JP4088587B2 - 集積回路 - Google Patents

集積回路 Download PDF

Info

Publication number
JP4088587B2
JP4088587B2 JP2003537121A JP2003537121A JP4088587B2 JP 4088587 B2 JP4088587 B2 JP 4088587B2 JP 2003537121 A JP2003537121 A JP 2003537121A JP 2003537121 A JP2003537121 A JP 2003537121A JP 4088587 B2 JP4088587 B2 JP 4088587B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
power
wirings
width
symmetry
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2003537121A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005507163A (ja
Inventor
ビュフェ、パトリック、エイチ
サン、ユー、エイチ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JP2005507163A publication Critical patent/JP2005507163A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4088587B2 publication Critical patent/JP4088587B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528Geometry or layout of the interconnection structure
    • H01L23/5286Arrangements of power or ground buses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/923Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes with means to optimize electrical conductor current carrying capacity, e.g. particular conductor aspect ratio

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

本発明は一般にマイクロ電子工学の分野に関する。より具体的には、本発明は、事前選択された可変幅を有する配線を備えた集積回路バス・グリッドに関する。
半導体産業の大部分は現在、特定用途向け集積回路チップ、すなわちASICチップの設計および製造に注力されており、これは組込式システムを含んだ装置等の多種多様な用途で用いられる。そのような装置の例としては、コンピュータ、セルラ電話、PDA、シン・クライアント、テレビ、ラジオ、家電(たとえば、デジタル式電子レンジ、食器洗い機、衣服乾燥機、等)、自動車、デジタル式の製造、試験、診断用装置、ならびに実質的に他のすべての一般消費者または産業向け装置が含まれる。異なる用途向けに設計された複数のASICが互いに同一の基本ロジック、メモリおよびI/O要素、またはセルを多く含んでいることがよくある。しかし、用途が異なるために、これらのセルは、他の相違の中でもとりわけ、異なる個数で存在し、異なる構成を有し、異なる接続関係を有する。セルの例には、とりわけRAM、I/O、アッダ、クロック、ラッチ、および通信ポートが含まれる。
セル設計は新型ASICの創作に繰り返し使用するので、製造業者はセルのライブラリを構築している。新型ASICを設計する場合、製造業者はライブラリから必要な複数のセルを受け取って、それらを特定用途に必要な形で互いと、また場合によってはカスタム設計のセルと組み合わせる。標準セルを含むライブラリを作成する重要な目的は、ASICチップの設計および製造コストを低減し、ASIC設計工程を簡略化することである。
コストを低減し、設計工程を簡略化するさらなる試みにおいて、製造業者はしばしば、ASICチップの他の機能を標準化することによりそのセル・ライブラリを補完する。たとえば、製造業者はしばしば、パッケージを有する完成チップとインターフェースするための電気コンタクト、すなわち電力用、接地用、I/O用コンタクトの型および構成を標準化し、また、種々のセルを形成するマイクロ電子装置、たとえばトランジスタに対して給電および接地を行う電力用バスおよび接地用バスを標準化している。
図1、図2、図3および図4は、例示的なASICダイ10と接続した電気コンタクトならびに電力用および接地用バスの特に有効な標準化構成を示している。図2を参照すると、ASICダイ10はその表面上に、電力用コンタクト12(たとえばVDD、VDDx)および接地用コンタクト14(たとえばGND、Vref)の、挿置された2つの矩形領域アレイを有しており、これらは、パッケージ(図示せず)に対する制御された圧壊チップ接続(collapse chip connection)(C4)に対するハンダ・ボール、すなわちフリップチップの接続を備えて図示されている。当業者は、パッケージに対する電力用および接地用コンタクトの電気的接続は別法としてワイヤ・ボンディングなど他の技法を用いて実施してよいことを容易に理解されよう。さらに、I/O用コンタクト16の矩形領域アレイが電力用コンタクト12および接地用コンタクト14を具備して挿置されていることも図示されている。このようなコンタクト領域アレイ12、14、16は、ASIC設計者がダイ10上での所要に応じて必要なセル、たとえばRAMセル18、I/Oセル20、および通信ポート・セル22をそれらセルが常に適切なコンタクトに比較的接近しているようにX−Y平面内に配置することを可能にする。
図3は、電力用コンタクト12をデバイス層24に結合する電気バス11を示す。電気バスは、7つの金属層M1〜M7を備えており、それらに絶縁層I1〜I7が介挿されている。当業者は、図示の金属層および絶縁層の層数が単に例示を目的としてものであることを理解されよう。7層より多いまたは少ない金属層および対応する絶縁層を設けてもよい。図2の接地用コンタクト14、I/O用コンタクト16および関連する配線は明確にするため図示していない。しかし、当業者は、接地用コンタクト14とデバイス層24の間の電気相互接続は電力用コンタクト12のデバイス層24に対する相互接続と同様であることを理解されよう。同様に、当業者は、I/O用コンタクト16はI/Oセル20の特別な構成の必要に応じてデバイス24と電気的に相互接続されることを理解されよう。
図4は、電力用コンタクト12の矩形領域アレイにより画定された複数の連続領域32のそれぞれに存在する導電性ストリップまたは配線28、30を具備した矩形バス・グリッド26を形成する金属層M6およびM7を平面図で示している。重要なことであるが、複数の配線28は互いに同一の幅を有しており、複数の配線30は互いに同一の幅を有している。図3および図4を参照すると、金属層M6はY方向に延びる配線28を含んでおり、金属層M7はX方向に延びる配線30を含んでいる。電力用12の直下に配置された配線30は、絶縁層I7を通して延びる金属スタッド34を介して電力用コンタクトに接続されている。金属層M6中の配線28は金属層M7中の配線30に対して、配線28が下方の配線30に交差する各位置で金属スタッド36を介して電気的に接続されている。当業者は理解されるであろうが、金属層M5〜M1は金属層M7およびM6と同様であるが、徐々に微細な配線になっている。金属層M1の複数の配線38は、各デバイス層中の各デバイスが電気的に接続されるように互いに接近して離間されている。
金属層中に電力用および接地用コンタクトの領域アレイを設け、均一な電力用および接地用グリッドを設けることにより、設計者がデバイス層中のセル配置前に電力用および接地用バスをレイアウトすることが可能になる。したがって、電力用および接地用バスを標準化して主に各新ASIC設計に対するバスをカスタム設計する必要性をなくしてもよい。現在、ASICの設計者は通常、同一金属層内に均一パターンで配線を配置し、また通常、同一金属層内に同一幅で配線を設ける。たとえば、金属層M6の配線28は図示のように配置してよく、各配線は金属数M6中の他の配線28と同一の幅を有することになる。同様に、金属層M7の配線30は図示のように配線してよく、各配線は金属数M7中の他の配線30と同一の幅を有することになる。配線幅は概ね対応する金属層の最大許容電流に基づいている。しかし、そのような均一な幅を同一の金属層、特に電力用および接地用コンタクトの直下の最初の2つの金属層、たとえば図3および図4の例の金属層M7およびM6の配線に対して設定すると、金属を浪費し、またASICの設計者が通常であれば信号およびI/O配線経路指定に使用できる貴重な空間を浪費することになる。信号およびI/O配線経路指定用金属層で使用できる大きさの限られた空間が、特にコストの観点から望ましくない追加の金属層をASIC設計者が設けることを必要とする可能性がある。
ASICチップ向けの電気バス・グリッドを提供する。
一態様では、本発明は、複数のセルとこれら複数のセルと電気的に接続する電気バスとを備えた集積回路を対象とする。電気バスは、複数のセルを配置する前にモデル化された電流分布を用いて設計される。電気バスは、領域と、第1方向に延びる複数の第1配線を含む第1金属層とを備えている。複数の第1配線のそれぞれは該領域に少なくとも部分的に配置された第1幅を有する。第1幅は電流分布の関数として変化する。
他の態様では、本発明は、複数の領域を有する集積回路用の電気バス・グリッドをレイアウトする方法を対象とする。方法は、順に以下のステップを含む。まず、少なくとも第1金属層の複数の第1配線が該複数の領域の少なくとも1つに配置され、複数の第1配線のそれぞれは第1幅を有する。次いで、少なくとも複数の第1配線の間で電流分布が決定され、少なくとも複数の第1配線の第1幅は電流分布の関数として変化される。次いで、複数のセルが集積回路の少なくとも一部を形成するように配置される。
本発明を説明する目的で図面に現時点で好ましい本発明の形態を示す。しかし、本発明は図面に示した正確な構成および手段に限定されないことを理解されたい。
ここで図面を参照するが、同様の符号は同様の要素を示している。図5は、本発明の従って、符号100で全体を示すデバイスを示す。デバイス100は、組込型システム・デバイス等の任意の種類のデバイスであってよい。そのようなデバイスの例には、特にコンピュータ、セルラ電話、PDA、シン・クライアント、テレビ、ラジオ、家電、自動車、デジタル式の製造、試験、診断用装置、ならびに実質的に他のすべての一般消費者または産業向け装置が含まれる。したがって、デバイス100は、特定用途向け集積回路(ASIC)等の1つまたは複数の集積回路(IC)チップ102を含んでよく、ICチップに対して電力を供給するオンボード電源104を含んでよい。当業者は、本発明を理解するために汎用機能のASICチップ102を記載したり、ASICチップがどのように電源104およびデバイス100の他の構成要素(図示せず)とインターフェースするのかの詳細を記載する必要がないことを理解されよう。
ASICチップ102の全体的な構成は、図1〜4に示したダイ10の全体的構成と同様である。すなわち、ASICチップ102は、電力用コンタクト12’、接地用コンタクト14’およびI/O用コンタクト16’の挿置された矩形領域アレイを有してよい。さらに、ASICチップ102は、デバイス層24’(図3)中のトランジスタ等の個々のデバイスをコンタクト12’、14’、16’に電気的に接続するために7つの絶縁層I1’〜I7’(図3)および7つの金属層I1’〜I7’(図3)を有してよい。当業者は、ASICチップ102は7つの絶縁層I1’〜I7’および7つの金属層M1’〜M7’を有してよいが、そのような層を特定の設計に応じてより多くまたは少なく有してもよいことを理解されよう。さらに、当業者は、電力用コンタクト12’、接地用コンタクト14’およびI/O用コンタクト16’が平行四辺形領域アレイ等の異なる形態で構成されてもよいことを理解されよう。
しかし、互いに同一幅を有する電気バス配線、たとえば配線26、28(図3および4)を各金属層M1〜M7が含んでいるダイ10とは異なり、ASICチップ102は、幅の異なるバス配線を含む少なくとも1つの金属層を備えている。上述したように、電力用および接地用バス・グリッドの最も粗い部分に様々な幅の配線を設けること、たとえば配線が比較的大きい所で最も近接したコンタクトを1つまたは2つの金属層で設けることが一般に最も有益である。例示的に、図6は最上部の金属層M7’およびM6’を示しており、これらは図3の最上部金属層M7およびM6に対応しており、それぞれ幅が変化する配線30’および28’を含んでいる。異なる幅の配線28’および30’を設けると電力用および接地用バスに必要な金属量を大きく低減できる。さらに、異なる幅の配線28’および30’を設けると、配線間隔が変わらなければ幅が狭いほどより多くの配線を所与の空間に収容できるので、信号およびI/O配線経路指定等の他の目的にさらに広い空間をもたらすことができる。
図6は、4つの電力用コンタクト12’で画定される複数の連続矩形領域32’の1つに対応する電力用バス108の反復可能グリッド106を示す。反復可能グリッド106は、金属層M6’の配線28’および金属層M7’の配線30’により形成されている。配線28’および30’は、矩形領域32’の主軸に対して対称である矩形の十字交差パターン(cris-cross pattern)を形成するものとして示されている。しかし、当業者は理解されようが、配線28’および30’は、領域32’に対応する平行四辺形状の領域を画定するパターンなど非矩形の十字交差パターンを形成してもよい。当業者はまた、配線28’および30’は領域32’の主軸に対して非対称に構成してもよいことを理解されよう。後述するように、各配線28’および30’の幅は、デバイス層中にセルを配置する前にモデル化される電流密度に基づいてもよい。電流分布モデルはASICチップ102の全体的なレイアウトに応じて変わる、たとえば、領域32’のある部分は既知の高電流要件を有するある型のセルを収容する対象になる可能性があるために、配線28’および30’の幅は対応する電流分布モデルが必要とする形態で変化してよい。したがって、配線28’および30’は図示のように領域32’の中心に向かって縮小することが必ずしも必要なわけではない。さらに、当業者は理解されようが、図6は分かり易いように電力用バス108に対する反復可能グリッド106のみを示している。接地用バスに対する同様の反復可能グリッド(図示せず)が対応する接地用コンタクト14’(図1)間に設けられてもよい。
上述のように、ASICの設計および製造コストを低減することが望ましい。これらのコストを低減する一方法は、電力用バス106および接地用バス(図示せず)を、これらバスの設計前にロジック、メモリおよびI/Oセル(たとえば図1参照)の構成を定義する必要なしに設計できることである。このことにより、ASICチップ102に必要な機能を実現するのに必要なセルの下方の配置構成にかかわらず一般に使用できる標準の電力用および接地用バスのレイアウトを設計者が作成できるようになる。標準化された電力用および接地用バスの望ましい特徴は、それらバスがデバイス層全体にほぼ均一に分布して、そのためセルが必要に応じて容易に配列できるようになっていること、ならびにそれらバスが単純な反復可能な構成要素を備えていることである。これらの特徴は共に本発明に備えられている。
図7は、所望であれば、反復可能グリッド106を使用して、異なる矩形領域に反復可能グリッドを対応する回数だけ単純に「置くこと(placing)」により所望の任意の個数の矩形領域32’上に電力用バス108を形成できることを示している。異なる幅の配線28’および30’を設けることが概ねコンタクト12’、14’、16’を含む階層の直下の最初の2層に対して最も強い効果をもたらすことに留意されたい。これは、電流が大きいこと、およびそれに対応してそれらの層の配線28’、30’が比較的大きいことによる。しかし、当業者は、本発明により複数の金属層の任意の層が異なる幅の配線を含んでよいことを理解されよう。
本発明による電力用バス108’の様々な配線幅を決定する1つの方法を説明するために、図8〜10を参照して以下の例を示す。図1、図6および7に示した電力用コンタクト12’と同様の電力用コンタクトの矩形領域アレイ、ならびに図6に示した配線28’および30’と同様の対称な配線構成に関して、各種配線での電流強度を決定するための解析は、電力用コンタクト12”a、12”b、12”cおよび12”dで画定される複数の連続矩形領域32”の1つの領域の単一象限110(図8)をモデル化することにより簡略化できる。象限110は、領域32”の周辺境界112の対応する部分、および2つの相互直交対称軸114、116の対応する部分によって画定される。
この例では、電力用コンタクト12”aから電力用コンタクト12”bまで、および電力用コンタクト12”dから電力用コンタクト12”cまでの距離Xは432μmである。電力用コンタクト12”dから電力用コンタクト12”aまで、および電力用コンタクト12”cから電力用コンタクト12”bまでの距離Yは864μmである。Y軸に平行な複数の配線28”は金属階層M6”に配置され、互いに28.8μmの間隔(中心間で測定)で離間されている。したがって、16本の配線28”が反復可能グリッド106’に設けられている。X軸に平行な複数の配線30”は金属階層M7”に配置され、互いに86.4μmの間隔(中心間で測定)で離間されている。したがって、11本の配線30”が反復可能グリッド106’に設けられている。
配線28”および30”のそれぞれでの電流を決定するために、これらの配線の部分と、金属層M7”とM6”の間に延び該配線を含み象限110に配置された対応するスタッド(図示せず)とを、それぞれ抵抗としてモデル化する。次いで、シミュレーションを行って、配線28”、30”の対応する部分の電流を決定する。この種のモデル化およびシミュレーションは当技術分野で周知であり、従来技術で固定幅配線バスの電流強度を決定するのに一般に用いられている。したがって、この種のおよび他の公知のモデル化およびシミュレーション技法を詳細に説明することは必要ではない。図9および図10はそれぞれ、X方向およびY方向のそれぞれに対するシミュレーション結果を示す。図9および図10から、配線28”、30”の電流強度は電力用コンタクト12”aからの距離の増加に伴って対数的に減少することが分かる。図9および図10のグラフのデータ点は表IおよびIIに示す。
表IおよびIIから、幅の異なる配線28”、30”を設けた結果として電力用バス108を作製するのに要する金属を大きく節約できることが分かる。Y方向に延びる配線28”(表I)について、象限110での金属節約量は(65.76−44.47)×432=9197.28μmである。これは((65.76−44.47)/65.76)×100=32%の節約となる。同様に、X方向に延びる配線30”(表II)について、象限110での金属節約量は(18.24−8.84)×216=2030.40μmである。これは((18.24−8.84)/18.24)×100=50%の節約となる。典型的な100mmのダイについては、本発明の結果、最上部金属層、たとえばM7”およびM6”で2.5×10μmを超える金属が節約できる。
電力用バス108’もしくは対応する接地用グリッド(図示せず)またはそれらの両方の量が節約されることに加えて、本発明は、信号用およびI/O用配線に使用できる空間を大幅に増やすことができる。しばしば、最近のチップは上記配線のための空間可用性(「間隙率(porosity)」としても知られている)による限界がある。金属層の「間隙率」は、電力用グリッド配線、接地用グリッド配線、ならびに信号およびI/O用配線に提供可能な最大金属量に対する信号およびI/O用配線に利用できる金属の比率に等しい。通常、間隙率が制限されると、追加の配線層を設けることになり、これは高価となる。
本例では、X方向の象限110の幅は216μmであり、これがほぼこの象限の電力用バス、接地用バス、信号用およびI/O用配線向けに使用できる総空間量となる。この例では、電力用バスおよび接地用配線の幅は互いに等しく、互いに交互に配置されると仮定する。従来技術の一定幅の配線については、電力用および接地用バス配線は象限110の216μm総計幅の内ほぼ2×65.76=131μmを占有する、すなわちこの象限の総計幅の内(131/216)×100=61%を占有することになる。したがって、従来技術のチップに関する象限110中の対応する間隙率は100%−61%=39%となる。
しかし、本発明の幅が異なる配線28”については、金属層M6”中の電力用および接地用バス配線は象限110の216μm総計幅の内ほぼ2×44.47=88.94μmを占有する、すなわちこの象限の総計幅の内(88.94/216)×100=41%を占有することになる。したがって、本発明による象限110中の金属層M6”の間隙率は100%−41%=59%となる。本発明によって幅の異なる配線28”を設けることにより、金属層M6”の間隙率の向上分は59%−39%=20%となる。相対的な意味では、(20/39)×100=51%の向上となる。
同様に、Y方向の象限110の幅は432μmであり、これがほぼこの象限の電力用バス、接地用バス、信号用およびI/O用配線向けに使用できる総空間量となる。やはり、電力用および接地用バス配線の幅は互いに等しく、互いに交互に配置されると仮定する。従来技術の一定幅の配線については、電力用および接地用バス配線は432μm総計幅象限の内ほぼ2×18.24=36.48μmを占有する、すなわちこの象限の総計幅の内(36.48/432)×100=8%を占有することになる。したがって、従来技術のチップに関する象限110中の対応する間隙率は100%−8%=92%となる。
しかし、本発明の幅が異なる配線30”については、電力用および接地用バス配線は象限110の432μm総計幅象限の内ほぼ2×8.84=17.68μmを占有する、すなわち(17.68/432)×100=4%を占有することになる。したがって、本発明による象限110中の金属層M7”の間隙率は100%−4%=96%となる。本発明によって幅の異なる配線30”を設けることにより、金属層M7”の間隙率の向上分は96%−92%=4%となる。相対的な意味では、(4/92)×100=4%の向上となる。予期したように本発明の効果は、電力用バス108’の個々の配線が殆どの電流を搬送し、したがって最も広い配線を必要とする金属層M6で最も顕著である。
本発明を好ましい実施形態と共に説明したが、それらに限定されないことは理解されよう。反対に、特許請求の範囲で定義する本発明の精神と範囲に含まれるすべての代替形態、変更形態および均等物を包含することが所期される。
ASICダイの概略図である。 電力用、接地用およびI/O用コンタクトならびにロジック、メモリおよびI/Oセルの例示的構成を示す、ダイの一部を示す拡大図である。 従来技術の電力用バスを形成する金属および絶縁層を示す、ASICダイの部分断面正面図である。 図3の従来技術の電力用バスの金属層M7およびM6中の配線の部分平面図である。 本発明のASICチップを組み込んだデバイスの概略図である。 図5のASICチップの電力用グリッドの反復部を示す部分平面図である。 9個の電力用コンタクトの領域アレイにより画定される4つの領域で反復される図6の反復部を示す電力用グリッドの部分平面図である。 本発明による電力用バス配線幅を決定するのに用いる象限を示す図7の領域の1つの概略図である。 電流強度と図8に示した象限のX方向の電力用コンタクトからの距離との関係を示すグラフの一例である。 電流強度と図8に示した象限のY方向の電力用コンタクトからの距離との関係を示すグラフの一例である。
Figure 0004088587
Figure 0004088587

Claims (4)

  1. 複数のセル(18、20、22)と、
    前記複数のセル(18、20、22)と電気的に接続された電力用バス(108)とを備え、前記電力用バス(108)は前記複数のセル(18、20、22)の配置の前にモデル化された電流分布を用いて設計され、前記電力用バス(108)は、
    電力用コンタクト(12’)または接地用コンタクト(14’)によって囲まれた矩形形状および第1対称軸を有する領域(32’)と、
    第1の方向に延びる複数の第1配線(28’)を含み、前記複数の第1配線(28’)のそれぞれは前記領域(32’)に少なくとも部分的に配置された第1幅を有し、前記第1対称軸に平行である、第1金属層(M6’)とを備え、
    前記複数の第1配線(28’)の前記第1幅は前記第1対称軸に向かって縮小する
    集積回路。
  2. 前記複数の第1配線(28’)の前記対応する幅は前記対称軸に向かって対数的に縮小する、請求項に記載の集積回路。
  3. 前記領域(32’)は第2対称軸を有し、前記第2対称軸に平行で前記複数の第1配線(28’)に電気的に結合した複数の第2配線(30’)を含む第2金属層(M7’)をさらに備え、前記複数の第2配線(30’)のそれぞれは前記領域に少なくとも部分的に配置された第2幅を有し、前記第2配線(30’)の前記第2対応幅は前記第2対称軸に向かって縮小する、請求項に記載の集積回路。
  4. 前記第1配線(28’)の前記対応する幅は前記第1対称軸に向かって対数的に縮小し、前記第2配線(30’)の前記対応する幅は前記第2対称軸に向かって対数的に縮小する、請求項に記載の集積回路。
JP2003537121A 2001-10-17 2002-10-17 集積回路 Expired - Lifetime JP4088587B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/682,772 US6586828B2 (en) 2001-10-17 2001-10-17 Integrated circuit bus grid having wires with pre-selected variable widths
PCT/US2002/033505 WO2003034497A1 (en) 2001-10-17 2002-10-17 Integrated circuit bus grid having wires with pre-selected variable widths

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005507163A JP2005507163A (ja) 2005-03-10
JP4088587B2 true JP4088587B2 (ja) 2008-05-21

Family

ID=24741068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003537121A Expired - Lifetime JP4088587B2 (ja) 2001-10-17 2002-10-17 集積回路

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6586828B2 (ja)
EP (1) EP1442481A4 (ja)
JP (1) JP4088587B2 (ja)
KR (1) KR100583164B1 (ja)
CN (1) CN1316615C (ja)
WO (1) WO2003034497A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0673583U (ja) * 1993-03-29 1994-10-18 株式会社栗本鐵工所 温水配管の無締結継手用ゴムリング

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6004835A (en) * 1997-04-25 1999-12-21 Micron Technology, Inc. Method of forming integrated circuitry, conductive lines, a conductive grid, a conductive network, an electrical interconnection to anode location and an electrical interconnection with a transistor source/drain region
US6744130B1 (en) * 2003-07-08 2004-06-01 Lsi Logic Corporation Isolated stripline structure
US20050161820A1 (en) * 2004-01-27 2005-07-28 Ravindraraj Ramaraju Integrated circuit with conductive grid for power distribution
US7129416B1 (en) * 2004-02-05 2006-10-31 Apple Computer, Inc. Hybrid ground grid for printed circuit board
JP4539916B2 (ja) * 2005-01-19 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路、半導体集積回路の設計方法、及び半導体集積回路の設計用プログラム
US7990158B2 (en) * 2007-03-23 2011-08-02 International Business Machines Corporation Measurement arrangement for determining the characteristic line parameters by measuring scattering parameters
CN101499455B (zh) * 2008-02-02 2010-11-17 智原科技股份有限公司 应用于结构式特定用途集成电路的电源架构
KR101068998B1 (ko) * 2008-08-11 2011-09-30 금호석유화학 주식회사 N-치환 말레이미드류의 제조방법
JP2010074018A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Nec Electronics Corp 半導体装置
US8247906B2 (en) 2009-07-06 2012-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Supplying power to integrated circuits using a grid matrix formed of through-silicon vias
US8339803B2 (en) * 2009-12-04 2012-12-25 International Business Machine Corporation High-speed ceramic modules with hybrid referencing scheme for improved performance and reduced cost
US8336018B2 (en) * 2010-06-09 2012-12-18 Lsi Corporation Power grid optimization
US8927879B2 (en) * 2010-11-22 2015-01-06 International Business Machines Corporation Crosstalk reduction between signal layers in a multilayered package by variable-width mesh plane structures
US9311440B2 (en) * 2012-05-10 2016-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method of electromigration avoidance for automatic place-and-route
US9929095B2 (en) * 2014-11-06 2018-03-27 Qualcomm Incorporated IO power bus mesh structure design
US11239154B2 (en) * 2015-01-20 2022-02-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Fishbone structure enhancing spacing with adjacent conductive line in power network
US20170053058A1 (en) * 2015-08-21 2017-02-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Model-based rule table generation
US10923425B2 (en) * 2017-01-20 2021-02-16 Arm Limited Power distribution
CN107898393B (zh) * 2017-11-17 2020-12-04 北京奇虎科技有限公司 用于清洁机器人的区块调整方法、装置及机器人
US11444029B2 (en) 2020-02-24 2022-09-13 International Business Machines Corporation Back-end-of-line interconnect structures with varying aspect ratios

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5844743A (ja) * 1981-09-10 1983-03-15 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JPS63152163A (ja) * 1986-12-17 1988-06-24 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH01117341A (ja) * 1987-10-30 1989-05-10 Nec Corp 半導体装置
JP2901087B2 (ja) 1989-10-17 1999-06-02 株式会社東芝 半導体集積回路の電源配線設計方法及び電源配線設計装置
JPH03147350A (ja) * 1989-11-01 1991-06-24 Seiko Epson Corp マスタースライス方式集積回路装置
US5040144A (en) 1989-11-28 1991-08-13 Motorola, Inc. Integrated circuit with improved power supply distribution
JP2663680B2 (ja) 1990-05-24 1997-10-15 松下電器産業株式会社 チャネル配線方法
JP2580065B2 (ja) 1990-07-17 1997-02-12 株式会社日立製作所 大規模集積回路の電源配線方法
US5283753A (en) 1991-07-25 1994-02-01 Motorola, Inc. Firm function block for a programmable block architected heterogeneous integrated circuit
US5618744A (en) 1992-09-22 1997-04-08 Fujitsu Ltd. Manufacturing method and apparatus of a semiconductor integrated circuit device
WO1995017007A1 (en) * 1993-12-14 1995-06-22 Oki America, Inc. Efficient routing method and resulting structure for integrated circuits
US5793643A (en) 1996-04-30 1998-08-11 Avant| Corporation Method for handling variable width wires in a grid-based channel router
US5978572A (en) 1996-08-21 1999-11-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LSI wire length estimation and area estimation
US6002857A (en) 1996-11-14 1999-12-14 Avant! Corporation Symbolic constraint-based system for preroute reconstruction following floorplan incrementing
US6185722B1 (en) 1997-03-20 2001-02-06 International Business Machines Corporation Three dimensional track-based parasitic extraction
US6028440A (en) 1998-03-20 2000-02-22 Lsi Logic Corporation Estimation of voltage drop and current densities in ASIC power supply mesh
US6182272B1 (en) 1998-07-16 2001-01-30 Lsi Logic Corporation Metal layer assignment
US6111310A (en) * 1998-09-30 2000-08-29 Lsi Logic Corporation Radially-increasing core power bus grid architecture
US6184477B1 (en) 1998-12-02 2001-02-06 Kyocera Corporation Multi-layer circuit substrate having orthogonal grid ground and power planes
US6202191B1 (en) 1999-06-15 2001-03-13 International Business Machines Corporation Electromigration resistant power distribution network

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0673583U (ja) * 1993-03-29 1994-10-18 株式会社栗本鐵工所 温水配管の無締結継手用ゴムリング

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040035707A (ko) 2004-04-29
US6586828B2 (en) 2003-07-01
CN1316615C (zh) 2007-05-16
KR100583164B1 (ko) 2006-05-23
US20030071343A1 (en) 2003-04-17
EP1442481A1 (en) 2004-08-04
WO2003034497A1 (en) 2003-04-24
JP2005507163A (ja) 2005-03-10
EP1442481A4 (en) 2005-03-16
CN1572028A (zh) 2005-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4088587B2 (ja) 集積回路
US5264729A (en) Semiconductor package having programmable interconnect
EP0175870B1 (en) Wafer scale integrated circuit device
US4458297A (en) Universal interconnection substrate
US5319224A (en) Integrated circuit device having a geometry to enhance fabrication and testing and manufacturing method thereof
US7146596B2 (en) Integrated circuit chip having a ringed wiring layer interposed between a contact layer and a wiring grid
EP0220444A2 (en) Logic-circuit layout for large-scale integrated circuits
JP2016518715A (ja) Icダイおよび電圧チューナを有する半導体パッケージ
US6483043B1 (en) Chip assembly with integrated power distribution between a wafer interposer and an integrated circuit chip
IE53851B1 (en) Manufacture of integrated circuits by master slice methods
CN107742035B (zh) Pcb布线方法、装置、计算机可读存储介质及计算机设备
EP0219668A1 (en) Logic-circuit layout for large-scale integrated circuits
US6512289B1 (en) Direct current regulation on integrated circuits under high current design conditions
US20030025132A1 (en) Inputs and outputs for embedded field programmable gate array cores in application specific integrated circuits
EP0021661B1 (en) Semiconductor master-slice device
JPH04159751A (ja) 半導体集積回路装置およびその配線方法
CN114093810A (zh) 芯片及其设计方法
US11616019B2 (en) Semiconductor assembly
US6496383B1 (en) Integrated circuit carrier arrangement for reducing non-uniformity in current flow through power pins
JPH0194636A (ja) 半導体装置
Burman et al. Programmable multichip modules
JPS643056B2 (ja)
CN116127905B (zh) 用于设计基板的方法、基板及晶圆级芯粒集成结构
US6159774A (en) Multi-layer interconnection layout between a chip core and peripheral devices
JP2001035922A5 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A529 Written submission of copy of amendment under section 34 (pct)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A529

Effective date: 20040610

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040610

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071009

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080225

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228

Year of fee payment: 5