea) | 区域缺陷(ea) | |
| 实施例3-1 | m+n＝5 | 3.8 | 260 | 12 | 5 |
| 实施例3-2 | m+n＝35 | 2.5 | 72 | 8 | 1 |
| 实施例3-3 | m+n＝50 | 2.2 | 61 | 5 | 2 |
| 实施例3-4 | m+n＝75 | 2.0 | 170 | 2 | 2 |
| 实施例3-5 | m+n＝100 | 5.3 | 1000 | 22 | 18 |
| 实施例3-6 | 没有添加 | 4.0 | 360 | 10 | 6 |
1)沉淀在底部的高度浓缩层占淤浆总体积的体积分数(在制备后3天测量)
2)具有颗粒直径为3微米或更大的粗杂质
由实施例4可以清楚地知道，当非离子表面活性剂中所含氧化乙烯单体的总摩尔数为50时，淤浆组合物的物理性质和抛光质量是优异的。
对比例2
具有如下表3所示不同第一颗粒直径、第二颗粒直径和粘度但具有相同二氧化硅含量(6wt％)和pH(10.7)的商业可得淤浆，采用去离子水稀释10倍。这些淤浆的抛光方法按与实施例1相同的方式进行。其结果如下表3所述。
表3 本发明淤浆与商业可得淤浆之间的抛光质量对比
| 第一颗粒直径(nm) | 第二颗粒直径(nm) | 粘度(cP) | 沉降比(％) | 粗颗粒数量(ppm) | LPD数(ea) | 区域缺陷(ea) | 抛光速度(μm/min.) | |
| 实施例2 | 40 | 70 | 72 | 2.5 | 72 | 5 | 2 | 0.98 |
| 对比例8 | 30 | 65 | 30 | 0.2 | 700 | 18 | 4 | 0.97 |
| 对比例9 | 45 | 80 | 60 | 4.5 | 2000 | 10 | 4 | 1.2 |
由表3可以看出，与商业可得抛光淤浆相比，特别是通过测量表面划痕，本发明的淤浆组合物就分散稳定性来说具有优异的物理性质和抛光质量。
虽然为例证说明目的业已对本发明优选实施方式进行了说明，但是，本领域技术人员将能理解，不需远离权利要求书中所述本发明的范围和精神，可以进行多种改进、增加和替代。
Claims (6)
1.一种用于半导体晶片二次抛光的淤浆组合物，含有2～10wt％平均颗粒直径为30～80nm的胶态二氧化硅作为研磨剂、0.5～1.5wt％的氨、0.2～1wt％的羟烷基纤维素基水溶聚合物增稠剂、0.03～0.5wt％的聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂、0.01～1wt％的季铵碱和余量为去离子水。
2.如权利要求1所述的淤浆组合物，其中，所述胶态二氧化硅的第一颗粒直径为35～50nm且第二颗粒直径为60～80nm。
3.如权利要求1所述的淤浆组合物，其中，所述聚氧乙烯烷基胺醚基非离子表面活性剂由下述通式(1)表示：
RN(R’O)m(R”O)n(1)
其中，R是具有1～3个碳原子的烷基，R’和R”各自独立地是亚乙基或亚异丙基，m和n分别是10～80的一个整数，且m与n之和处于20～90范围之内。
4.如权利要求1所述的淤浆组合物，其中，所述水溶聚合物增稠剂是从由羟丙基纤维素、羟丁基甲基纤维素、羟丙基甲基纤维素、羟乙基纤维素、脂类改性的羟乙基纤维素、羟甲基纤维素和甲基纤维素构成的组中选出的一种材料，并具有100,000～1,500,000的重均分子量。
5.如权利要求1所述的淤浆组合物，其中，所述水溶聚合物增稠剂保持所述淤浆组合物粘度在7～80cP。
6.如权利要求1所述的淤浆组合物，其中，所述季铵碱是从由氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化三甲基乙氧基铵和氢氧化N，N-二甲基哌啶构成的组中选出的一种材料。
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|---|---|---|---|---|
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| US7799141B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-09-21 | Lam Research Corporation | Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound |
| KR100645307B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2006-11-14 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼용 경면 연마 슬러리 조성물 |
| TWI324797B (en) | 2005-04-05 | 2010-05-11 | Lam Res Corp | Method for removing particles from a surface |
| KR100643628B1 (ko) * | 2005-11-04 | 2006-11-10 | 제일모직주식회사 | 다결정 실리콘 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이의 제조방법 |
| KR100754807B1 (ko) | 2005-12-23 | 2007-09-03 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한연마방법 |
| JP2007235036A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエハの親水化処理方法及びそれに用いる親水化処理剤 |
| CN100383209C (zh) * | 2006-05-31 | 2008-04-23 | 河北工业大学 | 用于硼酸锂铯晶体的化学机械无水抛光液及平整化方法 |
| JP5335183B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2013-11-06 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| JP5204960B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2013-06-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| KR100827591B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2008-05-07 | 제일모직주식회사 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 및 그 전구체 조성물 |
| CN101195729A (zh) * | 2006-12-08 | 2008-06-11 | 安集微电子（上海）有限公司 | 非离子型聚合物在自停止多晶硅抛光液制备及使用中的应用 |
| US20090001339A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Tae Young Lee | Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same |
| JP2009146998A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP5220428B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2013-06-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物を用いた研磨方法 |
| SG188090A1 (en) * | 2008-02-01 | 2013-03-28 | Fujimi Inc | Polishing composition and polishing method using the same |
| JP5474400B2 (ja) * | 2008-07-03 | 2014-04-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
| US8974691B2 (en) * | 2010-09-24 | 2015-03-10 | Fujimi Incorporated | Composition for polishing and composition for rinsing |
| US9090799B2 (en) * | 2010-11-08 | 2015-07-28 | Fujimi Incorporated | Composition for polishing and method of polishing semiconductor substrate using same |
| TWI593864B (zh) * | 2011-11-11 | 2017-08-01 | Sumco Corp | Semiconductor manufacturing plant |
| TWI456013B (zh) * | 2012-04-10 | 2014-10-11 | Uwiz Technology Co Ltd | 研磨液組成物 |
| CN102766408B (zh) * | 2012-06-28 | 2014-05-28 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液及其制备方法 |
| JP5460827B2 (ja) * | 2012-11-14 | 2014-04-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウエハの製造方法 |
| US9281210B2 (en) * | 2013-10-10 | 2016-03-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Wet-process ceria compositions for polishing substrates, and methods related thereto |
| JP6314019B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-04-18 | ニッタ・ハース株式会社 | 半導体基板の研磨方法 |
| JP6259723B2 (ja) | 2014-06-18 | 2018-01-10 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウェーハの研磨方法、研磨用組成物および研磨用組成物セット |
| CN105448689B (zh) * | 2014-08-07 | 2018-09-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件的制造方法和电子装置 |
| JP6206360B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2017-10-04 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法 |
| TWI595081B (zh) * | 2016-04-29 | 2017-08-11 | 臺灣永光化學工業股份有限公司 | 用於拋光藍寶石基板之研磨組成物和拋光藍寶石基板之方法 |
| CN107398780B (zh) * | 2016-05-18 | 2020-03-31 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种晶圆的双面抛光方法 |
| CN109971358A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| WO2021182155A1 (ja) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨方法 |
| CN115662877B (zh) * | 2022-09-08 | 2023-08-04 | 东海县太阳光新能源有限公司 | 一种单晶硅表面清洗方法 |
| CN115851138B (zh) * | 2022-12-23 | 2024-06-28 | 博力思(天津)电子科技有限公司 | 一种可减少硅片表面颗粒沾污的硅精抛液 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3715842A (en) | 1970-07-02 | 1973-02-13 | Tizon Chem Corp | Silica polishing compositions having a reduced tendency to scratch silicon and germanium surfaces |
| US4169337A (en) | 1978-03-30 | 1979-10-02 | Nalco Chemical Company | Process for polishing semi-conductor materials |
| US4462188A (en) | 1982-06-21 | 1984-07-31 | Nalco Chemical Company | Silica sol compositions for polishing silicon wafers |
| US4588421A (en) | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Nalco Chemical Company | Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers |
| US4885565A (en) * | 1988-06-01 | 1989-12-05 | General Motors Corporation | Touchscreen CRT with tactile feedback |
| US5352277A (en) | 1988-12-12 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Final polishing composition |
| DE4034112A1 (de) * | 1990-10-26 | 1992-04-30 | Bosch Gmbh Robert | Blockiergeschuetzte hydraulische mehrkreis-bremsanlage, insbesondere fuer kraftfahrzeuge |
| WO1996038262A1 (en) | 1995-06-01 | 1996-12-05 | Rodel, Inc. | Compositions for polishing silicon wafers and methods |
| US5887995A (en) * | 1997-09-23 | 1999-03-30 | Compaq Computer Corporation | Touchpad overlay with tactile response |
| JP3810588B2 (ja) * | 1998-06-22 | 2006-08-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP2000006327A (ja) | 1998-06-23 | 2000-01-11 | Mitsubishi Chem Mkv Co | 積層体 |
| US6429846B2 (en) * | 1998-06-23 | 2002-08-06 | Immersion Corporation | Haptic feedback for touchpads and other touch controls |
| US6676492B2 (en) * | 1998-12-15 | 2004-01-13 | Chou H. Li | Chemical mechanical polishing |
| US6276996B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
| KR100822116B1 (ko) * | 1998-12-25 | 2008-04-15 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | Ｃｍｐ 연마제, ｃｍｐ 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
| KR100289150B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2001-05-02 | 이병구 | 실리콘웨이퍼의최종연마용슬러리 |
| WO2001033620A1 (fr) | 1999-11-04 | 2001-05-10 | Seimi Chemical Co., Ltd. | Compose a polir pour semi-conducteur contenant un peptide |
| JP3768401B2 (ja) | 2000-11-24 | 2006-04-19 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 化学的機械的研磨用スラリー |
| KR100363557B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2002-12-05 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 및 이를 이용한 경면연마 방법 |
| JP4025953B2 (ja) * | 2001-01-05 | 2007-12-26 | 荒川化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| US6685757B2 (en) * | 2002-02-21 | 2004-02-03 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing composition |
| CN1665902A (zh) * | 2002-06-07 | 2005-09-07 | 昭和电工株式会社 | 金属抛光组合物,使用组合物进行抛光的方法以及使用抛光方法来生产晶片的方法 |
| KR100516884B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-09-23 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 |
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