JPH04159751A - 半導体集積回路装置およびその配線方法 - Google Patents

半導体集積回路装置およびその配線方法

Info

Publication number
JPH04159751A
JPH04159751A JP2286809A JP28680990A JPH04159751A JP H04159751 A JPH04159751 A JP H04159751A JP 2286809 A JP2286809 A JP 2286809A JP 28680990 A JP28680990 A JP 28680990A JP H04159751 A JPH04159751 A JP H04159751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
standard cell
power supply
signal line
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2286809A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirohisa Machida
町田 浩久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2286809A priority Critical patent/JPH04159751A/ja
Publication of JPH04159751A publication Critical patent/JPH04159751A/ja
Priority to US08/242,153 priority patent/US5468977A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は標準セルを用いた半導体集積回路装置および
その配線方法に関するもので、特にCADを用いてレイ
アウトされる半導体集積回路装置およびその配線方法に
関するものである。
[従来の技術] 近年、半導体技術の進歩はめざましく、多くの機能やシ
ステムを1つのチップに集積できるようになってきた。
そのため、多くの分野でいろいろなシステムを1つのチ
ップ上に集積したいという要求は口増しに高まっている
。さらに、その要求は、所望する機能の集積回路を短時
間で手に入れたいというところまで高まっている。しか
し、数十万のトランジスタからなる回路を人間の手で設
計するには多くの時間を要し、設計の誤りを見つけるの
にも多大な時間と費用を必要とする。そのため、集積回
路の設計をコンピュータを利用してできるだけ自動で実
行したいという要求が新たに発生している。その解決の
ために考えられているのがCA D (Compute
r Aided Design )技術であり、その中
で最も簡単に半導体集積回路装置の設計に使用されるの
か標章セルを用いた自動配置配線プログラムである。
ここで標準セルとは、標準的な回路ブロックセルを予め
設計してセルライブラリに登録しておき、これを用いて
LSIを設計する方式で、セミカスタムLSIの設計法
の一種である。この方法は同じセミカスタムLSIであ
るゲートアレイ方式と、各回路ごとにマスクを全部作る
という点で異なっている。
第6図は標準セルを用いて自動配置配線プログラムで作
成した場合のセミカスタムLSIを示す全体図である。
第6図を参照して、セミカスタムLSIl0は、複数の
標準セルからなる標準セルの集合11と、標準セル]1
に電源線および接地線を供給するための電源供給線3a
、接地線8bとを含む。
第7図は第6図に示したセミカスタムLSIの一部を拡
大した図である。第7図を参照して、標準セルの集合1
1は複数の標準セル1a〜]eを含む。各々の標章セル
1a〜コeは他の標準セルの集合1 ]、 b内の他の
標準セルと信号線7a〜70等を介して接続される。
次に標準セルの内容について第8A図〜第8C図を参照
して説明する。第8A図は1つの標準セル]aの内容を
説明する図である。第8B図、第8C図は第8A図にお
ける■B−■B1■C−■Cで示す部分の断面図である
。第8A図を参照して、標準セル1aは縦方向に複数配
置された入出力端子2a〜2dと、入出力端子2a〜2
dに交わる方向に標準セルの上端および下端部分に設け
られた接地線用金属配線5b、電源線用金属配線5aと
、入出力端子2a〜2dを接続するための金属配線層3
a〜3dと、接地線用金属配線5bと電源線用金属配線
5aを隣接する標準セル間で接続するための接地線側入
力ピン4b、電源線側入力ピン4aとを含む。
接地線用金属配線5aおよび電源線用金属配線5bは第
8B図、第8C図に示すように金属配線層3a〜3dと
絶縁層21を介して設けられる。
標準セル1aは論理和、論理積、カウンタなどの任意の
論理を実現できる回路であり、様々な種類の回路が予め
準備されている。
第8A図に示すように通常、電源線用金属配線5aは太
い幅をもった配線が使用される。それは、電源供給線は
通常の信号線に比べて配線に流れる電流か多いためであ
る。トランジスタなどの能動素子は金属配線層3a〜3
dの」1方であってかつ金属配線5a、5bの間の能動
素子形成領域6に形成されている。トランジスタなどの
能動素子を金属配線層3a〜3dや接地線用金属配線5
a、電源線用金属配線5bに接続しておくことによって
1千意の論理機能を有する標準セルが形成される。
次に標準セルを用いて論理回路が形成された場合の例を
