JP4083812B2 - 電界発光照明システム - Google Patents

電界発光照明システム Download PDF

Info

Publication number
JP4083812B2
JP4083812B2 JP51813098A JP51813098A JP4083812B2 JP 4083812 B2 JP4083812 B2 JP 4083812B2 JP 51813098 A JP51813098 A JP 51813098A JP 51813098 A JP51813098 A JP 51813098A JP 4083812 B2 JP4083812 B2 JP 4083812B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
illumination system
layer
light scattering
medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP51813098A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000503163A (ja
JP2000503163A5 (ja
Inventor
イェルン イアン ホリックス
クン セオドラス フベルタス フランシスカス リーデンボーム
デル マルク マルティヌス ベルナルダス ファン
アドリアヌス ヨハネス マッテウス ベルントセン
イェルン ヨハネス マリヌス フレッハール
ヘンリ マリー ヨセフ ボーツ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Electronics NV filed Critical Philips Electronics NV
Publication of JP2000503163A publication Critical patent/JP2000503163A/ja
Publication of JP2000503163A5 publication Critical patent/JP2000503163A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4083812B2 publication Critical patent/JP4083812B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Description

本発明は、基板と、電界発光材料を具える活性層とを有し、前記活性層が第1透明電極層および第2電極層間にある照明システムに関係する。
本発明は、このような照明システムを具えるフラットパネル型の表示装置にも関係する。
電界発光照明システムは、照明源として、例えば、ディスプレイまたは表示灯(信号)において使用される。このような照明システムは、液晶表示パネルを有する表示装置(LCD装置)、例えば、ポリマ散乱液晶表示(PDLCD)装置またはプラズマアドレス液晶(PALC)表示装置用バックグラウンド照明としての使用に特に好適である。
序章において記載した形式の照明システムは、例えば、フィジクスワールド1992年11月号の42ないし46ページにおける、ディー ブラッドリーおよびエイ ホルムズによる論文「LCD」から既知である。この論文に記載の照明システムは、ガラス基板上に設けられる第1電極層上に形成される活性層として、半導体有機ポリマフィルムを具える。第2電極層を前記ポリマフィルム上に設ける。前記2枚の電極層の内一方を透明にし、前記照明システムの面に対して横断する方向に光を通過させるようにすべきである。電圧を前記2枚の電極層の両端間に印加すると、前記活性層および2枚の電極層は、共にプレーナー発光ダイオード(LED)を構成する。
前記既知の照明システムは、像の形成に使用できる光が比較的低い光出力しか持たないという欠点を有する。
とりわけ本発明の目的は、像の形成に使用できる光の光出力を改善した電界発光照明システムを提供することである。
この目的のために、本発明による電界発光照明システムは、光散乱特性を有する媒体を具える光散乱層を前記透明電極層の前記活性層から離れた方を向いている側において設け、前記光散乱層を横断して通過する場合の光ビームの無散乱変動を0.05ないし0.8の範囲内としたことを特徴とする。
本発明は、前記活性層によってすべての方向に発生された光の限られた部分が前記照明システムを離れ、前記光の残りの部分(75%程度)が前記照明システム(の基板)内の(全内)反射によって捕らえられるという認識に基づいている。前記活性層を通過する光を散乱する光散乱層の使用により、前記基板における反射によって捕らえられた光は部分的に散乱され、その結果、散乱後、前記捕らえられた光は、前記照明システムを所望の方向において(前記照明システムの射出面において)離れることができる。
この用途において、言葉「直接光」を、前記照明システムが光散乱層を持たない場合に、前記透明電極層の前記活性層から離れた方を向いている側において前記照明システムを直接離れる光として理解されたい。前記透明電極層の前記活性層から離れた側に対応する方向を、以後、順方向と呼ぶ。言葉「捕らえられた光」を、前記透明電極層の前記活性層から離れた方を向いている側において前記照明システムを離れることができない光として理解されたい。この捕らえられた光は、最後には前記照明システムに吸収されるか、前記光出力に有害な側において(例えば、前記基板のエッジを経て)前記照明システムを離れる。(高屈折率媒体において)捕らえられた光は、前記直接光が前記照明システムを離れる面(における法線)に対する入射角を有し、この角度は、前記射出面の両側における材料の屈折率の変化に対応する臨界角より大きい。すなわち、全内反射は、前記臨界角より大きい入射角を有する光に対して生じる。
光ビームが前記光散乱層を通過し、このビームが前記基板に対して横向きであり、ほぼ平行である(例えば、コリメートされた光か、レーザ源から来る光であり、前記光散乱層に垂直に入射する)場合、この光の一部は前記光散乱層において散乱され、他の光は前記入射角に対して変化しない方向において前記光散乱層を離れる。本発明の他の条件が満たされる場合、すなわち、前記光ビームの無散乱変動が0.05以上0.8以下の範囲内(すなわち5%以上80%以下の範囲内)である場合、像の形成に利用できる光の光強度は改善される。前記無散乱変動を測定する場合、前記光散乱層において生じるかもしれない吸収と、前記光が前記光散乱層に入射する面および離れる面における反射によって生じる損失とを補償する。一般的に、前記光散乱媒体の光散乱特性を、前記光散乱層による光の吸収による損失が、前記光散乱層の設備による前記照明システムにおいて像の形成に利用可能な光の光出力の増加よりも相当小さくなるように選択する。
前記光散乱層の存在によって、前記直接光および捕らえられた光の双方が、部分的に散乱される。しかしながら、前記直接光は、前記照明システム(の基板)において前記捕らえられた光よりも短い経路をとることから、前記直接光の散乱の可能性は、前記捕らえられた光の散乱の可能性よりも小さくなる。さらに、前記既知の照明システムにおいて、前記捕らえられた光と直接光との比は、3:1程度であり、その結果、前記捕らえられた光は直接光より多く、したがって、前記散乱される捕らえられた光の量は、前記散乱される直接光の量より多くなる。本発明者は、前記照明システムにおける光散乱層の存在による前記直接光および捕らえられた光の散乱の効果の合計が、像の形成に利用可能な前記照明システムからの光の合計の光出力において正および負の両方の効果を有するかもしれず、前記光散乱層に横向きに入射する(コリメートされた)光ビームの変動が0.05ないし0.8の範囲内である場合、(正味の)効果が正であり、前記範囲外である場合、十分により小さいことを理解した。本発明者は、像の形成に利用可能で、前記照明システムによって伝えられる光の最適な光出力は前記範囲内で得られ、この最大は前記無散乱変動が0.1以上0.5以下の範囲内で得られることを認めた。本発明による照明システムにおいて光散乱層として使用される異なる光散乱媒体による多くの実験において、比較的均一な最適条件が、前記無散乱変動の0.37程度の値において前記光出力において生じることが分かった。
像の形成に利用可能な光の光出力における最適値の変化および発生は、前記光散乱層の特性(粒子の材料特性、密度、粒子サイズ、光学特性)と、使用される材料の屈折率の差と、使用される光の波長(範囲)とによって決定される。多数のこれらの態様を、本出願の他の記述において、例として説明する。
本発明による照明システムの一実施形態は、前記基板が、前記光散乱媒体を具えることを特徴とする。一般的に、前記基板は、前記照明システムの前記活性層から離れた方を向いている側において存在し、前記直接光は前記基板を経て前記照明システムを離れる。前記光散乱層を前記基板に付加することによって、前記照明システムの光出力は、簡単な方法において改善される。
本発明による照明システムの一実施形態は、前記光散乱層を前記基板の前記活性層から離れた方を向いている側において設けたことを特徴とする。前記基板の外面側と、前記透明電極層とに別個の光散乱層を設けることによって、前記光散乱層の特性を、簡単な方法において、適合させ、影響を与えることができる。前記光散乱層を、代わりに、前記透明電極層と基板との間に設け、前記光散乱層が前記活性層に接近して位置するようにしてもよい。
前記光散乱層の効果と、したがって前記照明システムの光出力とは、前記光散乱媒体中の光の散乱を、散乱の(単位長さ当たりの)確率が前記捕らえられた光に関するよりも前記直接光に関するほうが小さくなるように異方性にした場合、改善される。この目的のため、本発明による照明システムの好適実施形態は、前記媒体が異方性光散乱特性を有し、前記活性層によって放射され、前記媒体中を前記活性層に対して横方向に伝播する光が、前記媒体中を他の方向に伝播する光よりも少ない程度に散乱するようにしたことを特徴とする。例えば、前記光散乱粒子が球形状ではなく、これらの非球状粒子の長手軸が前記活性層(の表面)に対して横方向を向いている場合、すなわち、前記光散乱層における非球状粒子の長手軸が、前記直接光が放射される(主な)方向に対応する。それにより、前記直接光は、より少なく散乱されるようになり、前記捕らえられた光は、より多く散乱されるようになる。
本発明による照明システムの他の好適実施形態は、前記媒体が光を散乱する粒子を具え、前記粒子の屈折率の前記活性層に対して横方向における成分(nz)が前記粒子の屈折率の他の成分(nx,ny)と異なるようにしたことを特徴とする。前記光散乱層の効果と、したがって前記照明システムの光出力とは、有向複屈折粒子を(非複屈折)媒体において使用する場合、改善される。
本発明による照明システムの他の好適実施形態は、前記媒体が光を散乱する粒子を具え、前記媒体の屈折率の前記活性層に対して横方向における成分(nz)が前記媒体の屈折率の他の成分(nx,ny)と異なるようにしたことを特徴とする。前記光散乱層の効果と、したがって前記照明システムの光出力とは、複屈折層における複屈折粒子の適切な組み合わせを使用することによって、さらに改善される。
前記光散乱層は、好適には、異なる屈折率を有する2つの構成要素を具え、これら2つの構成要素の屈折率の差を0.05以上とする。前記構成要素の屈折率の差が0.05以上、好適には0.1以上の場合、前記照明システム光出力における前記光散乱層の作用が改善される。
本発明のこれらおよび他の態様は、以下に記載の実施形態の参照によって明らかになるであろう。
図1Aは、先行技術による照明システムの一実施形態の断面図である。
図1Bは、本発明による照明システムの一実施形態の断面図である。
図1Cは、本発明による照明システムの他の実施形態の断面図である。
図1Dは、本発明による照明システムの他の実施形態の断面図である。
図2Aないし2Eは、光を異方的に散乱する媒体を具える、本発明による光散乱層の例を示す。
図3は、本発明による高屈折光散乱層を設けた照明システムの一実施形態の断面図である。
図4は、本発明による照明システムを設けたフラットパネル表示装置の一実施形態を示す。
これらの図は、図式的であり、一定の尺度ではない。明瞭にするために、いくつかの寸法を、きわめて誇張した。これらの図における同様の構成要素を、できるだけ同じ参照符によって示した。
図1Aは、基板2と、電界発光材料の光学的活性層3とを具える、先行技術の電界発光照明システム1の図式的な断面図である。層3は、2枚の電極層5,7によって取り囲まれている。前記電極層の一方、図1Aの例において層5は、光学的に透明である。この電極層5は、活性材料の層3へのホールの注入を保証し、アノードと呼ばれる。この電極層5に好適な材料は、例えば、錫ドープ酸化インジウムか、ポリアニリン(PANI)のような透明導電ポリマ層か、これらの材料の組み合わせである。カソードと呼ばれる他方の電極層7は、通常反射し、活性層3への電子の注入を保証する。このカソードは、例えば、カルシウム、インジウム、アルミニウム、バリウムまたはマグネシウムから成る。
2枚の電極層5,7の両端間に電圧源6によって電圧を印加すると、ホールおよび電子が活性層3に注入され、この活性層3において前記ホールおよび電子は再結合し、その結果として、この層3の分子は、より高いエネルギーレベルに達する。ある分子がより低いエネルギーレベルに落ちると、このエネルギーは、光の形成において開放される。このプロセスは、電界発光として知られている。電界発光は、電界発光箔(例えば、ポリママトリックスにおける蛍光体(例えば、ZnS))においても生じる。
種々の形式の材料を、活性層3に使用することができる。電界発光材料を、有機材料としても、無機材料としてもよい。例えば、III−VまたはII−VI半導体または蛍光体のような無機材料の活性層3への使用は、本質的に既知である。例えば8ヒドロキシキノリンアルミニウムのような金属キレート化合物と、例えばポリ(フェニレンビニレン)(PPV)のような半導体有機ポリマが、有機材料として既知である。これらの材料は、一枚の層または複数の層における活性層として機能してもよい。ポリマLEDの利点は、前記照明システムをきわめて薄い形態において、すなわち(可撓性)フィルムとして実装できることである。さらに、第1透明電極層5および第2電極層7に加えて、前記照明システムの効率をさらに増すために、前記電子およびホール注入を増加する追加の層があってもよい。
図1Aは、活性層3における仮想の点において発生し、活性層3から離れて透明電極層5の方向に放射される3つの可能な光線a、b、cを示し、前記方向を順方向9と呼ぶ。光線aは、前記照明システムを垂直において離れ、その結果、光線aは、前記照明システムを離れるときにその方向を変えない(真っ直ぐ進む)。光線bは、前記照明システムの射出面に、前記射出面における法線に対して測ったある入射角で当たり、前記射出面をある射出角で離れ、前記射出角は前記入射角より大きい(より高い屈折率を有する媒体と、より低い屈折率を有する媒体との界面、例えば、ガラス/空気界面において起こる通常の屈折)。光線cは、前記照明システムの射出面に、前記射出面の両側における材料の屈折率の変化に対応する臨界角より大きい入射角で当たり、その結果として、全内反射が起こり、すなわち、光線cは、前記照明システムの射出面において反射し、光線cに対応する光は、前記照明システムを離れることができない。
屈折率nを有する材料と空気との間の界面の射出面において等方的に入射する光の部分の概算は、
Figure 0004083812
によって与えられる。前記(基板)材料の屈折率がガラスの屈折率(n=1.5)に対応する場合、一般的に前記光の75%程度が前記照明システム(の基板)における全内反射によって捕らえられたままになり、したがって、前記照明システムの光出力への寄与に利用できない。本発明の目的は、この捕らえられた光の一部を直接光に変換し、したがって、前記照明システムの光出力を改善することである。
図1Bに示す本発明による照明システム1の実施形態において、基板2’は、本発明による光散乱特性を有する媒体を具える。活性層3における仮想点において発生し、前記基板の光散乱特性が無いと、前記射出面の両側における材料の屈折率の変化に対応する臨界角以上の入射角において前記照明システムの射出面に当たり、その結果として全反射する光線c’は、ここでは、前記基板中の光散乱媒体において散乱される可能性を有する。この散乱の結果として、前記射出面における入射角は前記臨界角より小さくなることができ、その結果、光線c’は前記システムを離れることができる。前記基板における光散乱媒体の材料特性、密度および光学特性のような、前記光散乱媒体の特性の適切な選択によって、前記照明システムの光出力を大幅に改善することができる。前記照明システムの光出力のさらなる改善は、前記捕らえられた光の散乱の可能性をさらに増すために、反射層を前記基板のエッジに設けることである(図1Bには示さず)。
図1Cに示す本発明による照明システム1の好適実施形態において、基板2に光散乱特性を有する媒体を具える光散乱層8を設ける。活性層3における仮想点において発生した光線c’は、したがって、光散乱層8における光散乱媒体において散乱される可能性を与えられ、その結果、光線c’は前記システムを離れることができる。光散乱層8における光散乱媒体の特性によって、これらの光線の方向は、前記光散乱媒体によって、これらの光線が前記照明システムの光出力の改善に寄与するように「補正」される。前記照明システムの光出力のさらなる改善は、前記捕らえられた光の散乱の可能性をさらに増すために、反射層を前記基板の(側)壁に設けることである(図1Cには示さず)。
図1Dに示す本発明による照明システム1の他の好適実施形態において、光散乱層8’が基板2と透明電極層5との間に存在し、この光散乱層8’は光散乱特性を有する媒体を具える。前記光散乱層をできるだけ活性層3に近づけて位置させるならば一般的に好適である。
前記散乱媒体は、例えば、屈折率n2を有する透明媒体において分布された屈折率n1≠n2を有する比較的小さい透明粒子を具えてもよく、または、乳状液体を具えてもよい。図2Aは、その内の1つを図2Aに示す屈折率n1を有する粒子20を具える光散乱層を示し、これらの粒子は、屈折率n2を有する媒体18において分布し、散乱の可能性は入射光線の方向によらない。媒体18と粒子20との屈折率の差を、好適には、|n2−n1|≧0.05とする。例としての、グリセロール中の3μmの直径dを有する(ラテックス)ペレットを光散乱媒体として使用する実験において、前記層の厚さと、前記グリセロール中の(ラテックス)ペレットの濃度とに応じて、このような光散乱層の無い照明システムに対して、前記照明システムの光出力の35%程度の増加が測定された。
前記散乱層の効果は、前記光の散乱の可能性が前記入射光線の方向に依存する場合、はるかに改善され、前記捕らえられた光の散乱の(単位長さ当たりの)可能性が前記直接光の散乱の可能性より高いことが保証される。これを、例えば、屈折率n2を有する透明媒体18’中の屈折率n1≠n2を有する非球状散乱粒子21を方向づけすることによって達成する(図2B参照)。この場合において、図2Bにおける非球状散乱粒子21の方向を、順方向19と平行に選択する。方向づけされた複屈折散乱粒子22を非複屈折媒体18”中で使用する他の散乱方法を図2Cにおいて示す。複屈折を、材料の屈折率がすべての方向において同じでないことを意味すると理解されたい。図2Cにおいて、粒子22の屈折率は、3つの互いに直交する成分、すなわちnx、nyおよびnzを有し、nzは順方向19に少なくともほぼ平行であり、nx=ny≠nzであり、媒体”の屈折率n2は粒子22のnzと異なっており、すなわちnz≠n2である。光がz軸に沿って入射すると、すなわち、x−y面において偏向すると、前記粒子および媒体間の屈折率の差はなくなり、散乱は起こらない。光が前記媒体を斜めに通過すると(すなわち、前記順方向に対してある角度で入射すると)、屈折率差が生じ、散乱が起こる。
図2Dに示す例において、(等方的)屈折率n1を有する非複屈折粒子23を複屈折媒体18””に入れ、複屈折媒体18”’の屈折率は、3つの互いに直交する成分、すなわちnx、nyおよびnzを有し、nzは順方向19に少なくともほぼ平行であり、nx=ny≠nzであり、nz≠n2である。前記光散乱層の他の好適な選択は、図2Eに示すような、3つの互いに直交する成分n2x、n2yおよびn2zを有する屈折率を有する複屈折媒体18”’中に、3つの互いに直交する成分n1x、n1yおよびn1zを有する屈折率を有する複屈折粒子24を具える。
粒子20、21、22、23、24は、好適には、
0.1λ≦d≦10λ
の平均サイズ(直径)dを有し、λを、使用する光の波長とする(可視光の場合において、400ないし780nmの波長λを有し、dを40nmないし8μm程度の範囲とする)。前記粒子の平均サイズを、好適には2λより小さくし、前記粒子のサイズを、好適には使用する光の波長程度とする。
前記照明システムの光出力を、前記基板上に高屈折性材料の層を設けることによって、さらに改善することができる。図3の例において、高屈折性光散乱層28を基板2の上に設け、その下に、活性層3および2枚の電極層5、7を具える電界発光システムを設け、順方向を参照符29を有する矢印によって示す。好適な高屈折性材料は、窒化シリコン、酸化タンタル、酸化ニオブおよび酸化チタンである。ダイヤモンド粉末を具える層も使用され、この材料は、基板2に対して高い屈折率を有する。光散乱層28としての使用にきわめて好適な材料は、TiO2である。平均直径dが、
0.1λ≦d≦10λ
の、少なくともほぼ球状の粒子が、好適に使用される。球状粒子を、楕円体または針状粒子を意味するとも理解されたい。きわめて良好な結果が、高屈折性粒子の単分子層、好適には(少なくともほぼ球状の)TiO2粒子の単分子層の一部を使用することによって得られる。高屈折性粒子を設けた前記光散乱層の平均厚さtを、好適には、
1/2λ≦t≦10λ
とする。きわめて好適な層は、0.1ないし1μm、好適には0.2ないし0.5μmの平均サイズを有するTiO2粒子を具える。これらの粒子を前記基板上にいわゆる「半単分子層」において設けた場合、像の形成に利用できる光の光出力の250%の改善が測定された。半単分子層を、前記基板のほぼ半分を前記材料の粒子で、前記粒子の平均サイズにほぼ対応する前記粒子間の平均間隔で(すなわち、サイズdを有し、間隔dで互いに離れた粒子で)覆うことを意味すると理解されたい。
前記照明システムの光出力を改善する他の方法は、前記基板のエッジにおいて反射層26を設けることである(図3参照)。順方向29に対して横向きの基板2の(側)壁において設けられた光反射層26またはコーティングは、前記捕らえられた光が前記基板を横からは離れることができず、層26によって反射され、その結果、前記光が基板2中に残るのを保証する。これは、前記捕らえられた光が散乱する可能性を増加させ、その結果、前記捕らえられた光は、像の形成に利用できる光にまだ寄与することができる。基板2上に設けられた光散乱層28と、基板2のエッジにおいて設けられた光反射コーティング26の組み合わせは、像の形成に利用できる光の光出力の相当な改善をもたらす。
図4は、本発明による照明システムを設けたフラットパネル表示装置の一実施形態をきわめて図式的に示す。照明システム1によって供給される光は、この例においては、色を表示する複数の液晶セル30を有し、2枚の基板32、33間に液晶層31を具える液晶カラー表示装置(LCD)である表示装置に入射する。基板32、33における電極は図4において示さず、簡単にするために、1個の液晶セル30のみを示す。この装置は、2つの偏光子34、35をさらに具える。前記照明システムそれ自体が偏光された光を放射する場合、例えば、(反射する)偏光子を有する層(図4には示さず)が、照明システム1内に透明電極層5の活性層3から離れた方を向いている側においてある場合、偏光子34を省いてもよい。前記表示装置を、ポリマ散乱液晶表示(PDLCD)装置またはプラズマアドレス液晶(PALC)表示装置としてもよい。
本発明による光散乱特性を有する層を設けた照明システムを使用することによって、直接光と捕らえられた光との比が、前記直接光のために、前記光の散乱および/または反射によって改善されるため、比較的高い光出力を持ったフラットパネル表示装置が得られる。
本発明の範囲内の多くの変形例が、当業者によって考えられうることは明らかであろう。
まとめにおいて、本発明は、基板と、電界発光材料を具える活性層とを有し、前記活性層が第1透明電極層および第2電極層間にある照明システムに関係する。前記照明システムは、光散乱特性を有する媒体を具える光散乱層を前記活性層に対して順方向において設け、この光散乱層を順方向(29)において通過した場合の(コリメートされた)光ビームの無散乱変動を0.05ないし0.8の範囲内、好適には0.1ないし0.5の範囲内としたことを特徴とする。前記媒体の光散乱特性を、好適には、複屈折粒子および/または媒体を使用することによって達成されるように、光がより斜めに入射するにつれてより強くする。きわめて好適な光散乱層は、前記基板上に設けた、0.1−1μmの平均サイズを有するTiO2(球状)粒子の(半)単分子層である。前記照明システムの光出力は、前記基板のエッジに反射コーティングを設けることによってさらに改善される。

Claims (16)

  1. 基板と、電界発光材料を具える活性層とを有し、前記活性層が第1透明電極層および第2電極層間にある照明システムにおいて、
    光散乱特性を有する媒体を具える光散乱層を前記透明電極層の前記活性層から離れた方を向いている側において設け、前記光散乱層を横断して通過する場合の光ビームの非散乱の割合を0.05ないし0.8の範囲内とし、前記非散乱の光ビームは、光ビームの一部であり入射角に対して変化しない方向で光散乱層を離れるものであり、
    前記媒体が異方性光散乱特性を有し、前記活性層によって放射され、前記媒体中を前記活性層に対して横方向に伝播する光が、前記媒体中を他の方向に伝播する光よりも少ない程度に散乱するようにしたことを特徴とする照明システム。
  2. 請求の範囲1に記載の照明システムにおいて、前記非散乱の割合を0.1ないし0.5の範囲内としたことを特徴とする照明システム。
  3. 請求の範囲1または2に記載の照明システムにおいて、前記基板が前記光散乱媒体を具えることを特徴とする照明システム。
  4. 請求の範囲1または2に記載の照明システムにおいて、前記光散乱層を前記基板の前記活性層から離れた方を向いている側において設けたことを特徴とする照明システム。
  5. 請求の範囲に記載の照明システムにおいて、前記光散乱媒体が、長手軸が前記活性層に対して横方向を向いた非球状粒子を具えることを特徴とする照明システム。
  6. 請求の範囲またはに記載の照明システムにおいて、前記光散乱媒体が光を散乱する粒子を具え、前記粒子の屈折率の前記活性層に対して横方向における成分が前記粒子の屈折率の他の成分と異なるようにしたことを特徴とする照明システム。
  7. 請求の範囲またはに記載の照明システムにおいて、前記光散乱媒体が光を散乱する粒子を具え、前記光散乱媒体の屈折率の前記活性層に対して横方向における成分が前記光散乱媒体の屈折率の他の成分と異なるようにしたことを特徴とする照明システム。
  8. 請求の範囲1ないしのいずれか1つに記載の照明システムにおいて、前記光散乱層が異なる屈折率を有する2つの構成要素を具え、前記2つの構成要素間の屈折率の差を0.05より大きくしたことを特徴とする照明システム。
  9. 請求の範囲1ないしのいずれか1つに記載の照明システムにおいて、前記基板のエッジに反射コーティングを設けたことを特徴とする照明システム。
  10. 請求の範囲1ないしのいずれか1つに記載の照明システムにおいて、前記光散乱媒体が、窒化シリコン、酸化タンタル、酸化ニオブおよび酸化チタンのグループからの材料を具えることを特徴とする照明システム。
  11. 請求の範囲10に記載の照明システムにおいて、前記材料がTiO2を具えることを特徴とする照明システム。
  12. 請求の範囲10または11に記載の照明システムにおいて、前記材料がほぼ球状の粒子を具えることを特徴とする照明システム。
  13. 請求の範囲12に記載の照明システムにおいて、前記粒子が0.1μmないし1μmの平均直径を有することを特徴とする照明システム。
  14. 請求の範囲101112または13に記載の照明システムにおいて、前記層が前記材料の単分子層の一部を具えることを特徴とする照明システム。
  15. 基板と、電界発光材料を具える活性層とを有し、前記活性層が第1透明電極層および第2電極層間にある照明システムにおいて、
    光散乱特性を有する媒体を具える光散乱層を前記透明電極層の前記活性層から離れた方を向いている側において設け、前記光散乱層を横断して通過する場合の光ビームの非散乱の割合を0.05ないし0.8の範囲内とし、前記非散乱の光ビームは、光ビームの一部であり入射角に対して変化しない方向で光散乱層を離れるものであり、
    前記媒体が異方性光散乱特性を有し、前記活性層によって放射され、前記媒体中を前記活性層に対して横方向に伝播する光が、前記媒体中を他の方向に伝播する光よりも少ない程度に散乱するようにし、
    前記基板のエッジに反射コーティングを設けたことを特徴とする照明システム。
  16. 請求の範囲1ないし15のいずれか1つに記載の照明システムを設けたフラットパネル型の表示装置。
JP51813098A 1996-10-15 1997-09-08 電界発光照明システム Expired - Fee Related JP4083812B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP96202867 1996-10-15
EP96202867.6 1996-10-15
PCT/IB1997/001080 WO1998017083A1 (en) 1996-10-15 1997-09-08 Electroluminescent illumination system

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000503163A JP2000503163A (ja) 2000-03-14
JP2000503163A5 JP2000503163A5 (ja) 2005-06-16
JP4083812B2 true JP4083812B2 (ja) 2008-04-30

Family

ID=8224494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51813098A Expired - Fee Related JP4083812B2 (ja) 1996-10-15 1997-09-08 電界発光照明システム

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5955837A (ja)
EP (1) EP0867104B1 (ja)
JP (1) JP4083812B2 (ja)
CN (1) CN1089542C (ja)
DE (1) DE69717599T2 (ja)
TW (1) TW386609U (ja)
WO (1) WO1998017083A1 (ja)

Families Citing this family (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2848383B1 (ja) * 1997-11-26 1999-01-20 日本電気株式会社 有機el素子の製造方法
US6952310B1 (en) * 1999-05-12 2005-10-04 Nitto Denko Corporation Light pipe and polarized-light source
JP2001035653A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Nec Corp 有機elパネルとそのフィルタ
JP3503579B2 (ja) 1999-12-08 2004-03-08 日本電気株式会社 有機el素子及びその製造方法
JP4614400B2 (ja) 2000-01-17 2011-01-19 日東電工株式会社 有機el発光装置、偏光面光源装置及び液晶表示装置
US6700322B1 (en) * 2000-01-27 2004-03-02 General Electric Company Light source with organic layer and photoluminescent layer
US7233026B2 (en) * 2000-03-23 2007-06-19 Emagin Corporation Light extraction from color changing medium layers in organic light emitting diode devices
US6653765B1 (en) * 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
JP4984343B2 (ja) * 2000-09-29 2012-07-25 株式会社日立製作所 有機電界発光素子及びそれを用いた光電子素子
AU2001249085A1 (en) * 2000-11-02 2002-05-15 3M Innovative Properties Company Brightness and contrast enhancement of direct view emissive displays
AU2001247342A1 (en) * 2000-11-02 2002-05-15 3M Innovative Properties Company Brightness enhancement of emissive displays
US6703780B2 (en) * 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
JP2002260845A (ja) * 2001-03-02 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス発光素子、それを用いた表示装置または発光源
CN1554212A (zh) * 2001-09-13 2004-12-08 �ղ���ѧ��ҵ��ʽ���� 有机电致发光元件用透明基板及有机电致发光元件
DE10145492B4 (de) * 2001-09-14 2004-11-11 Novaled Gmbh Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung, insbesondere als Weißlichtquelle
WO2003047316A1 (en) * 2001-11-29 2003-06-05 The Trustees Of Princeton University Increased emission efficiency in organic light-emitting devices on high-index substrates
JP2005512303A (ja) * 2001-12-12 2005-04-28 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 改善されたコントラストを有する電界発光デバイス
DE10164016B4 (de) * 2001-12-28 2020-01-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organische Leuchtdiode (OLED) und Verfahren zu ihrer Herstellung
US7012363B2 (en) 2002-01-10 2006-03-14 Universal Display Corporation OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies
JP4104339B2 (ja) * 2002-02-06 2008-06-18 松下電器産業株式会社 発光素子及びその製造方法、並びに表示装置
US6891330B2 (en) * 2002-03-29 2005-05-10 General Electric Company Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission
CN1282909C (zh) * 2002-08-09 2006-11-01 精工爱普生株式会社 曝光头及使用该曝光头的图像形成装置
KR100494557B1 (ko) * 2002-09-05 2005-06-13 한국전자통신연구원 고굴절률 덮개층을 가지는 고효율 발광소자
US6965197B2 (en) * 2002-10-01 2005-11-15 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency
JP4350996B2 (ja) 2002-11-26 2009-10-28 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置
US6952079B2 (en) 2002-12-18 2005-10-04 General Electric Company Luminaire for light extraction from a flat light source
WO2004084323A1 (de) * 2003-03-19 2004-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organische leuchtdiode mit verbesserter lichteffizienz
US20040217702A1 (en) * 2003-05-02 2004-11-04 Garner Sean M. Light extraction designs for organic light emitting diodes
US7245074B2 (en) * 2003-07-24 2007-07-17 General Electric Company Organic electroluminescent devices having improved light extraction
JP4195352B2 (ja) * 2003-09-10 2008-12-10 三星エスディアイ株式会社 発光素子基板およびそれを用いた発光素子
JP4703108B2 (ja) 2003-09-10 2011-06-15 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光素子基板およびそれを用いた発光素子
JP2005142002A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Toyota Industries Corp 照明装置及び表示装置
JP2006032885A (ja) * 2003-11-18 2006-02-02 Sharp Corp 光源装置およびそれを用いた光通信装置
CN1638585A (zh) * 2003-12-26 2005-07-13 日东电工株式会社 电致发光装置,平面光源和使用该平面光源的显示器
FR2859823A1 (fr) * 2004-03-10 2005-03-18 Thomson Licensing Sa Panneau organique electroluminescent comprenant une couche d'extraction de lumiere incorporant des particules reflechissantes
CN100555701C (zh) * 2004-06-14 2009-10-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有改进型发光轮廓(Profile)的发光二极管
JP2008503891A (ja) 2004-06-25 2008-02-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 改善された光放射率プロファイルを備えるled
JPWO2006008987A1 (ja) * 2004-07-15 2008-05-01 出光興産株式会社 有機el表示装置
TWI294252B (en) * 2004-09-28 2008-03-01 Toshiba Matsushita Display Tec Display
JP2008521165A (ja) * 2004-11-16 2008-06-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 有機発光デバイス、それを製造するための方法、および複数の有機発光デバイスを備えるアレイ
KR20070089845A (ko) * 2004-12-06 2007-09-03 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 유기 전계발광 광원
US7602118B2 (en) * 2005-02-24 2009-10-13 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US8125128B2 (en) 2005-03-11 2012-02-28 Mitsubishi Chemical Corporation Electroluminescence element and lighting apparatus
US7276848B2 (en) 2005-03-29 2007-10-02 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US20060232195A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US20060250084A1 (en) * 2005-05-04 2006-11-09 Eastman Kodak Company OLED device with improved light output
US7811679B2 (en) * 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
JP2007013913A (ja) * 2005-05-30 2007-01-18 Toyota Industries Corp 照明装置および原稿読取装置
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US20070013293A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Eastman Kodak Company OLED device having spacers
US7531955B2 (en) * 2005-07-12 2009-05-12 Eastman Kodak Company OLED device with improved efficiency and robustness
CN101248534A (zh) * 2005-08-24 2008-08-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有光转换元件的电致发光器件
US20070103056A1 (en) * 2005-11-08 2007-05-10 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US7508130B2 (en) * 2005-11-18 2009-03-24 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US7466075B2 (en) * 2005-12-08 2008-12-16 Eastman Kodak Company OLED device having improved output and contrast with light-scattering layer and contrast-enhancement layer
US7710026B2 (en) 2005-12-08 2010-05-04 Global Oled Technology Llc LED device having improved output and contrast
DE102006000993B4 (de) * 2006-01-05 2010-12-02 Merck Patent Gmbh OLEDs mit erhöhter Licht-Auskopplung
US7594839B2 (en) * 2006-02-24 2009-09-29 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US20070201056A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Eastman Kodak Company Light-scattering color-conversion material layer
US7791271B2 (en) * 2006-02-24 2010-09-07 Global Oled Technology Llc Top-emitting OLED device with light-scattering layer and color-conversion
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US7564063B2 (en) * 2006-03-23 2009-07-21 Eastman Kodak Company Composite electrode for light-emitting device
US7417370B2 (en) * 2006-03-23 2008-08-26 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US7851995B2 (en) * 2006-05-05 2010-12-14 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
KR100741129B1 (ko) 2006-06-05 2007-07-19 삼성에스디아이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정 표시장치
US20080012471A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-17 Eastman Kodak Company Oled device having improved light output
KR100809236B1 (ko) * 2006-08-30 2008-03-05 삼성전기주식회사 편광 발광 다이오드
US7834541B2 (en) * 2006-10-05 2010-11-16 Global Oled Technology Llc OLED device having improved light output
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US8174187B2 (en) * 2007-01-15 2012-05-08 Global Oled Technology Llc Light-emitting device having improved light output
US7564067B2 (en) * 2007-03-29 2009-07-21 Eastman Kodak Company Device having spacers
US7560747B2 (en) * 2007-05-01 2009-07-14 Eastman Kodak Company Light-emitting device having improved light output
US7911133B2 (en) * 2007-05-10 2011-03-22 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
US7902748B2 (en) * 2007-05-31 2011-03-08 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
US7982396B2 (en) * 2007-06-04 2011-07-19 Global Oled Technology Llc Light-emitting device with light-scattering particles and method of making the same
WO2009014590A2 (en) 2007-06-25 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Compositions and methods including depositing nanomaterial
US8179034B2 (en) 2007-07-13 2012-05-15 3M Innovative Properties Company Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
TWI342628B (en) * 2007-08-02 2011-05-21 Lextar Electronics Corp Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US8089208B2 (en) 2007-12-21 2012-01-03 Zeon Corporation Planar light source device
US7804245B2 (en) * 2008-01-24 2010-09-28 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved brightness uniformity
JP2009266449A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Rohm Co Ltd 有機el素子
EP2297762B1 (en) 2008-05-06 2017-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
GB2462313B (en) 2008-08-01 2011-07-13 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent device
WO2010032721A1 (ja) * 2008-09-19 2010-03-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8222804B2 (en) * 2008-11-17 2012-07-17 Global Oled Technology, Llc. Tiled OLED device with edge light extraction
US7957621B2 (en) 2008-12-17 2011-06-07 3M Innovative Properties Company Light extraction film with nanoparticle coatings
FR2940527A1 (fr) * 2008-12-23 2010-06-25 Saint Gobain Substrat transparent texture ou diffusant et procede de fabrication d'un tel substrat, destine notamment a un dispositif a diode electroluminescente organique.
JP2010205650A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Fujifilm Corp 有機el表示装置
JP2010212184A (ja) * 2009-03-12 2010-09-24 Konica Minolta Opto Inc 有機el素子、及びそれを用いた有機elディスプレイ、有機el照明装置
JP2010218738A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Konica Minolta Opto Inc 有機el素子、それを用いたディスプレイ、及び照明装置
WO2012005045A1 (ja) * 2010-07-06 2012-01-12 シャープ株式会社 照明装置、およびその製造方法
JP2012069277A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Canon Inc 発光素子及びそれを用いた画像表示装置
KR101821255B1 (ko) 2010-11-03 2018-01-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
EP2518789B1 (en) * 2011-04-18 2016-04-13 Corning Precision Materials Co., Ltd. Method of manufacturing a light extraction substrate for an electroluminescent device
KR20130015099A (ko) * 2011-08-02 2013-02-13 한국전자통신연구원 유기 발광 소자
KR101883848B1 (ko) * 2011-12-28 2018-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN103378309A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
DE102012112999B4 (de) * 2012-12-21 2017-05-11 Technische Universität Dresden Verfahren zum Herstellen eines organischen lichtemittierenden Bauelementes
KR102093335B1 (ko) 2013-03-12 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 도포 장치, 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 표시 기판
DE102013105905B4 (de) 2013-06-07 2023-04-27 Pictiva Displays International Limited Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
JP2015122154A (ja) * 2013-12-20 2015-07-02 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子、それを用いた照明装置、及びその製造方法
WO2015145533A1 (ja) * 2014-03-24 2015-10-01 パイオニア株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
WO2016138078A1 (en) * 2015-02-27 2016-09-01 Corning Incorporated Glass substrates comprising random voids and display devices comprising the same
DE102015119553A1 (de) 2015-11-12 2017-05-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip und Verfahren zur Beschichtung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
CN108987382A (zh) * 2018-07-27 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件及其制作方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3178580A (en) * 1959-07-02 1965-04-13 Ibm Means for producing radiation induced electroluminescence
CH414013A (de) * 1960-02-04 1966-05-31 Philips Nv Elektroleuchtendes Element
US3074816A (en) * 1960-10-28 1963-01-22 Westinghouse Electric Corp Light-transmitting, electrically conducting element
US4099091A (en) * 1976-07-28 1978-07-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electroluminescent panel including an electrically conductive layer between two electroluminescent layers
JPS61176094A (ja) * 1985-01-31 1986-08-07 ホ−ヤ株式会社 エレクトロルミネセンス素子
DE69117781T2 (de) * 1990-03-14 1996-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Licht-emittierender Dünnfilm und elektrolumineszente Dünnfilmvorrichtung
US5504389A (en) * 1994-03-08 1996-04-02 Planar Systems, Inc. Black electrode TFEL display

Also Published As

Publication number Publication date
CN1089542C (zh) 2002-08-21
JP2000503163A (ja) 2000-03-14
CN1210660A (zh) 1999-03-10
US5955837A (en) 1999-09-21
DE69717599T2 (de) 2003-09-04
WO1998017083A1 (en) 1998-04-23
DE69717599D1 (de) 2003-01-16
EP0867104A1 (en) 1998-09-30
TW386609U (en) 2000-04-01
EP0867104B1 (en) 2002-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4083812B2 (ja) 電界発光照明システム
US7245074B2 (en) Organic electroluminescent devices having improved light extraction
CN105374918B (zh) 发光装置以及采用该发光装置的显示装置
JP4350996B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置
JP5043658B2 (ja) 少なくとも1個の有機層を備える上部放射型の有機光放射ダイオード装置
Shiang et al. Application of radiative transport theory to light extraction from organic light emitting diodes
KR100634712B1 (ko) 도광판, 표면 광원 장치 및 반사형 액정 디스플레이
US20080197764A1 (en) Electroluminescence Light Source
JP2003332068A (ja) エレクトロルミネッセンス素子
CN105374919B (zh) 发光装置以及采用该发光装置的显示装置
US8461576B2 (en) Organic light-emitting diode and light source device including same
US20040217702A1 (en) Light extraction designs for organic light emitting diodes
WO1999008140A1 (fr) Polariseur dichroique
JPH09501004A (ja) 共振マイクロキャビティディスプレイ
JP2008507809A5 (ja)
US20130182405A1 (en) Nanowire enhanced transparent conductor and polarizer
FR2872341A1 (fr) Lampe fluorescente pour ecran plat et son procede ou methode de fabrication
CN116096137A (zh) 一种封装层结构及oled显示器
JP7342935B2 (ja) 光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置
JPH06151061A (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JP3762628B2 (ja) 面光源装置
JP2018510500A (ja) 電気光学デバイススタック
JP2005327535A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
US20120161182A1 (en) Display device
CN109375419B (zh) 背光模组和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040907

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040907

A72 Notification of change in name of applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A721

Effective date: 20040907

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070426

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070807

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees