JP5043658B2 - 少なくとも1個の有機層を備える上部放射型の有機光放射ダイオード装置 - Google Patents
少なくとも1個の有機層を備える上部放射型の有機光放射ダイオード装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5043658B2 JP5043658B2 JP2007521783A JP2007521783A JP5043658B2 JP 5043658 B2 JP5043658 B2 JP 5043658B2 JP 2007521783 A JP2007521783 A JP 2007521783A JP 2007521783 A JP2007521783 A JP 2007521783A JP 5043658 B2 JP5043658 B2 JP 5043658B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- additional layer
- organic
- electrode
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 title claims description 70
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 239
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 57
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 50
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 amorphous Substances 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 5
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 5
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 4
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 3
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEQUFFZCXSTYJC-UHFFFAOYSA-N 3,4-diphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C1=C(N)C(N)=CC=C1C1=CC=CC=C1 DEQUFFZCXSTYJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010288 cold spraying Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- OIAQMFOKAXHPNH-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 OIAQMFOKAXHPNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVUZLHDATWCFQW-UHFFFAOYSA-N 1-(3,5-dinaphthalen-1-ylphenyl)naphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C=C(C=C(C=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 ZVUZLHDATWCFQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229920002160 Celluloid Polymers 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 235000014633 carbohydrates Nutrition 0.000 description 1
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001436 collagen Polymers 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005371 permeation separation Methods 0.000 description 1
- 230000005501 phase interface Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001692 polycarbonate urethane Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910052604 silicate mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229920006352 transparent thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
ここ数年、スペースをより小さくする要求が非常に高まっており、早く十分にデータを視覚化するための、軽く、経済的なディスプレイモジュール及びディスプレイが開発されている。現在では、LCD(Liquid Crystal Display:液晶ディスプレイ)がノートブック、携帯電話、及びデジタルカメラ用のフラットスクリーンの分野で優勢である。一方、LCDはコントラスト及び色に対する強い角度依存性、画像及びコントラストの変化に対する遅い反応時間、複数のフィルター及び偏光板によって条件付けられている効率の低さなどの、幾つかの不利な点があり、要求される発光効率が比較的高いエネルギーであるものが用いられる必要があった。ディスプレイの品質を改良することによって小さく、高精細であり、色鮮やかであって電流を抑制することのできるスクリーンへの要求は非常に大きい。有機物による発光ダイオード(OLED:Organic light emitting diode)を基にしたディスプレイは、それ自体に光を放射するピクセルを備えており、それ故背景に照明が必要ないのでLCDの代わりになることができる。それらはフレキシブルに形成することができ、薄く、製造コストが低い。即ち、箔の形状にしたり、比較的エネルギー消費を低く駆動することができる。駆動電圧が低く、高いエネルギー効率であるとともに幾つかの色の発光要素を局所的に形成することができるので、OLEDは照明のエレメントとして用いることも好ましい。
本発明の目的は、一般的に上部放射型のエレクトロルミネッセントにおいて、少なくとも1個の有機層中での光の分離効率を向上させることである。この目的は、クレーム1の特徴であるコンポーネントの装置に関係する驚くほど単純な方法によって解決される。
2. 第1電極、ホール注入のアノード、
3. pにドープされた、ホール注入及び伝達層、
4. HOMO(highest occupied molecule orbital:最高占有分子軌道)のエネルギーレベルが、その層を取り囲むHOMOのエネルギーレベルに一致している部材からなるホール側の薄い中間層、
5. 光放射層、
6. LUMO(lowest unoccupied molecule orbital:最低非占有分子軌道)のエネルギーレベルが、その層を取り囲むLUMOのエネルギーレベルに一致している部材からなる電子側の薄い中間層、
7. nにドープされた、電子注入及び伝達層、
8. 第2電極、電子注入のカソード。
2.a) 第1電極、電子注入のカソード、