第7図を参照して説明する。論理和、論理積などの論理
回路には電源信号が供給されなければならないが、第8
A図で述べたように、標準セル1aの内部には横方向に
電源線用金属配線が存在する。標準セル]a〜]dが横
方向に相互に接地線側入力ピン4a、電源線側入力ピン
4bを相互に接触させて並べることによって、その列の
両側に電源供給線8aと接地線8bか接続される。
以上のようにしてそれぞれの単一の論理機能を有する標
準セルが複合化され、半導体集積回路全体で所望の回路
動作を実現できる。
第7図に示すように標準セル列の外部にある電源供給線
3a、接地線8bは通常の信号線78〜7cに比べて太
い幅をもった配線を利用するのが普通である。自動配置
配線プログラムは以上説明した操作をコンピュータを利
用して自動的で短時間に行なう。
ところで、論理回路の入力信号に電源信号を接続したい
場合がある。この場合を第9図を参照して説明する。電
源は論理回路の構成に必要な構成要素であり、一般に信
号として使用するものではない。しかしながら、標準セ
ルを用いた自動配置配線プログラムにおいては、標準セ
ルを標準化するために、たとえばAND論理回路であれ
ば、入力端子として6ピンとか8ピンといった偶数の端
子を有するものを使用し、奇数の端子を有するものを使
用しない。この場合においてたとえば6ピンのAND論
理回路を5ピンのAND論理回路として用いる場合、余
った1本の端子を第9図(b)に示すように電源電位に
接続する。このようにして6ピンのAND論理回路を第
9図(a)に示すように、5ピンのAND論理回路とし
て使用する。
この場合、この電源信号を電源供給線と区別するため電
源信号線と呼ぶ。電源信号線を標準セルに用いる場合、
自動配置配線プログラムでは従来衣のような方法で行な
っていた。
第10図は従来の自動配置配線プログラムが標準セル〕
Cに電源信号線を接続する方法を示す図である。第10
図を参照して、標準セル列の外部に存在する電源供給線
8aから標準セル1Cへ直接電源信号線12が接続され
る。この場合、セル列外部の電源供給線8aから標準セ
ルICへ長い太い電源信号線12がレイアウトされる。
電源信号線12は、電源接続線13aと同一であるため
、配線幅が太くなり、セミカスタムLSIにおいて無駄
な面積が必要とされる。そのため、電源信号線12が標
準セルICの入力信号に接続されるときには、電源信号
線12を細い配線幅にする工夫が必要となる。しかしな
がら、電源信号線12と電源接続線13aとの区別をソ
フトウェアで判断することは難しいため、この方法はあ
まり使われない。
第11図は従来の自動配置配線プログラムにおいて標準
セル1Cに電源信号を供給する他の例を示す図である。
第11図を参照して、電源信号を人力しなければならな
い標準セルICの隣に電源信号供給用の特別な標準セル
9を配置し、その特別な標準セル9の出力信号を電源信
号を必要とする標準セルICの入力端子に接続すること
によって電源信号が供給される。この特別標準セル9の
詳細を第12図に示す。第12図を参照して、特別標準
セル9は、標準セル内の電源供給線5aと金属配線層3
とがピアホール(あるいはスルーホール)を介して接続
されている。すなわち特別標準セル9においては、半導
体集積回路において異なった層の金属配線が短絡されて
いる。この特別標準セル9の出力はプログラム上では通
常信号線と同様に扱われるので、配線幅を気にする必要
はない。この場合、論理図中に前もってこの特別標準セ
ル9のことを記述しておく必要がある。
この標準セル9を用いた具体的な論理回路の例を次に説
明する。
第13A図、第13B図は6人力AND論理回路Aに特
別標準セル9を用いて電源信号線を接続した場合の具体
的な標準セルの配置図を示す図である。第13A図が回
路図であり、それに対応する実際の標準セルの配置図が
第13B図である。
第13B図を参照して、6人力AND論理回路Aのとな
りに特別標準セル9が設けられている。
ところで、ゲートアレイLSI装置において多入力論理
機能を有する出力回路の入力端子を所定電位にクリップ
する構造がたとえば特開昭61−1、23153号公報
に開示されている。第14図は同公報に開示された図で
ある。第14図を参照して、入力端子INI、IN2,
1N3とたとえば直角方向にクリップ用多結晶シリコン
配線20が設けられ、この配線20が電源VOOのアル
ミ配線とコンタクトホール25とによって接続されてい
る。そして、入力端子INI、IN2.IN3のいずれ
かとクリップ用配線20とを接続する場合には、各配線
の交差部分にコンタクトホール21等が設けられる。
[発明が解決しようとする課題] 従来の自動配置配線プログラムにおいては、特定の標準
セル1cに電源信号が供給される必要があるときは、以
上のように行なわれていた。自動配置配線プログラムで
半導体集積回路のレイアウトを自動生成する場合に、標
準セルの入力信号として電源信号のような標準セル内に
共通に存在している信号線を接続するときには、無駄な
領域を多く作るようになっていた。その結果、半導体集
積回路においてその占める面積が大きくなるという問題
点があった。
さらに、ゲートアレイLSI装置において入力端子等を
所定電位にクリップする場合は、クリップ用配線かセル
外に存在し、この場合も、半導体集積回路において無駄
な領域か増えるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、無駄な領域のない半導体集積回路装置および
