JP4188234B2 - トレンチ・ゲート半導体デバイス及びその製造 - Google Patents
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Description
・ ゲートが、上記デバイスのチャネル収容領域に隣接する中間ゲート誘電体層に隣接する半導体材料の部分を有し、
・ 上記ゲートが、本体表面のレベルより上の上面と側壁との間が金属シリサイド物質であるシリサイドの直立部分の形態をとって、ゲート・トレンチから上向きに突き出す突起をなし、
・ 少なくとも上記チャネル収容領域に隣接する上記中間ゲート誘電体層が、少なくとも、半導体材料からなる上記ゲートの上記部分によって、及び、上記本体表面の上記レベルより上に上向きに突き出している上記シリサイドの上記直立部分の配置によって、上記金属シリサイド物質から隔てられている、
トレンチ・ゲート半導体デバイスが、提供される。
(a)半導体本体の表面に、以下のステップ(b)乃至(d)により形成されるゲート・トレンチとゲートの部分とを自己整合させるために使用されるウィンドウを中に有するマスキング・パターンを形成するステップと、
(b)上記ウィンドウ内において上記半導体本体内に上記ゲート・トレンチをエッチングし、次いで、上記ゲートを上記チャネル収容領域に容量結合するための誘電体層を上記ゲート・トレンチの壁に形成するステップと、
(c)上記ウィンドウ内において、半導体ゲート部分を、上記マスキング・パターンより上に突き出さずに上記ゲート・トレンチ内の上記誘電体層上に形成するために、半導体ゲート材料を堆積し、次いでエッチバック(etch back)するステップと、
(d)次いで、上記半導体本体の表面のレベルより上に上向きに突き出す、上面及び側壁を有するシリサイドの直立部分の突起を形成するために、上記ウィンドウ内において、上記半導体ゲート部分の上面に十分な厚さの金属シリサイド物質を形成するステップであって、少なくとも上記チャネル収容領域に隣接する上記誘電体層が、少なくとも上記半導体ゲート部分によって、及び、上記半導体本体の表面の上記レベルより上に突き出している上記シリサイドの上記直立部分の配置によって、上記金属シリサイド物質から保護される、ステップと、
を含む製造工程が提供される。
(a)半導体本体の表面に、上側層及び下側層を有するマスキング・パターンを形成するステップであって、ゲートが形成される上記半導体本体の領域においてウィンドウが上記上側層及び下側層を貫通して延在する、ステップと、
(b)上記ウィンドウ内においてゲート用のゲート・トレンチを上記半導体本体内にエッチングし、次いで、上記半導体本体内の前記ゲート・トレンチの壁にゲート誘電体層を形成するステップと、
(c)上記ウィンドウ内において上記ゲート・トレンチの中にシリコン・ゲート材料を形成し、次いで、上記シリコン・ゲート材料が、上記マスキング・パターンの上記下側層の隣接する表面より上に突き出す直立上側部分の突起を有するように、上記マスキング・パターンの上記上側層を除去するステップと、
(d)上記シリコン・ゲート材料の上と上記マスキング・パターンの上記下側層の上とに金属シリサイド物質を形成する金属を堆積し、次いで、少なくとも当該金属を加熱して、上記直立上側部分の上記突起の上面及び側壁から上記シリコン・ゲート材料内に金属シリサイド物質を成長させるステップと、
(e)上記半導体本体から突き出す部分的にシリサイド化されている上記ゲートが残存するように、シリサイド化されていない上記金属を除去するステップと、
を含む製造工程が提供される。
図1は、本発明によるトレンチ・ゲート・セルラー・パワーMOSFETデバイスの例を示す。このデバイスは、本体表面10aを有する半導体本体10を有し、ゲート・トレンチ20が、この本体表面10aからソース領域13の間のチャネル収容領域15を経て下層のドレイン領域14の中まで、本体内に延在する。従って、このデバイスのトランジスタ・セル領域においては、第二導電型(即ち、この例においてはp型)のチャネル収容領域15が、第一導電型(この例においてはn型)のソース領域13とドレイン領域14を隔てている。ドレイン領域14は、総てのセルに共通である。
(b)ウィンドウ51a又は510a内において本体100内にトレンチ20をエッチングし、ゲート誘電体層17をトレンチ20の壁に形成するステップと、
(c)ウィンドウ51a又は510aにおいて、半導体ゲート部分を、マスキング・パターン51、52又は510、520より上に突き出さずにトレンチ20内の誘電体層17上に形成するために、半導体ゲート材料11’を堆積し、次いでエッチバックするステップと、
(d)本体表面10aのレベルより上に上向きに突き出す、上面及び側壁を有するシリサイドの直立部分を形成するために、ウィンドウ51a又は510aにおいて、トレンチ20内の半導体ゲート材料11aの上面に十分な厚さの金属シリサイド物質を形成するステップと、
ステップ(d)の間とそれ以降、少なくともチャネル収容領域15に隣接するゲート誘電体層17は、半導体部分11aによって、及び、本体表面10aのレベルより上に突き出しているシリサイド部分11bの突起の配置によって、金属シリサイド材料から保護される。
この実施例は、米国特許第6,087,224号の有利な自己整合式工程の、本発明による改良の一例であり、側壁延長部(一般に「スペーサ」と称される)を使用する。
この実施例は、本発明による一つの異なる例であり、米国特許第6,087,224号の有利な自己整合式工程とスペーサ52とを使用して狭いトレンチ20を形成する。この実施例は、図3乃至図5の場合のように、選択的にエッチング可能な異なる材料(窒化物と酸化物)の同じ二部マスク51、52を使用することができる。しかしながら、酸化物のスペーサ52が追加の薄い窒化物層52zの上に形成されることが望ましい。
この実施例は、半導体本体100から突き出している部分的にシリサイド化されているトレンチ・ゲート11b及び11aを形成することにおいて、その結果が図3、図6及び図7の場合に類似している。この実施例は、選択的にエッチング可能な異なる材料(窒化物と酸化物)の二部マスク510、520を使用する。しかしながら、米国特許第6,087,224号の自己整合式スペーサ工程を使用しない。従って、この実施例においては、トレンチ20がエッチングされるウィンドウ510aが、二部マスクの部分510、520の両方に存在する。
本発明によるデバイス及び製造方法には多数の他の改良とバリエーションが可能であることが明らかである。
10a 本体表面
10b 本体裏面
11 ゲート
11’ 半導体材料
11a ポリシリコン部分
11b シリサイドの直立部分
12 伝導チャネル
13 ソース領域
14 ドレイン領域
14a 高濃度にドーピングされている領域
15 チャネル収容領域
17 中間誘電体層
18 絶縁被覆層
18b 絶縁酸化表面部分
20 ゲート・トレンチ
21z 窒化物層
33 ソース電極
33a シリサイド接触層
34 ドレイン電極
35 接触領域
100 半導体ウェーハ本体
110 シリサイド形成金属
50 酸化物層
51a、52a、52y、510a ウィンドウ
51、52、510、520 マスキング・パターン
52、52x スペーサ
52z 窒化物層
z 突起
w トレンチ幅
Claims (17)
- レベルの基準を画定する本体表面から、ソース領域と下層のドレイン領域との間のチャネル収容領域を経て半導体本体に達するゲート・トレンチを有するトレンチ・ゲート半導体デバイスであって、
・ ゲートが、前記ゲート・トレンチの中に存在し、かつ、前記ゲート・トレンチの壁における中間ゲート誘電体層によって前記チャネル収容領域に容量結合されていて、
・ 前記ゲートが、前記チャネル収容領域に隣接する前記中間ゲート誘電体層に隣接する半導体材料の部分を有し、
・ 前記ゲートが、前記本体表面の前記レベルより上の上面と側壁との間が金属シリサイド物質であるシリサイドの直立部分の形態をとって、前記ゲート・トレンチから上向きに突き出す突起をなし、
・ 少なくとも前記チャネル収容領域に隣接する前記中間ゲート誘電体層が、少なくとも、前記半導体材料からなる前記ゲートの前記部分によって、及び、前記本体表面の前記レベルより上に上向きに突き出している前記シリサイドの前記直立部分の配置によって、前記金属シリサイド物質から隔てられている、
ことを特徴とするトレンチ・ゲート半導体デバイス。 - 前記本体表面の前記レベルより上の前記ゲートの前記シリサイドの前記直立部分の前記突起が、前記ゲート・トレンチの幅の半分より大きいことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
- 前記ゲートの前記半導体材料が、多結晶シリコンであり、かつ、前記シリサイドの前記直立部分が、この直立部分の前記上面及び側壁からの前記多結晶シリコンと合金化されている前記金属シリサイド物質を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のデバイス。
- 前記金属シリサイド物質を形成する金属が、タングステン、タンタル、ジルコニウム、チタン、及び、コバルトのグループから選択されることを特徴とする請求項3に記載のデバイス。
- 絶縁被覆層が、前記ゲートの前記シリサイドの前記直立部分の前記上面及び側壁の上に延在し、かつ、ソース電極が、前記絶縁被覆層の上と、前記ゲートの横の前記半導体本体の表面領域の上に延在することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のデバイス。
- 前記絶縁被覆層が、少なくとも前記ゲートの前記シリサイドの前記直立部分の前記上面に隣接する、前記金属シリサイド物質の絶縁酸化表面部分を有することを特徴とする請求項5に記載のデバイス。
- ゲートに隣接するチャネル収容領域によって隔てられているソース領域及びドレイン領域を有するトレンチ・ゲート半導体デバイスを製造する方法であって、前記方法が、一連のステップ、即ち、
(a)半導体本体の表面に、以下のステップ(b)乃至(d)により形成されるゲート・トレンチと前記ゲートの部分とを自己整合させるために使用されるウィンドウを中に有するマスキング・パターンを形成するステップと、
(b)前記ウィンドウ内において前記半導体本体内に前記ゲート・トレンチをエッチングし、次いで、前記ゲートを前記チャネル収容領域に容量結合するための誘電体層を前記ゲート・トレンチの壁に形成するステップと、
(c)前記ウィンドウ内において、半導体ゲート部分を、前記マスキング・パターンより上に突き出さずに前記ゲート・トレンチ内の前記誘電体層上に形成するために、半導体ゲート材料を堆積し、次いでエッチバックするステップと、
(d)次いで、前記半導体本体の表面のレベルより上に上向きに突き出す、上面及び側壁を有するシリサイドの直立部分の突起を形成するために、前記ウィンドウ内において、前記半導体ゲート部分の上面に十分な厚さの金属シリサイド物質を形成するステップであって、少なくとも前記チャネル収容領域に隣接する前記誘電体層が、少なくとも前記半導体ゲート部分によって、及び、前記半導体本体の表面の前記レベルより上に突き出して いる前記シリサイドの前記直立部分の配置によって、前記金属シリサイド物質から保護される、ステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記ステップ(a)により形成される前記マスキング・パターンの前記ウィンドウが、幅の広いウィンドウであり、当該幅の広いウィンドウが、当該幅の広いウィンドウの側壁に側壁延長部を形成することによって狭くされ、前記ゲート・トレンチが、前記ステップ(b)において当該幅の狭いウィンドウにおいてエッチングされ、かつ、前記ソース領域が、これらの側壁延長部によって前記ゲートと自己整合されるように形成されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記ステップ(c)の後に、次のステップ、即ち、
・ 前記ゲート・トレンチの幅よりも狭い更なるウィンドウを形成するために、前記ステップ(a)の前記ウィンドウの側壁に更なる側壁延長部が形成されるステップと、
・ 前記ゲート・トレンチの前記壁から間隔をあけられている前記ゲートの前記シリサイドの前記直立部分の前記突起を形成するために、前記ステップ(d)において当該更なるウィンドウ内に前記金属シリサイド物質が形成されるステップと、
・ 前記ゲートの前記シリサイドの前記直立部分の前記突起の上に絶縁被覆層が形成されるステップと、
・ 次いで、前記ソース領域に接触し、かつ、前記ゲートの上の前記絶縁被覆層の上に延在するソース電極を形成する前に、前記マスキング・パターンが除去されるステップと、
が実行されることを特徴とする請求項7又は8に記載の方法。 - 前記ステップ(c)において前記ゲート・トレンチ内に形成される前記半導体ゲート材料が、前記半導体本体の表面の前記レベルより上に突き出している多結晶シリコンを含み、前記突き出している多結晶シリコンが露出され、次いで、前記金属シリサイド物質を形成する金属が、前記突き出している多結晶シリコンの上に堆積され、前記突き出している多結晶シリコンの側壁及び上面と合金化されて、前記ゲート・トレンチ内の残余のシリコンの前記半導体ゲート材料の上面の上に前記シリサイドの前記直立部分の前記突起が形成されることを特徴とする請求項7又は8に記載の方法。
- ゲートに隣接するチャネル収容領域によって隔てられているソース領域及びドレイン領域を有するトレンチ・ゲート半導体デバイスを製造する方法であって、前記方法が、一連のステップ、即ち、
(a)半導体本体の表面に、上側層及び下側層を有するマスキング・パターンを形成するステップであって、前記ゲートが形成される前記半導体本体の領域においてウィンドウが前記上側層及び下側層を貫通して延在する、ステップと、
(b)前記ウィンドウ内において前記ゲート用のゲート・トレンチを前記半導体本体内にエッチングし、次いで、前記半導体本体内の前記ゲート・トレンチの壁にゲート誘電体層を形成するステップと、
(c)前記ウィンドウ内において前記ゲート・トレンチの中にシリコン・ゲート材料を形成し、次いで、前記シリコン・ゲート材料が、前記マスキング・パターンの前記下側層の隣接する表面より上に突き出す直立上側部分の突起を有するように、前記マスキング・パターンの前記上側層を除去するステップと、
(d)前記シリコン・ゲート材料の上と前記マスキング・パターンの前記下側層の上とに金属シリサイド物質を形成する金属を堆積し、次いで、少なくとも前記金属を加熱して、前記直立上側部分の前記突起の上面及び側壁から前記シリコン・ゲート材料内に金属シリサイド物質を成長させるステップと、
(e)前記半導体本体から突き出す部分的にシリサイド化されている前記ゲートが残存するように、シリサイド化されていない前記金属を除去するステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記マスキング・パターンの前記上側層が、前記下側層よりも厚いことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記マスキング・パターンの前記上側層が、前記下側層の少なくとも5倍の厚さであることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記マスキング・パターンの前記上側層が、二酸化ケイ素からなる相対的に厚い層を含み、前記下側層が、前記半導体本体の前記表面の上の二酸化ケイ素からなる相対的に薄い層の上の窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項11乃至13のいずれかに記載の方法。
- 堆積される前記金属が、前記シリコン・ゲート材料とのシリサイドを形成するためにRTA(高速熱アニーリング)によって加熱されることを特徴とする請求項10乃至13のいずれかに記載の方法。
- シリサイドの前記直立上側部分の前記突起の前記表面が、前記シリサイドの前記直立上側部分の前記突起に隣接する絶縁酸化物を成長させるために、その後に酸化され、当該絶縁酸化物が、前記ゲートの前記シリサイドの前記直立上側部分の前記突起の上面の上に形成される絶縁被覆層の少なくとも一部を形成し、次いで、ソース電極が、前記絶縁被覆層の上と、前記マスキング・パターンの前記下側層を除去した後に前記ゲートの横に露出される前記半導体本体の表面領域の上とに、堆積されることを特徴とする請求項11乃至15のいずれかに記載の方法。
- 前記マスキング・パターンが、前記シリサイドに隣接する前記絶縁酸化物を成長させている間、前記半導体本体の前記表面を酸化からマスキングするために使用されるシリコン窒化物層を含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
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