3.a) nにドープされた、電子注入及び伝達層、
4.a) LUMO(lowest unoccupied molecule orbital:最低非占有分子軌道)のエネルギーレベルが、その層を取り囲むLUMOのエネルギーレベルに一致している部材からなる電子側の薄い中間層、
5.a) 光放射層、
6.a) HOMO(highest occupied molecule orbital:最高占有分子軌道)のエネルギーレベルが、その層を取り囲むHOMOのエネルギーレベルに一致している部材からなるホール側の薄い中間層、
7.a) pにドープされた、ホール注入及び伝達層、
8.a) 第2電極、ホール注入のアノード。
本発明は、同封された図面を参照する複数の実施の形態によって説明される。その図面は、以下の通りである。
・有機ガラスなどの有機物で非重合で層状の部材の溶液、たとえば芳香溶液中、たとえばキシレン中のオルソターフェニルまたは1,3,5−トリアルファナフチルベンゼン、
・熱、化学的、または光反応性の方法で重合が起こるメチルメタクリレートやアルキルジグライコールカーボネートまたはそれらの誘導体のように、適用した後に重合するモノマーまたはモノマーの混合物、
・重合添加剤、たとえばポリカーボネートを適用した後に結合するモノマーまたはモノマーの混合物、
・光学的な接着剤、
・写真用ラッカー(photolacquer)、
・化学的に硬化する接着剤(たとえば2コンポーネントの接着剤)、熱硬化性の接着剤(たとえばアクリレート、エポキシレジン)、またはアクリレートまたはエポキシレジンなどのUV硬化性の接着剤、などの透明またはやや光を通過させる接着剤、
・低密度ポリエチレン、ポリカーボネート、及びポリウレタンなどの透明なサーモプラスティック、
・フェノールレジンまたはメラミンレジンなどのデュロプラスチック、
・たとえばポリアクリレート、ポリビニルアルコール、またはポリビニルアセテートなどの水性、または有機物の乳液、またはフッ化有機物の乳液、
・アルキッドレジンラッカー(alkyd resin lacquer)などのクリアラッカー、ニトロ及びニトロ含有ラッカー、ポリウレタンラッカーなどの2コンポーネントのラッカー、水耐性ラッカー、人工樹脂ラッカー、及びアクリレートラッカー、
・ゼラチン、セロファン、またはセルロイドなどのコラーゲン蛋白質、
・重合分散剤(たとえばチタニウム2酸化物粒子及び水中のポリビニルアセテート)などの分散剤、及び
・塩溶液などの無機物の溶液、または分散剤。
・塩の結晶などの無機の微小結晶、またはシリケート、サファイアの微小結晶、MgO、またはSiO2などの金属酸化物、
・炭水化物などの有機物の微小結晶、スターチまたはセルロースなどの結晶化した重合体粒子、またはポリイミド、ポリ−3,4−エチレンジオキシチオフェン(PEDOT):ポリ−(スチレンスルフォネート)(PSS)結晶などの合成ポリマー、
・エーロシル(Aerosil)
・たとえばクオーツグラス(SiO2)などの無機アモルファス部材、
・ナノパーティクル、
・ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリエーテル、フルオロポリマー、ポリアミド、及びポリビニルアセテートなどのポリマー由来の粉末、
・芳香族、脂肪族、及びヘテロ管などの非重合性の有機部材由来の粉末、
・たとえば不活性炭化水素(ペンタン)、希ガス(アルゴン)、N2,CO2、またはFCHCなどのガスによって形成される、マトリックス溶液に導入された気体の泡、
・たとえばマトリックス溶液のCO2またはN2などのガスを発生する化学反応の過程で化学的に導入された気体の泡。
・たとえば、II−VIとIIIグループの窒化物の複合体、及びそれと同様の複合体の半導体などの大きなバンドギャップをもつ2価の半導体複合体、
・たとえば、気相成長およびメチルメタクリエート(MMA)、アクリル酸のように連続的に重合したモノマーなどの有機層、
・芳香族、脂肪族、ヘテロ管、たとえばテトラキスジフェニルアミノスパイロバイフルオレン(spiro−TAD)、トリスカラゾリルトリフェニルアミン(TCTA)、バチオフェナンチロリン(Bphen)などのケトン、などの小分子による有機層。
・微小構造のスタンプによるスタンプ
・有機ガラスによる追加層のサンドブラシ
・ブラシがけ
・削ること
である。
・リアクティブドライエッチング
・非リアクティブドライエッチング
・酸などを用いたウエットケミカルエッチング
・フォトリスグラフィを用いた構造化
である。
110 サブストレート
120 第1電極
130 有機層/層構造
140 第2電極
150 分離層(追加層)
151 散乱粒子
152 溝、わだち
153 陥凹
160 防護部材
170 スタンプ
171 切断端部
172,173 切断表面、スタンプ表面
180 セパレータ
190 スペーサ
EM1,EM2 外部モード
OM1 有機物モード
S スタンプ力
F1,F2 追加層中での力の方向
Claims (10)
- サブストレートと、
2個の電極のうちサブストレートに最も近い第1電極と、
2個の電極のうちサブストレートから離れた第2電極と、
上記2個の電極間に配置され、上記第2電極を通して光を放射する少なくとも1層の光放射有機層と、
少なくとも1層の上記有機層(130)から対向しつつ離れている、上記第2電極(140)の上に配置される追加層とを備え、
上記追加層は、光学的に活性がある、光を散乱する不均一成分を備えており、
放射する光の波長においての上記追加層の透過度が0.6よりも大きく、
上記不均一成分が、上記追加層に散乱中心として形成されており、該散乱中心の形状が不均一であり、
上記不均一成分は、上記追加層の材料から構成されており、上記追加層の内部に配置されており、
上記追加層の屈折率が上記第2電極(140)の屈折率よりも大きいことを特徴とする上部放射型の有機光放射ダイオード装置。 - 上記追加層が上記第2電極(140)に隣接しており、接続していることを特徴とする請求項1に記載の有機光放射ダイオード装置。
- 上記追加層が上記第2電極から離れており、その距離が500nmよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の有機光放射ダイオード装置。
- 上記不均一成分は、0.05μmから100μmの大きさを有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機光放射ダイオード装置。
- 上記第2電極(140)の厚さが200nmよりも小さいことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機光放射ダイオード装置。
- 上記追加層の上記屈折率が1.3から2.3の間であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機光放射ダイオード装置。
- 上記追加層に最も近く、上記電極間に配置されている上記有機層が、アクセプタ型の有機部材でpにドープされており、50nmから2μmの間の厚さを有するホール伝達層であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機光放射ダイオード装置。
- 上記追加層に最も近く、上記電極間に配置されている上記有機層が、ドナー型の有機部材でnにドープされており、50nmから2μmの間の厚さを有する電子伝達層であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機光放射ダイオード装置。
- 上記追加層が50nmから1000μmの間の厚さを有していることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機光放射ダイオード装置。