その配線方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] (1) この発明の第1の請求項に係る複数の標準セル
からなる集積回路装置においては、各々の標準セルは各
々の標準セルの共通な信号線と、信号線と交わる方向に
配列され、信号線とは絶縁膜で分離された複数の入出力
端子および複数の入出力端子の各々に接続された能動素
子と、絶縁膜を貫通して設けられ、共通信号線と複数の
入出力端子のうちの少なくとも1つの端子とを接続する
ための接続配線層とを含む。
(2) この発明の請求項第2項に係る半導体集積回路
装置の製造方法は、所望の機能を達成する標準セルを準
備するステップと、標準セルは各々の標準セルの共通な
信号線と、信号線と交わる方向に設けられ、信号線とは
絶縁膜で分離された複数の入出力端子および複数の入出
力端子に接続された能動素子とを含み、標準セルに信号
線を接続するステップと、共通信号線と複数の入出力端
子のうちの少なくとも1つの端子を前記絶縁膜を貫通し
て接続するステップとを含む。
[作用] この発明に係る半導体集積回路装置およびその製造方法
においては、標準セルの内部において電源信号線のよう
な各標準セル内に共通に存在している信号線が標準セル
の入出力端子と標準セル内において接続される。
[実施例] 以下、この発明の一実施例を図を参照して説明する。第
1A図、第1B図、第1C図は従来の第8A図、第8B
図、第8C図に対応する図であり、同一の参照符号は同
一部分を示す。第1A図においては、電源線用金属配線
5aと金属配線層3cとを接続するためにピアホール1
0を介して配線が行なわれる。自動配置配線プログラム
においては、金属配線層3Cと電源線用金属配線5aと
が交わっている部分にピアホール10を置くようにソフ
トウェアか処理する。
なお第1A図〜第1C図に示す実施例においては、入出
力端子と電源線用金属配線とを接続するためにピアホー
ル10を用いているが、標準セル内で入出力端子と電源
線用金属配線の2つを接続できる手段であるならばどの
ような方法が用いられてもよい。
第2図はこの発明の効果を具体的に説明する図であり、
従来の第11図に対応する。第11図においては、標準
セル1cに電源信号線を供給するために標準特別セル9
が用いられたが、この発明によれば標準セル1cにピア
ホール]0を設け、そこを貫通して配線層が形成されれ
ばよい。この結果、特別標準セル9の分だけ半導体集積
回路装置の所要面積が削減される。
第3A図、第3B図はこの発明の具体的実施例を説明す
るための図であり、従来の第13A図、第1.3 B図
に対応する。参照符号が等しい部分は同一部分を示す。
第3A図、第3B図を参照して、6人力AND論理回路
においてピアホール10を設けることにより、6人力A
ND論理回路において特別標準セルの分だけ所望面積が
削減され得る。
次に第4A図〜第4C図を参照してこの発明に係る半導
体集積回路装置の配線方法について説明する。
この発明に係る製造方法においては、まず所定の機能を
有する標準セル]か複数準備される。たたしこの図では
標準セル1は図面の簡単化のため1個だけ記載される。
次に第4B図を参照して電源線側人力ピン4aに電源供
給線8aが接続され、接地線側人力ピン4bを介して接
地線8bか接続される。次に第4C図を参照してたとえ
ば金属配線層3Cに電源信号が必要な場合は、電源線用
金属配線5aと金属配線層3Cとの交差部にビアポール
10が形成され、そこに配線層が形成される。
上記実施例では、電源信号線の場合について説明したが
、クロック信号線やリセット信号線のように、各標準セ
ル内に共通に存在する信号線であればどのような信号線
に対してもこの発明は適用できる。
この場合の具体例を第5A図、第5B図を参照して説明
する。たとえば、第5A図、第5B図に示すように標準
セルの中に電源供給線や接地線と同様にクロック線]0
0か存在しているIgQセルを用いる場合、このクロッ
ク線1. OOと外部端子の接続にも本発明を利用すれ
ば、同様の効果を奏する。
[発明の効果] 以」二のように、この発明によれば、標準セルの入力信
号として電源信号線のような各標準セル内に共通に存在
する信号線が必要な場合、その信号線を標準セルの内部
で接続するようにしたため、レイアウト上に電源信号線
のような共通信号入力のための無駄な領域のない半導体
集積回路装置およびその配線方法を得られるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1A図、第1B図、第1C図はこの発明が適用された
標僧セルを示す図であり、第2図はこの発明の詳細な説
明するための図であり、第3A図、第3B図は、この発
明が具体的に適用された場合の例を示す図であり、第4
A図〜第4C図はこの発明に係る半導体集積回路装置の
配線方法をステップごとに示す図であり、第5A図、第
5B図はこの発明の他の実施例を示す図であり、第6図
は標準セルを用いて形成されたセミカスタムLSIの概
要を示す模式図であり、第7図は第6図の−部を拡大し
て示した図であり、第8A図は従来の標準セルを示す図
であり、第8B図、第8C図は、第8A図の■B−■B
1■C−■Cて示す部分の断面図であり、第9図はこの
発明か適用される6人力AND論理回路を示す模式図で
あり、第10図、第11図は、従来の自動配置配線プロ
グラムにおいて人力信号と電源信号とを接続するための
方法を示す図であり、第12図は第11図において用い
られた特別標桑セルを示す図であり、第13A図、第1
3B図は、6人力AND論理回路が標僧セルを用いて具
体化された場aの具体的な特別標準セルの配置を示す図
であり、第14図はゲ−l−アレイ装置における従来の
端子を所定電位にクリップする方法を示す図である。 1は標準セル、2a〜2dは入出力端子、3a〜3dは
金属配線層、4aは電源線側入力ピン、4bは接地線側
入力ピン、5aは電源線用金属配線、5bは接地線用金
属配線、6は能動素子形成領域である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数の標準セルからなる集積回路装置であって、 各々の前記標準セルは、 各々の前記標準セルに共通な信号線と、 前記信号線と交わる方向に配列され、前記信号線とは絶
    縁膜で分離された複数の入出力端子およびそれに接続さ
    れた能動素子と、 前記絶縁膜を貫通して設けられ、前記共通信号線と前記
    複数の入出力端子のうちの少なくとも1つの端子とを接
    続するための接続配線層とを含む、 集積回路装置。
  2. (2)CADを用いて半導体集積回路の配線を自動的に
    行なう方法であって、 前記半導体集積回路の機能を果たす標準セルを準備する
    ステップと、 前記標準セルは各々の前記標準セルに共通な信号線と、
    前記信号線と交わる方向に配列され、前記信号線とは絶
    縁膜で分離されている複数の入出力端子および前記入出
    力端子に接続された能動素子とを含み、 前記標準セルに前記共通信号線を接続するステップと、 前記標準セル内において前記共通信号線と前記複数の入
    出力端子のうちの少なくとも1つの端子とを前記絶縁膜
    を貫通して接続するステップとを含む、半導体集積回路
    装置の配線方法。
JP2286809A 1990-10-23 1990-10-23 半導体集積回路装置およびその配線方法 Pending JPH04159751A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2286809A JPH04159751A (ja) 1990-10-23 1990-10-23 半導体集積回路装置およびその配線方法
US08/242,153 US5468977A (en) 1990-10-23 1994-05-13 Standard cells interconnection structure including a modified standard cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2286809A JPH04159751A (ja) 1990-10-23 1990-10-23 半導体集積回路装置およびその配線方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04159751A true JPH04159751A (ja) 1992-06-02

Family

ID=17709330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2286809A Pending JPH04159751A (ja) 1990-10-23 1990-10-23 半導体集積回路装置およびその配線方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5468977A (ja)
JP (1) JPH04159751A (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5682323A (en) 1995-03-06 1997-10-28 Lsi Logic Corporation System and method for performing optical proximity correction on macrocell libraries
US5903886A (en) * 1996-04-30 1999-05-11 Smartlynx, Inc. Hierarchical adaptive state machine for emulating and augmenting software
JP3186715B2 (ja) * 1998-10-29 2001-07-11 日本電気株式会社 半導体集積回路装置
US6388332B1 (en) * 1999-08-10 2002-05-14 Philips Electronics North America Corporation Integrated circuit power and ground routing
US6870206B2 (en) * 2001-11-27 2005-03-22 Infineon Technologies Ag Semiconductor chip, fabrication method, and device for fabricating a semiconductor chip
DE10159216C2 (de) * 2001-11-27 2003-10-02 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip mit Standardzellen, sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung des Halbleiterchips
US6892370B2 (en) * 2003-04-02 2005-05-10 Silicon Design Systems Ltd. Computerized standard cell library for designing integrated circuits (ICs) with high metal layer intra cell signal wiring, and ICs including same
US7069522B1 (en) * 2003-06-02 2006-06-27 Virage Logic Corporation Various methods and apparatuses to preserve a logic state for a volatile latch circuit
US7219324B1 (en) * 2003-06-02 2007-05-15 Virage Logic Corporation Various methods and apparatuses to route multiple power rails to a cell
US7989849B2 (en) * 2006-11-15 2011-08-02 Synopsys, Inc. Apparatuses and methods for efficient power rail structures for cell libraries

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5522830A (en) * 1978-08-04 1980-02-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Unit cell for logic lsi chip
JPS61123153A (ja) * 1984-11-20 1986-06-11 Fujitsu Ltd ゲ−トアレイlsi装置
JPS6398132A (ja) * 1986-10-14 1988-04-28 Mitsubishi Electric Corp マスタスライスlsi装置
JP2606845B2 (ja) * 1987-06-19 1997-05-07 富士通株式会社 半導体集積回路
KR0130776B1 (ko) * 1987-09-19 1998-04-06 미다 가쓰시게 반도체 집적회로 장치
JPH02106968A (ja) * 1988-10-17 1990-04-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置及びその形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5468977A (en) 1995-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3179800B2 (ja) 半導体集積回路装置
EP1129486B1 (en) Integrated circuit power and ground routing
JP2668981B2 (ja) 半導体集積回路
JPH0527981B2 (ja)
JPH04159751A (ja) 半導体集積回路装置およびその配線方法
US5270592A (en) Clock supply circuit layout in a circuit area
JP2742735B2 (ja) 半導体集積回路装置およびそのレイアウト設計方法
JP2003124318A (ja) 半導体装置およびその内部電源端子間の電源配線方法
JP2001306641A (ja) 半導体集積回路の自動配置配線方法
EP0021661B1 (en) Semiconductor master-slice device
JPH08264658A (ja) 半導体集積回路
JPH10284605A (ja) 半導体集積回路およびセルベース方式によりレイアウト設計された半導体集積回路
US6780745B2 (en) Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same
US5340767A (en) Method of forming and selectively coupling a plurality of modules on an integrated circuit chip
JP3017181B1 (ja) 半導体集積回路の配線方法
JPS59163836A (ja) 半導体集積回路
JP2001035922A (ja) 半導体集積回路
JP2656263B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH04302161A (ja) 集積回路装置の製造方法
JP2000114378A (ja) 変更容易である回路配線を有する半導体回路素子及びその製造方法
JPS63107316A (ja) ゲ−トアレ−のクロツク分配構造
JP2933584B2 (ja) 半導体集積回路装置及びマクロ端子クランプ処理方法
JPH10340959A (ja) レイアウト方法
JPH11307639A (ja) 半導体集積回路の電源回路及び電源配線方法並びに電源配線手順を実行するプログラムを記録した記録媒体
JPH03147349A (ja) マスタースライス方式の半導体集積装置