CN115394803A - 显示器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种显示器件及其制作方法。显示器件包括基板、图案化的第一电极层、堤坝层、电致发光层、第二电极层以及第一封装层。第一封装层设置在堤坝层形成的沉积区域中，不同所述沉积区域的所述第一封装层相互独立，提高了显示器件的抗弯折能力和寿命，量子点光致发光层包覆在第一封装层中，可防止量子点光致发光层受水氧侵蚀而导致发光效率降低。同时，由于不同所述沉积区域的第一封装层为独立封装，量子点光致发光层可在相应的第一封装层的制作过程中直接沉积在沉积区域中，使得显示器件的整体厚度较薄，并且减少制作工序，降低生产成本。

Description

显示器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示器件及其制备方法。

背景技术

显示器件尤其是OLED(有机发光器件)对水汽敏感、容易受水汽影响而失效，因此薄膜封装层需要有较强的水氧阻挡能力(一般要求达到10^-6g/cm²·day)。

研究发现，在显示屏中设置量子点光致发光层和/或滤光层，可使显示屏发光颜色纯度更佳，使显示画面更自然。然而，由于量子点光致发光层对环境水氧敏感，经过水氧侵蚀的量子点材料的发光效率往往会逐渐降低。

如图1所示，传统的显示器件1是在对器件主体2进行整面性封装之后，在封装层21上贴合量子点彩色滤光膜3。量子点彩色滤光膜3是通过在基材31上形成黑色矩阵层32，在黑色矩阵层32形成的沉积坑中沉积量子点滤光层33而成，再通过粘合层34与封装层21贴合。然而这种方式会造成显示器件1的整体厚度较大，且抗折弯能力差。

发明内容

基于此，有必要提供一种显示器件及其制备方法，以减小显示器件的整体厚度。

一种显示器件，包括：

基板；

图案化的第一电极层，设置在所述基板上；

堤坝层，设置在所述基板上，所述堤坝层限定出多个沉积区域；

电致发光层，设置在所述沉积区域中并与所述第一电极层连接；

第二电极层，设置在所述沉积区域中并与所述电致发光层连接；

第一封装层，设置在所述沉积区域中并与所述第二电极层连接，不同所述沉积区域的所述第一封装层相互独立；以及

量子点光致发光层，所述量子点光致发光层被包覆在所述第一封装层中，并至少位于部分所述电致发光层的出光路径上。

在其中一个实施例中，所述显示器件还包括第二封装层，所述第二封装层设置在所述基板和所述堤坝层之间，所述第二封装层定义出像素坑，所述像素坑露出所述第一电极层，所述电致发光层设置在所述像素坑中。

在其中一个实施例中，所述第一封装层包括第一子层、第二子层以及第三子层，所述第一子层设置在所述第二电极层上，所述第二子层设置在所述第一子层上，所述第三子层设置在所述第二子层上，所述第一子层和所述第三子层为无机封装层，所述第二子层为柔性封装层。

在其中一个实施例中，所述第一子层和所述第三子层的材料独立地选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、二氧化钛、二氧化铪、氧化锌、氧化镁及氧化锆中的至少一种；和/或

所述第二子层的材料选自碳氮化硅、碳氧化硅、氟化碳氧化硅、氟化碳氮化硅、聚二甲基硅氧烷、聚对二甲苯、聚丙烯、聚苯乙烯及聚酰亚胺中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述第一子层还覆盖所述堤坝层的侧壁而形成沉积坑，所述第二子层设置在所述沉积坑中。

在其中一个实施例中，所述第三子层与所述第一子层配合将所述第二子层完全包裹在其中。

在其中一个实施例中，所述量子点光致发光层包覆在所述第二子层中。

在其中一个实施例中，所述第三子层包括层叠设置的多个折射层，多个所述折射层构成分布布拉格反射镜结构以反射所述电致发光层发射的光。

在其中一个实施例中，所述折射层为氧化铝层和氧化锆层。

在其中一个实施例中，所述显示器件还包括滤光层，所述滤光层设置在所述量子点光致发光层的远离所述基板的一侧，所述滤光层包覆在所述第二子层中。

在其中一个实施例中，所述电致发光层发射蓝光，所述量子点光致发光层吸收所述电致发光层发射的蓝光并转换为绿光或红光。

在其中一个实施例中，所述堤坝层采用不透光材料；和/或

在其中一个实施例中，所述堤坝层为多个条状的分隔墙，多个所述分隔墙平行设置，相邻的所述分隔墙之间形成所述沉积区域。

在其中一个实施例中，所述基板包括衬底以及设置在所述衬底上的TFT驱动阵列，所述TFT驱动阵列具有源极和漏极，所述第一电极层包括相互分离的第一部分和第二部分，所述第一部分连接所述电致发光层以及所述源极，所述第二部分连接所述第二电极层以及所述漏极。

在其中一个实施例中，所述第二封装层为无机封装层。

在其中一个实施例中，所述堤坝层远离所述第二封装层的一侧设有钝化层。

在其中一个实施例中，所述钝化层的材料选自十八烷基三氯硅烷、十八烷基硫醇、十八烷基磷酸、二十二烷基三氯硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十二烷基醇、十八烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯吡咯烷酮中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述第二封装层的厚度为0.5μm～2μm。

在其中一个实施例中，所述第一子层的厚度为30nm～500nm。

在其中一个实施例中，所述第二子层的厚度为2μm～12μm。

在其中一个实施例中，所述堤坝层的高度为1μm～20μm。

在其中一个实施例中，所述量子点光致发光层的厚度为50nm～500nm。

一种显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供设置有图案化的第一电极层的基板；

在所述基板上制作堤坝层，所述堤坝层限定出多个沉积区域；

在所述沉积区域中制作电致发光层，所述电致发光层与所述第一电极层连接；

在所述沉积区域中制作第二电极层，所述第二电极层与所述电致发光层连接；

在所述沉积区域中制作第一封装层以及量子点光致发光层，使所述量子点光致发光层包覆在所述第一封装层中，并至少位于部分所述电致发光层的出光路径上，不同所述沉积区域的所述第一封装层相互独立。

在其中一个实施例中，在制作所述堤坝层之前，所述制备方法还包括以下步骤：

在所述基板上制作第二封装层，所述第二封装层定义出像素坑，所述像素坑露出所述第一电极层；

所述电致发光层设置在所述像素坑中，所述堤坝层设置在所述第二封装层上。

与现有方案相比，上述显示器件及其制备方法具有以下有益效果：

上述显示器件设置有第一封装层以及量子点光致发光层，不同所述沉积区域的第一封装层相互独立，使得显示器件在受弯折时第二封装层不易受到外界应力的影响，减少显示屏整体应力，提高了显示器件的抗弯折能力和寿命。量子点光致发光层包覆在第一封装层中，并至少位于部分电致发光层的出光路径上，用于吸收相应的电致发光层发出的光，转变为其他颜色的光向外发出，可使显示屏发光颜色纯度更佳，使显示画面更自然。量子点光致发光层包覆在第一封装层中，可防止量子点光致发光层受水氧侵蚀而导致发光效率降低。同时，由于不同所述沉积区域的第一封装层为独立封装，量子点光致发光层可在相应的第一封装层的制作过程中直接沉积在沉积区域中，使得显示器件的整体厚度较薄，并且减少制作工序，降低生产成本。

附图说明

图1为传统的显示器件贴合量子点彩色滤光膜的示意图；

图2为一实施例的显示器件的结构示意图；

图3为图2所示显示器件的另一结构示意图；

图4为在基板上制作第一电极层的示意图；

图5为图2所示显示器件中第二封装层露出第一电极层的示意图；

图6为在基板上制作第二封装层的示意图；

图7为墨水在像素坑成膜的示意图；

图8为在第二封装层上制作堤坝层的示意图；

图9为图2所示显示器件中的堤坝层的分布示意图；

图10为在像素坑中形成发光功能层的示意图；

图11为清除连接孔中的发光功能材料的示意图；

图12为连接孔中的发光功能材料被清除后的示意图；

图13为在发光功能层上制作第二电极层的示意图；

图14为在堤坝层上的凹槽中形成钝化层的示意图；

图15为在第二电极层上制作第一子层的示意图；

图16为在第二电极层上制作第二子层的第一部分的示意图；

图17为在第二子层的第一部分制作量子点光致发光层的示意图；

图18为在量子点光致发光层上制作滤光层的示意图；

图19为制作第二子层的第二部分的示意图；

附图标记说明：

1、传统的显示器件；2、器件主体；21、封装层；3、量子点彩色滤光膜；31、基材；32、黑色矩阵层；33、量子点滤光层；34、粘合层；100、显示器件；110、基板；101、红色子像素；102、绿色子像素；103、蓝色子像素；120、第一电极层；121、第一电极层的第一部分；122、第一电极层的第二部分；130、第二封装层；131、像素坑；132、连接孔；140、堤坝层；141、沉积区域；142、凹槽；143、分隔墙；150、电致发光层；151、发光功能墨水；160、第二电极层；170、第一封装层；171、第一子层；172、第二子层；173、第三子层；1721、第三子层的第一部分；1722、第三子层的第二部分；1712、沉积坑；180、量子点光致发光层；190、滤光层；200、钝化层；300、激光刻蚀设备。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参考图2所示，本发明一实施例的显示器件100包括基板110、图案化的第一电极层120、堤坝层140、电致发光层150、第二电极层160、第一封装层170以及量子点光致发光层180。

图案化的第一电极层120设置在基板110上。堤坝层140设置在基板110上，限定出多个沉积区域141。电致发光层150设置在沉积区域141中并与第一电极层120连接。第二电极层160设置在沉积区域141中并与电致发光层150连接。第一封装层170设置在沉积区域141中并与第二电极层160连接。不同沉积区域141的第一封装层170相互独立，即不同沉积区域141中的第一封装层170之间无直接连接。量子点光致发光层180被包覆在第一封装层170中，并至少位于部分电致发光层150的出光路径上。

上述显示器件100设置有第一封装层170以及量子点光致发光层180，不同沉积区域141的第一封装层170相互独立，使得显示器件100在受弯折时第二封装层170不易受到外界应力的影响，减少显示屏整体应力，提高了显示器件100的抗弯折能力和寿命。量子点光致发光层180包覆在第一封装层170中，并至少位于部分电致发光层150的出光路径上，用于吸收相应的电致发光层150发出的光，转变为其他颜色的光向外发出，可使显示屏发光颜色纯度更佳，使显示画面更自然。量子点光致发光层180包覆在第一封装层170中，可防止量子点光致发光层180受水氧侵蚀而导致发光效率降低。同时，由于不同沉积区域141的第一封装层170为独立封装，量子点光致发光层180可在相应的第一封装层170的制作过程中直接沉积在沉积区域141中，使得显示器件100的整体厚度较薄，并且减少制作工序，降低生产成本。

例如，请参考图3所示，显示器件100包括红色子像素101、绿色子像素102以及蓝色子像素103。

各子像素中的电致发光层150所发出的光均为蓝光(波长范围为450～435纳米)。绿色子像素102的电致发光层150的出光路径上设置绿色的量子点光致发光层180，用于吸收蓝光并发出绿光(波长范围为577～492纳米)，红色子像素101的电致发光层150的出光路径上设置红色的量子点光致发光层180，用于吸收蓝光并发出红光(波长范围为760～622纳米)，蓝色子像素103的电致发光层150的出光路径上不设置量子点光致发光层180，保持蓝光。量子点光致发光层180包覆在红色子像素101以及绿色子像素102的第一封装层170中，可防止量子点光致发光层180受水氧侵蚀而导致发光效率降低。

在其中一个示例中，基板110包括衬底、设置在衬底上的TFT驱动阵列以及设置在中间绝缘层上的平坦层。

衬底可以是刚性衬底或者柔性衬底，刚性衬底可以是陶瓷材质、各类玻璃材质等，柔性衬底可以是PI(聚酰亚胺)与其衍生物、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PEP(磷酸烯醇式丙酮酸)以及二亚苯基醚树脂等。

TFT驱动阵列是高精细显示屏幕中需要用到薄膜电路。TFT驱动阵列具体可选用TFT有源驱动阵列，其中包括有源层、栅极绝缘层、栅极层、中间绝缘层、源极、漏极以及由其组合形成的TFT器件、电容器件、导电线路及电阻器件等。TFT驱动阵列的作用是实现主动驱动电致发光层150发光。相比被动驱动方式，TFT有源驱动阵列具有更加精细的单像素电流、电压控制能力，从而实现高精细显示。

平坦层主要起到平坦化作用，同时，其材料特性使得能够更好地在凹凸不平的表面铺展开来，形成一个比较平坦的膜面，使得其上的材料能够在一个比较平坦的表面成膜，保证其上材料的稳定性，降低短路开路的风险。平坦层的材料可以是聚酰亚胺(PI)等有机光阻材料，可以是通过涂布、曝光、显影形成图案化的膜层。

如图4所示，第一电极层120通过基板110上沉积导电层形成，第一电极层120与TFT驱动阵列电连接，其作为发光器件结构的一部分，起到注入空穴或电子的作用。

如图4和图5所示，第一电极层120包括连接于电致发光层150的第一部分121以及连接于第二电极层160的第二部分122。第一部分121和第二部分122为互相分离、相互绝缘，分别连接于TFT驱动阵列的源极和漏极。

可选地，第一电极层120的材料可以是ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等金属氧化物导电材料、PEDOT(3,4-乙烯二氧噻吩单体)等有机导电材料、铝、钼、钛、铜、银、金等导电金属及其合金、组合叠层等。

在一个具体的示例中，第一电极层120为ITO/Ag/ITO叠层。其中Ag镀层作为反光层将电致发光层150向四周发散的光线集中往顶部发出。ITO则起到匹配显示器件100中空穴注入、传输层的功函数的作用，使电子/空穴更好地注入到发光层中，有利于显示器件100效率的提升。

如图2所示，在其中一个示例中，显示器件100还包括第二封装层130，第二封装层130设置在基板110和堤坝层140之间。第二封装层130定义出像素坑131，像素坑131露出第一电极层120，电致发光层150设置在像素坑131中。

上述示例的显示器件100在基板110上设置了第二封装层130，第二封装层130设置在基板110和堤坝层140之间，电致发光层150设置在像素坑131中，第二封装层130，从而第一封装层能够较好地保护电致发光层150不受水汽侵入。

如图6所示，第二封装层130在基板110上沉积封装材料而成。第二封装层130覆盖第一电极层120的边缘，并且，第二封装层130具有露出第一电极层120的像素坑131。更具体地，像素坑131露出第一电极层的第一部分121，像素孔供电致发光层150进行沉积，第二封装层130还具有露出第一电极层的第二部分122的连接孔132，连接孔132供后续第二电极层160与第一电极层120进行连接。

传统器件结构中第二电极层(一般为阴极)是显示区域的整面性镀膜，其与驱动线路的连接会设置在显示区域外围，通过大面积的阴极搭接区(包含过孔、裸露电极结构)接入驱动线路中，最终形成回路从而点亮器件。然而，本发明是通过分离式的封装模式将器件进行包裹封装，这种情况下第二电极层如果进行整面性沉积，会无法完好地被封装，因此，本发明第二电极层160设置在各沉积区域141内，而非整面性沉积，通过第二封装层130上的连接孔132与第二电极层160的第二部分122连接，并最终连接至驱动线路中的接地/低电平线路，也能实现电流通路。

在其中一个示例中，第二封装层130覆盖第一电极层120的边缘，能够避免电致发光层150与电极层之间的短路风险，以及更好地避免第一电极层120受水汽入侵。

在其中一个示例中，第二封装层130为无机封装层，其膜质较硬，弯折时膜层应力较大，一般可采用无机材料制作而成，具有较强的水氧阻挡能力，有效防止水汽从堤坝层140侵入第一电极层120。

第二封装层130的材料应避免使用疏水性过强的材料，疏水性过强的第二封装层130可能会阻碍墨水在像素坑131内的流动，导致墨水无法均匀流动从而均匀地填充至第二封装层130所形成的凹坑中，导致发光不均的缺陷。

可选地，第二封装层130的材料可选自但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、二氧化钛、二氧化铪、氧化锌、氧化镁及氧化锆中的至少一种。

在一个具体的示例中，第二封装层130的材料为氮氧化硅，其主要起到隔绝水氧的作用，并且其亲水性可以通过控制其氧含量进行微调。

第二封装层130的制备方法可以是但不限于等离子体化学气相沉积、原子层沉积、离子束沉积和磁控溅射沉积等。在一个具体的示例中，第二封装层130采用等离子体化学气相沉积制备而成。

由于制备第二封装层130时还没有进行电致发光层150的制作，因此第二封装层130的制备工艺温度可以较高，其沉积薄膜的温度范围可以是50℃～400℃。

第二封装层130的亲疏水性质对后续喷墨墨滴的铺展性有影响。具体地，如图7所示，如果第二封装层130的疏水性过高，则会使堤坝内的发光功能墨水151无法均匀地流动，从而降低了电致发光层150的均匀性，甚至导致一些像素内电致发光层150的材料，影响器件性能。

第二封装层130的厚度比电致发光层150的厚度大。在其中一个示例中，第二封装层130的厚度为0.5μm～2μm。

如图8所示，堤坝层140通过在第二封装层130上沉积堤坝材料而成。在其中一个示例中，堤坝层的材料选自聚酰亚胺、酚醛树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、PBS中的至少一种。采用上述材料，能够快速完成堤坝层的制作。

堤坝层140的作用之一是分隔打印材料，使不同堤坝之间可以打印不同发光颜色的OLED材料，最终实现全彩显示。堤坝层140应具有一定的疏水能力，从而使后续滴入沉积区域141的墨滴被限制在沉积区域141内，不会在不同的沉积区域141之间流动，形成桥接等不良，最终导致OLED显示器的混色不良。

如图9所示，在其中一个示例中，堤坝层140为多个条状的分隔墙143，多个分隔墙143平行设置，相邻的分隔墙143之间形成沉积区域141。此种设置方式能够将喷墨方式由单个印刷改为线型印刷，这就可以降低喷墨设备在线型印刷方向上的精度，减少设备投资成本的同时满足精度要求。

如图2所示，在其中一个示例中，堤坝层140远离第二封装层130的一侧设有钝化层200。

在显示器件100的制作过程中，位于堤坝层140上的钝化层200能够将相邻像素中的第一封装层170以及第四封装层分离开，形成相互独立的像素封装结构，使得显示器件100在受弯折时第二封装层130不易受到外界应力的影响，减少显示屏整体应力，提高了显示器件100的抗弯折能力和寿命。

钝化层200的材料可以是但不限于ODTS(十八烷基三氯硅烷)、ODT(十八烷基硫醇)、ODPA(十八烷基磷酸)、DTS(二十二烷基三氯硅烷)、ODS(十八烷基三甲氧基硅烷)、十二烷基醇、十八烯、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PVP(聚乙烯吡咯烷酮)等。

在其中一个示例中，钝化层200的的材料是ODTS，其主链为烷烃碳链连接而成，其尾部官能团为烷基(-CH₃)，具有较强疏水性，能够在原子层沉积的有机源通入步骤时，原子层沉积的有机源不会吸附在该膜层上，可以有效防止原子层沉积(ALD)薄膜的生长，进而起到原子层沉积的自组装图案化的作用。

如图10所示，电致发光层150通过在像素坑131中沉积发光功能材料而成。需要注意的是，若发光功能材料沉积到连接孔132中，需要将连接孔132中的发光功能材料清除，例如采用激光刻蚀设备300将其刻蚀，恢复连接孔132，如图11和图12所示。

电致发光层150包括发光材料层，其中发光材料可以是有机发光材料、量子点发光材料等。此外，电致发光层150还可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等。

如图13所示，第二电极层160通过在电致发光层150上沉积导电层而成，同时，第二电极层160通过连接孔132与第一电极层的第二部分122连接。

第二电极层160的作用与第一电极层120相当，起到电性连接的作用。第一电极层120与第二电极层160中的一个作为阳极，另一个作为阴极，与电致发光层150共同组成显示组件。在接入电路后，电流流经阳极、电致发光层150、阴极，形成回路。

第二电极层160的材料可以为金属氧化物导电材料如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等，可以为有机导电材料如PEDOT(3,4-乙烯二氧噻吩单体)等，也可以为铝、钼、钛、铜、银、金等导电金属及其合金、组合叠层等。若显示器件100为顶发射型器件，则要求第二电极层160的材料在其膜厚范围内透明度高、导电性高、物化性质相对稳定。

如图14所示，在其中一个示例中，在沉积第一封装层170之前，先在堤坝层140远离第二封装层130的一侧的凹槽142沉积形成钝化层200。

如图2所示，在其中一个示例中，第一封装层170包括第一子层171、第二子层172以及第三子层173。第一子层171设置在第二电极层160上，第二子层172设置在第一子层171上，第三子层173设置在第二子层172上。第一子层171和第三子层173为无机封装层，第二子层172为柔性封装层。

如图15所示，在沉积形成钝化层200之后，再在第二电极层160上沉积第一子层171，由于钝化层200的存在，不同沉积区域141的第一子层171之间相互独立。

在其中一个示例中，第一子层171为无机封装层，其膜质较硬，弯折时膜层应力较大，一般可采用无机材料制作而成。第一子层171需具有较强的水氧阻挡能力以及较高的可见光透过率。

可选地，第一子层171的材料可选自但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、二氧化钛、二氧化铪、氧化锌、氧化镁及氧化锆中的至少一种。

在一个具体的示例中，第一子层171为氧化铝/氧化锆的纳米叠层，主要起到隔绝水氧的作用。

第一子层171的制备方法可以是但不限于等离子体化学气相沉积、原子层沉积、离子束沉积和磁控溅射沉积等。在一个具体的示例中，第一子层171采用原子层沉积制备而成。

由于第一子层171需具有较高的可见光透过率，因此在具有一定的水氧阻挡能力的前提下，优选具有较薄的厚度。在其中一个示例中，第一子层171的厚度为30nm～500nm。

如图2所示，在其中一个示例中，第二电极层160与堤坝层140之间无直接接触，两者之间由第一子层171隔开，如此，避免水汽经过堤坝层140入侵至第二电极层160。

如图15所示，在其中一个示例中，第一子层171还覆盖沉积区域141的侧壁而形成沉积坑1712，第二子层172设置在沉积坑1712中。如此，避免水汽经过堤坝层140的侧壁入侵，能够提高水氧阻隔性能。

第二子层172为柔性封装层，具有较好的可变形性，能够缓冲上下膜层的应力。可选地，第二子层172的材料可选自但不限于碳氮化硅、碳氧化硅、氟化碳氧化硅、氟化碳氮化硅、聚二甲基硅氧烷、聚对二甲苯、聚丙烯、聚苯乙烯及聚酰亚胺中的至少一种。

第二子层172的制备方法可以是喷墨印刷、纳米转印等。在一个具体的示例中，第二子层172喷墨印刷的方式制备而成。使用喷墨印刷方式，在第一子层171形成的沉积坑1712中滴墨，并控制其厚度与堤坝层140的高度相当，使完成第二子层172后显示屏的表面基本平坦。第二子层172的厚度应配合堤坝层140的高度设置，使第二子层172的上表面与堤坝层140的上表面基本持平，或略高于堤坝层140的上表面。

与传统的器件封装中的缓冲层(整面覆膜，厚度为8～12μm)相比，上述第二子层172为分立式，厚度可以更薄，大约为1～6μm，这样可以使显示器件100具有可靠的抗弯折性能。

如图16至图19所示，第二子层172的制备可分成两步进行。即先在第一子层171上形成第二子层的第一部分1721，在第二子层的第一部分1721上形成量子点光致发光层180之后，在量子点光致发光层180上形成第二子层的第二部分1722。

包裹有量子点光致发光层180的第二子层172的高度不高于堤坝层140的高度，如可设置为堤坝层140的高度的1/3，为了达到一定的平坦化及异物覆盖作用，其厚度一般设置为2～12μm，而未包裹有量子点光致发光层180的第二子层172的高度可以与包裹有量子点光致发光层180的第二子层172相同，也可以直接印刷至与堤坝层140的高度相当的厚度。一个优选的方案是未包裹有量子点光致发光层180的第二子层172也分为两次涂膜，这样可以提高其平坦化能力。

第三子层173设置在第二子层172上。第三子层173为无机封装层，一般可采用无机材料制作而成。第三子层173需具有较强的水氧阻挡能力以及较高的可见光透过率。

可选地，第三子层173的材料可选自但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、二氧化钛、二氧化铪、氧化锌、氧化镁及氧化锆中的至少一种。

在图示的具体示例中，第三子层173与第一子层171配合，将第二子层172完全包裹在其中，如此，将水氧阻隔性能相对较低的第二子层172完全包裹，能够提高水氧阻隔性能。

作为无机封装层的第一子层171一般具有较大的内应力，且不易完全覆盖封装表面存在的异物。在异物的尖端以及坡度角为负的台阶底部容易有薄膜膜厚偏薄以及断裂的现象，特别是应用在柔性显示器中时，有异物的地方容易使这些封装薄膜断裂剥离或产生裂纹，使封装失效。上述示例中，通过设置软质的第二子层172，缓冲上下膜层的应力，使显示器件100能有更好的可靠性和抗弯折性。同时，第二子层172还能够包覆封装过程中可能掉落的灰尘杂质，使杂质的棱角更加圆润，不易形成水氧透过的通道，并具有一定的水氧阻隔性能。

一般地，堤坝层140的高度会设置得尽可能地低，这是因为高度越高，封装膜层在堤坝层140侧壁和拐角处膜厚越容易偏低，严重时会发生剥离，最终导致水氧入侵从而封装失效。此外，过高的堤坝也不利于第二子层172对器件表面形貌的平坦化，且第二子层172容易产生姆拉(mura)现象，最终都会影响封装及显示效果。本发明的一个优点是可以将堤坝层140的高度设置得更高，从而防止印刷时桥接现象的发生，而上述堤坝层140过高的缺点则由分离式的封装方式解决。具体地，在完成了第二子层172的沉积后，第二子层172会基本将堤坝层140的凹坑填平，在缓冲应力、覆盖异物缺陷的同时，也起到了平坦化的作用，使第三子层173可以在一个相对平整的平面上沉积，提高封装可靠性。在其中一个示例中，堤坝层140的高度设置为1～20μm。

在其中一个示例中，包裹有量子点光致发光层180的第一封装层170中的第三子层173包括层叠设置的多个折射层，多个折射层构成分布布拉格反射镜结构以反射电致发光层150发射的光。

通过设置多个不同折射率的折射层，形成分布布拉格反射镜结构，起到对特定波长范围内入射光的反射作用，吸收电致发光层150所发出的剩余的光，仅让对应颜色光通过，进一步提高色纯度。具体地，假设电致发光层150发射的光的波长为λ，第三子层173中一个折射层的折射率为n1，厚度为d1，另一个折射层的折射率为n2，厚度为d2，为达到对波长为λ的光反射作用，以上参数应满足：n1·d1＝n2·d2＝1/4·λ。

例如，电致发光层150发射蓝光，折射层可采用氧化铝层(折射率范围为1.6～1.7)和氧化锆层(折射率范围为2.1～2.2)，即包裹有量子点光致发光层180的第一封装层170中的第三子层173由层叠设置的氧化铝层和氧化锆层构成。氧化铝层和氧化锆层的叠层不仅可以形成良好的水氧阻隔作用，还可以通过膜厚的叠层设置起到反射部分蓝光的作用。

如图2所示，在其中一个示例中，量子点光致发光层180包覆在第二子层172中。由于使用了量子点材料，其发射的光波长半峰宽较窄，色纯度高，可以很好地提高OLED显示的色域。

量子点光致发光层180的主体材料可以是硒化镉、磷化铟或钙钛矿材料，通过控制量子点的粒径，可以实现发射不同波长的光。

量子点光致发光层180的一个制备方法如下：

首先，将含有量子点及相应混合溶剂所形成的墨水印刷至堤坝层140所形成的沉积区域141中，随后进行真空干燥，最后进行热固化，其固化温度一般为150～300℃。

量子点光致发光层180的另外一个制备方法如下：

首先，将含有量子点及相应高分子感光有机胶溶剂所形成的墨水印刷至堤坝层140所形成的沉积区域141中，随后进行UV固化，该方法无需高温固化，可以避免由高温固化所带来的量子点光转换层与封装膜层之间应力不匹配而导致的剥离现象。

量子点光致发光层180可以设置在所有电致发光层150的出光路径上，根据显示的需要将电致发光层150发出的光转变为红、蓝、绿等颜色的光。量子点光致发光层180也可以仅设置在部分沉积区域141中，仅设置在部分电致发光层150的出光路径上。例如，图3所示，显示器件100包括红色子像素101、绿色子像素102以及蓝色子像素103。各子像素中的电致发光层150所发出的光均为蓝光。绿色子像素102的电致发光层150的出光路径上设置绿色的量子点光致发光层180，用于吸收蓝光并发出绿光，红色子像素101的电致发光层150的出光路径上设置红色的量子点光致发光层180，用于吸收蓝光并发出红光，蓝色子像素103的电致发光层150的出光路径上不设置量子点光致发光层180，保持蓝光。

在其中一个示例中，量子点光致发光层180的厚度为50～500nm。

如图2所示，在其中一个示例中，显示器件100还包括滤光层190，滤光层190设置在量子点光致发光层180的远离基板110的一侧，滤光层190包覆在第一封装层170中。滤光层190能够允许量子点光致发光层180发出的颜色的光透过，并吸收除所述量子点光致发光层180发出的颜色之外其它颜色的光。例如，相应的电致发光层150发出蓝光，量子点光致发光层180转换为红光，滤光层190能够吸收蓝光。

滤光层190含有对应颜色的染料，仅允许对应颜色波长的光通过，吸收其他可见光。通过设置滤光层190，可以在电致发光层150发出的光未能完全被量子点光致发光层180吸收的情况下，吸收电致发光层150所发出的剩余的光，仅让对应颜色光通过，进一步提高色纯度。

此外，所述彩色滤光层190还能阻止环境中除对应颜色的光入射到显示屏内，减少非显示状态时从像素区域反射出来的光，提高显示器件100的对比度。

在其中一个示例中，堤坝层140采用不透光材料制备而成，例如是采用黑色矩阵材料制备而成，黑色矩阵材料能够吸收可见光，使外界光线难以透入。

黑色矩阵材料在可以曝光图案化的基础上，能够吸收显示器件100外界的环境光，防止环境光照射至显示屏中的反光材料(如金属线路)后反射至观察者眼中，造成显示对比度的降低的情况。

为了达到较低的弯折和卷曲半径，做到可折叠、可卷曲的显示形态，往往要求显示屏的整体厚度越薄越好。当前OLED显示屏的发光功能膜层和驱动器件的厚度非常薄，一般小于10μm，然而显示屏的其他功能层却非常厚，使得显示屏整体膜厚大于100μm。例如，显示屏中会设置圆偏光片，圆偏光片是提高显示对比度的重要功能组层。圆偏光片利用偏光原理，防止外界环境光入射显示屏后，经过显示屏中的一些金属线路等反光膜层的反射，进入人眼。一般市面上的圆偏光片，其厚度往往大于100μm，是限制柔性显示弯折半径进一步降低的重要因素。上述示例的显示器件100通过堤坝层140的黑色矩阵材料以及滤光层190的配合，能够达到替代圆偏光片的效果，降低显示器件100的整体厚度。

可以理解，滤光层190也可以省去。

进一步地，本发明还提供一种上述任一示例的显示器件100的制备方法，包括以下步骤：

提供设置有图案化的第一电极层120的基板110；

在基板110上制作堤坝层140，堤坝层140限定出多个沉积区域141；

在沉积区域141中制作电致发光层150，电致发光层150与第一电极层120连接；

在沉积区域141中制作第二电极层160，第二电极层160与电致发光层150连接；

在沉积区域141中制作第一封装层170以及量子点光致发光层180，使量子点光致发光层180包覆在第一封装层170中，并至少位于部分电致发光层150的出光路径上，不同沉积区域141的第一封装层170相互独立。

在其中一个示例中，在制作堤坝层140之前，制备方法还包括以下步骤：

在基板110上制作第二封装层130，第二封装层130定义出像素坑131，像素坑131露出第一电极层120；

电致发光层150设置在像素坑131中，堤坝层140设置在第二封装层130上。

以下提供一具体示例的显示器件100及其制作方法，对本发明作进一步说明。但本发明并不局限于下述具体示例，应当理解，所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到，对本发明的各实施例所进行的一定的改变，都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。

一具体示例的显示器件100的制作方法包括以下步骤：

步骤S1，如图4所示，提供基板110，在基板110上形成第一电极层120。

利用磁控溅射法沉积ITO/Ag/ITO金属薄膜后，对其进行图案化。与一般的电极层的区别在于，图案化的第一电极层120分为两部分，分别是将会与OLED器件直接接触的第一部分、以及与第二电极层160接触的第二部分。这两部分在第一电极层120中为互相分离、相互绝缘，分别连接于TFT驱动阵列的源极和漏极。

步骤S2，如图6所示，在形成有第一电极层120的基板110上制作第二封装层130。

利用蒸镀、磁控溅射、等离子体化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积或分子层沉积等方法制备第二封装层130。其中一种优选方案是使用PECVD法沉积SION薄膜，通过控制PECVD法沉积时的气体流量，可以较方便地控制SION薄膜的氧含量，从而微调第二封装层130的亲水性质。

步骤S3，如图8所示，在第二封装层130上制作堤坝层140。

使用旋涂或狭缝涂胶等方法在第二封装层130上涂布黑色矩阵材料，形成黑色感光胶膜，并通过曝光、显影和固化等步骤得到图案化的堤坝层140。堤坝层140具有沉积区域141，沉积区域141与第二封装层130的像素坑131连通，露出第一电极层120。在堤坝层140的顶部(即远离基板110的一侧上)形成凹槽142，凹槽142可以使用“半掩膜”的图案化方法得到，与一般的曝光用掩膜版不同，本案例中使用的掩膜版在凹槽142处的曝光时光通过率为20％，堤坝内侧的光通过率为100％，其余为0％。由于凹槽142处被光照射的量较少，因此只有顶部的少量堤坝层140的材料与光反应，并在显影后被去除，最终形成如图8的图案。如图9所示，在本示例中，堤坝层140为线型结构，贯穿整个显示区域。

步骤S4，如图10所示，在堤坝层140之间的空间内喷涂含有蓝光OLED材料的墨水，对于线型堤坝，滴落的墨滴会在堤坝内互相连接形成条状。经过固化后，大部分材料会往第二封装层130的像素坑131内聚集，形成电致发光层150，能够发出蓝光。

步骤S5，如图11和图12所示，将第一电极层的第二部分122上的OLED薄膜去除。

使用激光烧蚀的方法，对第一电极层的第二部分122上的OLED薄膜进行照射，经过合适的激光波长、能量及频率的选型，在照射后，OLED薄膜会被气化，从而使第一电极层的第二部分122裸露。

步骤6，如图13所示，在堤坝层140之间形成第二电极层160。

使用喷墨印刷或选区原子层沉积等图案化沉积镀膜的方法，在堤坝层140之间形成第二电极层160。第二电极层160连接电致发光层150及TFT驱动阵列中的接地/负电位线路。在OLED点亮过程中，一般电流从TFT线路中的高电平线路流入第一电极层的第一部分121并为电致发光层150供电，电流经过第二电极层160往第一电极层的第二部分122流出，并最终与TFT驱动阵列中的低电平线路连接形成回路。

步骤S7，如图14所示，在堤坝层140顶部的凹槽142中形成钝化层200。

利用喷墨印刷或微接触印刷工艺，在两个像素之间的堤坝层140顶部的凹槽142中沉积厚度为1～10nm的表面改性薄膜。钝化层200的的材料是ODTS，其主链为烷烃碳链连接而成，其尾部官能团为烷基(-CH3)，具有较强疏水性，能够在原子层沉积的有机源通入步骤时，原子层沉积的有机源不会吸附在该膜层上，可以有效防止原子层沉积(ALD)薄膜的生长，进而起到原子层沉积的自组装图案化的作用。

步骤S8，如图15所示，在第二电极层160上形成图案化的第一子层171。

采用磁控溅射、蒸镀、化学气相沉积、原子层沉积或分子层沉积等镀膜手段在基板110上制作第二封装膜层。一个优选方案为使用原子层沉积法制备AlOx/ZrOx的纳米叠层薄膜，纳米叠层由AlOx和ZrOx的交替叠层，单层薄膜的厚度可以是0.5～50nm，叠层总厚度范围可以是30～500nm。层叠的层数可以是2～5000层。由于堤坝层140上的钝化层200的存在，相邻像素的第一子层171相互分离。

步骤S9，如图16所示，在第一子层171形成第二子层的第一部分1721。

利用喷墨印刷工艺，在第一子层171上，并只在堤坝层140各堤坝之间打印第二子层的第一部分1721。首先使用大量精准滴落的墨水在表面形成一层流动性较好的液体膜，接着使用紫外固化法或热固化法对液体膜进行固化。

步骤S10，如图17所示，在第二子层的第一部分1721上形成量子点光致发光层180。

使用喷墨印刷、纳米压印等精细图案化涂膜工艺，在第二子层的第一部分1721上形成量子点光致发光层180。具体地，在部分电致发光层150的出光路径上形成绿色的量子点光致发光层180，用于吸收蓝光并发出绿光，在部分电致发光层150的出光路径上形成红色的量子点光致发光层180，用于吸收蓝光并发出红光，部分电致发光层150的出光路径上不设置量子点光致发光层180，保持蓝光。

步骤S11，如图18所示，在量子点光致发光层180上形成滤光层190。

使用喷墨印刷、纳米压印等精细图案化涂膜工艺，在量子点光致发光层180上形成滤光层190。其中，绿色的量子点光致发光层180上形成绿色的滤光层190，绿色的滤光层190仅允许绿光通过，吸收其他色光，红色的量子点光致发光层180上形成红色的滤光层190，红色的滤光层190仅允许红光通过，吸收其他色光。

步骤S12，如图19所示，在滤光层190上形成第二子层的第二部分1722。

利用喷墨印刷工艺，在滤光层190上形成第二子层的第二部分1722，使得第二子层的第一部分1721和第二部分配合包裹其中的量子点光致发光层180及滤光层190。而在未形成量子点光致发光层180及滤光层190的第二子层的第一部分1721上，直接形成第二子层的第二部分1722。

步骤S13，在第二子层172上形成第三子层173，得到如图2所示的显示器件100。

利用磁控溅射、蒸镀、化学气相沉积、原子层沉积、分子层沉积等镀膜手段在第二子层172上完成第三子层173的镀膜。由于堤坝层140上的钝化层200的存在，相邻像素的第三子层173相互分离。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (16)

1.一种显示器件，其特征在于，包括：

基板；

图案化的第一电极层，设置在所述基板上；

堤坝层，设置在所述基板上，所述堤坝层限定出多个沉积区域；

电致发光层，设置在所述沉积区域中并与所述第一电极层连接；

第二电极层，设置在所述沉积区域中并与所述电致发光层连接；

第一封装层，设置在所述沉积区域中并与所述第二电极层连接，不同所述沉积区域的所述第一封装层相互独立；以及

量子点光致发光层，所述量子点光致发光层被包覆在所述第一封装层中，并至少位于部分所述电致发光层的出光路径上。

2.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件还包括第二封装层，所述第二封装层设置在所述基板和所述堤坝层之间，所述第二封装层定义出像素坑，所述像素坑露出所述第一电极层，所述电致发光层设置在所述像素坑中。

3.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述第一封装层包括第一子层、第二子层以及第三子层，所述第一子层设置在所述第二电极层上，所述第二子层设置在所述第一子层上，所述第三子层设置在所述第二子层上，所述第一子层和所述第三子层为无机封装层，所述第二子层为柔性封装层。

4.如权利要求3所述的显示器件，其特征在于，所述第一子层和所述第三子层的材料独立地选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、二氧化钛、二氧化铪、氧化锌、氧化镁及氧化锆中的至少一种；和/或

所述第二子层的材料选自碳氮化硅、碳氧化硅、氟化碳氧化硅、氟化碳氮化硅、聚二甲基硅氧烷、聚对二甲苯、聚丙烯、聚苯乙烯及聚酰亚胺中的至少一种。

5.如权利要求3所述的显示器件，其特征在于，所述第一子层还覆盖所述堤坝层的侧壁而形成沉积坑，所述第二子层设置在所述沉积坑中。

6.如权利要求5所述的显示器件，其特征在于，所述第三子层与所述第一子层配合将所述第二子层完全包裹在其中。

7.如权利要求6所述的显示器件，其特征在于，所述量子点光致发光层包覆在所述第二子层中。

8.如权利要求7所述的显示器件，其特征在于，所述第三子层包括层叠设置的多个折射层，多个所述折射层构成分布布拉格反射镜结构以反射所述电致发光层发射的光。

9.如权利要求8所述的显示器件，其特征在于，所述折射层为氧化铝层和氧化锆层。

10.如权利要求7所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件还包括滤光层，所述滤光层设置在所述量子点光致发光层的远离所述基板的一侧，所述滤光层包覆在所述第二子层中。

11.如权利要求10所述的显示器件，其特征在于，所述电致发光层发射蓝光，所述量子点光致发光层吸收所述电致发光层发射的蓝光并转换为绿光或红光。

12.如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述堤坝层采用不透光材料；和/或

所述堤坝层为多个条状的分隔墙，多个所述分隔墙平行设置，相邻的所述分隔墙之间形成所述沉积区域；和/或

所述基板包括衬底以及设置在所述衬底上的TFT驱动阵列，所述TFT驱动阵列具有源极和漏极，所述第一电极层包括相互分离的第一部分和第二部分，所述第一部分连接所述电致发光层以及所述源极，所述第二部分连接所述第二电极层以及所述漏极；和/或

所述第二封装层为无机封装层；和/或

所述堤坝层远离所述第二封装层的一侧设有钝化层。

13.如权利要求12所述的显示器件，其特征在于，所述钝化层的材料选自十八烷基三氯硅烷、十八烷基硫醇、十八烷基磷酸、二十二烷基三氯硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十二烷基醇、十八烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯吡咯烷酮中的至少一种。

14.如权利要求3所述的显示器件，其特征在于，

所述第一子层的厚度为30nm～500nm；和/或

所述第二子层的厚度为2μm～12μm；和/或

所述堤坝层的高度为1μm～20μm；和/或

所述量子点光致发光层的厚度为50nm～500nm。

15.一种显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供设置有图案化的第一电极层的基板；

在所述基板上制作堤坝层，所述堤坝层限定出多个沉积区域；

在所述沉积区域中制作电致发光层，所述电致发光层与所述第一电极层连接；

在所述沉积区域中制作第二电极层，所述第二电极层与所述电致发光层连接；

在所述沉积区域中制作第一封装层以及量子点光致发光层，使所述量子点光致发光层包覆在所述第一封装层中，并至少位于部分所述电致发光层的出光路径上，不同所述沉积区域的所述第一封装层相互独立。

16.如权利要求15所述的制备方法，其特征在于，

在制作所述堤坝层之前，所述制备方法还包括以下步骤：

在所述基板上制作第二封装层，所述第二封装层定义出像素坑，所述像素坑露出所述第一电极层；

所述电致发光层设置在所述像素坑中，所述堤坝层设置在所述第二封装层上。

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