- 上記追加層が自己晶析または部分的に自己晶析した有機層であることを特徴とする請求項1から9のうちのいずれか1項に記載の有機光放射ダイオード装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004035965A DE102004035965B4 (de) | 2004-07-23 | 2004-07-23 | Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit zumindest einer organischen Schicht |
DE102004035965.2 | 2004-07-23 | ||
PCT/DE2005/001229 WO2006010355A2 (de) | 2004-07-23 | 2005-07-12 | Top-emittierendes, elektrolumineszierendes bauelement mit zumindest einer organischen schicht |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008507809A JP2008507809A (ja) | 2008-03-13 |
JP2008507809A5 JP2008507809A5 (ja) | 2010-08-12 |
JP5043658B2 true JP5043658B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=35786553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007521783A Expired - Fee Related JP5043658B2 (ja) | 2004-07-23 | 2005-07-12 | 少なくとも1個の有機層を備える上部放射型の有機光放射ダイオード装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8022619B2 (ja) |
EP (1) | EP1771895B1 (ja) |
JP (1) | JP5043658B2 (ja) |
KR (1) | KR101081710B1 (ja) |
CN (1) | CN101019250A (ja) |
DE (1) | DE102004035965B4 (ja) |
TW (1) | TWI292678B (ja) |
WO (1) | WO2006010355A2 (ja) |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004042461A1 (de) * | 2004-08-31 | 2006-03-30 | Novaled Gmbh | Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit Frequenzkonversionszentren |
EP1729346A1 (de) * | 2005-06-01 | 2006-12-06 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung |
EP1739765A1 (de) * | 2005-07-01 | 2007-01-03 | Novaled AG | Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden |
EP1808909A1 (de) * | 2006-01-11 | 2007-07-18 | Novaled AG | Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung |
DE102006051746A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht |
JP5239145B2 (ja) * | 2006-10-16 | 2013-07-17 | 凸版印刷株式会社 | 光学用部品およびその製造方法 |
JP2008108439A (ja) | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Nec Lighting Ltd | 電界発光素子および電界発光パネル |
DE102007006348A1 (de) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement |
US20090051278A1 (en) * | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent display device having scattering member |
DE102007044597A1 (de) * | 2007-09-19 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
DE102007062040B8 (de) * | 2007-12-21 | 2021-11-18 | Osram Oled Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
JP5568224B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2014-08-06 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
DE102008056370B4 (de) | 2008-11-07 | 2021-09-30 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines organischen strahlungsemittierenden Bauelements und organisches strahlungsemittierendes Bauelement |
DE102009030101A1 (de) * | 2008-12-08 | 2010-07-15 | Center For Abrasives And Refractories Research & Development C.A.R.R.D. Gmbh | Verschleißschutzschicht auf Basis einer Kunstharzmatrix, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung |
KR100989133B1 (ko) * | 2009-01-07 | 2010-10-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20100081772A (ko) * | 2009-01-07 | 2010-07-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101147428B1 (ko) * | 2009-02-09 | 2012-05-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
DE102009025123A1 (de) | 2009-06-16 | 2010-12-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
JP5673535B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2015-02-18 | コニカミノルタ株式会社 | シート状構造体とその製造方法およびそれを用いた面発光体 |
DE102009036134A1 (de) | 2009-08-05 | 2011-02-10 | Schott Ag | Substratglas für Lumineszenzdioden mit einer Streupartikel enthaltenden Schicht und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP5297991B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2013-09-25 | 株式会社日立製作所 | 有機発光ダイオード及びこれを用いた光源装置 |
CN102326448B (zh) * | 2010-03-01 | 2015-03-25 | 松下电器产业株式会社 | 有机el装置及其制造方法 |
US8237174B2 (en) * | 2010-05-10 | 2012-08-07 | National Central University | LED structure |
JP5986992B2 (ja) * | 2010-06-14 | 2016-09-06 | ノヴァレッド ゲーエムベーハー | 有機発光素子 |
US8637858B2 (en) | 2010-09-24 | 2014-01-28 | Novaled Ag | Tandem white OLED |
JP6062636B2 (ja) * | 2011-03-10 | 2017-01-18 | ローム株式会社 | 有機el装置 |
TWI451611B (zh) * | 2011-05-19 | 2014-09-01 | Au Optronics Corp | 有機發光裝置 |
DE102011076750A1 (de) | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
KR101829890B1 (ko) | 2011-12-23 | 2018-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
DE102012207151A1 (de) * | 2012-04-30 | 2013-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches lichtemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen lichtemittierenden bauelements |
CN102709489B (zh) * | 2012-05-31 | 2015-10-21 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 高折射率散射层的制备方法及高出光效率的oled制备方法 |
CN104584252B (zh) | 2012-07-02 | 2018-11-02 | 赫里亚泰克有限责任公司 | 用于光电构件的透明电极 |
DE102012105810B4 (de) * | 2012-07-02 | 2020-12-24 | Heliatek Gmbh | Transparente Elektrode für optoelektronische Bauelemente |
DE102013108039A1 (de) | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
DE102013111736A1 (de) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | Osram Oled Gmbh | Organische lichtemittierende Diode und Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Diode |
DE102013221991A1 (de) * | 2013-10-29 | 2015-04-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Elektro-optisches, organisches Halbleiterbauelement mit voneinander beabstandeten Elektroden |
EP2897186B1 (de) * | 2014-01-21 | 2018-12-26 | Covestro Deutschland AG | UV-Schutzfolie für OLEDs |
US9843012B2 (en) | 2014-12-26 | 2017-12-12 | Industrial Technology Research Institute | Top emitting organic electroluminescent devices |
TWI599556B (zh) * | 2015-07-03 | 2017-09-21 | 友達光電股份有限公司 | 有機發光元件 |
CN110098345B (zh) * | 2019-04-17 | 2020-11-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
CN110137383A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-08-16 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板和显示面板的制作方法 |
DE102020215067A1 (de) | 2020-11-30 | 2022-06-02 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Anzeigeeinrichtung zum Anzeigen zumindest eines Bildes, Verfahren zum Herstellen einer Anzeigeeinrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Anzeigeeinrichtung |
CN113097410A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN113871546A (zh) * | 2021-09-16 | 2021-12-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法、发光装置 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3203227B2 (ja) | 1998-02-27 | 2001-08-27 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP2000075836A (ja) | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Sharp Corp | 有機el発光装置とその駆動方法 |
JP3640578B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2005-04-20 | 株式会社オプテク | 有機半導体レーザ |
JP2000196140A (ja) | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法 |
JP2000196410A (ja) * | 1998-12-31 | 2000-07-14 | Kazuhiko Yamanouchi | 高安定高結合弾性表面波基板とそれを用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子 |
JP3368225B2 (ja) | 1999-03-11 | 2003-01-20 | キヤノン株式会社 | 回折光学素子の製造方法 |
AU4937300A (en) * | 1999-06-09 | 2000-12-28 | Cambridge Display Technology Limited | Method of producing organic light-emissive devices |
JP2001052871A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-23 | Toray Ind Inc | 有機電界発光装置 |
JP2001148292A (ja) | 1999-09-08 | 2001-05-29 | Denso Corp | 有機el素子 |
US7233026B2 (en) * | 2000-03-23 | 2007-06-19 | Emagin Corporation | Light extraction from color changing medium layers in organic light emitting diode devices |
US6777871B2 (en) * | 2000-03-31 | 2004-08-17 | General Electric Company | Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction |
GB2361356B (en) | 2000-04-14 | 2005-01-05 | Seiko Epson Corp | Light emitting device |
US7525165B2 (en) | 2000-04-17 | 2009-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
TW516164B (en) * | 2000-04-21 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-light emitting device and electrical appliance using the same |
TWI245147B (en) * | 2000-06-19 | 2005-12-11 | Nitto Denko Corp | Polarizing plate and liquid crystal display using the same |
US6840999B2 (en) * | 2000-07-25 | 2005-01-11 | Board Of Regents The University Of Texas System | In situ regrowth and purification of crystalline thin films |
JP2004513483A (ja) * | 2000-11-02 | 2004-04-30 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 明るさおよびコントラスト増強直視型発光型ディスプレイ |
KR20030072349A (ko) * | 2000-11-02 | 2003-09-13 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 방사 디스플레이의 휘도 증대 |
US6933673B2 (en) | 2001-04-27 | 2005-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent device and process of manufacturing the same |
US6789835B2 (en) * | 2001-07-11 | 2004-09-14 | Harley-Davidson Motor Company Group, Inc. | Motorcycle windshield assembly |
JP4152665B2 (ja) | 2001-07-11 | 2008-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
US6734457B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7141817B2 (en) * | 2001-11-30 | 2006-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
DE10164016B4 (de) * | 2001-12-28 | 2020-01-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organische Leuchtdiode (OLED) und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US7012363B2 (en) * | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
DE10215210B4 (de) | 2002-03-28 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
CN1666579A (zh) | 2002-05-08 | 2005-09-07 | 泽奥勒克斯公司 | 使用反馈增强型发光二极管的照明器件 |
US6670772B1 (en) | 2002-06-27 | 2003-12-30 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling |
US6965197B2 (en) * | 2002-10-01 | 2005-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency |
JP2004153089A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
US7224532B2 (en) * | 2002-12-06 | 2007-05-29 | Chevron U.S.A. Inc. | Optical uses diamondoid-containing materials |
EP1574514A4 (en) * | 2002-12-19 | 2009-11-11 | Semiconductor Energy Lab | ORGANOMETALLIC COMPLEX, ELECTROLUMINESCENT ELEMENT CONTAINING THE ORGANOMETALLIC COMPLEX AND LUMINESCENT DEVICE COMPRISING THE ELECTROLUMINESCENT ELEMENT |
JP2004207136A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Nitto Denko Corp | 面光源及びこれを用いた表示装置 |
JP5350587B2 (ja) | 2003-03-24 | 2013-11-27 | メルク パテント ゲーエムベーハー | メッシュ電極を備える光電セル |
EP1548856A3 (en) * | 2003-12-26 | 2012-08-08 | Nitto Denko Corporation | Electroluminescence device, planar light source and display using the same |
KR101097301B1 (ko) | 2005-02-05 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 백색발광소자 |
US7531955B2 (en) * | 2005-07-12 | 2009-05-12 | Eastman Kodak Company | OLED device with improved efficiency and robustness |
DE502005005126D1 (de) | 2005-08-11 | 2008-10-02 | Novaled Ag | Verfahren zum Herstellen eines top-emittierenden Bauteils sowie Verwendung |
-
2004
- 2004-07-23 DE DE102004035965A patent/DE102004035965B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-07-12 US US11/572,458 patent/US8022619B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-12 EP EP05778553.7A patent/EP1771895B1/de active Active
- 2005-07-12 KR KR1020077003762A patent/KR101081710B1/ko active IP Right Grant
- 2005-07-12 JP JP2007521783A patent/JP5043658B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-12 CN CNA2005800243182A patent/CN101019250A/zh active Pending
- 2005-07-12 WO PCT/DE2005/001229 patent/WO2006010355A2/de active Application Filing
- 2005-07-14 TW TW094123978A patent/TWI292678B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008507809A (ja) | 2008-03-13 |
WO2006010355A2 (de) | 2006-02-02 |
TW200607388A (en) | 2006-02-16 |
US20080048557A1 (en) | 2008-02-28 |
WO2006010355B1 (de) | 2006-12-14 |
DE102004035965B4 (de) | 2007-07-26 |
TWI292678B (en) | 2008-01-11 |
US8022619B2 (en) | 2011-09-20 |
KR101081710B1 (ko) | 2011-11-09 |
EP1771895A2 (de) | 2007-04-11 |
CN101019250A (zh) | 2007-08-15 |
WO2006010355A3 (de) | 2006-10-19 |
KR20070044454A (ko) | 2007-04-27 |
DE102004035965A1 (de) | 2006-06-08 |
EP1771895B1 (de) | 2016-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5043658B2 (ja) | 少なくとも1個の有機層を備える上部放射型の有機光放射ダイオード装置 | |
JP2008507809A5 (ja) | ||
US7781961B2 (en) | Top emitting, electroluminescent component with frequency conversion centres | |
JP5037344B2 (ja) | 有機発光ダイオードに基づいたディスプレイおよびその製造方法 | |
US20040217702A1 (en) | Light extraction designs for organic light emitting diodes | |
JP5243534B2 (ja) | 光出力が改善されたエレクトロルミネッセンス・デバイス | |
JP2022046556A (ja) | 反射性偏光子を備えた発光ディスプレイ | |
KR100638308B1 (ko) | 발광 소자, 발광형 표시 장치 및 조명 장치 | |
US7696687B2 (en) | Organic electroluminescent display device with nano-porous layer | |
KR100704082B1 (ko) | 유기 전기 발광 소자, 면 광원 및 표시 장치 | |
US9147856B2 (en) | Organic light emitting device | |
CN103682156B (zh) | 一种有机电致发光显示器件及显示装置 | |
JP2009501426A (ja) | 効率と耐久性が改善されたoledデバイス | |
JP2010522962A (ja) | スペーサ要素を有するエレクトロルミネッセンス・デバイス | |
KR20140088335A (ko) | 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법 | |
KR20110104037A (ko) | 나노입자 코팅을 갖는 광 추출 필름 | |
JP2015526867A (ja) | マイクロキャビティoled光抽出 | |
CN110289368B (zh) | 一种显示面板、显示设备及显示面板的制备方法 | |
EP3699972B1 (en) | Organic light emitting diode devices | |
KR101268532B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
KR101268543B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
TWI707436B (zh) | 封裝結構 | |
US20190237709A1 (en) | Electroluminescent device, method of manufacturing the same and display device | |
JP2004311186A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子とそれを用いた偏光面光源および表示装置 | |
CN115394803A (zh) | 显示器件及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100126 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20100426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110425 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120406 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120413 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120619 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120712 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5043658 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |